TWI444633B - 半導體發光二極體晶片、其製造方法及其品質控制方法 - Google Patents

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Description

半導體發光二極體晶片、其製造方法及其品質控制方法
本發明請求於2011年3月16日向韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0023499號優先權，該案所揭露的內容合併在此作為參考。
本發明係與半導體發光二極體晶片有關，更具體而言是有關於提供基於製程記錄以追蹤並控制晶圓之半導體發光二極體、半導體發光二極體之製造方法以及使用半導體發光二極體的用於品質控制之方法。
半導體發光二極體(以下簡稱為LED)，將電能轉換為光能的半導體裝置，可根據能隙而形成特定波長之複合半導體發光，且其用途已從顯示器擴展到各個領域，例如行動光通訊顯示器、電腦螢幕等等，以及用於LCD之背光單元、發光裝置等等。
一般而言，外延生長製程與電極形成製程已經在基於晶圓的製程中開始進行。接著，在切割晶圓為各個晶片後，複數晶片可處理為具有封裝件結構，用以確保熱輻射以及與外部電路簡易的連接已經應用於前述的使用。
在製造過程中，最終LED產品的缺點顯示出有傾向複雜之趨勢，由於晶片本身的缺陷，以及LED封裝製程中在封裝件層級製程期間所產生之電氣或外觀的缺陷。尤其，由於LCD產品可能受限於各個製程，例如基於晶圓的製程、封裝件層級製程、整理與分類的製程、模型化組裝製 程等等，分析困難的最後生產失敗的原因。
因此，關於來自於基於晶圓的製程的製程範圍記錄的精確控制以及對準封裝件之晶片製程與模組化組裝層級可提供用以扣除介於晶圓特徵與封裝件特徵之間之相關性，而且精確分析失敗的原因，藉以理想產品的產量可根據扣除額而大幅提升。
尤其，在LED產品的情況下，在製造封裝件的基於導線框架的製程期間或是在完成封裝之後，製造記錄可藉由在封裝件外觀或導線框架上記錄產品資訊追蹤與控制，以透過使用雷射標誌讀取資訊。然而，獨立的產品記錄資訊可不受對應的基於晶圓的製程記錄所控制，由於限制，例如尺寸非常小的晶圓、亮度效果等等。
因此，根據相關的領域，在將晶圓分離為各個晶片之後，各個晶片受限於探測製程且在發光特性的基礎上分為複數種等級，例如發光波長，如此，當產生一個有瑕疵的LED產品時，藉由基於晶圓的製程記錄產生的結果影響晶片或封裝件與模組產品的品質，在隨後的製程中可能沒有得到證實。因此，LED失敗的結果係受限於精確的分析。
本發明所提供之半導體發光二極體晶片之一態樣係具有識別資訊以提供用以追蹤並控制基於晶圓的製程記錄資訊。
本發明之一態樣亦提供製造半導體發光二極體晶片之方法，係具有識別資訊。
本發明之一態樣亦提供用以品質控制半導體發光二極體晶片之方法，該方法能夠藉由追蹤與控制失敗的結果，而在晶圓製程診斷瑕疵。
根據本發明之一態樣，係提供半導體發光二極體晶片，包括：基板；發光二極體，該發光二極體包括發光層板及第一與第二電極，該發光層板形成在該基板之一區域且包括第一與第二複合半導體層與形成於該第一與第二複合半導體層之間的主動層，而該第一與第二電極分別電性連接於該第一與第二複合半導體層；以及至少一熔絲標誌電路，形成在該基板之其它區域中，用以與該發光二極體電性隔離，且包括電路單元以及複數個電極墊，該電路單元具有對應於基於晶圓的製程資訊的獨特電氣特徵值，該複數個電極墊連接於該電路單元，以量測該電氣特徵值。
該電路單元可包括複數個半導體元件與複數條連接於該複數個半導體元件的熔絲，而該電路元件之該電氣特徵值可透過選擇性切割複數條熔絲而加以決定。
該至少一熔絲標誌電路可包括複數條熔絲標誌電路，而該複數條熔絲標誌電路分別形成在不同區域中。
該複數個半導體元件可包括至少一半導體層，該至少一半導體層與包括在該發光層板內之該半導體層一起生長。
該基於晶圓的製程資訊可包括選自由晶圓批號、整批晶圓之一晶圓號碼、在晶圓中的對應晶片之位置，以及製程線標誌所組成之群組中的至少一者。
該對應晶片之位置可包括標線分割座標以及在對應標線內之位置座標。
可切割該複數條熔絲之至少一者，以代表特定基於晶圓的製程資訊。
該複數個半導體元件可包括半導體層，該半導體層在該基板之該其它區域中，與該發光層板之至少一層一起生長。該複數個半導體元件可包括半導體二極體。在這情況下，該半導體二極體可包括發光層板本體，該發光層板本體在該基板的該其它區域中，與該發光層板之各層一起生長。
該複數個半導體元件可相互串聯，且該複數條熔絲中之各者可與該複數個半導體元件之至少一者並聯。
該基板之該其它區域另包括附加半導體層板，係與發光層板之各層一起生長，且該熔絲標誌電路之該等電極墊皆形成在該附加半導體層板上。
在另一實施例中，該複數個半導體元件包括電晶體。該電晶體具有未掺雜第一半導體層、形成在該未掺雜第一半導體層上以作為通道層的未掺雜第二半導體層、以及形成在該未掺雜第二半導體層上的源極、汲極以及閘極，該未掺雜第一與第二半導體層之界面之間具有二維電子氣層。
該電晶體係形成在半導體層板上，該半導體層板在該基板之該其它區域中，與該發光層板之各層一起生長。
根據本發明之另一態樣，係提供半導體發光二極體封 裝件，包括該發光二極體晶片；封裝件本體，具有該半導體發光二極體晶片設置於其上；第一與第二外部端子，分別連接於該半導體發光二極體晶片之第一與第二電極；以及複數個標誌端子，分別連接於熔絲標誌電路之複數個電極端子。
