TWI645477B - 發光裝置 - Google Patents
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- TWI645477B TWI645477B TW106143952A TW106143952A TWI645477B TW I645477 B TWI645477 B TW I645477B TW 106143952 A TW106143952 A TW 106143952A TW 106143952 A TW106143952 A TW 106143952A TW I645477 B TWI645477 B TW I645477B
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 313
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 237
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 41
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 17
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- -1 pulp Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019639 Nb2 O5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005230 Ga2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003322 NiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012765 fibrous filler Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Polymers C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010412 perfusion Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
本發明之目的在於提供一種發光裝置及其製造方法,操作容易,藉由使量產性提高而能夠廉價地供給。本發明之發光裝置包含:依序積層有第1半導體層、發光層及第2半導體層,且在一面側具有與上述第1半導體層連接之第1電極及與上述第2半導體層連接之第2電極的半導體積層體;與上述第1電極及第2電極分別連接之一對端子;包含固定該端子之絕緣體層,於俯視觀察時,其外緣配置於上述半導體積層體之外緣之內側的端子基板。
Description
本發明係關於一種發光裝置及其製造方法。
近年來,藉由提高發光二極體之結晶品質,而實現了高輸出及高亮度等。其結果,除了用於普通照明領域、車載照明領域等各種領域以外,亦提出有進一步之小型化、高品質化。 因此,作為表面安裝型之發光裝置,提出有電路基板成為一體之發光裝置,且提出有各種簡便地組裝此種發光裝置之方法。 該等先前之發光裝置係採用如下方法:於以晶圓單位一體地排列有複數個發光元件之狀態下,一次搭載於具備複數個與1個發光裝置對應之單位的安裝基板並將其切斷。或者,採用如下方法:將各晶片一次搭載於具備複數個與1個發光裝置對應之單位之安裝基板並將其切斷。(日本專利特開2010-199565號公報及日本專利特開2010-177225號公報)
[發明所欲解決之問題] 然而,要求發光裝置之進一步小型化、薄膜化,並且要求進一步高亮度化。又,正在尋求除了提高該等特性以外,亦操作容易且廉價之發光裝置。 本發明係鑒於上述課題而完成者,其目的在於提供一種發光裝置及其製造方法,該發光裝置除了提高進一步之小型化、薄膜化、高亮度化等特性以外,亦操作容易,且藉由使量產性提高而能夠廉價地供給。 [解決問題之技術手段] 本發明包含以下發明。 (1)一種發光裝置,其包含發光元件、端子基板以及固定構件, 上述發光元件包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之半導體積層體,且於該半導體積層體之一面側包含連接於上述第1半導體層之第1電極及連接於上述第2半導體層之第2電極, 上述端子基板包含分別與上述第1電極及第2電極連接之一對端子、及固定該端子之絕緣體層, 於俯視時,上述端子基板之外緣之至少一部分係配置於較上述半導體積層體之外緣更靠內側,且 上述固定構件將上述發光元件與上述端子構件固定。 (2)一種發光裝置之製造方法,其包括如下步驟:於包含半導體積層體之發光元件上,以於俯視時外緣之至少一部分配置於較上述發光元件之外緣更靠內側之方式安裝端子基板。 (3)一種發光裝置之製造方法,其包括如下步驟: 於支持體上排列複數個發光元件,該發光元件包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之半導體積層體,且於該半導體積層體之一面側包含連接於上述第1半導體層之第1電極及連接於上述第2半導體層之第2電極, 於排列在該支持體上之各半導體積層體,以於俯視時外緣配置於較上述半導體積層體之外緣更靠內側之方式安裝端子基板。 [發明之效果] 根據本發明,其目的在於提供一種操作容易、且藉由使量產性提高而能夠廉價地供給之發光裝置及其製造方法。
於以下之說明中,視需要使用表示特定之方向或位置之用語(例如「上」、「下」、「右」、「左」及包含該等用語之其他用語)。使用該等用語係為了容易參照圖式理解發明,並非藉由該等用語之意思限定本發明之技術範圍。複數個圖式中所示之相同符號表示相同部分或構件。為了使發明容易理解,而將實施形態分開來進行說明,但該等實施形態並非分別獨立,可共用之部分適用其他實施形態之說明。 本發明之發光裝置包括:包含半導體積層體之發光元件、及端子基板。發光裝置亦可進而包含固定構件。此處,1個發光裝置中包含1個或複數個發光元件。該發光裝置可用於所謂之頂視(top view)型、側視(side view)型中之任一種。 〔發光元件〕 發光元件通常包括半導體積層體與第1電極及第2電極。 (半導體積層體) 本發明之半導體積層體依序積層有第1半導體層(例如n型半導體層)、發光層、第2半導體層(例如p型半導體層)。於半導體積層體之一面側(例如,有時亦稱為第2半導體層側、下表面側)配置連接於第1半導體層之第1電極、及連接於第2半導體層之第2電極。於半導體積層體之另一面側、亦即與一面相反之面側具有使來自半導體積層體之光出射之光提取面。半導體積層體係積層於半導體層成長用之基板上者,既可伴有基板,亦可去除基板。 第1半導體層、發光層及第2半導體層之種類、材料並無特別限定,例如可列舉III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體等各種半導體。具體而言,可列舉InX
AlY
Ga1 - X - Y
N(0≦X,0≦Y、X+Y≦1)等氮化物系半導體材料,可使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各層之膜厚及層構造可利用在該領域中公知者。 作為半導體層成長用之基板,可列舉能夠使半導體層磊晶成長者。作為此種基板之材料,可列舉如藍寶石(Al2
