JP6687073B2 - 発光装置 - Google Patents
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- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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Description
る。その結果、一般照明分野、車載照明分野等での種々の利用に加え、さらなる小型化、
高品質化が提案されている。
そこで、表面実装型の発光装置として、回路基板が一体となった発光装置が提案されて
おり、このような発光装置を簡便に組み立てる方法が種々提案されている。
1つの発光装置に対応する単位を複数備えた実装基板に一度に搭載し、切断する方法が採
られている。あるいは、各チップを、1つの発光装置に対応する単位を複数備えた実装基
板に一度に搭載し、切断する方法が採られている(特開2010−199565号公報及
び特開2010−177225号公報等)。
いる。また、これらの特性の向上に加え、取り扱いが容易で安価な発光装置が求められて
いる。
特性の向上に加え、取り扱いが容易で量産性を向上させることにより安価に供給すること
ができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
(1)発光素子と端子基板と固定部材とを含み、
前記発光素子は、第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層された半導体
積層体と、該半導体積層体の一面側において、前記第1半導体層に接続される第1電極及
び前記第2半導体層に接続される第2電極とを有し、
前記端子基板は、前記第1電極及び第2電極とそれぞれ接続される一対の端子と、該端
子を固定する絶縁体層とを含み、
平面視において、前記端子基板の外縁の少なくとも一部が前記半導体積層体の外縁より
も内側に配置されており、
前記固定部材は、前記発光素子と前記端子部材とを固定する発光装置。
(2)半導体積層体を含む発光素子の上に、平面視において外縁の少なくとも一部が前
記発光素子の外縁よりも内側に配置するように、端子基板を実装する工程を含む発光装置
の製造方法。
(3)第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層された半導体積層体と、
該半導体積層体の一面側に、前記第1半導体層に接続される第1電極及び前記第2半導体
層に接続される第2電極を有する発光素子を、支持体上に複数配列し、
該支持体上に配列された各半導体積層体に、平面視において外縁が前記半導体積層体の
外縁よりも内側に配置するように、端子基板を実装する工程を含む発光装置の製造方法。
ができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語)を用いる。それらの用語の使用は図
面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明
の技術的範囲が限定されるものではない。複数の図面に表れる同一符号は同一の部分又は
部材を示す。発明を理解しやすくするために、実施形態を分けて説明するが、これらの実
施形態はそれぞれ独立するものではなく、共有できるところは他の実施形態の説明を適用
する。
、さらに固定部材を含んでいてもよい。ここで、発光素子は、1つの発光装置において、
1つ又は複数含まれる。この発光装置は、いわゆるトップビュー型、サイドビュー型のい
ずれにも利用することができる。
発光素子は、通常、半導体積層体と、第1電極及び第2電極とを備える。
(半導体積層体)
本発明の半導体積層体は、第1半導体層(例えば、n型半導体層)、発光層、第2半導
体層(例えば、p型半導体層)がこの順に積層されている。半導体積層体の一面側(例え
ば、第2半導体層側、下面側ということもある)に、第1半導体層に接続される第1電極
と、第2半導体層に接続される第2電極とが配置される。半導体積層体の他面側、つまり
、一面と反対の面側には、半導体積層体からの光を出射させる、光取出し面を有する。半
導体積層体は、半導体層の成長用の基板上に積層されたものであり、基板を伴っていても
よいし、基板が除去されたものでもよい。
例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体が挙げ
られる。具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等
の窒化物系の半導体材料が挙げられ、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN
、InGaAlN等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知の
ものを利用することができる。
ものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア(Al2O3)、スピネ
ル(MgA12O4)のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられ
る。半導体層の成長用の基板として、サファイア基板のような透光性を有する基板を用い
ることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。
基板は、表面に凹凸を有するものであってもよい。また、C面、A面等の所定の結晶面
に対して0〜10°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第1半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層
等を有していてもよい。
現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去することによ
り、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができるため、より発
光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可能となる。
に近似する形状が好ましい。半導体積層体の大きさは、発光装置の大きさによって、その
上限を適宜調整することができる。具体的には、半導体積層体の一辺の長さが、数百μm
から10mm程度が挙げられる。
半導体積層体が、半導体層の成長用の基板を伴う場合、基板と半導体積層体とは平面積
が同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。つまり、半導体積層体ごとの分割
の容易のために基板表面の一部が半導体積層体から露出していてもよい。
第1電極及び第2電極は、半導体積層体の一面側(基板が存在する場合には基板が存在
する側とはその反対側の面側、つまり下面側)に形成されている。
Mo、Cr、Ti等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することが
できる。具体的には、半導体層側からAlSiCu/Ti/Pt/Au、Ti/Rh/A