根據本發明之另一態樣，係提供製造半導體發光二極體晶片之方法，包括：製備晶圓，該半導體發光二極體晶片係形成在該晶圓上；選擇性切割複數條熔絲之至少一者，以使該電路單元具有依據基於晶圓的製程資訊之預定電氣特徵值；以及切割該晶圓，以獲得各個晶片單元。
根據本發明之另一態樣，係提供用於半導體發光二極體晶片的品質控制之方法，包括：製備晶圓，該半導體發光二極體晶片係形成在該晶圓上；在半導體發光二極體層級和具有該半導體發光二極體晶片之封裝件製程期間以及該封裝件製程完成後之任意時間點量測該晶片或封裝件之特徵；以及依據該量測特徵與由與該量測的特徵有關的該晶片的熔絲標誌電路之電氣特徵值所追蹤的基於晶圓的製程資料的關聯性，分析關於對應的基於晶圓的製程條件所產生的有關於該量測特徵之效果。
該晶片或該封裝件之該特徵的該量測包括量測驅動電壓、驅動電流、正向電壓、發光長度、發光波長以及依據對應晶片溫度之波長變化之至少其中之一。
該晶片或該封裝件之後特徵的該量測包括該封裝件之量測光量、發光長度、發光波長、色座標以及色彩溫度 之至少其中之一。
關於該量測特徵之該分析結果包括：將缺陷晶片映射至虛擬晶片的座標的該測量特徵中的希望範圍外；以及分析具有該瑕疵晶片之區域比該虛擬晶圓的該座標中的另一區域內還要多的原因。
上述態樣與其它態樣、特徵與本發明之其它特徵將從以下的詳細敘述結合附圖更清楚地了解。
本發明之實施例現在參閱附呈圖式作詳細說明。本發明可能，然而在任何不同的形式中實現，且不應解釋為被這裡的實施例所限制。當該領域的技術人員可容易地想出許多其它結合了本發明的教示的不同的實施例，透過元件的增加、修改或刪除，這樣的實施例可落入本發明之範圍中。
第1圖為透視示意圖，顯示根據本發明之第一實施例之半導體發光二極體晶片的例子。第2圖至第4圖為剖面圖，顯示半導體發光二極體。第2圖至第4圖為剖面圖，顯示沿著第1圖之I-I’、II-II’以及III-III’剖面線之半導體發光二極體晶片。
參閱第1圖，一併參閱第2圖，根據本發明第一實施例的半導體發光二極體晶片10包括基板11、形成在基板11之一區域內的發光二極體LD、以及形成在基板11之其它區域的複數條熔絲標誌電路S1-S5。第2圖說明基板11具有凸出物且凹陷在其外延生長表面上，然而，本發明並 不限於此。
發光二極體LD包括發光層板12及第一與第二電極13與14，發光層板12包括第一與第二複合半導體層12A與12B以及形成於第一與第二複合半導體層12A與12B之間的主動層12C，而第一與第二電極13與14分別電性連接於第一與第二複合半導體層12A與12B。
如第2圖所示，用於本發明實施例之發光層板12具有檯面結構。也就是說，可透過檯面蝕刻以至少部分地移除第二複合半導體層12B與主動層12C而獲得第一複合半導體層12A外露的上表面區域。
用於本發明實施例之第一與第二電極13、14可包括連接墊13A、14A，以及從連接墊13A、14A所延伸之導電指13B、14B，用以均勻分佈在整個發光二極體LD之發光區域之電流。
根據本發明實施例之半導體發光二極體晶片10可包括複數條(五)熔絲標誌電路S1-S5。熔絲標誌電路S1-S5可與基板11之區域內之發光二極體LD電性隔離。
如第3圖所示，透過形成至基板之局部區域的凹陷部分G及裝填於凹陷部分G內的隔離材料18，以電性隔離發光二極體LD與熔絲標誌電路S1-S5。
用於本發明實施例之熔絲標誌電路S1-S5可包括複數個半導體元件15、連接於半導體元件15的電路單元16，以及連接於電路單元16的電極墊17。此外，電路單元16包括複數條熔絲16A，可選擇性切割(參閱第5A圖)。電極 墊17所量測之電氣特徵值可透過選擇性切割熔絲而改變，以及用以改變電氣特徵值，識別資訊可記錄在熔絲標誌電路S1-S5上。有鑑於此，其詳細說明將參閱第5A與5B圖進行說明。
在本發明之實施例中，第1圖說明了位在發光二極體LD的二端側之熔絲標誌電路S1-S3分別包括了五個半導體元件15，而位於發光二極體LD的頂部與底部之熔絲標誌電路S4-S5則包括四個半導體元件15。
複數個半導體元件15可包括至少一半導體層，該至少一半導體層與包含在發光層板12內之半導體層一起生長，並非透過不同於發光層板12之形成製程的另一製程所形成。
在本發明之實施例中，如第4圖所示，半導體元件15可為代表獨特電阻值(或電壓)之半導體二極體D1-D5，且可包括與發光層板12之各層一起生長之半導體層板。
如第4圖所示，包含在半導體二極體D1-D5內之半導體層板可透過形成在基板11之部分區域之凹槽g而彼此分離。在實施例中，用於元件分離之凹槽g可以隔離材料18裝填。
如第4圖所示，用於實施例中之電極墊17可形成在與發光層板12之各層一起生長之附加之半導體層板BD上。
在此結構中，由於隔離材料填充於凹槽g中，故電極墊17可形成有高度，該高度係實質上相似於與半導體二極體D1-D5相連接之電路線16b的高度。
第5A圖詳細說明了用於實施例之熔絲標誌電路S1-S5。第5A圖所說明之熔絲標誌電路S1-S5可包括連接於半導體元件15之複數個半導體元件15與電路單元16。
連接單元16包括複數條熔絲16A。複數條熔絲16A可藉由使用將雷射光束或過電流施加至其上的方法而選擇性地切割。電路單元16的配置可藉由選擇性地切割熔絲16A而改變，以藉此引起在電極墊17中之電氣特徵值之變化。
獨特的電氣特徵值係藉由選擇性切割熔絲16A而加以決定，可視為識別資訊以及作為表示基於晶圓的製程資訊的值。
複數個半導體元件15可藉由具有獨特的“電氣特徵值”的電路單元16而連接。電氣特徵值可在電極墊17中量測出。說明書中所用的“電氣特徵值”可為一個藉由已知的電氣量測設備數量性地量測且可參考之值，例如：電壓值、電流值或電阻值。
