JP2019513300A - 光拡散の方法と装置 - Google Patents

光拡散の方法と装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019513300A
JP2019513300A JP2018548830A JP2018548830A JP2019513300A JP 2019513300 A JP2019513300 A JP 2019513300A JP 2018548830 A JP2018548830 A JP 2018548830A JP 2018548830 A JP2018548830 A JP 2018548830A JP 2019513300 A JP2019513300 A JP 2019513300A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
substrate
reflective element
leds
diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018548830A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019513300A5 (ja
Inventor
ピーターソン コディ
ピーターソン コディ
ハスカ アンドリュー
ハスカ アンドリュー
ハンセン モニカ
ハンセン モニカ
アダムス クリントン
アダムス クリントン
Original Assignee
ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー
ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー, ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー filed Critical ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー
Publication of JP2019513300A publication Critical patent/JP2019513300A/ja
Publication of JP2019513300A5 publication Critical patent/JP2019513300A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53242—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a noble metal, e.g. gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133612—Electrical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75261—Laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75261—Laser
    • H01L2224/75262—Laser in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/7531—Shape of other parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75317—Removable auxiliary member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H01L2224/75651—Belt conveyor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75824—Translational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75841—Means for moving parts of the bonding head
    • H01L2224/75842—Rotational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75841—Means for moving parts of the bonding head
    • H01L2224/75842—Rotational mechanism
    • H01L2224/75843—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8122—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/81224—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/83224—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/401—LASER
    • H01L2924/405—Wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

