CN104157636B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104157636B
CN104157636B CN201410201241.2A CN201410201241A CN104157636B CN 104157636 B CN104157636 B CN 104157636B CN 201410201241 A CN201410201241 A CN 201410201241A CN 104157636 B CN104157636 B CN 104157636B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting device
light
semiconductor
light emitting
terminal board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410201241.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104157636A (zh
Inventor
末永良马
玉置宽人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of CN104157636A publication Critical patent/CN104157636A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104157636B publication Critical patent/CN104157636B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种发光装置及其制造方法，操作容易，通过使量产性提高从而能够低成本地制成。本发明的发光装置包含：依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层，且在一面侧具有与所述第一半导体层连接的第一电极及与所述第二半导体层连接的第二电极的半导体层积体；与所述第一电极及第二电极分别连接的一对端子；包含固定该端子的绝缘体层，在俯视观察下，其外缘配置在所述半导体层积体的外缘的内侧的端子基板。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，通过提高发光二极管的晶体品质，实现了高输出及高亮度等。其结果，除了用于通常的照明领域、车载照明领域等各种领域外，还提出有进一步的小型化、高质量化。
因此，作为表面安装型的发光装置，提出有电路基板成一体的发光装置，提出有各种简便地组装这样的发光装置的方法。
这些现有的发光装置可采用如下方法，在以晶片单位一体地排列有多个发光元件的状态下，一次搭载于具备多个与一个发光装置对应的单位的安装基板并将其切断。或者，采用如下方法，将各芯片一次搭载于具备多个与一个发光装置对应的单位的安装基板并将其切断。
专利文献1：(日本)特开2010－199565号公报
专利文献2：(日本)特开2010－177225号公报
但是，正在寻求发光装置的进一步的小型化、薄膜化，且进一步的高亮度化。另外，除了提高这些特性外，还寻求操作容易且廉价的发光装置。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而创立的，其目的在于提供一种发光装置及其制造方法，不仅提高进一步的小型化、薄膜化、高亮度化等特性，而且操作容易，通过使量产性提高从而能够低成本地制成。
本发明包含以下方面。
(1)本发明的发光装置，其包含发光元件、端子基板以及固定部件，
所述发光元件具有依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的半导体层积体，在该半导体层积体的一面侧具有与所述第一半导体层连接的第一电极及与所述第二半导体层连接的第二电极，
所述端子基板包含分别与所述第一电极及第二电极连接的一对端子、固定该端子的绝缘体层，
在俯视观察下，所述端子基板的外缘的至少一部分配置在所述半导体层积体的外缘的内侧，
所述固定部件将所述发光元件和所述端子部件固定。
(2)本发明的发光装置的制造方法包含如下的工序：在包含半导体层积体的发光元件上，以在平面图观察下，外缘的至少一部分配置于所述发光元件的外缘的内侧的方式安装端子基板。
(3)本发明的发光装置的制造方法包含如下的工序：
在支承体上排列多个发光元件，所述发光元件具有依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的半导体层积体，在该半导体层积体的一面侧具有与所述第一半导体层连接的第一电极及与所述第二半导体层连接的第二电极，
以在平面图观察下，外缘配置于所述半导体层积体的外缘的内侧的方式将端子基板安装在排列于所述支承体上的各发光元件上。
根据本发明，其目的在于提供一种发光装置及其制造方法，其操作容易，通过使量产性提高从而能够低成本地制成。
附图说明
图1(a)是表示本发明的发光装置的一实施方式的概略剖面图，图1(b)是其底面图；
图2(a)～(f)是表示本发明的发光装置的制造工序的概略剖面工序图；
图3是表示本发明的发光装置的其它实施方式的底面图；
图4(a)是表示本发明的发光装置的另一实施方式的概略剖面图，图4(b)是其底面图；
图5(a)是表示本发明的发光装置的又一实施方式的概略剖面图，图5(b)是其底面图；
图6(a)是表示本发明的发光装置的再一实施方式的概略立体图，图6(b)是B－B’剖面图，图6(c)是C－C’线剖面图，图6(d)是自箭头标记D方向的横向侧面图，图6(e)是自箭头标记E方向的纵向侧面图；
图7是表示本发明的发光装置的另一其它实施方式的概略立体图；
图8(a)、(b)是表示本发明的发光装置的另一制造工序的概略剖面工序图；
图9是表示本发明的发光装置的其他实施方式的概略剖面图。
标记说明
10、20、30、40、50、70：发光装置
11：蓝宝石基板、
12：第一电极
13：第二电极
14、74：半导体层
14a、34a、44a、54a：半导体层积体
15、16、21、25、26、35、36、45、46、55、56：端子
17、37、47、57：绝缘体层
17a、27a：端子基板
18、28、38、48、58：固定部件
19、39、49、59：波长转换部件
56aa：端子的部位
60：接合部件
61：掩模
62：分隔槽
75：基板
具体实施方式
在以下的说明中，根据需要使用表示特定的方向及位置的用语(例如包含“上”、“下”、“右”、“左”及包含这些用语的其它用语)。使用这些用语是为了容易参照附图理解本发明，并不通过这些用语的意思来限定本发明的技术范围。多个附图中所示的同一附图标记表示同一部分或部件。为了容易理解本发明，将实施方式分开来进行说明，但这些实施方式并非分别独立，可通用的部分也适用于说明其它的实施方式。
本发明的发光装置包括：包含半导体层积体的发光元件；端子基板。发光装置也可以包含固定部件。在此，在一个发光装置中，包含一个或多个发光元件。该发光装置也可用于所谓的顶视型、侧视型的任一种。
〔发光元件〕
发光元件通常具有半导体层积体和第一电极及第二电极。
(半导体层积体)
本发明的半导体层积体依次层积有第一半导体层(例如，n型半导体层)、发光层、第二半导体层(例如，p型半导体层)。在半导体层积体的一面侧(例如，有时也称为第二半导体层侧、下面侧)配置与第一半导体层连接的第一电极、和与第二半导体层连接的第二电极。在半导体层积体的另一面侧、即上述一面的相反侧具有使来自半导体层积体的光射出的光取出面。半导体层积体在半导体层生长用基板上层积而构成，既可以有基板，也可以除去基板。
第一半导体层、发光层及第二半导体层的种类、材料没有特别限定，例如可列举出III－V族化合物半导体、II－VI族化合物半导体等各种半导体。具体而言，可列举出InXAlYGa1－X－YN(0≤X、0≤Y、X+Y≤1)等氮化物系的半导体材料，可使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各层的膜厚及层结构可使用在该领域中公知的结构。
作为半导体层生长用基板，可列举出使半导体层外延生长的基板。作为这种基板的材料，可列举出蓝宝石(Al2O3)、尖晶石(MgA12O4)那样的绝缘性基板、上述的氮化物系的半导体基板等。作为半导体层生长用基板，通过使用如蓝宝石基板这样的具有透光性的基板，可不从半导体层积体除去而用于发光装置。
基板可以在表面具有凹凸。另外，也可以相对C面、A面等规定的结晶面具有0～10°左右的偏角。
基板也可以在与第一半导体层之间具有中间层、缓冲层、基底层等半导体层或绝缘层等。
在半导体层积体除去了半导体层生长用基板的情况下，能够得到更薄型化、小型化的发光装置。另外，通过除去对发光没有直接帮助的层，可阻止由此导致的对从发光层射出的光的吸收，因此能够进一步提高发光效率。其结果，可提高发光亮度。
