JP6888650B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置に関する。

従来から、電子機器において種々の光源が使用されている。例えば、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置が使用されている。
このような発光装置では、基材と発光素子とを備えており、基材は、凹部を備えるチップ状の母材と、この母材の表面に形成され、発光素子と接続される一組の端子とを有する。このような基体として、発光素子の下方から延設された一組の端子が、それぞれ、母材の両端面近傍の表面に周設されたものが提案されている。

特開平８−２６４８４２号公報

より小型化及び薄型化が要求されている発光装置、特にサイドビュー型の発光装置では、チップスケールのパッケージ自体の占有空間を最小限にするために、基体の平坦化及び縮小化と、発光素子と基体との接続形態とについて、種々の検討がなされている。例えば、端子として利用される金属部材が、板状のリード電極から基体自体に直接極薄膜状に成膜された金属膜に移行している。また、このような基体への発光素子のフリップチップ実装が実現されつつある。
しかし、フリップチップ実装をする場合には、発光素子と基体との線膨張係数の差異に起因する発光素子への応力負荷等が問題となっていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、小型かつ薄型の発光装置において、信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。

本発明の発光装置は、
少なくとも第１主面上に一対の接続端子を有する母材を備える基体と、
前記接続端子と接続された発光素子と、
前記発光素子を封止する封止部材と、を備える発光装置であって、
前記母材は、線膨張係数が、前記発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であるサイドビュー型の発光装置である。

このような発光装置によれば、小型かつ薄型の発光装置において、信頼性の高い発光装置を提供することができる。

本発明の一実施の形態の発光装置の概略斜視図である。 図１の発光装置のＡ−Ａ'線断面図である。 図１の発光装置に搭載する別の発光素子を示す平面図及びそのＢ−Ｂ'線断面図である。 図１の発光装置の平面透視図である。 図１の発光装置が実装部材に実装された状態を示す概略斜視図である。 図１の発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。 図５ＡのＢ−Ｂ'線断面図である。 本発明の別の実施の形態の発光装置の概略斜視図である。 図６ＡのＡ−Ａ'線断面図である。 図６Ａの実施の形態の変形例の発光装置の概略斜視図である。 図６ＣのＡ−Ａ'線断面図である。 本発明の別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面である。 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。 図９Ａの矢印Ｅ側から見た側面図である。 図９ＡのＦ−Ｆ'線断面図である。 図９ＡのＧ−Ｇ'線断面図である。 図９Ａの発光装置における基体の平面図である。 図９Ａの発光装置における基体の裏面透視図である。 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面である。 本発明の実施の形態の発光装置の寸法関係を説明するための発光装置の概略斜視図である。 本発明の実施の形態の発光装置の寸法関係を説明するための透光性部材の概略斜視図である。 本発明の実施の形態の発光装置と導光板との位置関係を示す概略図である。 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略斜視図である。 図１２ＡのＡ−Ａ'線断面図である。 図１２Ａの発光装置における基体の裏面透視図である。 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面である。

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。

本発明の実施の形態の発光装置は、光取り出し面に隣接する面を実装面とする、いわゆるサイドビュー型と称される発光装置であるが、光取り出し面に対向する面を実装面とするトップビュー型と称される発光装置にも適用することができる。
この発光装置は、少なくとも、一対の接続端子と母材を備える基体と、発光素子と、封止部材とを備える。

本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差する面を側面と称し、側面のうちの１つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第１主面又は正面（つまり、上面）と、第１主面の反対側の面を第２主面（つまり、下面）と、第１主面及び第２主面に隣接又は交差する面（つまり、発光装置の側面に対応する面）を端面と称することがある。

〔基体〕
基体は、母材と、少なくとも母材の第１主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。
基体の形状は特に限定されず、後述する母材の形状に相当する形状となる。例えば、少なくとも第１主面が、長手方向と、長手方向に交差する又は直交する短手方向を備えることがより好ましい。
基体の厚みは、後述する母材の厚みによって調整することができる。例えば、最も厚い部位の厚みは、５００μｍ程度以下が好ましく、３００μｍ程度以下がより好ましく、２００μｍ程度以下がさらに好ましい。また、４０μｍ程度以上が好ましい。

基体の強度は、後述する母材の材料、接続端子の材料等によって調整することができる。例えば、上述した厚みの範囲において、曲げ強度が３００ＭＰａ以上であることが好ましく、４００ＭＰａ以上であることがより好ましく、６００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。これにより、発光装置の強度を確保することができる。ここでの曲げ強度は、例えば、市販の強度測定機、例えば、インストロンによる３点曲げ試験によって測定した値を意味する。

このように、基体が薄く、かつ適当な強度を備えることにより、小型／薄型及び高性能／高信頼性の発光装置が得られる。

（母材）
母材は、線膨張係数が、後述する発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であれば、どのような材料によって形成されていてもよい。好ましくは、±９ｐｐｍ／℃以内、±８ｐｐｍ／℃以内、±７ｐｐｍ／℃以内、±５ｐｐｍ／℃以内である。これによって、発光素子を基体に実装する場合に、これまで問題となっていた、発光素子と基体との線膨張係数の差異に起因する、発光素子の基体（接続端子）からの剥がれ又は発光素子への不要な応力負荷を効果的に防止することができる。これにより、フリップチップ実装によって、発光素子の電極を基体の接続端子に直接接続することができ、より小型／薄型の発光装置を提供することが可能となる。
別の観点から、母材の線膨張係数が、発光素子の線膨張係数よりも小さい又は同等の場合、熱サイクルに付されても母材及び／又は基体による発光素子への引張応力等の負荷を抑えることができる。その結果、発光素子の基体からの剥がれ及び発光素子への不要な応力負荷を、より一層効果的に防止することができる。
本発明では、線膨張係数は、ＴＭＡ法で測定した値を意味する。α１及びα２のいずれかがこの値を満たしていればよいが、両方で満たすことがより好ましい。
母材の線膨張係数は、後述する接続端子の有無にかかわらず、基体の線膨張係数と概ね一致する。従って、基体の線膨張係数を母材の線膨張係数と言い換えることができる。

母材は、例えば、金属、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料（例えば、複合樹脂）、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げられる。セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられる。複合樹脂としては、ガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。

特に、母材は樹脂を含有するものが好ましい。
樹脂は、当該分野で使用されているものであればどのようなものを利用してもよい。特に、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃とするために、線膨張係数の小さいものを利用することが好ましい。
具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。また、例えば、特開２０１３−３５９６０号、ＷＯ２０１１／１３２６７４Ａ１、ＷＯ２０１２／１２１２２４Ａ１、ＷＯ２０１２／１６５４２３Ａ１等に記載されている樹脂、ナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂及びそれらの組成物、市販品（例えば、三菱瓦斯化学社製：Ｈｌ８３２ＮＳ、ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ、日立化成社製：ＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ、ＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇ等）、特開２０１０−１１４４２７号等に記載されている液晶ポリマー及びそれらの組成物を利用してもよい。なお、これらには、当該分野で公知の添加剤、モノマー、オリゴマー、プレポリマー等が含有されていてもよい。なかでも、ＢＴ樹脂又はその組成物が好ましい。

樹脂は、その種類にかかわらず、例えば、ガラス転移温度が、２５０℃程度以上であることが好ましく、２７０℃程度以上、２８０℃程度以上、３００℃程度以上、３２０℃程度以上がより好ましい。別の観点から、ガラス転移温度は、後述するように、発光素子を接続端子に接続するために使用する接合部材の溶融温度と同等以上であることが好ましい。ここでの同等とは、５℃程度の変動を許容することを意味する。これによって、発光素子の実装の際の温度変化に影響されず、発光素子の接続不良などの不具合を回避することができる。その結果、発光装置の製造歩留まりを向上させることができる。ガラス転移温度は、例えば、試料の温度をゆっくりと上昇または下降させながら力学的物性の変化、吸熱又は発熱を測定する方法（ＴＭＡ、ＤＳＣ、ＤＴＡなど）、動的粘弾性測定試料に加える周期的な力の周波数を変えながらその応答を測定する方法のいずれでもよい。

また、樹脂は、熱放射率が０．５以上であることが好ましく、０．６以上であることがより好ましい。このような熱放射率を有することにより、発光素子に起因する熱を効率的に逃がすことができ、発光装置の寿命を向上させることができる。熱放射率は放射率測定器（例えば、ジャパンセンサー株式会社製：ＴＳＳ−５Ｘ）によって測定した値を意味する。

樹脂の種類にかかわらず、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃とするために、あるいは熱放射率を増大させるために、樹脂には、充填材、例えば、無機材料による充填材を含有させることが好ましい。このような充填材の種類及び量等を適宜組み合わせることによって、母材の線膨張係数を調整することができる。
充填材及び無機材料としては、例えば、六方晶窒化ホウ素で被覆されたホウ酸塩粒子、アルミナ、シリカ類（天然シリカ、溶融シリカ等）、金属水和物（水酸化アルミニウム、ベーマイト、水酸化マグネシウム等）、モリブデン化合物（酸化モリブデン等）、ホウ酸亜鉛、錫酸亜鉛、酸化アルミニウム、クレー、カオリン、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、タルク、焼成クレー、焼成カオリン、焼成タルク、マイカ、ガラス短繊維（Ｅガラス、Ｄガラスなどのガラス微粉末類、ガラスクロス等）、中空ガラス、リン酸ジルコニウム等の熱収縮フィラー、ゴムパウダー及びコアシェル型のゴムパウダー（スチレン系、ブタジエン系、アクリル系、シリコーン等）等が挙げられる。
特に、熱伝導率の高い充填材又は無機材料を大量に含有させることにより、熱放射率を調整することができる。例えば、ガラスクロスを用いる場合には、ガラスクロス中の無機材料を５０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以上含有させることができる。

サイドビュー型の発光装置において、光取り出し面（図４のＱ）に隣接する面である実装面（図４のＲ）とそれに対向する面（図４のＳ）において、母材を黒色とすることが好ましい。これによって、発光装置から出射した光又はその反射光による迷光を吸収することができる。さらに、母材又は基体の迷光の吸収によって、例えば、バックライト用途において、光の色及び／又は明るさのバラツキなど品質を向上させることができる。また、迷光の吸収によって、周辺部材の光劣化を抑制することができる。
母材の色を調整するために、樹脂には顔料を含有させてもよい。顔料としては、黒色のカーボンブラック、白色の酸化チタン等が挙げられる。
サイズの小さい発光装置では、発光素子自体が発光装置に対して相対的に大きくなるため、発光素子からの発熱、蛍光体によるストークス発熱などによって、発光装置が過度に発熱することが懸念される。このような熱は、バックライトの導光板を劣化、変形させるなどの悪影響を招くことがある。そこで、熱放射係数の大きいカーボンブラックなどの黒色の材料を母材（樹脂）に含有させることにより、発光素子及び蛍光体からの熱を、放熱することができる。

