JP6819645B2 - 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板及びそれを用いた発光装置の製造方法に関する。
例えば、特許文献１及び２には、リードフレームに樹脂成形体が一体成型された集合基板について記載されている。
特開２０１１−３８５３号公報 特開２０１４−９６５５０号公報
上述した基板においては、リードフレームの熱膨張係数と樹脂成形体の熱膨張係数との違いにより、その基板を、例えば、ダイボンディング工程及び封止部材の硬化工程等の熱を加える工程に付して発光装置等を製造する場合に、基板に反りが発生することがある。
また、熱を加える工程に付す以外に、樹脂成形体が水分を含むことによって膨張して、基板が反ることもある。
本発明は、上述した課題を鑑みなされたものであり、反りが生じにくい基板及びそれを用いた発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
本開示は以下の発明を含む。
（１）リードフレームと、
前記リードフレームを埋設した樹脂成形体とを備える基板であって、
前記基板は、凹部が第１方向および前記第１方向と直交する第２方向に複数配置され、
前記樹脂成形体は、前記凹部の底面に配置される底面部と、前記底面部を取り囲む壁部とを有し、
前記壁部の上面において、前記第１方向又は前記第２方向に延びる溝部を有する基板。
（２）（１）の基板を準備し、
前記凹部の底面に発光素子を載置し、
前記基板を前記溝部で切断することにより複数の発光装置を得る発光装置の製造方法。
本発明によれば、反りが生じにくい基板を提供することができる。
また、発光装置を製造する場合に、反りが生じにくい基板を用いることにより、ダイボンディング等の位置ずれが抑制された発光装置を製造することができる。
本発明の一実施の形態の基板の概略平面図である。 図１Ａの基板のＩ−Ｉ’線の概略断面図である。 図１Ａの基板のＩＩ−ＩＩ’線の概略断面図である。 一対のリード部を示す概略平面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 本発明の別の実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施の形態の基板の反りを示すグラフである。 溝部が形成されていない基板の反りを示すグラフである。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する基板及び発光装置の製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
〔基板１０〕
本開示の一実施形態の基板１０は、図１Ａ〜１Ｄに示すように、リードフレーム１１と、リードフレーム１１と一体に形成された樹脂成形体１２とを備える。図１Ｄにおいて、外部に表れる部材を実線で、隠れている部材を破線で表している。この基板１０には、第１方向および第１方向と直交する第２方向に凹部１２Ａが複数配置されている。樹脂成形体１２は、凹部１２Ａの底面に配置される底面部１２ｂと、この底面部１２ｂと一体の壁部１２ｗとを有する。壁部１２ｗは、凹部１２Ａを画定する。また、樹脂成形体１２は、凹部１２Ａと隣接する凹部１２Ａとの間の上面、つまり、凹部１２Ａの壁部１２ｗの上面１２ｕにおいて溝部１３を有する。
このように、通常、熱膨張係数が異なるリードフレーム１１と樹脂成形体１２とを備える基板１０において、樹脂成形体１２の一部に溝部１３が配置されることにより、熱等による両者の膨張又は収縮を、溝部１３が吸収する。その結果、基板自体の反りを緩和することができる。
本願においては、例えば、基板及びリードフレームが延長する長手方向を第１方向、これに直交する短手方向を第２方向とする。なお、リードフレームは、複数の発光装置を構成するため、一対のリード部（個片化後に一対のリードとなる部位）が複数連結して配列されたものであり、基板は、これらの複数の一対のリード部の一部を樹脂成形体１２に埋め込むことにより形成されている。基板は、発光素子等を配置した後、個々の発光装置を得るために第１方向及び第２方向に沿って切断等される。
（リードフレーム１１）
リードフレーム１１は、一対のリード部が第１方向および第２方向に複数配列され、その一部が樹脂成形体１２に埋設されて構成される。一対のリード部の上面は、通常、凹部１２Ａの底面において、露出する。
リードフレーム１１は、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン又はこれらの合金の平板に、プレス（打ち抜き含む）、エッチング、圧延など各種の加工を施したものによって構成される。リードフレーム１１は、これらの金属又は合金の積層体であってもよいし、単層であってもよい。特に、銅、又は銅を主成分とする銅合金（燐青銅、鉄入り銅など）が好ましい。これにより、リードフレーム１１の放熱性が向上する。また、リードフレームは、表面に、銀、金、銅、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、ロジウム又はこれらの合金などのめっき層を有していてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金のめっき層が設けられていることが好ましい。リードフレーム１１の厚さ（板厚）は、例えば、０．０５ｍｍ〜１ｍｍが挙げられ、０．１ｍｍ〜０．４ｍｍが好ましく、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍがより好ましい。