半导体层积体的俯视观察下的形状没有特别限定，优选为四边形或与四边形近似的形状。半导体层积体的大小可根据发光装置的大小适当调整其上限。具体而言，半导体层积体的一边的长度可列举从数百μm至10mm左右。
半导体层积体在具有半导体层生长用基板的情况下，使基板和半导体层积体的平面面积相同为好，但也可以使其不同。即，为了容易地按照各半导体层积体进行分割，也可以使基板表面的一部分从半导体层积体露出。
(第一电极及第二电极)
第一电极及第二电极形成于半导体层积体的一面侧(在存在基板的情况下，为存在基板侧的相反侧，即下面侧)。
第一电极及第二电极可通过例如Al、Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等金属或这些金属的合金的单层膜或层积膜而形成。具体而言，可由从半导体层侧起以AlSiCu/Ti/Pt/Au、Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等的顺序层积的层积膜而形成。膜厚可以是本领域中使用的膜的膜厚的任一种。另外，也可以使用以ITO为代表的金属以外的导电性材料。
优选的是，第一电极及第二电极分别在靠近第一半导体层及第二半导体层的一侧配置有相对从发光层射出的光的反射率比电极的其它材料高的材料层，作为这些电极的一部分。
作为反射率高的材料，列举具有银或银合金或铝的层。作为银合金，可以使用该领域中公知的材料的任一种。该材料层的厚度没有特别限定，可以列举能够有效地反射从发光元件射出的光的厚度，例如20nm～1μm左右。该材料层与第一半导体层或第二半导体层的接触面积越大越好。
此外，在使用银或银合金的情况下，为了防止银的移动，优选形成覆盖其表面(优选为上面及侧面)的被覆层。
作为这样的被覆层，通常，由作为导电材料使用的金属及合金形成的被覆层即可，例如可列举含有铝、铜、镍等金属的单层或层积层。其中，优选使用AlCu。被覆层的厚度为了有效地防止银的移动，可列举数百nm～数μm左右。
只要第一电极及第二电极分别与第一半导体层及第二半导体层连接，电极的整面也可以不与半导体层接触，第一电极的一部分也可以不位于第一半导体层上及/或第二电极的一部分不位于第二半导体层上。即，如日本特开平9－331012号公报、日本特开平9－331022号公报等所记载地，可以经由绝缘膜等将第一电极配置在第二半导体层上，也可以经由绝缘膜等将第二电极也配置在第一半导体层上。
作为此处的绝缘膜，没有特别限定，可以是该领域中使用的单层膜及层积膜的任一种。
通过使用上述的绝缘膜等，这样的第一电极及第二电极能够与第一半导体层及/或第二半导体层的平面积无关地，设定成任意的大小及位置。因此，即使在后述的端子基板具有比半导体层积体的平面面积小的平面面积的情况下，也能够容易地进行半导体层积体的端子基板的安装。
第一电极及第二电极的形状可根据半导体层积体的形状、端子基板的端子的形状等设定。例如，优选的是，与后述的第一电极及第二电极接合的端子基板的端子(以下，有时称为“接合端子部”。例如，四边形或与其相近的形状)、和第一电极及第二电极为分别对应的形状。优选的是，第一电极、第二电极及接合端子部分别形成四边形或与其相近的形状。由此，通过自对准作用，可容易地进行半导体层积体和端子基板的接合及对位。在该情况下，优选的是，至少在与后述的端子基板连接的半导体层积体的最表面，第一电极及第二电极的平面形状大致相同。另外，优选的是，夹持半导体层积体的中央部分而使第一电极及第二电极分别相对配置。
第一电极及第二电极的上面(半导体层相反侧的面)也可以具有台阶，但优选大致平坦。此处的平坦是指半导体层积体的从与第一半导体层的发光层相接的一侧的相反侧的面至第一电极的表面(第一电极的半导体层积体相反侧的面)的高度和至第二电极的表面的高度大致相同。此处的大致相同是指容许有半导体层积体的高度的±10％左右的变动。
这样，通过使第一电极及第二电极的上面大致平坦、即实质上共面，容易地水平安装后述的端子基板。为了形成这样的第一电极及第二电极，例如，可通过如下方式实现：通过镀敷等在电极上设置金属膜，然后，通过抛光和切削使其大致共面。
也可以在第一电极及第二电极的上面，在与端子基板的端子连接的部分分别形成突起部。由此，在发光元件与端子基板之间形成固定部件时，容易将固定部件填充到发光元件与端子基板之间，能够降低来自发光元件的发光向端子基板侧的透过。另外，由于能够牢固地支承发光元件和端子基板，故而能够提高发光装置的可靠性。
另外，优选设于发光元件的电极的突起部的上面形状和端子基板的端子的安装发光元件的部分的平面形状大致相同。由此，通过自校准作用，能够将端子基板容易地向发光元件安装。
这样的突起部自未配置有突起部的电极的上面起以任意的高度设置，例如设为数μm～100μm左右的高度。
在第一电极及第二电极和第一半导体层及第二半导体层各自之间，也可以在不妨碍两者的电连接的范围内配置DBR(分布式布拉格反射器)。
DBR为例如任意地在由氧化膜等构成的基底层上层积低折射率层和高折射率层的多层构造，选择性地反射规定的波长光。具体而言，通过以1/4波长的厚度交替地层积折射率不同的膜，可高效地反射规定的波长。作为材料，可包含选自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al组成的组的至少一种氧化物或氮化物而形成。
例如，低折射率层可使用SiO2、高折射率层可使用Nb2O5、TiO2、ZrO2或Ta2O5等。具体而言，从基底层侧起依次可列举(Nb2O5/SiO2)n，n为2～5。DBR的总膜厚优选为0.2～1μm左右。
该DBR也可以作为上述的绝缘膜使用。由此，能够提高发光装置的光取出效率。
在通过后述的激光照射除去生长基板的情况下，作为DBR的材料，优选使用所使用的激光波长的光吸收率在30％以下的材料。由此，可降低DBR的劣化，可保持较高的光取出效率。例如，在使用波长248nm的KrF准分子激光的情况下，与Nb2O5、TiO2等相比，优选使用ZrO2。
〔端子基板〕
端子基板包含：与上述的半导体层积体连接的第一电极及第二电极分别连接，并且与发光装置的外部连接的一对端子；固定该端子的绝缘体层。但是，在一个发光装置包含多个发光装置的情况下，端子基板还可以具备一个以上的配线，其具有作为电连接多个发光元件的连接配线的功能。另外，除了电连接的端子或配线之外，还可以具有散热用的端子或散热器等。
在本说明书中，将端子基板的安装发光元件侧的面称为元件接合面(第一面)，将元件接合面相反侧的面称为背面(第二面)，将处于元件接合面和背面之间的面或连结这些元件的面称为侧面。
(绝缘体层)
作为绝缘体层，只要是具有绝缘性，则可以为任意的材料。例如，可列举陶瓷、树脂、电介质、纸浆、玻璃或这些材料的复合材料、或者这些材料和导电材料(例如，金属、碳等)的复合材料等。其中，优选为陶瓷。在所谓绝缘体层使用陶瓷的情况下，通过使用制造小型的芯片电阻的技术能够低成本地制成。陶瓷优选使用散热性高的氮化铝等。另外，优选为线膨胀系数较低的环氧玻璃、硅玻璃、改性硅玻璃等预成型基板。例如，能够适用于较多地填充在半导体用BGA安装领域中使用的玻璃纤维布及填料而将线膨胀系数调整到1～15ppm左右的线膨胀环氧玻璃基板。能够将这样的在绝缘层上形成有导电性配线图案的基板作为端子基板而使用。
作为这样的预成型基板的材料，使用散热性高的玻璃纤维布或填料，从而能够改善发光装置的散热性。另外，通过作为多层基板在内部内设零件，也能够起到保护元件等的作用。
(端子)
端子至少在端子基板的元件接合面具有与发光元件的第一电极及第二电极连接的接合端子部，且具备设于端子基板的其它面的、与发光装置的外部连接的外部连接部。
端子在端子基板内的位置等没有特别限定，例如，在端子基板的元件接合面内，分别与发光元件的第一电极及第二电极对应的位置配置有接合端子部，可以从此处以覆盖端子基板的侧面的方式延长，也可以从端子基板的元件接合面以覆盖侧面及元件接合面的相反侧的面(背面)的方式延长(参照图1(a)的端子15、16)，也可以以覆盖端子基板的与元件接合面连接的三个侧面的方式延长(参照图7的55a、56a)。另外，端子也可以经由所谓通孔，从端子基板的元件接合面在设有外部连接部的面上，不经过侧面而延长。由于外部连接部与发光装置的外部连接，故而从固定部件等露出。外部连接部也可以处于端子基板的背面、侧面的任一面。
端子的材料只要具有优良的导电性及安装性，就没有特别的限定，优选与接合部件、安装侧的焊锡的接合性及浸润性优良的材料。具体而言，在绝缘体层为陶瓷等的情况下，可列举W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Au等层积结构。在绝缘体层为玻璃环氧材料等的情况下，可列举Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/NiCu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Cu/Ni/Pd/Au等层积结构。除此之外，可使用用于上述的第一电极及第二电极的导电性的材料。
