JP6822455B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置に関する。

従来、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップが上面に配置された基板の稜に、中空１／４円
柱の形状の半田付け用フィレットが設けられた、ＬＥＤモジュールが提案されている（例
えば特許文献１参照）。

特表２０１２−５０４３１８号公報

しかしながら、特許文献１に記載のＬＥＤモジュールでは、基板の稜の半田付け用フィ
レットによって、基板の端部が薄肉になり、基板の割れや欠けを生じる虞がある。特に、
このような問題は、ＬＥＤモジュールを平坦（薄型）にするほど顕著になる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、薄型であっても、基体の機械的強度
を維持しながら、高い半田接合強度が得られる発光装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、長手方向と該長手方向に直交する短
手方向を有する第１主面と、該第１主面の反対側の第２主面と、前記長手方向に延びる第
１端面と、前記短手方向に延びる第２端面と、を含む母材と、前記母材の前記第１主面上
に設けられた接続端子と、を有する基体と、前記接続端子に接続されて前記第１主面上に
搭載された発光素子と、を備え、前記母材の前記第１端面は、前記第１主面と前記第２端
面に連続する、及び／又は前記第２主面と前記第２端面に連続する、窪み部を有し、前記
窪み部は、前記短手方向の深さより前記長手方向の長さのほうが大きく、前記接続端子は
、前記窪み部上に延長して設けられていることを特徴とする。

このような発光装置によれば、薄型であっても、基体の機械的強度を維持しながら、高
い半田接合強度が得られる。

本発明の一実施の形態の発光装置の概略斜視図である。 図１Ａの発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。 図１Ａの発光装置の平面透視図である。 図１Ａの発光装置が実装基板に実装された状態を示す概略斜視図である。 図１Ａの発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。 図３ＡのＢ−Ｂ’線断面図である。 図３ＡのＣ−Ｃ’線断面図である。 本発明の別の実施の形態の発光装置の概略斜視図である。 図４Ａの発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。 図４Ａの発光装置の平面透視図である。 本発明の実施の形態の発光装置の寸法関係を説明するための発光装置の概略斜視図である。 本発明の実施の形態の発光装置の寸法関係を説明するための透光性部材の概略斜視図である。 本発明の実施の形態の発光装置と導光板との位置関係を示す概略図である。

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明す
る発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない
限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明す
る内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。各図面が示す部材の大きさや位
置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。

本発明の実施の形態の発光装置は、光取り出し面に隣接する面を実装面とする、いわゆ
るサイドビュー型と称される発光装置であるが、光取り出し面に対向する面を実装面とす
るトップビュー型と称される発光装置にも適用することができる。この発光装置は、少な
くとも、一対の接続端子と母材を有する基体と、発光素子と、を備え、好ましくは封止部
材をさらに備える。

本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差す
る面を側面と称し、側面のうちの１つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光
装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第
１主面又は正面（つまり、上面）と、第１主面の反対側の面を第２主面（つまり、下面）
と、第１主面及び第２主面に隣接又は交差する面（つまり、発光装置の側面に対応する面
）を端面と称することがある。

〔基体〕
基体は、母材と、少なくとも母材の第１主面に正負に対応する一対の接続端子を備える
。基体の形状は特に限定されず、後述する母材の形状に相当する形状となる。例えば、少
なくとも第１主面が、長手方向と、長手方向に交差する又は直交する短手方向を有するこ
とがより好ましい。基体の厚さは、後述する母材の厚さによって調整することができる。
例えば、最も厚い部位の厚さは、５００μｍ程度以下が好ましく、３００μｍ程度以下が
より好ましく、２００μｍ程度以下がさらに好ましい。また、４０μｍ程度以上が好まし
い。

基体の強度は、後述する母材の材料、接続端子の材料等によって調整することができる
。例えば、上述した厚さの範囲において、曲げ強度が３００ＭＰａ以上であることが好ま
しく、４００ＭＰａ以上であることがより好ましく、６００ＭＰａ以上であることがさら
に好ましい。これにより、発光装置の強度を確保することができる。ここでの曲げ強度は
、例えば、市販の強度測定機、例えば、インストロンによる３点曲げ試験によって測定し
た値を意味する。

このように、基体が薄く、かつ適当な強度を備えることにより、小型又は薄型、及び高
性能で高信頼性の発光装置が得られる。

（母材）
母材は、線膨張係数が、後述する発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲
であれば、どのような材料によって形成されていてもよい。好ましくは、±９ｐｐｍ／℃
以内、±８ｐｐｍ／℃以内、±７ｐｐｍ／℃以内、±５ｐｐｍ／℃以内である。これによ
って、発光素子を基体に実装する場合に、これまで問題となっていた、発光素子と基体と
の線膨張係数の差異に起因する、発光素子の基体（接続端子）からの剥がれ又は発光素子
への不要な応力負荷を効果的に防止することができる。これにより、フリップチップ実装
によって、発光素子の電極を基体の接続端子に直接接続することができ、より小型又は薄
型の発光装置を提供することが可能となる。本発明では、線膨張係数は、ＴＭＡ法で測定
した値を意味する。α１及びα２のいずれかがこの値を満たしていればよいが、両方で満
たすことがより好ましい。

母材は、例えば、金属、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの
複合材料（例えば、複合樹脂）、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボ
ン等）との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミ
ニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げられる。セラミックとしては
、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チ
タン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられる。複合樹脂としては、ガラ
スエポキシ樹脂等が挙げられる。

特に、母材は樹脂を含有するものが好ましい。樹脂は、当該分野で使用されているもの
であればどのようなものを利用してもよい。特に、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の
±１０ｐｐｍ／℃とするために、線膨張係数の小さいものを利用することが好ましい。具
体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、シ
アネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド
樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。また、例えば、特開２０１３−３５９６０号、ＷＯ
２０１１／１３２６７４、ＷＯ２０１２／１２１２２４、ＷＯ２０１２／１６５４２３等
に記載されている樹脂、ナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂及びそれらの
組成物、市販品（例えば、三菱瓦斯化学社製：Ｈｌ８３２ＮＳ、ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙ
ｐｅＬＣＡ、日立化成社製：ＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ、ＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇ等）、特開２
０１０−１１４４２７号等に記載されている液晶ポリマー及びそれらの組成物を利用して
もよい。なお、これらには、当該分野で公知の添加剤、モノマー、オリゴマー、プレポリ
マー等が含有されていてもよい。なかでも、ＢＴ樹脂又はその組成物が好ましい。

樹脂は、その種類にかかわらず、例えば、ガラス転移温度が、２５０℃程度以上である
ことが好ましく、２７０℃程度以上、２８０℃程度以上、３００℃程度以上、３２０℃程
度以上がより好ましい。別の観点から、ガラス転移温度は、後述するように、発光素子を
接続端子に接続するために使用する接合部材の溶融温度と同等以上であることが好ましい
。ここでの同等とは、５℃程度の変動を許容することを意味する。これによって、発光素
子の実装の際の温度変化に影響されず、発光素子の接続不良などの不具合を回避すること
ができる。その結果、発光装置の製造歩留まりを向上させることができる。ガラス転移温
度は、例えば、試料の温度をゆっくりと上昇または下降させながら力学的物性の変化、吸
熱又は発熱を測定する方法（ＴＭＡ、ＤＳＣ、ＤＴＡなど）、動的粘弾性測定試料に加え
る周期的な力の周波数を変えながらその応答を測定する方法のいずれでもよい。

また、樹脂は、熱放射率が０．５以上であることが好ましく、０．６以上であることが
より好ましい。このような熱放射率を有することにより、発光素子に起因する熱を効率的
に逃がすことができ、発光装置の寿命を向上させることができる。熱放射率は放射率測定
器（例えば、ジャパンセンサー株式会社製：ＴＳＳ−５Ｘ）によって測定した値を意味す
る。

樹脂の種類にかかわらず、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃とす
るために、あるいは熱放射率を増大させるために、樹脂には、充填材、例えば、無機材料
による充填材を含有させることが好ましい。このような充填材の種類及び量等を適宜組み
合わせることによって、母材の線膨張係数を調整することができる。充填材及び無機材料
としては、例えば、六方晶窒化ホウ素で被覆されたホウ酸塩粒子、アルミナ、シリカ類（
天然シリカ、溶融シリカ等）、金属水和物（水酸化アルミニウム、ベーマイト、水酸化マ
グネシウム等）、モリブデン化合物（酸化モリブデン等）、ホウ酸亜鉛、錫酸亜鉛、酸化
アルミニウム、クレー、カオリン、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、
タルク、焼成クレー、焼成カオリン、焼成タルク、マイカ、ガラス短繊維（Ｅガラス、Ｄ
ガラスなどのガラス微粉末類、ガラスクロス等）、中空ガラス、リン酸ジルコニウム等の
熱収縮フィラー、ゴムパウダー及びコアシェル型のゴムパウダー（スチレン系、ブタジエ
ン系、アクリル系、シリコーン等）等が挙げられる。特に、熱伝導率の高い充填材又は無
機材料を大量に含有させることにより、熱放射率を調整することができる。例えば、ガラ
スクロスを用いる場合には、ガラスクロス中の無機材料を５０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以
上、９０ｗｔ％以上含有させることができる。