母材の線膨張係数は、用いる発光素子の種類及び構造等にもよるが、例えば、２０ｐｐｍ／℃程度以下が好ましく、１０ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましく、８ｐｐｍ／℃程度以下、７ｐｐｍ／℃程度以下、６ｐｐｍ／℃程度以下、５ｐｐｍ／℃程度以下、４ｐｐｍ／℃程度以下、３．５ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。このような線膨張係数とすることにより、基体自体の線膨張係数を制御することができる。これにより、後述するように、発光素子をフリップチップ実装した場合でも、製造過程等の温度変化にかかわらず、発光素子を基体に強固に接続させることができ、発光素子の接続不良などの不具合を回避することができる。その結果、発光装置の製造歩留まりを向上させることができる。
特に、上述した線膨張係数を備える場合には、発光装置の製造工程における熱処理（例えば、１００℃程以上、２００℃以上、２５０℃以上又は３００℃以上）に付された場合においても、発光素子との接続を確保することができる。特に、線膨張係数が４ｐｐｍ／℃程度以下又は３．５ｐｐｍ／℃程度以下の場合には、３００℃程度の熱処理に付されても、発光素子との接続を強固に維持することができる。

１つの発光装置における母材の形状、大きさ、厚み等は特に限定されるものではなく、適宜設定することができる。
母材の厚みは、用いる材料、載置する発光素子の種類及び構造等にもよるが、例えば、４７０μｍ程度以下が好ましく、３７０μｍ程度以下、３２０μｍ程度以下、２７０μｍ、２００μｍ、１５０μｍ、１００μｍ程度以下がより好ましい。また、強度等を考慮すると、２０μｍ程度以上が好ましい。
母材の曲げ強度は、基体全体の強度を確保するために、上述した基体の強度と同等、例えば、３００ＭＰａ程度以上であることが好ましく、４００ＭＰａ程度以上、６００ＭＰａ程度以上がより好ましい。

母材の平面形状は、例えば、円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられる。なかでも長方形、つまり、長手方向に細長い形状が好ましい。大きさは、後述する発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。１つの発光装置に発光素子が１つ搭載される場合は、発光装置の長手方向が発光素子の一辺の１．５〜５倍程度の長さを有することが好ましく、１．５〜３倍程度の長さがより好ましい。発光装置の短手方向は、発光素子の一辺の１．０〜２．０倍程度の長さを有することが好ましく、１．１〜１．５倍程度の長さがより好ましい。１つの発光装置に発光素子が複数搭載される場合は、その数によって適宜調整することができる。例えば、長手方向に２個又は３個搭載される場合は、長手方向が発光素子の一辺の２．４〜６．０倍程度又は３．５〜７．０倍程度が好ましい。

母材の第２主面の上には、絶縁体、金属等によって補強、放熱、アライメント用等のマーク等の機能を有する層を１以上設けてもよい。

（接続端子）
一対の接続端子は、基体の少なくとも第１主面上に形成されていればよい。この場合、接続端子の縁部の少なくとも一部は、基体の第１主面の縁部の一部に一致するように形成することが好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の実装面の一部とが同一面となるように形成されていることが好ましい。これにより、発光装置を実装基板に実装する際に、実装基板と接続端子の端面とを接触（または限りなく近接）させることができる。その結果、発光装置の実装性を向上させることができる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μｍから十数μｍ程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において、同一面については以下同じ意味である。

接続端子は、第１主面において、発光素子の電極と接続される素子接続部と、発光装置の外部と接続される外部接続部とを有する。外部接続部は、基体の第１主面に加えて、さらに基体の第２主面上にも設けられていることがより好ましい。
例えば、接続端子は、(i)第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面の上に延長して設けられているか、(ii) 母材を貫通するように設けられたビアまたはスルーホール等により第１主面から第２主面上まで延長して設けられているか、(iii)第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面の上を通って、さらに、第２主面上に延長して（例えば、断面視、Ｕ字状に）設けられていることが好ましい。ここで第１主面と第２主面との間に存在する面とは、第１主面と第２主面との間に存在する１つの端面の一部又は全部を指してもよいし、第１主面と第２主面との間に存在する２つ以上の端面の一部又は全部であってもよい。
通常、素子接続部は第１主面上に配置され、外部接続部は、(i)第１主面上か、(ii)第１主面及び端面上か、(iii)第１主面、端面及び第２主面上か、(iv)第１主面及び第２主面上に配置される。

接続端子は、基体の第１主面上、端面上及び／又は第２主面上にわたって、必ずしも同じ幅（例えば、基体の短手方向の長さ）でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されていてもよい。あるいは、基体の第１主面及び／又は第２主面において、幅狭となるように、接続端子の一部が絶縁材料（例えば、母材等）により被覆されていてもよい。このような幅狭となる部位は、基体の少なくとも第１主面上に配置されることが好ましく、第１主面及び第２主面上の双方に配置されていてもよい。特に、幅狭となる部位は、基体の第１主面上では、後述する封止部材の近傍において配置されることがより好ましい。

このような幅狭となる部位を配置することにより、接続端子に接続される、後述するような接合部材等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表面に沿って、後述する封止部材の下、さらに発光素子の下にまで浸入することを抑制することができる。
また、素子接続部を、基体の長手方向に沿った端面から離間させることによって、発光素子の実装時に、上記と同様に、フラックスの浸入を抑制することができる。

幅狭となる部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭となる部位は、なだらかに幅狭になることが好ましい。

基体は、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒートシンク、補強部材等を有していてもよい。これらは、第１主面、第２主面、端面のいずれに配置されていてもよく、特に、発光素子及び／又は封止部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発光装置の強度及び信頼性を高めることができる。また、基体の強度を高めることにより、封止部材が金型を用いて成形される場合には、基体のゆがみが低減され、封止部材の成形性を向上させることができる。
放熱用の端子又は補強端子が導電性であって、一対の接続端子の間に設けられる場合、放熱用の端子又は補強端子は絶縁性の膜で被覆されていることが好ましい。これにより、接続端子と放熱用の端子又は補強端子との接合部材のブリッジを防止することができる。

さらに、１つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に接続するさらなる接続端子を１以上備えていてもよい。１つの基体に実装される発光素子の数、その配列、接続形態（並列及び直列）等によって、接続端子の形状及び位置等を適宜設定することができる。

接続端子は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、実装側の接合部材との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点から、銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム又はこれらの合金の単層膜又は積層膜等、光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、具体的には、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇなどの積層構造が挙げられる。また、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい。

接続端子は、それぞれ、発光素子と接続される面、つまり、第１主面上において、略平坦であってもよいし凹凸を有していてもよい。例えば、接続端子は、後述する発光素子の電極にそれぞれ対向する位置において、突出パターンを有していてもよい。突出パターンは、発光素子の電極と同等の大きさであることが好ましい。また、接続端子及び突出パターンは、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置することができるように、基体の表面（発光素子と接続される面側）に対して水平であることが好ましい。突出パターンは、例えば、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などのフォトリソグラフィーを利用したエッチング法などで形成することができる。

接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいが、基体表面において略平坦に又は基体と同一面を形成するために、メッキ等によって上述した材料の膜を形成することが好ましい。接続端子の厚みは、数μｍから数十μｍが挙げられる。特に、突出パターンは、メッキを積層して形成することが好ましい。突出パターンの厚みは、他の部位の接続端子表面から、数μｍから数十μｍが挙げられる。
接続端子は、後述する発光素子との接続のために、その表面においてバンプが配置されていてもよい。バンプは、接合及び／又は導電を補助する部材として、金又は金合金等の単層又は積層膜によって形成することができる。

基体は、上述した母材の線膨張係数を大幅に損なわない限り、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一部に、例えば、多層構造又は積層構造の形態で備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。

〔発光素子〕
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第１主面において、第１主面上の接続端子と接続されている。
１つの発光装置に搭載される発光素子は１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。

発光素子は、少なくとも窒化物半導体積層体を備えることが好ましい。窒化物半導体積層体は、第１半導体層（例えば、ｎ型半導体層）、発光層、第２半導体層（例えば、ｐ型半導体層）がこの順に積層されており、発光に寄与する積層体である。窒化物半導体積層体の厚みは、３０μｍ程度以下が好ましく、１５μｍ程度以下、１０μｍ程度以下がより好ましい。
また、窒化物半導体積層体の同一面側（例えば、第２半導体層側の面）に、第１半導体層に電気的に接続される第１電極（正又は負）と、第２半導体層に電気的に接続される第２電極（負又は正）との双方を有することが好ましい。第１電極及び第２電極を構成するものとして、オーミック電極、金属膜、外部接続用電極等を含むものとする。

第１半導体層、発光層及び第２半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ（線膨張係数：３．１７ｐｐｍ／ｋ（ｃ軸平行）、５．５９ｐｐｍ／ｋ（ａ軸平行））、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。

窒化物半導体積層体は、通常、半導体層の成長用の基板上に積層される。
半導体層の成長用の基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃：線膨張係数７．７ｐｐｍ／℃）、スピネル（ＭｇＡ１₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられる。基板の厚みは、例えば、１９０μｍ程度以下が好ましく、１８０μｍ程度以下、１５０μｍ程度以下がより好ましい。

基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、これに伴って、窒化物半導体積層体の基板側の表面（窒化物半導体積層体の前記電極が配置された面の反対面）に複数の凸部又は凹凸があってもよい。この凹凸は、基板形状に起因するものであり、例えば、その高さが０．５〜２．０μｍ程度、ピッチが１０〜２５μｍ程度の表面粗さを有していてもよい。
基板は、Ｃ面、Ａ面等の所定の結晶面に対して０〜１０°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第１半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層等を有していてもよい。

半導体層の成長用の基板は、サファイア基板のような透光性を有する基板を用いることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。あるいは、このような基板を半導体積層体から除去してもよい。この成長用の基板の除去は、レーザリフトオフ法等を利用して行うことができる。具体的には、基板側から半導体層に、基板を透過するレーザ光（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ）を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する。ただし、成長用の基板は、半導体層から完全に除去されたものに加えて、半導体層の端部又は隅部に若干の基板が残存していてもよい。成長用の基板は、発光素子が基体に実装された前後のいずれかで除去することができる。