具有作为连接配线的功能的配线配置在端子基板的元件接合面即可。这种配线可根据安装于一个端子基板的发光元件的数量、其排列、连接方式(并联及串联)等适当设定其数量、形状及位置等。
端子或配线的形成方法能够根据绝缘体层的材料及发光装置的大小而适当选择，例如可利用镀敷或蒸镀、印刷等方法进行。
另外，例如将Mg等散热性高的金属板弯曲加工成所希望的端子或配线的形状，在金属板的周围形成绝缘体层的材料(优选添加有无机填料的树脂)，然后，通过将其切削和切断而成形，由此能够得到将金属的端子埋入并固定于树脂的绝缘体层的端子基板。
优选端子或配线在元件接合面侧均为大致平坦的形状。另外，优选端子或配线在端子基板的元件接合面大致共面。而且，优选端子或配线在接合有上述的发光元件和端子基板的情况下，在端子基板的元件接合面为水平，以能够使发光元件的未形成第一电极及第二电极侧的面(即光取出面)水平配置。由此，可简化除去后述的固定部件而使端子基板的背面侧露出的工序。
端子或配线也可以分别具有与发光元件的第一电极及第二电极接合的突起部。由此，在发光元件与端子基板之间形成固定部件时，容易将固定部件填充到发光元件与端子基板之间，能够防止来自发光元件的发光向端子基板侧透过。另外，由于能够牢固地支承发光元件和端子基板，故而能够提高发光装置的可靠性。
突起部的上面的形状分别与要接合的发光元件的电极的形状大致相同为好。由此，通过自校准作用能够将端子基板容易地向发光元件安装。
突起部能够通过如下的方式及其方式的组合而形成，即，在平坦的端子或配线上设置补片、使端子下方的绝缘体层的厚度不同、在平坦的绝缘体层上使端子或配线的厚度不同。
这样的突起部自未配置有突起部的端子或配线的上面起以任意的高度设置，例如设为数μm～100μm左右的高度。
端子基板的平面形状没有特别限定，可根据半导体层积体或发光装置的形状适当设定。作为平面形状，例如可列举圆形、四边形等多边形或与这些形状相近的形状。另外，大小没有特别限定，优选为与半导体层积体大致相等或比其小或大的平面面积。特别是在一个发光装置上具备一个半导体层积体的情况下，优选端子基板的平面面积与半导体层积体大致相等或比其小。在一个发光装置上具备两个以上的半导体层积体的情况下，优选端子基板与两个以上的半导体层积体的合计平面积大致相等或比其小。
优选在俯视观察下，端子基板的外缘配置在半导体层积体的外缘的内侧(即，靠近中央的一侧)。此处的外缘可以是全部，也可以是一部分。
例如，优选端子基板的外缘的全部配置在半导体层积体的外缘的内侧。由此，能够实现更小型的发光装置。
另外，在俯视观察下，端子基板及半导体层积体为四边形或与其相近的形状的情况下，至少在一边，端子基板的外缘配置在与半导体层积体的外缘相同的位置，在余下的边上，端子基板的外缘也可以配置在半导体层积体的外缘的内侧。
这样，通过使端子基板的平面面积比半导体层积体的平面面积小、或将端子基板的外缘配置在半导体层积体的外缘的内侧，能够使光难以接触到端子基板。由此，能够降低端子基板对光的吸收，能够形成光取出效率高的发光装置。
在作为侧视型的发光装置进行安装的情况下，优选按照从成为安装面的端子基板的底面露出端子的方式设置。另外，优选露出安装时的端子基板的底面(与发光装置相对的面(第一面)相反侧的面、即背面、第二面)、和与该底面邻接的端子基板的面的一个或两个。另外，也可以在发光装置的安装面相反侧的面露出端子。
端子基板的厚度没有特别限定，作为能够防止发光元件的处理时的开裂、裂纹等的厚度或发光装置，优选为能够强化发光元件的厚度。例如，可列举出50～300μm左右。
此外，端子基板其自身可以构成电容器、压敏电阻器、齐纳二极管、桥接二极管等保护元件，也可以在其一局部具备起到这些元件的功能的结构。通过使用起到这种元件功能的基板，无需搭载其它零件就可以作为发光装置而发挥作用，因此，能够使提高静电耐压等的高性能的发光装置更加小型化。
端子基板的接合端子部通常通过接合部件与发光元件的第一电极及第二电极接合。这样的接合部件也可以使用该领域中公知的材料的任一种。具体而言，可列举Au－Sn、Sn－Cu等共晶合金(例如，焊锡)、补片、各向异性导电材料等。其中，通过使用共晶合金，通过自对准作用，能够容易地将端子基板安装在适当位置，提高量产性，制造更小型的发光装置。
〔固定部件〕
本发明的发光装置还可以含有固定部件。固定部件是指具有覆盖或固定构成上述的发光装置的半导体层积体、即发光元件及/或端子基板的功能的部件。只要起到这种功能，对其材料就没有特别限定，可列举陶瓷、树脂、电介质、纸浆、玻璃或这些材料的复合材料等。其中，从可容易地成形成任意形状的观点来看，优选树脂。
作为树脂，可列举热固化性树脂、热塑性树脂等。具体而言，可列举：环氧树脂组合物、硅树脂组合物、硅改性环氧树脂等改性环氧树脂组合物；环氧改性有机硅树脂等改性有机硅树脂组合物；聚酰亚胺树脂组合物、改性聚酰亚胺树脂组合物；聚邻苯二甲酰胺(PPA)；聚碳酸酯树脂；聚苯硫醚(PPS)；液晶聚合物(LCP)；ABS树脂；酚醛树脂；丙烯酸树脂；PBT树脂等树脂。
为了使树脂对来自发光元件的光的反射率我60％以上，更优选为70％、80％或90％以上，也可含有二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、各种稀土类氧化物(例如，氧化钇、氧化钆)等反光材料。由此，可高效地反射来自发光元件的光。特别是通过使用比端子基板的反光率高的材料(例如，在端子基板使用氮化铝的情况下，作为固定部件，使用含有二氧化钛的硅树脂)，可保持处理性，同时，减小端子基板的大小，提高发光装置的光取出效率。
树脂也可以含有光散射材料(硫酸钡、二氧化钛、氧化铝、氧化硅等)、着色剂(碳黑等)等。树脂也可含有玻璃纤维、硅灰石等纤维状填料、碳、氧化硅等无机填料。树脂也可含有氮化铝等散热性高的材料。
例如，在使用二氧化钛的情况下，优选相对树脂部件的总重量含有20～40重量％。
通过含有这种成分，进而增加无机填料含有率，或使用高强度的树脂，可提高将基板或支承体等除去、剥离等工艺中的固定部件的强度，进而，在发光装置中也可确保强度。另外，通过含有散热性高的材料，在维持发光装置的小型化的状态下，可提高散热性。
优选的是，固定部件如下配置：(1)以覆盖端子基板的侧面的方式配置；(2)以覆盖半导体层积体的侧面的方式配置；及/或(3)以埋入半导体层积体和端子基板之间的方式配置。其中，更优选以满足上述(1)～(3)的方式配置。另外，优选在半导体层积体具有半导体生长用基板的情况下，固定部件也覆盖该基板的侧面而配置。另外，优选在半导体层生长用基板的表面的一部分从半导体层积体露出的情况下，该露出的部位也被固定部件覆盖。固定部件通过如下地配置，确保发光装置的强度，由此，可使处理性良好。另外，如上所述，在除去半导体层生长用基板时，可对半导体层积体赋予可耐受要施加的应力的强度，可成品率良好地制造实现了小型化的发光装置。换言之，提高了实现小型化的发光装置的量产性。其结果，可一个个单独地获得确保高质量的发光装置。
另外，在以满足上述(1)～(3)的方式配置的情况下，作为固定部件，优选使用反射率高的固定部件。由此，可有效地实现对发光元件的上面的光取出量的提高。
在此，覆盖端子基板的侧面及/或半导体层积体的侧面的固定部件的宽度(距端子基板或半导体层积体的侧面的高度)可根据端子基板及/或半导体层积体的平面形状适当设定，例如，可列举出20～200μm左右。通过这样的厚度，能够有效地反射从上述发光层射出的光，另外，能够对发光元件赋予足够的强度。
另外，优选固定部件露出端子基板的背面。由此，能够提高散热性。
〔波长转换部件〕
优选在发光装置的光取出面设有波长转换部件。优选例如半导体层积体的光取出面被波长转换部件覆盖。另外，更优选在构成发光装置的半导体层积体的半导体层的侧面被固定部件覆盖的情况下，除了半导体层积体的光取出面之外，固定部件也被波长转换部件覆盖。通过配置这样的波长转换部件，能够使从半导体层积体取出的光高效地进行波长转换。
波长转换部件主要由荧光体形成。
波长转换部件中含有的荧光体可使用该领域中公知的荧光体。例如，作为发光元件，在使用发蓝色光的氮化镓系发光元件的情况下，可列举：吸收蓝色光而发黄色～绿色系光的YAG系、LAG系、发绿色光的SiAlON系(β赛隆)、发红色光的SCASN、CASN系的荧光体的单独荧光体或这些荧光体的组合。另外，也可以含有上述的光散射材料等。
波长转换部件可以仅含有荧光体，作为粘结剂，优选包含氧化铝、氧化硅等透光性无机物、透光性树脂等。通过使用粘结剂，可容易地将波长转换部件配置在任意位置。
透光性树脂优选透过从发光层射出的光的60％以上，进而优选透过70％、80％或90％以上。这种树脂可列举：例如，硅树脂组合物、改性硅树脂组合物、环氧树脂组合物、改性环氧树脂组合物、丙烯酸树脂组合物等、硅树脂、环氧树脂、脲醛树脂、氟树脂及包含至少一种这些树脂的混合树脂等树脂等。
形成波长转换部件的方法可列举：与后述的固定部件的覆盖方法相同的方法、将波长转换部件成形为片状并粘贴的方法、电泳沉积法、浇注、压缩成形、喷射、静电涂敷法等。
波长转换部件的形状或厚度没有特别限定，例如可列举出10～300μm左右的层状。
