TWI484670B - 發光二極體的支架結構製作方法（四） - Google Patents

發光二極體的支架結構製作方法（四） Download PDF

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Description

發光二極體的支架結構製作方法(四)
本發明係有關一種發光二極體，尤指一種發光二極體的支架結構製作方法。
發光二極體已廣泛被運用在各種的電子裝置、電器產品或燈具等產品上，而且發光二極體在製作上都是朝著高亮度、多色光及散熱效果佳的技術來研發及改進，因而使得發光二極體製作的成本提高。除了前述的因素會使得發光二極體製作成本提高外，還有發光二極體的製作良率也會直接反應到製作成本上。
傳統的發光二極體在製作時，先備有一金屬板材，將金屬板材沖壓或蝕刻製程支架結構後，在該支架結構上具有一金屬邊框，該金屬邊框上透過連接部連接有複數個金屬支架，該金屬支架包含有一正極電片及負極電片，再利用熱固性塑膠於複數個該金屬支架上成型有膠座，在該膠座製作完成後，於該膠座的中空功能區中外露的正、負極電片上進行發光晶片的固晶及金線的打線製程，在固晶及打線製程後，將混有螢光粉的矽膠點入於該中空功能區中，在點膠製程後，再將金屬支架進行裁切及檢測。
由於傳統的發光二極體在製作完成後才進行亮度及色度配比的檢測，因此發二極體的亮度及色度配比不符合要求，使發光二極體 製作的良率僅在50%左右。其主要的原因是在於該金屬支架上成型有膠座後，並未有對金屬支架的正極電片及負極電片的連接部進行裁切，因此該金屬支架的正極電片及負極電片都是連結在一起，使膠座的中空功能區在點膠後無法馬上測試發光二極體的亮度及色度的配比是否正確，須待全製程完成才能確認品質，故造成不良率的發光二極體無法被即使檢測出來。
因此，本發明之主要目的，在於解決傳統缺失，本發明將發光二極體的支架結構的金屬支架形成後，先裁切金屬支架的連接部及支架結構背面貼帶後，再進行熱固、固晶、打線及點膠製程中，在膠體未乾涸前，即可進行前測作業，以檢測發光二極體的亮度及色度的配比是否正確，藉以提升發光二極體製作後的良率可在90%以上，進而可大幅降低製作成本。
為達上述之目的，本發明提供一種發光二極體的支架結構製作方法(四)，包括：備有一金屬板材；在該金屬板材成型有一金屬邊框及複數金屬支架的支架結構，該金屬支架上具有一第一電極片及一第二電極片，該第一電極片與該第二電極片上具有一連接部，該連接部連結該複數金屬支架及該金屬邊框；於支架結構的一面上貼上貼帶；將連接該第一電極片及該第二電極片的連接部切斷，且未切斷該貼帶； 於該金屬支架上成形有膠座，成形後的該膠座正面上具有一供該第一電極片及該第二電極片外露的中空功能區；於該膠座的中空功能區中的第二電極片上固接有一發光晶片；將一金屬線電性連結於該發光晶片與該第一電極片上；將膠體點入於該中空功能區；將切斷的的連接部施加電源，使該第一電極片及該第二電極片通電點亮該發光晶片，以進行亮度及色度的配比檢測。
其中，該金屬邊框上具有複數間隔排列的長孔及短孔，於二個該短孔之間具有一貫穿孔。
其中，該第一電極片與該第二電極片未相鄰或相對應的側邊上都有該連接部。
其中，該第一電極片為長方形，並與該第二電極片相鄰或相對應的側邊上具有二相對應的缺口。
其中，該第二電極片的二側邊上具有二相對應的二凹槽，該第二電極片的另一側邊具有一凹口。
其中，在支架結構沖壓或蝕刻後，在該支架結構的金屬支架上電鍍一層金屬膜。
其中，該貼帶為具有黏性的膠帶。
其中，該膠座背面具有二透孔，該二透孔供該第一電極片及該第二電極片外露。
其中，在膠座製作完成後，將該貼帶撕下。
其中，該發光晶片為單色或多色的晶片。
其中，該金屬線為金線。
其中，該膠體為矽膠。
其中，該膠體添加有螢光粉。
100~120‧‧‧步驟
10‧‧‧支架結構
1‧‧‧金屬邊框
11‧‧‧長孔
12‧‧‧短孔
13‧‧‧貫穿孔
2‧‧‧金屬支架
21‧‧‧第一電極片
211‧‧‧缺口
22‧‧‧第二電極片
221‧‧‧凹槽
222‧‧‧凹口
23‧‧‧連接部
231‧‧‧切割槽
3‧‧‧膠座
31‧‧‧中空功能區
32、33‧‧‧透孔
4‧‧‧發光晶片
5‧‧‧金線
6‧‧‧膠體
20‧‧‧貼帶
第一圖，係本發明之製作流程示意圖。
第二圖，係本發明之發光二極體的支架結構示意圖。
第三圖，係第一圖的局部放大示意圖。
