JP2014135470A - 発光装置、発光装置集合体および電極付基板 - Google Patents

発光装置、発光装置集合体および電極付基板 Download PDF

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Abstract

【課題】発光装置を容易に製造することのできる電極付基板および発光装置集合体、ならびに、発光装置集合体から得られる発光装置を提供すること。
【解決手段】基板２と、基板２の表面に実装されるＬＥＤ３と、基板２の表面に、ＬＥＤ３を封止するように形成される封止層５と、基板２の表面に、ＬＥＤ３と電気的に接続されるように形成される電極４とを備える発光装置１０を複数備え、基板２には、互いに隣接配置される発光装置１０を仕切る脆弱領域７が形成される発光装置集合体１０を、脆弱領域９に沿って切断することによって、発光装置１０を得る。
【選択図】図５

Description

本発明は、発光装置、発光装置集合体および電極付基板、詳しくは、発光装置、それを複数備える発光装置集合体、および、それを製造するための電極付基板に関する。
発光装置は、基板と、その上に実装される発光ダイオード素子（ＬＥＤ）と、それを封止する封止層と、基板の上に設けられ、ＬＥＤに接続されるとともに、電源とＬＥＤとを接続するための電極とを備えることが知られている。
例えば、絶縁基板と、その中央部の上に実装される発光素子と、絶縁基板の上に形成され、発光素子を含むように封止する封止体と、絶縁基板の上において、封止体の外側に間隔を隔てて配置される正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドとを備える発光装置が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
特開２００８−２２７４１２号公報
しかるに、特許文献１に記載の発光装置は、それを複数有する集合体をダイシングなどによって個片化することにより得られるものであるところ、製造コストの低減あるいは工数低減の観点から、個片化された発光装置をより簡易に製造したい要求がある。
本発明の目的は、発光装置を容易に製造することのできる電極付基板および発光装置集合体、ならびに、発光装置集合体から得られる発光装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の発光装置集合体は、基板と、前記基板の表面に実装される光半導体素子と、前記基板の表面に、前記光半導体素子を封止するように形成される封止層と、前記基板の表面に、前記光半導体素子と電気的に接続されるように形成される電極とを備える発光装置を複数連続するように備え、前記基板には、互いに隣接配置される前記発光装置を仕切る脆弱領域が形成されていることを特徴としている。
この発光装置集合体によれば、基板には、脆弱領域が形成されているので、これに沿って、発光装置集合体の基板を切断することによって、複数の発光装置を簡易に得ることができる。
また、本発明の発光装置集合体では、前記基板には、さらに、前記光半導体素子を含み、前記封止層によって区画される封止領域と、前記封止層から露出する前記電極によって区画される電極領域とが形成され、前記基板には、前記脆弱領域と、前記封止領域と、電極領域とのみが形成されていることが好適である。
この発光装置集合体では、基板には、脆弱領域と、封止領域と、電極領域とのみが形成されている。つまり、基板の脆弱領域および封止領域以外は、すべて電極領域が形成されているため、電極領域が熱伝導性に優れることから、発光装置集合体の放熱性の向上を図ることができる。また、基板の脆弱領域および封止領域以外は、すべて電極領域であるので、電極領域が比較的大きくなることから、配線の電極領域に対する接続を容易かつ確実に図ることができる。
その結果、この発光装置集合体は、放熱性および配線に対する接続性の両方に優れている。
また、この発光装置集合体は、小型化を図ることができる。
また、本発明の発光装置集合体では、前記脆弱領域には、切り目が形成されていることが好適である。
この発光装置集合体では、脆弱領域には、切り目が形成されているので、脆弱領域の強度をより一層確実に弱めることができ、そのため、脆弱領域に沿った基板の切断をより一層容易かつ確実に実施することができる。
また、本発明の発光装置集合体では、前記封止層には、互いに隣接配置される前記発光装置を間隔を隔てて封止する離間領域が形成され、前記離間領域の間に、前記脆弱領域が形成されていることが好適である。
この発光装置集合体では、発光装置を間隔を隔てて封止する離間領域の間に、脆弱領域が形成されているので、かかる脆弱領域に沿って基板を切断すれば、発光装置を確実かつ効率的に得ることができる。
また、本発明の発光装置集合体では、前記封止層は、互いに隣接配置される前記発光装置を連続して封止する連続領域を備え、前記連続領域において互いに隣接配置される前記発光装置を仕切るように、前記脆弱領域が形成されていることが好適である。
この発光装置集合体によれば、互いに隣接配置される発光装置を連続して封止する連続領域における脆弱領域に沿って、基板および封止層を容易に切断して、発光装置を得ることができる。そのため、発光装置を確実かつ効率的に得ることができる。
また、本発明の発光装置は、上記した発光装置集合体を前記脆弱領域に沿って切断することによって得られることを特徴としている。
この発光装置は、発光装置集合体から簡易な工程によって得られる。
また、本発明の電極付基板は、光半導体素子を実装するための素子実装領域、および、前記光半導体素子を封止するように形成される封止層を形成するための封止層形成領域が形成される基板と、前記基板の表面に、前記光半導体素子と電気的に接続できるように、形成される電極とを備える電極付基板であって、前記電極付基板には、前記光半導体素子および前記封止層に対応する複数の光半導体装置のそれぞれを仕切る脆弱領域が形成されていることを特徴としている。
この電極付基板では、基板の素子実装領域に光半導体素子を実装し、かつ、封止層形成領域に封止層を光半導体素子を封止するように形成すれば、光半導体素子および封止層に対応する複数の光半導体装置のそれぞれを仕切る脆弱領域が形成されているので、脆弱領域に沿って、電極付基板を切断することによって、複数の発光装置を簡易に得ることができる。
本発明の発光装置集合体および電極付基板は、複数の発光装置を簡易に得ることができる。
本発明の発光装置は、発光装置集合体から簡易な工程によって得られる。
図１は、本発明の発光装置集合体の第１実施形態の平面図を示す。 図２は、図１に示す発光装置集合体の拡大平面図を示す。 図３は、図２に示す発光装置集合体の拡大断面図であり、（ａ）は、Ａ−Ａ線に沿う各断面図、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ線に沿う各断面図を示す。 図４は、図３に示す発光装置集合体の製造方法を説明する断面図であり、（ａ）は、基板を用意する工程（ｂ）は、電極を形成する工程、（ｃ）は、光半導体素子を基板に実装する工程、（ｄ）は、電極間と、電極および光半導体素子間とをワイヤによって電気的に接続する工程を示す。 図５は、図４に引き続き、図３に示す発光装置集合体の製造方法を説明する断面図であり、（ｅ）は、封止層によって光半導体素子およびワイヤを封止する工程、（ｆ）は、基板に切り目を形成する工程、（ｇ）は、発光装置集合体を各発光装置に個片化する工程を示す。 図６は、本発明の発光装置集合体の第１実施形態の変形例の拡大断面図を示す。 図７は、本発明の発光装置集合体の第１実施形態の変形例の拡大断面図を示す。 図８は、本発明の発光装置集合体の第２実施形態の平面図を示す。 図９は、図８に示す発光装置集合体のＣ−Ｃ線に沿う拡大平面図を示す。 図１０は、本発明の発光装置集合体の第３実施形態の平面図を示す。 図１１は、図１０に示す発光装置集合体のＤ−Ｄ線に沿う拡大平面図を示す。 図１２は、本発明の発光装置集合体の第４実施形態の発光装置集合体の製造方法を説明する断面図であり、（ａ）は、基板を用意する工程（ｂ）は、電極を形成する工程、（ｃ）は、基板に切り目を形成して、電極付基板を製造する工程、（ｄ）は、光半導体素子を基板に実装する工程、を示す。 図１３は、図１２に引き続き、本発明の発光装置集合体の第４実施形態の発光装置集合体の製造方法を説明する断面図であり、（ｅ）は、電極間と、電極および光半導体素子間とをワイヤによって電気的に接続する工程（ｆ）は、封止層によって光半導体素子およびワイヤを封止する工程、（ｇ）は、発光装置集合体を各発光装置に個片化する工程を示す。