在實施例中，半導體元件15可為具有特定電阻值之半導體二極體。此外，電路單元16可包括串聯於半導體元件15之電路線16B，且複數條熔絲16A並聯於電路線16B。在此，各個熔絲16A可如同第5A圖所示的並聯於不同數量之半導體元件。
如同第5A圖所示的電路連接，熔絲標誌電路之電氣特徵值可能藉由選擇的切割熔絲16B而改變(例如：表示為“C”)
也就是說，如同第5A圖所示，在切割C部分之前，電 流係透過具有相對低電阻的熔絲線而傳導，可量測這樣的0伏特電壓。同時，在切割C部分的情況下，電流流經最外面的右側半導體二極體，如此，增加至等於對應的半導體二極體15的電阻的等級的電壓可在電極墊17量測出來。
在這樣的方式下，由於熔絲標誌電路之電氣特徵值可根據選擇性切割熔絲而被選擇，理想的基於晶圓的製程資訊可藉由匹配所選擇的特徵值與半導體發光二極體晶片10之基於晶圓的製程資訊而記錄在熔絲標誌電路S1-S5上。
更具體的說，在第5A圖所示之熔絲標誌電路中，根據選擇切割熔絲的電壓改變可一起參閱以下的表格與第5B圖之等效電路進行說明。以下的表格說明了各自的二極體具有3伏特的電壓。“X”包含了切割狀態，而“0”表示非切割狀態時。
在這樣的方式下，透過可選擇的切割五個熔絲，6個 識別資訊(例如0、1、2、3、4以及5)可記錄在第5A圖顯示之熔絲標誌電路。所記錄的資訊可透過電極墊17內之電壓量測而確認。
參閱第5A與5B圖之形式敘述可為示範性說明，用以有助於了解。熔絲標誌電路能夠藉由各自的半導體元件與電路單元不同修改的配置而能夠記錄配置的較多資訊。
半導體元件之識別資訊可實現在二進制的形式，在位置與切割熔絲數量的基礎上。例如：各個二極體的電氣特徵值(電阻、反向電壓等等)可以各別設計，且各個具有不同電氣特徵值之二極體可透過熔絲並聯，從而提供用以記錄資訊。此外，電路可以矩陣形式配置，且熔絲可並聯於各個電路單元。
基於晶圓的製程記錄資訊可包括有關於基於整體晶圓製程有關記錄的資訊，而且可包括選自由晶圓批號、一批晶圓中之批號、晶圓中對應晶片的位置，以及製程線標誌所組成的群組之其中至少一者。
在前述的製程記錄資訊中，晶圓批號係與關於執行在一批晶圓中之複數晶圓上的半導體製程之資訊有關，而一批晶圓中之晶圓數目則與晶圓之位置與順序的資訊有關。
此外，對應晶片在晶圓內之位置可表示關於晶片在晶圓中之位置(座標)之資訊，且對應晶片之位置可藉由標線分割座標與晶片在對應標線(參閱第9A與9B圖)內之位置座標表示。除此之外，各種記錄細節(例如製程線、生產週期等等)可包含在基於晶圓之製程記錄資訊內。
在本發明的實施例中，五個熔絲標誌電路S1-S5形成在發光二極體LD周圍，然而，熔絲標誌電路的數量可根據所需的晶圓處理製程資訊之數量而決定。例如：假定每月生產三萬片晶圓，每個晶圓均具有一萬個半導體發光二極體晶片，則每年需要針對九十四億七千萬個半導體元件的熔絲標誌電路。在這情況下，熔絲標誌電路以二進位形式實現各個半導體元件之識別資訊，需要34個熔絲以表示晶圓數量或晶片位置。此外，適當數量的保險絲可增加進一步的資訊。
前述的實施例說明了構成熔絲標誌電路之半導體元件可為半導體二極體，然而，半導體元件可為其它元件，例如電阻或電晶體。在實現將半導體元件作為電阻的情況下，半導體元件可為具有獨特電阻之半導體圖形。
在根據第6A與6B圖所述之半導體發光二極體晶片60之另一實施例中，顯示了使用電晶體的熔絲標誌電路S。
在第6A圖中說明之半導體發光二極體晶片60包括基板61、形成在基板61之區域上之發光二極體LD，以及形成在基板61之其它區域上之熔絲標誌電路S。
與第2圖相似的是，發光二極體LD包括了發光層板62，發光層板62係包括第一與第二複合半導體層與形成在第一與第二半複合半導體層之間之主動層，且第一與第二電極63與64分別電性連接於第一與第二複合半導體層。在實施例中所應用之發光層板62可具有平檯結構。
本發明之實施例所用之第一與第二電極63與64可包 括有焊墊63A與64A，以及從焊墊63A與64A所延伸之導電指63B與64B，使電流在發光二極體LD之整個發光區域內均勻分佈。
根據實施例之熔絲標誌電路S可包括具有複數個電晶體的解碼器DC。熔絲標誌電路S可從基板61之一區域內所形成之發光二極體LD電性隔離。
解碼器並沒有被詳細的說明，然而，解碼器可形成包含有複數半導體電晶體之電路形式。實施例中所用之半導體電晶體可具有與發光層板62一起生長之至少一層。
第7圖說明本發明之實施例應用異質接面場效電晶體(HFET)作為電晶體的例子。
第7圖所示之晶片可包括半導體層板62’，半導體層板62’對應於構成發光二極體LD的發光層板62，以作為較低的結構。電晶體65可形成在半導體層板62’上。
如第7圖所示，電晶體65可為異質接面場效電晶體，包括未掺雜之第一半導體層65A與形成在第一半導體層65A上以作為通道之未掺雜第二半導體層65B，且具有二維電子氣層在介於第一與第二半導體層65A與65B之介面。電晶體65也包括形成在第二半導體層65B上的源極(S)、汲極(D)與閘極(G)。
半導體發光二極體晶片60係實現為氮化物半導體裝置之情況下，第一半導體層65A可為未掺雜氮化鎵層作為半隔離或高電阻層，且第二半導體層65B可為氮化鋁鎵層。
在異質接面場效電晶體的結構中，二維電氣2DEG層 可藉由第一半導體層65A與第二半導體層65B之間具有不同頻帶間隙之異質結而形成。在此，訊號係輸入於閘極G，通道可形成在異質接面場效電晶體的結構中，且電流可傳導於源極S與汲極D之間。