一対のリード部は、種々の形状を有することができる。特に、一対のリード部それぞれは、凹部１２Ａの底面において、略同じ面積で露出していることが好ましい。これにより、基板１０に反り等の応力が加わったときに、各リード部に加わる応力が均等になりやすくなる。その結果、基板１０において、一部の領域にのみ応力が集中する可能性を低減することができる。
なお、リード部の外周に沿って、図１Ｄに示すように、一部厚みが薄い部位１１Ｘが形成されていることが好ましい。これによって、樹脂成形体１２との密着性を向上させることができる。また、樹脂成形体の壁部の下方に位置するリード部の上面には、溝１１Ｙが配置されていてもよい。これによって、樹脂成形体とリードフレームとの密着性をさらに向上させることができる。溝１１Ｙは、例えば、貫通しない底を有する構造を有していてもよく、上面から下面に貫通する構造を有していてもよい。
（樹脂成形体１２）
樹脂成形体１２は、リードフレームの少なくとも一部をその内部に埋設し、リードフレームと一体的に形成されている。樹脂成形体１２は、リードフレームの下面を露出していることが好ましい。これによって、基板に熱が加わった場合に、リードフレームの下面から効率良くその熱を放熱することができる。樹脂成形体１２は、リードフレーム１１とともに、発光素子を収容する凹部１２Ａを第１方向及び第２方向に複数備える。凹部１２Ａは、第１方向又は第２方向に略等間隔に配置されていることが好ましい。
凹部１２Ａは、その底面に一対のリード部の上面を露出するとともに、樹脂成形体１２の一部による底面部１２ｂを有する。また、樹脂成形体は、底面部と一体であり、かつ、底面部と連続する壁部１２ｗを有する。壁部１２ｗは、凹部１２Ａの内側において側面１２ｓを構成する。壁部１２ｗ又は側面１２ｓの高さは、例えば、０．２ｍｍ〜１ｍｍが挙げられ、０．２ｍｍ〜０．８ｍｍが好ましく、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍがより好ましい。壁部１２ｗの側面１２ｓは、リードフレームの上面に対して、垂直であってもよいし、傾斜していてもよい。傾斜の程度は、適宜調整することができる。
樹脂成形体１２は、隣接する凹部との間に配置される上面１２ｕを有する。この上面１２ｕは、第１方向及び第２方向の双方において、それぞれ所定の幅を有して延長されている。ここでの幅は、一定であるものが好ましいが、部分的に異なる長さであってもよい。また、第１方向と第２方向とで、必ずしも同じ幅でなくてもよく、異なる幅であってもよい。例えば、上面１２ｕの幅は、０．１μｍ〜１μｍが挙げられ、０．３μｍ〜０．７μｍが好ましい。
樹脂成形体１２は、上面視で、凹部１２Ａと隣接する凹部１２Ａとの間の上面１２ｕにおいて溝部１３を有する。溝部１３は、少なくとも第１方向又は第２方向に延びるものが好ましく、第１方向及び第２方向の双方に延長するものがより好ましい。
溝部１３は、上面視で、第１方向又は第２方向において、樹脂成形体の一端から他端まで連続して形成されていることが好ましい。これにより、基板１０の反りを効果的に抑制することができる。なお、溝部１３は、上面視で、第１方向又は第２方向において、樹脂成形体の一端から他端の間の一部にのみ形成されていてもよい。また、第１方向及び第２方向において、溝部１３は、それぞれ１列の溝でもよく、また２列以上の溝であってもよい。
溝部１３の幅は、第１方向及び第２方向において、同じでもよいが、異なっていることが好ましい。例えば、第１方向に延びる溝部の幅が、第２方向に延びる溝部の幅よりも小さいことが好ましい。溝部１３の幅は、例えば、０．１ｍｍ〜１ｍｍが挙げられ、０．１ｍｍ〜０．８ｍｍであることが好ましく、０．１５ｍｍ〜０．６ｍｍであることがより好ましい。
溝部１３の深さは、例えば、樹脂成形体の最大厚みの３０％〜８０％であることが好ましく、３０％〜６０％であることがより好ましい。具体的には、例えば、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍが挙げられ、０．１ｍｍ〜０．４ｍｍであることが好ましく、０．１５ｍｍ〜０．３５ｍｍであることがより好ましい。
このような溝部を配置することにより、熱膨張係数の異なるリードフレームと樹脂成形体との間の熱膨張または収縮による応力を、溝部が吸収する。その結果、熱膨張または収縮による応力によって生じる基板の反りを有効に抑制することができる。特に、基板に熱が加えられる発光素子のダイボンド工程や封止部材配置工程において、リードフレームと樹脂成形体との間の熱膨張または収縮の差が顕著になる。このような工程において、基板が溝部を有することで、基板の反りをより一層効果的に抑制することができる。