＜第１実施形態＞
図１における方向は、図１の方向矢印に準拠しており、紙面左右方向を左右方向（横方向、第１方向）、紙面上下方向を前後方向（縦方向、第１方向に対して直交する第２方向）、紙面奥行方向を上下方向（厚み方向、第１方向および第２方向の両方向に対して直交する第３方向）とし、図２以降の各図は、図１の方向に準拠する。なお、図１において、後述するＬＥＤ３およびワイヤ６は、後述する封止層５によって被覆されるため、平面視において視認することができないが、ＬＥＤ３およびワイヤ６と、後述する封止層５との相対配置を明確に示すために、実線で便宜上示している。さらに、図１および図２において、後述する切り目１１は、基板２の底面側にあるため、平面視において視認することができないが、ＬＥＤ３および電極４との相対配置を明確に示すために、太線破線で便宜上示している。
図１において、この発光装置集合体１は、前後方向および左右方向に延び、左右方向に長い平面視略矩形状をなし、複数（例えば、２０）個の発光装置１０が一体的に連続することにより、形成されている。発光装置集合体１において、複数の発光装置１０は、左右方向および前後方向のそれぞれの方向に整列配置されており、具体的には、左右方向に１０列、前後方向に２列、互いに隣接するように、並列配置されている。各発光装置１０は、太線破線で示す脆弱領域７（後述する）を境界にして、平面視略矩形状の領域に形成されている。
この発光装置集合体１は、図１および図３に示すように、基板２と、基板２の上面（表面）に実装される光半導体素子としてのＬＥＤ３と、基板２の上面（表面）に、ＬＥＤ３と電気的に接続されるように形成される電極４とを備える。
基板２は、平面視において、発光装置集合体１の外形形状と同一形状の平面視略矩形の平板形状に形成されている。
ＬＥＤ３は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、発光装置集合体１に複数設けられている。ＬＥＤ３は、次に説明する電極４および切り目１１が形成される領域が確保されるように、基板２の上面に配置されており、つまり、基板２において、前端部、前後方向中央部および後端部以外の領域に設けられている。すなわち、ＬＥＤ３は、基板２の上面において、前半分部分における前後方向中央部と、後半分部分における前後方向中央部とに設けられている。
また、複数のＬＥＤ３は、基板２の上面において、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて千鳥状に整列配置されている。具体的には、ＬＥＤ３は、図２に示すように、発光装置１０のそれぞれに対して複数（例えば、１２）個設けられている。ＬＥＤ３は、各発光装置１０において、左右方向に互いに間隔を隔てて複数（例えば、２）列設けられ、各列のＬＥＤ３は、前後方向に互いに間隔を隔てて複数（例えば、６）個設けられている。そして、左列のＬＥＤ３Ｘと、それらに対して右側に配列される右列のＬＥＤ３Ｙとは、左右方向に投影したときに、前後方向にずれるように配置されている。具体的には、左列のＬＥＤ３Ｘは、左右方向に投影したときに、右列のＬＥＤ３Ｙに対して、前側にずれて配置されている。換言すれば、左列のＬＥＤ３Ｘは、右列のＬＥＤ３Ｙに対して、左側斜め前方に配置されている。
また、図２および図３に示すように、発光装置集合体１は、各発光装置１０において、複数のＬＥＤ３を互いに電気的に接続するためのワイヤ６を備えている。
具体的には、各発光装置１０における複数（例えば、６）個のＬＥＤ３は、複数（例えば、５）個のワイヤ６によって電気的に直列接続されている。具体的には、発光装置１０において、各ワイヤ６は、左列のＬＥＤ３Ｘのそれぞれと、右列のＬＥＤ３Ｙのそれぞれとを、交互に電気的に接続しており、これによって、ＬＥＤ３およびワイヤ６によって構成される直列配列は、前後方向に沿うジグザグ状とされている。具体的には、各発光装置１０の前側部分では、左列の最前側のＬＥＤ３Ｘと、ワイヤ６と、右列の最前側のＬＥＤ３Ｙと、ワイヤ６と、左列において最前側のＬＥＤ３Ｘに対して後側に隣接配置されるＬＥＤ３Ｘとが、電気的に直列接続されており、このような接続が前側から後側に向かって繰り返されるように配置されている。また、各発光装置１０の後側部分では、右列の最後側のＬＥＤ３Ｙと、ワイヤ６と、左列の最後側のＬＥＤ３Ｘと、ワイヤ６と、右列において最後側の左列のＬＥＤ３Ｙに対して前側に隣接配置されるＬＥＤ３Ｙとが、電気的に直列接続されており、このような接続が後側から前側に向かって繰り返されるように配置されている。
図１に示すように、電極４は、基板２の前端部、前後方向中央部および後端部のそれぞれにおいて、左右方向に延びる平面視略矩形状（あるいは平面視略直線形状）に複数形成されている。発光装置集合体１において、前端部の電極４Ａ、後端部の電極４Ｂおよび前後方向中央部の電極４Ｃのそれぞれは、縦脆弱領域２７（後述）によって、左右方向に複数（例えば、１０）個に分断されるように仕切られている。すなわち、各発光装置１０においては、前端部の電極４Ａ、後端部の電極４Ｂおよび前後方向中央部の電極４Ｃのそれぞれは、左右方向に連続するように形成されている。また、図３（ａ）に示すように、前端部の電極４Ａの前端面と、基板２の前端面とは、平面視において、同一位置に配置されるように、つまり、それらが面一となるように、形成されている。また、後端部の電極４の後端面と、基板２の後端面とは、平面視において、同一位置に配置されるように、つまり、それらが面一となるように、形成されている。前後方向中央部の電極４Ｃは、前列の発光装置１０Ａに備えられる前側部分４１と、前列の発光装置１０Ａに対して後側に間隔を隔てて対向配置される後列の発光装置１０Ｂに備えられる後側部分４２とから構成されている。これら前側部分４１および後側部分４２は、互いに前後方向に間隔を隔てて配置され、横脆弱領域１７（後述）を境にして、前後方向（一方向）に分断されるように仕切られている。
また、図２および図３に示すように、電極４は、ワイヤ６を介してＬＥＤ３と電気的に接続されている。具体的には、前列における各発光装置１０Ａにおいて、前端部の電極４Ａは、左列の最前側のＬＥＤ３Ｘと、ワイヤ６によって電気的に接続される一方、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１は、右列の最後側のＬＥＤ３Ｙと、ワイヤ６によって電気的に接続されている。他方、後列の発光装置１０Ｂにおいて、前後方向中央部の電極４Ｃの後側部分４２は、左列の最前側のＬＥＤ３Ｘとワイヤ６によって電気的に接続される一方、後端部の電極４Ｂは、右列の最後側のＬＥＤ３Ｙと、ワイヤ６によって電気的に接続される。
なお、前端部の電極４Ａには、その上面の後端縁に、ワイヤ６が接続されるとともに、後端部の電極４Ｂには、その上面の前端縁に、ワイヤ６が接続されている。また、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１には、その上面の前端縁に、ワイヤ６が接続されるとともに、前後方向中央部の電極４Ｃの後側部分４２には、その上面の後端縁に、ワイヤ６が接続されている。
また、この発光装置集合体１は、封止層５を備えている。
封止層５は、基板２の上に、複数のＬＥＤ３を封止するように形成されており、具体的には、基板２の前側部分および後側部分のそれぞれの上面（表面）において、左右方向（一方向）に延びるように連続して形成されている。
