JP6398626B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/13118—Zinc [Zn] as principal constituent
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- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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Description
図1(a)〜(e)は、実施の形態1に係る発光装置100の製造方法の一例を示す概略断面図である。発光装置100は、チップサイズパッケージ(Chip Size Package;以下「CSP」と略記する)型の発光ダイオード(以下「LED」と略記する)である。発光装置100は、少なくとも以下の第1工程と第2工程を経て製造される。なお、本実施の形態は、透光性部材50の形成工程(第3工程)と個片化工程をさらに含むが、好ましい一例に過ぎず、これらの付加的工程は省略することもできる。
まず、図1(a)に示すように、支持基体10上にバンプ20を介して発光素子30を載置する。ここで、バンプ20は、発光素子30の下面側に設けられた正負一対の電極に各々対応して、1つの発光素子30につき少なくとも2つ設けられる。なお、バンプ20は、1つの正又は負の電極に対応して、複数設けられてもよい。
次に、第1工程の後、発光素子30の少なくとも下面、好ましくは発光素子30の下面及び側面を被覆する被覆部材40を形成する。そして、この第2工程においては、図1(b)に示すように、下金型60と上金型70により支持基体10と発光素子30を挟み且つ押圧してバンプ20を塑性変形させること、並びに、図1(c)に示すように、下金型60と上金型70(ここでは支持基体10と上金型70)の間の空隙に被覆部材の液状材料43を注入して固化させること、を含む。
次に、図1(d)に示すように、発光素子30上に透光性部材50を形成する。ここでは、透光性部材50は、シート状若しくは板状であり、発光素子30及び被覆部材40の上面に接合することで形成される。なお、透光性部材51は、蛍光体55を含有していることが好ましいが、含有していなくてもよい。
図2(a)〜(e)は、実施の形態2に係る発光装置200の製造方法の一例を示す概略断面図である。図2に示す例の発光装置200の製造方法において、図2(a)〜(e)に示す過程は図1(a)〜(e)に示す過程に其々対応しており、上述の実施の形態1と実質的に同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図3(a)〜(e)は、実施の形態3に係る発光装置300の製造方法の一例を示す概略断面図である。図3に示す例の発光装置300の製造方法において、図3(a),(d),(e)に示す過程は図1(a),(d),(e)に示す過程に其々対応しており、上述の実施の形態1と実質的に同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
支持基体は、少なくとも発光装置の製造時において、発光素子を支持する台座となる。支持基体の半導体素子の載置面は、平坦であることが好ましい。支持基体は、主として、配線基板若しくはリードフレーム、又は基板治具である。
配線基板は、発光素子と電気的に接続される配線と、その配線を保持する基材と、を有する。配線基板の厚さ(総厚)は、特に限定されないが、例えば0.03mm以上2mm以下であり、0.05mm以上1mm以下が好ましく、0.05mm以上0.5mm以下がより好ましい。配線基板の基材は、リジッド基板であれば、セラミックス、ガラス、金属、樹脂(繊維強化樹脂を含む)、紙などを用いることができる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、若しくはこれらの合金などが挙げられる。樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、BTレジン、ポリイミドなどが挙げられる。配線基板の基材は、可撓性基板(フレキシブル基板)であれば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどが挙げられる。バンプと被覆部材を併用した応力吸収構造により、配線基板の基材として、安価な樹脂や放熱性の良好な金属を採用しやすくなる。
配線は、箔又は膜として、基材の少なくとも上面に形成され、基材の内部及び/又は下面にも形成されていてもよい。また、配線は、発光素子が接合されるランド(ダイパッド)部、外部接続端子部、及びこれらを接続する引き出し配線部を含むことが好ましい。配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、配線の表層には、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金、錫、銅若しくはこれらの合金などの鍍金又は光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。これらの配線は、電解めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着、印刷、塗布、コファイア法、ポストファイア法などにより形成することができる。
リードフレームは、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属板に、プレス、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。リードフレームは、これらの金属の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金が好ましい。また、その表層に、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などのめっきや光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀が好ましい。リードフレームの厚さ(総厚)は、特に限定されないが、例えば0.1mm以上1mm以下であり、好ましくは0.2mm以上0.4mm以下である。
基板治具の平板は、上述のリジッド基板の基材と同じ材料を用いることができる。シートは、粘着シート、保護シート、離型シートなどを用いることができる。
バンプは、金属又は合金からなる突起である。バンプは、ボールバンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、印刷バンプのほか、ピラーと呼ばれる柱状の突起などを用いることができる。形成当初(塑性変形させる前)のバンプの径は、特に限定されず、発光素子からの放熱性とバンプピッチによる塑性変形後の側部接触に配慮して適宜選択すればよい。形成当初(塑性変形させる前)のバンプの厚さ(高さ)は、特に限定されず、バンプ接合部の耐熱衝撃性の観点では厚い(高い)ほど有利であるが、一方で発光素子からの放熱性の観点では薄い(低い)ほど有利であるため、発光装置(の用途)に応じて適宜選択すればよい。
発光素子は、少なくとも半導体素子構造を備え、多くの場合に基板をさらに備える。発光素子は、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子の上面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよい。発光素子(主に基板)の側面は、上面に対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。発光素子は、同一面側に正負(p,n)両電極を有し、フリップチップ(フェイスダウン)実装される。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。半導体素子構造は、半導体層の積層体、即ち少なくともn型半導体層とp型半導体層を含み、また活性層をその間に介することが好ましい。半導体素子構造は、電極及び/又は絶縁膜を含んでもよい。電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。絶縁膜は、珪素、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、アルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の元素の酸化物又は窒化物で構成することができる。発光素子の発光波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができる。半導体材料としては、蛍光体を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体(主として一般式InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される)を用いることが好ましい。発光素子の発光波長は、蛍光体の発光との補色関係や樹脂部材の劣化等の観点から、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。また、蛍光体の励起、発光効率の観点から、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。このほか、InAlGaAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の基板は、主として半導体素子構造を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。基板の母材としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。基板の厚さは、例えば0.02mm以上1mm以下であり、基板の強度や発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上0.5mm以下であることが好ましい。
被覆部材は、例えば「アンダーフィル」若しくは「モールドアンダーフィル」などと呼ばれるものであってよい。被覆部材(特に発光素子の直下に位置する部位)は、バンプと配線又はリードフレームとの接合を補助する接着剤としても機能する。被覆部材は、固化前には流動性を有する状態つまり液状(ゾル状又はスラリー状を含む)である。被覆部材の母材は、熱硬化性樹脂若しくは熱可塑性樹脂、又はガラスを用いることができる。熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、不飽和ポリエステル、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、脂環ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。
充填剤は、有機物でもよいが、熱膨張係数がより低い観点において、無機物を用いることが好ましい。充填剤は、シリカ、ガラス、ワラストナイト(珪酸カルシウム)、マイカ、タルク、チタン酸カリウム、酸化アルミニウムなどが挙げられる。充填剤は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。充填剤の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、強化剤として機能させる充填剤は、繊維状又は板状(鱗片状)が好ましい。
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。白色顔料は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料は、基本的には上述の充填剤とは異なるものとするが、上述の充填剤の中空粒子も補助的に使用することができる。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。
透光性部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性(好ましくは光透過率70%以上、より好ましくは85%以上)を有する部材であればよい。透光性部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が挙げられる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。透光性部材は、その母材中に、蛍光体及び/又は充填剤(上述と同様のもの)などを含有することが好ましいが、これに限定されない。
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。このほか、蛍光体は量子ドットであってもよい。量子ドットは、粒径1nm以上100nm以下程度の粒子であり、粒径によって発光波長を変えることができる。量子ドットは、例えば、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、セレン化鉛、又はテルル化カドミウム・水銀などが挙げられる。蛍光体は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色光)を出射する発光装置、又は紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。
金型(下金型、上金型)は、トランスファーモールド法、射出成形法、圧縮成形法などの成形機における金型の機能と、圧着装置(少なくとも加圧が可能であり、好ましくは超音波印加及び/又は加熱が可能な装置)における金型の機能とを併せ持つものを用いることができる。
緩衝部材は、金型からの発光素子又は支持基体への衝撃を緩和したり、発光素子又は支持基体の金型との直接的接触による損傷を回避したりすることができる。但し、緩衝部材の使用は、必須ではなく任意とする。緩衝部材は、粘着シート、保護シート、離型シート、弾性シートなどを用いることができる。
20,21…バンプ
30,31…発光素子
40,41,42…被覆部材(43…被覆部材の液状材料、45…充填剤、47…白色顔料、48…第1凹部、49…第2凹部)
50,51…透光性部材(53…透光性部材の液状材料、55…蛍光体)
60…下金型
70,71…上金型(75…凸部、77…仕切り部)
80…緩衝部材
100,200,300…発光装置
Claims (13)
- 支持基体上に、金、銀、銅、錫、白金、亜鉛、ニッケル又はこれらの合金により形成されたバンプを介して発光素子を載置する第1工程と、
前記第1工程の後、前記発光素子の少なくとも下面を被覆する被覆部材を形成する第2工程と、を備え、
前記第2工程において、下金型と上金型により前記支持基体と前記発光素子を挟み且つ押圧して前記バンプを塑性変形させること、並びに、前記下金型と前記上金型の間の空隙に前記被覆部材の液状材料を注入して固化させること、を含む発光装置の製造方法。 - 支持基体上に複数の発光素子を各々、金、銀、銅、錫、白金、亜鉛、ニッケル又はこれらの合金により形成されたバンプを介して載置する第1工程と、
前記第1工程の後、前記複数の発光素子の少なくとも下面を各々被覆する被覆部材を形成する第2工程と、を備え、
前記第2工程において、下金型と上金型により前記支持基体と前記複数の発光素子を挟み且つ押圧して前記バンプの少なくとも1つを塑性変形させること、並びに、前記下金型と前記上金型の間の空隙に前記被覆部材の液状材料を注入して固化させること、を含む発光装置の製造方法。 - 前記支持基体の厚さをtS、
前記下金型と前記支持基体の間に、及び/又は前記上金型と前記発光素子の間に、緩衝部材が設けられる場合には、該緩衝部材の厚さをtB、
前記複数の発光素子の厚さの平均値をtD、
前記複数の発光素子の厚さの標準偏差をσ、
前記複数の発光素子を挟む部位における、前記下金型と前記上金型との間隔をtCとしたとき、
前記第2工程において、tC≧5μm+(tD+6σ)+tS+tBを満たすように、前記下金型と前記上金型により前記支持基体と前記複数の発光素子を挟み且つ押圧する、請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記上金型は、前記発光素子の直上に位置する凸部を有しており、
前記第2工程において、前記凸部により、前記被覆部材に、前記発光素子の上面を底面に含む第1凹部を形成し、
前記第1凹部内に透光性部材を形成する第3工程を備える、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記凸部は、前記複数の発光素子の直上に跨って設けられており、
前記第2工程において、前記凸部により、前記被覆部材に、前記複数の発光素子の上面を底面に含む第1凹部を形成する、請求項2を引用する請求項4に記載の発光装置の製造方法。 - 前記上金型は、前記複数の発光素子を所定個数取り囲む仕切り部を有しており、