サイドビュー型の発光装置において、光取り出し面（図２のＱ）に隣接する面である実
装面（図２のＲ）とそれに対向する面（図２のＳ）において、母材を黒色とすることが好
ましい。これによって、発光装置から出射した光又はその反射光による迷光を吸収するこ
とができる。さらに、母材又は基体の迷光の吸収によって、例えば、バックライト用途に
おいて、光の色及び／又は明るさのバラツキなど品質を向上させることができる。また、
迷光の吸収によって、周辺部材の光劣化を抑制することができる。母材の色を調整するた
めに、樹脂には顔料を含有させてもよい。顔料としては、黒色のカーボンブラック、白色
の酸化チタン等が挙げられる。サイズの小さい発光装置では、発光素子自体が発光装置に
対して相対的に大きくなるため、発光素子からの発熱、蛍光体によるストークス発熱など
によって、発光装置が過度に発熱することが懸念される。このような熱は、バックライト
の導光板を劣化、変形させるなどの悪影響を招くことがある。そこで、熱放射係数の大き
いカーボンブラックなどの黒色の材料を母材（樹脂）に含有させることにより、発光素子
及び蛍光体からの熱を、放熱することができる。

母材の線膨張係数は、用いる発光素子の種類及び構造等にもよるが、例えば、２０ｐｐ
ｍ／℃程度以下が好ましく、１０ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましく、８ｐｐｍ／℃程度
以下、７ｐｐｍ／℃程度以下、６ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。このような線膨張
係数とすることにより、基体自体の線膨張係数を制御することができる。これにより、後
述するように、発光素子をフリップチップ実装した場合でも、製造過程等の温度変化にか
かわらず、発光素子を基体に強固に接続させることができ、発光素子の接続不良などの不
具合を回避することができる。その結果、発光装置の製造歩留まりを向上させることがで
きる。

１つの発光装置における母材の形状、大きさ、厚さ等は特に限定されるものではなく、
適宜設定することができる。母材の厚さは、用いる材料、載置する発光素子の種類及び構
造等にもよるが、例えば、４７０μｍ程度以下が好ましく、３７０μｍ程度以下、３２０
μｍ程度以下、２７０μｍ、２００μｍ、１５０μｍ、１００μｍ程度以下がより好まし
い。また、強度等を考慮すると、２０μｍ程度以上が好ましい。母材の曲げ強度は、基体
全体の強度を確保するために、上述した基体の強度と同等、例えば、３００ＭＰａ程度以
上であることが好ましく、４００ＭＰａ程度以上、６００ＭＰａ程度以上がより好ましい
。

母材の平面形状は、例えば、円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられ
る。なかでも長方形、つまり、長手方向に細長い形状が好ましい。大きさは、後述する発
光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。１つの発光装置に発光素子が１つ搭載
される場合は、発光装置の長手方向が発光素子の一辺の１．５〜５倍程度の長さを有する
ことが好ましく、１．５〜３倍程度の長さがより好ましい。発光装置の短手方向は、発光
素子の一辺の１．０〜２．０倍程度の長さを有することが好ましく、１．１〜１．５倍程
度の長さがより好ましい。１つの発光装置に発光素子が複数搭載される場合は、その数に
よって適宜調整することができる。例えば、長手方向に２個又は３個搭載される場合は、
長手方向が発光素子の一辺の２．４〜６．０倍程度又は３．５〜７．０倍程度が好ましい
。

母材の第２主面の上には、絶縁体、金属等によって補強、放熱、アライメント用等のマ
ーク等の機能を有する層を１以上設けてもよい。

（接続端子）
一対の接続端子は、基体の少なくとも第１主面上に形成されていればよい。この場合、
接続端子の縁部の少なくとも一部は、基体の第１主面の縁部の一部に一致するように形成
することが好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の実装面の一部とが同
一面となるように形成されていることが好ましい。これにより、発光装置を実装基板に実
装する際に、実装基板と接続端子の端面とを接触（または限りなく近接）させることがで
きる。その結果、発光装置の実装性を向上させることができる。ここで同一面とは、段差
がない又はほとんどないことを意味し、数μｍから十数μｍ程度の凹凸は許容されること
を意味する。本願明細書において、同一面については以下同じ意味である。

接続端子は、第１主面において、発光素子の電極と接続される素子接続部と、発光装置
の外部と接続される外部接続部とを有する。外部接続部は、基体の第１主面に加えて、さ
らに基体の第２主面上にも設けられていることがより好ましい。例えば、接続端子は、（
i）第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面の上に延長して設けられてい
るか、（ii） 母材を貫通するように設けられたビアまたはスルーホール等により第１主
面から第２主面上まで延長して設けられているか、（iii）第１主面から、第１主面と第
２主面との間に存在する面の上を通って、さらに、第２主面上に延長して（例えば、断面
視、Ｕ字状に）設けられていることが好ましい。ここで第１主面と第２主面との間に存在
する面とは、第１主面と第２主面との間に存在する１つの端面の一部又は全部を指しても
よいし、第１主面と第２主面との間に存在する２つ以上の端面の一部又は全部であっても
よい。通常、素子接続部は第１主面上に配置され、外部接続部は、（i）第１主面上か、
（ii）第１主面及び端面上か、（iii）第１主面、端面及び第２主面上か、（iv）第１主
面及び第２主面上に配置される。

接続端子は、基体の第１主面上、端面上及び／又は第２主面上にわたって、必ずしも同
じ幅（例えば、基体の短手方向の長さ）でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成さ
れていてもよい。あるいは、基体の第１主面及び／又は第２主面において、幅狭となるよ
うに、接続端子の一部が絶縁材料（例えば、母材等）により被覆されていてもよい。この
ような幅狭となる部位は、基体の少なくとも第１主面上に配置されることが好ましく、第
１主面及び第２主面上の双方に配置されていてもよい。特に、幅狭となる部位は、基体の
第１主面上では、後述する封止部材の近傍において配置されることがより好ましい。

このような幅狭となる部位を配置することにより、接続端子に接続される、後述するよ
うな接合部材等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表面に沿って、後述する封
止部材の下、さらに発光素子の下にまで浸入することを抑制することができる。また、素
子接続部を、基体の長手方向に延びる端面から離間させることによって、発光素子の実装
時に、上記と同様に、フラックスの浸入を抑制することができる。

幅狭となる部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭となる部
位は、なだらかに幅狭になることが好ましい。

基体は、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒー
トシンク、補強部材等を有していてもよい。これらは、第１主面、第２主面、端面のいず
れに配置されていてもよく、特に、発光素子及び／又は封止部材の下方に配置されている
ことが好ましい。これにより、発光装置の強度及び信頼性を高めることができる。また、
基体の強度を高めることにより、封止部材が金型を用いて成形される場合には、基体のゆ
がみが低減され、封止部材の成形性を向上させることができる。放熱用の端子又は補強端
子が導電性であって、一対の接続端子の間に設けられる場合、放熱用の端子又は補強端子
は絶縁性の膜で被覆されていることが好ましい。これにより、接続端子と放熱用の端子又
は補強端子との接合部材のブリッジを防止することができる。

さらに、１つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に
接続するさらなる接続端子を１以上備えていてもよい。１つの基体に実装される発光素子
の数、その配列、接続形態（並列及び直列）等によって、接続端子の形状及び位置等を適
宜設定することができる。

接続端子は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、
Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる
。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、実装側の接合部材との接合
性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点から、銅又は銅合金が好ま
しい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム又はこれらの合金の単
層膜又は積層膜等、光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、具体的に
は、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／
Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａ
ｇ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇなどの積層構造が挙げられる。また、部分的に厚さ又は積層
数が異なっていてもよい。

接続端子は、それぞれ、発光素子と接続される面、つまり、第１主面上において、略平
坦であってもよいし凹凸を有していてもよい。例えば、接続端子は、後述する発光素子の
電極にそれぞれ対向する位置において、突出パターンを有していてもよい。突出パターン
は、発光素子の電極と同等の大きさであることが好ましい。また、接続端子及び突出パタ
ーンは、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置することができるよう
に、基体の表面（発光素子と接続される面側）に対して水平であることが好ましい。突出
パターンは、例えば、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などの
フォトリソグラフィーを利用したエッチング法などで形成することができる。

接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいが、基体表面において略平坦に
又は基体と同一面を形成するために、メッキ等によって上述した材料の膜を形成すること
が好ましい。接続端子の厚さは、数μｍから数十μｍが挙げられる。特に、突出パターン
は、メッキを積層して形成することが好ましい。突出パターンの厚さは、他の部位の接続
端子表面から、数μｍから数十μｍが挙げられる。

基体は、上述した母材の線膨張係数を大幅に損なわない限り、それ自体がコンデンサ、
バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を構成するものであっ
てもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一部に、例えば、多層構造又は積層構
造の形態で備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより
、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静
電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。