u、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等のように積層
された積層膜によって形成することができる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚の
いずれでもよい。また、ITOをはじめとする金属以外の導電性材料を用いてもよい。
から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら電極の
一部として配置されることが好ましい。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀
合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特
に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる
厚み、例えば、20nm〜1μm程度が挙げられる。この材料層の第1半導体層又は第2
半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。
なお、銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その
表面(好ましくは、上面及び側面)を被覆する被覆層を形成することが好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によっ
て形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有す
る単層又は積層層が挙げられる。なかでも、AlCuを用いることが好ましい。被覆層の
厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百nm〜数μm程度が挙げ
られる。
り、電極の全面が半導体層に接触されていなくてもよいし、第1電極の一部が第1半導体
層の上に及び/又は第2電極の一部が第2半導体層の上に位置していなくてもよい。つま
り、例えば、特開平9−331012号公報、特開平9−331022号公報等に記載さ
れているように、絶縁膜等を介して、第1電極が第2半導体層上に配置されていてもよい
し、第2電極が第1半導体層上に配置されていてもよい。
ここでの絶縁膜としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用されるものの
単層膜及び積層膜のいずれでもよい。
上述の絶縁膜等を用いることで、このような第1電極及び第2電極は、第1半導体層及
び/又は第2半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位置に設定することがで
きる。そのため、後述する端子基板が半導体積層体の平面積よりも小さな平面積を有する
場合でも、半導体積層体の端子基板への実装を容易にすることが可能となる。
て設定することができる。例えば、後述する第1電極及び第2電極と接合される端子基板
の端子(以下、「接合端子部」ということがある。例えば、四角形又はこれに近い形状)
と、第1電極及び第2電極は、それぞれ対応した形状であることが好ましい。第1電極、
第2電極及び接合端子部は、それぞれが四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい
。これにより、セルフアライメント効果により、半導体積層体と端子基板との接合及び位
置合わせを容易に行うことができる。この場合、少なくとも、後述する端子基板と接続さ
れる半導体積層体の最表面において、第1電極及び第2電極の平面形状が略同じであるこ
とが好ましい。また、半導体積層体の中央部分を挟んで、第1電極及び第2電極がそれぞ
れ対向するように配置されていることが好ましい。
、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第1半導体層の発光
層と接する側と反対側の面から第1電極の表面(第1電極の半導体積層体とは反対側の面
)までの高さと、第2電極の表面までの高さとが、略同じであることを意味する。ここで
の略同じとは、半導体積層体の高さの±10%程度の変動は許容される。
このように、第1電極及び第2電極の上面を略平坦、つまり、実質的に面一とすること
により、後述する端子基板を水平に実装することが容易となる。このような第1電極及び
第2電極を形成するためには、例えば、電極上にメッキ等で金属膜を設け、その後、略面
一となるよう研磨や切削を行うことで実現することができる。
第1電極及び第2電極の上面には、それぞれ、端子基板の端子と接続される部分に突起
部を形成してもよい。これにより、発光素子と端子基板の間に固定部材を形成する際、固
定部材を発光素子と端子基板の間に充填しやすくなり、発光素子からの発光が端子基板側
へ透過することを低減できる。また、発光素子と端子基板とを強固に支持することができ
るようになるため、発光装置の信頼性を高めることができる。
発光素子の電極に設けられた突起部の上面形状は、端子基板の端子の発光素子の実装さ
れる部分の平面形状と、略同一であることが好ましい。これにより、セルフアライメント
効果を通して、端子基板の発光素子への実装を容易にすることができる。
このような突起部は、突起部が配置されていない電極の上面から任意の高さで設けられ
、例えば数μm〜100μm程度の高さで設けられることが好ましい。
気的な接続を阻害しない範囲で、DBR(分布ブラッグ反射器)を配置してもよい。
DBRは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層と
を積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異
なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させ
ることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択
された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。
5等とすることができる。具体的には、下地層側から順番に(Nb2O5/SiO2)n、n
は2〜5が挙げられる。DBRの総膜厚は0.2〜1μm程度が好ましい。
このDBRは、上述の絶縁膜として用いられてもよい。これにより、発光装置の光取出
し効率を高めることができる。
後述するレーザー照射によって成長基板の除去を行う場合には、DBRの材料として、
用いるレーザー波長の光吸収率が30%以下の材料を用いることが好ましい。これにより
、DBRの劣化を低減することができ、高い光取出し効率を保つことができる。例えば、
波長248nmのKrFエキシマレーザーを用いる場合には、Nb2O5、TiO2等よ
りも、ZrO2を用いることが好ましい。
端子基板は、上述した半導体積層体に接続された第1電極及び第2電極とそれぞれ接続
されるとともに発光装置の外部と接続される一対の端子と、この端子を固定する絶縁体層
を含む。ただし、1つの発光装置に複数の発光素子が含まれる場合、端子基板は、複数の
発光素子を電気的に接続する接続配線として機能し得る配線をさらに1以上備えていても