此外，也可以代替波长转换部件，形成由上述的透光性树脂构成的不含有荧光体的密封部件。
密封部件也可以含有上述的光散射材料、无机填料等。
这些波长转换部件、光散乱层及/或密封部件也可以层积两种以上。例如，也可以在半导体层积体上层积密封部件，在其上设有波长转换部件。
〔发光装置的制造方法〕
本发明的发光装置的制造方法包含如下的工序，即，在包含半导体层积体的发光元件上，以在俯视观察下，外缘的至少一部分配置在所述发光元件的外缘的内侧的方式安装端子基板。
在一实施方式中，发光装置的制造方法包含如下的工序：
(1)在支承体上排列多个发光元件，该发光元件具有依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的半导体层积体，在上述半导体层积体的一面侧具有与上述第一半导体层连接的第一电极及与上述第二半导体层连接的第二电极；
(2)以在俯视观察下，外缘配置在上述半导体层积体的外缘的内侧的方式，在排列于支承体上的各半导体层积体上安装端子基板。
另外，也可包含一个以上如下的工序：(3)由固定部件固定多个端子基板及多个半导体层积体；
(4)从半导体层积体除去上述支承体；以及
(5)将半导体层积体间的固定部件按每一个或多个半导体层积体进行分离(例如切断)。
上述工序(3)例如也可以包含如下的工序：
(a)由固定部件覆盖端子基板的侧面；
(b)由固定部件覆盖半导体层积体的侧面；及/或
(c)由固定部件覆盖半导体层积体和端子基板之间。
首先，在工序(1)中形成半导体层积体。
半导体层积体为了通过该领域中通常使用的方法获得上述的半导体层的层积结构，可适当调整条件等而形成在基板上。
例如，可列举出：MOVPE、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)、分子束外延生长法(MBE)等公知的成膜方法。
例如，通过MOCVD，在蓝宝石的基板上层积有AlGaN的缓冲层、n型GaN的第一半导体层、包含InGaN层的发光层、p型GaN的第二半导体层，形成半导体层的层积结构。
之后，通过RIE等的蚀刻等，除去获得的半导体层的层积结构的第二半导体层及发光层、任意的第一半导体层的厚度方向的一部分，露出第一半导体层。在露出的第一半导体层的表面和第二半导体层的表面形成分别与第一半导体层及第二半导体层连接的第一电极及第二电极。
将这样获得的半导体层积体以构成一个发光装置的单位切断并单片化。此外，为了简化这种切断，在工序(1)之后或其中，优选除去要切断的位置的第一半导体层、发光层及第二半导体层，预先露出基板表面(也称为元件分离)。通过切断基板表面露出的部位，能够防止半导体层的损伤。由此，能够提高量产性。另外，由此，由于在多个半导体层积体之间形成间隔，故而即使在使用与半导体层积体的外缘相同或比其大的端子基板的情况下，也能够容易地安装端子基板。
在此，在一个发光装置搭载一个芯片的情况下，可按进行了元件分离的每一个单位进行切断，在一个发光装置搭载多个芯片的情况下，可按进行了元件分离的每两个以上的单位进行切断。
将多个这样获得的每单位的半导体层积体排列在支承体上。
此处的支承体没有特别限定，只要是可将半导体层积体配置于其上的板状的支承体，则可以是任意的支承体。多个半导体层积体的排列也可以是随机的，但优选有规则地(例如，矩阵状)配置。排列优选使用例如胶带等，以使其不容易进行位置变动。
或者，也可以在将获得的半导体层积体进行了元件分离之后，在将多个半导体层积体排列在基板上的状态下，实施下一工序。在这种状态下实施下一工序的情况下，由于无需如上所述那样地切断基板，或进行多个排列，且不一个个地单独进行位置变动，因此，适于量产。该情况下的支承体为用于使半导体层成长的基板。
在工序(2)中，以在俯视观察下，外缘配置在半导体层积体的外缘的内侧的方式，在排列在支承体上的各半导体层积体上安装端子基板。
此处的端子基板的安装也可以将端子基板分别载置在排列于支承体上的半导体层积体上，也可以将多个端子基板排列在粘贴片等上，并一起转印/载置在排列于支承体上的半导体层积体。
端子基板的安装优选利用上述的自对准作用进行。通过利用该作用，能够容易地将与构成1单位的半导体层积体相同或比其小的端子基板安装在合适的位置。
例如，在平面图观察下，在端子基板具有直线状的一边的情况下或为四边形的情况下，端子基板也可按照至少与半导体层积体的一边一致的方式(共面的方式)安装。通过这样的安装，能够容易地用于侧视型。
在工序(3)中，由固定部件固定多个端子基板及多个半导体层积体。此处的固定优选具有一个以上如下的工序：(a)由固定部件覆盖端子基板的侧面；(b)由固定部件覆盖半导体层积体的侧面；及(c)由固定部件覆盖半导体层积体和端子基板之间。
为了由固定部件固定这些侧面/之间(即，覆盖或埋入)，可以使用固定部件的涂敷、浇注、印刷、压缩成形、传递成形、旋涂等该领域中公知的方法中的任一种。通过使用这些方法，对于多个端子基板及多个半导体层积体，可以将端子基板的侧面及半导体层积体的侧面以及半导体层积体和端子基板之间一并覆盖或固定、或者埋入。此外，通过设定这些公知的方法的条件，能够任意地执行工序(a)、(b)及(c)的一种以上。
固定部件也可以与端子基板的背面共面地形成。例如，在传递成形中，以半导体层积体侧为下方，将端子基板的背面埋入剥离片而配置，之后，形成固定部件。由此，可将端子基板的背面从固定部件露出而成形。
另外，除了端子基板的端子之外，固定部件也可以按照露出绝缘体层的方式设置。
固定部件也可以按照埋入端子基板整体的方式较厚地成形。由此，能够增大发光装置整体的强度。其结果，在支承体除去工序中是有利的。另外，作为单片化后的发光装置是有利的。
此外，固定部件在工序的中途或单片化前，也可以执行：应用切割的切断、应用使用了表面平面化等方法的切削的厚度控制、应用干式或湿式喷砂的除去等。由此，可容易地露出端子基板的任意端子。
例如，如图8(a)所示，按照将在表面形成有掩模61的端子基板完全埋入的方式将固定部件18压缩成形，从端子基板侧进行半切割(除去一部分固定部件18)。之后，如图8(b)所示，通过用湿式喷砂除去固定部件18，直至露出端子15、16，能够容易地露出端子基板的侧面，可制造侧面发光的发光装置。
在工序(3)之后，在工序(4)中，从半导体层积体除去支承体。此处的除去也包含从上述的胶带剥离各个半导体层积体，或者剥离半导体层的生长用基板中的任一种。
特别是半导体层的生长用基板为了牢固地将半导体层积体(即，发光元件)紧密贴合于基板，通过进行工序(3)中的利用固定部件的固定，能够容易且可靠地执行该基板的除去。
该情况下的基板的除去通常通过在基板和半导体层积体之间照射激光束，可容易地进行。
例如，在半导体层积体为GaN系半导体，支承体为蓝宝石基板的情况下，通过从支承体侧照射波长248nm的KrF准分子激光、YAG激光等四次谐波266nm，使构成半导体层积体的半导体层吸收能量并消融，可进行基板的剥离。激光束的照射量、时间等可通过使用的基板的种类、厚度等适当调整。
在除去之后，用HCl、HNO3等酸除去残存在表面的导电材料、氧化物等(例如，Ga金属、Ga2O3等)，形成洁净面。之后，也可以实施如下加工，即，通过用NaOH、TMAH等强碱蚀刻半导体层而形成粗糙表面，提高光取出效率。
实施了这种蚀刻的半导体层积体由于容易受到热量及水分的影响，故而优选在其表面形成保护膜。作为保护膜，可列举SiO2、Al2O3、TiO2、Nb2O5、ZrO2等透明氧化物、AlOxNy、SiN、SiNx等透明氮化物材料等透明绝缘体膜的单层或层积结构。保护膜可通过各种成膜方法、溅射、蒸镀、原子层沉积法(ALD)等形成。特别是由于可以根据ALD形成致密的膜，提高了发光装置的可靠性，故而优选。此外，这种保护膜不限于半导体层的表面，可以按照覆盖端子基板、密封部件、波长转换部件等各种部件的方式设置。由此，能够形成光取出效率高的发光装置。
支承体的除去也可以通过表面平面化、蚀刻、喷砂等的抛光来进行。
在工序(5)中，通过切断半导体层积体间的固定部件、任意的波长转换部件等而进行单片化。
此处的切断位置可以是每个半导体层积体或每两个以上的半导体层积体的任一种。切断可以使用刀片、激光、划刻器等进行。在先前的工序中，由于在从半导体层积体除去支承体的情况下，无需切断支承体，故而可成品率良好地进行切断，提高量产性。另外，不会如现有的发光装置那样地，为接合有半导体层积体的端子基板，而是通过切断固定部件，可提高量产性。
支承体、半导体层积体及固定部件可以分别用各种装置进行。例如，在支承体为蓝宝石基板的情况下，也可以从支承体侧用激光实施用于割断的加工，通过破裂将支承体单片化，接着，通过切割切断固定部件。
在形成为侧视型的发光装置等的情况下，在成为端子的外部连接部的部分埋没于固定部件的情况下，优选在切断之前通过湿式或干式蚀刻、喷砂等，预先使端子的外部连接部露出。
此外，在进行工序(5)之前，也可以在半导体层积体的表面上及/或固定部件的表面上形成波长转换部件。