〔発光素子〕
発光素子は、基体（本実施の形態では第１主面）上に搭載されており、基体の第１主面
において、第１主面上の接続端子と接続されている。１つの発光装置に搭載される発光素
子は１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択する
ことができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、行列など
規則的又は周期的に配置されてもよい。複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直
列のいずれの接続形態でもよい。

発光素子は、少なくとも窒化物半導体積層体を備えることが好ましい。窒化物半導体積
層体は、第１半導体層（例えば、ｎ型半導体層）、発光層、第２半導体層（例えば、ｐ型
半導体層）がこの順に積層されており、発光に寄与する積層体である。窒化物半導体積層
体の厚さは、３０μｍ程度以下が好ましく、１５μｍ程度以下、１０μｍ程度以下がより
好ましい。また、窒化物半導体積層体の同一面側（例えば、第２半導体層側の面）に、第
１半導体層に電気的に接続される第１電極（正又は負）と、第２半導体層に電気的に接続
される第２電極（負又は正）との双方を有することが好ましい。第１電極及び第２電極を
構成するものとして、オーミック電極、金属膜、外部接続用電極等を含むものとする。

第１半導体層、発光層及び第２半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、
例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げ
られる。具体的には、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等
の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ
、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知の
ものを利用することができる。

窒化物半導体積層体は、通常、半導体層の成長用の基板上に積層される。半導体層の成
長用の基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられ
る。このような基板の材料としては、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、スピネル（ＭｇＡ１_２
Ｏ_４）のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられる。基板の厚さ
は、例えば、１９０μｍ程度以下が好ましく、１８０μｍ程度以下、１５０μｍ程度以下
がより好ましい。

基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、これに伴って
、窒化物半導体積層体の基板側の表面（窒化物半導体積層体の前記電極が配置された面の
反対面）に複数の凸部又は凹凸があってもよい。この凹凸は、基板形状に起因するもので
あり、例えば、その高さが０．５〜２．０μｍ程度、ピッチが１０〜２５μｍ程度の表面
粗さを有していてもよい。基板は、Ｃ面、Ａ面等の所定の結晶面に対して０〜１０°程度
のオフ角を有するものであってもよい。基板は、第１半導体層との間に、中間層、バッフ
ァ層、下地層等の半導体層又は絶縁層等を有していてもよい。

半導体層の成長用の基板は、サファイア基板のような透光性を有する基板を用いること
により、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。あるいは、このよう
な基板を半導体積層体から除去してもよい。この成長用の基板の除去は、レーザリフトオ
フ法等を利用して行うことができる。具体的には、基板側から半導体層に、基板を透過す
るレーザ光（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ）を照射し、半導体層と基板との界面で分解
反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する。ただし、成長用の基板は、半導体層から
完全に除去されたものに加えて、半導体層の端部又は隅部に若干の基板が残存していても
よい。なお、半導体層の成長用の基板が除去された発光素子の表面（窒化物半導体積層体
の電極形成面とは反対面）は、凹部を有していてもよく、例えば凹部の深さは平均０．５
μｍ〜２．０μｍ程度である。成長用の基板は、発光素子が基体に実装された前後のいず
れかで除去することができる。

窒化物半導体積層体は、半導体層の成長用の基板が除去されたものである場合、より薄
型化又は小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層
を除去することにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することが
できる。さらに、基板に起因する光散乱を阻止することができる。よって、より発光効率
を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可能となる。発光素子上
面と導光板との距離を小さくすることができる。

また、発光素子は、いわゆるバーティカルダイス又は貼り合わせダイスなどとして公知
の積層構造、例えば、特開２００８−３００７１９号公報、特開２００９−１０２８０号
公報等に記載されたような積層構造を有していてもよい。

発光素子の平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれに近似
する形状が好ましい。発光素子の大きさは、発光装置の大きさによって、その上限を適宜
調整することができる。例えば、発光素子の一辺の長さが、百μｍから２ｍｍ程度が挙げ
られ、１４００×２００μｍ程度、１１００×２００μｍ程度、９００×２００μｍ程度
等が好ましい。

発光素子は、その側面及び上面にうねり及びギザギザがなく、直線性が良好であるもの
が好ましい。これにより、これらのうねり及びギザギザに起因する、微小な外力等による
発光素子のクラックを低減することができる。例えば、発光素子の上面の表面粗さＲａは
１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０〜１５ｎｍ程度が例示される。発光素子の側面
の表面粗さＲａは２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下、０．５μｍ以下が
より好ましい。特に発光素子の側面の表面粗さＲａは０．３μｍ以下が好ましく、０．２
μｍ以下がより好ましい。表面粗さＲａは、例えば、J ＩＳ Ｂ０６０、’０１／ＩＳＯ
４２８７等に準拠した測定法による値を示す。

（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、半導体積層体の同一面側（基板が存在する場合にはその反対
側の面）に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素
子の第１電極と第２電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。

第１電極及び第２電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｔｉ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には
、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａ
ｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。膜厚は、
当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。

また、第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に近い側に、
発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら
電極の一部として配置されることが好ましい。反射率が高い材料としては、銀又は銀合金
やアルミニウムが挙げられる。銀合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いて
もよい。この材料層の厚さは、特に限定されるものではなく、発光素子から出射される光
を効果的に反射することができる厚さ、例えば、２０ｎｍ〜１μｍ程度が挙げられる。こ
の反射率の高い材料層の第１半導体層又は第２半導体層との接触面積は大きいほど好まし
い。

なお、銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その
表面（好ましくは、上面及び端面）を被覆する被覆層を形成することが好ましい。このよ
うな被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によって形成さ
れるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等を含有する単層又は積層
層が挙げられる。なかでも、ＡｌＣｕを用いることが好ましい。被覆層の厚さは、効果的
に銀のマイグレーションを防止するために、数百ｎｍ〜数μｍ程度が挙げられる。

第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に電気的に接続され
ている限り、電極の全面が半導体層に接触していなくてもよいし、第１電極の一部が第１
半導体層の上に及び／又は第２電極の一部が第２半導体層の上に位置していなくてもよい
。つまり、例えば、絶縁膜等を介して、第１電極が第２半導体層上に配置されていてもよ
いし、第２電極が第１半導体層上に配置されていてもよい。これにより、素子接続部との
接続部における第１電極又は第２電極の形状を容易に変更することができ、一対の接続端
子に容易に実装することができる。

ここでの絶縁膜としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用されるものの
単層膜及び積層膜のいずれでもよい。絶縁膜等を用いることにより、第１電極及び第２電
極は、第１半導体層及び／又は第２半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位
置に設定することができる。

第１電極及び第２電極の形状は、半導体積層体の形状、基体の接続端子（より具体的に
は素子接続部）の形状等によって設定することができる。第１電極、第２電極及び素子接
続部は、それぞれが平面視四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。第１電極及
び第２電極の形状と、これらに対応する素子接続部の形状を略同一形状とすることにより
、セルフアライメント効果を利用して、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容
易に行うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面
において、第１電極及び第２電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導
体積層体の中央部分を挟んで、第１電極及び第２電極がそれぞれ配置されていることが好
ましい。

第１電極及び第２電極の第１主面（半導体層とは反対側の面）は、段差を有していても
よいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第２主面（第
１主面と反対側の面）から第１電極の第１主面までの高さと、半導体積層体の第２主面か
ら第２電極の第１主面までの高さとが略同じであることを意味する。ここでの略同じとは
、半導体積層体の高さの±１０％程度の変動は許容される。

このように、第１電極及び第２電極の第１主面を略平坦、つまり、実質的に両者を同一
面に配置することにより、発光素子を基体に水平に実装することが容易となる。このよう
な第１電極及び第２電極を形成するためには、例えば、メッキ等で金属膜を設け、その後
、平坦となるよう研磨又は切削を行うことにより実現することができる。

第１電極と第１半導体層との間及び第２電極と第２半導体層との間に、それぞれ、両者
の電気的な接続を阻害しない範囲で、ＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）層等を配置してもよ
い。ＤＢＲは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層
とを積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の
異なる膜を１／４波長の厚さで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射さ
せることができる。材料として、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選
択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。

発光素子の厚さは、半導体成長用の基板の有無にかかわらず、電極を含む厚さとして、
２００μｍ以下であることが好ましく、１８０μｍ以下、１５０μｍ以下であることがよ
り好ましい。また、基板が除去された窒化物半導体積層体のみによって、２０μｍ以下で
あることが好ましく、１５μｍ以下、１０μｍ以下であることがより好ましい。

発光素子は、窒化物半導体積層体の正負電極の配置面側に、補強層が配置されていても
よい。ここでの補強層とは、窒化物半導体積層体に対して、その強度を補強し得る層であ
れば、絶縁体、半導体及び導電体のいずれの材料から形成されていてもよい。補強層は、
全体として単層又は積層層、複数個所に配置される単層又は積層層等のいずれでもよい。
また、補強層は、その一部が発光素子の機能に必須となる絶縁性及び導電性等を確保する
層であってもよい。特に、発光素子を構成するために用いる膜の一部を厚膜化してもよい
。具体的には、電極等として機能する導電性の層をメッキ、スパッタ法等の公知の方法で
厚膜化してもよい。これらの間に配置される層間絶縁膜、表面保護膜等を厚膜化してもよ
い。これにより、適度な強度を確保しながら、付加的な層を配置せずに、発光装置の大型
化を招くことを防止できる。