よい。また、電気的に接続される端子又は配線の他に、放熱用の端子又はヒートシンク等
を有していてもよい。
本明細書においては、端子基板の発光素子が実装される側の面を素子接合面(第1面)
と称し、素子接合面の反対側の面を裏面(第2面)と呼び、素子接合面と裏面との間にあ
る面又はこれらを連結する面を側面と呼ぶ。
絶縁体層としては、絶縁性を有する限りどのような材料であってもよい。例えば、セラ
ミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導
電材料(例えば、金属、カーボン等)との複合材料等が挙げられる。なかでも、セラミッ
クであることが好ましい。いわゆる絶縁体層にセラミックを用いる場合には、小型のチッ
プ抵抗を製造する技術を適用することで安価に調達することができる。セラミックは、放
熱性の高い窒化アルミ等を用いることが好ましい。また、線膨張係数の比較的低いガラス
エポキシ、ガラスシリコーン及びガラス変性シリコーンのプリプレグ基板であることが好
ましい。例えば、半導体用BGA実装の分野で使用されるガラスクロスおよびフィラーを
高充填して、線膨張係数を1〜15ppm前後に調整した低線膨張ガラスエポキシ基板を
好適に用いることができる。そのような絶縁体層に導電性の配線パターンを形成したもの
を端子基板として用いることができる。
このようなプリプレグ基板の材料として放熱性の高いガラスクロスまたはフィラーを用
いることで、発光装置の放熱性を改善することができる。また、多層基板として内部に部
品を内蔵させることで、保護素子等の機能をもたせることもできる。
端子は、少なくとも、端子基板の素子接合面において、発光素子の第1電極及び第2電
極と接続される接合端子部を有し、端子基板のその他の面に設けられる、発光装置の外部
と接続される外部接続部を備える。
端子の端子基板内での位置等は、特に限定されるものではなく、例えば、端子基板の素
子接合面において、発光素子の第1電極及び第2電極とそれぞれ対向する位置に接合端子
部が配置され、そこから端子基板の側面を被覆するように延長していてもよいし、端子基
板の素子接合面から側面及び素子接合面の反対側の面(裏面)を被覆するように延長して
いてもよいし(図1(a)の端子15、16参照)、端子基板の素子接合面と連続する3
つの側面を被覆するように延長していてもよい(図7の55a、56a参照)。また、端
子は、いわゆるビアホールを経て、端子基板の素子接合面から外部接続部が設けられた面
に、側面を経ることなく延長していてもよい。外部接続部は、発光装置の外部と接続する
ため、固定部材等から露出している。外部接続部は、端子基板の裏面、側面のいずれにあ
ってもよい。
半田との接合性及び濡れ性のよい材料が好ましい。具体的には、絶縁体層がセラミックス
などである場合には、W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/A
uなどの積層構造が挙げられる。絶縁体層がガラスエポキシ材料などである場合には、C
u/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/NiCu/Ni/Au、Cu/Ni/
Pd/Cu/Ni/Pd/Auなどの積層構造が挙げられる。そのほか、上述の第1電極
及び第2電極に用いられる導電性の材料を用いることができる。
のような配線は、1つの端子基板に実装される発光素子の数、その配列、接続形態(並列
及び直列)等によって、その数、形状及び位置等を適宜設定することができる。
端子又は配線の形成方法は、絶縁体層の材料や発光装置の大きさによって適宜選択され
、例えば、メッキや蒸着、印刷等の方法が挙げられる。
また、例えば、Mgなどの高放熱性の金属板を所望の端子又は配線の形状に曲げ加工し
、絶縁体層の材料(好適には無機フィラーを添加した樹脂)を金属板の周囲に形成し、そ
の後、それらを切削又は切断して成形することによって、樹脂の絶縁体層に金属の端子が
埋め込まれ、固定された端子基板を得ることができる。
、端子又は配線は、端子基板の素子接合面において略面一であることが好ましい。さらに
、端子又は配線は、上述した発光素子と端子基板が接合された場合に、発光素子の第1電
極及び第2電極が形成されていない側の面(つまり光取出し面)を水平に配置することが
できるように、端子基板の素子接合面において水平であることが好ましい。これによって
、後述する固定部材を除去して、端子基板の裏面側を露出させる工程を簡略化することが
できる。
端子又は配線は、それぞれ発光素子の第1電極及び第2電極と接合される突起部を有し
ていてもよい。これにより、発光素子と端子基板の間に固定部材を形成する際、固定部材
を発光素子と端子基板との間に充填しやすくなり、発光素子からの発光が端子基板側へ透
過することを防止できる。また、発光素子と端子基板とを強固に支持することができるよ
うになるため、発光装置の信頼性を高めることができる。
突起部の上面の形状は、それぞれ、接合される発光素子の電極の形状と略同一であるこ
とが好ましい。これにより、セルフアライメント効果を通して、端子基板の発光素子への
実装を容易にすることができる。
突起部は、平坦な端子又は配線にバンプを設けること、端子の下方の絶縁体層の厚みを
異ならせること、平坦な絶縁体層の上に端子又は配線の厚みを異ならせること及びこれら
の組み合わせ等によって形成することができる。
このような突起部は、突起部が配置されていない端子又は配線の上面から任意の高さで
設けられ、例えば、数μm〜100μm程度の高さで設けられることが好ましい。
に応じて適宜設定することができる。平面形状としては、例えば、円形、四角形等の多角
形又はこれらに近い形状が挙げられる。また、大きさは、特に限定されるものではないが
、半導体積層体とほぼ同等又はそれよりも小さい又は大きい平面積であることが好ましい
。特に、1つの発光装置に1つの半導体積層体を備える場合、端子基板の平面積は、半導
体積層体とほぼ同等又はそれよりも小さいことが好ましい。1つの発光装置に2以上の半
導体積層体を備える場合、端子基板は、2以上の半導体積層体の合計平面積とほぼ同等又
はそれよりも小さいことが好ましい。
央に近い側)に配置されていることが好ましい。ここでの外縁とは全部であってもよいし
、一部であってもよい。
例えば、端子基板の外縁の全部が、半導体積層体の外縁よりも内側に配置されているこ
とが好ましい。これによって、より小型の発光装置を実現することができる。
また、端子基板及び半導体積層体が、平面視において、四角形又はこれに近い形状の場
合、少なくとも1辺において端子基板の外縁が半導体積層体の外縁と同じ位置に配置され
ており、残りの辺において、端子基板の外縁が半導体積層体の外縁よりも内側に配置され
ていてもよい。
このように、端子基板の平面積を半導体積層体の平面積より小さくしたり、端子基板の
外縁を半導体積層体の外縁よりも内側に配置することで、光を端子基板に当たりにくくす
ることができる。これにより、端子基板による光の吸収を低減することができ、光取出し
効率の高い発光装置とすることができる。
露出するよう設けることが好ましい。また、実装したときの端子基板の底面(発光素子に
対向する面(第1面)と反対側の面、つまり裏面、第2面)と、その底面と隣接する端子
基板の面の1つ又は2つが露出することが好ましい。さらに、発光装置の実装面と反対側