O3
)、尖晶石(MgA12
O4
)之絕緣性基板、上述氮化物系之半導體基板等。作為半導體層成長用之基板,藉由使用如藍寶石基板之具有透光性之基板,可不自半導體積層體去除而用於發光裝置。 基板亦可為於表面具有凹凸者。又,亦可為相對於C面、A面等特定之結晶面具有0~10°左右之偏離角者。 基板亦可在與第1半導體層之間具有中間層、緩衝層、基底層等半導體層或絕緣層等。 於半導體積層體已去除半導體層成長用之基板之情形時,可獲得實現更薄型化、小型化之發光裝置。又,藉由去除對發光並無直接幫助之層,可阻止由該層引起之對自發光層出射之光之吸收,因此能夠進一步提高發光效率。其結果,可提高發光亮度。 半導體積層體之俯視時之形狀並無特別限定,較佳為四邊形或與四邊形近似之形狀。半導體積層體之大小可根據發光裝置之大小適當調整其上限。具體而言,半導體積層體之一邊之長度可列舉數百μm至10 mm左右。 於半導體積層體伴有半導體層成長用之基板之情形時,基板與半導體積層體較佳為平面面積相同,但平面面積亦可不同。亦即,為了容易地以每個半導體積層體為單位進行分割,亦可使基板表面之一部分自半導體積層體露出。 (第1電極及第2電極) 第1電極及第2電極係形成於半導體積層體之一面側(於存在基板之情形時為與存在基板之側為相反側之面側、即下表面側)。 第1電極及第2電極可由例如Al、Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等金屬或其等之合金之單層膜或積層膜形成。具體而言,可由自半導體層側起以AlSiCu/Ti/Pt/Au、Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等之方式積層而成之積層膜形成。膜厚可為該領域中所使用之膜之膜厚之任一種。又,亦可使用以ITO(indium tin oxide,氧化銦錫)為代表之金屬以外之導電性材料。 第1電極及第2電極較佳為分別在靠近第1半導體層及第2半導體層之側配置相對於自發光層出射之光之反射率較電極之其他材料高之材料層作為該等電極之一部分。 作為反射率高之材料,可列舉具有銀或銀合金或鋁之層。作為銀合金,可使用該領域中公知之材料之任一種。該材料層之厚度並無特別限定,可列舉能夠有效地反射自發光元件出射之光之厚度、例如20 nm~1μm左右。該材料層與第1半導體層或第2半導體層之接觸面積越大越好。 再者,於使用銀或銀合金之情形時,為了防止銀之遷移,較佳為形成被覆其表面(較佳為上表面及側面)之被覆層。 作為此種被覆層,只要為由通常被用作導電材料之金屬及合金形成者即可,例如可列舉含有鋁、銅、鎳等金屬之單層或積層之層。其中,較佳為使用AlCu。為了有效地防止銀之遷移,被覆層之厚度可列舉數百nm~數μm左右。 第1電極及第2電極只要分別連接於第1半導體層及第2半導體層,則亦可不使電極之整個面與半導體層接觸,亦可使第1電極之一部分不位於第1半導體層上及/或使第2電極之一部分不位於第2半導體層上。亦即,例如,如日本專利特開平9-331012號公報、日本專利特開平9-331022號公報等所記載般,亦可介隔絕緣膜等將第1電極配置於第2半導體層上,或亦可介隔絕緣膜等將第2電極配置於第1半導體層上。 作為此處之絕緣膜,並無特別限定,可為該領域中所使用者之單層膜及積層膜中之任一種。 藉由使用上述絕緣膜等,此種第1電極及第2電極可不論第1半導體層及/或第2半導體層之平面面積大小而設定為任意之大小及位置。因此,即便於下述端子基板具有較半導體積層體之平面面積小之平面面積之情形時,亦可容易地進行端子基板向半導體積層體之安裝。 第1電極及第2電極之形狀可根據半導體積層體之形狀、端子基板之端子之形狀等設定。例如,下述與第1電極及第2電極接合之端子基板之端子(以下,有時稱為「接合端子部」,例如為四邊形或與四邊形近似之形狀)、與第1電極及第2電極較佳為分別對應之形狀。第1電極、第2電極及接合端子部較佳為分別設為四邊形或與四邊形近似之形狀。藉此,利用自對準(self-alignment)效果,可容易地進行半導體積層體與端子基板之接合及對位。於該情形時,較佳為至少於與下述端子基板連接之半導體積層體之最表面,第1電極及第2電極之平面形狀大致相同。又,較佳為將第1電極及第2電極以隔著半導體積層體之中央部分而分別對向之方式配置。 第1電極及第2電極之上表面(與半導體層為相反側之面)雖亦可具有階差,但較佳為大致平坦。此處之平坦係指半導體積層體之第1半導體層之與發光層相接之側之相反側之面至第1電極之表面(第1電極之與半導體積層體為相反側之面)之高度與至第2電極之表面之高度大致相同。此處之大致相同係指容許半導體積層體之高度之±10%左右之變動。 如此,藉由使第1電極及第2電極之上表面大致平坦、亦即實質上為同一平面,而容易水平地安裝下述端子基板。為了形成此種第1電極及第2電極,例如,可藉由如下方式實現:藉由鍍敷等在電極上設置金屬膜,其後,以成為大致同一平面之方式進行研磨或切削。 亦可於第1電極及第2電極之上表面,在分別與端子基板之端子連接之部分形成突起部。藉此,於在發光元件與端子基板之間形成固定構件時,易於將固定構件填充至發光元件與端子基板之間,而能夠減少來自發光元件之發光向端子基板側透過之情況。又,由於能夠牢固地支持發光元件與端子基板,故而能夠提高發光裝置之可靠性。 又,設置於發光元件之電極之突起部之上表面形狀較佳為與端子基板之端子之供安裝發光元件之部分之平面形狀大致相同。藉此,通過自對準效果,可容易地將端子基板安裝於發光元件。 此種突起部係距未配置突起部之電極之上表面以任意之高度設置,較佳為以例如數μm~100 μm左右之高度設置。 亦可在第1電極及第2電極與第1半導體層及第2半導體層各自之間,在不妨礙兩者之電性連接之範圍內配置DBR(分佈式布拉格反射器)。 DBR例如係任意地於包含氧化膜等之基底層上積層低折射率層與高折射率層而成之多層構造,且選擇性地反射特定之波長光。具體而言,藉由以1/4波長之厚度交替地積層折射率不同之膜,可使特定之波長高效地反射。作為材料,可包含選自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al所組成之群中之至少一種氧化物或氮化物而形成。 例如,可將低折射率層設為SiO2
,將高折射率層設為Nb2
O5
、TiO2
、ZrO2
或Ta2
O5
等。具體而言,可列舉自基底層側起依序為(Nb2
O5
/SiO2
)n,n為2~5。DBR之總膜厚較佳為0.2~1 μm左右。 該DBR亦可用作上述絕緣膜。藉此,能夠提高發光裝置之光提取效率。 於藉由下述雷射照射進行成長基板去除之情形時,作為DBR之材料,較佳為使用所使用之雷射波長之光吸收率為30%以下之材料。藉此,可減低DBR之劣化,從而可保持較高之光提取效率。例如,於使用波長248 nm之KrF準分子雷射之情形時,與Nb2
O5
、TiO2
等相比,較佳為使用ZrO2