装置は、基板と、ＬＥＤの第１の側で導電パッドを介して基板に取り付けられたＬＥＤとを含む。ＬＥＤは、基板から離れる方向に光を反射するようにＬＥＤの第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、ＬＥＤの第１の側の反対のＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子とを含む。第２の反射素子は、光を主に基板に向かう方向に反射するように配置される。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１６年３月１８日出願の米国特許出願第１５／０７５，００１号「Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｌｉｇｈｔ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ」の優先権を主張し、その内容全体を参照により本明細書に組み込む。本出願は、さらに、２０１５年１１月１２日出願の米国特許出願第１４／９３９，８９６号「Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ」を参照により、その全体を組み込む。
基本的な液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、層構造をしている。ＬＣＤは、背後に鏡を有し、ＬＣＤを反射性にする。そして、底部側に偏光フィルムを有し、上部にインジウムスズ酸化物からなる共通電極面を有するガラスが追加される。共通電極面は、ＬＣＤの全領域を覆う。その上に、液晶物質の層がある。次に、底部に電極を有し、上部に第１の偏光フィルムに直角に配置された別の偏光フィルムを有する別のガラスが来る。
電極は、電源に接続される。電流が印加されていない時、ＬＣＤの前面を通って入る光は、単に、鏡に当たってそのまま跳ね返る。しかし、電源が電極に電流を供給すると、共通電極面と長方形のような形の電極との間の液晶のねじれが戻って、その領域を光が通るのを遮断する。これによって、ＬＣＤは、ディスプレイを黒色に見せる。
色を表示できるＬＣＤの画素は、典型的に、各色画素を生成する赤、緑、青の色フィルタを有する３つのサブ画素を有する。サブ画素に印加する電圧の制御と変化を通して、各サブ画素の強度は、複数の階調（例えば、２５６階調）に及び得る。サブ画素を組み合わせると、より多くの色の幅ができる（例えば、１６８０万色（赤２５６階調ｘ緑２５６階調ｘ青２５６階調）。
ＬＣＤ技術は、絶えず進化している。今日、ＬＣＤは、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）、ＤＳＴＮ（ｄｕａｌ ｓｃａｎ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃｓ）、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、及び、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）を含む、液晶技術の様々な変形も採用している。
さらに、一般に、ＬＣＤに光を供給する光源は、典型的に、２つの場所のうちの１つに配置される。ある例においては、ＬＣＤの端部に沿って、冷陰極管（ＣＣＦＬ）または発光ダイオードアレイ（ＬＥＤ）があってよく、光が拡散部の側端に向かって発せられるので「エッジライト」ＬＣＤと呼ばれることが多いＬＣＤを形成する。他の例においては、光源は、ディスプレイの前面の背後にアレイまたはマトリクス状に配置されてよく、光がディスプレイの裏面から拡散部に向かって発せられるので、「バックライト」ＬＣＤと呼ばれることが多いＬＣＤを形成する。いずれの場合でも、光を拡散させる拡散部を含む光学系を用いて、これらの光は、ディスプレイの画素の背後から光を当てる。実際に、これらの光は、典型的に、ディスプレイにおける唯一の光である。
光学系は、光に対して白い背景を作る第１のシートを含む。次に来る部品は、「導光板」（ＬＧＰ）またはカバーシートと呼ばれる。光がエッジライトディスプレイのＬＧＰの端から入る時、ＬＧＰ内の多くのドットの１つに当たらなければ、光は全内部反射によって導光板の長さと幅を通して伝播する。ドットは、光線の一部を前面から出現させる。次に、導光板からドットパターンを取り除くのを助けるために拡散フィルムが追加される。その後、「プリズムフィルム」を追加してよい。バックライトからの光が、裏面に対して垂直なだけではなく、斜角で出現するので、プリズムフィルムが使用される。このプリズムフィルムは、発光の垂直性を増加させる。最後に、ディスプレイ面の平面を均等に照らすのを助ける別の拡散フィルムが追加されてよい。本質的に、ＬＧＰ、プリズムフィルム、及び、拡散フィルムの目的は、まとめて拡散層として機能して、ディスプレイ面の平面全体にわたって光が均一に見えるように、光源の発光を広げ、それによって、発光の原点における輝点の強度を最小にすることである。
ＬＣＤがエッジライトであるかバックライトであるかに関わらず、使用される従来のＬＥＤのサイズが、ＬＣＤの厚さと、光の拡散に必要な拡散部のサイズとに影響する。
従来のディスプレイで使用されるＬＥＤのサイズに関して、最終的な結果は、従来の方法による製造組立工程によって決まる。詳細には、ＬＥＤ半導体素子の製造は、典型的に、無数のステップを有する複雑な製造工程を伴う。製造の最終製品は、「パッケージ化された」半導体素子である。「パッケージ化」という修飾語は、最終製品に組み込まれる筐体と保護機能と、パッケージ内の素子を最終的な回路に組み込むことを可能にするインタフェースとを指す。このパッケージ化は、ＬＥＤの厚さに影響する。
詳細には、半導体素子の従来の製造工程は、半導体ウェハを扱うことから始まる。ウェハは、ＬＥＤ等の多数の「パッケージ化されていない」半導体素子にダイシングされる。「パッケージ化されていない」という修飾語は、保護機能の無い覆われていないＬＥＤを指す。本明細書においては、パッケージ化されていないＬＥＤは、簡単に「ダイ」と呼ばれてよい。ある例においては、パッケージ化されていないＬＥＤの厚さは、５０ミクロン以下である。
添付図面を参照して発明を実施するための形態を記載する。図面において、参照番号の左端の数字（複数可）は、その参照番号が最初に現れた図面を示す。異なる図面における同じ参照番号の使用は、類似または同じ項目を表す。さらに、図面は、個々の図面内の個々の構成要素の相対的なサイズをおおよそ表しているとみなしてよい。しかしながら、図面は、縮尺通りではなく、個々の構成要素の相対的なサイズは、個々の図面内においても異なる図面間でも、表す物によって変わり得る。詳細には、ある図面では、構成要素をある一定のサイズまたは形で表すが、他の図面では、明瞭にするために、同じ構成要素をより大きく表したり、異なる形状としたりする場合がある。
従来のＬＥＤから一般的にどのように光が発せられるかを示す図である。 本出願の実施形態による、装置の垂直断面図である。 本出願の別の実施形態による、装置の垂直断面図である。 本出願の別の実施形態による、装置の垂直断面図である。 本出願の実施形態による、装置の平面図である。 本出願の実施形態による、装置の垂直断面図である。 本出願の別の実施形態による、装置の垂直断面図である。 本出願の実施形態による、装置の平面図である。 本出願の実施形態による、方法の例を示す図である。 本出願の実施形態による、方法の例を示す図である。
本開示は、一般的に、ＬＣＤを有するデバイスの、例えば、ディスプレイ面の平面にわたって光を有効且つ安定して拡散させる方法及び装置に関する。例えば、本出願は、「入れ子拡散部」に関する方法及び装置を記載する。本明細書に記載の入れ子拡散部の特徴は、（従来の方法と比べて）光の拡散を増加させながら、ディスプレイ面にわたって均一に配光するために使用する光源の数を最小限にすることによって、製造コストを下げ、及び／または、ディスプレイの厚さを最小限にする。「入れ子拡散部」という用語は、本明細書においては、光を拡散するＬＣＤの同じ層内で、すなわち、光源のほぼ高さ／厚さの拡散部内で、光の拡散が生じるという特徴を記載するために使用される。言い換えると、光源は、光を拡散しているＬＣＤ層内に配置または「入れ子に」されてよい。よって、入れ子拡散部と称する。光源を光拡散層内に直接配置することによって、ＬＣＤ全体の厚さを低減し得る。
さらに、本出願の方法または装置を適用する素子の厚さは、少なくとも部分的に、使用する光源のマイクロサイズと、光拡散の仕方によって低減されてよい。詳細には、拡散部の厚さは、ほぼ光源の高さに低減されてよい。ある例においては、光源は、パッケージ化されたＬＥＤまたはパッケージ化されていないＬＥＤから選択されてよい。パッケージ化されていないＬＥＤを使用すると、パッケージ化されたＬＥＤを使用するディスプレイに比べてより薄いディスプレイを作る能力が向上する。
図１は、従来のＬＥＤ１０２の発光１００のおおよそのパターンを示す。すなわち、従来のＬＥＤ１０２の性質により、光は一般的にＬＥＤ１０２の周囲の多方向に発せられる。図に示すように、説明目的で表された円形と矢印の破線による発光パターン１０４は、光は、ＬＥＤ１０２の上部側及びＬＥＤ１０２の底部側と、一部、ＬＥＤ１０２の側面から発せられることが示されている。発光パターン１０４は、図１に示す通りのパターンに限定されなくてよいことに注意されたい。ある例においては、従来のＬＥＤ１０２は、ＬＥＤ１０２の片面に半反射面または鏡面（図示せず）を含んでよい。
この従来の構成においては、ＬＥＤ１０２が、ＬＥＤ１０２が電力を供給されて光を発する回路を有する基板（図示せず）に取り付けられる時、図１の発光パターン１０４は、ＬＥＤ１０２から発せられる光の約半分が、ＬＥＤ１０２が接続される基板の方に向けられ得ることを示している。基板の形状及び材料特性と、ＬＥＤ１０２を用いたデバイスにおいて基板を実装する様態とに応じて、基板の方に発せられる光は、ほぼ失われる、または、素子の照明という意図した目的への寄与は最小限になる。
均一な光拡散のためのＬＥＤと入れ子拡散部との説明のための実施形態
本出願の実施形態によると、図２は、ディスプレイ面の平面に対応する拡散部の平面にわたって分散される複数の行と列として配置されてよい光源アレイを実現することによって、入れ子拡散部を形成する装置２００を示す。さらに、及び／または、あるいは、光源は、行と列以外のパターンで拡散部全体に分散されてよい。
説明のための実施形態において、装置２００は、基板２０２と基板２０２に固定された複数のＬＥＤ（例えば、ＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂ）とを含んでよい。ある例においては、ＬＥＤが１つのみであってよいことに注意されたい。ＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂは、上部側に電気接点を有する標準的なＬＥＤであってよい、または、底部側に電気接点を有するフリップチップであってよい。基板２０２は、回路トレース（詳細に後述、図示する）を含み、回路トレースを介して、ＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂは、基板２０２に取り付けられ、電力を供給される。従って、基板２０２は、プリント基板（ＰＣＢ）等の回路基板であってよい。さらに、基板２０２は、ＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂの高さとほぼ同じ厚さを有する薄膜としてポリマーから形成されてよい。基板２０２の適切な材料は、ＰＥＴ等の材料を含み、ＰＥＴは、１つまたは複数のＬＥＤの電流による潜在的な温度変化に関わらず、構造的完全性を維持できる。
基板２０２に取り付けられたＬＥＤは、それぞれ、技術的ニーズに応じて、異なる構造的構成を有してよい、または、全てのＬＥＤが、類似の構造的構成を有してもよい。図に示し、ＬＥＤ２０４Ａに関して述べたように（ＬＥＤ２０４Ｂは、類似の構成を示す）、ＬＥＤ２０４Ａは、第１の反射素子２０６Ａと第２の反射素子２０６Ｂを有する。第１の反射素子２０６Ａは、基板に向かって光を反射するように、ＬＥＤ２０４Ａの基板２０２に取り付けられた側の反対側のＬＥＤ２０４Ａの側に形成されてよい。第２の反射素子２０６Ｂは、ＬＥＤ２０４Ａの基板２０２に取り付けられた側に形成されてよい。
さらに、第１の反射素子２０６Ａ及び第２の反射素子２０６Ｂは、鏡面であってよい。ある例においては、第１の反射素子２０６Ａ及び第２の反射素子２０６Ｂは、金属鏡接点によって形成される。アルミニウム（Ａｌ）と銀（Ａｇ）は、青色ＬＥＤの波長範囲で最も反射性の高い金属である。全方向反射素子が、異なる屈折率を有する誘電材料のスタックから形成されてよい。これらの誘電材料は、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5等を含み得る。さらに、及び／または、あるいは、白色の拡散ポリマーベースの反射素子材料（ＴｉＯ2のような粒子を組み込んだ紡糸繊維であってよい）が使用されてよい。第１の反射素子２０６Ａ及び第２の反射素子２０６Ｂは、同じ材料または異なる材料から形成されてよいことに注意されたい。すなわち、第１の反射素子２０６Ａは、第１の材料から形成されてよく、第２の反射素子２０６Ｂは、第１の材料とは異なる第２の材料から形成されてよい（例えば、第１の反射素子２０６Ａは、アルミニウムであってよく、第２の反射素子２０６Ｂは、銀であってよい、または、その逆であってよい）。
上記ＬＥＤの設計と構造は、発せられた光を方向付けるのに有用なので、ＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂは、発光を端（図示せず）から導光板に集束させるエッジライトＬＣＤにおいてＬＥＤとして実装されてよく、且つ、本明細書に記載のように、拡散部に入れ子にされてよい。
ある例においては、複数のＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂが、最初に、基板２０２上に配置されてよく、拡散部２０８は、拡散部２０８内に複数のＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂを入れ子にするように、複数のＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂと整列されてよい。あるいは、複数のＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂが、拡散部２０８に直接、入れ子にされてよく、それらが、次に、基板２０２上の回路と整列される。図に示すように、ガラス、プラスチック、または、他の適切な透明または半透明の材料のディスプレイパネル２０９が、複数のＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂと拡散部２０８とを間に挟むように、基板２０２と反対側のＬＥＤと拡散部２０８の側に置かれてよい。拡散部２０８は、導光板または拡散板として働いて、複数のＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂが発した光がディスプレイパネル２０９にわたって均一に分散するのを助ける。拡散部２０８の材料は、シリコン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ガラス等を含んでよい。さらに、拡散部２０８は、薄い成形用ポリマーシートであってよい。
ある例においては、第３の反射素子２１０は、図示のように、隣り合うＬＥＤの間（２０４Ａと２０４Ｂの間）の基板２０２の表面の面積の少なくとも一部を覆うように基板２０２の表面に、または、拡散部２０８の表面に、配置または塗布されてよい。第３の反射素子２１０の材料は、第１の反射素子２０６Ａと第２の反射素子２０６Ｂに関して上述した材料等、アルミニウム、銀等を含む反射材料で形成されてよい。第３の反射素子２１０の材料は、光の吸収を最小限にするのを助ける、または、発せられた光が、拡散部２０８の隣り合うＬＥＤ間で基板２０２を通る等、基板２０２によって負の影響を受けるのを最小限にする。ある例においては、基板２０２は、本質的に反射性の材料から形成されてよい。あるいは、特定の技術目的には望ましくない場合があるので、第３の反射素子が必要でない場合もある。例えば、基板２０２を通した発光を可能にするために、基板２０２は、透明または半透明であることが望ましい場合がある。
ＬＥＤ２０４Ｂの断面をクローズアップした図２１２は、発光２１４の反射性を表しており、発光２１４が、ＬＥＤ２０４Ｂの側面に到達するまで、第１の反射素子と第２の反射素子の間で反射を繰り返してよいことを示している。ＬＥＤ２０４Ｂの側面に到達すると、発光２１４は、拡散部２０８に入る。このようにして、発せられた光のほとんど全てを捕捉することができ、その光をディスプレイパネル２０９の方に向けることができて、ごく少量の光しか失われない。
さらに、及び／または、あるいは、ある例においては、ＬＥＤの基板２０２と反対の側に配置された反射素子２２２は、発光２１６が、反射面を通って、ディスプレイパネル２０９に出るのを可能にするように、部分的に反射面を提供しながら、ある程度まで半透明な材料で形成されてよい。例えば、反射面は、非常に薄い銀の層（例えば、特定の厚さ未満）から形成されてよい。
図２の図２１２には、ＬＥＤ２０４Ｂの導電パッド２１８も表されている。導電パッド２１８は、電気を伝えるため、また、回路トレース２２０を介してＬＥＤ２０４Ｂを基板２０２に取り付けるために使用される。回路トレース２２０は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、レーザ印刷、手動印刷、または、他の印刷手段を介して配置された導電性インクから形成されてよい。さらに、回路トレース２２０は、ダイの導電のために活性化可能なままで、予備硬化され、半乾燥または乾燥されて、追加の安定性を与えてよい。導電性ウェットインクを使用して、回路トレース２２０を形成してもよい、または、ウェットインクとドライインクの組み合わせを回路トレース２２０に使用してよい。あるいは、または、追加で、回路トレース２２０は、配線トレースとして予備成形されてよく、または、フォトエッチングされてよく、または、溶融材料から回路パターンに形成されて、接着、埋め込み、もしくは、他の方法で、基板２０２に固定されてよい。
回路トレース２２０の材料は、銀、銅、金、炭素、導電性ポリマー等を含んでよいが、これらに限らない。ある例においては、回路トレース２２０は、銀をコーティングした銅粒子を含んでよい。回路トレース２２０の厚さは、使用される材料の種類、意図する機能、その機能を達成するために適切な強度もしくは柔軟性、エネルギー容量、ＬＥＤのサイズ等に応じて変わり得る。例えば、回路トレースの厚さは、約５ミクロンから約２０ミクロン、約７ミクロンから約１５ミクロン、または、約１０ミクロンから約１２ミクロンの範囲であってよい。
図２１２に示すＬＥＤ２０４Ｂの反射素子に関して、ある例においては、反射素子２２２は、ＬＥＤ２０４Ｂの幅全体にわたって延在してよい、あるいは、反射素子２２４は、ＬＥＤ２０４Ｂの実質的に幅全体に、または、幅の一部に延在してよい。ＬＥＤの幅全体に延在する反射素子、または、ＬＥＤの幅の一部にのみ延在する反射素子は、ＬＥＤのどちらの側に使用されてもよい。さらに、及び／または、あるいは、ＬＥＤ内の両方の反射素子は、同じサイズであってよく、ＬＥＤの幅全体、または、ＬＥＤの幅の一部に延在してよい。
図２と同様に、図３に示す装置３００は、複数のＬＥＤ３０４Ａ、３０４Ｂが配置される回路基板３０２を含む。各ＬＥＤ３０４Ａ、３０４Ｂは、反射面３０６Ａ、３０６Ｂを含んでよい。拡散部３０８は、複数のＬＥＤ３０４Ａ、３０４Ｂと共に入れ子になるように、基板３０２に隣接する複数のＬＥＤ３０４Ａ、３０４Ｂと整列する。ある例においては、基板３０２は、本質的に反射性の材料で形成されてよい。あるいは、第３の反射素子は、特定の技術的目的にとっては望ましくない場合があるので、必要でない場合もある。例えば、基板３０２を通って発光が可能なように、基板３０２は、透明または半透明であることが望ましい場合がある。
図３に示すように、ディスプレイパネル３１０は、基板３０２の反対側に配置されて、入れ子拡散部３０８を挟む。図３で追加された詳細は、ＬＥＤ３０４Ａ、３０４Ｂを拡散部３０８に光学的に結合して、ＬＥＤを出る光と拡散部３０８に入る光からの光透過率を強化するという変更を含む。ある実施形態においては、ＬＥＤの端と拡散部との間のギャップまたは間隔が（ＬＥＤのマイクロサイズに比較して）比較的小さいまたは無い場合がある。従って、上記実施形態においては、光学結合は、ＬＥＤの側面と、当接する拡散部の壁との間で直接生じる。全ての図は、記載を明瞭にするために最小の間隔を表して、異なる構成要素を区別していることに注意されたい。しかしながら、図２及び図６は、ＬＥＤと拡散部の間にギャップも間隔も無いことを表してよい。
さらに、及び／または、あるいは、ある例においては、ギャップまたは間隔は、ＬＥＤ３０４Ａと拡散部３０８の間に、意図的に含まれ、異なる光学結合が組み込まれてよい。ギャップを含む実施形態のある例においては、ギャップを埋めて発光が拡散部３０８に入る前に発光を拡散させることによって、ＬＥＤ３０４Ａと拡散部３０８を光学的に結合させるように、蛍光体３３０が、ＬＥＤ３０４Ａ上とＬＥＤ３０４Ａの少なくとも側面の周りとに被着されてよい。蛍光体の使用は、白い光が必要な時、特に有用である。ギャップを含む実施形態の他の例においては、ギャップを埋めて発光が拡散部３０８に入る前に発光を拡散させることによって、ＬＥＤ３０４Ｂと拡散部３０８を光学的に結合させるように、シリコン、蛍光体等の材料３４０が、ＬＥＤ３０４Ｂの側面の周りに被着されてよい。ＬＥＤ３０４Ａ及び３０４Ｂの上面を通るとして表される発光の量は異なることに注意されたい。上述のように、各ＬＥＤ間の反射面３０６Ａ及び３０６Ｂは、完全に不透明から、所望の量の光が通ってディスプレイパネル３１０に到達するのが可能な程度まで、透明性が異なってよい。
さらに、入れ子拡散部（２０８、３０８）の構造的概念は、様々な方法で配光と光拡散のために使用されるように企図及び構成される。すなわち、入れ子拡散部は、ディスプレイパネル無しに埋め込まれてよく、ＬＣＤ以外の素子に拡散された光を提供するのに適している。ある例においては、入れ子拡散部は、図２及び図３に示すように、開いた空洞または貫通孔で、拡散部内に入れ子にされたＬＥＤを含む。さらに、及び／または、あるいは、ＬＥＤまたは他の光源は、拡散基板の材料によって１つまたは複数の側を覆われてよい。さらに、このような拡散部の説明のための実施形態は、図４の装置４００である。装置４００は、光源４０４（例えば、ＬＥＤ）を埋め込んだまたは入れ子にした拡散基板４０２を含む。拡散基板４０２の平均の厚さは、光源４０４の高さより薄くてよい（例えば、約１２ミクロンから約１００ミクロン、または、約２５ミクロンから約８０ミクロン、または、約３５ミクロンから約５０ミクロンに及ぶ等）。拡散基板４０２は、隆起部分４０６が拡散基板４０２の少なくとも片側で光源４０４を覆うように、成形または他の方法で形成される。同様に、光源４０４の底部側は、拡散基板４０２によって少なくとも部分的に覆われてよい。光源４０４は、光源４０４に電力を供給し得る導電パッド４０８を含む。
さらに、光源４０４は、ＬＥＤ２０４Ａ、２０４Ｂ、３０４Ａ、３０４Ｂ上に示した反射素子のような１つまたは複数の反射素子を含んでもよく、または、含まなくてもよい。拡散基板４０２は、光源から発せられる光の拡散を支援するテクスチャ特徴（ここで、さらに述べる）を含んでよいことが企図される。例えば、ある例においては、拡散基板は、入れ子にされた光源の高さ以上の厚さであってよく、拡散基板の表面にテクスチャが追加されてよい。
従って、本明細書で述べる入れ子拡散部の実施態様は、ＬＣＤでの使用に限定されず、入れ子拡散部は、多数の他の用途にとって、プレーナまたは基板拡散の光源として働いてよい。
図５は、ＬＥＤ５００の平面図を表す。ＬＥＤ５００は、光を生成するために、半導体材料５０２の１つまたは複数の層を含んでよい。ＬＥＤ５００は、さらに、電力をＬＥＤ５００に安全に提供するのを支援する電流拡散層５０４Ａ、５０４Ｂを含み、電力は、導電パッド５０６Ａ、５０６Ｂを介してＬＥＤ５００に伝えられる。ある例においては、電流拡散層５０４Ａ、５０４Ｂの材料が選択され、ＬＥＤ５００の面の１つで第１の反射素子として機能するように、半導体材料５０２と共に配置されてよく、反対側は第２の反射素子を含み得る。電流拡散層５０４Ａ、５０４Ｂは、図５に示す相対的なサイジングに制限されない。すなわち、所望の反射特性と、必要な機能面に応じて、電流拡散層５０４Ａ、５０４Ｂは、導電パッド５０６Ａ、５０６Ｂに対してより大きくてもよく、より小さくてもよい。さらに、電流拡散層５０４Ａ、５０４Ｂの厚さは、反射性を増加または減少させるように変更されてよい。