窒化物半導体積層体は、半導体層の成長用の基板が除去されたものである場合、より薄型化、小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去することにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができる。さらに、基板に起因する光散乱を阻止することができる。よって、より発光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可能となる。

また、発光素子は、いわゆるバーティカルダイス又は貼り合わせダイスなどとして公知の積層構造、例えば、特開２００８−３００７１９号公報、特開２００９−１０２８０号公報等に記載されたような積層構造を有していてもよい。

発光素子の線膨張係数は、用いる半導体材料及び基板の厚み、種類によって変動するが、発光素子において、支配的な体積を有する材料の線膨張係数に近似する。従って、発光素子が、サファイア基板を伴う場合は、通常、サファイア基板の体積が支配的であるために、その線膨張係数はサファイア基板の線膨張係数に近似し、例えば、７．７ｐｐｍ／℃程度である。発光素子が、サファイア基板を伴わず、半導体層のみで構成される場合には、その線膨張係数は用いる半導体層の線膨張係数に近似し、ＧａＮ系半導体層からなる発光素子では、例えば、５．５ｐｐｍ／℃程度である。

発光素子の平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれに近似する形状が好ましい。なかでも、長方形形状（特に、長尺の長方形）がより好ましい。発光素子の大きさは、発光装置の大きさによって、その上限を適宜調整することができる。例えば、発光素子の一辺の長さが、百μｍから２ｍｍ程度が挙げられ、１４００×２００μｍ程度、１１００×２００μｍ程度、９００×２００μｍ程度等が好ましい。特に、長辺が短辺の１．５倍以上又は２倍以上の場合に、本開示の意図する効果が有効に発揮される。
発光素子が長方形形状である場合、通常、その長尺の方向に電極が配置される。従って、発光素子が基体に対してフリップチップにより実装される場合、その長さがより大きいほど、発光素子と基体及び／又は母材との線膨張係数の差による応力が大きくなり、両者の接続不良が発生しやすくなる。そのために、上述したような基体及び／又は母材の線膨張係数の範囲が、接続不良の低減により一層寄与し、信頼性の高い発光装置を得ることができる。

発光素子は、その側面及び上面にうねり及びギザギザがなく、直線性が良好であるものが好ましい。これにより、これらのうねり及びギザギザに起因する、微小な外力等による発光素子のクラックを低減することができる。例えば、発光素子の上面の表面粗さＲａは１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０〜１５ｎｍ程度が例示される。発光素子の側面の表面粗さＲａは２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下、０．５μｍ以下がより好ましい。特に発光素子の側面の表面粗さＲａは０．３μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以下がより好ましい。表面粗さＲａは、例えば、ＪＩＳ Ｂ０６０、'０１／ＩＳＯ４２８７等に準拠した測定法による値を示す。

（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、半導体積層体の同一面側（基板が存在する場合にはその反対側の面）に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素子の第１電極と第２電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。

第１電極及び第２電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。

また、第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に近い側に、発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら電極の一部として配置されることが好ましい。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムが挙げられる。銀合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる厚み、例えば、２０ｎｍ〜１μｍ程度が挙げられる。この反射率の高い材料層の第１半導体層又は第２半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。

なお、銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その表面（好ましくは、上面及び端面）を被覆する被覆層を形成することが好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によって形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等を含有する単層又は積層層が挙げられる。なかでも、ＡｌＣｕを用いることが好ましい。被覆層の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百ｎｍ〜数μｍ程度が挙げられる。
第１電極及び第２電極は、上述した接続端子との接続のために、上述したように、その表面においてバンプが配置されていてもよい。

第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に電気的に接続されている限り、電極の全面が半導体層に接触していなくてもよいし、第１電極の一部が第１半導体層の上に及び／又は第２電極の一部が第２半導体層の上に位置していなくてもよい。つまり、例えば、絶縁膜等を介して、第１電極が第２半導体層上に配置されていてもよいし、第２電極が第１半導体層上に配置されていてもよい。これにより、素子接続部との接続部における第１電極又は第２電極の形状を容易に変更することができ、一対の接続端子に容易に実装することができる。

ここでの絶縁膜としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用されるものの単層膜及び積層膜のいずれでもよい。絶縁膜等を用いることにより、第１電極及び第２電極は、第１半導体層及び／又は第２半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位置に設定することができる。

第１電極及び第２電極の形状は、半導体積層体の形状、基体の接続端子（より具体的には素子接続部）の形状等によって設定することができる。第１電極、第２電極及び素子接続部は、それぞれが平面視四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。第１電極及び第２電極の形状と、これらに対応する素子接続部の形状を略同一形状とすることにより、セルフアライメント効果を利用して、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容易に行うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面において、第１電極及び第２電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導体積層体の中央部分を挟んで、第１電極及び第２電極がそれぞれ配置されていることが好ましい。

第１電極及び第２電極の第１主面（半導体層とは反対側の面）は、段差を有していてもよいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第２主面（第１主面と反対側の面）から第１電極の第１主面までの高さと、半導体積層体の第２主面から第２電極の第１主面までの高さとが略同じであることを意味する。ここでの略同じとは、半導体積層体の高さの±１０％程度の変動は許容される。

このように、第１電極及び第２電極の第１主面を略平坦、つまり、実質的に両者を同一面に配置することにより、発光素子を基体に水平に実装することが容易となる。このような第１電極及び第２電極を形成するためには、例えば、メッキ等で金属膜を設け、その後、平坦となるよう研磨又は切削を行うことにより実現することができる。

第１電極と第１半導体層との間及び第２電極と第２半導体層との間に、それぞれ、両者の電気的な接続を阻害しない範囲で、ＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）層等を配置してもよい。
ＤＢＲは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層とを積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異なる膜を１／４波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させることができる。材料として、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。

発光素子の厚みは、半導体成長用の基板の有無にかかわらず、電極を含む厚みとして、２００μｍ以下であることが好ましく、１８０μｍ以下、１５０μｍ以下であることがより好ましい。また、基板が除去された窒化物半導体積層体のみによって、２０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下、１０μｍ以下であることがより好ましい。

発光素子は、窒化物半導体積層体の正負電極の配置面側に、補強層が配置されていてもよい。ここでの補強層とは、窒化物半導体積層体に対して、その強度を補強し得る層であれば、絶縁体、半導体及び導電体のいずれの材料から形成されていてもよい。補強層は、全体として単層又は積層層、複数個所に配置される単層又は積層層等のいずれでもよい。また、補強層は、その一部が発光素子の機能に必須となる絶縁性及び導電性等を確保する層であってもよい。特に、発光素子を構成するために用いる膜の一部を厚膜化してもよい。具体的には、電極等として機能する導電性の層をメッキ、スパッタ法等の公知の方法で厚膜化してもよい。これらの間に配置される層間絶縁膜、表面保護膜等を厚膜化してもよい。これにより、適度な強度を確保しながら、付加的な層を配置せずに、発光装置の大型化を招くことを防止できる。

例えば、一観点から、発光素子を構成する窒化物半導体積層体及び正負電極、これらの間で、電気的な絶縁、保護等の目的のために任意に形成された絶縁層以外であって、正負電極よりも基体側の層を、補強層として機能させることができる。
また、別の観点から、発光素子として機能するために最小限必要な層を厚膜化することにより補強層として機能させることができる。さらに、このような層に付加的に設けた層を補強層として機能させることができる。これらを補強層として機能させるために、半導体層の成長用の基板を除く、窒化物半導体積層体、電極、絶縁性の保護膜、電極間を埋める樹脂層等の全体積に対して、金属材料からなる層の全体積が、５〜９５％程度となるように調節することが好ましく、１０〜７０％程度、１５〜５０％程度とすることがより好ましい。
さらに、別の観点から、発光素子の電極と接続されない導電層、このような導電層を電極から絶縁するための絶縁層、保護するための保護層、これらの導電層、絶縁層、保護層等を補強層として機能させることができる。
これらの補強層は、その最も薄い部位において、総厚みが１μｍ程度以上であることが好ましく、３μｍ程度以上、５μｍ以上、１０μｍ以上であることがより好ましい。
適度な厚みを有する補強層を備えることにより、発光装置の強度を確保しつつ、同時に、素子の大型化／厚膜化を最小限に止めることができる。

発光素子は、基体にフリップチップ実装されていることが好ましい。
この場合、通常、第１電極及び第２電極が、接合部材又は上述したバンプ等によって、上述した基体の接続端子と接合されている。接合部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができ、導電性の接合部材が挙げられる。具体的には、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等）銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等が挙げられる。特に、上述したように、母材及び／又は基体の線膨張係数が発光素子の線膨張係数に近いため、接合のために高温を負荷しても、母材及び／又は基体と発光素子との熱膨張に起因する剥離等を有効に防止することができる。その結果、接合部材等の種類に制約されることがない。従って、例えば、半田を用いることにより、上述した接続端子の形状、突出パターンの位置及び大きさと相まって、高温を負荷する工程（例えば、３００℃程度のリフロー工程）等を行うことができ、高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができる。これによって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
なお、リフロー工程の前にリフロー温度よりも高い温度で基体を熱処理することにより、リフロー工程時の熱による影響を少なくすることができるため好ましい。
成長用基板を除去する場合、異方性導電ペースト又は異方性導電フィルムを用いることが好ましい。接合部材は、発光素子を接続端子に固定した場合に、窒化物半導体積層体の厚みの１／４〜３倍程度の厚みとなるように設定されていることが好ましく、同等〜３倍程度がより好ましい。これによって、より高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができ、より小型化／薄型化が可能となる。例えば、接合部材は、２〜５０μｍ程度の厚みが好ましく、５〜３０μｍ程度がより好ましい。

〔封止部材〕
封止部材は、少なくとも発光素子の一部を封止（被覆）又は発光素子を基体に固定する機能を有する部材である。その材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。

封止部材で用いる樹脂の線膨張係数及びガラス転移温度等は特に限定されず、例えば、１００ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数が好ましく、８０ｐｐｍ／℃程度以下、６０ｐｐｍ／℃程度以下がより好まく、１００℃以下のガラス転移温度が好ましく、７５℃以下、５０℃以下がより好ましい。