の面に端子が露出していてもよい。
欠け等を防止することができる厚み又は発光装置として発光素子を補強し得る厚みである
ことが好ましい。例えば、50〜300μm程度が挙げられる。
ダイオード等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構
造をその一部に備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することに
より、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができるために、静
電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。
接合されている。このような接合部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いること
ができる。具体的には、Au−Sn、Sn−Cu等の共晶合金(例えば、半田)、バンプ
、異方性導電材等が挙げられる。なかでも、共晶合金を用いることにより、セルフアライ
メント効果によって、端子基板を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、
より小型の発光装置を製造することができる。
本発明の発光装置は、固定部材をさらに含んでいてもよい。固定部材とは、上述した発
光装置を構成する半導体積層体、つまり発光素子及び/又は端子基板を被覆又は固定する
機能を有する部材である。このような機能を果たす限り、その材料は特に限定されるもの
ではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げら
れる。なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ま
しい。
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。具体的には、エポキシ
樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹
脂組成物;エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物;ポリイミド樹
脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物;ポリフタルアミド(PPA);ポリカーボネート
樹脂;ポリフェニレンサルファイド(PPS);液晶ポリマー(LCP);ABS樹脂;
フェノール樹脂;アクリル樹脂;PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。
0%、80%又は90%以上であるものとするために、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二
酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムラ
イト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム)
などの光反射材を含有していてもよい。これにより、発光素子からの光を効率よく反射さ
せることができる。特に、端子基板よりも光反射率の高い材料を用いる(例えば、端子基
板に窒化アルミを用いた場合に、固定部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹
脂を用いる)ことにより、ハンドリング性を保ちつつ、端子基板の大きさを小さくして、
発光装置の光取出し効率を高めることができる。
樹脂は、光散乱材(硫酸バリウム、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素など)
、着色剤(カーボンブラックなど)等を含有していてもよい。樹脂は、ガラスファイバー
、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン、酸化ケイ素等の無機フィラーを含有
させてもよい。樹脂は、窒化アルミ等の放熱性の高い材料を含有させてもよい。
例えば、二酸化チタンを用いる場合は、樹脂部材の全重量に対して、20〜40重量%
含有させることが好ましい。
このような成分を含有させ、さらに無機フィラー含有率を増加させたり、強度の強い樹
脂を使用することにより、基板又は支持体などを除去、剥離するなどプロセス中の固定部
材の強度を向上させることができ、ひいては、発光装置においても強度を確保することが
できる。また、放熱性の高い材料を含有させることで、発光装置の小型化を維持したまま
、放熱性を向上させることができる。
層体の側面を被覆するように配置されている及び/又は(3)半導体積層体と端子基板と
の間を埋め込むように配置されていることが好ましい。なかでも、上記(1)から(3)
を満たすように配置されていることがより好ましい。なお、半導体積層体が半導体の成長
用の基板を伴う場合、固定部材は、その基板の側面をも被覆するように配置されているこ
とが好ましい。また、半導体層の成長用の基板の表面の一部が半導体積層体から露出する
場合には、その露出する部位も固定部材で被覆されていることが好ましい。固定部材がこ
のように配置することにより、発光装置の強度を確保することを通して、ハンドリング性
を良好にすることができる。また、上述したように、半導体層の成長用の基板を除去する
際に付加される応力に耐える強度を半導体積層体に与えることができ、小型化を実現した
発光装置を歩留まりよく製造することができる。言い換えると、小型化を実現した発光装
置の量産性が向上する。その結果、個々に高品質が確保された発光装置を得ることができ
る。
率が高いものを使用することが好ましい。これにより、発光素子の上面への光取り出し向
上を効果的に実現することができる。
ここで、端子基板の側面及び/又は半導体積層体の側面を被覆する固定部材の幅(端子
基板又は半導体積層体の側面からの高さ)は、端子基板及び/又は半導体積層体の平面形
状によって適宜設定することができるが、例えば、20〜200μm程度が挙げられる。
このような厚みによって、上述した発光層から出射された光を効果的に反射することがで
き、また、発光素子に十分な強度を与えることができる。
固定部材は、端子基板の裏面を露出することが好ましい。これによって放熱性を向上さ
せることができる。
発光装置の光取出し面には、波長変換部材が設けられていることが好ましい。例えば、
半導体積層体の光取出し面が、波長変換部材に被覆されていることが好ましい。発光装置
の半導体積層体を構成する半導体層の側面が固定部材で被覆されている場合には、半導体
積層体の光取出し面に加えて固定部材も波長変換部材で被覆されていることがより好まし
い。このような波長変換部材の配置により、半導体積層体から取り出される光を効率よく
波長変換することが可能となる。
波長変換部材に含まれる蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例
えば、発光素子として青色発光する窒化ガリウム系発光素子を用いる場合、青色光を吸収
して黄色〜緑色系発光するYAG系、LAG系、緑色発光するSiAlON系(βサイア