。 〔端子基板〕 端子基板包含:一對端子,其等分別與連接於上述半導體積層體之第1電極及第2電極連接,並且與發光裝置之外部連接;及絕緣體層,其固定該端子。然而,於1個發光裝置中包含複數個發光元件之情形時,端子基板亦可進而具備一條以上之配線,該配線可作為電性連接複數個發光元件之連接配線發揮功能。又,除了電性連接之端子或配線以外,端子基板亦可包含散熱用之端子或散熱器等。 於本說明書中,將端子基板之供安裝發光元件之側之面稱為元件接合面(第1面),將元件接合面之相反側之面稱為背面(第2面),將位於元件接合面與背面之間之面或連結其等之面稱為側面。 (絕緣體層) 作為絕緣體層,只要具有絕緣性,則可為任何材料。例如,可列舉陶瓷、樹脂、介電體、紙漿、玻璃或其等之複合材料、或者該等材料與導電材料(例如金屬、碳等)之複合材料等。其中,較佳為陶瓷。於在所謂之絕緣體層使用陶瓷之情形時,可藉由應用製造小型之晶片電阻之技術而廉價地製成。陶瓷較佳為使用散熱性較高之氮化鋁等。又,較佳為線膨脹係數相對較低之環氧玻璃、聚矽氧玻璃、改性聚矽氧玻璃之預成型基板。例如,可較佳地使用較多地填充在半導體用BGA(Ball Grid Array,球狀柵格陣列)安裝領域中所使用之玻璃布及填料且將線膨脹係數調整為1~15 ppm左右之低線膨脹環氧玻璃基板。可將在此種絕緣體層形成有導電性之配線圖案者用作端子基板。 藉由使用散熱性較高之玻璃布或填料作為此種預成型基板之材料,能夠改善發光裝置之散熱性。又,藉由作為多層基板在內部內置零件,亦能夠使其具有保護元件等之功能。 (端子) 端子至少在端子基板之元件接合面具有與發光元件之第1電極及第2電極連接之接合端子部,且具備設置於端子基板之其他面之與發光裝置之外部連接之外部連接部。 端子於端子基板內之位置等並無特別限定,例如,於端子基板之元件接合面內,將接合端子部配置於分別與發光元件之第1電極及第2電極對應之位置,既可自此處以被覆端子基板之側面之方式延長,亦可自端子基板之元件接合面以被覆側面及元件接合面之相反側之面(背面)之方式延長(參照圖1(a)之端子15、16),亦可以被覆端子基板之與元件接合面連續之3個側面之方式延長(參照圖7之55a、56a)。又,端子亦可自端子基板之元件接合面不經過側面而經由所謂之通孔延長至設置有外部連接部之面。外部連接部由於與發光裝置之外部連接,故而自固定構件等露出。外部連接部亦可位於端子基板之背面、側面中之任一者。 端子之材料係只要導電性及安裝性優異,則並無特別限定,較佳為與接合構件、安裝側之焊料之接合性及潤濕性良好之材料。具體而言,於絕緣體層為陶瓷等之情形時,可列舉W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Au等積層構造。於絕緣體層為環氧玻璃材料等之情形時,可列舉Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/NiCu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Cu/Ni/Pd/Au等積層構造。除此以外,可使用上述第1電極及第2電極所使用之導電性之材料。 可作為連接配線發揮功能之配線係只要配置於端子基板之元件接合面即可。此種配線可根據安裝於1個端子基板之發光元件之數量、其排列、連接形態(並聯及串聯)等而適當設定其數量、形狀及位置等。 端子或配線之形成方法係根據絕緣體層之材料或發光裝置之大小而適當選擇,例如,可列舉鍍敷或蒸鍍、印刷等方法。 又,例如,將Mg等高散熱性之金屬板彎曲加工成所需之端子或配線之形狀,且於金屬板之周圍形成絕緣體層之材料(較佳為添加有無機填料之樹脂),其後,將其等切削與切斷而成形,藉此能夠獲得金屬之端子被埋入並固定於樹脂之絕緣體層之端子基板。 端子或配線較佳為分別於元件接合面側大致平坦。又,端子或配線較佳為於端子基板之元件接合面為大致同一平面。進而,端子或配線較佳為於端子基板之元件接合面為水平,以便於將上述發光元件與端子基板接合之情形時,能夠將發光元件之未形成第1電極及第2電極之側之面(亦即光提取面)配置為水平。藉此,可簡化去除下述固定構件而使端子基板之背面側露出之步驟。 端子或配線亦可分別具有與發光元件之第1電極及第2電極接合之突起部。藉此,於在發光元件與端子基板之間形成固定構件時,易於將固定構件填充至發光元件與端子基板之間,從而可防止來自發光元件之發光向端子基板側透過。又,由於能夠牢固地支持發光元件與端子基板,故而能夠提高發光裝置之可靠性。 突起部之上表面之形狀較佳為分別與要接合之發光元件之電極之形狀大致相同。藉此,可通過自對準效果將端子基板容易地安裝於發光元件。 突起部能夠藉由如下方式及該等方式之組合而形成,即,於平坦之端子或配線設置凸塊、使端子下方之絕緣體層之厚度不同、在平坦之絕緣體層上使端子或配線之厚度不同。 此種突起部係自未配置突起部之端子或配線之上表面以任意之高度設置,例如,較佳為以數μm~100 μm左右之高度設置。 端子基板之平面形狀並無特別限定,可根據半導體積層體、發光裝置之形狀適當設定。作為平面形狀,例如可列舉圓形、四邊形等多邊形或與其等近似之形狀。又,大小並無特別限定,但較佳為與半導體積層體大致同等或者小於或大於半導體積層體之平面面積。尤其是於1個發光裝置中包括1個半導體積層體之情形時,端子基板之平面面積較佳為與半導體積層體大致同等或較其小。於1個發光裝置中包括2個以上之半導體積層體之情形時,端子基板較佳為與2個以上之半導體積層體之合計平面面積大致同等或較其小。 端子基板較佳為於俯視時其外緣配置於較半導體積層體之外緣更靠內側(亦即,靠近中央之側)。此處之外緣既可為全部,亦可為一部分。 例如,較佳為將端子基板之整個外緣配置於較半導體積層體之外緣更靠內側。藉此,能夠實現更小型之發光裝置。 又,於端子基板及半導體積層體在俯視時為四邊形或與其近似之形狀之情形時,亦可至少於1邊將端子基板之外緣配置於與半導體積層體之外緣相同之位置,於剩餘之邊將端子基板之外緣配置於較半導體積層體之外緣更靠內側。 如此,藉由使端子基板之平面面積較半導體積層體之平面面積小、或將端子基板之外緣配置於較半導體積層體之外緣更靠內側,而能夠使光不易照射至端子基板。藉此,能夠減少端子基板對光之吸收,從而能夠製成光提取效率較高之發光裝置。 在作為側視型之發光裝置進行安裝之情形時,較佳為以於成為安裝面之端子基板之底面露出端子之方式設置。又,較佳為安裝時之端子基板之底面(與發光元件對向之面(第1面)之相反側之面,亦即背面、第2面)、及與該底面鄰接之端子基板之面之1個或2個露出。進而,亦可於發光裝置之與安裝面為相反側之面露出端子。 端子基板之厚度並無特別限定,較佳為能夠防止發光元件之處理時之裂紋、缺損等之厚度或能夠補強作為發光裝置之發光元件之厚度。例如,可列舉50~300 μm左右。 再者,端子基板既可其本身為構成電容器、變阻器、齊納二極體、橋式二極體等保護元件者,亦可其一部分具備發揮該等元件之功能之構造。藉由利用發揮此種元件功能者,無需另外搭載零件即可作為發光裝置發揮功能,因此,能夠使提高靜電耐壓等之高性能之發光裝置更加小型化。 端子基板之接合端子部通常係藉由發光元件之第1電極及第2電極與接合構件而接合。此種接合構件可使用該領域中公知之材料之任一種。具體而言,可列舉Au-Sn、Sn-Cu等共晶合金(例如,焊料)、凸塊、各向異性導電材料等。其中,藉由使用共晶合金,可藉由自對準效果容易地將端子基板安裝於適當位置,從而使量產性提高,且能夠製造更小型之發光裝置。 〔固定構件〕 本發明之發光裝置亦可進而包含固定構件。固定構件係具有被覆或固定上述構成發光裝置之半導體積層體、亦即發光元件及/或端子基板之功能之構件。只要發揮此種功能,則其材料並無特別限定,可列舉陶瓷、樹脂、介電體、紙漿、玻璃或其等之複合材料等。其中,就可容易地成形為任意形狀之觀點而言,較佳為樹脂。 作為樹脂,可列舉熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。