例えば、一観点から、発光素子を構成する窒化物半導体積層体及び正負電極、これらの
間で、電気的な絶縁、保護等の目的のために任意に形成された絶縁層以外であって、正負
電極よりも基体側の層を、補強層として機能させることができる。また、別の観点から、
発光素子として機能するために最小限必要な層を厚膜化することにより補強層として機能
させることができる。さらに、このような層に付加的に設けた層を補強層として機能させ
ることができる。これらを補強層として機能させるために、半導体層の成長用の基板を除
く、窒化物半導体積層体、電極、絶縁性の保護膜、電極間を埋める樹脂層等の全体積に対
して、金属材料からなる層の全体積が、５〜９５％程度となるように調節することが好ま
しく、１０〜７０％程度、１５〜５０％程度とすることがより好ましい。さらに、別の観
点から、発光素子の電極と接続されない導電層、このような導電層を電極から絶縁するた
めの絶縁層、保護するための保護層、これらの導電層、絶縁層、保護層等を補強層として
機能させることができる。これらの補強層は、その最も薄い部位において、総厚さが１μ
ｍ程度以上であることが好ましく、３μｍ程度以上、５μｍ以上、１０μｍ以上であるこ
とがより好ましい。適度な厚さを有する補強層を備えることにより、発光装置の強度を確
保しつつ、同時に、素子の大型化又は厚膜化を最小限に止めることができる。

発光素子は、基体にフリップチップ実装されていることが好ましい。この場合、通常、
第１電極及び第２電極が、接合部材によって、上述した基体の接続端子と接合されている
。このような接合部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができ、導電性
の接合部材が挙げられる。具体的には、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-
錫系などの半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを
主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主
成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等
）銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などの
ろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることにより、上述した接続端子の形状、
突出パターンの位置及び大きさと相まって、高精度のセルフアライメント効果を発揮させ
ることができる。よって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上さ
せ、より小型の発光装置を製造することができる。成長用基板を除去する場合、異方性導
電ペースト又は異方性導電フィルムを用いることが好ましい。接合部材は、発光素子を接
続端子に固定した場合に、窒化物半導体積層体の厚さの１／４〜３倍程度の厚さとなるよ
うに設定されていることが好ましく、同等〜３倍程度がより好ましい。これによって、よ
り高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができ、より小型化又は薄型化が可
能となる。例えば、接合部材は、２〜５０μｍ程度の厚さが好ましく、５〜３０μｍ程度
がより好ましい。

〔封止部材〕
封止部材は、少なくとも発光素子の一部を封止（被覆）又は発光素子を基体に固定する
機能を有する部材である。その材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、
誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に
容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１
種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変
性エポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性
シリコーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂
、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテ
レフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレー
ト樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂
、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。

封止部材で用いる樹脂の線膨張係数及びガラス転移温度等は特に限定されず、例えば、
１００ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数が好ましく、８０ｐｐｍ／℃程度以下、６０ｐｐ
ｍ／℃程度以下がより好まく、１００℃以下のガラス転移温度が好ましく、７５℃以下、
５０℃以下がより好ましい。

封止部材は、透光性であってもよいが、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上
、７０％以上、８０％以上、９０％以上の遮光性材料であるものがより好ましい。そのた
めに、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウ
ム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオ
ブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、カーボンブラック、各種希土類酸化物（例えば、酸化イッ
トリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射材、光散乱材又は着色材等を含有させること
が好ましい。封止部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カ
ーボン等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料（例えば、窒化ア
ルミニウム等）を含有させてもよい。さらに、封止部材には、後述する蛍光体を含有させ
てもよい。これらの添加物は、例えば、封止部材の全重量に対して、１０〜９５重量％程
度、２０〜８０重量％程度、３０〜６０重量％程度含有させることが好ましい。

光反射材を含有させることにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができ
る。特に、基体よりも光反射率の高い材料を用いる（例えば、基体に窒化アルミニウムを
用いた場合に、封止部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる）こと
により、ハンドリング性を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効
率を高めることができる。光反射材として二酸化チタンのみ含有させる場合は、封止部材
の全重量に対して、２０〜６０重量％程度含有させることが好ましく、３０〜５０重量％
程度含有させることがより好ましい。

また、封止部材を有することで、半導体層の成長基板又は支持体などを除去、剥離する
などプロセス中の封止部材の強度を向上させることができる。さらに発光装置全体の強度
を確保することができる。封止部材を放熱性の高い材料で形成することによって、発光装
置の小型化を維持したまま、放熱性を向上させることができる。

封止部材の外形は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角形柱
又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台、一部がレンズ状等であってもよ
い。なかでも基体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短
手方向に沿った面を有することが好ましい。

封止部材は、発光素子の少なくとも１つの側面の一部又は全部に接触して、発光素子の
側面を被覆するように配置されていることが好ましく、発光素子の全周囲を取り囲むよう
に、発光素子に接触して配置されていることが好ましい。この場合、封止部材は、発光装
置の長手方向に延長する側面（図１Ｃ中、７ａ）において薄く、短手方向に延長する側面
（図１Ｃ中、７ｂ）において厚く設けられることが好ましい。これにより、発光装置の薄
型化を図ることができる。また、封止部材は、実装された発光素子と基体との間を充填す
るよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。
発光素子と基体との間に配置される封止部材は、発光素子の側面を被覆する材料と異なる
材料であってもよい。これによって、発光素子の側面に配置される封止部材と、発光素子
と基体との間に配置される部材との間で、それぞれ適切な機能を付与することができる。
例えば、発光素子の側面に配置される封止部材は反射率が高い材料、発光素子と基体との
間に配置される部材は両者の密着性を強固とする材料とすることができる。

特に、発光素子と基体との間に配置される封止部材は、接続端子の線膨張係数と同等±
２０％の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましい。別の観点から
、３０ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ま
しく、２５ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。さらに別の観点から、５０℃以下のガラ
ス転移温度が好ましく、０℃以下がより好ましい。これによって、封止部材と基体との剥
がれを防止することができる。

封止部材の平面視（光取り出し面側から見た平面視）における縁部は、基体の縁部より
も内側又は外側に配置してもよい。封止部材が長手方向に細長い形状である場合、その長
手方向に沿う１つの縁部は、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。
つまり、封止部材の長手方向に延びる端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に延びる
端面の一方と同一面を形成することが好ましく、双方が同一面を形成することがより好ま
しい。これにより、発光装置の厚さを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きくす
ることができ、光取出し効率を高めることができる。封止部材の短手方向に沿った縁部は
、基体の短手方向に沿う縁部よりも、通常、内側に配置されている。ここで同一面とは、
厳密な意味のみならず、封止部材が若干のアール形状を有する場合には、そのアール形状
の一部が基体の端面と一致しているものも含む。

封止部材の大きさは、光取り出し面側から見た場合、発光素子よりも大きい平面積であ
ることが好ましい。特に、その最外形の長手方向の長さは、発光素子の一辺の１．０１〜
４．０倍程度の一辺長さを有することが好ましい。具体的には、３００〜２０００μｍ程
度が好ましく、１０００〜１５００μｍ程度がより好ましい。封止部材の厚さ（光取り出
し面側から見た場合の発光素子の端面から封止部材の最外形までの幅又は発光素子の側面
における封止部材の最小幅ともいう）は、例えば、１〜１０００μｍ程度が挙げられ、５
０〜５００μｍ程度、１００〜２００μｍ程度が好ましい。封止部材は、発光素子を基体
上に搭載した場合、封止部材の上面が、発光素子の上面と同一面を形成する高さとするこ
とが好ましい。封止部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、
コンプレッションモールド等により形成することができる。成形機を用いる場合は離型フ
ィルムを用いてもよい。

封止部材は、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等を封止（被
覆）するために、発光素子が基体に実装された後に形成される。さらに、発光素子が基体
に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆するように設けてもよい。

なお、基体に凹部又は貫通孔が形成され、その凹部又は貫通孔に封止部材の一部が充填
されて、封止部材が基体に係止されていてもよい。これにより、封止部材と基体との密着
性を高めて、封止部材の基体からの剥離を防止することができる。

〔透光性部材〕
発光素子はその上面に、つまり、発光装置の光取り出し面には、透光性部材が設けられ
ていることが好ましい。発光素子の側面が遮光性の封止部材で被覆されており、発光素子
の上面が封止部材で被覆されていない場合には、透光性部材は、封止部材の上面を被覆し
ていることが好ましい。透光性部材は、その端面が封止部材で被覆されていても、被覆さ
れていなくてもよい。

透光性部材は、発光層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％
、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、封止部材
と同様の部材であってもよいが、異なる部材であってもよい。例えば、シリコーン樹脂、
シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種
以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又
はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい
。