装置６００の垂直断面は、図６に示すように、拡散部６０６内に入れ子になったＬＥＤ６０４のアレイを上に配置した回路基板６０２を含む。ＬＥＤ６０４のアレイは、（ラベルを付けていないが図に示している）第１の反射素子と第２の反射素子を含む本出願に従ったＬＥＤであってよい。ＬＥＤ６０４のアレイを有する基板６０２とディスプレイパネル６０８との間の光学距離間隔Ｙは、ＬＥＤ６０４の厚さと、拡散部６０６を通る拡散の有効性に応じて変わり得る。ＬＥＤ６０４のアレイは、回路基板６０２の表面にわたってＬＥＤ６０４の幾つかの列と行を有するマトリックス状に配置されてよい（平面図は図８を参照）。隣り合うＬＥＤ同士の幾何学的中心（ｃｅｎｔｒｏｉｄ）間のＬＥＤの間隔距離Ｘは、ＬＥＤ６０４のサイズと、拡散部６０６とディスプレイパネル６０８とを通る拡散の有効性とに応じて変わり得る。距離Ｘは、最終的には、隣り合うＬＥＤの幅によって制限されることに注意されたい。さらに、距離Ｙは、最終的には、基板６０２上のＬＥＤ（複数可）の高さによって制限される。
多くの例において、基板６０２とディスプレイパネル６０８との間の高さの間隔は、隣り合うＬＥＤ６０４間の間隔と相関している。相関関係は、使用されるＬＥＤの数、拡散の有効性、所望の輝度、素子の所望の厚さ等に応じて変わり得る。最終的に、目的は、ディスプレイパネル６０８の表面全体をユーザにとって均一に照らしながら、ＬＥＤ数を最小限にしてコストと電力消費を節約し、ディスプレイ全体の厚さができるだけ薄くなるように基板６０２とディスプレイパネル６０８の間の距離Ｙを最小限にすることである。一般的に、Ｙの値が減少すると、Ｘの値も減少し、これは、アレイのＬＥＤ数が増加して、視覚的に目立つ光の点無しに、ディスプレイを均一に照らすことを意味する。
距離Ｙを小さくする時、必要なＬＥＤ数を最小限にするために、拡散部の表面及び／または本体にテクスチャを追加してよい。例えば、図７において、装置７００の垂直断面ＶＩＩ（図８を参照）は、拡散部７０６に入れ子にされたＬＥＤ７０４のアレイを上に配置した回路基板７０２を表す。基板７０２とディスプレイパネル７０８の間の距離Ｙは、変わり得る。ある例においては、拡散部７０６は、テクスチャ特徴７１０を含んでよい。テクスチャ特徴７１０は、図７に示すように、基板７０２の方に凹んでいてよく、または、凸型であってもよい（図示せず）。さらに、及び／または、あるいは、テクスチャ特徴７１０は、凸型構造と凹型構造の組み合わせを含んでよい。テクスチャ特徴７１０は、パターンにされてもよく、または、表面に、または、拡散部７０６内にランダムに配置されてもよい。
ある例においては、半円として表され、図７の他の例においては、先のとがった凹みとして表されるテクスチャ特徴７１０は、ＬＥＤ７０４からの光の拡散に有効な他の既知のまたはランダムな形であってよいことに注意されたい。例えば、テクスチャ特徴７１０は、三角形、ピラミッド型、球形、長方形、六角形等であってよい。図７のテクスチャ特徴７１０の形は、本出願による、実施形態を表しただけである。さらに、図７に示すテクスチャ特徴は、ＬＥＤ７０４からの距離に応じて、深さと幅が増加するが、ある例においては、光を均一に拡散するために、深さのみ、または、幅のみが変わってよい。従って、企図される他のテクスチャ特徴は、同じ幅を有するが、深さが増加する特徴（例えば、幅は同じであるが拡散部への深さが増加する管形状）、及び、深さは同じであるが幅が増加する特徴（例えば、拡散部への深さは同じであるが、光源からの距離と共に拡散部上の幅が変わるパンケーキ状の凹み）を含む。
ディスプレイパネルを通してＬＥＤが発した光を拡散するために、ＬＥＤ上に第１及び第２の反射素子を使用することに加えて、上記のようなテクスチャ特徴等のテクスチャ特徴が、反射素子と協働して、より均一に照らされたディスプレイ面を提供してよい。ある例においては、図８の拡散部７０６の平面図から分かるように、拡散部７０６は、複数のテクスチャ特徴７１０を含んでよい。アレイにおいては、拡散部７０６に示されたテクスチャ特徴である大きい円８００は、拡散部７０６内に入れ子にされたＬＥＤ（図示せず）の場所を表してよい。大きい円８００は、光がその場所で最も明るいことを必ずしも表さず、拡散部７０６内に入れ子にされたＬＥＤが発した光の最初の分配源を示すだけである。
個々のテクスチャ特徴８０２は、大きい円８００のＬＥＤの場所の幾何学的中心から第１の半径方向距離にある円として表される。他の個々のテクスチャ特徴８０４は、大きい円８００のＬＥＤの場所の幾何学的中心から第２の半径方向距離にある異なるサイズの円として表される。テクスチャ特徴８０４はテクスチャ特徴８０２より小さいことに注意されたい。さらに、テクスチャ特徴の連続８０６においては、ＬＥＤに最も近いテクスチャ特徴（例えば、テクスチャ特徴８０４）は、ＬＥＤから半径方向により離れたテクスチャ特徴（例えば、テクスチャ特徴８０２）のサイズより小さいことを示すパターンが出現する。すなわち、ある例においては、テクスチャ特徴とＬＥＤとの間の距離が増加すると、拡散部７０６全体と重ねられたディスプレイパネルとを通して均一に照らされるように、より多くの光を捕捉して、拡散するために、テクスチャ特徴のサイズは、大きくなってよい。相関して、テクスチャ特徴とＬＥＤとの間の距離が減少すると、光源近くで捕捉される光の量を減らすために、テクスチャ特徴のサイズは小さくなってよい。
図８では、テクスチャ特徴は、拡散部７０６全体に延在していない（すなわち、ＬＥＤ間にテクスチャ特徴の無い大きいギャップ）が、図８の表示は、例として示したもので、記載を明瞭にするために、また、図を複雑にしないためにそのように描いている。しかしながら、領域８０８に示すように、テクスチャ特徴は、拡散部７０６全体に途切れずに延在してよいことを企図している。隣り合うＬＥＤの例においては、テクスチャ特徴のサイズは、任意の隣り合う２つのＬＥＤ間のほぼ中間で最大の大きさに達し得ることに注意されたい。領域８０８の中心に示されるテクスチャ特徴は、例えば、横方向に隣り合うＬＥＤ間における、そのテクスチャ特徴の位置によって最大サイズになっていると考えられてよい。明瞭にするために、拡散部に入れ子にされたＬＥＤが間に無い時、２つのＬＥＤは、横方向に隣り合うとみなされてよい。よって、図８において、ＬＥＤは、互いに間隔を置いて、斜めに、水平に、または、垂直に配置されていても、隣り合っていると考えられる。
さらに、及び／または、あるいは、前述のように、テクスチャ特徴は、均一な拡散を維持するように均等に分散されながら、ランダムに配置されてよい。テクスチャ特徴は、レーザーエッチング、ナーリング、成形、きさげ加工等を介して作成されてよい。
ＬＥＤを形成する方法の説明のための実施形態
本出願の実施形態による、ＬＥＤを作成する方法９００を図９に示す。方法９００は、半導体を形成するステップ９０２を含む。ある例においては、半導体を形成するステップは、ＬＥＤとして使用される従来の半導体を形成するのに使用されるステップと類似であってよい。他の例においては、他のステップを行ってよい。方法９００は、さらに、反射面を有する第１の反射素子を作成するステップ９０４を含む。第１の反射素子は、反射面が半導体に向かって内部に光を反射するように、半導体の第１の側に作成される。さらに、９０６において、反射面を有する第２の反射素子が作成される。第２の反射素子は、第２の反射素子の反射面が、半導体に向かって、また、第１の反射素子に向かって内部に光を反射するように、半導体の第１の側と反対の半導体の第２の側に作成される。
方法９００において、第１及び第２の反射素子は、アルミニウム、銀、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、または、白色の拡散ポリマーベースの反射材料等の材料から形成されてよい。さらに、第１及び第２の反射素子の１つまたは両方は、反射素子が、一般的に、反射面を維持しながら、ある程度まで半透明であるように、非常に薄い層（例えば、閾値距離未満）に形成されてよい。
入れ子拡散部を形成する方法の説明のための実施形態
本出願の実施形態による入れ子拡散部を作成する方法１０００を図１０に示す。方法１０００は、拡散基板を取得するステップ１００２を含む。ある例においては、拡散基板を取得するステップは、基板上に上記テクスチャ特徴を作成する追加のステップを含んでよい。テクスチャ特徴は、レーザーエッチング、ナーリング、成形、きさげ加工等を介して作成されてよい。あるいは、ある例においては、テクスチャ特徴は、拡散基板に前もって追加されていてもよく、または、拡散基板は、テクスチャ特徴を全く含まなくてもよい。他の例においては、他のステップが行われてよい。方法１０００は、１つまたは複数のＬＥＤを拡散基板内に入れ子にするステップ１００４をさらに含む。ステップ１００４は、ＬＥＤを回路基板に取り付ける前または後で行われてよい。さらに、１００６において、入れ子拡散部をＬＣＤ装置に配置する任意選択のステップが行われてよい。
例示の条項
Ａ：基板と、ＬＥＤであって、前記ＬＥＤの第１の側に導電パッドを介して前記基板に取り付けられた前記ＬＥＤとを含む装置であって、前記ＬＥＤは、前記基板から離れる方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子とを含み、前記第２の反射素子は、主に光を前記基板に向かう方向に反射するように配置された、前記装置。
Ｂ：前記ＬＥＤは、第１のＬＥＤであり、前記装置は、前記基板に前記第１のＬＥＤから間隔を置いて配置された第２のＬＥＤをさらに含み、前記第１のＬＥＤと前記第２のＬＥＤとの間の前記基板の一部は、前記基板から離れる方向に光を反射するように配置された反射面を含む、Ａ項に記載の装置。
Ｃ：前記ＬＥＤは、第１のＬＥＤであり、前記装置は、前記基板に前記第１のＬＥＤから間隔を置いて配置された第２のＬＥＤをさらに含み、前記第２のＬＥＤは、前記基板から離れる方向に光を反射するように前記第２のＬＥＤの第１の側に隣接して配置された第１の反射素子、または、前記基板に向かう方向に光を反射するように第２の側に隣接して配置された第２の反射素子の少なくとも１つを含む、Ａ項とＢ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｄ：拡散部であって、前記ＬＥＤを前記拡散部内に入れ子にするように前記ＬＥＤと整列した前記拡散部をさらに含み、前記拡散部の前記材料は、シリコン、ポリカーボネート（ＰＣ）、または、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の少なくとも１つを含む、Ａ項〜Ｃ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｅ：前記基板に隣り合う前記ＬＥＤと共に入れ子になるように配置された成形用ポリマーフィルムから形成される拡散部をさらに含む、Ａ項〜Ｄ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｆ：前記基板上に配置され、前記ＬＥＤの前記導電パッドに接続された導電トレースをさらに含む、Ａ項〜Ｅ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｇ：前記基板は、プリント基板（ＰＣＢ）である、Ａ項〜Ｆ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｈ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤの幅の少なくとも一部に延在する、Ａ項〜Ｇ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｉ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤの幅全体にわたって延在する、Ａ項〜Ｈ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｊ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤの電流拡散層として形成される、Ａ項〜Ｉ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｋ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子のうちの少なくとも１つの材料は、アルミニウム、銀、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、または、白色の拡散ポリマーベースの反射材料の１つである、Ａ項〜Ｊ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｌ：拡散基板と、前記拡散基板内に入れ子にされたＬＥＤアレイとを含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを含み、各ＬＥＤは、前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、前記ＬＥＤの前記第１の側と反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子とを含み、前記第２の反射素子は、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向と反対の前記第２の方向に光を反射するように配置される、前記装置。
Ｍ：前記ＬＥＤに取り付けられた回路基板をさらに含む、Ｌ項に記載の装置。
Ｎ：前記拡散基板は、テクスチャ特徴を含む、Ｌ項、Ｍ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｏ：前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの少なくとも１つのＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、Ｌ項〜Ｎ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｐ：特定のテクスチャ特徴の最大寸法のサイズは、前記少なくとも１つのＬＥＤと前記特定のテクスチャ特徴との間の半径方向距離によって決まる、Ｌ項〜Ｏ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｑ：前記少なくとも１つのＬＥＤから第１の半径方向距離に配置された第１の特定のテクスチャ特徴の最大寸法は、前記少なくとも１つのＬＥＤから第２の半径方向距離に配置された第２の特定のテクスチャ特徴の最大寸法未満であり、前記第１の半径方向距離は、前記第２の半径方向距離より短い、Ｌ項〜Ｐ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｒ：前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの各ＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含み、各テクスチャ特徴のサイズは、１つまたは複数のＬＥＤからの半径方向距離によって決まる、Ｌ項〜Ｑ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｓ：２つの隣り合うＬＥＤ間の距離の中間に配置された特定のテクスチャ特徴の深さ及び／または幅は、前記２つの隣り合うＬＥＤの間の中間の前記距離未満に配置されたテクスチャ特徴の対応する深さ及び／または幅より大きい、Ｌ項〜Ｒ項のいずれか１項に記載の装置。
Ｔ：回路基板と、前記回路基板にほぼ平行に配置されたディスプレイパネルと、前記回路基板と前記ディスプレイパネルの間に配置された拡散基板と、前記拡散基板の平面にわたってネストされた列及び行のＬＥＤアレイであって、前記回路基板に取り付けられた前記ＬＥＤアレイとを含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを介して取り付けられ、各ＬＥＤは、前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子、または前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子の少なくとも１つを含み、前記第２の反射素子は、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向と反対の前記第２の方向に光を反射するように配置され、前記拡散基板は、前記ＬＥＤアレイの１つまたは複数のＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、前記装置。
Ｕ：約１２ミクロンから約１００ミクロンに及ぶ平均厚さを有する拡散基板と、前記拡散基板に入れ子にされた光源とを含む装置であって、前記光源は、導電パッドを含み、前記導電パッドを介して、前記光源は、電力を供給され、前記拡散基板を照らすように構成される、前記装置。
Ｖ：基板と、複数のＬＥＤであって、各ＬＥＤは、第１の側と第２の側を有し、各ＬＥＤは、前記ＬＥＤの前記第１の側で導電パッドを介して前記基板に取り付けられ、各ＬＥＤは、前記基板から離れる方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの前記第２の側に隣接して配置された第２の反射素子とを含み、前記第２の反射素子は、光を主に前記基板に向かう方向に反射させるように配置された、前記複数のＬＥＤと、前記基板の表面に対して前記複数のＬＥＤと整列した光拡散特性を有する拡散部であって、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つのＬＥＤの周囲で入れ子になるように整列された前記拡散部とを含む、ディスプレイ装置。
Ｗ：前記複数のＬＥＤは、前記基板上で互いに間隔を置いた第１のＬＥＤと第２のＬＥＤとを含み、前記第１のＬＥＤと前記第２のＬＥＤの間の前記基板の部分は、前記基板から離れる方向に光を反射するように反射面を含む、Ｖ項に記載のディスプレイ装置。
Ｘ：前記複数のＬＥＤは、前記基板上で互いに間隔を置いた第１のＬＥＤと第２のＬＥＤとを含む、Ｖ項、Ｗ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
Ｙ：前記拡散部の前記材料は、シリコン、ポリカーボネート（ＰＣ）、または、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の少なくとも１つを含む、Ｖ項〜Ｘ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
Ｚ： 前記拡散部は、成形用ポリマーフィルムから形成される、Ｖ項〜Ｙ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＡ：前記基板に配置され、前記複数のＬＥＤの各ＬＥＤの前記導電パッドに接続された導電トレースをさらに含む、Ｖ項〜Ｚ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＢ：前記基板は、プリント基板（ＰＣＢ）である、Ｖ項〜ＡＡ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＣ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つの幅の少なくとも一部に延在する、Ｖ項〜ＡＢ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＤ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つのＬＥＤの幅全体にわたって延在する、Ｖ項〜ＡＣ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＥ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、電流拡散層として形成される、Ｖ項〜ＡＤ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＦ：前記第１の反射素子または前記第２の反射素子のうちの少なくとも１つの材料は、アルミニウム、銀、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、または、白色の拡散ポリマーベースの反射材料の１つである、Ｖ項〜ＡＥ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＧ：前記複数のＬＥＤの少なくとも１つは、５０ミクロン未満の厚さを有する、Ｖ項〜ＡＦ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＨ：前記基板と、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つと、前記拡散部とは合わせて、１７０ミクロン未満の厚さを有する、Ｖ項〜ＡＧ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＩ：前記拡散部の厚さ寸法は、前記複数のＬＥＤのそれぞれの高さ寸法とほぼ同じである、Ｖ項〜ＡＨ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＪ：前記拡散部は、第１の側と第２の側とを有し、前記拡散部の前記第１の側は、前記基板から離れる方向に光を反射する反射面を含む、Ｖ項〜ＡＩ項のいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
ＡＫ：拡散基板と、前記拡散基板内に入れ子になるように前記拡散基板と整列するＬＥＤアレイとを含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを含み、各ＬＥＤは、前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、前記ＬＥＤの前記第１の側と反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子とを含み、前記第２の反射素子は、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向と反対の前記第２の方向に光を反射するように配置され、前記拡散基板の厚さ寸法は、前記ＬＥＤアレイの高さ以下である、前記装置。
ＡＬ：前記ＬＥＤに取り付けられた回路基板をさらに含む、ＡＫ項に記載の装置。
ＡＭ：前記拡散基板は、テクスチャ特徴を含む、ＡＫ項、ＡＬ項のいずれか１項に記載の装置。
ＡＮ：前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの少なくとも１つのＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、ＡＫ項〜ＡＭ項のいずれか１項に記載の装置。
ＡＯ：特定のテクスチャ特徴の最大寸法のサイズは、前記少なくとも１つのＬＥＤと前記特定のテクスチャ特徴との間の半径方向距離によって決まる、ＡＫ項〜ＡＮ項のいずれか１項に記載の装置。
ＡＰ：前記少なくとも１つのＬＥＤから第１の半径方向距離に配置された第１の特定のテクスチャ特徴の最大寸法は、前記少なくとも１つのＬＥＤから第２の半径方向距離に配置された第２の特定のテクスチャ特徴の最大寸法未満であり、前記第１の半径方向距離は、前記第２の半径方向距離より短い、ＡＫ項〜ＡＯ項のいずれか１項に記載の装置。
ＡＱ：前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの各ＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含み、各テクスチャ特徴のサイズは、１つまたは複数のＬＥＤからの半径方向距離によって決まる、ＡＫ項〜ＡＰ項のいずれか１項に記載の装置。
ＡＲ：２つの隣り合うＬＥＤ間の距離の中間に配置された特定のテクスチャ特徴の深さ及び／または幅は、前記２つの隣接するＬＥＤ間の中間の前記距離より短い所に位置するテクスチャ特徴の対応する深さ及び／または幅より大きい、ＡＫ項〜ＡＱ項のいずれか１項に記載の装置。
ＡＳ：回路基板と、前記回路基板にほぼ平行に配置されたディスプレイパネルと、前記回路基板と前記ディスプレイパネルの間に配置された拡散基板と、前記拡散基板と整列し、前記回路基板に取り付けられるように、前記拡散基板の平面にわたって入れ子にされた列及び行のＬＥＤアレイと、を含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを介して取り付けられ、各ＬＥＤは、前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子、または、前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子の少なくとも1つを含み、前記第２の反射素子は、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向の反対の前記第２の方向に光を反射するように配置され、前記拡散基板は、前記ＬＥＤアレイの１つまたは複数のＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、前記装置。
結論
幾つかの実施形態を構造的特徴、及び／または、方法論的行為に特有の言葉で記載したが、請求項は、記載した特定の特徴にも行為にも必ずしも制限されないことは理解されたい。むしろ、特定の特徴及び行為は、特許を請求する主題を実施する説明のための形として開示した。