ロン)、赤色発光するSCASN、CASN系の蛍光体の単独又は組み合わせが挙げられ
る。上述した光散乱材等を含有していてもよい。
、酸化ケイ素等の透光性無機物、透光性樹脂等を含むことが好ましい。結合剤の使用によ
り、波長変換部材を任意の位置に容易に配置することができる。
透光性樹脂は、発光層から出射される光の60%以上を透過するもの、さらに、70%
、80%又は90%以上を透過するものが好ましい。このような樹脂は、例えば、シリコ
ーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組
成物、アクリル樹脂組成物等、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂
及びこれらの樹脂を少なくとも1種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂等が挙げられる。
部材をシート状に成形して貼着する方法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、ス
プレー、静電塗布法等が挙げられる。
波長変換部材の形状や厚みは特に限定されるものではなく、例えば、10〜300μm
程度の層状が挙げられる。
を形成していてもよい。
封止部材には、上述した光散乱材、無機フィラー等を含有していてもよい。
これら波長変換部材、光散乱層及び/又は封止部材は、2種以上を積層させてもよい。
例えば、半導体積層体上に封止部材を積層し、その上に波長変換部材を設けてもよい。
本発明の発光装置の製造方法は、半導体積層体を含む発光素子の上に、平面視において
外縁の少なくとも一部が前記発光素子の外縁よりも内側に配置するように、端子基板を実
装する工程を含む。
一実施形態では、発光装置の製造方法は、
(1)第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層された半導体積層体と、
前記半導体積層体の一面側に、前記第1半導体層に接続される第1電極及び前記第2半導
体層に接続される第2電極とを含む発光素子を、支持体上に複数配列する工程と、
(2)支持体上に配列された各半導体積層体に、平面視において外縁が前記半導体積層
体の外縁よりも内側に配置するように、端子基板を実装する工程と、を含む。
(4)半導体積層体から前記支持体を除去する工程及び
(5)半導体積層体間の固定部材を、1又は複数の半導体積層体ごとに分離(例えば、
切断)する工程の1以上を含んでいてもよい。
上記工程(3)は、例えば、
(a)端子基板の側面を固定部材で被覆する工程、
(b)半導体積層体の側面を固定部材で被覆する工程及び/又は
(c)半導体積層体と端子基板との間を固定部材で被覆する工程を含んでいてもよい。
半導体積層体は、当該分野で通常利用されている方法により、上述した半導体層の積層
構造を得るために、条件等を適宜調整して基板上に形成することができる。
例えば、MOVPE、有機金属気相成長法(MOCVD)、ハイドライド気相成長法(
HVPE)、分子線エピタキシャル成長法(MBE)等の公知の成膜方法が挙げられる。
例えば、サファイアの基板上に、MOCVDによって、AlGaNのバッファ層、n型
GaNの第1半導体層、InGaN層を含む発光層、p型GaNの第2半導体層を積層し
、半導体層の積層構造を形成する。
及び発光層、任意に第1半導体層の厚み方向の一部を除去し、第1半導体層を露出させる
。露出した第1半導体層の表面と、第2半導体層の表面とに、第1半導体層及び第2半導
体層にそれぞれ接続する第1電極及び第2電極を形成する。
又は個片化する。このような分離等を簡便に行うために、工程(1)の後又は中において
、分離、切断を意図する位置の第1半導体層、発光層及び第2半導体層を除去して、基板
表面を露出(素子分離ともいう)させておくことが好ましい。基板表面が露出した部位を
分離、切断することにより、半導体層のダメージを防止することができる。これによって
、量産性を向上させることができる。また、これにより、複数の半導体積層体の間に間隔
ができるため、半導体積層体の外縁と同じかそれより大きい端子基板を用いる場合であっ
ても、端子基板を容易に実装することができる。
分離又は切断し、1つの発光装置に複数のチップを搭載する場合は素子分離された2以上
の単位ごとに分離又は切断することができる。
このようにして得られた単位ごとの半導体積層体を、支持体上に複数配列する。
ここでの支持体は特に限定されず、半導体積層体をその上に配置することができる板状
のものであればいかなるものでもよい。複数の半導体積層体の配列は、ランダムでもよい
が、規則的(例えば、行列状)に配置することが好ましい。配列は、例えば、粘着テープ
などを用いて容易に位置変動しないようにすることが好ましい。
列された状態で、そのまま次工程に付してもよい。このような状態で次工程に付す場合に
は、上述したように基板を切断したり、複数の配列を行う必要がなく、個々に位置変動し
ないため、量産に適する。この場合の支持体は、半導体層を成長させるために用いた基板
である。
半導体積層体の外縁よりも内側に配置するように、端子基板を実装する。
ここでの端子基板の実装は、端子基板を、それぞれ支持体上に配列された半導体積層体
の上に載置してもよいし、複数の端子基板を粘着シート等の上に並べて、支持体上に配列
された半導体積層体に対して、一括で転写/載置してもよい。
端子基板の実装は、上述したセルフアライメント効果を利用して行うことが好ましい。
この効果を利用することにより、1単位を構成する半導体積層体と同じか、それよりも小
さい端子基板を適所に容易に実装することができる。
例えば、平面視において、端子基板が直線状の一辺を有する場合又は四角形の場合、端
子基板は、少なくとも半導体積層体の一辺と一致するように(面一となるように)実装し
てもよい。このような実装によって、サイドビュー型に容易に利用することができる。
ここでの固定は、(a)端子基板の側面を固定部材で被覆する工程、(b)半導体積層体
の側面を固定部材で被覆する工程及び(c)半導体積層体と端子基板との間を固定部材で
被覆する工程の1以上であることが好ましい。
固定部材で、これらの側面/間を固定する(つまり、被覆又は埋め込む)ためには、固
定部材の塗布、ポッティング、印刷、圧縮成形、トランスファー成形、スピンコート等、
当該分野で公知の方法のいずれを用いてもよい。これらの方法を利用することにより、複
数の端子基板及び複数の半導体積層体について、端子基板の側面及び半導体積層体の側面
ならびに半導体積層体と端子基板との間を、一括して被覆又は固定するあるいは埋め込む
ことができる。なお、これら公知の方法の条件を設定することにより、任意に工程(a)
、(b)及び(c)の1以上を実行することができる。
ァー成形では、半導体積層体側を下にして、離形シートに端子基板の裏面を埋め込むよう
に配置し、その後固定部材を形成する。これによって、端子基板の裏面を固定部材から露
出して成形することができる。
固定部材は、端子基板の端子の他、絶縁体層を露出させるように設けてもよい。
固定部材は、端子基板全体を埋め込むように厚く成形してもよい。これによって、発光
装置全体の強度を増大させることができる。その結果、支持体除去工程で有利となる。ま