波长转换部件的形成例如可列举：混合荧光体、树脂及有机溶剂(任意的扩散材料等)，使用喷射法分数次向半导体层积体表面喷雾而进行涂敷的方法；涂敷混合物的方法等。通过使用喷射法，可自由地设置波长转换部件的配置、形状等。
另外，在获得的波长转换部件上可以设有不含有荧光体的密封部件，也可以设有透镜或纳米透镜等光学部件。密封部件及光学部件等可以通过树脂、玻璃等形成。
或者，也可以按照覆盖半导体层积体的整体或一部分的方式配置预先成形为板状、透镜状等的波长转换部件。由此，能够形成为明亮的发光装置。
以下，基于附图详细地说明本发明的发光装置及其制造方法的实施方式。
实施方式1：发光装置
如图1(a)的剖面图及1(b)的底面图所示，实施方式1的发光装置10具备：依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的、大致四边形的半导体层14；具有与其连接的第一电极12及第二电极13的成为发光元件的半导体层积体14a；包含一对端子15、16和绝缘体层17的端子基板17a。
端子基板17a具备：由大致四边形的氧化锌陶瓷构成的绝缘体层17、从元件接合面分别通过不同的侧面而到达背面的一对端子15、16。该端子基板17a具有压敏电阻器功能。
第一电极12及第二电极13分别与作为n型半导体层的第一半导体层及作为p型半导体层的第二半导体层电连接，虽未作图示，但第一电极12的一部分也经由绝缘膜(例如，SiO2)到达第二半导体层上。第一电极12及第二电极13中，与端子基板17a接合的面具有大致相同的平面面积，大致共面。
第一电极12及第二电极13按照半导体层积体14a的光取出面和端子基板17a的背面大致平行的方式，通过共晶焊锡(Au－Sn)分别与端子基板17a的一对端子15、16的接合端子部接合。
在俯视观察下，端子基板17a的整个外周配置在半导体层积体14a的外周的内侧(特别是参照图1(b))。
从半导体层积体14a的侧面到端子基板17a的侧面被由有机硅树脂(含有SMC、30重量％的作为填料的二氧化硅、30重量％的作为反射材料(扩散材料)的二氧化钛)构成的固定部件18覆盖。从该半导体层积体14a的侧面至固定部件18的表面的长度为10～200μm左右、例如150μm左右，端子基板17a的侧面至固定部件18的表面的长度为20～250μm左右、例如200μm左右。另外，固定部件18也配置在半导体层14和端子基板18之间。
在半导体层积体14a的从第一半导体层的表面到固定部件18的表面配置有波长转换部件19。波长转换部件19为由含有30重量％左右的YAG荧光体的有机硅树脂构成的片状。
这样的发光装置通过对整齐排列的各个成为发光元件的半导体层积体单独配置进行了小片化的端子基板，可获得适当校准后的发光装置。另外，能够实现所谓的芯片尺寸封装。而且，由于安装基板自身实质上可以比半导体层积体的尺寸小型化，故而能够获得更小型化的封装。
而且，在现有的发光元件中，蓝宝石基板等用于使半导体层成长的基板作为发光元件的基板直接使用，但在除去该基板的情况下，能够阻止由该基板引起的、光的吸收或内部散射、封入等，可以进一步提高光取出效率，能够实现高亮度化。
作为端子基板，在使用具有压敏电阻器等功能的结构的情况下，不单独搭载功能元件，也可发挥该功能。其结果，在维持小型化的同时，可实现更高质量的发光装置。
实施方式2：发光装置的制造方法
如图1(a)及图1(b)所示的发光装置10可通过以下的方法制造。
首先，如图2(a)所示，在蓝宝石基板11上形成层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的半导体层14。半导体层14除去第二半导体层及发光层的一部分，露出第一半导体层的一部分。另外，通过露出蓝宝石基板11的表面的分隔槽62，将半导体层14与具有作为一芯片的发光元件的功能的单位分离。
在这样的半导体层14中，在露出的第一半导体层上、第二半导体层上形成第一电极12及第二电极13。电极可利用公知的方法形成。由此，形成半导体层积体14a。
如图2(b)的上面图及2(c)的剖面图所示，按照排列于蓝宝石基板11上的半导体层积体14a的第一电极12及第二电极13、和端子基板17a的一对端子15、16的接合端子部接合的方式，将端子基板17a分别安装在半导体层积体14a上。此时，将端子基板17a的外缘配置在半导体层积体14a的外缘的内侧(特别是参照图2(b))。
如图2(d)所示，从端子基板17a侧，按照覆盖端子基板17a的整体及半导体层积体14a的侧面的方式涂敷固定部件18。此时，在半导体层积体14a和端子基板17a之间也涂敷有固定部件18。
或者，对每个蓝宝石基板11用上下模具夹持与端子基板17a接合的半导体层积体14a，在模具内注入树脂，在端子基板17a的整体、半导体层积体14a的侧面及半导体层积体14a和端子基板17a之间配置固定部件18。
如图2(e)所示，在端子基板17a的背面，按照露出一对端子15、16的外部连接部的方式，除去固定部件18。之后，通过从蓝宝石基板11侧照射波长248nmKrF准分子激光，使构成半导体层积体14a的半导体层吸收能量并消融，剥离蓝宝石基板11，露出第一半导体层的表面。由此，在固定部件18内，半导体层积体14a按照每一芯片被分离。
在剥离蓝宝石基板11后，用HCl除去残存在表面上的Ga金属、Ga2O3等残留物，形成清洁面。之后，用NaOH蚀刻半导体层，进行粗糙表面化。
如图2(f)所示，在露出的第一半导体层的表面覆盖波长转换部件19。此处的波长转换部件19也覆盖配置于第一半导体层的侧方的固定部件18的表面。
之后，沿图2(f)的X线，将波长转换部件19和固定部件18按照每一个半导体层积体14a进行切断。由此，获得图1(a)及1(b)所示的发光装置10。
这样，由于可以在各个半导体层积体上配置具有预先设置的端子的小片化的端子基板，故而与通过镀敷生长等形成端子的情况相比，成品率良好，另外，与安装集合基板相比，容易校准，故而能够提高量产性。
另外，在用固定部件覆盖各个半导体层积体的情况下，可以使将用于使半导体层成长而使用的基板剥离时的应力，根据半导体层积体的大小而降低。因此，可以在不损伤半导体层积体的情况下，容易地实现基板的剥离。其结果，能够实现成品率的提高。
这样，在剥离基板后，切断半导体层积体的情况下，由于不切断基板即可进行小片化，故而有助于进一步提高量产性。
实施方式3：发光装置
如图3的底面图所示，实施方式3的发光装置20依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层，包含两个具有大致四边形的半导体层和与其连接的第一电极12及第二电极13的半导体层积体14a及端子基板27a。
端子基板27a具备：绝缘体层27；在其两侧从元件接合面通过侧面到达背面的一对端子25、26；在元件接合面，在端子25、26之间与其分离的配线用的一个端子21。
一半导体层积体14a的第一电极与端子基板27a的端子25串联连接，另一半导体层积体14a的第二电极串联连接有端子基板27a的端子26串联连接，一半导体层积体14a的第二电极及另一半导体层积体14a的第一电极与配线用端子21串联连接。
在俯视观察下，端子基板27a在各半导体层积体14a的三边配置在其外周的内侧，跨过各半导体层积体14a的相对的一边而配置。
这样，按照每两个半导体层积体14a的方式切断固定部件28及波长转换部件，除此之外，具有实质上与实施方式1的发光装置10相同的结构，可按照与实施方式2相同的制造方法进行制造。
在该发光装置中，也具有与实施方式1的发光装置10、和实施方式2的制造方法相同的效果。
实施方式4：发光装置
如图4(a)的剖面图(图4(b)的N－N’线)及图4(b)的底面图所示，实施方式4的发光装置30具备：依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的大致正方形的半导体层；具有与其连接的第一电极及第二电极的半导体层积体34a；包含一对端子35、36和绝缘体层37的端子基板37a。
第一电极及第二电极和一对端子35、36经由接合部件60电连接。
该发光装置30在半导体层积体34a的未设有电极的一侧、即光取出面侧具备波长转换部件39，该半导体层积体34a和波长转换部件39的大小和形状大致一致。另外，固定部件38仅覆盖半导体层积体34a的第一电极及第二电极部分，未覆盖半导体层的侧面。
端子基板的一端子36在端子基板的背面，作为外部连接部，设为在与另一端子35相对的边的大致中央部具有切口的矩形。另一端子35设为不具有切口的矩形，为与一端子35不同的形状。这样，通过使一对端子的外部连接部的形状互不相同，能够容易地进行发光装置的极性判定。
除此之外，具有与实施方式1的发光装置10实质上相同的结构，能够用与实施方式2相同的制造方法进行制造。
在该发光装置中，也具有与实施方式1的发光装置10、和实施方式2的制造方法相同的效果。
实施方式5：发光装置
如图5(a)的剖面图(图5(b)的M－M’线)及图5(b)的底面图所示，实施方式5的发光装置40具备：依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的大致正方形的半导体层；具有与其连接的第一电极及第二电极的半导体层积体44a；包含一对端子45、46和绝缘体层47的端子基板47a。