具體而言,可列舉:環氧樹脂組合物、聚矽氧樹脂組合物、聚矽氧改性環氧樹脂等改性環氧樹脂組合物;環氧改性聚矽氧樹脂等改性聚矽氧樹脂組合物;聚醯亞胺樹脂組合物、改性聚醯亞胺樹脂組合物;聚鄰苯二甲醯胺(PPA,polyphthalamide);聚碳酸酯樹脂;聚苯硫醚(PPS,polyphenylene sulfide);液晶聚合物(LCP,liquid crystal polymer);ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene,丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂;酚系樹脂;丙烯酸系樹脂;PBT(Polybutylene terephthalate,聚對苯二甲酸丁二酯)樹脂等樹脂。 為了將樹脂設為對來自發光元件之光之反射率為60%以上、更佳為70%、80%或90%以上者,亦可含有二氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、莫來石、氧化鈮、各種稀土類氧化物(例如氧化釔、氧化釓)等光反射材料。藉此,可使來自發光元件之光高效地反射。尤其是藉由使用光反射率高於端子基板之材料(例如於在端子基板使用氮化鋁之情形時,使用含有二氧化鈦之聚矽氧樹脂作為固定構件),可保持處理性,並且減小端子基板之大小,提高發光裝置之光提取效率。 樹脂亦可含有光散射材料(硫酸鋇、二氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等)、著色劑(碳黑等)等。樹脂亦可含有玻璃纖維、矽灰石等纖維狀填料、碳、氧化矽等無機填料。樹脂亦可含有氮化鋁等散熱性較高之材料。 例如,於使用二氧化鈦之情形時,較佳為相對於樹脂構件之總重量含有20~40重量%。 藉由含有此種成分,進而使無機填料含有率增加、或使用強度較強之樹脂,可提高將基板或支持體等去除、剝離等製程中之固定構件之強度,進而,於發光裝置中亦可確保強度。又,藉由含有散熱性較高之材料,可在維持發光裝置之小型化之狀態下提高散熱性。 固定構件較佳為:(1)以被覆端子基板之側面之方式配置;(2)以被覆半導體積層體之側面之方式配置;及/或(3)以埋入半導體積層體與端子基板之間之方式配置。其中,更佳為以滿足上述(1)至(3)之方式配置。再者,於半導體積層體伴有半導體成長用之基板之情形時,固定構件較佳為以亦被覆該基板之側面之方式配置。又,於半導體層成長用之基板之表面之一部分自半導體積層體露出之情形時,較佳為其露出之部位亦被固定構件被覆。藉由以此方式配置固定構件,可通過確保發光裝置之強度而使處理性良好。又,如上所述,可對半導體積層體賦予能夠耐受在去除半導體層成長用之基板時所附加之應力的強度,從而可良率良好地製造實現了小型化之發光裝置。換言之,實現了小型化之發光裝置之量產性提高。其結果,可獲得分別確保了高品質之發光裝置。 又,於以滿足上述(1)至(3)之方式配置之情形時,較佳為使用反射率較高者作為固定構件。藉此,可有效地實現提高對發光元件之上表面之光提取。 此處,被覆端子基板之側面及/或半導體積層體之側面之固定構件之寬度(距端子基板或半導體積層體之側面之高度)可根據端子基板及/或半導體積層體之平面形狀而適當設定,例如,可列舉20~200 μm左右。藉由此種厚度,能夠有效地反射自上述發光層出射之光,又,能夠對發光元件賦予充分之強度。 又,固定構件較佳為使端子基板之背面露出。藉此,可提高散熱性。 〔波長轉換構件〕 較佳為在發光裝置之光提取面設置有波長轉換構件。例如較佳為半導體積層體之光提取面被波長轉換構件被覆。又,於構成發光裝置之半導體積層體之半導體層之側面由固定構件被覆之情形時,更佳為除了半導體積層體之光提取面由波長轉換構件被覆以外,固定構件亦由波長轉換構件被覆。藉由配置此種波長轉換構件,能夠高效地對自半導體積層體提取之光進行波長轉換。 波長轉換構件主要由螢光體形成。 波長轉換構件中所含有之螢光體可使用該領域中公知者。例如,於使用發藍色光之氮化鎵系發光元件作為發光元件之情形時,可列舉吸收藍色光而發黃色~綠色系光之YAG系、LAG系、發綠色光之SiAlON系(β賽隆)、發紅色光之SCASN、CASN系之螢光體之單獨體或組合。亦可含有上述光散射材料等。 波長轉換構件亦可僅含有螢光體,但較佳為含有氧化鋁、氧化矽等透光性無機物、透光性樹脂等作為結合劑。藉由使用結合劑,可容易地將波長轉換構件配置於任意位置。 透光性樹脂較佳為使自發光層出射之光之60%以上透過者,進而較佳為使70%、80%或90%以上透過者。此種樹脂例如可列舉:聚矽氧樹脂組合物、改性聚矽氧樹脂組合物、環氧樹脂組合物、改性環氧樹脂組合物、丙烯酸系樹脂組合物等、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、脲樹脂、氟樹脂及包含至少1種以上該等樹脂之混合樹脂等樹脂等。 形成波長轉換構件之方法可列舉:與下述固定構件之被覆方法相同之方法、將波長轉換構件成形為片狀並黏貼之方法、電泳沈積法、灌注、壓縮成型、噴射、靜電塗佈法等。 波長轉換構件之形狀或厚度並無特別限定,例如可列舉10~300 μm左右之層狀。 再者,亦可代替波長轉換構件,而形成由上述透光性樹脂構成之不含有螢光體之密封構件。 密封構件中亦可含有上述光散射材料、無機填料等。 該等波長轉換構件、光散射層及/或密封構件亦可積層2種以上。例如,亦可於半導體積層體上積層密封構件,且於其上設置波長轉換構件。 〔發光裝置之製造方法〕 本發明之發光裝置之製造方法包括如下步驟,即,於包含半導體積層體之發光元件上,以於俯視時外緣之至少一部分配置於較上述發光元件之外緣更靠內側之方式安裝端子基板。 於一實施形態中,發光裝置之製造方法包括如下步驟: (1)於支持體上排列複數個發光元件,該發光元件包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之半導體積層體,且於上述半導體積層體之一面側包含連接於上述第1半導體層之第1電極及連接於上述第2半導體層之第2電極; (2)於排列在支持體上之各半導體積層體,以於俯視時外緣配置於較上述半導體積層體之外緣更靠內側之方式,安裝端子基板。 又,本發明之發光裝置之製造方法亦可包含1個以上之如下步驟:(3)利用固定構件將複數個端子基板及複數個半導體積層體固定; (4)自半導體積層體去除上述支持體;以及 (5)以1個或複數個半導體積層體為單位分離(例如切斷)半導體積層體間之固定構件。 上述步驟(3)例如亦可包含如下步驟: (a)利用固定構件被覆端子基板之側面; (b)利用固定構件被覆半導體積層體之側面;及/或 (c)利用固定構件被覆半導體積層體與端子基板之間。 首先,於步驟(1)中形成半導體積層體。 關於半導體積層體,為了藉由該領域中通常所利用之方法獲得上述半導體層之積層構造,可適當調整條件等而形成於基板上。 例如,可列舉MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,金屬有機氣相外延)、有機金屬氣相沈積法(MOCVD)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、分子束磊晶成長法(MBE)等公知之成膜方法。 例如,藉由MOCVD,於藍寶石基板上積層AlGaN之緩衝層、n型GaN之第1半導體層、包含InGaN層之發光層、p型GaN之第2半導體層,而形成半導體層之積層構造。 其後,藉由RIE(Reactive Ion Etching,反應式離子蝕刻)等蝕刻等,去除所獲得之半導體層之積層構造之第2半導體層及發光層、任意之第1半導體層之厚度方向之一部分,使第1半導體層露出。