藉由這個原則的應用，解碼器DC可由複數個電晶體構成。解碼器DC之電路線可透過複數條熔絲部分地連接，據此，電路結構可藉由選擇性地切割熔絲而改變。各自的電極墊67的電氣特徵值(也就是資訊資料)量測可藉由改變電路結構而改變。
在實施例中，電路線可從解碼器DC得出，以組構包含在基板之其它區域中的複數條熔絲之熔絲單元66。
第6B圖所顯示之半導體發光二極體晶片70可包括基板71、形成在基板71之一區域內之發光二極體LD，以及形成在基板70之其它區域之二熔絲標誌電路S1與S2。
相似於前面的實施例，發光二極體LD可包括發光層板72，以及第一與第二電極73與74，第一與第二電極73與74包括焊墊73A與74A和從焊墊73A與74A延伸之導電指73B與74B。
相同於第6A圖所述，根據本發明之熔絲標誌電路S1與S2可包括數個解碼器DC，分別包括複數個電晶體。熔絲標誌電路S1與S2可形成包括有複數個半導體電晶體之電路。實施例所應用之半導體電晶體可如同第7圖所述的被了解。
如第6B所述，在熔絲標誌電路S1與S2中，可形成 各個解碼器DC之電路線，如此，則電路結構可透過選擇性的切割電路線所繪製的熔絲76而改變。各個電極墊77所量測之電氣特徵值(也就是資訊資料)可藉由改變電路結構而改變。使用替換的電氣特徵值，可以記錄理想的資訊。
第6A與6B圖說明了熔絲標誌電路包括電晶體；然而，熔絲標誌電路所需的形式包括其它元件，例如配置半導體二及體以及/或者電阻。
上述半導體發光二極體晶片的優點為，在晶圓層級處理資訊透過選擇性切割熔絲而記錄在熔絲標誌電路後，該資訊可在封裝層級製程以及晶片層級製程中識別。
在此態樣中，本發明可提供半導體發光二極體封裝件，包括前述的半導體發光二極體晶片。第8圖與第9圖說明半導體發光二極體封裝件，各者均具有包括二極體或電晶體的熔絲標誌電路。
第8圖所說明之半導體發光二極體封裝件90可包括作為封裝件本體的封裝基板91、以及放置在封裝基板91上的半導體發光二極體晶片80。
半導體發光二極體80可包括基板81、形成在基板81之一區域內之發光二極體LD、以及形成在基板81之其它區域之二熔絲標誌電路S1與S2，熔絲標誌電路S1與S2包括二極體85。
發光二極體LD可包括發光層板82及第一與第二電極83與84，發光層板82具有主動區，而第一與第二電極83與84包括焊接墊83A與84A以及從焊接墊83A與84A延伸 之導電指83B與84B。可以理解的是根據實施例之熔絲標誌電路S1與S2相似於第5A與5B圖所述之電路。
如同本發明之實施例，在封裝層級上，熔絲結構電路S1與S2是在一種狀態中，在該種狀態中，所需的熔絲(圖未示)已根據對應晶片80之基於晶圓的製程資訊被選擇性切割。
如第8圖所示，半導體發光二極體晶片80之焊接墊83A與84A可分別透過焊線W而連接於封裝基板81上所形成之外部端子92。此外，熔絲標誌電路S1與S2之電極墊87可透過焊線W而連接於基板91上所設置之標誌端子97。
在此方式下，封裝件90可包括連接於熔絲標誌電路S1與S2之標誌端子97、以及用以驅動半導體發光二極體晶片80外部端子92。
因此，在最後的封裝層級中，可透過標誌端子97來偵測用於封裝件90中關於半導體發光二極體晶片80之基於晶圓的製程資訊。
在前述實施例中，半導體發光二極體封裝件係說明與描述僅包括封裝基板與外部端子；然而，它也可能具有各種已知類型的封裝件本體。如第8圖所述，任何封裝件可能涉及本發明的範圍，只要它包括連接於熔絲標誌電路的標誌端子、以及用以驅動半導體發光二極體晶片的外部端子。
當使用半導體發光二極體晶片的各種光源裝置具有瑕疵或當必要時，可使用標誌端子來讀取記錄在熔絲標誌 電路上之資訊，據此確認使得對應半導體發光二極體晶片之資訊(尤其是晶圓層級資訊)。
第9圖與第10A和10B圖說明燈泡類型發光裝置之發光二極體模組作為各個照明裝置以及燈泡類型發光裝置的例子。
第9圖所示之半導體發光模組可用於發光裝置(參閱第10A與10B圖)，且可能包括圓形印刷電路板121以及放置在印刷電路板121上之半導體發光二極體晶片110。
半導體發光二極體晶片110可包括基板111、形成在基板111之一區域中之發光二極體LD、以及形成在基板111之其它區域中之熔絲標誌電路S。用於實施例之熔絲標誌電路S係說明為包括解碼器DC，解碼器DC包含第6與第7圖所述之電晶體。
發光二極體LD可包括發光層板112及第一與第二電極113與114，發光層板112具有主動層，而第一與第二電極113與114包括焊墊113A與114A以及從焊墊113A與114A延伸之電極指113B與114B。
如第9圖所示，半導體發光二極體晶片110之焊墊113A與114A可透過焊線W而分別連接於設置於印刷電路板121上的外部端子112。
同時，熔絲標誌電路S之電極墊114可透過焊線W而連接於設置在印刷電路板121上的標誌端子127。
在此方式下，第9圖所述之發光模組可藉由使用即使是在最後的封裝層級中的熔絲標誌電路S所連接的分離標 誌端子127，來確認用於半導體發光二極體晶片110的基於晶圓的製程資訊。
在本發明的實施例中，標誌端子127可包括透過焊線W而與電極墊117相連接的墊區域127A、探測區域127B(探頭與探測區域127B接觸，以確認晶片資訊)、以及連接墊區域127A與探測區域127B的連接單元127C。
在此結構中，探測區域127B可設置成與連接至電極墊117的墊區域127A相間隔，以藉此提供在模組或發光裝置中探測。
發光模組可被實現為第10A與10B圖所述之發光裝置。第10A與10B圖說明燈泡類型的燈具根據本發明作為發光裝置之例子。
第10A圖為透視圖，顯示狀態各個構件的分解狀態以幫助了解發光裝置之構件。第10B圖係透視圖，顯示第10A圖之爆炸圖之結合狀態(除了凸透鏡上蓋的結合之外)。