透光性部材には、発光素子からの光に励起される蛍光体を含有するものが好ましい。蛍
光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活された
イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたル
テチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活
された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、ユ
ウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、βサイアロ
ン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ
_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光
及び二次光の混色光（例えば、白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起され
て可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレ
イのバックライト等に用いられる場合、青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体（
例えば、ＫＳＦ系蛍光体）と、緑色発光する蛍光体（例えば、βサイアロン蛍光体）を用
いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げる
ことができる。照明等に用いられる場合、青緑色に発光する素子と赤色蛍光体とを組み合
わせて用いることができる。

蛍光体は、例えば、中心粒径が５０μｍ以下、３０μｍ以下、１０μｍ以下であるもの
が好ましい。中心粒径は、市販の粒子測定器又は粒度分布測定器等によって測定及び算出
することができる。なお、上記の粒径は、Ｆ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ（Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ
Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ’ｓ Ｎｏ）における空気透過法で得られる粒径を指す。特に、蛍
光体としてＹＡＧ等を用いる場合には、これらの超微粒子を均一に分散して焼結されたバ
ルク体（例えば、板状体）であることが好ましい。このような形態によって、単結晶構造
及び／又は多結晶構造として、ボイド、不純物層を低減し、高い透明性を確保することが
できる。

蛍光体は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい
。これらの材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−Ｖ
Ｉ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_ｘＳｅ_１−ｘ／ＺｎＳ、Ｇａ
Ｐ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。このような蛍光体は、例えば、粒径１〜２
０ｎｍ程度（原子１０〜５０個）程度が挙げられる。このような蛍光体を用いることによ
り、内部散乱を抑制することができ、光の透過率をより一層向上させることができる。内
部散乱を抑制することにより、上面に対して垂直な方向への光の配光成分を増加させるこ
とができ、同時に、発光装置の側面又は下面に向かう光を抑制することができ、よって、
光取り出し効率をより向上させることができる。例えば、バックライトに適用する場合に
、バックライトへの入光効率をさらに増加させることができる。量子ドット蛍光体は、不
安定であるため、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの樹脂で表面修飾又は安定化
してもよい。これらは透明樹脂（例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）に混合され
て成形されたバルク体（例えば、板状体）であってもよいし、ガラス板の間に透明樹脂と
ともに封止された板状体であってもよい。

透光性部材は、粒子状の蛍光体を含む粒子層が複数積層された層状部材であるか、透明
の多結晶の蛍光体板部材であるか、透明の単結晶の蛍光体板部材が好ましい。これによっ
て、透光性部材において、散乱をより一層低減させることができ、光の取り出し効率等を
より一層向上させることができる。蛍光体板部材などの透光性部材の発光素子との接合は
、樹脂接着材を利用してもよいし、表面を清浄、平滑にした後、直接接合技術を用いても
よい。

蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置又は部材
中に設けてもよい。例えば、蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍
光体層として設けられてもよい。

透光性部材は、充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シ
リカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼
結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。任意に、充填材の屈折率を調
整してもよい。例えば、１．８以上が挙げられる。

充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平
均粒径（メジアン径）は、高い効率で光散乱効果を得られる、０．０８〜１０μｍ程度が
好ましい。蛍光体及び／又は充填材は、例えば、透光性部材の全重量に対して１０〜８０
重量％程度が好ましい。

透光性部材を形成する方法は、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式で
又は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法で蛍光体を付着させた後で透光性樹脂を
含浸させる方法、ポッティング、圧縮成型、スプレー法、静電塗布法、印刷法等が挙げら
れる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ（アエロジル）などを添加して
もよい。なかでも、透光性部材に蛍光体を含有させる場合には、スプレー法、特に、パル
ス状、すなわち間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー方式が好ましい。間欠的にス
プレー噴射することにより、単位時間当たりの透光性部材の噴射量を少なくすることがで
きる。このため、スプレー噴射のノズルを、少ない噴射量でスプレー噴射させながら低速
で移動させることにより、凹凸形状を有する塗布面に均一に蛍光体を塗布することができ
る。また、パルススプレー方式では、連続スプレー方式に比べて、ノズルからのスラリー
の噴出速度を低減することなく、エアの風速を低減することができる。このため、塗布面
に良好にスラリーを供給することができ、かつ、塗布されたスラリーがエア流によって乱
されない。その結果、蛍光体の粒子と発光素子の表面との密着性が高い塗布膜を形成する
ことができる。また、粒子状の蛍光体を含む薄膜の粒子層を複数の積層数で形成すること
ができる。このように、積層数を制御することによって、その厚さの精度を向上させるこ
とができる。また、蛍光体の分布の偏りを抑制することができ、均一に波長変換した光を
出射させることができ、発光素子の色むら等の発生を回避することができる。

パルススプレー法は、例えば、特開昭６１−１６１１７５号公報、特開２００３−３０
００００号公報及びＷＯ２０１３／０３８９５３号公報に記載された公知の方法であり、
適宜、その使用材料、条件等を調整することができる。例えば、塗布されるスラリーは、
溶剤と、熱硬化性樹脂と、粒子状の蛍光体とが含有される。熱硬化性樹脂としては、例え
ば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などを用いることができる。溶剤として
は、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、トルエン、アセトン、イソプロピルアルコールなどの
有機溶剤を用いることができる。蛍光体は、例えば、１０〜８０重量％で使用することが
好ましい。スラリーは、０．０１〜１０００ｍＰａ・ｓ程度に調整することが好ましく、
０．１〜１００ｍＰａ・ｓ程度がより好ましい。

透光性部材の厚さは特に限定されるものではなく、例えば、１〜３００μｍ程度が挙げ
られ、１〜１００μｍ程度が好ましく、２〜６０μｍ程度、５〜４０μｍ程度がより好ま
しい。なかでも、スプレー法によって積層する場合には、透光性部材は、窒化物半導体積
層体の全厚さの２０倍以下の厚さであることが好ましく、１０倍以下がより好ましく、６
倍以下、４倍以下、３倍以下がさらに好ましい。このような厚さとすることにより、光の
波長変換を十分に行いながら、より小型で薄膜の発光装置を提供することができる。別の
観点から、透光性部材は、発光素子の側面における封止部材の厚さの２倍以下の厚さを有
することが好ましく、最小幅の２倍以下とすることがより好ましく、同等以下がさらに好
ましい。このような比較的薄い厚さとすることにより、後述するように、封止部材での被
覆の有無にかかわらず、発光素子から出射される光を、透光性部材の端面（側面）から出
射させることなく、光取り出し面の１方向にのみ、光を取り出すことができる。よって、
光取り出し効率を向上させることができる。

特に、バックライト用途においては、このような比較的薄い厚さの透光性部材は、発光
素子の発光効率及びバックライトの発光効率をより高めることができる。例えば、上述し
たように、正面光に対する側面光の割合を減らすことができ、バックライトの導光板への
入光効率を高めることができる。また、樹脂量を少なくすることができるので、熱放射率
の比較的低い透明樹脂の割合を低減することができ、蓄熱を減らすことができる。同時に
発光素子と蛍光体又は蛍光体同士の接触面積を増やすことができるため、伝熱経路を確保
できる。よって、放熱性を改善して、発光効率を改善することができる。さらに、発光素
子表面から導光板入光までの距離を最小にすることができるため、より高輝度でバックラ
イトの導光板に入光させることができ、バックライトでの発光効率を高めることができる
。

透光性部材の上面（光取り出し面）は平面であってもよく、配光を制御するために、そ
の上面（光取り出し面）及び／又は発光素子と接する面を凸面、凹面等の凹凸面にしても
よい。上述したように、粒子状の蛍光体を含む複数の粒子層が積層されている場合には、
蛍光体の粒径に対応した凹凸が、透光性部材の表面に引き継がれることとなる。これによ
り、蛍光体を含有する、薄い透光性部材を積層することで蛍光体の凝集を防止し、その脱
落を防止しながら、樹脂を減らして適度な凹凸形状を得ることができる。その結果、光取
出しに有効となる。つまり、透光性部材の変色又は寿命、放熱性を考慮すると、透光性部
材のような樹脂含有部材は、接着強度等が維持できる限り薄い方が好ましい。その一方で
透光性部材の脱落の懸念があった。しかし、樹脂を減らして適度な凹凸形状を得ることに
より、これらの問題を解消することができる。

透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着して、発光装置
に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体積
層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材に
接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子の
実装の信頼性等を高めることができる。

〔発光装置の寸法関係〕
本発明の発光装置は、別の観点から、例えば、図５Ａ及び５Ｂに示すように、基体Ｍの
上に搭載された発光素子部（発光素子、封止部材及び透光性部材を含む）Ｎにおいて、
基体Ｍの厚さ：Ｅ
基体Ｍの短手方向の長さ：Ａ
基体Ｍと発光素子Ｎとの総高さ：Ｂ
発光素子部Ｎ（透光性部材Ｑ）の短手方向の長さ：Ｃ（＝Ｆ）
発光素子部Ｎ（透光性部材Ｑ）の長手方向の長さ：Ｄ（＝Ｊ）とした場合、
Ｂ≧Ａ （１）
Ｄ≧Ｃ （２）
Ａ≧Ｃ （３）
Ｅ≧Ａ （４）を満たすことが好ましい。