封止部材は、透光性であってもよいが、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上、７０％以上、８０％以上、９０％以上の遮光性材料であるものがより好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、カーボンブラック、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射材、光散乱材又は着色材等を含有させることが好ましい。
封止部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミニウム等）を含有させてもよい。さらに、封止部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい。
これらの添加物は、例えば、封止部材の全重量に対して、１０〜９５重量％程度、２０〜８０重量％程度、３０〜６０重量％程度含有させることが好ましい。

光反射材を含有させることにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも光反射率の高い材料を用いる（例えば、基体に窒化アルミニウムを用いた場合に、封止部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる）ことにより、ハンドリング性を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率を高めることができる。光反射材として二酸化チタンのみ含有させる場合は、封止部材の全重量に対して、２０〜６０重量％程度含有させることが好ましく、３０〜５０重量％程度含有させることがより好ましい。

また、封止部材を有することで、半導体層の成長基板又は支持体などを除去、剥離するなどプロセス中の封止部材の強度を向上させることができる。さらに発光装置全体の強度を確保することができる。
封止部材を放熱性の高い材料で形成することによって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上させることができる。

封止部材の外形は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台、一部がレンズ状等であってもよい。なかでも基体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った面を有することが好ましい。

封止部材は、発光素子の少なくとも１つの側面の一部又は全部に接触して、発光素子の側面を被覆するように配置されていることが好ましく、発光素子の全周囲を取り囲むように、発光素子に接触して配置されていることが好ましい。この場合、封止部材は、発光装置の長手方向に延長する側面（図３中、７ａ）において薄く、短手方向に延長する側面（図３中、７ｂ）において厚く設けられることが好ましい。これにより、発光装置の薄型化を図ることができる。
また、封止部材は、実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。発光素子と基体との間に配置される封止部材は、発光素子の側面を被覆する材料と異なる材料であってもよい。これによって、発光素子の側面に配置される封止部材と、発光素子と基体との間に配置される部材との間で、それぞれ適切な機能を付与することができる。
例えば、発光素子の側面に配置される封止部材は反射率が高い材料、発光素子と基体との間に配置される部材は両者の密着性を強固とする材料とすることができる。

特に、発光素子と基体との間に配置される封止部材は、接続端子の線膨張係数と同等±２０％の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましい。別の観点から、３０ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましく、２５ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。さらに別の観点から、５０℃以下のガラス転移温度が好ましく、０℃以下がより好ましい。これによって、封止部材と基体との剥がれを防止することができる。

封止部材の平面視（光取り出し面側から見た平面視）における縁部は、基体の縁部よりも内側又は外側に配置してもよい。封止部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う１つの縁部は、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、封止部材の長手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を形成することが好ましく、双方が同一面を形成することがより好ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きくすることができ、光取出し効率を高めることができる。封止部材の短手方向に沿った縁部は、基体の短手方向に沿う縁部よりも、通常、内側に配置されている。ここで同一面とは、厳密な意味のみならず、封止部材が若干のアール形状を有する場合には、そのアール形状の一部が基体の端面と一致しているものも含む。

封止部材の大きさは、光取り出し面側から見た場合、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。特に、その最外形の長手方向の長さは、発光素子の一辺の１．０１〜４．０倍程度の一辺長さを有することが好ましい。具体的には、３００〜２０００μｍ程度が好ましく、１０００〜１５００μｍ程度がより好ましい。
封止部材の厚み（光取り出し面側から見た場合の発光素子の端面から封止部材の最外形までの幅又は発光素子の側面における封止部材の最小幅ともいう）は、例えば、１〜１０００μｍ程度が挙げられ、５０〜５００μｍ程度、１００〜２００μｍ程度が好ましい。
封止部材は、発光素子を基体上に搭載した場合、封止部材の上面が、発光素子の上面と同一面を形成する高さとすることが好ましい。
封止部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等により形成することができる。成形機を用いる場合は離型フィルムを用いてもよい。

封止部材は、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等を封止（被覆）するために、発光素子が基体に実装された後に形成される。さらに、発光素子が基体に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆するように設けてもよい。

〔透光性部材〕
発光素子はその上面に、つまり、発光装置の光取り出し面には、透光性部材が設けられていることが好ましい。
発光素子の側面が遮光性の封止部材で被覆されており、発光素子の上面が封止部材で被覆されていない場合には、透光性部材は、封止部材の上面を被覆していることが好ましい。透光性部材は、その端面が封止部材で被覆されていても、被覆されていなくてもよい。

透光性部材は、発光層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、封止部材と同様の部材であってもよいが、異なる部材であってもよい。例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。

透光性部材には、発光素子からの光に励起される蛍光体を含有するものが好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ₂ＳｉＦ₆：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば、白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる場合、青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体（例えば、ＫＳＦ系蛍光体）と、緑色発光する蛍光体（例えば、βサイアロン蛍光体）を用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げることができる。照明等に用いられる場合、青緑色に発光する素子と赤色蛍光体とを組み合わせて用いることができる。

蛍光体は、例えば、中心粒径が５０μｍ以下、３０μｍ以下、１０μｍ以下であるものが好ましい。中心粒径は、市販の粒子測定器又は粒度分布測定器等によって測定及び算出することができる。なお、上記の粒径は、Ｆ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ（Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ'ｓ Ｎｏ）における空気透過法で得られる粒径を指す。特に、蛍光体としてＹＡＧ等を用いる場合には、これらの超微粒子を均一に分散して焼結されたバルク体（例えば、板状体）であることが好ましい。このような形態によって、単結晶構造及び／又は多結晶構造として、ボイド、不純物層を低減し、高い透明性を確保することができる。

蛍光体は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。これらの材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_xＳｅ_1-x／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。このような蛍光体は、例えば、粒径１〜２０ｎｍ程度（原子１０〜５０個）程度が挙げられる。このような蛍光体を用いることにより、内部散乱を抑制することができ、光の透過率をより一層向上させることができる。内部散乱を抑制することにより、上面に対して垂直な方向への光の配光成分を増加させることができ、同時に、発光装置の側面又は下面に向かう光を抑制することができ、よって、光取り出し効率をより向上させることができる。例えば、バックライトに適用する場合に、バックライトへの入光効率をさらに増加させることができる。
量子ドット蛍光体は、不安定であるため、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの樹脂で表面修飾又は安定化してもよい。これらは透明樹脂（例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）に混合されて成形されたバルク体（例えば、板状体）であってもよいし、ガラス板の間に透明樹脂とともに封止された板状体であってもよい。

透光性部材は、粒子状の蛍光体を含む粒子層が複数積層された層状部材であるか、透明の多結晶の蛍光体板状部材であるか、透明の単結晶の蛍光体板状部材が好ましい。これによって、透光性部材において、散乱をより一層低減させることができ、光の取り出し効率等をより一層向上させることができる。

蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置又は部材中に設けてもよい。例えば、蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよい。

透光性部材は、充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、１．８以上が挙げられる。

充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平均粒径（メジアン径）は、高い効率で光散乱効果を得られる、０．０８〜１０μｍ程度が好ましい。
蛍光体及び／又は充填材は、例えば、透光性部材の全重量に対して１０〜８０重量％程度が好ましい。

透光性部材を形成する方法は、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式で又は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法で蛍光体を付着させた後で透光性樹脂を含浸させる方法、ポッティング、圧縮成型、スプレー法、静電塗布法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ（アエロジル）などを添加してもよい。なかでも、透光性部材に蛍光体を含有させる場合には、スプレー法、特に、パルス状、すなわち間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー方式が好ましい。間欠的にスプレー噴射することにより、単位時間当たりの透光性部材の噴射量を少なくすることができる。このため、スプレー噴射のノズルを、少ない噴射量でスプレー噴射させながら低速で移動させることにより、凹凸形状を有する塗布面に均一に蛍光体を塗布することができる。また、パルススプレー方式では、連続スプレー方式に比べて、ノズルからのスラリーの噴出速度を低減することなく、エアの風速を低減することができる。このため、塗布面に良好にスラリーを供給することができ、かつ、塗布されたスラリーがエア流によって乱されない。その結果、蛍光体の粒子と発光素子の表面との密着性が高い塗布膜を形成することができる。また、粒子状の蛍光体を含む薄膜の粒子層を複数の積層数で形成することができる。このように、積層数を制御することによって、その厚みの精度を向上させることができる。また、蛍光体の分布の偏りを抑制することができ、均一に波長変換した光を出射させることができ、発光素子の色むら等の発生を回避することができる。

パルススプレー法は、例えば、特開昭６１−１６１１７５号公報、特開２００３−３０００００号公報及びＷＯ２０１３／０３８９５３号公報に記載された公知の方法であり、適宜、その使用材料、条件等を調整することができる。例えば、塗布されるスラリーは、溶剤と、熱硬化性樹脂と、粒子状の蛍光体とが含有される。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などを用いることができる。溶剤としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、トルエン、アセトン、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤を用いることができる。蛍光体は、例えば、１０〜８０重量％で使用することが好ましい。スラリーは、０．０１〜１０００ｍＰａ・ｓ程度に調整することが好ましく、０．１〜１００ｍＰａ・ｓ程度がより好ましい。

透光性部材の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、１〜３００μｍ程度が挙げられ、１〜１００μｍ程度が好ましく、２〜６０μｍ程度、５〜４０μｍ程度がより好ましい。
なかでも、スプレー法によって積層する場合には、透光性部材は、窒化物半導体積層体の全厚みの２０倍以下の厚みであることが好ましく、１０倍以下がより好ましく、６倍以下、４倍以下、３倍以下がさらに好ましい。このような厚みとすることにより、光の波長変換を十分に行いながら、より小型で薄膜の発光装置を提供することができる。
別の観点から、透光性部材は、発光素子の側面における封止部材の厚みの２倍以下の厚みを有することが好ましく、最小幅の２倍以下とすることがより好ましく、同等以下がさらに好ましい。このような比較的薄い厚みとすることにより、後述するように、封止部材での被覆の有無にかかわらず、発光素子から出射される光を、透光性部材の端面（側面）から出射させることなく、光取り出し面の１方向にのみ、光を取り出すことができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。