具体的には、封止層５は、前後方向に間隔を隔てて複数（例えば、２）個設けられており、図１に示すように、各封止層５は、左右方向（一方向）に延びるように連続して形成されている。
詳しくは、封止層５において、前側の封止層５Ａと、後側の封止層５Ｂとは、前後方向に互いに隣接配置される前列の発光装置１０Ａと後列の発光装置１０Ｂとを、間隔を隔てて封止する離間領域を形成する。また、前側の封止層５Ａと後側の封止層５Ｂとのそれぞれは、左右方向に互いに隣接配置される発光装置１０を連続して封止する連続領域を形成する。
より具体的には、前側の封止層５Ａは、左右方向に連続して延びる平面視略矩形状をなし、前列の各発光装置１０Ａおよび各発光装置１０のＬＥＤ３およびワイヤ６を連続して被覆するように、形成されている。図３に示すように、前側の封止層５Ａは、前列の発光装置１０Ａの各ＬＥＤ３の上面および側面（前面、後面、右側面および左側面）と、電極４の少なくとも内側面（つまり、図１および図２の細線破線で示される、前端部の電極４Ａの後端面および前後方向中央部の電極４Ｃの前端面）とを被覆するように、形成されている。
また、前側の封止層５Ａは、前端部の電極４Ａの上面の後端縁を被覆し、かつ、前端部の電極４Ａの上面の前端縁および前後方向中央部を露出するように、形成されている。さらに、前側の封止層５Ａは、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１の上面の前端縁を被覆し、かつ、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１の上面の後端縁および前後方向中央部を露出するように形成されている。
つまり、図２および図３に示すように、前側の封止層５Ａの前端面は、厚み方向に投影したときに、前端部の電極４Ａの前後方向途中部分（やや後側部分）に重なるように、左右方向に延びるように形成されており、また、前側の封止層５Ａの後端面は、厚み方向に投影したときに、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１の前後方向途中部分に重なるように、左右方向に延びるように形成されている。
これによって、前列の発光装置１０ＡにおけるすべてのＬＥＤ３およびすべてのワイヤ６は、前側の封止層５Ａによって被覆されている。
図１に示すように、後側の封止層５Ｂは、左右方向に連続して延びる平面視略矩形状をなし、後列の各発光装置１０Ｂおよび各発光装置１０のＬＥＤ３およびワイヤ６を連続して被覆するように、形成されている。図３に示すように、後側の封止層５Ｂは、後列の発光装置１０Ｂの各ＬＥＤ３の上面および側面（前面、後面、右側面および左側面）と、電極４の少なくとも内側面（つまり、図１および図２の細線破線で示される、後端部の電極４Ｂの前端面および前後方向中央部の電極４Ｃの後端面）とを被覆するように、形成されている。
また、後側の封止層５Ｂは、後端部の電極４Ｂの上面の前端縁を被覆し、かつ、後端部の電極４Ｂの上面の後端縁および前後方向中央部を露出するように、形成されている。さらに、後側の封止層５Ｂは、前後方向中央部の電極４Ｃの後側部分４２の上面の後端縁を被覆し、かつ、前後方向中央部の電極４Ｃの後側部分４２の上面の前端縁および前後方向中央部を露出するように形成されている。
つまり、後側の封止層５Ｂの後端面は、厚み方向に投影したときに、後端部の電極４Ｂの前後方向途中部分（やや前側部分）に重なるように、左右方向に延びるように形成されており、また、後側の封止層５Ｂの前端面は、厚み方向に投影したときに、前側の封止層５Ａの後端面の後方において、前後方向中央部の電極４Ｃの後側部分４２の前後方向途中部分に重なるように、左右方向に延びるように形成されている。
これによって、後列の発光装置１０ＢにおけるすべてのＬＥＤ３およびすべてのワイヤ６は、後側の封止層５Ｂによって被覆されている。
そして、この発光装置集合体１の基板２には、封止領域８と、電極領域９とが形成されている。
図１および図２に示すように、封止領域８は、平面視において、少なくともＬＥＤ３を含み、具体的には、すべてのＬＥＤ３とすべてのワイヤ６とを含み、封止層５によって区画され、基板２に形成される領域である。つまり、封止領域８は、平面視において、封止層５の周端縁によって区画されている。
すなわち、封止領域８は、前側の封止層５Ａおよび後側の封止層５Ｂのそれぞれに対応する前側の封止領域８Ａおよび後側の封止領域８Ｂとから形成されており、前側の封止領域８Ａおよび後側の封止領域８Ｂは、前後方向に間隔を隔てて複数（例えば、２）個に分割して区画されており、前側の封止領域８Ａおよび後側の封止領域８Ｂのそれぞれは、左右方向に延びるように連続する平面視略矩形状に区画されている。
一方、電極領域９は、基板２において、封止領域８および後述する脆弱領域７以外のすべて領域であって、具体的には、平面視において、封止層５から露出する電極４によって区画される領域である。
具体的には、電極領域９は、封止層５から露出する前端部の電極４Ａ、後端部の電極４Ｂおよび前後方向中央部の電極４Ｃのそれぞれに対応する、前端部の電極領域９Ａ、後端部の電極領域９Ｂおよび前後方向中央部の電極領域９Ｃから形成されている。
前端部の電極領域９Ａおよび後端部の電極領域９Ｂのそれぞれは、後述する複数の縦脆弱領域２７によって左右方向に複数に分断されて仕切られており、縦脆弱領域２７によって仕切られる、前端部の複数の電極領域９Ａのそれぞれ、および、後端部の複数の電極領域９Ｂのそれぞれは、左右方向に延びる平面視略矩形状に区画されている。
前後方向中央部の電極領域９Ｃは、後述する複数の縦脆弱領域２７によって左右方向に複数に分断されるとともに、単数の横脆弱領域１７によって前後方向に２つに分断されて仕切られており、縦脆弱領域２７および横脆弱領域１７によって仕切られる、複数の電極領域９Ｃのそれぞれは、左右方向に延びる平面視略矩形状に区画されている。
これによって、発光装置集合体１の基板２には、複数（例えば、４０（＝４列（前後方向）×１０列（左右方向）））個の電極領域９、および複数、（例えば、２０（＝２列（前後方向）×１０列（左右方向）））個の封止領域８が、パターンに形成されている。
さらに、この発光装置集合体１の基板２には、さらに、脆弱領域７が形成されている。
図１に示すように、脆弱領域７は、基板２における平面視略碁盤目状の領域であって、各発光装置集合体１を仕切るように形成されており、例えば、左右方向に１０列、前後方向に２列の発光装置１０毎に仕切るように形成されている。具体的には、脆弱領域７は、各発光装置１０における左列のＬＥＤ３Ｘおよび右列のＬＥＤ３Ｙからなるユニットごとに仕切るように、前後方向に沿って形成されるとともに、前側の封止層５Ａおよび後側の封止層５Ｂの間の電極４（前後方向中央部の電極４Ｃ）の前後方向中央部を左右方向に横切るように、左右方向に沿って形成されている。具体的には、脆弱領域７は、前後方向に延び、左右方向に間隔を隔てて複数（例えば、９）列形成される縦脆弱領域２７と、左右方向に延びる平面視略直線状の横脆弱領域１７とから形成されている。
縦脆弱領域２７は、前側の封止層５Ａ（前側の封止領域８Ａ）に連続して封止される前列の各発光装置１０Ａを左右方向に仕切るように形成されるとともに、後側の封止層５Ｂ（後側の封止領域８Ｂ）に連続して封止される後列の発光装置１０Ｂを左右方向に仕切るように形成されている。縦脆弱領域２７では、基板２の上面に封止層５が形成されているが、基板２に後述する切り目１１が形成されているため、縦脆弱領域２７の周囲、具体的には、縦脆弱領域２７の左右方向両側部分に比べて、機械強度が弱く形成されている。
一方、縦脆弱領域２７の前端部、後端部および前後方向中央部のそれぞれでは、前端部の電極４Ａ（前端部の電極領域９Ａ）、後端部の電極４Ｂ（後端部の電極領域９Ｂ）および前後方向中央部の電極４Ｃ（前後方向中央部の電極領域９Ｃ）から基板２が露出する。