於露出之第1半導體層之表面與第2半導體層之表面形成分別連接於第1半導體層及第2半導體層之第1電極及第2電極。 將以此方式獲得之半導體積層體以構成1個發光裝置之單位分離、切斷或單片化。為了簡便地進行此種分離,較佳為在步驟(1)之後或其過程中,去除意欲分離、切斷之位置之第1半導體層、發光層及第2半導體層,預先使基板表面露出(亦稱為元件分離)。藉由將基板表面露出之部位分離、切斷,可防止半導體層之損傷。藉此,能夠提高量產性。又,藉此,由於在複數個半導體積層體之間形成間隔,故而即便於使用與半導體積層體之外緣相同或較其大之端子基板之情形時,亦可容易地安裝端子基板。 此處,於在1個發光裝置搭載1個晶片之情形時,可按元件分離後之每1個單位進行分離或切斷,於在1個發光裝置搭載複數個晶片之情形時,可按元件分離後之每2個以上之單位進行分離或切斷。 將複數個以此方式獲得之每單位之半導體積層體排列於支持體上。 此處之支持體並無特別限定,只要為可將半導體積層體配置於其上之板狀者,則可為任意之支持體。複數個半導體積層體之排列雖亦可隨機,但較佳為有規則地(例如呈矩陣狀)配置。排列較佳為使用例如膠帶等使位置不容易變動。 或者,亦可於將所獲得之半導體積層體進行元件分離之後,在將複數個半導體積層體排列於基板上之狀態下,直接實施下一個步驟。於在此種狀態下實施下一個步驟之情形時,無需如上所述般切斷基板或進行複數個排列,且由於各自位置不變動,故而適於量產。該情形時之支持體係用以使半導體層成長之基板。 於步驟(2)中,在排列於支持體上之各半導體積層體,以於俯視時外緣配置於較半導體積層體之外緣更靠內側之方式,安裝端子基板。 此處之端子基板之安裝既可將端子基板分別載置於排列在支持體上之半導體積層體上,亦可將複數個端子基板排列在黏著片等上,並總括地轉印/載置於排列在支持體上之半導體積層體。 端子基板之安裝較佳為利用上述自對準效果進行。藉由利用該效果,能夠容易地將與構成1單位之半導體積層體相同或較其小之端子基板安裝於合適之位置。 例如,於俯視時端子基板具有直線狀之一邊之情形或為四邊形之情形時,端子基板亦可以至少與半導體積層體之一邊一致之方式(以成為同一平面之方式)安裝。藉由此種安裝,能夠容易地利用於側視型。 於步驟(3)中,利用固定構件固定複數個端子基板及複數個半導體積層體。此處之固定較佳為1個以上如下步驟:(a)利用固定構件被覆端子基板之側面;(b)利用固定構件被覆半導體積層體之側面;及(c)利用固定構件被覆半導體積層體與端子基板之間。 為了利用固定構件固定(亦即,被覆或埋入)該等側面/之間,可使用固定構件之塗佈、灌注、印刷、壓縮成形、轉移成形、旋塗等該領域中公知之方法中之任一種。藉由利用該等方法,可對複數個端子基板及複數個半導體積層體,總括地被覆或固定、或者埋入端子基板之側面及半導體積層體之側面以及半導體積層體與端子基板之間。再者,藉由設定該等公知之方法之條件,能夠任意地執行步驟(a)、(b)及(c)中之一個以上。 固定構件亦可以與端子基板之背面成為同一平面之方式形成。例如,在轉移成形中,以半導體積層體側為下方,以將端子基板之背面埋入至脫模片材之方式配置,其後,形成固定構件。藉此,可將端子基板之背面自固定構件露出而成形。 固定構件亦可以如下方式設置,即,除了使端子基板之端子露出以外,亦使絕緣體層露出。 固定構件亦可以埋入端子基板整體之方式較厚地成形。藉此,能夠使發光裝置整體之強度增大。其結果,於支持體去除步驟中有利。又,作為單片化後之發光裝置有利。 固定構件亦可在步驟之中途或單片化之前,執行利用切割之切斷、藉由使用平面刨床等方法之切削之厚度控制、利用乾式或濕式噴砂之去除等。藉此,可容易地使端子基板之任意端子露出。 例如,如圖8(a)所示,以將於表面形成有遮罩61之端子基板完全埋入之方式將固定構件18壓縮成形,且自端子基板側進行半切割(將固定構件18去除一部分)。其後,如圖8(b)所示,利用濕式噴砂去除固定構件18直至端子15、16露出為止,藉此能夠容易地使端子基板之側面露出,從而可製造側面發光之發光裝置。 於步驟(3)之後,在步驟(4)中,自半導體積層體去除支持體。此處之去除亦包含自上述膠帶剝離各個半導體積層體、或者剝離半導體層之成長用基板中之任一者。 特別是半導體層之成長用基板,為了使半導體積層體(亦即發光元件)牢固地密接於基板,而進行步驟(3)中之利用固定構件之固定,藉此能夠容易且確實地執行該基板之去除。 該情形時之基板之去除通常可藉由在基板與半導體積層體之間照射雷射束而容易地進行。 例如,於半導體積層體為GaN系半導體,且支持體為藍寶石基板之情形時,自支持體側照射波長248 nm之KrF準分子雷射、YAG雷射等四次諧波266 nm,使構成半導體積層體之半導體層吸收能量並消融,藉此可進行基板之剝離。雷射束之照射量、時間等可根據使用之基板之種類、厚度等適當調整。 於去除之後,以HCl、HNO3
等酸去除殘存在表面之導電材料、氧化物等(例如,Ga金屬、Ga2
O3
等),形成潔淨面。其後,亦可實施如下加工,即,利用NaOH、TMAH等強鹼蝕刻半導體層而形成粗面,藉此提高光提取效率。 經實施此種蝕刻之半導體積層體由於容易受到熱及水分之影響,故而較佳為於其表面形成保護膜。作為保護膜,可列舉SiO2
、Al2
O3
、TiO2
、Nb2
O5
、ZrO2
等透明氧化物、AlOx
Ny
、SiN、SiNx
等透明氮化物材料等透明絕緣體膜之單層或積層構造。保護膜可藉由各種成膜方法、濺鍍、蒸鍍、原子層沈積法(ALD)等形成。尤其是若藉由ALD則可形成緻密之膜,因此提高發光裝置之可靠性,故而較佳。此種保護膜並不限於半導體層之表面,亦可以被覆端子基板、密封構件、波長轉換構件等各種構件之方式設置。藉此,可製成光提取效率較高之發光裝置。 支持體之去除亦可藉由利用平面刨床、蝕刻、噴砂等之研磨進行。 於步驟(5)中,藉由分離或切斷半導體積層體間之固定構件、任意之波長轉換構件等而進行單片化。 此處之切斷位置可為每個半導體積層體或每2個以上之半導體積層體中之任一種。分離或切斷可使用刀片、雷射、刻劃器等進行。於之前之步驟中,由於在自半導體積層體去除支持體之情形時無需切斷支持體,故而可良率良好地進行切斷,從而可提高量產性。又,並非如先前之發光裝置般將接合有半導體積層體之端子基板切斷,而是切斷固定構件,藉此可提高量產性。 支持體、半導體積層體及固定構件亦可分別藉由不同方法進行分離或切斷。例如,於支持體為藍寶石基板之情形時,亦可自支持體側利用雷射實施用以割斷之加工,並藉由斷裂使支持體單片化,繼而,藉由切割將固定構件切斷。 於設為側視型之發光裝置之情形等時,於將端子之成為外部連接部之部分埋沒至固定構件之情形時,較佳為在切斷之前藉由濕式或乾式蝕刻、噴砂等預先使端子之外部連接部露出。 亦可於進行步驟(5)之前,在半導體積層體之表面上及/或固定構件之表面上形成波長轉換構件。 波長轉換構件之形成例如可列舉如下方法,即,將螢光體、樹脂及有機溶劑(任意之擴散材料等)混合,利用噴射法分數次向半導體積層體表面噴霧而進行塗佈之方法;塗佈混合物之方法等。藉由使用噴射法,可自由地設置波長轉換構件之配置、形狀等。 又,亦可在所獲得之波長轉換構件上設置不含螢光體之密封構件,或亦可設置透鏡或奈米透鏡等光學構件。密封構件及光學構件等可藉由樹脂、玻璃等形成。 或者,亦可將預先成形為板狀、透鏡狀等之波長轉換構件以覆蓋半導體積層體之整體或一部分之方式配置。藉此,可製成明亮之發光裝置。 以下,基於圖式詳細地說明本發明之發光裝置及其製造方法之實施形態。 實施形態1:發光裝置 如圖1(a)之剖面圖及1(b)之仰視圖所示,實施形態1之發光裝置10包括成為發光元件之半導體積層體14a及端子基板17a,該半導體積層體14a包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之大致四邊形之半導體積層體14、即與其連接之第1電極12及第2電極13,該端子基板17a包含一對端子15、16及絕緣體層17。 端子基板17a包括:絕緣體層17,其包含大致四邊形之氧化鋅陶瓷;及一對端子15、16,其等自元件接合面分別通過不同之側面而到達至背面。該端子基板17a具有變阻器功能。 第1電極12及第2電極13分別與作為n型半導體層之第1半導體層及作為p型半導體層之第2半導體層電性連接,雖未圖示,但第1電極12之一部分亦經由絕緣膜(例如SiO2