これにより、本発明の発光装置の長手方向の側面を実装面とした場合（側面実装）、安
定性を確保することができる。特に、（１）を満たすことにより、側面実装がしやすくな
る。また、（２）を満たすことにより、側面実装をした場合に、より安定した構造となる
。（３）を満たし、かつ、実装面と封止部材の長手方向の側面とを離間させることにより
、実装時に半田が発光素子方向に侵入することを防止することができる。同時に、基体Ｍ
の長手方向の側面で実装基板に安定的に保持することができる。（４）を満たすことによ
り、安定した実装が可能となる。これら（１）〜（４）を組み合わせることによって、さ
らに安定した側面実装が可能となる。また、例えば、発光装置の基体にスルーホールを形
成し、そこに比重の重い金属等を埋め込むことにより重心を偏心させることにより、側面
実装を容易にしてもよい。さらに、半田フィレットの形状制御によって、半田の表面張力
を利用して側面実装を確実にしてもよい。これらは、任意に１以上を組み合わせることが
できる。

また、図５Ｂに示すように、発光素子部Ｎの一部を構成する透光性部材Ｑにおいて、
透光性部材Ｑの厚さ：Ｇ
透光性部材Ｑの短手方向の長さ：Ｆ
透光性部材Ｑの長手方向の長さ：Ｊ
発光素子の上面の短手方向の長さ：Ｈ
発光素子の長手方向の長さ：Ｉ
封止部材の長手方向に延長する端面から発光素子の長手方向に延長する端面の幅：Ｌ
封止部材の短手方向に延長する端面から発光素子の短手方向に延長する端面の幅：Ｋと
した場合、
側面発光面積：２×｛Ｇ×（Ｆ＋Ｊ）｝
上面発光面積：Ｆ×Ｊであり、
Ｇ≦１００μｍ、好ましくはＧ≦５０μｍ （５）
Ｆ×Ｊ≧２×｛Ｇ×（Ｆ＋Ｊ）｝ （６）を満たすことが好ましい。

本発光装置は、主にサイドビュー型の発光装置で、特に液晶バックライトに用いられる
導光板に光を入射させることができる。そのため、光の配光を制御し、正面輝度を上げる
ことが重要である。従って、（６）を満たすことが好ましい。これにより発光装置の透光
性部材の上面発光を強くすることができ、バックライト用として効率の良い発光を得るこ
とができる。また、図５Ｂ中の点線で示す発光素子Ｉ×Ｈの直上のみを透光性部材とし、
外周を遮光性の封止樹脂で封止することによって、より正面の光束が増し、導光板への入
射効率を高めることができる。

さらに、図５Ｃに示すように、発光装置をバックライト用途に用いる場合、透光性部材
１０の上面を導光板７５に接着させて使用する形態において、発光素子５の上面から導光
板７５への距離Ｒをより短くすることが好ましい。発光素子５の上面と導光板７５との間
の距離Ｒは、１００μｍ程度以下であることが好ましく、４０〜１００μｍ程度がより好
ましい。ただし、蛍光体を含有しない場合は、１０μｍ程度以下であることが好ましい。
この場合、透光性部材１０の上面は、サファイア等の基板であってもよいし、サファイア
等の基板又は窒化物半導体層をコーティングしたコーティング層であってもよい。なお、
距離Ｒは、発光面の全ての部位において、上述した距離を満たすことが好ましい。発光素
子５の上面に極めて薄い透光性部材１０を配置する場合には、発光素子５上面と導光板７
５との間での光散乱を最小とすることができる。また、透光性部材１０を、内部の光散乱
が少ない量子ドット蛍光体又は透明の蛍光体板とすることにより、より一層上面の輝度を
上げることができる。このように、発光素子５から導光板７５の距離を小さくすることに
より、導光板への光の入射効率を向上させることができる。

以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。

＜実施の形態１＞
本実施形態の発光装置１は、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、基体４と、発光素子５と、
封止部材７と、を含んで構成されている。基体４は、母材２と、接続端子３と、を有する
。母材２は、長手方向と該長手方向に直交する短手方向を有する第１主面２ａと、第１主
面２ａの反対側の第２主面２ｂと、長手方向に延びる第１端面２ｃと、短手方向に延びる
第２端面２ｄと、を含む。接続端子３は、少なくとも正負一対あって、母材の第１主面２
ａ上に設けられている。ここでは、接続端子３は、母材２の第１主面２ａである上面、短
手方向に延びる第２端面２ｄ及び第２主面２ｂである下面に、母材２側からＣｕ／Ｎｉ／
Ａｕ（合計厚さ：２０μｍ、線膨張係数：２０ｐｐｍ／℃程度）が積層されて構成されて
いる。基体４は、長手方向の長さが１．８ｍｍ、短手方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．
４５ｍｍであり、配線基板として機能する。基体４の強度は、引っ張り試験機によって測
定される値が３００ＭＰａ以上である。

母材２は、市販のガラスクロスを含有するナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢ
Ｔ樹脂組成物からなる（三菱瓦斯化学社製：ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ）。母材
２は、ガラス繊維、球状シリカ、球状シリコーン、カーボンを含有する。母材２は、少な
くとも後述する窪み部２５がない状態において、直方体形状を有する。母材２（接続端子
なしの状態）の線膨張係数は３ｐｐｍ／℃程度であり、それを構成する樹脂のガラス転移
温度は２８０℃程度である。

一対の接続端子３は、母材２の第１主面２ａ側の長手方向中央部において、互いに接近
し、素子接続部として突出パターン３ａを有する。突出パターン３ａは、例えば銅からな
る層（厚さ２０μｍ）によって形成される。突出パターン３ａは、例えばマスクを利用し
たメッキによって形成することができる。この突出パターン３ａは、後述する発光素子５
に形成されている一対の電極と対向する位置において、それらの大きさと同等の大きさで
ある。一対の接続端子３は其々、素子接続部である突出パターン３ａから長手方向に延び
て、母材２の第１主面２ａから第２端面２ｄを経て第２主面２ｂに連続して形成されてい
る。接続端子３では、素子接続部である突出パターン３ａから延長して母材２の第２主面
２ｂに連続する部位（断面視Ｕ字状の部位）が外部接続部３ｂとなる（図１Ｂ参照）。接
続端子３の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に略一致している。
接続端子３の長手方向に延びる端面は、基体４の長手方向に延びる端面と略同一面を形成
している。

接続端子３は、突出パターン３ａと外部接続部３ｂとの間において、幅狭となる部位を
有する（図１Ｃ参照）。

母材の第１主面２ａ側において、基体４上の封止部材７の両側で、接続端子３の幅狭の
部位の一部と外部接続部３ｂが封止部材７から露出されている。母材の第２主面２ｂ側に
おいて、接続端子３が配置されていない部位に補強、放熱等のために、金属層３ｄが配置
されている。この金属層３ｄの上を含む領域において、２つの絶縁性の膜８が形成されて
いる。２つの絶縁性の膜８は、大きさが異なり、発光装置のアノード及びカソードを区別
するマークとして機能させることができる。

基体の第１主面２ａ上には、発光素子５が搭載され、接続端子３に接続されている。よ
り詳細には、接続端子３の突出パターン３ａには、１つの発光素子５がフリップチップ実
装されている。発光素子５は、サファイア基板（厚さ：１５０μｍ程度）上に窒化物半導
体の積層体（厚さ：８〜１２μｍ程度）が形成され、積層体のサファイア基板と反対側の
表面に正負一対の電極を有する。発光素子５は、正負一対の電極が其々、基体４の一対の
接続端子３の突出パターン３ａに、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田である溶融性の接合部材６（厚さ
：２０μｍ）によって接続されている。接合部材６は、突出パターン３ａを略完全に被覆
している。サファイア基板の表面は凹凸（高さ：０．５μｍ、ピッチ：１０μｍ）を有し
ているため、窒化物半導体積層体の対応する面にも、これに起因する凹凸を有する。この
ような接続端子の突出パターン３ａを利用することによって、発光素子５の実装時におい
て、その形状及び位置と相まって、溶融性の接合部材６の量的なコントロールを行うこと
により、意図しない領域への接合部材６の侵入を防止することができる。その結果、発光
素子５を高精度にアライメントさせ、発光素子５を適所に固定することができる。

発光素子５は、長手方向の長さが０．９ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ、厚さが０．
１５ｍｍの直方体状の青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。発
光素子５は、その側面の表面粗さＲａが１．０μｍ以下である。