横脆弱領域１７は、前後方向に互いに間隔を隔てて隣接する前側の封止層５Ａおよび後側の封止層５Ｂの間に配置され、より具体的には、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１および後側部分４２の間において、それらによって仕切られる領域である。
また、脆弱領域７には、図３（ａ）に示すように、その基板２の下面（底面）に、下方が開放される断面略Ｖ字形状に切り欠かれた切り目１１が形成されている。そのため、脆弱領域７は、その周囲の基板２に比べて、機械強度が弱く形成されている。
図３（ｂ）に示されるように、脆弱領域７において、切り目１１は、その長手方向に沿って断続的に形成されている。具体的には、縦脆弱領域２７における切り目１１は、前後方向に断続的に形成される一方、横脆弱領域１７における切り目１１は、左右方向に断続的に形成されている。
そして、この基板２は、脆弱領域７と、封止領域８と、電極領域９とのみが形成されている。つまり、基板２には、脆弱領域７、封止領域８および電極領域９以外の領域が存在しない。基板２には、発光装置１０に対応する部分で、前後方向においては、電極領域９Ａ、封止領域８Ａ、前側の電極領域９Ｃ、横脆弱領域１７、後側の電極領域９Ｃ、封止領域８Ｂ、電極領域９Ｂが順次配列されている。また、基板２には、発光装置１０に対応する部分で、左右方向においては、各封止領域８および各脆弱領域７が左右方向に交互に配列されており、具体的には、封止領域８、脆弱領域７、・・・、脆弱領域７および封止領域８が順次配列されている。
次に、この発光装置集合体１の製造方法について図４および図５を参照して説明する。
この方法では、図４（ａ）に示すように、まず、基板２を用意する。
基板２としては、例えば、アルミナなどのセラミック基板、ポリイミドなどの樹脂基板、コアに金属板を用いたメタルコア基板など、光半導体装置に一般に用いられる基板が挙げられる。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、電極４を上記したパターンに形成する。
電極４を構成する材料としては、銀、金、銅、鉄、白金やそれらの合金などの導体材料などが挙げられる。好ましくは、銀が挙げられる。
電極４を形成するには、例えば、めっき、塗布、導体層の貼り合わせなどが挙げられ、好ましくは、塗布が挙げられる。塗布は、印刷を含み、上記した導体材料を含む導体ペースト（好ましくは、銀を含む銀ペースト）を塗布（印刷を含む）し、その後、必要により、乾燥すること、電極４を上記したパターンに形成する。なお、導体層の貼り合わせは、例えば、基板２がメタルコア基板などの、導体部分を有する基板からなる場合には、絶縁層（図示せず）を、基板２の上面に、電極４と同一パターンで積層し、その後、電極４の形状に予め成形した導体層を、絶縁層の上に貼り付ける方法を含む。
電極４のサイズは、適宜選択され、前端部の電極４Ａ、後端部の電極４Ｂ、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１および後側部分４２の幅（前後方向長さ）Ｗ１は、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１および後側部分４２間の間隔Ｄ１１は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２５ｍｍ以上であり、また、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
電極４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
これによって、基板２と、その上面（表面）に形成される電極４とを備える電極付基板１０２を得る。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、ＬＥＤ３を上記した配置で、基板２に実装する。
各ＬＥＤ３の寸法およびピッチは、発光装置１０の用途および目的に応じて、適宜設定され、具体的には、各発光装置１０に対応する左列の各ＬＥＤ３Ｘの前後方向の距離（間隔）Ｄ１および各右列のＬＥＤ３Ｙの前後方向の距離（間隔）Ｄ２は、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
また、図２が参照されるように、各発光装置１０において、前後方向に投影したときの、左列のＬＥＤ３Ｘと右列のＬＥＤ３Ｙとの左右方向の距離（間隔）Ｄ３は、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
また、各発光装置１０の前側部分において、左列の最前側のＬＥＤ３Ｘと、前端部の電極４Ａとの距離（間隔）Ｄ５、および、右列のＬＥＤ３Ｙと、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１との距離（間隔）Ｄ６は、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。また、各発光装置１０の後側部分において、左列の最前側のＬＥＤ３Ｘと、前後方向中央部の電極４Ｃの後側部分４２との距離（間隔）Ｄ７、および、右列の最後側のＬＥＤ３Ｙと、後端部の電極４Ｂとの距離（間隔）Ｄ８は、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。
ＬＥＤ３の前後方向長さおよび左右方向長さは、特に制限はなく、目的とする発光装置１０の照度に合わせて決めることができる。
また、ＬＥＤ３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
続いて、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ワイヤ６を、複数のＬＥＤ３間、および、ＬＥＤ３および電極４間を、上記した配列となるように、例えば、超音波接合などによって電気的に接続する。ワイヤ６の高さ、つまり、ワイヤ６の上端部と基板２の上面との距離は、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．６ｍｍ以下である。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、封止層５を、上記したパターンに形成する。
封止層５を上記したパターンに形成するには、例えば、予め、封止樹脂を含む封止樹脂組成物から調製される封止シート１２（仮想線）を形成し、次いで、封止シート１２を、基板２の上に、電極４の一部、ＬＥＤ３およびワイヤ６を含むように、積層する。
封止樹脂としては、例えば、加熱により可塑化する熱可塑性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル樹脂、ＥＶＡ・塩化ビニル樹脂共重合体などが挙げられる。
熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。
これら封止樹脂として、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
また、封止樹脂としてシリコーン樹脂を含む封止樹脂組成物としては、例えば、２段階硬化型シリコーン樹脂組成物、１段階硬化型シリコーン樹脂組成物などの熱硬化性シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
２段階硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性シリコーン樹脂である。一方、１段階硬化型シリコーン樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する熱硬化性シリコーン樹脂である。
また、Ｂステージは、熱硬化性シリコーン樹脂組成物が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