た、個片化後の発光装置として有利となる。
などの手法を用いた切削での厚み制御、ドライ又はウェットブラストでの除去等を実行し
てもよい。これによって、端子基板の任意の端子を容易に露出させることができる。
例えば、図8(a)に示したように、表面にマスク61が形成された端子基板を完全に
埋め込むように固定部材18を圧縮成形し、端子基板側からハーフダイシング(固定部材
18を一部除去)する。その後、図8(b)に示したように、ウェットブラストで端子1
5、16が露出するまで固定部材18を除去することで、容易に端子基板の側面を露出さ
せることができ、側面発光の発光装置を製造することができる。
除去は、上述した粘着テープから個々の半導体積層体を剥離するか、半導体層の成長用基
板を剥離することのいずれをも含む。
特に、半導体層の成長用基板は、強固に半導体積層体(つまり、発光素子)が基板に密
着しているために、工程(3)における固定部材での固定を行うことによって、この基板
の除去を容易かつ確実に実行することができる。
この場合の基板の除去は、通常、基板と半導体積層体との間に、レーザビームを照射す
ることにより、容易に行うことができる。
例えば、半導体積層体がGaN系半導体で、支持体がサファイア基板の場合、支持体側
から波長248nmのKrFエキシマレーザー、YAGレーザーなどの4倍波266nm
を照射し、半導体積層体を構成する半導体層にエネルギーを吸収させ、アブレーションさ
せることによって、基板の剥離を行うことができる。レーザビームの照射量、時間等は、
用いた基板の種類、厚み等によって適宜調整することができる。
、HCl、HNO3などの酸で除去し、清浄面を形成する。その後、NaOH、TMAH
などの強アルカリで半導体層をエッチングして粗面とすることにより、光取り出し効率を
向上させる加工を施してもよい。
このようなエッチングを施した半導体積層体は、熱及び水分の影響を受けやすいため、
その表面に保護膜を形成することが好ましい。保護膜としては、SiO2、Al2O3、
TiO2、Nb2O5、ZrO2など透明酸化物、AlOxNy、SiN、SiNxなどの
透明窒化物材料等の透明絶縁体膜の単層又は積層構造が挙げられる。保護膜は、各種成膜
方法、スパッタ、蒸着、原子層堆積法(ALD)などで形成することができる。特にAL
Dによれば緻密な膜を形成することができるため、発光装置の信頼性向上のため好ましい
。このような保護膜は、半導体層の表面に限られず、端子基板、封止部材、波長変換部材
等各種の部材を被覆するように設けられることができる。これにより、光取出し効率の高
い発光装置とすることができる。
支持体の除去は、サーフェースプレナー、エッチング、ブラスト等による研磨によって
も行うこともできる。
するなどによって、個片化する。
ここでの分離位置は、半導体積層体ごと又は2以上の半導体積層体ごとのいずれであっ
てもよい。分離又は切断は、ブレード、レーザー、スクライバー等を用いて行うことがで
きる。先の工程で、半導体積層体から支持体が除去されている場合には、支持体を切断す
る必要がないため、切断を歩留まりよく行うことができ、量産性を向上させることができ
る。また、従来の発光装置のように、半導体積層体が接合された端子基板ではなく、固定
部材を切断することで、量産性を向上させることができる。
支持体、半導体積層体及び固定部材は、それぞれ別々の手段で分離又は切断してもよい
。例えば、支持体がサファイア基板の場合、支持体側からレーザーで割断のための加工を
施し、ブレイクにて支持体を個片化、次いで固定部材をダイシングで切断してもよい。
サイドビュー型の発光装置とする場合などにおいて、端子の外部接続部となる部分が固
定部材に埋没されている場合は、切断の前にウェット又はドライエッチング、ブラストな
どで端子の外部接続部をあらかじめ露出させておくことが好ましい。
部材を形成してもよい。
波長変換部材の形成は、例えば、蛍光体、樹脂及び有機溶剤(任意に拡散材等)を混合
し、スプレー法を利用して数回に分けて半導体積層体表面に噴霧してコーティングする方
法、混合物を塗布する方法等が挙げられる。スプレー法を用いることにより、波長変換部
材の配置、形状等を自由に設けることができる。
また、得られた波長変換部材の上に、蛍光体を含まない封止部材を設けてもよいし、レ
ンズ又はナノレンズなど光学部材を設けてもよい。封止部材及び光学部材等は、樹脂、ガ
ラス等によって形成することができる。
あるいは、予め板状、レンズ状などに成形された波長変換部材を半導体積層体の全体又
は一部を覆うように配置してもよい。これによって、明るい発光装置とすることができる
。
る。
実施形態1:発光装置
実施形態1の発光装置10は、図1(a)の断面図及び1(b)の底面図に示したよう
に、第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層された、略四角形の半導体積
層体14と、これに接続された第1電極12及び第2電極13とを有する発光素子となる
半導体積層体14aと、一対の端子15、16と絶縁体層17とを含む端子基板17aと
を備える。
合面からそれぞれ異なる側面を通って裏面に及ぶ一対の端子15、16を備える。この端
子基板17aは、バリスタ機能を有している。
第1電極12及び第2電極13は、それぞれ、n型半導体層である第1半導体層及びp
型半導体層である第2半導体層と電気的に接続されており、図示しないが、第1電極12
の一部は、絶縁膜(例えば、SiO2)を介して第2半導体層上にも及んでいる。第1電
極12及び第2電極13は、端子基板17aと接合する面が、略同一の平面積を有してお
り、略面一である。
部とそれぞれ、共晶半田(Au−Sn)によって、半導体積層体14aの光取出し面と端
子基板17aの裏面とが略平行になるよう接合されている。
端子基板17aは、平面視において、半導体積層体14aの外周よりも内側にその外周
の全てが配置されている(特に図1(b)参照)。
ィラーとして二酸化珪素を30重量%、反射材(拡散材)として二酸化チタンを30重量
%含有)からなる固定部材18で被覆されている。この半導体積層体14aの側面から固
定部材18の表面までの長さは10〜200μm程度、例えば150μm程度であり、端
子基板17aの側面から固定部材18の表面までの長さは20〜250μm程度、例えば
200μm程度である。また、固定部材18は、半導体積層体14と端子基板18との間
にも配置されている。
半導体積層体14aの第1半導体層の表面から固定部材18の表面にわたって、波長変
換部材19が配置されている。波長変換部材19は、YAG蛍光体を30重量%程度含有
するシリコーン樹脂からなるシート状である。
化した端子基板を個別に配置することにより、適切にアライメントされた発光装置を得る
ことができる。また、いわゆるチップサイズパッケージを実現することができる。加えて
、実装基板自体が、半導体積層体のサイズよりも実質的に小型化することができるために
、より小型化のパッケージを得ることが可能となる。
さらに、従来の発光素子においては、サファイア基板等の半導体層を成長させるための
基板が、発光素子の基板としてそのまま使用されていたが、この基板を除去する場合には
、この基板に起因する、光の吸収や内部散乱、閉じ込め等を阻止することができ、より一