封止部材７は、長手方向の長さ（全長）が１．２ｍｍ、短手方向の幅（全長）が０．３
ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの略直方体状の外形に形成されている。つまり、封止部材７の
長手方向に沿った縁部は其々、基体４の長手方向に沿った縁部と略一致している。封止部
材７は、発光素子５に接し、その側面の全周に接触して被覆するように、基体４の第１主
面に設けられている。また、封止部材７は、発光素子５の基体４と対向する面側にも設け
られている。より詳細には、封止部材７は、接合部材６の表面（周囲）を略完全に被覆し
ており、さらに発光素子５と基体４の間に設けられている。これによって、発光素子５か
ら上方に効率良く光を取り出すことができる。また、封止部材７が、発光素子５の基体４
と対向する面側にも設けられていることによって、より強固に発光素子５を基体４に接続
させることができる。封止部材７の上面は、発光素子５の上面と略一致している。

封止部材７は、平均粒径１４μｍのシリカと、無機粒子として平均粒径０．２５〜０．
３μｍの酸化チタンと、を其々、封止部材７の全重量に対して、２〜２．５ｗｔ％及び４
０〜５０ｗｔ％で含有するシリコーン樹脂によって形成されている。シリコーン樹脂のガ
ラス転移温度は４０℃であり、線膨張係数は５０ｐｐｍ／℃程度である。封止部材７の長
手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に略一致している。封止部材７の
長手方向に延びる端面は、基体４の長手方向に延びる端面と略同一面を形成している。

発光素子５上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に透光性部材１０（厚さ：２０
μｍ）が配置されている。この透光性部材１０は、中心粒径が８μｍ程度のＹＡＧ：Ｃｅ
の蛍光体を含有するシリコーン樹脂が、パルススプレー法によって、３層積層されて形成
されたものである。透光性部材１０は、封止部材７の上面を被覆している。透光性部材１
０の端面は、封止部材７の端面と略一致している。

このような発光装置は、発光素子を搭載する基体が、極めて線膨張係数が低いために、
製造工程中及び後に負荷される熱による発光素子と基体との間の線膨張の差異を極めて低
く抑えることができる。これによって、両者の線膨張差に起因する両者間の剥がれ又は発
光素子への不要な応力負荷を防止することができ、電気的接続を確保することができる。
その結果、寿命が長く、優れた特性を有する発光装置を得ることができる。

上述したように、基体を構成する母材は、２５０℃以上の高いガラス転移温度を有し、
線膨張係数の小さい樹脂によって形成している。この樹脂に、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ガ
ラスクロスなどの無機フィラーを、任意に、放熱性を有するカーボンブラック、弾性率を
付与するシリコーンフィラー等を、高い割合で含有させている。これにより、発光素子の
駆動で発生した熱を効率良く放熱することができる。特に、カーボンブラックなどで黒色
に着色した母材に用いる場合には、遠赤外線などの放射率が高いため、熱放射により、効
率的に放熱することができる。また、基体の封止部材と接する面側を熱吸収率の高い材料
、可視域の電磁波の吸収率が低い材料、遠赤外線などの長波長の電磁波を吸収する材料、
熱伝導率の高い材料で塗装する場合には、より放熱性を高めることができる。これによっ
て、小型の発光装置の放熱性を改善し、蛍光体による光の波長変換効率を改善することが
できるとともに、発光素子の発光効率を改善することができる。

ここで、母材の第１端面２ｃは、第１主面２ａと第２端面２ｄに連続する、及び／又は
第２主面２ｂと第２端面２ｄに連続する、窪み部２５を有している。窪み部２５は、短手
方向の深さｄより長手方向の長さ（幅）ｗのほうが大きい。そして、接続端子３は、窪み
部２５上に延長して設けられている。なお、窪み部２５は、母材２の長手方向の両側に其
々設けられているが、一方の側についてのみ言及し、他方の側も同様として説明を省略す
る。

このように、窪み部２５を形成することにより、基体４の分割端面である第１端面２ｃ
側に接続端子３（外部接続部３ｂ）を延長して設けることができる。ひいては、基体４の
半田接合面積を増大させ、発光装置１の半田接合強度を高めることができる。また、加え
て、窪み部２５を、母材２の長手方向に長く、母材２の短手方向に短く（浅く）形成する
ことにより、基体の（特に端部の）機械的強度を維持することができ、母材２の割れや欠
けを抑制することができる。したがって、発光装置１は、薄型であっても、基体４の機械
的強度を維持しながら、高い半田接合強度を得ることができる。

接続端子３は、第２端面２ｄ上に延長して設けられている。これによって、発光装置１
の側面に半田フィレットを形成することができ、発光装置１の半田接合強度をよりいっそ
う高めることができる。さらに、接続端子３は、第２端面２ｄを経て第２主面２ｂ上に延
長して設けられていると、なお良い。

窪み部２５は、第１主面２ａと第２主面２ｂに連続している。これによって、窪み部２
５と実装基板（後述する実装基板５１）の間に溶融した半田を濡れ広がらせやすく、発光
装置１の半田接合強度を高めやすい。このような形態は、後述する第２溝１５ｂを第１主
面２ａから第２主面２ｂまで貫通させることで形成することができる。また、後述する第
２溝１５ｂを非貫通の溝とすることで、窪み部２５は、第１主面２ａと第２主面２ｂのい
ずれか一方のみに連続するように形成することもできる。このほか、後述する第２溝１５
ｂを例えば波線状など曲げて形成することで、窪み部２５は、凹凸を有するように形成す
ることもできる。窪み部２５は、母材２の長手方向の両側に其々複数設けられてもよいが
、母材２の長手方向の両端に１つずつ設けられることが好ましい。

窪み部２５の短手方向の深さｄは、例えば０．２５ｍｍ以下であり、０．１ｍｍ以下で
あることが好ましく、０．０５ｍｍ以下であることがより好ましい。窪み部２５の短手方
向の深さｄがこのような範囲であれば、基体４の機械的強度を維持しやすく、母材２の割
れや欠けを抑制しやすい。特に、窪み部２５の短手方向の深さｄが０．０２ｍｍ以下であ
ると、溶融した半田を、窪み部２５と実装基板（後述する実装基板５１）の間に、毛細管
現象を利用して濡れ広がらせることができる。窪み部２５の短手方向の深さｄの下限値は
、例えば０．００５ｍｍ以上である。窪み部２５の長手方向の長さｗは、例えば０．０５
ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり、０．１ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下であることが好ましく
、０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下であることがより好ましい。また、窪み部２５及びその
上に延在する接続端子３は、封止部材７から離間していることが好ましい。

窪み部２５の長手方向の長さｗに対する短手方向の深さｄの比は、０．５以下であるこ
とが好ましく、０．２５以下であることがより好ましく、０．２以下であることがよりい
っそう好ましい。また、基体の母材２の短手方向の幅（最大幅）に対する窪み部２５の短
手方向の深さｄの比は、０．５以下であることが好ましく、０．２５以下であることがよ
り好ましく、０．２以下であることがよりいっそう好ましい。窪み部２５をこのような形
状に形成することにより、基体４の機械的強度を維持しやすく、母材２の割れや欠けを抑
制しやすい。

基体の母材２の短手方向の幅（最大幅）は、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０
．４ｍｍ以下であることがより好ましく、０．３ｍｍ以下であることがよりいっそう好ま
しい。基体４の短手方向の幅がこのような範囲であれば、発光装置１を薄型に形成するこ
とができ、窪み部２５が効果を奏しやすい。

窪み部２５は、長手方向に延びる一対の端面の双方に設けられてもよいが、長手方向に
延びる一対の端面のうちの一方にのみ設けられることが、基体４の機械的強度を維持する
観点において好ましい。

この発光装置１は、図２に示すように、基体４の長手方向に延びる一対の端面と、封止
部材７の長手方向に延びる一対の端面と、が其々、略同一面を形成するように配置されて
いる。発光装置１は、これらの略同一面を形成する一方の端面を、発光装置１の実装面と
して、表面に配線パターン５２を有する実装基板５１上において、サイドビュー型で実装
される。実装は、発光装置１の一対の外部接続部３ｂが其々、実装基板５１の正極及び負
極に対応する配線パターン５２上に載置され、半田５３により接合されることによりなさ
れる。半田５３は、Ｕ字状に屈曲した外部接続部３ｂにおいて、基体４の第１主面のみな
らず、第２端面及び第２主面にわたって、小型の接続端子３と接触している。これによっ
て、発光装置１の側面に半田フィレットを形成することができ、発光装置１の放熱性及び
実装安定性を向上させることができる。また、半田５３は、窪み部２５と実装基板５１の
間にも設けられ、窪み部２５上に形成された接続端子３とも接触している。これによって
、発光装置１と半田５３との接触面積をさらに増大でき、発光装置１の放熱性及び実装安
定性をよりいっそう向上させることができる。

また、接続端子３において、突出パターン３ａと外部接続部３ｂとの間に幅狭となる部
位を配置することにより、外部接続部３ｂに接続される半田５３又はこれに含まれるフラ
ックスなどが、封止部材７下に浸入するのを抑制することができる。

さらに、封止部材７の長手方向に延びる端面及び基体４の長手方向に延びる端面の双方
が実装基板５１の表面に接していることが、発光装置１の放熱性の向上などの観点から好
ましい。