２段階硬化型シリコーン樹脂組成物の未硬化体（１段階目の硬化前）としては、例えば、縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱によって、縮合反応および付加反応することができる熱硬化性シリコーン樹脂組成物であって、より具体的には、加熱によって、縮合反応して、Ｂステージ（半硬化）となることができ、次いで、さらなる加熱によって、付加反応（具体的には、例えば、ヒドロシリル化反応）して、Ｃステージ（完全硬化）となることができる熱硬化性シリコーン樹脂組成物である。
このような縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物としては、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第１の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（以下、エチレン系ケイ素化合物とする。）、エポキシ基含有ケイ素化合物、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒および付加触媒（ヒドロシリル化触媒）を含有する第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第４の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第５の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第６の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第７の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第８の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
これら縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、単独使用または２種類以上併用することができる。
縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物として、好ましくは、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物において、シラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系ケイ素化合物およびエポキシ基含有ケイ素化合物は、縮合原料（縮合反応に供される原料）であり、エチレン系ケイ素化合物およびオルガノハイドロジェンシロキサンは、付加原料（付加反応に供される原料）である。
１段階硬化型シリコーン樹脂組成物としては、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、例えば、主剤となるエチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンと、架橋剤となるオルガノハイドロジェンシロキサンとを含有する。
エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンとしては、例えば、アルケニル基含有ポリジメチルシロキサン、アルケニル基含有ポリメチルフェニルシロキサン、アルケニル基含有ポリジフェニルシロキサンなどが挙げられる。
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物では、通常、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンと、オルガノハイドロジェンシロキサンとが、別々のパッケージで提供される。具体的には、主剤（エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサン）を含有するＡ液と、架橋剤（オルガノハイドロジェンシロキサン）を含有するＢ液との２液として提供される。なお、両者の付加反応に必要な公知の触媒は、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンに添加されている。
このような付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、主剤（Ａ液）と架橋剤（Ｂ液）とを混合して混合液を調製し、混合液から封止シート１２の形状に成形する工程において、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンとオルガノハイドロジェンシロキサンとが付加反応して、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が硬化して、シリコーンエラストマー（硬化体）を形成する。
なお、封止樹脂組成物には、必要により、蛍光体、充填剤を適宜の割合で含有させることができる。
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体などが挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、複合金属酸化物や金属硫化物などに、例えば、セリウム（Ｃｅ）やユウロピウム（Ｅｕ）などの金属原子がドープされた蛍光体が挙げられる。
具体的には、蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ２ＣａＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）３Ｏ１２：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕなどのシリケート蛍光体、例えば、ＣａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕなどのアルミネート蛍光体、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕなどの硫化物蛍光体、例えば、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉ５Ｎ８：Ｅｕなどの窒化物蛍光体、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。好ましくは、ガーネット型蛍光体、さらに好ましくは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅが挙げられる。
充填剤としては、例えば、シリコーン微粒子、ガラス、アルミナ、シリカ（溶融シリカ、結晶性シリカ、超微粉無定型シリカや疎水性超微粉シリカなど）、チタニア、ジルコニア、タルク、クレー、硫酸バリウムなどが挙げられ、これら充填剤は、単独使用または２種類以上併用することができる。好ましくは、シリコーン微粒子、シリカが挙げられる。
また、封止樹脂組成物には、例えば、変性剤、界面活性剤、染料、顔料、変色防止剤、紫外線吸収剤などの公知の添加物を適宜の割合で添加することができる。
そして、封止シート１２は、例えば、完全硬化前または完全硬化後の熱硬化性シリコーン樹脂組成物からなり、好ましくは、完全硬化前の熱硬化性シリコーン樹脂組成物からなる。
さらに好ましくは、封止シート１２は、熱硬化性シリコーン樹脂組成物が２段階硬化型シリコーン樹脂組成物である場合には、２段階硬化型シリコーン樹脂組成物の１段階硬化体からなり、また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物が１段階硬化型シリコーン樹脂組成物である場合には、１段階硬化型シリコーン樹脂組成物の未硬化体（硬化前）からなる。
とりわけ好ましくは、封止シート１２は、２段階硬化型シリコーン樹脂組成物の１段階硬化体からなる。