)而到達至第2半導體層上。第1電極12及第2電極13之與端子基板17a接合之面具有大致相同之平面面積,且為大致同一平面。 第1電極12及第2電極13以半導體積層體14a之光提取面與端子基板17a之背面大致平行之方式,藉由共晶焊料(Au-Sn)分別與端子基板17a之一對端子15、16之接合端子部接合。 端子基板17a於俯視時,其整個外周配置於較半導體積層體14a之外周更靠內側(尤其是參照圖1(b))。 半導體積層體14a之側面至端子基板17a之側面由包含聚矽氧樹脂(含有SMC、30重量%之二氧化矽作為填料、30重量%之二氧化鈦作為反射材料(擴散材料))之固定構件18被覆。該半導體積層體14a之側面至固定構件18之表面為止之長度為10~200 μm左右,例如為150 μm左右,端子基板17a之側面至固定構件18之表面為止之長度為20~250 μm左右,例如為200 μm左右。又,固定構件18亦配置於半導體積層體14與端子基板18之間。 自半導體積層體14a之第1半導體層之表面遍及固定構件18之表面配置有波長轉換構件19。波長轉換構件19為包含含有30重量%左右之YAG螢光體之聚矽氧樹脂之片狀。 此種發光裝置藉由對整齊排列之各個成為發光元件之半導體積層體個別地配置經小片化之端子基板,而可獲得經適當地校準之發光裝置。又,能夠實現所謂之晶片尺寸封裝。此外,由於安裝基板本身實質上能夠較半導體積層體之尺寸更小型化,故而能夠獲得更小型化之封裝。 進而,於先前之發光元件中,藍寶石基板等用以使半導體層成長之基板係直接被用作發光元件之基板,於去除該基板之情形時,能夠阻止由該基板引起之光之吸收或內部散射、封入等,從而可更進一步提高光提取效率,實現高亮度化。 作為端子基板,於利用具有變阻器等之功能之構造之情形時,可不個別地搭載功能元件而發揮該功能。其結果,在維持小型化,並且實現更高品質之發光裝置。 實施形態2:發光裝置之製造方法 圖1(a)及圖1(b)所示之發光裝置10可藉由以下之方法製造。 首先,如圖2(a)所示,在藍寶石基板11上形成積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之半導體層14。半導體層14係去除第2半導體層及發光層之一部分而露出第1半導體層之一部分。又,半導體層14係藉由使藍寶石基板11之表面露出之分離槽62,以作為1晶片之發光元件發揮功能之單位被分離。 於此種半導體層14中,在露出之第1半導體層上、第2半導體層上形成第1電極12及第2電極13。電極可利用公知之方法形成。藉此,形成半導體積層體14a。 如圖2(b)之俯視圖及2(c)之剖面圖所示,以排列於藍寶石基板11上之半導體積層體14a之第1電極12及第2電極13、與端子基板17a之一對端子15、16之接合端子部接合之方式,將端子基板17a安裝於各個半導體積層體14a上。此時,將端子基板17a之外緣配置於較半導體積層體14a之外緣更靠內側(尤其是參照圖2(b))。 如圖2(d)所示,自端子基板17a側,以被覆端子基板17a之整體及半導體積層體14a之側面之方式塗佈固定構件18。此時,在半導體積層體14a與端子基板17a之間亦塗佈固定構件18。 或者,針對每個藍寶石基板11利用上下模具夾持與端子基板17a接合之半導體積層體14a,於模具內注入樹脂,而在端子基板17a之整體、半導體積層體14a之側面及半導體積層體14a與端子基板17a之間配置固定構件18。 如圖2(e)所示,於端子基板17a之背面,以使一對端子15、16之外部連接部露出之方式,去除固定構件18。其後,自藍寶石基板11側照射波長248 nm之KrF準分子雷射,使構成半導體積層體14a之半導體層吸收能量並消融,藉此剝離藍寶石基板11,使第1半導體層之表面露出。藉此,於固定構件18內,半導體積層體14a以1晶片為單位被分離。 於剝離藍寶石基板11後,利用HCl去除殘存在表面之Ga金屬、Ga2
O3
等殘留物,而形成清潔面。其後,利用NaOH蝕刻半導體層而進行粗面化。 如圖2(f)所示,於露出之第1半導體層之表面被覆波長轉換構件19。此處之波長轉換構件19亦被覆配置於第1半導體層之側方之固定構件18之表面。 其後,沿著圖2(f)之X線,將波長轉換構件19與固定構件18按照每1個半導體積層體14a切斷。藉此,獲得圖1(a)及1(b)所示之發光裝置10。 如此,由於可在各個半導體積層體配置具有預先設置之端子之經小片化之端子基板,故而與藉由鍍敷成長等形成端子之情況相比,良率良好,又,與安裝集合基板相比,容易校準,故而能夠提高量產性。 又,於利用固定構件被覆各個半導體積層體之情形時,可使將用於使半導體層成長之基板剝離時之應力根據半導體積層體之大小降低。由此,可不對半導體積層體造成損傷而容易地實現基板之剝離。其結果,能夠實現良率之提高。 於如此般在剝離基板後切斷半導體積層體之情形時,由於可不切斷基板而進行小片化,故而有助於進一步提高量產性。 實施形態3:發光裝置 如圖3之仰視圖所示,實施形態3之發光裝置20包含2個半導體積層體14a及端子基板27a,該半導體積層體14a包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之大致四邊形之半導體層及與其連接之第1電極12及第2電極13。 端子基板27a包括:絕緣體層27;一對端子25、26,其等於絕緣體層27之兩側自元件接合面通過側面而到達至背面;及配線用之1個端子21,其於元件接合面,在端子25、26之間與其等分離。 一半導體積層體14a之第1電極與端子基板27a之端子25串聯連接,另一半導體積層體14a之第2電極與端子基板27a之端子26串聯連接,一半導體積層體14a之第2電極及另一半導體積層體14a之第1電極與配線用端子21串聯連接。 端子基板27a於俯視時,在各半導體積層體14a之三邊配置於較其外周更靠內側,於各半導體積層體14a之對向之一邊跨越其等而配置。 如此,除了以2個半導體積層體14a為單位切斷固定構件28及波長轉換構件以外,具有實質上與實施形態1之發光裝置10相同之構造,可利用與實施形態2相同之製法進行製造。 該發光裝置中,亦具有與實施形態1之發光裝置10、及與實施形態2之製法相同之效果。 實施形態4:發光裝置 如圖4(a)之剖面圖(圖4(b)之N-N'線)及(b)之仰視圖所示,實施形態4之發光裝置30包括半導體積層體34a及端子基板37a,該半導體積層體34a包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之大致正方形之半導體層、及與其連接之第1電極及第2電極,該端子基板37a包含一對端子35、36及絕緣體層37。 