參閱第10A與10B圖，發光裝置300可包括發光模組120、驅動單元330，以及外部連接單元310。此外，發光裝置300另包括外部結構，例如內部與外部殼體320與340以及上蓋單元360。
如第9圖所述，發光模組120可包括半導體發光二極體晶片110以及放置有晶片110之印刷電路板121。本發明之實施例說明半導體發光二極體晶片110可單一地設置在印刷電路板121上；然而，如果必要的話，亦可以設置複數個。
在根據本發明實施例之發光裝置300中，發光模組120可包括外殼體340作為熱輻射單元。外部殼體340可包括直接連接於發光模組120的熱輻射板345，以提升熱輻射效率。此外，發光裝置300可包括覆蓋單元360，覆蓋單元360放置在發光模組120上且具有凸透鏡的形狀。
在本發明實施例中，驅動單元330可放置在內殼體320上，且連接於外部連接單元310(例如插座)，以藉由外部電源提供電力。此外，驅動單元330可將電力從外部電源轉換為適當的電流源，該電流源驅動發光模組120之半導體發光二極體晶片110，以藉此提供轉換電流源。例如，驅動單元可裝配為交直流轉換器或整流電路元件。
如第10A與10B圖所述，關於半導體發光二極體晶片的資訊需要在發光裝置300內被確定的情況下，在對應的熔絲標誌電路S決定的電氣特徵值可藉由連接探測器以探測第9圖所述的在移除上蓋單元360的狀態下之標誌端子127之區域127B被量測，可在電氣特徵值之基礎上追蹤關於半導體發光二極體晶片(晶圓層級製程資訊)的資訊。
在實際照明設備產生的追蹤資訊與對應晶片110的特徵變化可被研究，且追蹤資訊與對應晶片110特徵變化可被研究，研究的相關性可用以提升基於晶圓的製程。與此有關的是，參照第11至14圖作更詳細的說明。
在此方式下，應用具有熔絲標誌電路之半導體發光二極體晶片之發光模組可包括連接於熔絲標誌電路的標誌端子，藉此關於對應半導體發光二極體晶片的準確資訊可各 種成品(室內照明設備，例如燈具、外部照明設備，例如路燈、招牌、商標等等，且對於交通運輸車輛的照明裝置，例如汽車之車頭燈、飛機與海洋或河內船隻、後方燈等等)以及模組中被容易且迅速地確定。
參閱第11A與第11B圖說明了有關於在晶圓基礎處理記錄資訊中的晶圓上的晶片位置的記錄資訊的方法。
第11A與11B圖為晶圓以及用以描述半導體發光二極體在晶圓中的位置的方法之標線示意圖。
關於各個晶片呈現在座標(代表座標)之晶圓上之資訊，且準備了表格，其中在熔絲標誌電路中可選擇的電氣特徵值係與座標相匹配。
在本發明的實施例中，晶圓係分割為標線，關於各自位置(座標)的資訊係記錄在第11A圖所述之熔絲標誌電路上，且關於晶片在各個標線中的位置資訊係如同第11B圖所述的記錄在第二熔絲標誌電路上。在本案中，有關於各自的座標，如果有必要的話，X與Y分量分別實現在各個熔絲標誌電路中，藉以各自的熔絲標誌電路可以更簡單地配置。
在一序列製程中使用對應晶片或在最後產品層級中使用一方法，對應晶片於晶圓中之位置可藉由從對應晶片之熔絲標誌電路之量測電氣特徵值而追蹤。另外在晶圓上對應於晶片的位置，晶圓批號或製程線對應於基於晶圓的製程之主要記錄可能透過不同的熔絲標誌電路而被妥善的記錄。
在完成外延製程以及用以製造晶片的電極形成過程之後，可在切割晶圓至晶片單元之前可選擇的切割熔絲。可選擇的切割熔絲可透過各種方法執行，例如雷射製程或是過電流應用方法。
在這樣的方式下，所需的基於晶圓的製程資訊可被記錄在晶圓層級之各個晶片之熔絲標誌電路上，如此，記錄細節結合晶片上之基於晶圓的製程可在晶圓分離為晶片單元後在序列製程中追蹤。
參閱第12至14圖，係說明了一種藉由使用熔絲標誌電路提升LED的品質以追蹤與基於晶圓的製程有關的記錄的方法。
第12圖為示意圖，用以說明一個使用熔絲標誌電路的記錄追蹤製程，在製程的開始具有製造半導體發光二極體晶片，透過隨後的製程，以及達到完成封裝件。
如第12圖所述，基於晶圓的製程，也就是外延生長製程以及其它製造過程(電極的形成等等)可以被執行。在晶圓切割為各個晶片之前，基於晶圓的製程資訊作為對應的晶片可使用對應晶片的熔絲標誌電路(熔絲的選擇性切割)而記錄。
接著，晶片之電氣與光學特徵可藉由使用晶片探測過程而量測。在量測結果的基礎上，晶片附屬於選擇製程，而其中有瑕疵的晶片被刪除，或是晶片被分類為多個等級，並接著導引至導線架基礎製程，以獲得具有所需特徵的LED封裝件。
之後，當封裝件完成後，封裝件被附屬於剪裁製程，其係為結構的完成製程，且在放置色彩特徵的基礎上適當的分佈。
在基於晶圓的製程後，也就是說，在晶圓分割為各個晶片後，當LED晶片的特點或封裝件之特點在製造過程之序列中或是在完成的封裝件中或特定模組(例如：用以發光之光源等等)量測，則量測結果可與各個晶片相匹配。透過匹配，則量測的特點與基於晶圓的製程資訊間之匹配會被扣除。
在晶片特點與封裝件特點之間的關聯性的基礎上，關於藉由對應的晶圓基礎處理記錄所產生的量測特徵的影響，也就是說，可對關聯性作分析。尤其，產品特徵之量測結果(或決定產品特徵的缺陷)也可在封裝基礎製程中，以及在晶片探測過程或是基於導線框架的製程中使用標誌端子而獲得。
量測特徵可主要地分割為晶片特徵(尤其是在晶片探測過程中對於特徵的量測)以及封裝件特徵。
晶片特徵可為驅動電壓、驅動電流、正向電壓、發光強度、發光波長之中之至少一，且波長係根據對應晶片之溫度而改變。封裝件特徵可為封裝件之光線品質、發光強度、發光波長、色彩座標以及色彩溫度中之至少一。