層光取り出し効率を高め、高輝度化を実現することができる。
端子基板として、バリスタ等の機能を有する構造を利用する場合には、別個、機能素子
を搭載することなく、その機能を発揮させることができる。その結果、小型化を維持しな
がら、より高品質の発光装置が実現できる。
図1(a)及び図1(b)に示す発光装置10は、以下の方法によって製造することが
できる。
まず、図2(a)に示したように、サファイア基板11上に、第1半導体層、発光層及
び第2半導体層を積層した半導体層14を形成する。半導体層14は、第2半導体層及び
発光層の一部が除去されて第1半導体層の一部が露出している。また、半導体層14は、
1チップの発光素子として機能する単位に、サファイア基板11の表面を露出する分離溝
62によって、分離されている。
このような半導体層14において、露出した第1半導体層の上、第2半導体層の上に第
1電極12及び第2電極13を形成する。電極は、公知の方法を利用して形成することが
できる。これによって、半導体積層体14aが形成される。
列されている半導体積層体14aの第1電極12及び第2電極13と、端子基板17aの
一対の端子15、16の接合端子部とが接合するように、端子基板17aを個々の半導体
積層体14a上に実装する。この際、端子基板17aの外縁を、半導体積層体14aの外
縁よりも内側に配置する(特に、図2(b)参照)。
積層体14aの側面を被覆するように、固定部材18を塗布する。この際、半導体積層体
14aと端子基板17aとの間にも固定部材18が塗布される。
あるいは、端子基板17aと接合された半導体積層体14aをサファイア基板11ごと
上下金型で挟み込み、金型内に樹脂を注入して、端子基板17aの全体、半導体積層体1
4aの側面及び半導体積層体14aと端子基板17aとの間に、固定部材18を配置する
。
外部接続部を露出させるように、固定部材18を除去する。その後、サファイア基板11
側から、波長248nmKrFエキシマレーザーを照射し、半導体積層体14aを構成す
る半導体層にエネルギーを吸収させ、アブレーションさせることによって、サファイア基
板11を剥離し、第1半導体層の表面を露出させる。これによって、固定部材18内で、
半導体積層体14aが1チップごとに分離されることとなる。
サファイア基板11の剥離後、表面に残存するGaメタル、Ga2O3等の残留物を、
HClで除去し、清浄面を形成する。その後、NaOHで半導体層をエッチングして粗面
化する。
る。ここでの波長変換部材19は、第1半導体層の側方に配置される固定部材18の表面
をも被覆する。
その後、波長変換部材19と固定部材18とを図2(f)のX線に沿って、1つの半導
体積層体14aごとに切断する。これによって、図1(a)及び1(b)に示す発光装置
10を得る。
子基板を配置することができるため、端子をめっき成長等で形成する場合よりも、歩留ま
りが良好となり、また集合基板を実装させるよりもアライメントさせやすいため、量産性
を向上させることができる。
また、個々の半導体積層体を固定部材で被覆する場合には、半導体層を成長させるため
に使用した基板を剥離する際の応力を、半導体積層体の大きさに応じて低減させることが
できる。よって、半導体積層体にダメージを与えることなく、容易に基板の剥離を実現す
ることができる。その結果、歩留まりの向上を実現することができる。
このように基板を剥離した後に半導体積層体を切断する場合には、基板を切断すること
なく、小片化することができるために、より一層の量産性の向上に寄与する。
実施形態3の発光装置20は、図3の底面図に示したように、第1半導体層、発光層及
び第2半導体層がこの順に積層された、略四角形の半導体層とこれに接続された第1電極
12及び第2電極13とを有する半導体積層体14aを2つ及び端子基板27aを含む。
裏面に及ぶ一対の端子25、26と、素子接合面において端子25、26の間にこれらと
分離された配線用の1つの端子21とを備える。
一方の半導体積層体14aの第1電極は端子基板27aの端子25と、他方の半導体積
層体14aの第2電極は端子基板27aの端子26と、一方の半導体積層体14aの第2
電極及び他方の半導体積層体14aの第1電極は配線用の端子21と、それぞれ直列接続
されている。
端子基板27aは、平面視、各半導体積層体14aの三辺においてはその外周よりも内
側に配置されており、各半導体積層体14aの対向する一辺においては跨って配置されて
いる。
このように、2つの半導体積層体14aごとに、固定部材28及び波長変換部材が切断
されている以外、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成を有し、実施形態2で
の製法と同様に製造することができる。
この発光装置においても、実施形態1の発光装置10と、実施形態2の製法と同様の効
果を有する。
実施形態4の発光装置30は、図4(a)の断面図(図4(b)のN−N’線)及び(
b)の底面図に示したように、第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層さ
れた略正方形の半導体層と、これに接続された第1電極及び第2電極とを有する半導体積
層体34aと、一対の端子35、36と絶縁体層37とを含む端子基板37aとを備える
。
第1電極及び第2電極と一対の端子35、36とは、接合部材60を介して電気的に接
続されている。
し面側に波長変換部材39を備えているが、この半導体積層体34aと波長変換部材39
との大きさと形状が略一致している。また、固定部材38は半導体積層体34aの第1電
極及び第2電極部分のみを被覆し、半導体層の側面を被覆していない。
端子基板の一方の端子36は、端子基板の裏面において、外部接続部として、他方の端
子35と対向する辺の略中央部に切欠きを有する矩形状に設けられている。他方の端子3
5は切欠きを有さない矩形状に設けられており、一方の端子35と異なる形状である。こ
のように、一対の端子の外部接続部の形状を互いに異なるものとすることにより、発光装
置の極性の判定を容易に行うことができる。
これら以外は、実施形態1の発光装置10と実質的に同様の構成を有し、実施形態2で
の製法と同様に製造することができる。
この発光装置においても、実施形態1の発光装置10と、実施形態2の製法と同様の効
果を有する。
実施形態5の発光装置40は、図5(a)の断面図(図5(b)のM−M’線)及び(
b)の底面図に示したように、第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層さ
れた略正方形の半導体層と、これに接続された第1電極及び第2電極とを有する半導体積
層体44aと、一対の端子45、46と絶縁体層47とを含む端子基板を備える。
第1電極及び第2電極と一対の端子45、46とは、接合部材60を介して電気的に接
続されている。
る。半導体積層体44aは、波長変換部材49よりも小さい。
固定部材48は、半導体積層体44aの第1電極及び第2電極部分とともに、半導体層
の一部側面を被覆している。
端子基板における端子45、46は、端子基板の素子接合面から側面を通って端子基板
の裏面に及んでいる。また、端子基板の一つの側面において、端子45、46が固定部材
48から露出している。この側面では、波長変換部材49、半導体積層体44a、固定部