Claims (45)

  1. 基板と、
    ＬＥＤであって、前記ＬＥＤの第１の側に導電パッドを介して前記基板に取り付けられたＬＥＤと
    を含む装置であって、前記ＬＥＤは、
    前記基板から離れる方向に光を反射するように、前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、
    前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子であって、主に前記基板に向かう方向に光を反射するように配置された前記第２の反射素子と、
    を含む、前記装置。
  2. 前記ＬＥＤは、第１のＬＥＤであり、
    前記装置は、前記基板に配置された第２のＬＥＤであって、前記第１のＬＥＤから間隔を置いた前記第２のＬＥＤをさらに含み、
    前記第１のＬＥＤと前記第２のＬＥＤの間の前記基板の部分は、前記基板から離れる方向に光を反射するように配置された反射面を含む、
    請求項１に記載の装置。
  3. 前記ＬＥＤは、第１のＬＥＤであり、
    前記装置は、前記基板に配置された第２のＬＥＤであって、前記第１のＬＥＤから間隔を置いた前記第２のＬＥＤをさらに含み、
    前記第２のＬＥＤは、前記基板から離れる方向に光を反射するように、前記第２のＬＥＤの第１の側に隣接して配置された第１の反射素子、または、前記基板の方向に光を反射するように、第２の側に隣接して配置された第２の反射素子の少なくとも１つを含む、
    請求項１に記載の装置。
  4. 拡散部であって、前記拡散部内に前記ＬＥＤを入れ子にするように前記ＬＥＤに整列する前記拡散部をさらに含み、前記拡散部の材料は、シリコン、ポリカーボネート（ＰＣ）、または、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
  5. 前記基板に隣接する前記ＬＥＤと共に入れ子になるように配置された成形用ポリマーフィルムで形成された拡散部をさらに含む、請求項１に記載の装置。
  6. 前記基板に配置され、前記ＬＥＤの前記導電パッドに接続された導電トレースをさらに含む、請求項１に記載の装置。
  7. 前記基板は、プリント基板（ＰＣＢ）である、請求項１に記載の装置。
  8. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤの幅の少なくとも一部に延在する、請求項１に記載の装置。
  9. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤの幅全体にわたって延在する、請求項１に記載の装置。
  10. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤの電流拡散層として形成される、請求項１に記載の装置。
  11. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子のうちの少なくとも１つの材料は、アルミニウム、銀、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、または、白色の拡散ポリマーベースの反射材料の１つである、請求項１に記載の装置。
  12. 拡散基板と、
    前記拡散基板内に入れ子にされたＬＥＤアレイと、
    を含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを含み、各ＬＥＤは、
    前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように、前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、
    前記ＬＥＤの前記第１の側と反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子であって、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向の反対の前記第２の方向に光を反射するように配置された前記第２の反射素子と
    を含む、前記装置。
  13. 前記ＬＥＤに取り付けられた回路基板をさらに含む、請求項１２に記載の装置。
  14. 前記拡散基板は、テクスチャ特徴を含む、請求項１３に記載の装置。
  15. 前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの少なくとも１つのＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、請求項１２に記載の装置。
  16. 特定のテクスチャ特徴の最大寸法のサイズが、前記少なくとも１つのＬＥＤと前記特定のテクスチャ特徴との間の半径方向距離によって決まる、請求項１５に記載の装置。
  17. 前記少なくとも１つのＬＥＤから第１の半径方向距離に配置された第１の特定のテクスチャ特徴の最大寸法が、前記少なくとも１つのＬＥＤから第２の半径方向距離に配置された第２の特定のテクスチャ特徴の最大寸法未満で、前記第１の半径方向距離は、前記第２の半径方向距離より小さい、請求項１５に記載の装置。
  18. 前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの各ＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含み、
    各テクスチャ特徴のサイズは、１つまたは複数のＬＥＤからの半径方向距離によって決まる、
    請求項１２に記載の装置。
  19. ２つの隣り合うＬＥＤ間の距離の中間に配置された特定のテクスチャ特徴の深さ及び／または幅は、前記２つの隣接するＬＥＤの中間の前記距離未満に位置するテクスチャ特徴の対応する深さ及び／または幅より大きい、請求項１８に記載の装置。
  20. 回路基板と、
    前記回路基板にほぼ平行に配置されたディスプレイパネルと、
    前記回路基板と前記ディスプレイパネルとの間に配置された拡散基板と、
    前記拡散基板の平面にわたって入れ子にされた列と行のＬＥＤアレイであって、前記回路基板に取り付けられた前記ＬＥＤアレイと、
    を含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを介して取り付けられ、各ＬＥＤは、
    前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように、前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子、
    前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子であって、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向と反対の前記第２の方向に光を反射するように配置された前記第２の反射素子、
    のうちの少なくとも1つを含み、
    前記拡散基板は、前記ＬＥＤアレイの１つまたは複数のＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、
    前記装置。
  21. 約１２ミクロンから約１００ミクロンに及ぶ平均厚さを有する拡散基板と、
    前記拡散基板に入れ子にされた光源であって、導電パッドを含み、前記導電パッドを介して、電力を与えられ、前記拡散基板を照らすように構成された前記光源と、
    を含む、装置。
  22. 基板と、
    複数のＬＥＤであって、各ＬＥＤは、第１の側と第２の側を有し、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの前記第１の側で導電パッドを介して前記基板に取り付けられ、各ＬＥＤは、
    前記基板から離れる方向に光を反射するように前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、
    前記ＬＥＤの前記第１の側と反対の前記ＬＥＤの前記第２の側に隣接して配置された第２の反射素子であって、主に前記基板に向かう方向に光を反射するように配置された前記第２の反射素子と、
    を含む前記複数のＬＥＤと、
    前記基板の表面に対して前記複数のＬＥＤと整列した光拡散特性を有する拡散部であって、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つのＬＥＤの周囲で入れ子になるように整列された前記拡散部と、
    を含む、ディスプレイ装置。
  23. 前記複数のＬＥＤは、前記基板上で互いに間隔を置いた第１のＬＥＤと第２のＬＥＤとを含み、
    前記第１のＬＥＤと前記第２のＬＥＤの間の前記基板の部分は、前記基板から離れる方向に光を反射するように反射面を含む、
    請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  24. 前記複数のＬＥＤは、前記基板上で互いに間隔を置いた第１のＬＥＤと第２のＬＥＤとを含む、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  25. 前記拡散部の前記材料は、シリコン、ポリカーボネート（ＰＣ）、または、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の少なくとも１つを含む、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  26. 前記拡散部は、成形用ポリマーフィルムから形成される、請求項２２に記載のディスプレイ。
  27. 前記基板上に配置され、前記複数のＬＥＤの各ＬＥＤの前記導電パッドに接続された導電トレースをさらに含む、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  28. 前記基板は、プリント基板（ＰＣＢ）である、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  29. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つの幅の少なくとも一部に延在する、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  30. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つのＬＥＤの幅全体にわたって延在する、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  31. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つは、電流拡散層として形成される、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  32. 前記第１の反射素子または前記第２の反射素子の少なくとも１つの材料は、アルミニウム、銀、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、または、白色の拡散ポリマーベースの反射材料の１つである、請求項２２に記載のディスプレイ装置。
  33. 前記複数のＬＥＤの少なくとも１つは、５０ミクロン未満の厚さを有する、請求項２２に記載の装置。
  34. 前記基板、前記複数のＬＥＤの少なくとも１つ、及び、前記拡散部は合わせて、１７０ミクロン未満の厚さを有する、請求項２２に記載の装置。
  35. 前記拡散部の厚さ寸法は、それぞれ、前記複数のＬＥＤの高さ寸法とほぼ同じである、請求項２２に記載の装置。
  36. 前記拡散部は、第１の側及び第２の側を有し、前記拡散部の前記第１の側は、前記基板から離れる方向に光を反射する反射面を含む、請求項２２に記載の装置。
  37. 拡散基板と、
    前記拡散基板内に入れ子になるように前記拡散基板と整列したＬＥＤアレイと
    を含む装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを含み、各ＬＥＤは、
    前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように、前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子と、
    前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子であって、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向と反対の前記第２の方向に光を反射するように配置された前記第２の反射素子と、
    を含み、
    前記拡散基板の厚さ寸法は、前記ＬＥＤアレイの高さ以下である、
    前記装置。
  38. 前記ＬＥＤに取り付けられた回路基板をさらに含む、請求項３７に記載の装置。
  39. 前記拡散基板は、テクスチャ特徴を含む、請求項３８に記載の装置。
  40. 前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの少なくとも１つのＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、請求項３７に記載の装置。
  41. 特定のテクスチャ特徴の最大寸法のサイズは、前記少なくとも１つのＬＥＤと前記特定のテクスチャ特徴との間の半径方向距離によって決まる、請求項４０に記載の装置。
  42. 前記少なくとも１つのＬＥＤから第１の半径方向距離に配置された第１の特定のテクスチャ特徴の最大寸法は、前記少なくとも１つのＬＥＤから第２の半径方向距離に配置された第２の特定のテクスチャ特徴の最大寸法未満であり、前記第１の半径方向距離は、前記第２の半径方向距離より短い、請求項４０に記載の装置。
  43. 前記拡散基板の表面は、前記ＬＥＤアレイの各ＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含み、
    各テクスチャ特徴のサイズは、１つまたは複数のＬＥＤからの半径方向距離によって決まる、
    請求項３７に記載の装置。
  44. ２つの隣り合うＬＥＤ間の距離の中間に配置された特定のテクスチャ特徴の深さ及び／または幅は、前記２つの隣接するＬＥＤの中間の前記距離未満に配置されたテクスチャ特徴の対応する深さ及び／または幅より大きい、請求項４３に記載の装置。
  45. 回路基板と、
    前記回路基板にほぼ平行に配置されたディスプレイパネルと、
    前記回路基板と前記ディスプレイパネルとの間に配された拡散基板と、
    前記拡散基板と整列し、前記回路基板に取り付けられるように、前記拡散基板の平面にわたって入れ子にされた列及び行のＬＥＤアレイと、
    を含む、装置であって、各ＬＥＤは、そのＬＥＤの第１の側に導電パッドを介して取り付けられ、各ＬＥＤは、
    前記拡散基板の平面を横切る第１の方向に光を反射するように、前記ＬＥＤの前記第１の側に隣接して配置された第１の反射素子、または、
    前記ＬＥＤの前記第１の側の反対の前記ＬＥＤの第２の側に隣接して配置された第２の反射素子であって、前記拡散基板の平面を横切る第２の方向であって、前記第１の方向と反対の前記第２の方向に光を反射するように配置された前記第２の反射素子、
    の少なくとも１つを含み、
    前記拡散基板は、前記ＬＥＤアレイの１つまたは複数のＬＥＤの周りに円周方向に延在するテクスチャ特徴を含む、
    前記装置。
JP2018548830A 2015-03-20 2017-03-17 光拡散の方法と装置 Pending JP2019513300A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562136434P 2015-03-20 2015-03-20
US201562146956P 2015-04-13 2015-04-13
US15/075,001 2016-03-18
US15/075,001 US9678383B1 (en) 2015-03-20 2016-03-18 Method and apparatus for light diffusion
PCT/US2017/023061 WO2017161330A1 (en) 2015-03-20 2017-03-17 Method and apparatus for light diffusion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019513300A true JP2019513300A (ja) 2019-05-23
JP2019513300A5 JP2019513300A5 (ja) 2020-04-16