前記第2工程において、前記仕切り部により、前記被覆部材に、前記所定個数の発光素子を取り囲む第2凹部を形成する、請求項2、3及び請求項2を引用する請求項4、5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1工程において、前記バンプを多段スタッドバンプとする、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2工程において、前記被覆部材は、さらに前記発光素子の周囲を被覆し、かつ前記発光素子の上面と、前記発光素子の周囲の前記被覆部材の上面とを同一面かつ平坦面とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2工程において、前記被覆部材の液状材料は、無機の充填剤と、白色顔料とを含有する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記充填剤はシリカであって、前記白色顔料は酸化チタンである、請求項9に記載の発光装置の製造方法。
- 前記充填剤は、粒径の下限値が5μmである、請求項9又は10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記支持基体は、配線を有する配線基板、又はリードフレームであって、
前記第1工程又は前記第2工程において、前記下金型と前記上金型により前記支持基体と前記発光素子を挟み且つ押圧して、前記発光素子を、前記配線又はリードフレームに前記バンプを介して接合する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第2工程の後、前記発光素子、前記バンプ、及び前記被覆部材を含む複合体と、前記支持基体と、を分離する第4工程を備える、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014226614A JP6398626B2 (ja) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | 発光装置の製造方法 |
US14/933,208 US9502610B2 (en) | 2014-11-07 | 2015-11-05 | Method for manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014226614A JP6398626B2 (ja) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016092276A JP2016092276A (ja) | 2016-05-23 |
JP6398626B2 true JP6398626B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=55912935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014226614A Active JP6398626B2 (ja) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9502610B2 (ja) |
JP (1) | JP6398626B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3300126B1 (en) * | 2015-08-18 | 2019-05-22 | Jiangsu Cherrity Optronics Co., Ltd | Process method for refining photoconverter to bond-package led and refinement equipment system |
TWM521008U (zh) * | 2016-01-27 | 2016-05-01 | Lite On Technology Corp | 車燈裝置及其發光模組 |
US10823355B2 (en) * | 2016-01-27 | 2020-11-03 | Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited | Light-emitting module for vehicle lamp |
CN105845790B (zh) * | 2016-05-18 | 2018-08-31 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种倒装led芯片的封装方法 |
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JP7011143B2 (ja) | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6809203B2 (ja) | 2016-12-20 | 2021-01-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6862819B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2021-04-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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JP7037030B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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JP6665851B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2020-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR20200119233A (ko) | 2017-12-26 | 2020-10-19 | 에피스타 코포레이션 | 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈 |
JP6819645B2 (ja) | 2018-04-10 | 2021-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法 |
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JP7208491B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP7352358B2 (ja) * | 2019-02-04 | 2023-09-28 | デンカ株式会社 | 複数の実装基板の製造方法 |
JP7431110B2 (ja) | 2020-06-11 | 2024-02-14 | 新光電気工業株式会社 | 発光装置 |
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JP2008066363A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Nec Tokin Corp | 非接触ic媒体およびその製造方法 |
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WO2013137356A1 (ja) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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JP6208967B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2017-10-04 | アピックヤマダ株式会社 | Led装置の製造方法 |
US9287472B2 (en) | 2013-06-27 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP6205897B2 (ja) | 2013-06-27 | 2017-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-11-07 JP JP2014226614A patent/JP6398626B2/ja active Active
-
2015
- 2015-11-05 US US14/933,208 patent/US9502610B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160133809A1 (en) | 2016-05-12 |
JP2016092276A (ja) | 2016-05-23 |
US9502610B2 (en) | 2016-11-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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