樹脂成形体は、光反射性が高い部材であることが好ましい。高い光反射性とは、基板に搭載される発光素子の発光ピーク波長における光反射率が５０％以上のものを指す。樹脂成形体の光反射性は、７５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。また、樹脂成形体は、白色であることが好ましい。樹脂成形体は、固体化する前には流動性を有する状態つまり、液状、ゾル状又はスラリー状等であるものが好ましい。樹脂成形体は、射出成形法、トランスファ成形法などにより成形することができる。
樹脂成形体は、母材となる樹脂材料として、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、樹脂成形体の樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、不飽和ポリエステル又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が好ましい。特に、樹脂成形体の樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、脂環式ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂等が挙げられる。なかでも、脂環式ポリアミド樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が好ましい。
樹脂成形体は、光反射性、機械的強度、熱膨張性などの観点から、上述した樹脂中に、白色顔料及び／又は充填剤等を含有することが好ましい。
白色顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、屈折率が比較的高く、光隠蔽性に優れるという観点から、酸化チタンが好ましい。白色顔料の形状は、不定形（破砕状）でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。
充填剤としては、シリカ、酸化アルミニウム、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト（珪酸カルシウム）、マイカ、タルク等が挙げられる。充填剤は、これらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。充填剤の形状は、不定形（破砕状）でもよいが、強化剤としての機能の観点では繊維状又は板状（鱗片状）が好ましく、流動性の観点では球状が好ましい。
基板１０は、当該分野で公知の方法、例えば、所定の形状に加工されたリードフレームを、上下金型で挟み込み、樹脂成形体となる樹脂を上下金型内に流し込み、当該樹脂を固体化することによって形成される。
溝部は、例えば、所定厚みのブレードを用いて、第１方向及び／又は第２方向に沿って、樹脂成形体の一部のみを除去することによって形成される。また、リードフレームに樹脂成形体を成形する成形金型において、溝部に対応する所定部位に凸部を有する上金型を準備し、基板を形成すると同時に溝部を形成してもよい。
〔発光装置の製造方法〕
発光装置の製造方法の一実施形態では、
図１Ａ〜１Ｄに示した基板１０を準備し、
図２Ａ及び２Ｂに示したように、基板１０の凹部１２Ａの底面に発光素子１４を載置し、
図２Ｂに示したように、基板１０を、溝部で切断する工程を含む。
これらの工程によって、図２Ｃに示しように、複数の発光装置２０を得ることができる。
ここでの基板は、上述した基板１０と同様の基板が挙げられる。切断工程において、切断冶具の幅と溝部１３の幅は同一でもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、切断治具の幅が溝部１３の幅よりも大きい。このような切断治具を用いることにより、個片化して得られる発光装置２０において、溝部１３の一部が発光装置２０の外側面に残らない。これにより、外側面が平滑又は面一となる発光装置を得ることができる。また、溝部１３を通るように基板１０を切断することで、基板１０を切断する応力を小さくすることができる。その結果、基板１０の変形や反りを抑制することができる。
上述した発光装置の製造方法では、基板１０を準備した後、基板１０を切断するまでの間に基板を加熱する加熱工程を含むことが好ましい。このような加熱工程は、例えば、リードフレーム上に発光素子を実装するダイボンディング工程や、後述する封止部材配置工程における樹脂の固体化工程等が挙げられる。特に、基板１０における溝部１３は、加熱工程の前後におけるリードフレーム１１と樹脂成形体１２との熱膨張又は収縮による応力を緩和するために作用して、基板１０の反りを効果的に抑制することができる。
（発光素子１４の凹部１２Ａへの載置）
複数の発光素子１４を準備し、図２Ａ及び２Ｂに示したように、発光素子１４を凹部１２Ａの底面にそれぞれ載置する。
発光素子１４は、ＬＥＤ素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造と、正負一対の電極とを有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の発光素子が好ましい。また、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。