特に、バックライト用途においては、このような比較的薄い厚みの透光性部材は、発光素子の発光効率及びバックライトの発光効率をより高めることができる。例えば、上述したように、正面光に対する側面光の割合を減らすことができ、バックライトの導光板への入光効率を高めることができる。また、樹脂量を少なくすることができるので、熱放射率の比較的低い透明樹脂の割合を低減することができ、蓄熱を減らすことができる。同時に発光素子と蛍光体又は蛍光体同士の接触面積を増やすことができるため、伝熱経路を確保できる。よって、放熱性を改善して、発光効率を改善することができる。さらに、発光素子表面から導光板入光までの距離を最小にすることができるため、より高輝度でバックライトの導光板に入光させることができ、バックライトでの発光効率を高めることができる。

透光性部材の上面（光取り出し面）は平面であってもよく、配光を制御するために、その上面（光取り出し面）及び／又は発光素子と接する面を凸面、凹面等の凹凸面にしてもよい。上述したように、粒子状の蛍光体を含む複数の粒子層が積層されている場合には、蛍光体の粒径に対応した凹凸が、透光性部材の表面に引き継がれることとなる。これにより、蛍光体を含有する、薄い透光性部材を積層することで蛍光体の凝集を防止し、その脱落を防止しながら、樹脂を減らして適度な凹凸形状を得ることができる。その結果、光取出しに有効となる。つまり、透光性部材の変色又は寿命、放熱性を考慮すると、透光性部材のような樹脂含有部材は、接着強度等が維持できる限り薄い方が好ましい。その一方で透光性部材の脱落の懸念があった。しかし、樹脂を減らして適度な凹凸形状を得ることにより、これらの問題を解消することができる。

透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着して、発光装置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子の実装の信頼性等を高めることができる。

〔絶縁部材〕
本発明の発光装置は、基体上で、接続端子の少なくとも一部を被覆するように、絶縁部材が配置されていることが好ましい。絶縁部材は、封止部材と接していることがより好ましい。さらに、絶縁部材は、接続端子の素子接続部と外部接続部との間に配置されていることが好ましく、素子接続部と外部接続部との間の表面領域を完全に分離するよう配置されていることがより好ましい。これにより、後述するように、発光装置を実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。

絶縁部材は、封止部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることが好ましい。これにより、封止部材と基体との密着性を高め、封止部材が剥離するおそれを低減することができる。特に、上述したように、封止部材が、長手方向に長い形状を有する場合、封止部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。これにより、基体が反る又は捩じれる場合にも、封止部材の剥離するおそれを低減することができる。
絶縁部材は、一対の接続端子のそれぞれを被覆するよう一対設けられてもよいし、一対の接続端子を連続して被覆してもよい。

絶縁部材は、絶縁性を有する限り、どのような材料で形成されていてもよい。例えば、上述した封止部材、透光性部材で例示した材料を用いることができる。なかでも、白色材料を含有する、耐熱性が高いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。

絶縁部材の形状は、特に限定されるものではなく、素子接続部の隣接部位から、封止部材の外側、つまり外部接続部にまで連続した帯状であることが好ましい。
具体的には、長手方向における絶縁部材の長さは、封止部材の１／１０〜１／５程度が挙げられる。
絶縁部材の幅は、基体及び／又は封止部材の幅と同じであるか、それ以下であることが好ましい。このような幅とすることにより、基体及び／又は封止部材の一端面と同一面を形成でき、さらに、基体及び封止部材の対向する端面の双方と同一面を形成することができる。
特に、接続端子に幅狭となる部位が存在する場合には、その幅狭となる部位を完全に被覆することが好ましい。これによって、後述するように、発光装置を実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。

絶縁部材は、上述した材料をシート状に成形して貼着する方法、印刷法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布法等によって形成することができる。
絶縁部材の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、１０〜３００μｍ程度が挙げられる。
封止部材が金型を用いて成形される場合には、絶縁部材は封止部材の下方から外部接続部側に連続して形成されることが好ましい。これにより、封止部材を成形する金型と接続端子とが接触し、接続端子の損傷を防止することができる。

〔発光装置の寸法関係〕
本発明の発光装置は、別の観点から、例えば、図１１Ａ及び１１Ｂに示すように、基体Ｍの上に搭載された発光素子部（発光素子、封止部材及び透光性部材を含む）Ｎにおいて、
基体Ｍの厚み：Ｅ
基体Ｍの短手方向の長さ：Ａ
基体Ｍと発光素子Ｎとの総高さ：Ｂ
発光素子部Ｎ（透光性部材Ｑ）の短手方向の長さ：Ｃ（＝Ｆ）
発光素子部Ｎ（透光性部材Ｑ）の長手方向の長さ：Ｄ（＝Ｊ）とした場合、
Ｂ≧Ａ （１）
Ｄ≧Ｃ （２）
Ａ≧Ｃ （３）
Ｅ≧Ａ （４）を満たすことが好ましい。

これにより、本発明の発光装置の長手方向の側面を実装面とした場合（側面実装）、安定性を確保することができる。特に、（１）を満たすことにより、側面実装がしやすくなる。また、（２）を満たすことにより、側面実装をした場合に、より安定した構造となる。（３）を満たし、かつ、実装面と封止部材の長手方向の側面とを離間させることにより、実装時に半田が発光素子方向に侵入することを防止することができる。同時に、基体Ｍの長手方向の側面で実装基板に安定的に保持することができる。（４）を満たすことにより、安定した実装が可能となる。これら（１）〜（４）を組み合わせることによって、さらに安定した側面実装が可能となる。
また、例えば、発光装置の基体にスルーホールを形成し、そこに比重の重い金属等を埋め込むことにより重心を偏心させることにより、側面実装を容易にしてもよい。さらに、半田フィレットの形状制御によって、半田の表面張力を利用して側面実装を確実にしてもよい。
これらは、任意に１以上を組み合わせることができる。

また、図１１Ｂに示すように、発光素子部Ｎの一部を構成する透光性部材Ｑにおいて、
透光性部材Ｑの厚み：Ｇ
透光性部材Ｑの短手方向の長さ：Ｆ
透光性部材Ｑの長手方向の長さ：Ｊ
発光素子の上面の短手方向の長さ：Ｈ
発光素子の長手方向の長さ：Ｉ
封止部材の長手方向に延長する端面から発光素子の長手方向に延長する端面の幅：Ｌ
封止部材の短手方向に延長する端面から発光素子の短手方向に延長する端面の幅：Ｋとした場合、
側面発光面積：２×｛Ｇ×（Ｆ＋Ｊ）｝
上面発光面積：Ｆ×Ｊであり、
Ｇ≦１００μｍ、好ましくはＧ≦５０μｍ （５）
Ｆ×Ｊ≧２×｛Ｇ×（Ｆ＋Ｊ）｝ （６）を満たすことが好ましい。

本発光装置は、主にサイドビュー型の発光装置で、特に液晶バックライトに用いられる導光板に光を入射させることができる。そのため、光の配光を制御し、正面輝度を上げることが重要である。従って、（６）を満たすことが好ましい。これにより発光装置の透光性部材の上面発光を強くすることができ、バックライト用として効率の良い発光を得ることができる。また、図１１Ｂ中の点線で示す発光素子Ｉ×Ｈの直上のみを透光性部材とし、外周を遮光性の封止樹脂で封止することによって、より正面の光束が増し、導光板への入射効率を高めることができる。

さらに、図１１Ｃに示すように、発光装置をバックライト用途に用いる場合、透光性部材１０の上面を導光板７５に接着させて使用する形態において、発光素子５の上面から導光板７５への距離Ｒをより短くすることが好ましい。発光素子５の上面と導光板７５との間の距離Ｒは、１００μｍ程度以下であることが好ましく、４０〜１００μｍ程度がより好ましい。ただし、蛍光体を含有しない場合は、１０μｍ程度以下であることが好ましい。この場合、透光性部材１０の上面は、サファイア等の基板であってもよいし、サファイア等の基板又は窒化物半導体層をコーティングしたコーティング層であってもよい。なお、距離Ｒは、発光面の全ての部位において、上述した距離を満たすことが好ましい。
発光素子５の上面に極めて薄い透光性部材１０を配置する場合には、発光素子５上面と導光板７５との間での光散乱を最小とすることができる。また、透光性部材１０を、内部の光散乱が少ない量子ドット蛍光体又は透明の蛍光体板とすることにより、より一層上面の輝度を上げることができる。
このように、発光素子５から導光板７５の距離を小さくすることにより、導光板への光の入射効率を向上させることができる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。

実施の形態１
本実施形態の発光装置１は、図１〜図３に示すように、第１主面上に一対の接続端子３を有する母材２を備える基体４と、発光素子５と、封止部材７とを含んで構成されている。
基体４は、母材２の表面、つまり、第１主面である上面２ａ、短手方向に延びる端面２ｂ及び第２主面である下面２ｃに、母材２側からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ（合計厚み：２０μｍ、線膨張係数：２０ｐｐｍ／℃程度）が積層されて構成された一対の接続端子３が形成されて構成される。基体４は、長手方向の長さが１．８ｍｍ、短手方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．４５ｍｍであり、配線基板として機能する。その強度は、引っ張り試験機によって測定される値が３００ＭＰａ以上である。

母材２は、市販のガラスクロスを含有するナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂組成物からなる（三菱瓦斯化学社製：ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ）。この母材２は、ガラス繊維、球状シリカ、球状シリコーン、カーボンを含有し、直方体形状を有する。母材２（接続端子なしの状態）の線膨張係数は３ｐｐｍ／℃程度であり、それを構成する樹脂のガラス転移温度は２８０℃程度である。

一対の接続端子３は、母材２の上面２ａ側の中央部において、互いに接近して、素子接続部として突出パターン３ａを有する。突出パターン３ａは、銅からなる層（突出厚み２０μｍ）によって、マスクを利用したメッキによって形成することができる。この突出パターン３ａは、後述する発光素子５に形成されている一対の電極と対向する位置において、それらの大きさと同等の大きさである。
一対の接続端子３は、それぞれ、素子接続部である突出パターン３ａから長手方向に延びて、母材２の上面２ａから端面２ｂを経て下面２ｃに連続して形成されている。接続端子３では、素子接続部である突出パターン３ａから延長して母材２の下面２ｃに連続する部位（断面視Ｕ字状の部位）が外部接続部３ｂとなる（図２Ａ参照）。
接続端子３の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に一致しており、接続端子３の長手方向に沿った端面は、基体４の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。

接続端子３は、突出パターン３ａと外部接続部３ｂとの間において、幅狭となる部位を有する（図３参照）。また、図示しないが、基体４の第２主面上の外部接続部３ｂの一部が幅狭となる部位を有する。