第1電極及第2電極與一對端子35、36經由接合構件60而電性連接。 該發光裝置30於半導體積層體34a之未設置電極之側、亦即光提取面側具備波長轉換構件39,該半導體積層體34a與波長轉換構件39之大小與形狀大致一致。又,固定構件38僅被覆半導體積層體34a之第1電極及第2電極部分,未被覆半導體層之側面。 端子基板之一端子36於端子基板之背面,作為外部連接部,設置成在與另一端子35對向之邊之大致中央部具有切口之矩形。另一端子35係設置成不具有切口之矩形,形狀與一端子35不同。如此,藉由使一對端子之外部連接部之形狀互不相同,可容易地判定發光裝置之極性。 除該等以外,具有與實施形態1之發光裝置10實質上相同之構造,可利用與實施形態2相同之製法進行製造。 該發光裝置中,亦具有與實施形態1之發光裝置10、及與實施形態2之製法相同之效果。 實施形態5:發光裝置 如圖5(a)之剖面圖(圖5(b)之M-M'線)及(b)之仰視圖所示,實施形態5之發光裝置40包括半導體積層體44a及端子基板47a,該半導體積層體44a包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之大致正方形之半導體層、及與其連接之第1電極及第2電極,該端子基板47a包含一對端子45、46及絕緣體層47。 第1電極及第2電極與一對端子45、46經由接合構件60而電性連接。 該發光裝置40於半導體積層體44a之光提取面具備波長轉換構件49。半導體積層體44a小於波長轉換構件49。 固定構件48被覆半導體積層體44a之第1電極及第2電極部分,並且被覆半導體層之一部分之側面。 端子基板中之端子45、46自端子基板之元件接合面通過側面而到達至端子基板之背面。又,於端子基板之一個側面,端子部45、46自固定構件18露出。於該側面,波長轉換構件49、半導體積層體47a、固定構件48與端子45、46之露出面一致,大致為同一平面。 又,於端子基板之背面,絕緣體層47之表面被固定構件48被覆。 除該等以外,具有與實施形態1、4之發光裝置10、30實質上相同之構造,可利用與實施形態2相同之製法進行製造。 該發光裝置中,具有與實施形態1、4之發光裝置10、30、及與實施形態2之製法相同之效果。 又,由於端子基板47a之端子亦於發光裝置之側面露出,故而亦可用作側視型之發光裝置。 實施形態6:發光裝置 如圖6(a)~(e)所示,實施形態6之發光裝置50包括半導體積層體54a及端子基板,該半導體積層體54a包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之大致長方形之半導體層、及與其連接之第1電極及第2電極,該端子基板包含一對端子55、56及絕緣體層57。 該發光裝置50於半導體積層體54a之光提取面具備波長轉換構件59。半導體積層體54a小於波長轉換構件59。 固定構件58被覆半導體積層體54a整體之側面,波長轉換構件59被覆半導體積層體54a與固定構件58之兩者之上表面。藉此,可利用固定構件58補強半導體積層體54a之所有側面,從而能夠更進一步確保發光裝置之強度。又,固定構件58於與露出至端子基板之側面之端子相接之面具有傾斜。藉此,可於該傾斜之部分有效地積蓄與端子之部位56aa接合之安裝用之焊料。 關於端子基板中之絕緣體層57,如圖6(c)及(e)所示,若自其側面觀察,則於半導體積層體54a側具有凸狀之形狀。藉此,亦即,藉由使端子基板之絕緣體層57中之靠近半導體積層體之部分較其相反側窄,可於在圖2(f)之步驟前後進行之噴砂加工等時,使去除固定構件之量減少,從而能夠實現簡便之加工。又,藉由在固定構件58埋入凸狀部,能夠提高密接性。 端子55、56自端子基板之元件接合面側被覆一對側面並到達至背面。而且,於端子基板之背面及一對側面之背面側附近,自固定構件58露出。亦即,端子55、56於一對側面,在靠近半導體積層體54a之部分被固定構件58被覆,在靠近背面側之部分未被固定構件58被覆。藉此,可將端子基板之背面側及側面之露出之端子55、56之兩者用作外部連接部。 端子基板之與端子55、56露出之一對側面不同之另一對側面中,波長轉換構件59及固定構件58大致為同一平面(參照圖6(c)及(e))。該等另一對側面被設為發光裝置之底面及上表面,可用作側視型之發光裝置。於該情形時,藉由將端子基板之背面側及側面之露出之端子55、56之兩者用作外部連接部,能夠提高發光裝置之安裝強度。 於本實施形態之發光裝置中,藉由利用固定構件58被覆半導體積層體54a之所有側面,可提高發光裝置之可靠性。尤其是於將半導體積層體54a用作與發光裝置之安裝基板接近地安裝之側視型之發光裝置之情形時,可防止用於發光裝置之安裝之助焊劑等之侵入。 除該等以外,具有與實施形態1、4之發光裝置10、30實質上相同之構成。 如圖2(f)所示,此種發光裝置在切斷波長轉換構件與固定構件之前或之後,藉由噴砂加工等去除被覆設置有一對端子之一對側面的固定構件,藉此,可使端子基板57a之端子露出。 除此以外,可利用實質上與實施形態2相同之製法進行製造。 該發光裝置中,亦具有與實施形態1、4之發光裝置10、30、及與實施形態2之製法相同之效果。 實施形態7:發光裝置 如圖7所示,實施形態7之發光裝置60之端子55a、56a於端子基板之背面側、及與背面連續之兩對側面露出。亦即,於作為側視型之發光裝置安裝之情形時,端子55a、56a露出成為發光裝置之底面之面Q、與該底面鄰接之面S、與半導體積層體對向之面之相反側之面P、與發光裝置之安裝面為相反側之上表面T。 除此以外,具有實質上與實施形態6之發光裝置50相同之構成及相同之效果。 實施形態8:發光裝置 如圖9所示,實施形態8之發光裝置70之半導體積層體74具備半導體層成長用之基板75,基板75之表面之一部分自半導體積層體74露出。 除此以外,具有實質上與實施形態1之發光裝置10相同之構成及相同之效果。 [產業上之可利用性] 本發明之發光裝置可用於照明用光源、各種指示燈用光源、車載用光源、顯示器用光源、液晶之背光用光源、感測器用光源、信號機、車載零件、看板用通道字母等各種光源。
10、20、30、40、50、70‧‧‧發光裝置
11‧‧‧藍寶石基板
12‧‧‧第1電極
13‧‧‧第2電極
14、74‧‧‧半導體層
14a、34a、44a、54a‧‧‧半導體積層體
15、16、21、25、26、35、36、45、46、55、56、55a、56a‧‧‧端子
17、27、37、47、57‧‧‧絕緣體層
17a、27a、37a‧‧‧端子基板
18、28、38、48、58‧‧‧固定構件
19、39、49、59‧‧‧波長轉換構件
56aa‧‧‧端子之部位
60‧‧‧接合構件
61‧‧‧遮罩
62‧‧‧分離槽
75‧‧‧基板
D、E‧‧‧箭頭
P、Q、S、T‧‧‧面
X‧‧‧線
圖1(a)係表示本發明之發光裝置之一實施形態之概略剖面圖,圖1(b)係其仰視圖。 圖2(a)-(f)係表示本發明之發光裝置之製造步驟之概略剖面步驟圖。 圖3係表示本發明之發光裝置之另一實施形態之仰視圖。 圖4(a)係表示本發明之發光裝置之又一實施形態之概略剖面圖,圖4(b)係其仰視圖。 圖5(a)係表示本發明之發光裝置之又一實施形態之概略剖面圖,圖5(b)係其仰視圖。 圖6(a)係表示本發明之發光裝置之又一實施形態之概略立體圖,圖6(b)係B-B'剖面圖,圖6(c)係C-C'線剖面圖,圖6(d)係自箭頭D方向之橫向側視圖,圖6(e)係自箭頭E方向之縱向側視圖。 圖7係表示本發明之發光裝置之又一實施形態之概略立體圖。 圖8(a)、(b)係表示本發明之發光裝置之另一製造步驟之概略剖面步驟圖。 圖9係表示本發明之發光裝置之另一實施形態之概略剖面圖。