封止シート１２を形成するには、例えば、上記した封止樹脂組成物（必要により蛍光剤や充填剤などを含む）を、図示しない剥離フィルムの上にキャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの方法により適当な厚さで、上記したパターンで塗工し、必要により加熱する。封止シート１２が２段階硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、封止シート１２をＢステージ化（半硬化）させる。
これにより、上記したパターン（つまり、前側の封止層５Ａよび後側の封止層５Ｂに対応するパターン）のシート状の封止シート１２を形成する。
封止シート１２の硬さは、その圧縮弾性率が、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０４ＭＰａ以上、また、例えば、１．０ＭＰａ以下、好ましくは、０．２ＭＰａ以下となるような硬さである。
また、封止シート１２の厚みは、特に限定されないが、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、例えば、２０００μｍ以上、好ましくは、１０００μｍ以上である。
そして、封止層５を形成するには、図５（ｅ）の仮想線で示すように、封止シート１２を、ＬＥＤ３およびワイヤ６と上下方向に間隔を隔てて対向させ、次いで、矢印で示すように、封止シート１２を降下させて（押下げて）、封止シート１２によってＬＥＤ３およびワイヤ６を被覆する。
次いで、封止シート１２を基板２に対して圧着する。なお、圧着は、好ましくは、減圧環境下で実施する。圧着の温度は、例えば、０℃以上、好ましくは、１５℃以上、また、例えば、４０℃以下、好ましくは、３５℃以下である。圧着には、図示しないが、公知のプレス機が用いられる。
その後、例えば、封止シート１２が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止シート１２を、加熱により硬化させて、封止層５として形成する。具体的には、封止シート１２が２段階硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、封止シート１２をＣステージ化（完全硬化）させる。より具体的には、硬化条件は、２段階硬化型シリコーン樹脂組成物が縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合、付加反応（ヒドロシリル化反応）が進行する条件である。
具体的には、加熱温度が、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、また、例えば、２００℃、好ましくは、１８０℃以下であり、加熱時間が、例えば、０．１時間以上、好ましくは、１時間以上、また、例えば、２０時間以下、好ましくは、１０時間以下である。
これによって、封止層５を形成することができ、かかる封止層５によって、電極４の一部、ＬＥＤ３およびワイヤ６を封止する。
この封止層５の形成によって、基板２には、封止領域８および電極領域９が区画される。
前側の封止層５Ａから露出する前端部の電極４Ａおよび後側の封止層５Ｂから露出する後端部の電極４Ｂの幅（前後方向長さ）Ｗ３（つまり、前端部の電極領域９Ａおよび後端部の電極領域９Ｂの幅（前後方向長さ）Ｗ３）は、放熱性および配線１３（後述）の接続性（具体的には、はんだ付け性）の観点から、例えば、０．５ｍｍ以上、好ましくは、０．７５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。封止層５から露出する前側部分４１の幅Ｗ７、および、封止層５から露出する後側部分４２の幅Ｗ７は、例えば、０．５ｍｍ以上、好ましくは、０．７５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。また、前後方向中央部の電極領域９Ｃの幅（前後方向長さ）の合計値Ｗ４は、放熱性および配線１３（後述）の接続性（具体的には、はんだ付け性）の観点から、例えば、１．０ｍｍ以上、好ましくは、１．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、６ｍｍ以下である。
その後、図５（ｆ）に示すように、切り目１１を基板２に形成する。
切り目１１を基板２に形成するには、例えば、レーザー加工、エッチング法などが用いられる。好ましくは、レーザー加工が用いられる。
切り目１１の深さＤ４は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。また、切り目１１の幅Ｗ５は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。図３（ｂ）が参照されるように、各切り目１１の長さＬ１は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
これによって、基板２に切り目１１が形成された脆弱領域７が区画される。
これによって、発光装置集合体１を製造することができる。
次に、得られた発光装置集合体１から発光装置１０を得る方法を説明する。
発光装置１０を得るには、各発光装置１０に個片化するように、発光装置集合体１を、図５（ｇ）に示すように、切り目１１に沿って切断する。発光装置集合体１を切断するには、例えば、切り目１１に沿って、基板２を折り曲げる（例えば、ブレーク、具体的には、チョコレートブレークする）。
これによって、図５（ｇ）に示すように、複数（例えば、２０個）の発光装置１０が得られる。
その後、得られた発光装置１０の電極４に、図５（ｇ）の仮想線で示すように、配線１３の一端部が、例えば、超音波接合などによって、電気的に接続される。なお、配線１３の他端部には、図示しない電源が電気的に接続されており、これによって、ＬＥＤ３は、電極４および配線１３を介して、図示しない電源に接続される。この発光装置１０には、図示しない電源から配線１３を介して電力が供給され、これによって、ＬＥＤ３が発光する。
そして、この発光装置集合体１によれば、基板２には、脆弱領域７が形成されているので、これに沿って、発光装置集合体１の基板２を切断することによって、複数の発光装置１０を簡易に得ることができる。
また、この発光装置集合体１では、脆弱領域７には、切り目１１が形成されているので、脆弱領域７の強度をより一層確実に弱めることができ、そのため、脆弱領域７に沿った基板２の切断をより一層容易かつ確実に実施することができる。
また、この発光装置集合体１では、発光装置１０を間隔を隔てて封止する離間領域として形成される前側の封止層５Ａおよび後側の封止層５Ｂの間に、横脆弱領域１７が形成されているので、かかる横脆弱領域１７に沿って基板２を切断すれば、発光装置１０を確実かつ効率的に得ることができる。
しかるに、従来の発光装置集合体では、正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドのそれぞれは、内部電極などによって、発光素子と電気的に接続されている。また、これら正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドのそれぞれに、外部接続配線を接続することにより、正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドを電源と電気的に接続している。
しかしながら、発光装置を含む発光装置集合体では、ＬＥＤの発光に伴って発熱するので、温度が上昇し易く、そのため、優れた放熱性が要求される。上記した従来の発光装置集合体では、発光素子の発熱を、内部電極を介して、正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドから外部に放熱することができる。しかし、正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドは、発光装置において、比較的小さく形成されているため、放熱性の向上を図るには限度がある。