接続端子３の突出パターン３ａには、１つの発光素子５が、フリップチップ実装されている。
発光素子５は、サファイア基板（厚み：１５０μｍ程度）上に窒化物半導体の積層体（厚み：８〜１２μｍ程度）が形成され、積層体のサファイア基板と反対側の表面に正負一対の電極を有する。発光素子５の線膨張係数は、７．７ｐｐｍ／℃であり、通常、サファイア基板の体積が支配的であれば、サファイア基板の線膨張係数に近似する。発光素子５は、その正負一対の電極が、基体４の一対の接続端子３の突出パターン３ａに、それぞれ、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田である溶融性の接合部材６（厚み：２０μｍ）によって接続されている。サファイア基板表面には凹凸（高さ：０．５μｍ、ピッチ：１０μｍ）を有しているため、窒化物半導体積層体の対応する面にも、これに起因する凹凸を有する。
このような接続端子の突出パターン３ａを利用することによって、発光素子の実装時において、その形状及び位置と相まって、溶融性の接合部材６の量的なコントロールを行うことにより、意図しない領域への接合部材の侵入を防止することができる。その結果、意図する部位に発光素子を高精度にアライメントさせ、発光素子を適所に固定することができる。
また、このような接合部材６を利用する場合には、３００℃程度のリフロー工程に付して半田を溶融させ、冷却によって半田を固化させて、発光素子５の電極と、基体４の接続端子３の突出パターン３ａとを接合する。発光素子と基体及び／又は母材との線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以内であるために、このような熱サイクルに付される場合においても、両者の膨張及び／又は収縮による剥がれを効果的に防止することができる。その結果、接合部材の種類に制約されることなく、簡便かつ容易に、高精度のセルフアライメントを実現することができる。

発光素子５は、長手方向の長さが０．９ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの直方体状の青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。
発光素子５は、その側面の表面粗さＲａが１．０μｍ以下である。

封止部材７は、長手方向の長さ（全長）が１．２ｍｍ、短手方向の幅（全長）が０．３ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの略直方体状に成形されている。つまり、封止部材７の長手方向に沿った縁部は、それぞれ、基体４の長手方向に沿った縁部と一致している。
封止部材７は、発光素子５に接し、その側面の全周に接触して被覆するように、基体４の第１主面に設けられている。また、封止部材７は、発光素子５の基体４と対向する面側にも設けられている。つまり、封止部材７は、発光素子５と、突出パターン３ａを略完全に被覆した溶融性の接合部材６との間に配置され、溶融性の接合部材６の表面を略完全に被覆している。さらに、発光素子５と基体４の間に設けられていてもよい。
これによって、発光素子５から上面に、効率良く光を取り出すことができる。また、封止部材７が、発光素子５の基体４と対向する面側にも設けられていることによって、より強固に発光素子５を基体４に接続させることができる。
封止部材７の上面は、発光素子５の上面と略一致している。

封止部材７は、平均粒径１４μｍのシリカと、無機粒子として、平均粒径０．２５〜０．３μｍの酸化チタンとを、それぞれ、封止部材７の全重量に対して、２〜２．５ｗｔ％及び４０〜５０ｗｔ％で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。シリコーン樹脂のガラス転移温度は４０℃であり、線膨張係数は５０ｐｐｍ／℃程度である。
封止部材７の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に一致しており、封止部材７の長手方向に沿った端面は、基体４の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。

発光素子５上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に透光性部材１０（厚さ：２０μｍ）が配置されている。この透光性部材１０は、中心粒径が８μｍ程度のＹＡＧ：Ｃｅの蛍光体を含有するシリコーン樹脂が、パルススプレー法によって、３層積層されて形成されたものである。
透光性部材１０は、封止部材７の上面を被覆している。透光性部材１０の端面は、封止部材７の端面と一致している。

このような発光装置は、発光素子を搭載する基体が、極めて線膨張係数が低いために、製造工程中及び後に負荷される熱による発光素子と基体との間の線膨張の差異を極めて低く抑えることができる。これによって、両者の線膨張差に起因する両者間の剥がれ又は発光素子への不要な応力負荷を防止することができ、電気的接続を確保することができる。その結果、寿命が長く、優れた特性を有する発光装置を得ることができる。

上述したように、基体を構成する母材は、２５０℃以上の高いガラス転移温度を有し、線膨張係数の小さい樹脂によって形成している。この樹脂に、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ガラスクロスなどの無機フィラーを、任意に、放熱性を有するカーボンブラック、弾性率を付与するシリコーンフィラー等を、高い割合で含有させている。これにより、発光素子の駆動で発生した熱を効率良く放熱することができる。特に、カーボンブラックなどで黒色に着色した母材に用いる場合には、遠赤外線などの放射率が高いため、熱放射により、効率的に放熱することができる。また、基体の封止部材と接する面側を熱吸収率の高い材料、可視域の電磁波の吸収率が低い材料、遠赤外線などの長波長の電磁波を吸収する材料、熱伝導率の高い材料で塗装する場合には、より放熱性を高めることができる。これによって、小型の発光装置の放熱性を改善し、蛍光体による光の波長変換効率を改善することができるとともに、発光素子の発光効率を改善することができる。

この発光装置１は、図４に示すように、基体４の長手方向に沿った一対の端面と、封止部材７の長手方向に沿った一対の端面とが、それぞれ同一面を形成するように配置されている。これらの同一面を形成する一方の端面を、発光装置１の実装面として、表面に配線パターン５２を有する実装基板５１上において、サイドビュー型で実装される。
実装は、発光装置１の一対の外部接続部３ｂが、それぞれ、実装基板５１の正極及び負極に対応する配線パターン５２上に載置され、半田５３により接続される。半田５３は、Ｕ字状に屈曲した外部接続部３ｂにおいて、基体４の第１主面のみならず、端面及び第２主面にわたって、小型の接続端子３との接触面積を広げて、接続されている。これによって、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定性を向上させることができる。

また、接続端子３において、突出パターン３ａと外部接続部３ｂとの間に幅狭となる部位を配置することにより、外部接続部３ｂに接続される、後述するような半田等又はこれに含まれるフラックスなどが、封止部材７下に浸入するのを抑制することができる。

さらに、封止部材の長手方向に沿った端面及び基体４の長手方向に沿った端面の双方が実装基板５１の表面に接している。

このような発光装置１は、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、母材１２に複合接続端子１３が形成された複合基体１４を用いて製造することができる。この複合基体１４は、個片化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体１４は、母材１２において、上面から裏面に及ぶスリット１５を有している。複合接続端子１３は、このスリット１５の内壁を通って、複合基体１４の母材１２の上面から下面に連続して設けられている。
図５では、１８個の発光装置を得る複合基体１４を表しているが、生産効率を考慮して、より多数（数百〜数千個）の発光装置を得る複合基体１４とすることができる。

このような複合基体１４上に、発光素子５を接続し、発光素子５の端面を被覆するよう、複数の封止部材１７を一括でトランスファー成型により成形し、成形体を取り出す。
その後、封止部材から露出している複合基体１４の上面をマスクして、封止部材１７の上面から露出した発光素子５の上面及び封止部材１７の上面を、例えば、パルススプレー法によって、透光性部材１０で被覆する。その後、複合基体１４と封止部材１７とを分割予定線Ｌに沿って一方向に切断する。これによって、スリット１５の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。
なお、本実施の形態では透光性部材１０を発光素子５の上面から封止部材１７の上面にかけてパルススプレー法により形成しているが、発光素子５の上面にのみ透光性部材１０を形成してもよい。
また、発光素子５と平面視において略同じ形状の板状の透光性部材１０を発光素子５の上面に接着し、発光素子５及び透光性部材１０の端面を被覆するよう封止部材１７を形成してもよい。

実施の形態１の変形例
この実施形態では、図２Ａに示す発光装置の断面図において、発光装置を構成する発光素子５を、図２Ｂの平面図及びそのＢ−Ｂ'線断面図に示す発光素子５ｂに変更する以外は、実施の形態１の発光装置と実質的に同じ構成を有する。
この発光素子５ｂは、長手方向の長さが０．９ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの略直方体状の青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。
発光素子５ｂは、その側面の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である。

この発光素子５ｂは、サファイア基板６２の上に、ｎ型半導体層６３と、活性層６４と、ｐ型半導体層６５とが順に積層された窒化物半導体積層体６６と、その窒化物半導体積層体６６の上面、つまりｐ型半導体層６５の上面で、ｐ型半導体層６５に接続されたｐ側電極とを有する。ｐ型半導体層６５の一部及び活性層６４の一部は、平面視において窒化物半導体積層体６６の内側で円形状に除去されて、ｎ型半導体層６３が４箇所露出している。その露出したｎ型半導体層６３の上面で、ｎ型半導体層６３に接続されたｎ側電極を有する。ｎ側電極は、露出したｎ型半導体層６３からｐ型半導体層６５上面に延長している。
サファイア基板６２の上面には、複数の凸部が形成されている。
発光素子５ｂは、ｎ側電極及びｐ側電極にそれぞれ接続された導電層であるｎ側外部接続用電極及びｐ側外部接続用電極を備える。

ｎ側電極は、ｎ型半導体層６３の上面にｎ側オーミック電極６７ａと、ｎ側オーミック電極６７ａの一部を被覆する絶縁性の多層構造膜６８を介してｎ側オーミック電極６７ａと電気的に接続されたｎ側金属膜６９ａとからなる。ｎ側金属膜６９ａは、ｎ型半導体層６３の上面からｐ型半導体層６５の上面に跨って延長されることにより、露出した４箇所のｎ型半導体層６３を繋いでいる。本実施形態では、ｎ側金属膜６９ａを有しているため、ｎ側電極とｎ型半導体層６３との導通部同士が離れていても、これらを繋いで電気的に接続させることができる。このように、電流が集中し易いｎ型半導体層６３（ｎ側電極とｎ型半導体層６３との導通部）を分散配置することにより、ｎ型半導体層６３の露出する面積を最小限にしたまま、電流を窒化物半導体積層体６６全体に拡散させ、順方向電圧（Ｖｆ）を低減させることができる。
ｐ側電極は、ｐ型半導体層６５の上面にｐ側オーミック電極６７ｂと、ｐ側オーミック電極６７ｂの一部を被覆する絶縁性の多層構造膜６８を介してｐ側オーミック電極６７ｂと電気的に接続されたｐ側金属膜６９ｂとからなる。
この絶縁性の多層構造膜６８は、活性層からの光をサファイア基板６２側に反射することができるように、窒化物半導体積層体６６の上面のほぼ全域を覆っている。絶縁性の多層構造膜６８は、本実施形態に示すように、さらに反射率を上げるために、その内部に金属膜６１を有することができる。絶縁性の多層構造膜６８は、平面視においてｎ側オーミック電極６７ａが形成された位置にそれぞれ貫通孔が形成され、さらにｐ側オーミック電極６７ｂが形成された領域にも、複数の貫通孔がｎ側電極（特に、ｎ側オーミック電極６７ａ）の周りを囲むように形成されている。それらの貫通孔を通じて、ｎ側オーミック電極６７ａとｎ側金属膜６９ａとが電気的に接続されており、ｐ側オーミック電極６７ｂとｐ側金属膜６９ｂとが電気的に接続されている。