Claims (8)
- 一種發光裝置,其包含發光元件、端子基板以及固定構件;上述發光元件包含依序積層第1半導體層、發光層及第2半導體層而成之半導體積層體,且於該半導體積層體之一面側包含連接於上述第1半導體層之第1電極及連接於上述第2半導體層之第2電極;上述端子基板包含分別與上述第1電極及第2電極連接之一對端子、以及固定該端子之絕緣體層;於俯視時,上述端子基板之外緣之至少一部分係配置於較上述半導體積層體之外緣更靠內側;上述固定構件包含光反射元件,且將上述發光元件與上述端子構件固定;上述端子基板之側面被固定構件被覆。
- 如請求項1之發光裝置,其中於俯視時,上述端子基板之整個外緣係配置於較上述半導體積層體之外緣更靠內側。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述端子基板之與上述發光元件相對之側之相反側之面自上述固定構件露出。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述半導體積層體之側面被上述固定構件被覆。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述發光元件與上述端子基板之間被上述固定構件被覆。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中於上述半導體積層體之另一面側,上述半導體積層體及上述固定構件被波長轉換構件被覆。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述端子基板具備電容器功能。
- 如請求項1或2之發光裝置,其係側視型之發光裝置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013101219 | 2013-05-13 | ||
JP2013-101219 | 2013-05-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201810444A TW201810444A (zh) | 2018-03-16 |
TWI645477B true TWI645477B (zh) | 2018-12-21 |
Family
ID=50687361
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103116920A TWI613737B (zh) | 2013-05-13 | 2014-05-13 | 發光裝置之製造方法 |
TW106143952A TWI645477B (zh) | 2013-05-13 | 2014-05-13 | 發光裝置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103116920A TWI613737B (zh) | 2013-05-13 | 2014-05-13 | 發光裝置之製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9484511B2 (zh) |
EP (1) | EP2804225B1 (zh) |
JP (2) | JP6394052B2 (zh) |
CN (1) | CN104157636B (zh) |
TW (2) | TWI613737B (zh) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI614920B (zh) | 2014-05-19 | 2018-02-11 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
TWI638468B (zh) * | 2014-05-19 | 2018-10-11 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
JP6303805B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TWD167977S (zh) * | 2014-06-27 | 2015-05-21 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體用導線架 |
CN105742454A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-06 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件以及其制造方法 |
US20160190406A1 (en) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
DE102015107586B4 (de) * | 2015-05-13 | 2023-10-26 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
DE102015107588B4 (de) | 2015-05-13 | 2023-08-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
KR102306671B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
DE102015214219A1 (de) | 2015-07-28 | 2017-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement |
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- 2014-05-13 CN CN201410201241.2A patent/CN104157636B/zh active Active
- 2014-05-13 TW TW103116920A patent/TWI613737B/zh active
- 2014-05-13 TW TW106143952A patent/TWI645477B/zh active
- 2014-05-13 EP EP14168051.2A patent/EP2804225B1/en active Active
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US20150325760A1 (en) | 2015-11-12 |
JP6394052B2 (ja) | 2018-09-26 |
JP2014241400A (ja) | 2014-12-25 |
US20160329475A1 (en) | 2016-11-10 |
CN104157636A (zh) | 2014-11-19 |
JP2019024092A (ja) | 2019-02-14 |
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