Family

ID=56925017

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017549243A Active JP6931328B2 (ja) 2015-03-20 2016-03-18 半導体デバイスの転写方法
JP2018548830A Pending JP2019513300A (ja) 2015-03-20 2017-03-17 光拡散の方法と装置
JP2019238704A Active JP6977020B2 (ja) 2015-03-20 2019-12-27 半導体デバイスの転写方法
JP2021183364A Pending JP2022024030A (ja) 2015-03-20 2021-11-10 半導体デバイスの転写方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017549243A Active JP6931328B2 (ja) 2015-03-20 2016-03-18 半導体デバイスの転写方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019238704A Active JP6977020B2 (ja) 2015-03-20 2019-12-27 半導体デバイスの転写方法
JP2021183364A Pending JP2022024030A (ja) 2015-03-20 2021-11-10 半導体デバイスの転写方法

Country Status (8)

Country Link
US (24) US9633883B2 (ja)
EP (2) EP3780079A1 (ja)
JP (4) JP6931328B2 (ja)
KR (5) KR101937071B1 (ja)
CN (4) CN114446858A (ja)
ES (2) ES2837254T3 (ja)
SG (2) SG11201708800UA (ja)
WO (2) WO2016154061A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027128A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021125481A (ja) * 2020-01-31 2021-08-30 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、面状光源、及び発光モジュールの製造方法

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT513747B1 (de) * 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
CN107078066A (zh) * 2014-06-06 2017-08-18 罗茵尼公司 具有未封装的半导体装置的电路组合件的制造
JP6367084B2 (ja) 2014-10-30 2018-08-01 株式会社東芝 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
DE102016113328B4 (de) * 2015-08-31 2018-07-19 Besi Switzerland Ag Verfahren für die Montage von mit Bumps versehenen Halbleiterchips auf Substratplätzen eines Substrats
US20170140971A1 (en) * 2015-11-14 2017-05-18 Nachiket R. Raravikar Adhesive with tunable adhesion for handling ultra-thin wafer
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
US10309589B2 (en) * 2016-05-13 2019-06-04 Rohinni, LLC Light vectoring apparatus
CN106228913B (zh) * 2016-08-24 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 转印设备及其转印方法
US20180118101A1 (en) 2016-10-28 2018-05-03 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illuminated trim
US10141215B2 (en) * 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US9902314B1 (en) 2016-11-17 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US10504767B2 (en) * 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10297478B2 (en) * 2016-11-23 2019-05-21 Rohinni, LLC Method and apparatus for embedding semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US9994089B1 (en) 2016-11-29 2018-06-12 Ford Global Technologies, Llc Vehicle curtain
US10118538B2 (en) 2016-12-07 2018-11-06 Ford Global Technologies, Llc Illuminated rack
US10422501B2 (en) 2016-12-14 2019-09-24 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US20180180795A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Dura Operating, Llc Light guide and method of creating a light guide by screen-printing
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
DE102017101536B4 (de) * 2017-01-26 2022-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips
US10672638B2 (en) * 2017-01-27 2020-06-02 International Business Machines Corporation Picking up irregular semiconductor chips
US10529685B2 (en) * 2017-02-07 2020-01-07 Rohinni, LLC Apparatus and method for transfering semiconductor devices from a substrate and stacking semiconductor devices on each other
US20180248090A1 (en) * 2017-02-27 2018-08-30 Rohinni, LLC Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same
KR102008515B1 (ko) * 2017-03-13 2019-10-22 한미반도체 주식회사 반도체 제조장치 및 이의 제어방법
US20180361831A1 (en) 2017-06-14 2018-12-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle shade assembly
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
TW201917811A (zh) * 2017-06-26 2019-05-01 美商特索羅科學有限公司 發光二極體質量傳遞設備及製造方法
WO2019040703A1 (en) 2017-08-23 2019-02-28 Magna Mirrors Of America, Inc. INDOOR REAR VIEW MOUNT WITH FULL SCREEN VIDEO DISPLAY
TWI713131B (zh) * 2017-10-13 2020-12-11 久元電子股份有限公司 晶粒轉移設備及使用該設備轉移晶粒的方法
TWI702695B (zh) * 2017-12-01 2020-08-21 日商新川股份有限公司 封裝裝置
CN108231651B (zh) * 2017-12-26 2020-02-21 厦门市三安光电科技有限公司 微元件转移装置和转移方法
KR101936356B1 (ko) * 2018-01-31 2019-01-08 주식회사 레다즈 마이크로 소자를 타겟 오브젝트에 전사하는 방법 및 장치
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US10490525B1 (en) 2018-05-10 2019-11-26 International Business Machines Corporation High speed handling of ultra-small chips by selective laser bonding and debonding
US10410905B1 (en) * 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11069555B2 (en) * 2018-09-03 2021-07-20 Assembleon B.V. Die attach systems, and methods of attaching a die to a substrate
US11134595B2 (en) 2018-09-05 2021-09-28 Assembleon B.V. Compliant die attach systems having spring-driven bond tools
US11001078B2 (en) 2018-09-28 2021-05-11 Rohinni, LLC Interchangeable guide head for transfer mechanism
US11232968B2 (en) 2018-09-28 2022-01-25 Rohinni, LLC Variable pitch multi-needle head for transfer of semiconductor devices
US11062923B2 (en) 2018-09-28 2021-07-13 Rohinni, LLC Apparatus to control transfer parameters during transfer of semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10573544B1 (en) * 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
TWI690980B (zh) * 2018-12-07 2020-04-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉方法及晶片移轉設備
JP7417029B2 (ja) * 2018-12-14 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10971471B2 (en) * 2018-12-29 2021-04-06 Micron Technology, Inc. Methods and systems for manufacturing semiconductor devices
CN109856857B (zh) * 2019-02-28 2021-11-12 重庆京东方光电科技有限公司 一种发光组件、背光源和显示面板
US11217471B2 (en) * 2019-03-06 2022-01-04 Rohinni, LLC Multi-axis movement for transfer of semiconductor devices
US10903267B2 (en) * 2019-04-04 2021-01-26 Bor-Jen Wu System and method for making micro LED display
US11282730B2 (en) * 2019-08-02 2022-03-22 Rohinni, LLC Bridge apparatus for semiconductor die transfer
CN110911334B (zh) * 2019-11-13 2021-06-15 东莞普莱信智能技术有限公司 一种微型电子元件定位贴合装置及其方法
CN111367124B (zh) * 2020-02-12 2021-06-01 武汉华星光电技术有限公司 配向膜转印版以及配向膜制造方法
US11817326B2 (en) * 2020-03-10 2023-11-14 Pyxis Cf Pte. Ltd. Precision reconstruction for panel-level packaging
TW202201592A (zh) * 2020-06-15 2022-01-01 賢昇科技股份有限公司 轉移設備及轉移工件的方法
TWI747327B (zh) * 2020-06-15 2021-11-21 吳伯仁 製造微發光二極體顯示器的系統與方法
TWI727853B (zh) * 2020-07-15 2021-05-11 歆熾電氣技術股份有限公司 晶片移轉系統與晶片移轉方法
US20220037185A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 Cody Peterson Apparatus and method for orientation of semiconductor device die
CN112967956A (zh) * 2021-02-05 2021-06-15 惠州市聚飞光电有限公司 一种芯片包装结构、芯片转移方法及显示装置
TWI798595B (zh) * 2020-10-22 2023-04-11 均華精密工業股份有限公司 晶粒固晶裝置
US11889742B2 (en) * 2020-11-04 2024-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of manufacturing display device and method of manufacturing display device
TWI815066B (zh) * 2020-12-14 2023-09-11 萬潤科技股份有限公司 待濺鍍物件定位方法、裝置及施作設備
TWI766646B (zh) * 2021-04-16 2022-06-01 梭特科技股份有限公司 晶粒高速定位方法
TWI810673B (zh) * 2021-05-06 2023-08-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 電子元件轉移裝置、電子元件轉移方法、以及發光二極體面板的製造方法
KR20230010156A (ko) 2021-07-09 2023-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI812980B (zh) * 2021-07-21 2023-08-21 久元電子股份有限公司 轉移設備
KR20230030385A (ko) 2021-08-25 2023-03-06 레이저쎌 주식회사 전사 방식을 이용한 초소형 led 칩 리웍장치 및 리웍방법
KR20230064115A (ko) 2021-11-03 2023-05-10 엘지전자 주식회사 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법
TWI800211B (zh) * 2021-11-05 2023-04-21 斯託克精密科技股份有限公司 用於將電子元件自撓性承載基板移轉至撓性目標基板之裝置以及轉移電子元件之方法
KR102534727B1 (ko) * 2021-12-15 2023-05-26 주식회사 선일기연 Pcb용 터미널 캐리어 자동 연속공급장치 및 그 자동 연속공급방법
KR102534723B1 (ko) * 2021-12-15 2023-05-26 주식회사 선일기연 Pcb용 터미널 캐리어 자동 배출장치 및 그 자동 배출방법
EP4227982A1 (en) 2022-02-15 2023-08-16 Nexperia B.V. Film frame carrier for a curved wafer stage
EP4227981A1 (en) 2022-02-15 2023-08-16 Nexperia B.V. Curved wafer stage
TWI820938B (zh) * 2022-09-29 2023-11-01 強茂股份有限公司 晶粒吸取輔助裝置
CN115642116B (zh) * 2022-11-04 2023-10-31 江苏希太芯科技有限公司 一种晶圆键合强度测量装置及测量方法
CN115996558B (zh) * 2023-03-23 2023-06-02 青岛育豪微电子设备有限公司 一种半导体贴装设备
CN117239022B (zh) * 2023-11-10 2024-01-30 迈为技术(珠海)有限公司 压合装置