第一电极及第二电极和一对端子45、46经由接合部件60电连接。
该发光装置40在半导体层积体44a的光取出面具备波长转换部件49。半导体层积体44a比波长转换部件49小。
固定部件48覆盖半导体层积体44a的第一电极及第二电极部分，并且覆盖半导体层的一部分的侧面。
端子基板中的端子45、46从端子基板的元件接合面通过侧面到达端子基板的背面。另外，在端子基板的一侧面，端子部45、46从固定部件18露出。在该侧面中，波长转换部件49、半导体层积体47a、固定部件48与端子45、46的露出面一致，大致共面。
另外，在端子基板的背面，绝缘体层47的表面被固定部件48覆盖。
除此之外，基本上具有与实施方式1、4的发光装置10、30相同的结构，可用与实施方式2相同的制造方法进行制造。
在该发光装置中，具有与实施方式1、4的发光装置10、30、实施方式2的制造方法相同的效果。
另外，由于使端子基板47a的端子也从发光装置的侧面露出，也可以作为侧视型的发光装置使用。
实施方式6：发光装置
如图6(a)～(e)所示，实施方式6的发光装置50具备：依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的大致长方形的半导体层；具有与其连接的第一电极及第二电极的半导体层积体54a；包含一对端子55、56和绝缘体层57的端子基板。
该发光装置50在半导体层积体54a的光取出面具备波长转换部件59。半导体层积体54a比波长转换部件59小。
固定部件58覆盖半导体层积体54a整体的侧面，波长转换部件59覆盖半导体层积体54a和固定部件58双方的上面。由此，能够利用固定部件58强化半导体层积体54a的整个侧面，能够进一步确保发光装置的强度。另外，固定部件58在与从端子基板的侧面露出的端子相接的面上具有倾斜。由此，在该倾斜的部分，能够有效地积蓄与端子的部位56aa接合的安装用的焊锡。
如图6(c)及(e)所示，从其侧面来看，端子基板中的绝缘体层57在半导体层积体54a侧具有凸状的形状。由此，即，通过使端子基板的绝缘体层57中的与半导体层积体相近的部分比其相反侧窄，在图2(f)的工序的前后进行喷砂加工等时，能够减少除去固定部件的量，能够实现简单的加工。另外，通过在固定部件58埋入凸状部，能够提高紧密贴合性。
端子55、56从端子基板的元件接合面侧覆盖一对侧面并到达背面。而且，在端子基板的背面及一对侧面的背面侧附近，从固定部件58露出。即，在一对侧面，端子55、56在靠近半导体层积体54a的部分被固定部件58覆盖，在靠近背面侧的部分未被覆盖。由此，可将端子基板的背面侧及侧面的露出的端子55、56二者作为外部连接部使用。
另外，在与端子基板的端子55、56露出的一对侧面不同的另一对侧面，波长转换部件59及固定部件58大致共面(参照图6(c)及(e))。该另一对侧面成为发光装置的底面及上面，可作为侧视型的发光装置使用。在该情况下，通过将端子基板的背面侧及侧面的露出的端子55、56两部分作为外部连接部使用，能够提高发光装置的安装强度。
在本实施方式的发光装置中，通过用固定部件58覆盖半导体层积体54a的整个侧面，能够提高发光装置的可靠性。特别是，在半导体层积体54a作为与发光装置的安装基板接近安装的侧视型的发光装置使用的情况下，可以防止用于发光装置的安装的焊剂等的侵入。
除此之外，具有与实施方式1、4的发光装置10、30基本上相同的结构。
如图2(f)所示，这样的发光装置在切断波长转换部件和固定部件之前或之后，可以通过用喷砂加工等除去覆盖设有一对端子的一对侧面的固定部件，露出端子基板57a的端子。
除此之外，可以使用基本上与实施方式2相同的制造方法制造。
在该发光装置中，也具有与实施方式1、4的发光装置10、30、和实施方式2的制造方法相同的效果。
实施方式7：发光装置
如图7所示，实施方式7的发光装置60的端子55a、56a从端子基板的背面侧、和与背面连接的两对侧面露出。即，在作为侧视型的发光装置安装的情况下，端子55a、56a露出成为发光装置的底面的面Q、与该底面邻接的面S、与相对于半导体层积体的面相反侧的面P、与发光装置的安装面相反侧的上面T。
除此之外，具有实质上与实施方式6的发光装置50相同的结构及同样的效果。
实施方式8：发光装置
如图9所示，实施方式8的发光装置70的半导体层积体74具有半导体层生长用的基板75，基板75的表面的一部分从半导体层积体74露出。
除此之外，具有实质上与实施方式1的发光装置10相同的结构及同样的效果。
产业上的可利用性
本发明的发光装置可用于照明用光源、各种指示灯用光源、车载用光源、显示器用光源、液晶的背光用光源、传感器用光源、信号机、车载零件、广告牌用信道字母等各种光源。

Claims (14)

1.一种发光装置，其包含发光元件、端子基板以及固定部件，
所述发光元件具有依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的半导体层积体，在该半导体层积体的一面侧具有与所述第一半导体层连接的第一电极及与所述第二半导体层连接的第二电极，
所述端子基板包含分别与所述第一电极及第二电极连接的一对端子、固定该端子的绝缘体层，
在俯视观察下，所述端子基板的外缘的至少一部分配置在所述半导体层积体的外缘的内侧，
所述固定部件包含反光材料，将所述发光元件和所述端子部件固定，并且覆盖所述端子基板的侧面及所述半导体层积体的侧面，所述固定部件构成发光装置的外形。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，
在俯视观察下，所述端子基板的整个外缘配置在所述半导体层积体的外缘的内侧。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述端子基板的与所述发光元件面对侧的相反侧的面从所述固定部件露出。
4.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述发光元件和所述端子基板之间被所述固定部件覆盖。
5.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
在所述半导体层积体的另一面侧，所述半导体层积体及所述固定部件被波长转换部件覆盖。
6.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述端子基板具备电容器功能。
7.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述发光装置为侧视型的发光装置。
8.一种发光装置的制造方法，其中，包含如下的工序：
在包含半导体层积体的发光元件上，以在平面图观察下，外缘的至少一部分配置于所述发光元件的外缘的内侧的方式安装端子基板；
利用包含反光材料的固定部件将所述发光元件和所述端子基板固定，并且，所述固定部件覆盖所述端子基板的侧面及所述半导体层积体的侧面，被配置成构成发光装置的外形。
9.一种发光装置的制造方法，其中，包含如下的工序：
在支承体上排列多个发光元件，所述发光元件具有依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层的半导体层积体，在该半导体层积体的一面侧具有与所述第一半导体层连接的第一电极及与所述第二半导体层连接的第二电极，
以在平面图观察下，外缘配置于所述半导体层积体的外缘的内侧的方式将端子基板安装在排列于所述支承体上的各发光元件上，
利用包含反光材料的固定部件将所述发光元件和所述端子基板固定，并且，所述固定部件覆盖所述端子基板的侧面及所述半导体层积体的侧面，被配置成构成发光装置的外形。
10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法，其中，
所述支承体为所述第一半导体层的生长基板。
11.如权利要求8～10中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，
还包含由固定部件覆盖所述端子基板的侧面及所述发光元件和所述端子基板之间的工序。
12.如权利要求9或10所述的发光装置的制造方法，其中，
还包含如下的工序：
由固定部件固定多个所述端子基板及多个所述发光元件，
从所述发光元件除去所述支承体，
按照每一个或多个半导体层积体将所述发光元件间的固定部件分离。
13.如权利要求8～10中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，
还包含形成覆盖所述半导体层积体以及所述固定部件的波长转换部件的工序。
14.如权利要求12所述的发光装置的制造方法，其中，
按照每一个或多个半导体层积体将所述发光元件间的固定部件分离的工序通过切断来进行。