ｎ側金属膜６９ａ及びｐ側金属膜６９ｂの上には、それぞれｎ側金属膜６９ａ及びｐ側金属膜６９ｂの上に開口部６０ａを有する層間絶縁膜６０が形成されている。この層間絶縁膜６０の上には、導電層として、ｎ側金属膜６９ａ上に配置する開口部６０ａを介して、ｎ側金属膜６９ａに接続されたｎ側外部接続用電極７１ａが形成されている。ｐ側金属膜６９ｂ上に配置する開口部６０ａを介して、ｐ側金属膜６９ｂに接続されたｐ側外部接続用電極７１ｂが形成されている。
ｎ側外部接続用電極７１ａは、ｎ側金属膜６９ａ上から、ｐ型半導体層６５の上に配置するｐ側金属膜６９ｂの上にわたって配置されている。ｐ側外部接続用電極７１ｂは、ｐ側金属膜６９ｂ上から、ｎ型半導体層６３の上に配置するｎ側金属膜６９ａの上にわたって配置されている。

実施の形態２
この実施の形態の発光装置１Ｂは、図６Ａ、６Ｂに示すように、母材２の第１主面において、基体４上の封止部材７の両側で、接続端子３の幅狭の部位の一部と外部接続部が封止部材７から露出されている。母材２の第２主面側において、接続端子３が配置されていない部位に補強、放熱等のために、金属層３ｄが配置されている。この金属層３ｄの上を含む領域において、２つの絶縁性の膜８が形成されている。これら以外、実質的に実施形態１と同様の構成を有する。絶縁性の膜８は、大きさが異なり、発光装置のアノード及びカソードを容易に区別するマークとして機能させることができる。
この発光装置１Ｂは、実施の形態１と同様の効果を有する。

実施の形態２の変形例
この実施の形態の発光装置１Ｃは、図６Ｃ及び６Ｄに示すように、母材２の第１主面において、基体４上の封止部材７ｐの形状が傾斜しており、その両側で、接続端子３ｑが２箇所において幅狭の部位を有している。母材２の側面を接続端子３ｑが被覆せず、母材２に形成されたスルーホール２ｍの内部に導電性材料が埋設されて、母材２の裏面側に接続端子３ｑが配置されている。これら以外、実質的に、実施の形態２の発光装置１Ｂと同様である。
この発光装置１Ｃは、実施の形態１及び２と同様の効果を有する。

実施の形態３
本実施形態の発光装置２０は、図７に示すように、接続端子２３を有する基体２４と、複数の発光素子５と、封止部材２７とを含んで構成されている。
接続端子２３は、母材２２の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して配置されている。また、母材２２の上面においては、複数の発光素子５を、例えば、直列接続し得る端子２５がさらに配置されている。
基体２４の一面上において、接続端子２３及び端子２５は、素子接続部として突出パターン２３ａをそれぞれ有しており、この突出パターン２３ａ上において発光素子５が溶融性の接合部材６によってフリップチップ実装されている。

発光素子５は、複数が一列に整列して配置されている。なお、一列のみならず、行列方向に配置されていてもよい。

封止部材２７は、これら複数の発光素子５を一体的に封止している。封止部材２７の長手方向に沿った端面は、基体２４の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。封止部材２７の短手方向に対向する縁部は、基体２４の内側に配置されている。

図示していないが、発光素子５の間において、基体２４に凹部又は貫通孔が形成され、その凹部又は貫通孔に封止部材２７の一部が充填されて、封止部材２７が基体２４に係止されている。これにより、封止部材２７と基体２４との密着性を高めて、封止部材２７の基体２４からの剥離を防止することができる。

上述した構成以外は実質的に実施の形態１と同様の構成を有する。よって、実施の形態１と同様の効果を示す。
さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー型の発光装置として利用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュー型の発光装置を、それぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させることができる。また、例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向上させることができる。

実施の形態４
この実施の形態の発光装置３０は、図８に示すように、実施の形態１の発光装置が、隣接する接続端子３３、特に外部接続部３３ｂを共有する形態で結合させたように、複数、列方向又は行列方向に配列されてなる。詳細には、隣接する発光素子５の間において、母材３２にスルーホールを設け、このスルーホールを介して、基体３４の接続端子３３を基体３４の下面側に引き出している。
このような構成以外は、実質的に実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態１と同様の効果を有する。さらに、実施の形態２と同様の効果を有する。

実施の形態５
この実施の形態の発光装置４０は図９Ａ〜図９Ｆに示すように、発光素子の成長用の基板を剥離し、透光性部材として蛍光体板を使用したものである。この発光素子の線膨張係数は、約５．５ｐｐｍ／℃である。つまり、発光素子の線膨張係数は、発光素子の半導体層、例えば、ＧａＮ層の体積が支配的であるため、その線膨張係数に近似する。
発光素子を金属接合で基体に実装した後、サファイア剥離時の衝撃を吸収するための応力緩和、発光素子保持の機能、反射機能を有する封止部材７で封止する。封止部材７はサファイアの剥離を容易にするために、成長基板であるサファイアの側面と接触しないようになるまで各種方法（例えば、エッチング、ブラスト等）により形状を整える。その際に反射機能を利用するため、発光素子が搭載されていない部分の封止部材は残存させてもよい。
サファイア基板側から半導体層に、レーザ光（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ）を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離するレーザリフトオフ法（ＬＬＯ）を利用してサファイア基板を剥離する。その後、洗浄、表面加工する。なお、ＬＬＯ後の発光素子の表面は、凹部を有していてもよく、例えば、凹部の深さは平均０．５μｍである。その後、蛍光体板と発光素子を接合する。蛍光体板は樹脂接着材を利用して接合してもよく、表面を清浄、平滑にした後、直接接合技術を用いて接合してもよい。蛍光体板は平面視において、発光素子より小さくてもよいが、同等以上であり、発光素子と中心が同じであることが好ましい。
このような形態とすることにより、発光素子上面と導光板との距離を近づけ、蛍光体板での内部散乱を最小とすることができる。その結果効率の良い発光装置を得ることができる。
図９Ａ〜図９Ｆに示すように、母材４２の第１主面から端面を経て第２主面に連続して形成された接続端子４３が、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕによって形成されている（厚み２０μｍ）。第１主面では、接続端子４３上の一部に銅からなる突出パターン４３ａを有し、第２主面においては、銅からなる金属層４３ｄ（厚み２０μｍ）を有している。
金属層４３ｄは、発光素子５ａの搭載領域に対応する領域であって、第２主面に配置されており、補強、放熱等の役割を果たす。
基体の第２主面は、一対の接続端子４３の基体の中央部に近い部分から、母材４２及び金属層４３ｄ上にわたって、絶縁性の膜８によって被覆されている。

接続端子４３は、図９Ｅに示すように、基体の第１主面において、一部が幅狭に形成されている。また、図９Ｆに示すように、接続端子４３は、第２主面においても、一部が幅狭に形成されている。
この基体の合計厚みは、最も厚い部位において３００μｍである。

発光素子５ａは、図９Ｃに示すように、窒化物半導体積層体と一対の電極によって形成されており、半導体層の成長用の基板が除去されている。この場合の発光素子５ａ（窒化物半導体層と電極との合計）厚みは、１２μｍである。発光素子５ａの表面（窒化物半導体積層体の電極形成面とは反対面）の表面粗さＲａは０．５〜２．０μｍ程度である。
成長用の基板の除去は、例えば、成長用の基板を有する発光素子５を一対の接続端子に実装し、封止部材７を配置した後に、上述のレーザリフトオフ法を利用して行われる。
この際に、封止部材７によって発光素子の半導体層を被覆し、さらに、接続端子４３の突出パターン４３ａ及び溶融性の接合部材６をともに被覆することによって、発光素子を確実に固定することができる。これによって、サファイア基板を剥離時の応力を吸収し、サファイア基板を半導体層から効率的に除去することができる。

発光素子５ａの一対の電極は、接続端子４３の突出パターン４３ａとＡｕ−Ｓｎの共晶半田からなる溶融性の接合部材６によって接合されている。
発光素子５ａの第１主面上には、透光性部材１０ａとして、蛍光体としてナノクリスタル状のＹＡＧがガラスに均一に分散された透光性のＹＡＧガラス（厚み：４０μｍ）が、透光性のシリコーン樹脂の接着材によって固定されている。透光性部材１０ａは、封止部材７上にも配置しており、透光性部材１０ａの端面は封止部材７の端面と略一致している。

また、接続端子４３上であって、突出パターン４３ａと外部接続部との間において、二酸化チタンを含有する白色のシリコーン樹脂からなる絶縁部材９が配置されている。絶縁部材９は、長手方向の長さが０．４ｍｍ、短手方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．０２ｍｍの略直方体状に成形されている。絶縁部材９は、封止部材７の端面から長手方向に０．２ｍｍ露出している。絶縁部材９は、接続端子３の幅狭となる部位とその周辺を被覆している。
封止部材７の長手方向に対向する縁部は、絶縁部材９の上に配置されており、封止部材７の長手方向に沿った縁部は、絶縁部材９の長手方向に沿った縁部と一致している。また、絶縁部材９の長手方向に沿った縁部は、基体の長手方向に沿った縁部に一致しており、絶縁部材９の長手方向に沿った端面は、基体の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
このように絶縁部材を配置することにより、上述したように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って侵入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。また、溶融性の接合部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、突出パターン及びその近傍からの溶融性の接合部材の外部接続部への漏れを防止することができる。

このような構成以外は、実質的に実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態１と同様の効果を有する。