在品質控制的方法中分析晶片特徵與封裝件特徵之間的關聯性的例子，第13與14圖說明扣除基於晶圓的製程記錄資訊中之晶圓位置與封裝件之色彩座標特徵之間之 關聯性的製程。
參閱第13圖，預定的螢光粉用以發出白光係根據產生封裝件的製程應用於封裝件，且色彩座標用以量測各個封裝件。
根據色彩座標的量測結果，當理想的色彩座標區域之外的瑕疵封裝區域B1與B2產生時，可以檢測來自於晶片之熔絲標誌電路之資訊對封裝件之應用，藉此可追蹤晶片位於晶圓上之位置。
可檢測與晶片有關的晶圓位置資訊在各個封裝件中的使用，如此，量測各個LED封裝件之色彩座標可在好的晶圓上被指出120，如第14圖所示。
如第14圖所示，用於檢測封裝件之晶片可表示為集中在虛擬晶圓之BC區域。在此方式中，事實上，晶片應用於集中在晶圓的特定區域的有瑕疵的封裝件可能被認定為與基於晶圓的製程細節高度相關，如此，可分析基於晶圓的製程中與瑕疵集中區域有關的因素，以藉此提供用於產品產量的提升。
與此相反的是，在品質控制的方法中，並未使用晶片追蹤的功能，根據有關的技術，由於色彩座標分佈的分析可能不會延伸到基於晶圓的製程，該分析係限制於封裝製程(螢光粉的結合與分配製程)。結果，在第14圖所述之基於晶圓的製程中的缺點可以忽略不計。
然而，如同前述，品質控制的方式提供為了追蹤基於晶圓的製程透過使用熔絲標誌電路可能導入本發明，藉 此，可藉由延伸至晶圓製程的因素而對影響LED產品特徵的各種原因進行分析。結果，產品品質可更有效地提升以藉此提供LED封裝件產量的提升。
如同前面的規定，根據本發明實施例，關於對應的基於晶圓的製程記錄資訊可藉由提供特定的電氣值(電壓、電阻、電流等等)至熔絲標誌電路以對晶片進行驗證，並且在隨後的過程中或是在完成封裝之後量測電氣值，藉此根據晶片特徵或者是封裝件產品之檢測結果可藉由延伸製基於晶圓的製程診斷出。
因此，可更準確地判斷產品失敗的原因，且LED產品的品質可因此大幅提升。
當本發明可結合實施例而被顯示與描述，對所屬領域的技術人員可以作出修改和變化，這將是顯而易見的。
10、60、70、80、110‧‧‧半導體發光二極體晶片
11、61、71、81、111‧‧‧基板
12、62、72、82、112‧‧‧發光層板
12A‧‧‧第一複合半導體
12B‧‧‧第二複合半導體
12C‧‧‧主動層
13、63、73、83‧‧‧第一電極
13A、14A‧‧‧連接墊
13B、14B、63B、64B、73B、74B、83B、84B‧‧‧導電指
14、64、74、113、114‧‧‧第二電極
15‧‧‧半導體元件
16‧‧‧電路單元
16A、76‧‧‧熔絲
16B‧‧‧電路線
17、67、77、87、117‧‧‧電極墊
18‧‧‧隔離材料
62’‧‧‧半導體層板
63A、64A、73A、74A、113A、114A、114B‧‧‧焊墊
65‧‧‧電晶體
65A‧‧‧第一半導體層
65B‧‧‧第二半導體層
66‧‧‧熔絲單元
83A、84、84A‧‧‧焊接墊
85‧‧‧二極體
90‧‧‧封裝件
91‧‧‧封裝基板
92‧‧‧外部端子
97、127‧‧‧標誌端子
113b‧‧‧電極指
120、300‧‧‧發光裝置
121‧‧‧印刷電路板
127A、127B‧‧‧區域
127C‧‧‧連接單元
310‧‧‧外部連接單元
320‧‧‧內部殼體
330‧‧‧驅動單元
340‧‧‧外部殼體
345‧‧‧熱輻射板
360‧‧‧上蓋單元
BC‧‧‧區域
BD‧‧‧半導體層板
C‧‧‧部分
D‧‧‧汲極
D1-D5‧‧‧導體二極體
DC‧‧‧解碼器
G‧‧‧閘極
LD‧‧‧發光二極體
S‧‧‧源極
S1-S5‧‧‧熔絲標誌電路
W‧‧‧焊線
第1圖為透視示意圖，顯示根據本發明第一實施例之半導體發光二極體晶片；第2圖為剖面示意圖，顯示沿著第1圖之I-I’剖面線之半導體發光二極體晶片；第3圖為剖面示意圖，顯示沿著第1圖之Ⅱ-Ⅱ’剖面線之半導體發光二極體晶片；第4圖為剖面示意圖，顯示沿著第1圖之Ⅲ-Ⅲ’剖面線之半導體發光二極體晶片；第5A至5B圖為分別配發示意圖與電路示意圖，說明第1圖所顯示之半導體發光二極體晶片之熔絲標誌電路 “A”；第6A與6B圖皆為示意圖，分別顯示根據本發明第二實施例之半導體發光二極體之各種例子；第7圖為剖面圖，顯示電晶體結構應用在本發明之第二實施例之例子；第8圖為剖面圖，顯示根據本發明另一實施例之半導體發光二極體封裝件；第9圖為示意圖，顯示根據本發明之另一實施例，半導體發光二極體封裝件之發光模組可用於發光裝置的例子；第10A與10B圖顯示根據本發明之另一實施例之發光裝置作為燈泡型燈具的例子；第11A與第11B為示意圖，晶圓與標線用以敘述表示半導體發光二極體晶片在晶圓內位置之方法；第12圖為製程流成圖，用以敘述在半導體發光二極體封裝件的整個製程中追蹤基於晶圓的製程資訊之製程；第13圖為曲線圖說明在封裝件層級中之色彩座標量測；以及第14圖顯示在第13圖的結果的基礎上，虛擬晶圓表示在色彩座標中之瑕疵區域所呈現晶片的位置。
12‧‧‧發光層板
13‧‧‧第一電極
13A‧‧‧連接墊
13B‧‧‧導電指
14‧‧‧第二電極
14A‧‧‧連接墊
14B‧‧‧導電指
15‧‧‧半導體元件
17‧‧‧電極墊
LD‧‧‧發光二極體
S1-S5‧‧‧熔絲標誌電路

Claims (19)