材48が端子45、46の露出面と一致し、略面一である。
また、端子基板の裏面では、絶縁体層47の表面が固定部材48で覆われている。
施形態2での製法と同様に製造することができる。
この発光装置においても、実施形態1、4の発光装置10、30と、実施形態2の製法
と同様の効果を有する。
また、端子基板の端子45、46が発光装置の側面においても露出しているために、サ
イドビュー型の発光装置として使用することもできる。
実施形態6の発光装置50は、図6(a)〜(e)に示したように、第1半導体層、発
光層及び第2半導体層がこの順に積層された略長方形の半導体層と、これに接続された第
1電極及び第2電極とを有する半導体積層体54aと、一対の端子55、56と絶縁体層
57とを含む端子基板とを備える。
この発光装置50は、半導体積層体54aの光取出し面に波長変換部材59を備えてい
る。半導体積層体54aは波長変換部材59よりも小さい。
固定部材58は、半導体積層体54a全体の側面を被覆し、波長変換部材59が半導体
積層体54aと固定部材58の双方の上面を被覆している。これによって、半導体積層体
54aの全ての側面を固定部材58で補強することができ、発光装置の強度をより一層確
保することができる。また、固定部材58は、端子基板の側面に露出した端子と接する面
で傾斜を有している。これにより、この傾斜した部分に、端子の部位56aaと接合する
実装用の半田を効果的に溜めることができる。
ら見ると、半導体積層体54a側に凸状の形状を有する。これにより、つまり、端子基板
の絶縁体層57における半導体積層体に近い部分をその反対側と比べて幅狭とすることに
より、図2(f)の工程の前後に行うブラスト加工等の際、固定部材を除去する量を減少
させることができ、簡便な加工を実現することができる。また、固定部材58に凸状部を
埋め込むことで、密着性を高めることができる。
る。そして、端子基板の裏面および一対の側面の裏面側近傍において、固定部材58から
露出している。つまり、端子55、56は、一対の側面において、半導体積層体54aに
近い部分においては固定部材58に被覆され、裏面側に近い部分においては被覆されてい
ない。これによって、端子基板の裏面側および側面の露出した端子55、56の両方を外
部接続部として用いることができる。
端子基板の端子55、56が露出している一対の側面と異なる他の一対の側面は、波長
変換部材59及び固定部材58が、略面一である(図6(c)及び(e)参照)。これら
他の一対の側面が、発光装置の底面及び上面とされ、サイドビュー型の発光装置として用
いることができる。この場合、端子基板の裏面側および側面の露出した端子55、56の
両方を外部接続部として用いることにより、発光装置の実装強度を向上させることができ
る。
ることにより、発光装置の信頼性を高めることができる。特に、半導体積層体54aが、
発光装置の実装基板と近接して実装されるサイドビュー型の発光装置として用いる場合に
は、発光装置の実装に用いられるフラックス等の侵入を防止することが可能となる。
これら以外は、実施形態1、4の発光装置10、30と実質的に同様の構成を有する。
する前又は後において、一対の端子が設けられた一対の側面を被覆する固定部材をブラス
ト加工等で除去することにより、端子基板57aの端子を露出させることができる。
これ以外は、実施形態2での製法と実質的に同様に製造することができる。
この発光装置においても、実施形態1、4の発光装置10、30と、実施形態2の製法
と同様の効果を有する。
実施形態7の発光装置60は、図7に示したように、端子55a、56aが、端子基板
の裏面側と、裏面と連続する二対の側面において露出している。つまり、サイドビュー型
の発光装置として実装した場合、端子55a、56aは、発光装置の底面となる面Qと、
その底面と隣接する面Sと、半導体積層体に対向する面と反対側の面P、発光装置の実装
面と反対側の上面Tを露出している。
それ以外は、実質的に実施形態6の発光装置50と同様の構成及び同様の効果を有する
。
実施形態8の発光装置70は、図9に示したように、半導体積層体74が半導体層の成
長用の基板75を備えており、基板75の表面の一部が半導体積層体74から露出してい
る。
それ以外は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成及び同様の効果を有する
。
レイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機、車載部品、看板用チ
ャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。
11 サファイア基板
12 第1電極
13 第2電極
14、74 半導体層
14a、34a、44a、54a 半導体積層体
15、16、21、25、26、35、36、45、46、55、56 端子
17、37、47、57 絶縁体層
17a、27a 端子基板
18、28、38、48、58 固定部材
19、39、49、59 波長変換部材
56aa 端子の部位
60 接合部材
61 マスク
62 分離溝
75 基板
Claims (7)
- 発光素子と、該発光素子が載置された表面及びこれと反対側の裏面を有する端子基板と、固定部材とを含み、
前記発光素子は、第1半導体層、発光層及び第2半導体層がこの順に積層された半導体積層体と、該半導体積層体の一面側において、前記第1半導体層に接続される第1電極及び前記第2半導体層に接続される第2電極とを有し、
前記端子基板は、前記表面上から側面上を通って前記裏面上に延長して配置された一対の端子と、該端子を固定する絶縁体層とを含み、
前記発光素子は前記端子基板の一対の端子にフリップチップ実装されており、
平面視において、前記端子基板の外縁の少なくとも一部が前記半導体積層体の外縁よりも内側に配置されており、
前記固定部材は、前記端子基板の前記側面の一部及び前記発光素子の側面を被覆して前記端子基板及び前記発光素子を固定し、かつ、前記端子基板の裏面側と、前記側面側の一部において一対の接続端子を露出している発光装置。 - 前記端子は、前記端子基板の裏面側と、該裏面と連続する二対の側面において露出している請求項1に記載の発光装置。
- 前記端子基板の前記絶縁体層は、前記半導体積層体側に凸状の形状を備え、前記端子は、前記凸状の絶縁体層の表面上に配置されてなる請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記固定部材は、前記端子基板の側面に露出した端子と接する面で傾斜した部分を備える請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子装置は、前記半導体積層体の光取出し面側に波長変換部材を備える請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記半導体積層体は、平面視において、前記波長変換部材よりも小さい請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、前記半導体積層体の上面と、前記固定部材の上面とを被覆する請求項5又は6に記載の発光装置。
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