正負一対の電極は、素子構造の同一面側に配置されていてもよいし、異なる面側にそれぞれ配置されていてもよい。電極が同一面側に設けられている発光素子では、フェイスアップ実装又はフリップチップ実装の何れで実装してもよい。異なる面側に各々設けられている発光素子では、下面電極が導電性接着剤で一方のリードに接続され、上面電極がワイヤで他方のリードに接続される。
１つの凹部内に搭載される発光素子は１つでもよいし、複数でもよい。例えば、１つの凹部内に、例えば、青色、緑色および赤色発光の３つの発光素子が搭載されてもよく、青色および緑色発光の２つの発光素子が搭載されてもよい。複数の発光素子は、ワイヤにより直列又は並列に接続することができる。
発光素子１４は、上面に、例えば、波長変換部材１６が配置されていてもよい。これによって、図２Ｄに示すように、種々の波長の光を得ることができる発光装置２０Ａを得ることができる。波長変換部材１６は、例えば、上述した透光性の樹脂と、蛍光体とを含むことが好ましい。この場合、封止部材１５ａには、蛍光体を含有していなくてもよい。
上述したように、通常、基板の凹部の底面には、一対のリード部の双方が露出している。そのため、一対のリード部の一方又は双方に発光素子を載置し、接合することが好ましい。例えば、一対のリード部双方の上面において、発光素子をフリップチップ実装することが好ましい。接合は、例えば、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材等の接合部材を用いて行うことができる。
また、凹部１２Ａの底面に発光素子１４を載置した後、図２Ｂに示すように、封止部材１５を凹部１２Ａ内に形成することが好ましい。封止部材１５は、発光素子１４を封止して、埃、水分、外力などから保護する部材である。封止部材１５は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性（好ましくは発光素子の発光ピーク波長における光透過率が７０％以上、より好ましくは８５％以上）を有する部材であればよい。封止部材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性及び耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないという観点から、シリコーン樹脂又はその変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が好ましい。封止部材１５は、蛍光体を含有していてもよい。
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム、量子ドット等が挙げられる。量子ドットは、粒径１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の粒子であり、粒径によって発光波長を変えることができる。量子ドットは、例えば、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、セレン化鉛又はテルル化カドミウム・水銀などが挙げられる。蛍光体は、これらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色光）を出射する発光装置とすることができる。
（基板１０の切断）
図２Ａ及び２Ｂに示したように、基板１０を切断して、複数の発光装置を得る。基板１０の切断では、樹脂成形体１２及びリードフレーム１１を同時に切断することが好ましい。
切断は、例えば、所定幅のブレードを用いて、溝部の中心を通るように、基板を切断する方法を利用することができる。ここで用いるブレードは、溝部を形成するために用いたブレードよりも、幅広のものを用いることが好ましい。例えば、ブレードの幅は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであり、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍであることが好ましい。切断は、ブレードを用いる代わりに、レーザー光等を用いてもよい。
溝部１３に沿って基板を切断することにより、個片化した後の発光装置に溝部１３が残る割合を低減することができる。または、溝部１３が個片化した後の発光装置に残らなくなる。その結果、切断面において段差の程度が小さい面となる又は切断面が面一となる発光装置を得ることができる。
実施形態１：基板
この実施形態の基板１０は、図１Ａ〜１Ｄに示すように、リードフレーム１１と樹脂成形体１２とを有する。
リードフレーム１１は、打ち抜き加工が施された銅の母体と、母体の表面に施された銀めっきを有する金属板である。リードフレーム１１は、第１方向（長手方向）及び第２方向（短手方向）の長さがそれぞれ７５ｍｍ、６１ｍｍの略矩形状であり、厚さが０．２ｍｍである。
樹脂成形体１２は、例えば、エポキシ系樹脂中に、白色顔料として１０重量％〜２０重量％の酸化チタンと、充填剤として６０重量％〜７０重量％の球状のシリカを含有している。