第四圖，係本發明之支架結構側視示意圖。
第五圖，係本發明之支架結構裁切正視示意圖。
第六圖，係第五圖的側視示意圖。
第七圖，係本發明之發光二極體的支架結構上成型有膠座的正視示意圖。
第八圖，係本發明之發光二極體的支架結構上成型有膠座的背面示意圖。
第九圖，係本發明之發光二極體的支架結構的膠座上進行固晶、打線製作示意圖。
第十圖，係第九圖的側視示意圖。
茲有關本發明之技術內容及詳細說明，現配合圖式說明如下： 請參閱第一、二、三圖，係本發明之製作流程、發光二極體的支架結構及第二圖的局部放大示意圖。如圖所示：本發明之發光二極體的支架結構(四)，首先，如步驟100，備有一金屬板材。
步驟102，將該金屬板材沖壓或蝕刻製成支架結構10，該支架結構10包括：一金屬邊框1及複數金屬支架2。該金屬邊框1，其上具有複數間隔排列的長孔11及短孔12，於二個該短孔12之間具有一貫穿孔13。該金屬支架2，其上具有一第一電極片21及一第二電極片22，該第一電極片21為長方形，並與該第二電極片22相鄰或相對應的側邊上具有二相對應的缺口211，該第二電極片22的二側邊上具有二相對應的二凹槽221，該第二電極片22的另一側邊具有一凹口222，藉由該側邊的二凹槽221及該凹口222使該第二電極片22呈一件衣服的形狀。另，該第一電極片21與該第二電極片22相鄰或相對應的側邊上未有連接部(bar)23外，其於的三個側邊都具有一連接部23，該連接部23係以連結該複數縱向及橫向的金屬支架2及該金屬邊框1。
步驟104，在支架結構10沖壓或蝕刻後，將該支架結構10的金屬支架2進行電鍍，在該金屬支架2上電鍍一層金屬膜。
步驟106，在支架結構10電鍍完成後，於該支架結構10背面貼上貼帶20(如第四圖)。在本圖式中，該貼帶20為具有黏性的膠帶。
步驟108，將連接該金屬支架2的縱向及橫向的第一電極片21及該第二電極片22的連接部23切斷形成一切割槽231，且未切斷該貼帶20(如第五、六圖)。
步驟110，在該支架結構10裁切後完成後，利用熱固性塑膠經過 熱固成型技術，於該金屬支架2上成型有一膠座3，該膠座3成型後包覆於該第一電極片21、第二電極片22及該被切斷或未被切斷的連接部23上。該膠座3的正面具有一中空功能區31，該中空功能區31使該第一電極片21及該第二電極片22外露(如第七圖)。同樣地，該膠座3的背面具有二透孔32、33，該二透孔32、33供第一電極片21及第二電極片22外露，在該第一電極片21及該第二電極片22導通點亮發光晶片(圖中未示)時，該二透孔32、33供該第一電極片21及第二電極片22散熱作用(如第八圖)。
步驟112，在熱固後，將貼帶20撕下。
步驟114，在貼帶20撕下後，於該膠座3的中空功能區31中外露的第二電極片22上固接有一發光晶片4(如第九圖)。在本圖式中，該發光晶片4為單色或多色的晶片。
步驟116，於該發光晶片4電性連結一金屬線5至該中空功能區31中外露的第一電極片21上。在本圖式中，該金屬線5為金線(如第九圖)。
步驟118，在固晶與打線製作完成後，在該膠座3的中空功能區31內進行點膠製作，將膠體6點入於該中空功能區31中(如第十圖)。在本圖式中，該膠體為矽膠。
步驟120，在點膠製作後，可以對發光二極體進行前測作業，所謂的前測作業就是在點膠後，該膠體6尚未乾涸前，檢測者可以施加電壓於被切斷的連接部23，讓電壓傳至該第一電極片21及該第二電極片22上，以點亮該發光晶片4所產生的光與該膠體6所混入的螢光粉混色後，所形成的色度及亮度是否達到與先前設計的 色度及亮度配比的要求。
如，要製作一個白光的發光二極體時，該發光晶片為藍光，再中空功能區31所點入的膠體6就混合有黃色的螢光粉，再膠體6點入後未乾涸時，檢測者可以對連接部23被切斷的金屬支架2的該第一電極片21及該第二電極片22施加電源，以進行該發光晶片4與混有該黃色的螢光粉的膠體6的亮度及色度配比是否正確。
藉由上述的金屬支架2在膠座3製作完成後進行金屬支架2的連接器23裁切，使發光二極體在點膠後可以進行前測作業，使發光二極體的製作良率可以提升至90%以上，以降低不良率的產生。
上述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍。即凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。
100~120‧‧‧步驟