一方、発光装置集合体には、外部接続配線の、正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドに対する優れた接続性も求められる。しかしながら、従来の発光装置では、正電極外部接続ランドおよび負電極外部接続ランドが比較的小さく形成されているので、接続性の向上を図るにも限度がある。
これらに対して、この発光装置集合体１では、基板２には、脆弱領域７と、封止領域８と、電極領域９とのみが形成されている。つまり、基板２の脆弱領域７および封止領域８以外は、すべて電極領域９が形成されているため、電極領域９が熱伝導性に優れることから、発光装置集合体１の放熱性の向上を図ることができる。また、基板２の脆弱領域７および封止領域８以外は、すべて電極領域９であるので、電極領域９が比較的大きくなることから、配線１３の電極領域９に対する接続を容易かつ確実に図ることができる。
その結果、この発光装置集合体１は、放熱性および配線に対する接続性の両方に優れている。
また、この発光装置集合体１は、小型化を図ることができる。
また、この発光装置１０によれば、互いに隣接配置される発光装置１０を連続して封止する連続領域として形成される前側の封止層５Ａおよび後側の封止層５Ｂにおいて、縦脆弱領域２７に沿って、基板２および封止層５を容易に切断して、発光装置１０を得ることができる。そのため、発光装置１０を確実かつ効率的に得ることができる。
また、この発光装置１０は、発光装置集合体１から簡易な工程によって得られる。
＜変形例＞
図６および図７において、第１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態では、図３（ａ）に示すように、横脆弱領域１７において、切り目１１を、基板２の下面に、下方が開放される断面略Ｖ字形状に切り欠いて形成しているが、例えば、図６に示すように、基板２の上面に、上方が開放される断面略Ｖ字形状に切り欠いて形成することもできる。
なお、縦脆弱領域２７においても、切り目１１を上記形状に形成することができるが、その場合には、予め基板２を予め上記形状に加工し、その後、封止層５を基板２の上面に形成する。
第１実施形態では、図３（ａ）に示すように、基板２を前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１および後側部分４２から露出しているが、例えば、図７に示すように、前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１および後側部分４２を前後方向に連続して形成し、これによって、縦脆弱領域２７の基板２を被覆することもできる。
その場合には、縦脆弱領域２７は、切り目１１によって区画される領域となる。
好ましくは、第１実施形態のように、縦脆弱領域２７は、基板２を前後方向中央部の電極４Ｃの前側部分４１および後側部分４２から露出する。これによって、脆弱領域７の強度を確実に弱めることができる。
また、第１実施形態では、図３（ｂ）に示すように、脆弱領域７において、切り目１１を断続的に設けているが、例えば、図示しないが、基板２の厚み方向途中まで連続して形成することもできる。具体的には、縦脆弱領域２７における切り目１１を、前後方向に沿って連続して形成し、および／または、横脆弱領域１７における切り目１１を、左右方向に沿って連続して形成することもできる。
また、第１実施形態では、図１に示すように、前後方向に沿う縦脆弱領域２７を、左列のＬＥＤ３Ｘおよび右列のＬＥＤ３Ｙからなる１つのユニットごとを仕切るように、形成しているが、例えば、図示しないが、複数のユニットを仕切るように形成することもできる。
また、第１実施形態では、各発光装置１０において、複数のＬＥＤ３間をワイヤ６によって電気的に接続しているが、例えば、図示しないが、基板２に内部電極を設けて、ワイヤ６を介することなく、基板２の内部電極によって、各ＬＥＤ３間を電気的に接続することもできる。
さらに、第１実施形態では、各発光装置１０において、電極４とＬＥＤ３とをワイヤ６によって電気的に接続しているが、例えば、図示しないが、基板２に内部電極を設けて、ワイヤ６を介することなく、基板２の内部電極によって、電極４とＬＥＤ３とを電気的に接続することもできる。
また、第１実施形態では、各発光装置１０において、ＬＥＤ３を、左右方向に２列、前後方向に１０列（２×１０列）となるように、配置しているが、ＬＥＤ３の数および配置については、上記に限定されない。例えば、図示しないが、各発光装置１０において、１つのＬＥＤ３のみを設けることもできる。
さらに、第１実施形態では、封止層５を、図５（ｅ）の仮想線で示す封止シート１２から形成しているが、例えば、上記した封止樹脂組成物をポッティングすることなどによって形成することもできる。なお、ポッティングでは、封止層５が形成されない領域（具体的には、電極領域９）に予めダム部材（図示せず）などの保護部材を設置して、電極領域９を保護しながら、封止層５を形成した後、保護部材を除去する。
好ましくは、封止層５を封止シート１２から形成する。封止層５を封止シート１２から形成すれば、保護部材を設置および除去する工程が不要であり、その分、封止層５を簡易に形成することができる。
また、第１実施形態では、図４に示すように、電極４（図４（ｂ）参照）を設け、その後、ＬＥＤ３およびワイヤ６を順次設けている（図４（ｃ）および図４（ｄ）参照）が、その順序は特に限定されず、例えば、図示しないが、ＬＥＤ３およびワイヤ６を順次設け、その後、電極４を設けることもできる。
また、第１実施形態では、本発明の光半導体素子として、ＬＥＤ３を例示して説明しているが、例えば、ＬＤ（レーザーダイオード）３を採用することもできる。
＜第２実施形態＞
図８および図９において、第１実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図８および図９に示すように、ＬＥＤ３およびワイヤ６によって構成される直列配列を、前後方向に沿う略直線状に形成することもできる。
各発光装置１０において、前後方向に直列配列されるＬＥＤ３は、幅方向に間隔を隔てて複数（例えば、５）列配置されている。
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
一方、第１実施形態では、図１および図２に示すように、ＬＥＤ３が千鳥状に配列、具体的には、左列のＬＥＤ３Ｘが、左右方向に投影したときに、右列のＬＥＤ３Ｙに対して、ずれて配置されている。そのため、第１実施形態は、図８に示す、ＬＥＤ３が前後方向および左右方向に沿って配列される第２実施形態と比べると、各ＬＥＤ３当たりの熱負荷を低減すること、つまり、ＬＥＤ３からの放熱性を向上させることができる。そのため、第１実施形態は、第２実施形態に比べると、好ましい形態である。
＜変形例＞
第２実施形態では、各発光装置１０を、図８に示すように、前後方向に直列配列されるＬＥＤ３を、複数（例えば、５）列配置しているが、例えば、図示しないが、最小数列、具体的には、１列配置させることもできる。
＜第３実施形態＞
図１０および図１１において、第１実施形態および第２実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態および第２実施形態では、図１および図８に示すように、電極４を、左右方向に延びる平面視略矩形状（あるいは平面視略直線形状）に形成しているが、第３実施形態では、電極４を平面視略櫛状に形成することもできる。
また、第２実施形態では、ＬＥＤ３およびワイヤ６によって構成される直列配列を、前後方向に沿って形成しているが、第３実施形態では、それらの直列配列を、左右方向に沿って形成することもできる。
図１０および図１１に示すように、各発光装置１０において、左右方向に直列配列されるＬＥＤ３は、前後方向に間隔を隔てて複数（例えば、５）列配置されている。