  1. 一種半導體發光二極體晶片，包括：基板；發光二極體，包括形成在該基板之一區域且包括第一與第二複合半導體層以及形成於該第一與第二複合半導體層之間之主動層的發光層板，以及分別電性連接於該第一與第二複合半導體層的第一與第二電極；以及至少一熔絲標誌電路，形成在基板之其它區域，用以電性隔離該發光二極體，且包括電路單元，該電路單元具有對應於基於晶圓的製程資訊的獨特電氣特徵值以及複數個連接於該電路單元之電極墊，以量測該電氣特徵值；其中該電路單元包括複數個半導體元件與複數條熔絲連接於該複數個半導體元件的複數條熔絲，且該電路單元之該電氣特徵值係透過選擇性切割該複數條熔絲來加以決定，且其中，該複數個半導體元件包括至少一半導體層，係與包含在該發光二極體層板內的該半導體層一起生長。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該至少一熔絲標誌電路包括複數個熔絲標誌電路，且該複數個熔絲標誌電路分別形成在不同區域。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該基於晶圓的製程資訊包括至少一個選自於由晶 圓批號、在一批晶圓中的一晶圓號碼、在晶圓中對應晶片之位置、以及製程線標誌所組成之群組。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該對應晶片之該位置包括標線分割座標與對應標線內之位置座標。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該複數條熔絲之至少一被切割。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該複數個半導體元件包括半導體層，係在該基板之該其它區域中與該發光層板的至少一層一起生長。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該複數個半導體元件包括半導體二極體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該半導體二極體包括發光複合體，係在該基板之該其它區域與該發光層板的各個層一起生長。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該複數個半導體元件相互串聯，且該複數條熔絲之各者係與該複數個半導體元件之至少一者並聯。
  10. 如申請專利範圍第7或8項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該基板之該其它區域另包括附加半導體層板，係與該發光層板之各層一起生長，且該熔絲標誌電路之該等電極墊皆形成在該附加半導體層板上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該複數個半導體元件包括電晶體。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體發光二極體晶片，其中，該電晶體具有未掺雜第一半導體層、形成在該未掺雜第一半導體層上以作為通道層的未掺雜第二半導體層、以及形成在該未掺雜第二半導體層上的源極、汲極以及閘極，該未掺雜第二半導體層在該未掺雜第一與第二半導體層之界面之間具有二維電子氣層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光二極體晶片，該電晶體係形成在半導體層板上，該半導體層在該基板之該其它區域中與該發光層板之各層一起生長。
  14. 一種半導體發光二極體封裝件，包括：如申請專利範圍第1至13項任一項之該半導體發光二極體晶片；封裝件本體，具有該半導體發光二極體晶片設置於其上；第一與第二外部端子，分別連接於該半導體發光二極體晶片之第一與第二電極；以及複數個標誌端子，分別連接於熔絲標誌電路之複數個電極端子。
  15. 一種製造半導體發光二極體晶片之方法，包括：製備晶圓，如申請專利範圍第1至13項任一項之該半導體發光二極體晶片係形成在該晶圓上；選擇性地切割複數條熔絲之至少一者，以使電路單元具有依據該晶片之基於晶圓的製程資訊之預定電氣特徵值；以及 切割該晶圓以獲得各個晶片單元。
  16. 一種用於半導體發光二極體晶片的品質控制之方法，該方法包括：製備晶圓，如申請專利範圍第1至13項任一項之該半導體發光二極體晶片係形成在該晶圓上；在半導體發光二極體層級和具有該半導體發光二極體晶片之封裝件製程期間以及該封裝件製程完成後之任意時間點量測該晶片或封裝件之特徵；以及依據所得之量測特徵與由與該量測特徵有關的該晶片的熔絲標誌電路之電氣特徵值所追蹤的基於晶圓的製程資料的關聯性，分析關於對應的基於晶圓的製程條件所產生的有關於該量測特徵之效果。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中，該晶片或該封裝件的該量測特徵之該量測包括量測驅動電壓、驅動電流、正向電壓、發光強度、發光波長以及依據該對應晶片的溫度的波長變化中之間的至少一者。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中，該晶片或該封裝件的該量測特徵之該量測包括量測該封裝件之光量、發光強度、發光波長、色座標以及色彩溫度中的至少一者。
  19. 如申請專利範圍第17或18項所述之方法，其中，關於該量測特徵之該分析結果包括：將缺陷晶片映射至虛擬晶片的座標的該測量特徵中的希望範圍外；以及 分析具有該缺陷晶片之區域比該虛擬晶圓的該座標中的另一區域內還要多的原因。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160149783A (ko) * 2015-06-19 2016-12-28 에스케이하이닉스 주식회사 멀티 칩 패키지 및 그의 동작 방법