このような発光装置１は、図３Ａ〜図３Ｃに示すように、母材１２に複合接続端子１３
が形成された複合基体１４を用いて製造することができる。この複合基体１４は、個片化
工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。この複合基体１
４は、母材１２において、第１溝１５ａと第２溝１５ｂを有している。ここでは、第１溝
１５ａと第２溝１５ｂは、母材１２の上面から下面（裏面）に及ぶ貫通溝（スリット）で
ある。第１溝１５ａ及び第２溝１５ｂは、エンドミルなどによる機械的切削、レーザ照射
、金型成形、予備成形シートの積層・焼結などにより形成することができる。第１溝１５
ａは、複合基体１４上において縦方向に延長する直線状の溝であって、互いに略平行に複
数設けられている。第１溝１５ａの内壁は、個片化工程後に、各発光装置の基体の第２端
面２ｄを構成するようになる。第２溝１５ｂは、複合基体１４上において横方向に延長す
る直線状の溝であって、互いに略平行に複数設けられている。第２溝１５ｂは、第１溝１
５ａに連続して設けられている。より詳細には、第２溝１５ｂは、第１溝１５ａに略垂直
に交差している。第２溝１５ｂの内壁は、個片化工程後に、各発光装置の基体の第１端面
２ｃの窪み部２５を構成するようになる。第２溝部１５ｂは、例えば、上面視において一
方向に長い矩形状（角は丸みを帯びていてもよい）に設けられる。第２溝１５ｂは、第１
溝１５ａより幅が小さいことが好ましい。また、第２溝１５ｂは、加工精度に優れるレー
ザ照射により形成されることが好ましい。そして、複合接続端子１３は、この第１溝１５
ａと第２溝１５ｂの内壁にも設けられている。また、複合接続端子１３は、この第１溝１
５ａと第２溝１５ｂの内壁を通って、複合基体１４の母材１２の上面から下面に連続して
設けられていることが好ましい。なお、図３Ａ〜図３Ｃでは、１８個の発光装置を得る複
合基体１４を表しているが、生産効率を考慮して、より多数（数百〜数千個）の発光装置
を得る複合基体１４とすることができる。

このような複合基体１４上に、発光素子５を接続し、発光素子５の端面を被覆するよう
、複数の封止部材１７を一括でトランスファー成型により成形する。その後、封止部材か
ら露出している複合基体１４の上面をマスクして、封止部材１７の上面から露出した発光
素子５の上面及び封止部材１７の上面を、例えばパルススプレー法によって、透光性部材
１０で被覆する。その後、複合基体１４と封止部材１７とを分割予定線Ｌに沿って一方向
（横方向）に切断する。これによって、第１溝１５ａの配置により、第１溝１５ａの延長
方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光装置を得ることができる。切断の
工具には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。なお、このとき、図３（ａ）及
び（ｃ）に示すように、第２溝１５ｂ上に通って複合基体１４を切断するが、第２溝１５
ｂの内壁の一部及びその上に設けられた複合接続端子１３が個片化後の各発光装置に残る
ように複合基体１４を切断する。例えば、分割予定線Ｌを第２溝１５ｂの中央線からずら
す、及び／又は第２溝１５ｂの幅より小さい厚さ（切削幅）の切断工具を使用する、など
すればよい。また、本実施の形態では、透光性部材１０を発光素子５の上面から封止部材
１７の上面にかけてパルススプレー法により形成しているが、発光素子５の上面にのみ透
光性部材１０を形成してもよい。また、発光素子５と平面視において略同じ形状の板状の
透光性部材１０を発光素子５の上面に接着し、発光素子５及び透光性部材１０の端面を被
覆するよう封止部材１７を形成してもよい。

＜実施の形態２＞
本実施形態の発光装置２１は、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、接続端子２３を有する基
体２４と、複数の発光素子５と、封止部材２７とを含んで構成されている。接続端子２３
は、母材２２の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して配置されている
。また、母材２２の上面においては、複数の発光素子５を、例えば、直列接続し得る端子
２９がさらに配置されている。基体２４の一面上において、接続端子２３及び端子２９は
、素子接続部として突出パターン２３ａをそれぞれ有しており、この突出パターン２３ａ
上において発光素子５が溶融性の接合部材６によってフリップチップ実装されている。

発光素子５は、複数が一列に整列して配置されている。なお、一列のみならず、行列方
向に配置されていてもよい。

母材２２は、２つの発光素子５の間つまり長手方向の略中央に、スルーホールを有して
いる。端子２９は、このスルーホールを埋め込み、母材２２の第２主面２ｂ上に外部接続
部２３ｂ（第２の外部接続部）を形成している。このような第２の外部接続部２３ｂは、
発光装置２１の半田接合強度の増大させるほか、放熱用の端子としても機能する。また、
母材２２の第２主面２ｂ上には、２つの絶縁性の膜８が形成されている。

封止部材２７は、これら複数の発光素子５を一体的に封止している。封止部材２７の長
手方向に延びる端面は、基体２４の長手方向に延びる端面と略同一面を形成している。封
止部材２７の短手方向に沿った縁部は、基体２４の内側に配置されている。

上述した構成以外は実質的に実施の形態１と同様の構成を有する。よって、実施の形態
１と同様の効果を示す。さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー
型の発光装置として利用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュ
ー型の発光装置を、それぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させる
ことができる。また、例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向
上させることができる。

このように、発光素子５が複数搭載される場合には、基体２４がより長尺に形成されや
すくなるが、上述のような窪み部２５であれば、基体２４の機械的強度を維持しながら、
半田接合強度を高めることができる。

以上、窪み部２５が第２端面２ｄに連続する例について示したが、変形例として、基体
の母材２の第１端面２ｃに設けられる窪み部が、第１主面２ａ及び／又は第２主面２ｂに
は連続するが、第２端面２ｄから離間して設けられ、接続端子が窪み部上に延長して設け
られる形態が挙げられる。これによって、基体の母材２の角が切り欠かれず、基体の長手
方向の端部が薄肉になるのを回避しながら、発光装置の半田接合強度を高めることができ
る。また、発光装置が立って実装されてしまうこと（マンハッタン現象）を抑制すること
ができる。この場合も、窪み部は、短手方向の深さより長手方向の長さのほうが大きいこ
とが好ましく、また上述の窪み部２５に係る他の好ましい形態についても同様に好ましい
が、それらに限定はされない。この形態の製造方法としては、第２溝１５ｂを第１溝１５
ａから離間して設ければよい。

本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディ
スプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファ
クシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用す
ることができる。

１、２１…発光装置
２、１２、２２…母材
２ａ…第１主面（上面）
２ｂ…第２主面（下面）
２ｃ…第１端面
２ｄ…第２端面
３、２３…接続端子
３ａ、２３ａ…突出パターン
３ｂ、２３ｂ…外部接続部
３ｄ…金属層
４、２４…基体
５…発光素子
６…接合部材
７、１７、２７…封止部材
７ａ…長手方向に延長する側面
７ｂ…短手方向に延長する側面
８…絶縁性の膜
１０…透光性部材
１３…複合接続端子
１４…複合基体
１５ａ…第１溝
１５ｂ…第２溝
２５…窪み部
２９…端子
５１…実装基板
５２…配線パターン
５３…半田
７５…導光板

Claims (6)

1. 長手方向と該長手方向に直交する短手方向を有する第１主面と、該第１主面の反対側の第２主面と、前記長手方向に延びる第１端面と、前記短手方向に延びる第２端面とを含む母材と、前記母材の少なくとも前記第１主面上に設けられた接続端子とを有する基体及び
   前記接続端子に接続されて前記第１主面上に搭載された発光素子を備える発光装置であって、
   該発光装置の短手方向は、前記発光素子の一辺の長さの１．１〜１．５倍の長さを有し、
   前記母材の前記第１端面は、前記第１主面と前記第２主面のいずれか一方のみに連続する窪み部を有し、
   封止部材は、光反射材を含有し、前記発光素子の全周囲を取り囲むように前記発光素子に接触して配置されており、前記短手方向に延長する側面における厚みは、前記長手方向に延長する側面における厚みよりも厚く設けられており、
   前記接続端子は、
   前記発光素子が搭載された素子接続部と、
   前記素子接続部から延長して設けられ、かつ前記素子接続部よりも幅狭となる部位と、
   前記幅狭となる部位と電気的に接続された外部接続部とを有し、
   前記幅狭となる部位及び前記外部接続部が前記封止部材から露出しており、
   前記外部接続部は、前記窪み部を有する前記第１端面を下に向けて配置した場合に、前記窪み部及びその上に延長して設けられている発光装置。
2. 前記窪み部が、前記第２端面から離間している請求項１に記載の発光装置。
3. 前記窪み部が、前記第２端面に連続している請求項１に記載の発光装置。
4. 前記母材は、前記第１主面と、前記第２主面とを貫通するスルーホールを有する請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記窪み部は、前記短手方向の深さよりも前記長手方向の深さのほうが長い請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記接続端子は、前記素子接続部として突出パターンを有し、該突出パターン上において、前記発光素子が溶融性の接合部材によってフリップチップ実装されている請求項１から５のいずれか一項に記載の発光装置。

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