前端部の電極４Ａおよび前後方向中央部の電極４Ｃ（前列の発光装置１０Ａに対応する部分）は、それぞれ櫛状に形成されており、具体的には、前後方向に延びるベース部分１４と、ベース部分１４から前後方向に延びる延出部分１５（細線破線）とを一体的に備えている。また、前端部の電極４Ａおよび前後方向中央部の電極４Ｃとは、前後方向に間隔を隔てて設けられている。そして、前端部の電極４Ａおよび前後方向中央部の電極４Ｃは、互いに齟齬状に配置されている。つまり、延出部分１５が左右方向において間隔を隔てて対向配置され、具体的には、前端部の電極４Ａの延出部分１５と、前後方向中央部の電極４Ｃの延出部分１５とが、前後方向に交互に配置されている。
後端部の電極４Ｂおよび前後方向中央部の電極４Ｃ（後列の発光装置１０Ｂに対応する部分）は、それぞれ櫛状に形成されており、具体的には、前後方向に延びるベース部分１４と、ベース部分１４から前後方向に延びる延出部分１５（細線破線）とを一体的に備えている。また、後端部の電極４Ｂおよび前後方向中央部の電極４Ｃとは、前後方向に間隔を隔てて設けられている。そして、後端部の電極４Ｂおよび前後方向中央部の電極４Ｃは、互いに齟齬状に配置されている。つまり、延出部分１５が左右方向において間隔を隔てて対向配置され、具体的には、後端部の電極４Ｂの延出部分１５と、前後方向中央部の電極４Ｃの延出部分１５とが、前後方向に交互に配置されている。
なお、各延出部分１５は、縦脆弱領域２７によって、左右方向に２つに分断されるように形成されている。また、ベース部分１４は、横脆弱領域１７によって、前後方向に２つに分断されるように形成されている。
そして、各発光装置１０において、最右側のＬＥＤ３と、最左側のＬＥＤ３とは、電極４（具体的には、前端部の電極４Ａまたは後端部の電極４Ｂ）の延出部分１５に、ワイヤ６を介して接続されている。
第３実施形態によっても、第１実施形態および第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
他方、第３実施形態では、図１０に示すように、電極４が、延出部分１５を含む平面視略櫛形状に形成されているので、電極４が、上記した延出部分１５を含まず、図１および図８に示す、平面視略直線形状に形成される第１実施形態および第２実施形態に比べて、ＬＥＤ３を実装するスペースが狭くなるため、各列におけるＬＥＤ３間の距離（間隔）が短く形成される。
そのため、第１実施形態および第２実施形態は、第３実施形態に比べると、各ＬＥＤ３の放熱性に優れるので、好ましい形態である。
＜変形例＞
第３実施形態では、各発光装置１０を、図１０に示すように、左右方向に直列配列されるＬＥＤ３を、複数（例えば、５）列配置しているが、例えば、図示しないが、最小数列、具体的には、１列配置させることもできる。
＜第４実施形態＞
図１２および図１３において、第１実施形態〜第３実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態では、図４および図５に示すように、まず、ＬＥＤ３および封止層５を順次形成した後、切り目１１を基板２に形成しているが、例えば、図１２および図１３に示すように、まず、切り目１１を基板２に形成し、その後、ＬＥＤ３および封止層５を順次形成することもできる。
まず、図１２（ａ）に示すように、まず、基板２を用意する。
次いで、図１２（ｂ）に示すように、基板２に電極４を形成する。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、切り目１１を、電極４が形成された基板２に形成する。
これによって、電極４と、切り目１１が形成された基板２とを備える電極付基板１０２を製造する。
なお、電極付基板１０２の基板２には、ＬＥＤ３（図１２（ｄ）参照）を実装するための領域が素子実装領域として形成され、また、ＬＥＤ３を封止するように形成される封止層５（図１３（ｆ）参照）を形成するための領域が封止層形成領域として形成されている。
次いで、図１２（ｄ）に示すように、ＬＥＤ３を基板２の素子実装領域に実装する。
次いで、図１３（ｅ）に示すように、ワイヤ６によって、複数のＬＥＤ３間、および、ＬＥＤ３および電極４間を、電気的に接続する。
次いで、図１３（ｆ）に示すように、封止層５を基板２の封止層形成領域に形成する。
これによって、電極付基板１０２と、ＬＥＤ３と、封止層５とを備える発光装置集合体１を製造する。
その後、図１３（ｇ）に示すように、発光装置集合体１を、電極付基板１０２の切り目１０２に沿って切断する。これによって、電極付基板１０２と、ＬＥＤ３と、封止層５とに対応し、それらを備える発光装置１０を得る。
そして、この電極付基板１０２では、基板２の素子実装領域にＬＥＤ３を実装し、かつ、封止層形成領域に封止層５をＬＥＤ３を封止するように形成すると、ＬＥＤ３および封止層５に対応する複数の発光装置１０のそれぞれを仕切る切り目１１が形成されているので、切り目１１に沿って、電極付基板１０２を切断することによって、複数の発光装置１０を簡易に得ることができる。
１ 発光装置集合体
２ 基板
３ ＬＥＤ
４ 電極
５ 封止層
５Ａ 前側の封止層（離間領域、連続領域）
５Ｂ 後側の封止層（離間領域、連続領域）
７ 脆弱領域
８ 封止領域
８Ａ 前側の封止領域
８Ｂ 後側の封止領域
９ 電極領域
９Ａ 前端部の電極領域
９Ｂ 後端部の電極領域
９Ｃ 前後方向中央部の電極領域
１０ 発光装置
１１ 切り目
１７ 横脆弱領域
２７ 縦脆弱領域
１０２ 電極付基板

Claims (7)

  1. 基板と、前記基板の表面に実装される光半導体素子と、前記基板の表面に、前記光半導体素子を封止するように形成される封止層と、前記基板の表面に、前記光半導体素子と電気的に接続されるように形成される電極とを備える発光装置を複数連続するように備え、
    前記基板には、互いに隣接配置される前記発光装置を仕切る脆弱領域が形成されていることを特徴とする、発光装置集合体。
  2. 前記基板には、さらに、
    前記光半導体素子を含み、前記封止層によって区画される封止領域と、
    前記封止層から露出する前記電極によって区画される電極領域とが形成され、
    前記基板には、前記脆弱領域と、前記封止領域と、電極領域とのみが形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置集合体。
  3. 前記脆弱領域には、切り目が形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光装置集合体。
  4. 前記封止層は、互いに隣接配置される前記発光装置を間隔を隔てて封止する離間領域を備え、
    前記離間領域の間に、前記脆弱領域が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置集合体。
  5. 前記封止層は、互いに隣接配置される前記発光装置を連続して封止する連続領域を備え、
    前記連続領域において互いに隣接配置される前記発光装置を仕切るように、前記脆弱領域が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置集合体。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置集合体を前記脆弱領域に沿って切断することによって得られる、発光装置。
  7. 光半導体素子を実装するための素子実装領域、および、前記光半導体素子を封止するように形成される封止層を形成するための封止層形成領域が形成される基板と、
    前記基板の表面に、前記光半導体素子と電気的に接続できるように、形成される電極とを備える電極付基板であって、
    前記電極付基板には、前記光半導体素子および前記封止層に対応する複数の光半導体装置のそれぞれを仕切る脆弱領域が形成されていることを特徴とする、電極付基板。
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