Claims (7)

  1. 一種發光二極體的支架結構製作方法(四)，包括：a)、備有一金屬板材；b)、在該金屬板材成型有一金屬邊框及複數金屬支架的支架結構，該金屬邊框上具有複數間隔排列的長孔及短孔，於二個該短孔之間具有一貫穿孔，該金屬支架上具有一第一電極片及一第二電極片，該第一電極片為長方形，並與該第二電極片相鄰或相對應的側邊上具有二相對應的缺口，該第二電極片的二側邊上具有二相對應的二凹槽，該第二電極片的另一側邊具有一凹口，該第一電極片與該第二電極片未相鄰或相對應的側邊上具有一連接部，該連接部連結該複數金屬支架及該金屬邊框；c)、在該支架結構的金屬支架上電鍍一層金屬膜；d)、於支架結構的一面上貼一貼帶；e)、將連接該第一電極片及該第二電極片的連接部切斷，且未切斷該貼帶；f)、於該金屬支架上成形有膠座，成形後的該膠座正面上具有一供該第一電極片及該第二電極片外露的中空功能區；g)、在膠座製作完成後，將該貼帶撕下；h)、於該膠座的中空功能區中的第二電極片上固接有一發光晶片；i)、將一金屬線電性連結於該發光晶片與該第一電極片上；j)、將膠體點入於該中空功能區； k)、將切斷的的連接部施加電源，使該第一電極片及該第二電極片通電點亮該發光晶片，以進行亮度及色度的配比檢測。
  2. 如申請專利範圍第1項之支架結構製作方法(四)，其中，在步驟d中的貼帶為具有黏性的膠帶。
  3. 如申請專利範圍第2項之支架結構製作方法(四)，其中，該膠座背面具有二透孔，該二透孔供該第一電極片及該第二電極片外露。
  4. 如申請專利範圍第3項之支架結構製作方法(四)，其中，該步驟h的發光晶片為單色或多色的晶片。
  5. 如申請專利範圍第4項之支架結構製作方法(四)，其中，該步驟i的金屬線為金線。
  6. 如申請專利範圍第5項之支架結構製作方法(四)，其中，該步驟j的膠體為矽膠。
  7. 如申請專利範圍第6項之支架結構製作方法(四)，其中，該膠體添加有螢光粉。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6728998B2 (ja) * 2015-06-09 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
CN107154453B (zh) * 2016-03-04 2021-11-16 日东电工（上海松江）有限公司 元件集合体临时固定片及其制造方法
JP6819645B2 (ja) 2018-04-10 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200501348A (en) * 2003-06-17 2005-01-01 Advanced Semiconductor Eng Singulation method used in leadless packaging process
TW200607069A (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Advanced Semiconductor Eng Process and lead frame for making leadless semiconductor packages
TW200623458A (en) * 2004-12-16 2006-07-01 Seoul Semiconductor Co Ltd Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diode package using the same and light emitting diode package fabbricated by the method
TW200834998A (en) * 2006-12-13 2008-08-16 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting diode package with odds of lead frame removed from its surface and method for fabricating the same
TWM366177U (en) * 2009-03-17 2009-10-01 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and LED package structure

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134376A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法
JP2009283653A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP5514614B2 (ja) * 2010-04-13 2014-06-04 アルファーデザイン株式会社 Ｌｅｄ素子検査テーピング装置。
JP5743184B2 (ja) * 2011-01-12 2015-07-01 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200501348A (en) * 2003-06-17 2005-01-01 Advanced Semiconductor Eng Singulation method used in leadless packaging process
TW200607069A (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Advanced Semiconductor Eng Process and lead frame for making leadless semiconductor packages
TW200623458A (en) * 2004-12-16 2006-07-01 Seoul Semiconductor Co Ltd Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diode package using the same and light emitting diode package fabbricated by the method
TW200834998A (en) * 2006-12-13 2008-08-16 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting diode package with odds of lead frame removed from its surface and method for fabricating the same
TWM366177U (en) * 2009-03-17 2009-10-01 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and LED package structure

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