JP2014179569A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、(a)基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と第2半導体層と、を含む半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続されるn側電極と、前記第2半導体層と電気的に接続されるp側電極と、前記基板の反対側の面において、前記第1半導体層と前記第2半導体層に重なるよう設けられた金属部材を有する構造体を準備し、(b)p側配線およびn側配線を同一面上に有する支持体を準備し、(c)前記構造体のp側電極およびn側電極と前記支持体のp側配線およびn側配線とを、導電性粒子および第1樹脂を含む異方性導電材料を用いて、それぞれ電気的に接続し、その後、(d)前記基板を前記構造体から除去して発光素子とすることを含む、発光装置の製造方法。
【選択図】図1
Description
(a)基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と第2半導体層と、を含む半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続されるn側電極と、前記第2半導体層と電気的に接続されるp側電極と、前記基板の反対側の面において、前記第1半導体層と前記第2半導体層に重なるよう設けられた金属部材を有する構造体を準備し、
(b)p側配線およびn側配線を同一面上に有する支持体を準備し、
(c)前記構造体のp側電極およびn側電極と前記支持体のp側配線およびn側配線とを、導電性粒子および第1樹脂を含む異方性導電材料を用いて、それぞれ電気的に接続し、その後、
(d)前記基板を前記構造体から除去して発光素子とすることを含む、発光装置の製造方法が提供される。
これによれば、発光素子の光取出し面側の最上面を半導体層とすることで、高い光取出し効率を得ることができる。更に、第1半導体層と、第2半導体層と、第1半導体層と電気的に接続されるn側電極と、前記第2半導体層と電気的に接続されるp側電極と、前記第2半導体層側の面において、前記第1半導体層と前記第2半導体層に重なるよう設けられた金属部材とを有する発光素子と支持体との間において異方性導電材料を使用して、支持体と発光素子との間に異方性導電材料を充填することで、発光素子の支持および補強と電気的な接続とを同時に実現することができるとともに、発光素子の強度を高めることができるため、量産性や信頼性の高い発光装置とすることができる。
本実施形態は、図1に示すように、第1半導体層2と、活性層3と、第2半導体層4を有する半導体層5と、第2半導体層上に設けられた絶縁層62と、第2半導体層4と重なるよう前記絶縁層62上に設けられる前記第1半導体層2と電気的に接続されるn側電極6bと、前記第2半導体層4と電気的に接続されるp側電極6aと、を備える構造体7の発光素子9’のp側電極6aおよびn側電極6bと、基体12を備える支持体20のp側配線11aおよびn側配線11bとが、導電性粒子21とバインダ樹脂22を備える異方性導電材料23によって、それぞれ電気的に接続されている態様に関する。そして、基板1は半導体層5から除去されている。
まず、図2(a)〜(f)に示すように、基板と、第1半導体層と、第2半導体層と、第2半導体層上に設けられた絶縁層と、第2半導体層と重なるよう前記絶縁層上に設けられる前記第1半導体層と電気的に接続されるn側電極と、前記第2半導体層と電気的に接続されるp側電極と、を有する構造体7を準備する。
本発明の発光装置において、発光素子は複数の導電部材と複数の絶縁層(例えばそれぞれ2層以上)を有していてもよい。
異方性導電材料として、フィルム状の異方性導電材料(ACF)を用いること以外は、実施例1と同様に発光装置を製造する。本実施例では、支持体20上にフィルム状の異方性導電材料23を載置することで、ディスペンス法によらず異方性導電材料23を供給できるため、量産性を向上させることができる。また、本実施例では、液状の異方性導電材料を用いる場合と異なり、壁部23aが高く形成されないため、壁部を除去する工程を削減することができ、量産性を向上させることができる。(図15参照)
2 n型半導体層
3 活性層
4 p型半導体層
5 半導体層
5a 上面
6a p側電極(金属部材)
6b n側電極(金属部材)
61a p側導電部材(p側第1導電部材)
61b n側導電部材(n側第1導電部材)
62 絶縁層(第1絶縁層)
63a 貫通孔(第1貫通孔)
63b 貫通孔(第1貫通孔)
64a p側第2導電部材
64b n側第2導電部材
65 第2絶縁層
66a 第2貫通孔
66b 第2貫通孔
7構造体
8a、8b バンプ
9、10、91、92 チップ
9’、10’、91’、92’ 発光素子
11a p側配線
11b n側配線
12 基材
13a、13b リード
14a、14b ビア
20 支持体
200 集合基板
21 導電性粒子
21a コア(第2樹脂)
21b 導電性層
22 バインダ樹脂(第1樹脂)
23 異方性導電材料
23a 壁部
24、24’ヒートツール
32、32’蛍光体層
33 封止樹脂(第3樹脂)
41、42 発光装置
Claims (13)
- 発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、
(a)基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と第2半導体層と、を含む半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続されるn側電極と、前記第2半導体層と電気的に接続されるp側電極と、前記基板と反対側の面において、前記第1半導体層と前記第2半導体層に重なるよう設けられた金属部材を有する構造体を準備し、
(b)p側配線およびn側配線を同一面上に有する支持体を準備し、
(c)前記構造体のp側電極およびn側電極と前記支持体のp側配線およびn側配線とを、導電性粒子および第1樹脂を含む異方性導電材料を用いて、それぞれ電気的に接続し、その後、
(d)前記基板を前記構造体から除去して発光素子とすることを含む、発光装置の製造方法。 - 前記金属部材は、絶縁層を挟んで前記第2半導体層と重なるように設けられる請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記金属部材が、前記第2半導体層と重なるよう設けられた前記n側電極である請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記接着部材は、前記構造体と前記支持体との間にほぼ完全に充填されている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板を分離する工程は、前記基板を透過する波長のレーザー照射によって行われる請求項1ないし4のいずれか1項記載の発光装置の製造方法。
- 前記第n側電極と前記p側電極との高さの差が、前記第1半導体層と前記第2半導体層との高さの差よりも小さくなるよう設けられる請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記支持体は、前記支持体が複数連結した集合基板として準備される請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記集合基板を分割して発光装置を得る工程を含む請求項7に記載の発光装置の製造方法。
- 第1半導体層と、第2半導体層と、を含む半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続されるn側電極と、前記第2半導体層と接続されるp側電極とを有し、最上面が前記半導体層である発光素子と、p側配線およびn側配線を同一面上に有する支持体と、を備え、前記発光素子のp側電極およびn側電極と前記支持体のp側配線およびn側配線とが、異方性導電材料によって、それぞれ電気的に接続されており、前記発光素子は、前記第1半導体層の反対側の面において、前記第1半導体層と前記第2半導体層に重なるよう設けられた金属部材を備えることを特徴とする発光装置。
- 前記金属部材は、絶縁層を挟んで前記第2半導体層と重なるように設けられる請求項9に記載の発光装置。
- 前記金属部材が、前記第2半導体層と重なるよう設けられた前記n側電極である請求項9または10に記載の発光装置。
- 前記異方性導電材料は、前記発光素子と前記支持体との間にほぼ完全に充填されている請求項9からに記載の発光装置。
- 前記第n側電極と前記p側電極との高さの差が、前記第1半導体層と前記第2半導体層との高さの差よりも小さい請求項8から10のいずれか1項に記載の発光装置。
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