JP6753066B2 (ja) * 2016-02-09 2020-09-09 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN107404062B (zh) * 2017-05-12 2021-05-28 浙江澍源智能技术有限公司 一种芯片键合方法
US11145689B2 (en) * 2018-11-29 2021-10-12 Creeled, Inc. Indicia for light emitting diode chips
TWI682187B (zh) * 2019-02-22 2020-01-11 鼎信傳能股份有限公司 可檢測發光元件之載具裝置
CN112068022B (zh) * 2020-09-10 2023-01-24 浪潮商用机器有限公司 一种直流电源的电流特性检测方法、系统及相关组件
CN111929571B (zh) * 2020-10-19 2022-11-04 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 Led芯片测试治具、测试方法及测试系统
WO2024000184A1 (en) * 2022-06-28 2024-01-04 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Method for optimizing protection circuits of electronic device chips in wafer

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03185744A (ja) * 1989-12-14 1991-08-13 Seiko Instr Inc 半導体素子
JPH07123101B2 (ja) * 1990-09-14 1995-12-25 株式会社東芝 半導体装置
JP3659981B2 (ja) * 1992-07-09 2005-06-15 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド ダイ特定情報に特徴付けられるダイ上の集積回路を含む装置
JPH10125742A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の良否判定方法及び半導体集積回路
JP2000315772A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置
US6288436B1 (en) * 1999-07-27 2001-09-11 International Business Machines Corporation Mixed fuse technologies
US6990387B1 (en) * 2000-05-18 2006-01-24 Intel Corporation Test system for identification and sorting of integrated circuit devices
KR100389040B1 (ko) * 2000-10-18 2003-06-25 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로의 퓨즈 회로
JP3538170B2 (ja) * 2001-09-11 2004-06-14 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6893883B2 (en) * 2003-08-18 2005-05-17 Agere Systems Inc. Method and apparatus using an on-chip ring oscillator for chip identification
KR100688518B1 (ko) * 2005-01-12 2007-03-02 삼성전자주식회사 개별 칩들의 디바이스 정보를 직접 판독할 수 있는시그너처 식별 장치를 갖는 멀티 칩 패키지
JP4825436B2 (ja) * 2005-03-29 2011-11-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置及び半導体装置
JP2010045230A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Fuji Xerox Co Ltd 発光素子チップ、露光装置および画像形成装置
KR101649967B1 (ko) * 2010-05-04 2016-08-23 삼성전자주식회사 이-퓨즈 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
US20120133381A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-31 Electro Scientific Industries, Inc. Stackable semiconductor chip with edge features and methods of fabricating and processing same

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