なお、樹脂成形体１２内には、保護素子としてツェナーダイオードが配置されている。
凹部１２Ａ間の上面１２ｕには、第１方向及び第２方向に沿った溝部１３が配置されている。第１方向における溝部１３の幅は０．１５ｍｍ、深さは０．３ｍｍである。第２方向における溝部１３の幅は０．１５ｍｍ、深さは０．３ｍｍである。
本発明との比較のために、樹脂成形体に溝部を形成しない以外は、上述した基板と同じ基板を作製した。
そして、上述した基板と比較用の基板に対して、加熱工程を伴う発光素子のダイボンド工程および封止樹脂配置工程を行った。
その結果、図３Ｂに示すように、溝部を有さない基板では、特に長手方向における反りが−０．６ｍｍ程度と、相当の反りが観察された。
これに対して、上述した基板１０では、図３Ｂに示した反りに比較して、図３Ａに示すように、相当緩和されていることが観察された。
このように、樹脂成形体の上面に溝部を有する基板１０によれば、加熱工程を伴う発光素子のダイボンド工程および封止樹脂配置工程等を経ても、樹脂成形体１２が有する溝部１３によって、リードフレーム１１と樹脂成形体１２との間の熱膨張係数の差に起因する応力を効果的に吸収することができる。その結果、基板の反りを効果的に緩和することができることが確認された。
実施形態２：発光装置の製造方法
実施形態２の発光装置の製造方法では、まず、図１Ａ〜図１Ｄに示すように、上述した基板１０を準備する。そして、基板１０の凹部１２Ａ内で露出した一対のリードの上に、図２Ａ及び２Ｂに示すように、発光素子１４を、Ａｕ／Ｓｎペーストによりフリップチップ実装する。このダイボンド工程において基板１０は、例えば、３２０℃に加熱される。
次いで、例えば、基板１０の凹部１２Ａ内に、発光素子１４を完全に被覆するように、フェニルシリコーン樹脂に８０重量％のＫＳＦ蛍光体が含有された樹脂材料を配置し、１５０℃で３時間加熱することにより、封止部材１５を形成する。
その後、溝部１３に沿って基板１０を切断する。
これらの工程によって、図２Ｃに示すように、その側面が平滑で、樹脂成形体１２とリードとが面一の発光装置２０を得ることができる。
また、このような工程の加熱処理を経ても、基板１０における反りは緩和され、高精度で品質の良好な発光装置を得ることができる。
なお、上記発光装置の変形例として、図２Ｄに示すように、封止部材１５に蛍光体を含まない封止部材１５を用い、発光素子１４の上に波長変換部材１６を配置した発光素子１４を実装した発光装置２０Ａであっても、上記と同様の効果を得ることができる。
本開示の基板及び発光措置の製造方法は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに用いられる発光装置の製造において利用することができる。
１０ 基板
１１ リードフレーム
１２ 樹脂成形体
１２Ａ 凹部
１２ｂ 底面部
１２ｕ 上面
１２ｗ 壁部
１２ｓ 側面
１３ 溝部
１４ 発光素子
１５、１５ａ 封止部材
１６ 波長変換部材
２０、２０Ａ 発光装置

Claims (8)

  1. リードフレームと、
    前記リードフレームを埋設した樹脂成形体とを備え、
    長手方向である第１方向と、前記長手方向と直交する短手方向である第２方向とに延長する基板であって、
    前記基板は、凹部が前記第１方向及び前記第２方向に複数配置され、
    前記樹脂成形体は、前記凹部の底面に配置される底面部と、前記底面部を取り囲む壁部とを有し、
    前記壁部の上面において、前記第１方向及び前記第２方向に延びる溝部を有し、
    前記第１方向に延びる前記溝部の幅は、前記第２方向に延びる前記溝部の幅よりも小さい基板。
  2. 前記溝部は、前記樹脂成形体の最大厚みの３０％〜８０％の深さを有する請求項１に記載の基板。
  3. 前記樹脂成形体が、変性シリコーン系樹脂によって形成されている請求項１又は２に記載の基板。
  4. 前記樹脂成形体は、リードフレームの下面を露出している請求項１から３のいずれか１項に記載の基板。
  5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の基板を準備し、
    前記凹部の底面に発光素子を載置し、
    前記基板を前記溝部で切断することにより複数の発光装置を得る発光装置の製造方法。
  6. 前記樹脂成形体及び前記リードフレームを同時に切断することにより前記基板を切断する請求項５に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記基板を、溝部の幅よりも広い厚みの切断治具を用いて切断する請求項５又は６に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記基板を準備した後、前記基板の切断までの間に、さらに、前記基板を加熱することを含む請求項５から７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
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