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050007516A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display module and driving method thereof
JP2005203225A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Nippon Leiz Co Ltd 導光体および平面発光装置
JP2006019141A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Nec Lcd Technologies Ltd バックライト及びそのバックライトを備えた液晶表示装置
US20070086211A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US20070138494A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting device
US7279347B2 (en) * 2002-11-25 2007-10-09 Super Nova Optoelectronics Corp. Method for manufacturing a light-emitting structure of a light-emitting device (LED)
US20080266872A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Optical plate and backlight module using the same
US7510747B2 (en) * 2005-01-19 2009-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Lens composition of light emission diode device, LED device, backlight unit and liquid crystal display comprising the same
US20090296389A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Chia-Liang Hsu Light source module, related light bar and related liquid crystal display
WO2010070885A1 (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 パナソニック株式会社 面状照明装置および液晶ディスプレイ装置
US20110317417A1 (en) * 2006-03-24 2011-12-29 James Gourlay Light guides
EP2426398A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Illuminating device, display device, and television receiver
JP2012195350A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013517604A (ja) * 2010-01-15 2013-05-16 エクスプレス イメージング システムズ，エルエルシー 光学フィルタリング損失を低減して光源の色温度を変化させる装置、方法
JP2013118244A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
US8746909B2 (en) * 2011-04-29 2014-06-10 Au Optronics Corporation Backlight module
JP2015035532A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ集合プレート及びこれを用いた発光装置
JP2015513213A (ja) * 2012-02-02 2015-04-30 ザ プロクター アンド ギャンブルカンパニー 二方向性光シート
JP2016001735A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2016029740A (ja) * 2010-11-08 2016-03-03 株式会社東芝 非対称導体を利用するｌｅｄベースの光源