実施の形態６
本実施形態の発光装置４０Ｂは、母材４２が、乳白色で３ｐｐｍ／℃の線膨張係数を有する。図１０に示すように、基体は、第２主面上に、接続端子４３と、その端部と離間して、２つの大きさの異なる絶縁性の膜８とを有している。透光性部材１０ａは、蛍光体含有樹脂を用いたスプレー法により形成されている。
このような構成以外は、実質的に実施形態４の発光装置４０と同様の構成を有する。よって、実施形態１及び４と同様の効果を有する。

実施の形態７
この実施の形態では、例えば、図２Ｂに示した発光素子５ｂにおいて、特に、層間絶縁膜６０、絶縁性の多層構造膜６８、ｎ側金属膜６９ａ、ｐ側金属膜６９ｂ、ｎ側外部接続用電極７１ａ及びｐ側外部接続用電極７１ｂを、２倍に厚膜化して、それらに、発光装置の補強層を兼用させる以外は、実質的に図２Ｂに示した発光素子と同様の構成を有し、実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。
従って、実施の形態１における発光装置に対して、その強度を向上させることができる。また、実施の形態１における発光装置と同様の効果を有する。このような、裏面の補強層を厚くする構成は成長用の基板を除去する構成の発光素子を用いる場合は特に重要である。

実施の形態８
この実施の形態の発光装置５０は、図１２Ａ〜図１２Ｃに示すように、透光性部材１０を積層構造とするものである。透光性部材１０は、発光素子５に接して蛍光体７７を含有する第１の透光性部材１０ｂと、第１の透光性部材１０ｂの上に蛍光体を含有しない、または蛍光体の含有率が第１の透光性部材よりも少ない第２の透光性部材１０ｃとを備える。これにより、第１の透光性部材１０ｂを外部環境から保護することができる。例えば、透光性部材１０を導光板に付き当てて使用する場合に、蛍光体及び第１の透光性部材１０ｂを保護することができる。

図１２Ｂに示すように、蛍光体７７が含有されない第２の透光性部材１０ｃの上面を、第１の透光性部材１０ｂの表面よりも平坦となるように形成することにより、指向角度を狭くすることができ、配光色ムラを低減することができる。これは、光取り出し面を平坦な面とすることで、第１の透光性部材１０ｂから出射された光のうち、指向角度が広い光を第２の透光性部材１０ｃの上面で全反射して第１の透光性部材１０ｂ側に戻し、さらに第１の透光性部材１０ｂの表面及び蛍光体７７の表面で上方に反射させ、指向角度を狭くして外部に取り出すことができるためと考えられる。その結果、例えば、バックライトとして用いる際にパネルの色むらを低減することができる。

第１の透光性部材１０ｂの厚みは、例えば、１〜１００μｍ程度が好ましく、２〜６０μｍ程度、５〜４０μｍ程度がより好ましい。第２の透光性部材１０ｃの厚みは、例えば、１〜１０μｍ程度が好ましく、２〜８μｍ程度、３〜６μｍ程度がより好ましい。

さらに、この実施の形態では、図１２Ｃに示すように、接続端子３が絶縁性の膜８から露出された補助電極７６を有している。この補助電極７６を半田等で接続することにより、二次基板に実装する際の固着強度を向上させることができる。
補助電極７６は、一対の接続端子３の間であって、基体４の第２主面の長手方向の中央部に設けられている。補助電極７６は、発光装置の高さよりも低い高さで、つまり母材の実装面と対向する面と離間して設けられている。補助電極７６の幅狭部７６ａは、発光装置５０の実装面と隣接する部位に、より詳細には、実装面にその端部が一致するよう設けられている。補助電極７６の幅狭部７６ａは、その上方で幅広部７６ｂと連結している。幅広部７６ｂは上方に向かって幅が狭くなる略半円形である。幅狭部７６ａと幅広部７６ｂとは、幅狭部７６ａから幅広部７６ｂにかけて徐々に幅が広がる部位を介して連結されている。
このような構成以外は、実質的に実施形態１の発光装置１と同様の構成を有する。よって、実施形態１と同様の効果を有する。

実施の形態９
この実施の形態の発光装置７０は、図１３に示すように、例えば、図２Ａに示した発光装置１において、発光素子５を２つ用いる以外は、実質的に図２Ａに示した発光装置と同様の構成を有している。
この構成以外は、実質的に実施形態１の発光装置１と同様の構成を有する。よって、実施形態１と同様の効果を有する。

本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。

１、１Ｂ、２０、３０、４０、４０Ｂ、５０、７０ 発光装置
２、１２、２２、３２、４２ 母材
２ａ 上面
２ｂ 端面
２ｃ 下面
３、２３、３３、４３ 接続端子
３ａ、２３ａ、３３ａ、４３ａ 突出パターン
３ｂ、３３ｂ 外部接続部
３ｄ、４３ｄ 金属層
４、２４、３４ 基体
５、５ａ、５ｂ 発光素子
６ 接合部材
７、１７、２７ 封止部材
７ａ 長手方向に延長する側面
７ｂ 短手方向に延長する側面
８ 絶縁性の膜
９ 絶縁部材
１０、１０ａ 透光性部材
１０ｂ 第１の透光性部材
１０ｃ 第２の透光性部材
１３ 複合接続端子
１４ 複合基体
１５ スリット
２５ 端子
５１ 実装基板
５２ 配線パターン
５３ 半田
６０ 層間絶縁膜
６０ａ 開口部
６１ 金属膜
６２ サファイア基板
６３ ｎ型半導体層
６４ 活性層
６５ ｐ型半導体層
６６ 窒化物半導体積層体
６７ａ ｎ側オーミック電極
６７ｂ ｐ側オーミック電極
６８ 絶縁性の多層構造膜
６９ａ ｎ側金属膜
６９ｂ ｐ側金属膜
７１ａ ｎ側外部接続用電極
７１ｂ ｐ側外部接続用電極
７５ 導光板
７６ 補助電極
７６ａ 幅狭部
７６ｂ 幅広部
７７ 蛍光体

Claims (26)

1. 長手方向に延長し、第１主面上及び該第１主面と反対側の第２主面上に一対の接続端子を有する母材を備える基体と、
   前記接続端子と接続された発光素子と、
   前記発光素子を封止する封止部材と、
   前記第２主面上で、前記接続端子を被覆する絶縁性の膜とを備える発光装置であって、
   前記接続端子は、前記第１主面において、前記発光素子と接続される素子接続部と、該素子接続部よりも幅狭の幅狭部と、前記第２主面において、前記絶縁性の膜から露出された補助電極とを有しており、
   前記素子接続部は、前記基体の前記長手方向の端面から離間して配置されており、前記補助電極は、前記発光装置の実装面と対向する、前記母材の前記長手方向に延長する面から離間して配置されており、
   前記母材は、線膨張係数が、前記発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であるサイドビュー型の発光装置。
2. 前記母材は、樹脂を含有する請求項１に記載の発光装置。
3. 前記樹脂のガラス転移温度が２５０℃以上である請求項２に記載の発光装置。
4. 前記基体の厚みは５００μｍ以下であり、かつ前記基体の曲げ強度は３００ＭＰａ以上である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
5. 前記発光素子は、その上面に、前記発光素子からの光に励起される蛍光体を含有する透光性部材が配置されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
6. 前記透光性部材は、前記封止部材の上面を被覆している請求項５に記載の発光装置。
7. 前記透光性部材は、粒子状の前記蛍光体を含む粒子層が複数積層された層状部材、透明の多結晶の蛍光体板状部材又は透明の単結晶の蛍光体板状部材である請求項５又は６に記載の発光装置。
8. 前記蛍光体は、中心粒径が３０μｍ以下である請求項５〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
9. 前記透光性部材は、量子ドットを含む請求項５〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
10. 前記発光素子は、少なくとも窒化物半導体積層体を備えており、
    前記透光性部材は、前記窒化物半導体積層体の全厚みの１０倍以下の厚みを有する請求項５〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
11. 前記封止部材は、遮光性材料によって形成されている請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
12. 前記封止部材は、前記発光素子の側面に接触して被覆する請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
13. 前記透光性部材は、前記発光素子の側面における前記封止部材の厚みの２倍以下の厚みを有する請求項５〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
14. 前記基体及び封止部材は、長手方向に長い形状を有し、
    前記長手方向に沿って、前記基体の端面と前記封止部材の端面とが同一面を形成する請求項１〜１３のいずれか１つに記載の発光装置。
15. 前記封止部材の上面は、前記発光素子の上面と同一面を形成する請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置。
16. 前記封止部材は、前記発光素子と前記基体との間に配置される部材を含み、該部材は前記接続端子の線膨張係数と±２０％の線膨張係数を有する樹脂によって構成されている請求項１〜１５のいずれか１つに記載の発光装置。
17. 前記発光素子は、少なくとも、窒化物半導体積層体と、該窒化物半導体積層体の同一面側に配置された正負電極とを備え、
    前記接続端子は、母材の第１主面上において、前記正負電極に対向する位置にかつ前記正負電極と同等の大きさの突出パターンを備える請求項１〜１６のいずれか１つに記載の発光装置。
18. 前記発光素子は、前記基体にフリップチップ実装されている請求項１〜１７のいずれか１つに記載の発光装置。
19. 前記発光素子は、前記窒化物半導体積層体の前記正負電極の配置面側に、少なくとも金属層又は絶縁層による補強層が配置されている請求項１７又は１８に記載の発光装置。
20. 前記発光素子は、２００μｍ以下の厚みを有する請求項１〜１９のいずれか１つに記載の発光装置。
21. 前記発光素子の前記正負電極は、前記接続端子に、導電性の接合部材を介して接続されており、該接合部材は、前記窒化物半導体積層体の厚みと同等〜３倍の厚みを有する請求項１７〜２０のいずれか１つに記載の発光装置。
22. 前記発光素子は、半導体層の成長用の基板が除去されている請求項１〜２１のいずれか１つに記載の発光装置。
23. 前記母材に含有される樹脂の熱放射率が０．５以上である請求項２〜２２のいずれか１つに記載の発光装置。
24. 前記発光装置は、光取り出し面に隣接する面を実装面とする請求項１〜２３のいずれか１つに記載の発光装置。
25. 前記発光素子は、平面視、長辺が短辺の１．５倍以上の長方形形状を有する請求項１〜２４のいずれか１つに記載の発光装置。
26. 前記接続端子と前記発光素子とは半田によって接続されており、
    前記母材は、線膨張係数が、５ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜２５のいずれか１つに記載の発光装置。

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