CN201410201241.2A 2013-05-13 2014-05-13 发光装置及其制造方法 Active CN104157636B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-101219 2013-05-13
JP2013101219 2013-05-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104157636A CN104157636A (zh) 2014-11-19
CN104157636B true CN104157636B (zh) 2019-04-19

Family

ID=50687361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410201241.2A Active CN104157636B (zh) 2013-05-13 2014-05-13 发光装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9484511B2 (zh)
EP (1) EP2804225B1 (zh)
JP (2) JP6394052B2 (zh)
CN (1) CN104157636B (zh)
TW (2) TWI645477B (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI614920B (zh) 2014-05-19 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
TWI638468B (zh) * 2014-05-19 2018-10-11 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
JP6303805B2 (ja) * 2014-05-21 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TWD167977S (zh) * 2014-06-27 2015-05-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體用導線架
US20160190406A1 (en) 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN105742454A (zh) * 2014-12-24 2016-07-06 晶元光电股份有限公司 发光元件以及其制造方法
DE102015107588B4 (de) 2015-05-13 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE102015107586B4 (de) 2015-05-13 2023-10-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
KR102306671B1 (ko) * 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
JP6645781B2 (ja) * 2015-09-11 2020-02-14 アルパッド株式会社 半導体発光装置
DE102015115722A1 (de) 2015-09-17 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für ein Bauelement, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements
DE102015115900A1 (de) * 2015-09-21 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
JP6384533B2 (ja) * 2015-12-21 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6645213B2 (ja) * 2016-01-27 2020-02-14 オムロン株式会社 発光装置、および発光装置の製造方法
CN109791968A (zh) * 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
EP3685636B1 (en) 2017-09-20 2024-08-28 Materion Precision Optics (Shanghai) Limited Phosphor wheel with inorganic binder
JP7267683B2 (ja) * 2018-04-25 2023-05-02 シャープ株式会社 発光素子モジュール
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
JP7164804B2 (ja) * 2018-06-25 2022-11-02 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置およびそれらの製造方法
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
JP7421056B2 (ja) 2018-09-27 2024-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
WO2021002158A1 (ja) 2019-07-04 2021-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール
DE102019212944A1 (de) * 2019-08-28 2021-03-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
US11881546B2 (en) * 2019-12-05 2024-01-23 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Device with light-emitting diode
US11688832B2 (en) * 2020-04-16 2023-06-27 Creeled, Inc. Light-altering material arrangements for light-emitting devices
TWI763547B (zh) * 2021-06-21 2022-05-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
DE102021118151B4 (de) 2021-07-14 2024-09-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2024129812A1 (en) * 2022-12-16 2024-06-20 Lumileds Llc Thin film led package without substrate carrier

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335653A (ja) * 1995-04-07 1996-12-17 Nitto Denko Corp 半導体装置およびその製法並びに上記半導体装置の製造に用いる半導体装置用テープキャリア
JPH09213828A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
US6064114A (en) * 1997-12-01 2000-05-16 Motorola, Inc. Semiconductor device having a sub-chip-scale package structure and method for forming same
JP4529319B2 (ja) * 2001-06-27 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 半導体チップとその製造方法
US6878973B2 (en) * 2001-08-23 2005-04-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Reduction of contamination of light emitting devices
JP2003332626A (ja) * 2002-05-08 2003-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2005079551A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子形成用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法。