Family Cites Families (323)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS487643Y1 (ja) 1969-11-25 1973-02-27
US3724068A (en) 1971-02-25 1973-04-03 Du Pont Semiconductor chip packaging apparatus and method
US3887996A (en) 1974-05-01 1975-06-10 Gen Motors Corp iconductor loading apparatus for bonding
JPS52137983A (en) 1976-05-14 1977-11-17 Shinkawa Seisakusho Kk Mounting method of semiconductor tip by tapeecarrier system
DE3336606A1 (de) 1983-10-07 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur mikropackherstellung
JPS61116846A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Mitsubishi Electric Corp ダイボンド方法
US4859267A (en) * 1985-12-26 1989-08-22 The Boeing Company Method for consolidating composite materials
JPH088292B2 (ja) * 1987-08-31 1996-01-29 住友電気工業株式会社 チップ実装装置
EP0375293A3 (en) 1988-12-15 1991-01-02 Tama Denki Kogyo Kabushiki Kaisha Back-lighting apparatus for screen
US4906812A (en) 1988-12-22 1990-03-06 General Electric Company Fiber optic laser joining apparatus
JPH0332422U (ja) * 1989-08-08 1991-03-29
US5105255A (en) 1990-01-10 1992-04-14 Hughes Aircraft Company MMIC die attach design for manufacturability
US5270260A (en) * 1990-08-23 1993-12-14 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for connecting a semiconductor chip to a carrier system
US5348316A (en) 1992-07-16 1994-09-20 National Semiconductor Corporation Die collet with cavity wall recess
US5362681A (en) * 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
US5461326A (en) 1993-02-25 1995-10-24 Hughes Aircraft Company Self leveling and self tensioning membrane test probe
US5670429A (en) 1993-06-30 1997-09-23 Rohm Co. Ltd. Process of conveying an encapsulated electronic component by engaging an integral resin projection
JPH0737912A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Sharp Corp 半導体レーザチップ供給装置
CN1117395C (zh) 1994-03-18 2003-08-06 日立化成工业株式会社 半导体组件的制造方法及半导体组件
WO1996024938A1 (fr) 1995-02-08 1996-08-15 Hitachi Chemical Co., Ltd. Poudre composite conductrice, pate conductrice, procede de production de cette pate, circuit electrique et son procede de fabrication
JPH09181150A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Rohm Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置及びこれを用いたピックアップ方法
US5789278A (en) 1996-07-30 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method for fabricating chip modules
JPH10112491A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Sharp Corp チップ体のピックアップ方法
US5981314A (en) 1996-10-31 1999-11-09 Amkor Technology, Inc. Near chip size integrated circuit package
JPH10294493A (ja) 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 半導体発光デバイス
JPH1123394A (ja) 1997-07-07 1999-01-29 Techno Excel Co Ltd 圧力センサ
JPH1140522A (ja) 1997-07-17 1999-02-12 Rohm Co Ltd 半導体ウエハの製造方法、この方法により作製された半導体ウエハ、半導体チップの製造方法、およびこの方法により製造された半導体チップ、ならびにこの半導体チップを備えたｉｃカード
JP3547143B2 (ja) 1997-07-22 2004-07-28 株式会社日立製作所 試料作製方法
US6180289B1 (en) 1997-07-23 2001-01-30 Nikon Corporation Projection-microlithography mask with separate mask substrates
WO1999005719A1 (de) * 1997-07-23 1999-02-04 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und verfahren zur herstellung einer chip-substrat-verbindung
JPH1187370A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Oki Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
US6085573A (en) 1998-01-20 2000-07-11 Mcms, Inc. Glass parts pick-up jig
JPH11220170A (ja) 1998-01-29 1999-08-10 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子
US6111324A (en) 1998-02-05 2000-08-29 Asat, Limited Integrated carrier ring/stiffener and method for manufacturing a flexible integrated circuit package
US6173750B1 (en) 1998-02-18 2001-01-16 Hover-Davis, Inc. Method and apparatus for removing die from a wafer and conveying die to a pickup location
US6323659B1 (en) 1998-04-29 2001-11-27 General Electric Company Material for improved sensitivity of stray field electrodes
US6091332A (en) 1998-06-09 2000-07-18 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having printed circuit interconnections
EP0964608A3 (en) * 1998-06-12 2001-09-05 Ford Motor Company Method for laser soldering
US6080336A (en) 1998-06-19 2000-06-27 Kyoto Elex Co., Ltd. Via-filling conductive paste composition
US6452694B1 (en) 1998-08-14 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Design of text and graphic imagery on flag or tab media
US6352073B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
DE19901623B4 (de) 1999-01-18 2007-08-23 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate
JP2000223549A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Canon Inc 基板搬送装置、基板搬送方法、基板搬送用ハンド機構、灰化処理装置及び灰化処理方法
KR100305750B1 (ko) 1999-03-10 2001-09-24 윤덕용 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법
US6204092B1 (en) * 1999-04-13 2001-03-20 Lucent Technologies, Inc. Apparatus and method for transferring semiconductor die to a carrier
DE50010902D1 (de) 1999-04-20 2005-09-15 Siemens Ag Fluiddosiervorrichtung
JP2001068742A (ja) 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
FR2795199B1 (fr) 1999-06-15 2001-10-26 Gemplus Card Int Dispositif et procede de fabrication de dispositifs comprenant au moins une puce montee sur un support
US8141240B2 (en) 1999-08-04 2012-03-27 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing method for micro-SD flash memory card
JP2001053341A (ja) * 1999-08-09 2001-02-23 Kazuo Kobayashi 面発光表示器
WO2001018596A1 (fr) 1999-09-08 2001-03-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage et son procede de fabrication
KR20010100868A (ko) * 2000-04-06 2001-11-14 이주하라 요죠우 광기록 헤드와 그 조립 방법
US6319754B1 (en) 2000-07-10 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-dicing process
JP2002050670A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Toshiba Corp ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2002062825A (ja) 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
US6710456B1 (en) 2000-08-31 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Composite interposer for BGA packages
WO2002031865A1 (en) 2000-10-13 2002-04-18 Emcore Corporation Method of making an electrode
JP4065655B2 (ja) 2000-11-09 2008-03-26 昭和電工株式会社 フリップチップ型半導体発光素子とその製造方法及び発光ダイオードランプ並びに表示装置、フリップチップ型半導体発光素子用電極
JP4021614B2 (ja) 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR100716871B1 (ko) 2001-04-11 2007-05-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 캐리어프레임 및 이를 이용한반도체패키지와 그 제조 방법
US6589809B1 (en) * 2001-07-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape
JP4266106B2 (ja) 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法
JP3745260B2 (ja) 2001-10-02 2006-02-15 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
US6772509B2 (en) 2002-01-28 2004-08-10 Motorola, Inc. Method of separating and handling a thin semiconductor die on a wafer
US6889427B2 (en) * 2002-02-15 2005-05-10 Freescale Semiconductor, Inc. Process for disengaging semiconductor die from an adhesive film
TW200306770A (en) 2002-02-22 2003-11-16 Fujikura Ltd Multilayer wiring board, base for multilayer wiring board, printed wiring board, and its manufacturing method
JP4244555B2 (ja) 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
JP4411575B2 (ja) * 2002-04-25 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 電子装置の製造装置
JP4389148B2 (ja) 2002-05-17 2009-12-24 日立化成工業株式会社 導電ペースト
US7138711B2 (en) 2002-06-17 2006-11-21 Micron Technology, Inc. Intrinsic thermal enhancement for FBGA package
KR100687147B1 (ko) 2002-07-12 2007-02-27 샤프 가부시키가이샤 능동 소자 기판, 능동 소자 기판의 제조 방법, 능동 기능 소자, 다색 표시 장치, 및 표시 모듈
US7023347B2 (en) 2002-08-02 2006-04-04 Symbol Technologies, Inc. Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith
WO2004012896A1 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Symbol Technologies, Inc. Method and appartus for high volume assembly of radio frequency identification tags
US7117581B2 (en) * 2002-08-02 2006-10-10 Symbol Technologies, Inc. Method for high volume assembly of radio frequency identification tags
US6637905B1 (en) 2002-09-26 2003-10-28 Agilent Technologies, Inc. Method and system for providing backlighting utilizing a luminescent impregnated material
WO2004066697A1 (ja) 2003-01-20 2004-08-05 Fujikura Ltd. 多層配線板およびその製造方法
JP3739752B2 (ja) 2003-02-07 2006-01-25 株式会社 ハリーズ ランダム周期変速可能な小片移載装置
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
EP1642325A2 (en) 2003-06-12 2006-04-05 Symbol Technologies, Inc. Method and system for high volume transfer of dies to substrates
JP3897115B2 (ja) 2003-07-09 2007-03-22 信越化学工業株式会社 半導体素子の封止方法
JP4156460B2 (ja) 2003-07-09 2008-09-24 Ｔｄｋ株式会社 ワークのピックアップ方法及びその装置、実装機
US7595511B2 (en) 2003-08-08 2009-09-29 Sang-Kyu Kang Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
JP4405211B2 (ja) * 2003-09-08 2010-01-27 パナソニック株式会社 半導体チップの剥離装置、剥離方法、及び半導体チップの供給装置
US20050057906A1 (en) 2003-09-12 2005-03-17 Seiichi Nakatani Connector sheet and wiring board, and production processes of the same
KR100719993B1 (ko) 2003-09-26 2007-05-21 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 혼합 도전 분말 및 그의 이용
DE10349847B3 (de) * 2003-10-25 2005-05-25 Mühlbauer Ag Positionierungsvorrichtung und -Verfahren für die Übertragung elektronischer Bauteile
JP2005135977A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US20050115602A1 (en) 2003-11-28 2005-06-02 Kyocera Corporation Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system
JP2005222989A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
JP4397728B2 (ja) * 2004-04-21 2010-01-13 日東電工株式会社 直下型バックライト
US7632587B2 (en) 2004-05-04 2009-12-15 Angstrom Power Incorporated Electrochemical cells having current-carrying structures underlying electrochemical reaction layers
JP4632690B2 (ja) 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
JP2005327923A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Alps Electric Co Ltd 導電接合膜貼着方法および導電接合膜貼着装置
EP2650907A3 (en) 2004-06-04 2014-10-08 The Board of Trustees of the University of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US20050282355A1 (en) 2004-06-18 2005-12-22 Edwards David N High density bonding of electrical devices
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100582056B1 (ko) 2004-07-05 2006-05-23 삼성전자주식회사 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법
JP4688594B2 (ja) 2004-08-06 2011-05-25 パナソニック株式会社 発光光源、照明装置及び表示装置
US8324725B2 (en) 2004-09-27 2012-12-04 Formfactor, Inc. Stacked die module
JP2006114691A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7601272B2 (en) 2005-01-08 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for integrating metrology with etch processing
JP4624813B2 (ja) 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR20060088817A (ko) 2005-01-28 2006-08-07 가부시키가이샤 이빔 기판처리장치 및 기판처리방법
US20060181600A1 (en) 2005-02-15 2006-08-17 Eastman Kodak Company Patterns formed by transfer of conductive particles
US20060225273A1 (en) 2005-03-29 2006-10-12 Symbol Technologies, Inc. Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate
US8071882B2 (en) 2005-04-19 2011-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal base circuit board, LED, and LED light source unit
US7623034B2 (en) 2005-04-25 2009-11-24 Avery Dennison Corporation High-speed RFID circuit placement method and device
US7364983B2 (en) 2005-05-04 2008-04-29 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating RFID devices
JP4902838B2 (ja) * 2005-05-27 2012-03-21 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ 電子部品ピックアップ装置及びテーピング装置
JP4507985B2 (ja) * 2005-05-27 2010-07-21 パナソニック株式会社 チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
WO2006129817A1 (en) 2005-05-31 2006-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of antenna
WO2007011068A1 (en) 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP4379404B2 (ja) 2005-09-28 2009-12-09 日立ライティング株式会社 光源モジュール、液晶表示装置および光源モジュールの製造方法
JP4739900B2 (ja) 2005-10-13 2011-08-03 リンテック株式会社 転着装置及び転着方法
US7470120B2 (en) 2005-12-01 2008-12-30 Asm Assembly Automation, Ltd. Configurable die detachment apparatus
US20070131016A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Symbol Technologies, Inc. Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate
KR100835053B1 (ko) 2006-01-05 2008-06-03 삼성전기주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 및 그제조 방법
JP2007193197A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Nsk Ltd 物品位置決め装置及び方法
JP2007194571A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 M Tec Kk 半導体チップの分離方法及び装置
KR20070077285A (ko) 2006-01-23 2007-07-26 삼성전자주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시장치
US8169185B2 (en) 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
US20100044845A1 (en) 2006-04-27 2010-02-25 Nec Corporation Circuit substrate, an electronic device arrangement and a manufacturing process for the circuit substrate
US7889316B2 (en) 2006-05-15 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Method for patterning a radiation beam, patterning device for patterning a radiation beam
WO2007143623A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Stalford Harold L Methods and systems for micro machines
US10655792B2 (en) 2014-09-28 2020-05-19 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
FR2904508B1 (fr) 2006-07-28 2014-08-22 Saint Gobain Dispositif electroluminescent encapsule
US20080032484A1 (en) 2006-08-04 2008-02-07 Texas Instruments Incorporated Substrate bonding process with integrated vents
US20080060750A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating rfid devices using penetrable carrier
US7560303B2 (en) 2006-11-07 2009-07-14 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for linear die transfer
JP2008130764A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Sharp Corp プリント配線板製造装置、プリント配線板、プリント配線板製造方法および電子機器
TW200825529A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Chi Lin Technology Co Ltd Light mixer and backlight module having it
JP4481293B2 (ja) 2006-12-22 2010-06-16 株式会社沖データ 発光表示装置
US8221583B2 (en) 2007-01-20 2012-07-17 Stats Chippac Ltd. System for peeling semiconductor chips from tape
JP2008173744A (ja) 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 搬送システムの搬送位置合わせ方法
JP4693805B2 (ja) 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
US9106056B1 (en) * 2007-04-25 2015-08-11 Stc.Unm Phase-coupled arrays of nanowire laser devices and method of controlling an array of such devices
CN101308225B (zh) 2007-05-18 2011-07-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组及其光学板
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
KR20080107651A (ko) 2007-06-07 2008-12-11 삼성전자주식회사 전사장치 및 이를 구비한 화상형성장치
RU2331951C1 (ru) 2007-07-24 2008-08-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Светодиод с двухслойной компаундной областью
US8702609B2 (en) 2007-07-27 2014-04-22 Meridian Cardiovascular Systems, Inc. Image-guided intravascular therapy catheters
US7757742B2 (en) * 2007-07-31 2010-07-20 Asm Assembly Automation Ltd Vibration-induced die detachment system
JP4880561B2 (ja) * 2007-10-03 2012-02-22 新光電気工業株式会社 フリップチップ実装装置
CN101821834A (zh) 2007-10-09 2010-09-01 日立化成工业株式会社 带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法
NL1036025A1 (nl) 2007-10-10 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus.
US8183582B2 (en) 2007-10-16 2012-05-22 LumaChip, Inc. Bare die semiconductor device configured for lamination
JP5150197B2 (ja) 2007-10-22 2013-02-20 株式会社ニフコ 車載シート用ダンパ装置およびダンパ装置を備えたスライド式シート
US9013367B2 (en) 2008-01-04 2015-04-21 Nanolumens Acquisition Inc. Flexible display
TW200947641A (en) * 2008-05-15 2009-11-16 Gio Optoelectronics Corp Die bonding apparatus
US8361840B2 (en) 2008-09-24 2013-01-29 Eastman Kodak Company Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture
US8755005B2 (en) 2008-09-24 2014-06-17 Koninklijke Philips N.V. Thin edge backlight with LEDS optically coupled to the back surface
JP2010087359A (ja) 2008-10-01 2010-04-15 Nec Corp ピックアップ装置
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9123614B2 (en) * 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8372726B2 (en) * 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
KR20110089408A (ko) 2008-11-21 2011-08-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광전기 혼재기판 및 전자기기
JP2010161155A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Canon Machinery Inc チップ転写方法およびチップ転写装置
US8193555B2 (en) 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
US8456856B2 (en) 2009-03-30 2013-06-04 Megica Corporation Integrated circuit chip using top post-passivation technology and bottom structure technology
US8141612B2 (en) 2009-04-02 2012-03-27 Asm Assembly Automation Ltd Device for thin die detachment and pick-up
WO2010119590A1 (ja) 2009-04-17 2010-10-21 シャープ株式会社 照明装置、及び表示装置
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
US8110839B2 (en) 2009-07-13 2012-02-07 Luxingtek, Ltd. Lighting device, display, and method for manufacturing the same
WO2011016607A1 (ko) * 2009-08-02 2011-02-10 (주)큐엠씨 픽업장치 및 이를 포함하는 엘이디 칩 분류장치
TWM374648U (en) 2009-10-15 2010-02-21 Forward Electronics Co Ltd AC LED packaging structure
JP2013511603A (ja) 2009-11-20 2013-04-04 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 半導体パッケージング用途において有用なインターポーザーフィルム、およびそれに関連する方法
US20110123796A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 E.I. Dupont De Nemours And Company Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto
TWI506082B (zh) 2009-11-26 2015-11-01 Ajinomoto Kk Epoxy resin composition
JP5532863B2 (ja) 2009-11-27 2014-06-25 株式会社リコー 給紙装置および画像形成装置
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
JP6046491B2 (ja) 2009-12-16 2016-12-21 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ コンフォーマル電子機器を使用した生体内での電気生理学
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180138A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180137A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110209751A1 (en) 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
WO2011111293A1 (ja) 2010-03-10 2011-09-15 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ封止樹脂体、ｌｅｄ装置およびｌｅｄ装置の製造方法
KR101619466B1 (ko) 2010-03-26 2016-05-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 실장 장치
CN102959708B (zh) 2010-06-29 2016-05-04 柯立芝照明有限公司 具有易弯曲基板的电子装置
JP2012015318A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光装置の製造方法および発光装置
TW201210078A (en) 2010-08-25 2012-03-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Light emitting diode
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
US9032611B2 (en) * 2010-09-15 2015-05-19 Mycronic AB Apparatus for generating patterns on workpieces
US20120070570A1 (en) 2010-09-16 2012-03-22 Xerox Corporation Conductive thick metal electrode forming method
JP5740901B2 (ja) 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
GB2484712A (en) 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination Apparatus
TWI408463B (zh) 2010-11-18 2013-09-11 Young Lighting Technology Corp 光源模組及照明裝置
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8323857B2 (en) 2010-12-21 2012-12-04 Ultratech, Inc. Phase-shift mask with assist phase regions
WO2012101780A1 (ja) 2011-01-26 2012-08-02 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 液晶表示装置
JP2012156473A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Adwelds:Kk 部品移載装置および部品移載方法
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR20120096669A (ko) 2011-02-23 2012-08-31 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 출하 편집 장치
JP2012182023A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 面光源装置、液晶表示装置、及びテレビジョン受信機
JP2012209148A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp 導電性粒子、導電性ペースト、及び、回路基板
KR101209446B1 (ko) 2011-04-28 2012-12-07 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 번들 및 그 제조방법
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
DE102011104225B4 (de) * 2011-06-15 2017-08-24 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Positionieren eines elektronischen Bauteils und / oder eines Trägers relativ zu einer Ausstoßeinrichtung
JP2013004815A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
US9666764B2 (en) 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
KR101933549B1 (ko) * 2011-07-06 2018-12-28 삼성전자주식회사 레이저를 이용한 반도체 칩의 제거장치 및 그의 제거방법
US9034674B2 (en) 2011-08-08 2015-05-19 Quarkstar Llc Method and apparatus for coupling light-emitting elements with light-converting material
US8704262B2 (en) 2011-08-11 2014-04-22 Goldeneye, Inc. Solid state light sources with common luminescent and heat dissipating surfaces
WO2013036561A2 (en) 2011-09-07 2013-03-14 Cooledge Lighting, Inc. Broad-area lighting systems
US9312451B2 (en) 2011-09-14 2016-04-12 Express Imaging Systems, Llc Apparatus, method to enhance color contrast in phosphor-based solid state lights
US8609446B2 (en) 2011-10-06 2013-12-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for accurate die-to-wafer bonding
US20130119538A1 (en) 2011-11-16 2013-05-16 Texas Instruments Incorporated Wafer level chip size package
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
EP2626901A1 (en) 2012-02-10 2013-08-14 Oki Data Corporation Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus
JP5965199B2 (ja) 2012-04-17 2016-08-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
EP2839522A4 (en) 2012-04-20 2015-12-09 Rensselaer Polytech Inst LIGHT-EMITTING DIODES AND METHOD OF PACKAGING THEREOF
WO2013161061A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 富士機械製造株式会社 ダイ実装システムのウエハマップ管理装置及びダイ実装方法
KR101315939B1 (ko) 2012-04-30 2013-10-08 부경대학교 산학협력단 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101525652B1 (ko) 2012-05-04 2015-06-03 삼성전기주식회사 도전성 수지 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
JP5770677B2 (ja) 2012-05-08 2015-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20130309792A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP2014135471A (ja) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
DE102012013370B4 (de) 2012-07-04 2017-11-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Montagevorrichtung und Verfahren zum Fixieren einer Nadel in einem Nadelhalter einer Ausstoßvorrichtung zum Abheben eines Chips von einem Trägermaterial
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
JP5968705B2 (ja) * 2012-07-13 2016-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US8704448B2 (en) 2012-09-06 2014-04-22 Cooledge Lighting Inc. Wiring boards for array-based electronic devices
JP5723337B2 (ja) 2012-09-07 2015-05-27 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
DE102012217957B4 (de) 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
US9651231B2 (en) 2012-10-04 2017-05-16 Guardian Industries Corp. Laminated LED array and/or products including the same
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9331230B2 (en) 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
TWI474432B (zh) 2012-11-15 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 晶粒定位裝置、具有晶粒定位裝置的晶粒定位系統與發光二極體顯示板的晶粒定位方法
CN102931309B (zh) 2012-11-15 2015-04-01 安徽三安光电有限公司 一种倒装发光二极管及其制作方法
JP5785532B2 (ja) 2012-11-30 2015-09-30 三井金属鉱業株式会社 銀コート銅粉及びその製造方法
JP2014135470A (ja) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9689537B2 (en) 2012-12-13 2017-06-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device, illumination light source, and illumination device
US9391042B2 (en) 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
US9431563B2 (en) 2012-12-28 2016-08-30 Kyocera Corporation Solar cell element and method for manufacturing solar cell element
JP6122299B2 (ja) 2013-01-15 2017-04-26 キヤノン株式会社 処理装置、処理方法、及びデバイスの製造方法
US9082936B2 (en) 2013-01-29 2015-07-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED lamp for bidirectional lighting
US9142535B2 (en) 2013-01-31 2015-09-22 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Vertically printing LEDs in series
WO2014126927A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Injectable and implantable cellular-scale electronic devices
US9324692B2 (en) 2013-02-18 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED layer between phosphor layer and light exit surface of lamp
US9229597B2 (en) 2013-02-22 2016-01-05 Nthdegree Technologies Worldwide, Inc. Integrated capacitive touch screen and LED layer
JP6161319B2 (ja) 2013-02-22 2017-07-12 ニスカ株式会社 転写装置及び転写方法
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9099568B2 (en) 2013-03-14 2015-08-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Three-terminal printed devices interconnected as circuits
US8928014B2 (en) 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9780270B2 (en) 2013-06-04 2017-10-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Molded LED light sheet
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US8928021B1 (en) * 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
JP2016538693A (ja) 2013-07-31 2016-12-08 サビック・グローバル・テクノロジース・ビイ ブイ マイクロ又はナノ構造伝導層を有する材料を作製するためのプロセス
US9657903B2 (en) 2013-08-20 2017-05-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Geometrical light extraction structures for printed LEDs
US9324693B2 (en) 2013-09-09 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Folded 3-D light sheets containing printed LEDs
KR101787926B1 (ko) 2013-10-15 2017-10-18 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 소자의 제조 방법, 웨이퍼 마운트 장치
US9111984B2 (en) 2013-10-28 2015-08-18 Freescale Semiconductor Inc. Devices and methods of operation for separating semiconductor die from adhesive tape
GB2519587A (en) 2013-10-28 2015-04-29 Barco Nv Tiled Display and method for assembling same
US10242125B2 (en) 2013-12-05 2019-03-26 Entit Software Llc Regular expression matching
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US20150204490A1 (en) 2014-01-18 2015-07-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed led layer with diffusing dielectric and conductor layers
US9508694B2 (en) * 2014-03-04 2016-11-29 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Multi-layer conductive backplane for LED light sheet segments
US20160172562A1 (en) 2014-01-31 2016-06-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for forming Circuit-on-Wire
US9281298B2 (en) 2014-02-10 2016-03-08 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Process for forming ultra-micro LEDS
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9318671B2 (en) * 2014-04-18 2016-04-19 Toshiba Corporation High efficiency light emitting diode package suitable for wafer level packaging
US10229630B2 (en) 2014-05-14 2019-03-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Passive-matrix light-emitting diodes on silicon micro-display
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
CN107078066A (zh) 2014-06-06 2017-08-18 罗茵尼公司 具有未封装的半导体装置的电路组合件的制造
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
CN113437206B (zh) 2014-06-18 2024-03-08 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
TWI544471B (zh) 2014-06-19 2016-08-01 光芯科技股份有限公司 發光模組及照明模組
US9818018B2 (en) 2014-07-22 2017-11-14 Nanotek Instruments, Inc. Flexible fingerprint sensor materials and processes
US10615222B2 (en) 2014-08-21 2020-04-07 The University Of Hong Kong Flexible GAN light-emitting diodes
JP6296299B2 (ja) 2014-09-02 2018-03-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6271380B2 (ja) 2014-09-12 2018-01-31 アルパッド株式会社 半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法
WO2016069766A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 The Regents Of The University Of California Flexible arrays of micro light emitting diodes using a photoelectrochemical (pec) liftoff technique
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
US9721931B2 (en) 2015-01-15 2017-08-01 Industrial Technology Research Institute Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof
US9647189B2 (en) 2015-01-26 2017-05-09 Cooledge Lighting Inc. Methods for adhesive bonding of electronic devices
CN107408364B (zh) 2015-03-20 2020-06-30 索尼半导体解决方案公司 显示装置、照明装置、发光元件以及半导体装置
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
JP6650941B2 (ja) 2015-04-01 2020-02-19 ゴルテック．インク マイクロ発光ダイオードの転写方法、製造方法、装置及び電子機器
EP3271953B1 (en) 2015-05-21 2019-05-01 Goertek Inc. Transferring method and manufacturing method of micro-led
US10193012B2 (en) 2015-05-21 2019-01-29 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
CN107743421B (zh) 2015-06-11 2021-02-09 宝洁公司 用于将组合物施涂至表面的装置和方法
US9841548B2 (en) 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
EP3323145A1 (en) 2015-07-14 2018-05-23 Goertek Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
WO2017028207A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Goertek.Inc Pre-screening method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
EP3218938B1 (en) 2015-08-18 2020-09-30 Weifang Goertek Microelectronics Co., Ltd. Repairing method and manufacturing method of micro-led
US10297719B2 (en) 2015-08-27 2019-05-21 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light emitting diode (micro-LED) device
US9368549B1 (en) 2015-09-02 2016-06-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed mesh defining pixel areas for printed inorganic LED dies
CN105278160B (zh) 2015-10-29 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 背光单元、背光模组及显示装置
US9801276B2 (en) 2015-11-25 2017-10-24 The Boeing Company Methof of forming an integrated composite structure
JP6608298B2 (ja) 2016-02-05 2019-11-20 川田工業株式会社 複合梁材及びその製造方法
KR20170106575A (ko) * 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
US10193031B2 (en) 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
US10529685B2 (en) 2017-02-07 2020-01-07 Rohinni, LLC Apparatus and method for transfering semiconductor devices from a substrate and stacking semiconductor devices on each other
US20180248090A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Rohinni, LLC Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7279347B2 (en) * 2002-11-25 2007-10-09 Super Nova Optoelectronics Corp. Method for manufacturing a light-emitting structure of a light-emitting device (LED)
US20050007516A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display module and driving method thereof
JP2005203225A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Nippon Leiz Co Ltd 導光体および平面発光装置
JP2006019141A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Nec Lcd Technologies Ltd バックライト及びそのバックライトを備えた液晶表示装置
US7510747B2 (en) * 2005-01-19 2009-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Lens composition of light emission diode device, LED device, backlight unit and liquid crystal display comprising the same
US20070086211A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US20070138494A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting device
US20110317417A1 (en) * 2006-03-24 2011-12-29 James Gourlay Light guides
US20080266872A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Optical plate and backlight module using the same
US20090296389A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Chia-Liang Hsu Light source module, related light bar and related liquid crystal display
WO2010070885A1 (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 パナソニック株式会社 面状照明装置および液晶ディスプレイ装置
EP2426398A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Illuminating device, display device, and television receiver
JP2013517604A (ja) * 2010-01-15 2013-05-16 エクスプレス イメージング システムズ，エルエルシー 光学フィルタリング損失を低減して光源の色温度を変化させる装置、方法
JP2016029740A (ja) * 2010-11-08 2016-03-03 株式会社東芝 非対称導体を利用するｌｅｄベースの光源
JP2012195350A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US8746909B2 (en) * 2011-04-29 2014-06-10 Au Optronics Corporation Backlight module
JP2013118244A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2015513213A (ja) * 2012-02-02 2015-04-30 ザ プロクター アンド ギャンブルカンパニー 二方向性光シート
JP2015035532A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ集合プレート及びこれを用いた発光装置
JP2016001735A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027128A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021106277A (ja) * 2019-08-02 2021-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7108217B2 (ja) 2019-08-02 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11450707B2 (en) 2019-08-02 2022-09-20 Nichia Corporation Light emission device
US11929387B2 (en) 2019-08-02 2024-03-12 Nichia Corporation Light emission device
JP2021125481A (ja) * 2020-01-31 2021-08-30 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、面状光源、及び発光モジュールの製造方法
US11421856B2 (en) 2020-01-31 2022-08-23 Nichia Corporation Light emitting module, surface light source, and a method of manufacturing light emitting module
US11692688B2 (en) 2020-01-31 2023-07-04 Nichia Corporation Light emitting module, surface light source, and a method of manufacturing light emitting module

Also Published As

Publication number Publication date
EP3780079A1 (en) 2021-02-17
US10490532B2 (en) 2019-11-26
US10636770B2 (en) 2020-04-28
US10615152B2 (en) 2020-04-07
US20180286838A1 (en) 2018-10-04
US10290615B2 (en) 2019-05-14
US20180261580A1 (en) 2018-09-13
ES2837254T3 (es) 2021-06-29
US20170269430A1 (en) 2017-09-21
US20190348405A1 (en) 2019-11-14
CN110544666A (zh) 2019-12-06
JP2022024030A (ja) 2022-02-08
CN114446858A (zh) 2022-05-06
US10170454B2 (en) 2019-01-01
US20170256524A1 (en) 2017-09-07
US9985003B2 (en) 2018-05-29
US20190237445A1 (en) 2019-08-01
US20200243491A1 (en) 2020-07-30
US20200251453A1 (en) 2020-08-06
US20190139945A1 (en) 2019-05-09
KR101937071B1 (ko) 2019-01-09
CN107431024A (zh) 2017-12-01
KR20190003859A (ko) 2019-01-09
WO2017161330A1 (en) 2017-09-21
US10622337B2 (en) 2020-04-14
CN110544666B (zh) 2022-01-14
SG11201708800UA (en) 2017-12-28
US20170256523A1 (en) 2017-09-07
US11488940B2 (en) 2022-11-01
KR102332400B1 (ko) 2021-11-30
KR20230124777A (ko) 2023-08-25
US20160276195A1 (en) 2016-09-22
JP6931328B2 (ja) 2021-09-01
US9633883B2 (en) 2017-04-25
US20180301439A1 (en) 2018-10-18
US9871023B2 (en) 2018-01-16
US20200235081A1 (en) 2020-07-23
US20170365586A1 (en) 2017-12-21
US10373937B2 (en) 2019-08-06
US20180053752A1 (en) 2018-02-22
US10910354B2 (en) 2021-02-02
EP3271937B1 (en) 2020-10-21
US20170140967A1 (en) 2017-05-18
KR20170137720A (ko) 2017-12-13
US20200168587A1 (en) 2020-05-28
US20180233495A1 (en) 2018-08-16
US10157896B2 (en) 2018-12-18
JP6977020B2 (ja) 2021-12-08
US20170053901A1 (en) 2017-02-23
US10615153B2 (en) 2020-04-07
JP2020053708A (ja) 2020-04-02
JP2018513554A (ja) 2018-05-24
US20180261579A1 (en) 2018-09-13
US9678383B1 (en) 2017-06-13
US20180261581A1 (en) 2018-09-13
EP3271937A1 (en) 2018-01-24
CN109154743A (zh) 2019-01-04
WO2016154061A1 (en) 2016-09-29
ES2960229T3 (es) 2024-03-01
EP3271937A4 (en) 2018-10-17
KR20180126018A (ko) 2018-11-26
US20160276205A1 (en) 2016-09-22
KR20210148391A (ko) 2021-12-07
US11562990B2 (en) 2023-01-24
US10325885B2 (en) 2019-06-18
US10361176B2 (en) 2019-07-23
KR102389676B1 (ko) 2022-04-22
SG10202013250YA (en) 2021-01-28
US10242971B2 (en) 2019-03-26
US11152339B2 (en) 2021-10-19
US20170140959A1 (en) 2017-05-18
US10566319B2 (en) 2020-02-18
US11515293B2 (en) 2022-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019513300A (ja) 光拡散の方法と装置
TWI596406B (zh) 光導元件
TWI502230B (zh) 光導元件
JP4162900B2 (ja) 照明装置及び液晶表示装置
TWI422874B (zh) 光學薄片及其製造方法
US20060221638A1 (en) Light-emitting apparatus having a plurality of adjacent, overlapping light-guide plates
KR100771828B1 (ko) 도광판 및 이를 갖는 액정 디스플레이 장치
TWI487976B (zh) 具有疊紋（ｍｏｉｒｅ ｆｒｉｎｇｅ）之光學片材及複合片材及包含其之背光組件
CN100501806C (zh) 平面显示器
US20070047219A1 (en) Direct-lit backlight having light sources with bifunctional diverters
JP2008311026A (ja) 面光源装置
US7125141B2 (en) Apparatus for homogeneously distributing lights
TWM521195U (zh) 導光材、背光模組和顯示裝置
KR100793538B1 (ko) 도광판
KR101880130B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101824035B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR20100009827A (ko) 다각형 프리즘 확산패턴을 이용한 액정표시장치 백라이트유닛용 도광판 및 이를 이용한 액정표시장치용 백라이트유닛
EP3430470A1 (en) Method and apparatus for light diffusion
TWI497121B (zh) An optical modulation structure and a light source device including the optical modulation structure
US20070153391A1 (en) Optical module
KR20100005442A (ko) 광학 시트
KR20070027033A (ko) 프리즘시트 및 이를 포함하는 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200306

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200306

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200306

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210715

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20210715

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20210727

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20210803

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20210903

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20210907

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220104

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20220405

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220705

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220719

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20221108

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20221213

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20221213