JP4305102B2 (ja) * 2003-09-03 2009-07-29 豊田合成株式会社 半導体発光素子用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法
JP2006024794A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sanyo Electric Co Ltd フルカラー発光ダイオード装置
JP4600309B2 (ja) 2006-02-13 2010-12-15 Ｔｄｋ株式会社 バリスタ及び発光装置
JP2007243076A (ja) * 2006-03-11 2007-09-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
CN100446288C (zh) 2006-08-01 2008-12-24 金芃 通孔垂直结构的半导体芯片及其制造方法
JP2008235792A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP4830959B2 (ja) * 2007-04-18 2011-12-07 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4799606B2 (ja) 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP5294902B2 (ja) * 2009-01-27 2013-09-18 シチズン電子株式会社 表面実装型発光素子の製造方法
JP5518502B2 (ja) * 2009-01-27 2014-06-11 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2011009572A (ja) 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
JP2011066193A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法
JP5101650B2 (ja) * 2010-03-25 2012-12-19 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2011253975A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置およびその製造方法
JP5337106B2 (ja) * 2010-06-04 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5449039B2 (ja) * 2010-06-07 2014-03-19 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012080085A (ja) 2010-09-10 2012-04-19 Nichia Chem Ind Ltd 支持体及びそれを用いた発光装置
KR101230622B1 (ko) * 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
KR101761834B1 (ko) 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
JP5666962B2 (ja) * 2011-03-28 2015-02-12 日東電工株式会社 発光ダイオード装置およびその製造方法
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP5698633B2 (ja) * 2011-09-21 2015-04-08 株式会社東芝 半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
TWI489658B (zh) * 2012-05-25 2015-06-21 Toshiba Kk 半導體發光裝置及光源單元
JP5869961B2 (ja) * 2012-05-28 2016-02-24 株式会社東芝 半導体発光装置
KR102059402B1 (ko) * 2013-04-15 2019-12-26 삼성전자주식회사 전자소자 패키지 및 이에 사용되는 패키지 기판

Also Published As

Publication number Publication date
US20150325760A1 (en) 2015-11-12
US10121946B2 (en) 2018-11-06
TW201810444A (zh) 2018-03-16
CN104157636A (zh) 2014-11-19
TW201507037A (zh) 2015-02-16
US20160329475A1 (en) 2016-11-10
JP6394052B2 (ja) 2018-09-26
JP6687073B2 (ja) 2020-04-22
JP2014241400A (ja) 2014-12-25
USRE49047E1 (en) 2022-04-19
TWI613737B (zh) 2018-02-01
JP2019024092A (ja) 2019-02-14
EP2804225B1 (en) 2018-04-11
EP2804225A1 (en) 2014-11-19
US9484511B2 (en) 2016-11-01
TWI645477B (zh) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104157636B (zh) 发光装置及其制造方法
CN103682038B (zh) 发光装置及其制造方法
JP6161709B2 (ja) 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法
TWI385825B (zh) 光電元件及其製造方法
JP5508244B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
EP2827388B1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US8592232B2 (en) Wafer level LED package and method of fabricating the same
CN102870242B (zh) 白色发射led芯片以及用于制造其的方法
CN103003966A (zh) 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
CN103140948B (zh) 电镀覆层的光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法
CN105090900A (zh) 半导体装置的安装构造、背光灯装置及安装基板
EP2357681B1 (en) Light emitting device and light unit
US9412918B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20160008199A (ko) 광전자 컴포넌트를 포함하는 조명 디바이스
US20160172547A1 (en) Surface-Mountable Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Same
CN104953006A (zh) 半导体发光装置
US10672962B2 (en) Light-emitting semiconductor chip, light-emitting component and method for producing a light-emitting component
CN104966777A (zh) 半导体发光装置及其制造方法
CN103262268A (zh) 复合衬底、具有复合衬底的半导体芯片和用于制造复合衬底和半导体芯片的方法
JP6409457B2 (ja) 半導体発光素子及び発光装置
US20200135705A1 (en) Light-Emitting Semiconductor Chip, Light-Emitting Component and Method for Producing a Light-Emitting Component
CN104904010B (zh) 包括滤光器和保护层的发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant