JPH09213828A

JPH09213828A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH09213828A
Application number: JP8013707A
Authority: JP
Inventors: Tetsuhiro Yamamoto; 哲浩山本
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-01-30
Filing date: 1996-01-30
Publication date: 1997-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体キャリアの外形が半導体素子よりも大
きくなり、半導体装置の小型化ができない。【解決手段】電極パッド数の少ない半導体素子１１の
電極パッド１２上にＡｕバンプ１３が形成され、半導体
キャリア１４上の電極１５に導電性接着剤により接続さ
れる。また半導体キャリア１４上の電極１５は、半導体
キャリア１４の内部ビアの内層を通じて、裏面のグリッ
ド状の外部電極１６と接続されている。そして半導体キ
ャリア１４と半導体素子１１の隙間、および半導体素子
１１の周辺部、さらに半導体素子１１の外周部が封止樹
脂１７により封止されている。この構造により、電極パ
ッド数の少ない半導体素子１１を用い、半導体キャリア
１４を狭い面積にしても外部電極１６数を十分に確保す
ることが可能であり、半導体素子１１よりも半導体キャ
リア１４を小さくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の集積回
路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続
を安定に確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能と
したＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）と称される
半導体装置およびその製造方法に関するものである。本
発明の半導体装置により、情報通信機器、事務用電子機
器、家庭用電子機器、測定装置、組み立てロボット等の
産業用電子機器、医療用電子機器、電子玩具等の小型化
を容易にするものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来の半導体装置について図面を
参照しながら説明する。図６は従来の半導体装置を示す
構成図である。図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は
その底面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＡ１−Ａ２箇所
の断面図である。図６を参照しながら従来の半導体装置
の構成について説明する。

【０００３】半導体素子１は、半導体キャリア２にフェ
イスダウンで搭載され、半導体素子１上の電極パッド３
上の金属突起４と導電性の接続材料５により電気的に接
続される。さらに、半導体素子１と半導体キャリア２の
隙間は封止樹脂６により充填されている。また、半導体
キャリア２の電極７は内部ビア８と内装パターン９によ
り裏面の外部電極１０と電気的に接続される。

【０００４】図６に示すように、従来のＣＳＰ構造の半
導体装置は、搭載する半導体素子１に比べて、半導体キ
ャリア２が大きい面積となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＳＰ構造の半導体装置は図６に示すように、搭載する
半導体素子１に比べて、半導体キャリア２が大きい面積
となっている。これは、マイコンチップ等の電極パッド
数が多い半導体素子を中心に半導体装置を構成したた
め、半導体キャリア２の底面の外部電極数を十分に確保
するためと、半導体装置の製造工程の封止工程におい
て、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの隙間に
浸透させるために必要な封止樹脂の塗布エリアを半導体
素子の存在しない半導体キャリアの周辺部にもたせてい
るからである。以上のように場合によっては半導体キャ
リアの大きさが、搭載する半導体素子の２倍程度の大き
さになることも十分考えられる。このように半導体素子
よりも半導体キャリアが大きくなりすぎると、小型化に
対するメリットが大きく減少する。例えば、ＤＲＡＭ
（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー・チッ
プ）のような電極パッド数の少ない半導体素子を半導体
キャリアに搭載した場合は、半導体キャリア裏面の外部
電極のピッチを狭くして、半導体キャリアを狭い面積に
しても外部電極数を十分に確保することが可能である。
しかしこの場合に同一の半導体キャリアを使用すると、
半導体キャリアが搭載する半導体素子よりも大きくなり
すぎて、半導体装置の小型化のメリットが大きく低減す
ることになる。

【０００６】またＣＳＰ構造の半導体装置において、半
導体素子は外部に露出した構造である。このために、半
導体装置を搬送する際や、プリント基板への実装時に半
導体装置の半導体素子１の側端部に欠けを生じて不良と
なることがある。とりわけ半導体素子の外形サイズが半
導体キャリア２の外形サイズよりも大きい場合、搬送用
トレーの側壁面に半導体素子が直接接触することにな
り、半導体装置の検査時の取り出しや、搬送時に半導体
素子が破損し、外観不良を多発させる危険性が大きい。

【０００７】本発明は、ＣＳＰ構造の半導体装置の小型
化に着目し、特に電極パッド数の少ない半導体素子であ
って、半導体キャリア裏面の外部電極のピッチを狭くし
て、半導体キャリアを狭い面積にしても外部電極数を十
分に確保することが可能である半導体素子を搭載した半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。さらに特に半導体素子が外部に露出した構造のチッ
プ・サイズ・パッケージ型の半導体装置に着目し、半導
体素子が外的衝撃により破損することのない構造の半導
体装置およびその製造方法を提供することを目的とする
ものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明の半導体装置は、上面に複数の電極と底面に配列
された外部電極とを有した絶縁性基体からなる半導体キ
ャリアと、その半導体キャリア上面に接合された電極パ
ッド数の少ないＤＲＡＭ等の半導体素子と、半導体素子
上の電極パッド上に設けられたバンプ電極と、半導体キ
ャリア上面の複数の電極と半導体素子上のバンプ電極と
を接合している導電性接着剤と、半導体素子と半導体キ
ャリアとの間隔と、半導体素子周辺端部および側端部を
充填被覆している樹脂とよりなるものであり、半導体キ
ャリアの外形が半導体素子の外形より小さくするもので
ある。

【０００９】また半導体素子の側端部を外的衝撃から保
護するために、半導体素子の側端部を保護する枠状の耐
熱性樹脂を設けたものである。

【００１０】半導体装置の製造方法においては、半導体
素子の電極パッド上にバンプ電極を形成し、そのバンプ
電極に導電性接着剤を供給する工程と、半導体素子上の
導電性接着剤が供給されたバンプ電極と底面に外部電極
が形成されている半導体キャリア上面の電極とを接合し
た後、導電性接着剤を熱硬化する工程と、樹脂を半導体
素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間と半導体
素子の周辺領域とに注入した後、熱硬化する第１の封止
工程と、さらに半導体素子上面の周辺領域に樹脂を塗布
し、半導体キャリア底面と同一面まで樹脂を供給した
後、熱硬化をする第２の封止工程とを有するものであ
る。

【００１１】また樹脂による封止を終えた半導体装置に
対して、外部に露出している半導体素子の側端部には、
枠状の耐熱性樹脂を設ける工程を有するものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】前記構成により、本発明の半導体
装置は、半導体素子として、マイコンチップなどよりも
電極パッド数の少ないＤＲＡＭ等の半導体素子を用い、
半導体キャリアの外形を半導体素子の外形より小さくす
ることができるので、ＣＳＰ構造の半導体装置のさらな
る小型化が実現できるものである。また外部に露出した
半導体素子に耐熱性樹脂を付設しているので、半導体装
置を搬送する際や、プリント基板への実装時に半導体素
子の側端部に欠けを生じることを防止できる。

【００１３】また製造方法においては、半導体素子とし
て、マイコンチップなどよりも電極パッド数の少ないＤ
ＲＡＭ等の半導体素子を用い、そして半導体キャリアの
外形を半導体素子の外形より小さくしたものを用い、第
１の封止行為で樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの
間に形成された隙間と半導体素子の周辺領域とに注入し
た後、熱硬化し、そしてさらに第２の封止工程で、半導
体素子上面の周辺領域に樹脂を塗布し、半導体キャリア
底面と同一面まで樹脂を供給した後、熱硬化するので、
半導体キャリアよりも半導体素子の方が小さい面積で構
成されたよりチップサイズを実現した半導体装置を実現
できるものである。また樹脂封止後に耐熱性接着剤によ
り枠状の耐熱性樹脂を付設できるので、半導体素子の側
端部に欠けを生じることを防止できる。

【００１４】以下、本発明の一実施の形態について図面
を参照しながら説明する。まず第１の実施の形態につい
て説明する。図１は本実施の形態にかかるＤＲＡＭであ
る半導体素子をＣＳＰ化したときの半導体装置の構造を
示した図である。図１（ａ）は平面図である。図１
（ｂ）は底面図である。図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ１
−Ａ２箇所の断面図である。以下、図１を参照して本実
施の形態の半導体装置について説明する。

【００１５】マイコンチップに比べて電極パッド数の少
ないＤＲＡＭ素子である半導体素子１１の中央部領域に
配置された電極パッド１２上にＡｕバンプ１３が形成さ
れ、セラミックスよりなる半導体キャリア１４上の電極
１５に導電性接着剤（図示せず）により接続される。こ
のとき、半導体キャリア１４上の電極１５は、半導体キ
ャリア１４の内部ビア（図示せず）等の内層を通じて、
裏面のグリッド状の外部電極１６と接続されている。そ
して半導体キャリア１４と半導体素子１１の隙間、およ
び半導体素子１１の周辺部、さらに半導体素子１１の外
周部が封止樹脂１７により封止されている。なお、導電
性接着剤は銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）含有の接着剤
である。

【００１６】本実施の形態に示した半導体装置におい
て、半導体キャリア１４の外形サイズは、搭載した半導
体素子１１より小さくなっている。これは電極パッド数
の少ないＤＲＡＭ素子を用い、半導体キャリア裏面の外
部電極間のピッチを狭くして、半導体キャリアを狭い面
積にしても外部電極数を十分に確保することが可能であ
り、半導体素子よりも半導体キャリアを小さくすること
ができる。この構造により、ＣＳＰ構造の半導体装置の
小型化が実現できる。

【００１７】次に第１の実施の形態で示した半導体装置
の製造方法について説明する。図２，図３は本実施の形
態の半導体装置の製造工程を示したものである。

【００１８】まず、図２（ａ）に示すように、通常のワ
イヤボンダーにて半導体素子１１上の電極パッド１２上
に２段突起形状のＡｕバンプ１３を形成する。

【００１９】次に図２（ｂ）に示すように、形成したＡ
ｕバンプ１３に導電性接着剤１８を転写法で形成する。

【００２０】次に図２（ｃ）に示すように、裏面に外部
電極１６が形成された半導体キャリア１４の表面の電極
１５と位置合わせをして半導体素子１１を搭載する。そ
して加熱して導電性接着剤１８を熱硬化させる。

【００２１】次に図２（ｄ）に示すように、半導体キャ
リア１４に搭載した半導体素子１１側を下にするように
反転させ、１５度程度の傾きと６０℃程度の温度を有す
るホットプレート１９上に載置する。そして第１封止工
程として、半導体素子１１上面の半導体キャリア１４の
周辺部の一方向から封止樹脂１７を注入し、半導体素子
１１と半導体キャリア１４間の隙間に封止樹脂１７を満
たし、熱硬化させ、半導体装置２０ａを得る。ここで封
止樹脂１７の注入を６０℃の低温状態で行なうのは、封
止樹脂１７の流動性を高め、１００μｍ程度のきわめて
狭い隙間に効率よく封止樹脂１７を充填するためであ
る。

【００２２】次に図３（ａ）に示すように、前工程で封
止樹脂１７の熱硬化まで終了した半導体装置２０ａを金
型２１に載置する。

【００２３】次に図３（ｂ）に示すように、第２封止工
程として、半導体装置２０ａの半導体素子１１の周辺領
域と側端部、半導体キャリア１４の側端部領域に封止樹
脂１７を塗布する。このとき半導体装置２０ａの半導体
キャリア１４の裏面の外部電極１６が形成された領域に
封止樹脂１７が回り込まないようにする。そして封止樹
脂１７の硬化温度に適した温度で熱硬化させる。

【００２４】次に図３（ｃ）に示すように、封止樹脂１
７を熱硬化した半導体装置２０ｂを金型２１から取り外
す。

【００２５】以上の工程により、半導体キャリア１４よ
りも半導体素子１１の方が小さい面積で構成されたチッ
プサイズの半導体装置を実現できるものである。

【００２６】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。図４は本実施の形態にかかるエリアパッドタイ
プの半導体素子をＣＳＰ化したときの半導体装置の構成
を示したものである。図４（ａ）は、本実施の形態にか
かる半導体装置の平面図である。図４（ｂ）は底面図で
ある。図４（ｃ）は図４（ａ）のＡ１−Ａ２箇所の断面
図である。

【００２７】図４に示すように、エリアパッドタイプの
半導体素子２２のアクティブエリア全面に配置された電
極パッド２３上にバンプ電極である金属突起２４が形成
され、ポリイミド等の絶縁性樹脂フィルムよりなる半導
体キャリア２５上の電極２６に導電性接着剤２７により
接続されている。このとき、半導体キャリア２５上の電
極２６はビア（図示せず）等の内層を通じて裏面のグリ
ッド状配列の外部電極２８と接続されている。さらに、
半導体キャリア２５と半導体素子２２の間、および半導
体素子２２の周辺部が封止樹脂２９により充填および被
覆されている。また本実施の形態では、半導体素子２２
の側端部が枠状の耐熱性テープ３０により保護されてい
る。前記耐熱性テープ３０により、半導体素子２２の側
端部を外的衝撃から保護し、半導体素子自体に欠けなど
の外観不良の発生を防止することができる。

【００２８】以上のような構成により、半導体キャリア
２５の外形サイズは半導体素子２２より小さくなり、ま
た耐熱テープにより半導体素子は外的衝撃から保護され
た構造を実現できる。

【００２９】次に第２の実施の形態で示した半導体装置
の製造方法について説明する。図５は本実施の形態の半
導体装置の製造工程を示したものである。

【００３０】まず図５（ａ）に示すように、無電解めっ
き法を用いてエリアパッドタイプの半導体素子２２のア
クティブエリア上の電極パッド２３にバンプ電極である
Ａｕ金属突起２４を形成する。

【００３１】次に図５（ｂ）に示すように、金属突起２
４の領域のみに導電性接着剤２７を転写法により形成す
る。

【００３２】次に図５（ｃ）に示すように、４０℃程度
のホットプレート３１上に真空吸着により吸着された裏
面に外部電極２８を有した半導体キャリア２５の電極２
６と、半導体素子２２が位置合わせされて搭載される。
そして導電性接着剤２７の適正硬化温度で熱硬化され
る。この時、半導体キャリア２５は薄いフィルム状のた
めに、真空吸着作用によりフィルムに生じていた反り等
が矯正され、半導体素子２２を搭載するために必要な平
坦度が得られ、接合安定性が得られるものである。

【００３３】次に図５（ｄ）に示すように、半導体素子
２２を下にして反転させ、１５度程度の傾きと６０℃程
度の温度を有するホットプレート３１上で、半導体素子
２２上面の半導体キャリア２５の周辺部の一方向から封
止樹脂３２を注入し、隙間を充填する。そして封止樹脂
３２の適正硬化温度で熱硬化させる。ここで封止樹脂３
２の注入を６０℃の低温状態で行なうのは、封止樹脂３
２の流動性を高め、１００μｍ程度のきわめて狭い隙間
に効率よく封止樹脂３２を充填するためである。

【００３４】次に図５（ｅ）に示すように、半導体素子
２２の側端部に耐熱性接着剤を塗布した後、枠状の耐熱
性テープ３０を貼付し、半導体装置を完成する。耐熱性
テープ３０により、露出していた半導体素子２２の側端
部を外的衝撃から保護し、半導体素子２２自体に欠けな
どの外観不良の発生を防止することができる。なお、半
導体素子を外部の衝撃から保護でき、信頼性の高い材料
であれば、耐熱性テープ３０以外の材料でもよい。

【００３５】以上の工程により、半導体キャリア２５よ
りも半導体素子２２の方が小さい面積で構成されたチッ
プサイズの半導体装置を実現できるものである。また耐
熱テープにより半導体素子は外的衝撃から保護されるも
のである。

【００３６】以上、本実施の形態に示したように、半導
体素子として、マイコンチップなどよりも電極パッド数
の少ないＤＲＡＭ等の半導体素子を用い、半導体キャリ
アの外形を半導体素子の外形より小さくすることができ
るので、ＣＳＰ構造の半導体装置のさらなる小型化が実
現できるものである。また外部に露出した半導体素子に
耐熱性樹脂を付設しているので、半導体装置を搬送する
際や、プリント基板への実装時に半導体素子の側端部に
欠けを生じることを防止できる。

【００３７】また製造方法においては、半導体素子とし
て、マイコンチップなどよりも電極パッド数の少ないＤ
ＲＡＭ等の半導体素子を用い、そして半導体キャリアの
外形を半導体素子の外形より小さくしたものを用い、第
１の封止行為で樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの
間に形成された隙間と半導体素子の周辺領域とに注入し
た後、熱硬化し、そしてさらに第２の封止工程で、半導
体素子上面の周辺領域に樹脂を塗布し、半導体キャリア
底面と同一面まで樹脂を供給した後、熱硬化するので、
半導体キャリアよりも半導体素子の方が小さい面積で構
成されたよりチップサイズを実現した半導体装置を実現
できるものである。

【００３８】

【発明の効果】以上のように本発明の半導体装置は、半
導体素子として、マイコンチップなどよりも電極パッド
数の少ないＤＲＡＭ等の半導体素子を用い、半導体キャ
リアの外形を半導体素子の外形より小さくすることがで
きるので、ＣＳＰ構造の半導体装置のさらなる小型化が
実現できるものである。

【００３９】また製造方法においては、半導体素子とし
て、マイコンチップなどよりも電極パッド数の少ないＤ
ＲＡＭ等の半導体素子を用い、そして半導体キャリアの
外形を半導体素子の外形より小さくしたものを用い、第
１の封止行為で樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの
間に形成された隙間と半導体素子の周辺領域とに注入し
た後、熱硬化し、そしてさらに第２の封止工程で、半導
体素子上面の周辺領域に樹脂を塗布し、半導体キャリア
底面と同一面まで樹脂を供給した後、熱硬化するので、
半導体キャリアよりも半導体素子の方が小さい面積で構
成されたよりチップサイズを実現した半導体装置を実現
できるものである。

【００４０】また、半導体素子の周囲を樹脂被覆および
耐熱性テープで保護することにより、構造上むき出しと
なる半導体素子の側面を保護し、欠けなどの損傷を防ぐ
ことができ、より信頼性の高い半導体装置を供給するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第１の実施の形態の半導体装置
を示す図

【図２】本発明における第１の実施の形態の半導体装置
の製造方法を示す図

【図３】本発明における第１の実施の形態の半導体装置
の製造方法を示す図

【図４】本発明における第２の実施の形態の半導体装置
を示す図

【図５】本発明における第２の実施の形態の半導体装置
の製造方法を示す図

【図６】従来技術の半導体装置を示す図

【符号の説明】

１半導体素子２半導体キャリア３電極パッド４金属突起５接続材料６封止樹脂７電極８内部ビア９内装パターン１０外部電極１１半導体素子１２電極パッド１３Ａｕバンプ１４半導体キャリア１５電極１６外部電極１７封止樹脂１８導電性接着剤１９ホットプレート２０半導体装置２１金型２２半導体素子２３電極パッド２４金属突起２５半導体キャリア２６電極２７導電性接着剤２８外部電極２９封止樹脂３０耐熱性テープ３１ホットプレート３２封止樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に複数の電極と底面に配列された外
部電極とを有した絶縁性基体からなる半導体キャリア
と、前記半導体キャリア上面に接合された半導体素子
と、前記半導体素子上の電極パッド上に設けられたバン
プ電極と、前記半導体キャリア上面の複数の電極と前記
半導体素子上のバンプ電極とを接合している導電性接着
剤と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔と
前記半導体素子周辺端部および側端部を充填被覆してい
る樹脂とよりなり、樹脂は前記半導体キャリアの底面と
同一面まで設けられ、前記半導体キャリアの外形が前記
半導体素子の外形より小さいことを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】上面に複数の電極と底面に配列された外
部電極とを有した絶縁性基体からなる半導体キャリア
と、前記半導体キャリア上面に接合された半導体素子
と、前記半導体素子上の電極パッド上に設けられたバン
プ電極と、前記半導体キャリア上面の複数の電極と前記
半導体素子上のバンプ電極とを接合している導電性接着
剤と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔と
前記半導体素子周辺端部を充填被覆している樹脂と、前
記半導体素子の側端部に設けられた半導体素子側端部保
護用の耐熱性樹脂とよりなり、前記半導体キャリアの外
形が前記半導体素子の外形より小さいことを特徴とする
半導体装置。
【請求項３】上面に複数の電極と底面に配列された外
部電極とを有した絶縁性基体からなる半導体キャリア
と、前記半導体キャリア上面に接合された半導体素子
と、前記半導体素子上の電極パッド上に設けられたバン
プ電極と、前記半導体キャリア上面の複数の電極と前記
半導体素子上のバンプ電極とを接合している導電性接着
剤と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔と
前記半導体素子周辺端部を充填被覆している樹脂と、前
記半導体素子の側端部に設けられた半導体素子側端部保
護用の耐熱性樹脂とよりなることを特徴とする半導体装
置。
【請求項４】半導体キャリアは、絶縁性フィルムキャ
リアであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいず
れかに記載の半導体装置。
【請求項５】半導体素子はダイナミックランダムアク
セスメモリーチップ（ＤＲＡＭ）であることを特徴とす
る請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】耐熱性樹脂は、半導体素子の側端部を囲
む枠状の耐熱性テープであることを特徴とする請求項２
または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】半導体素子の電極パッド上にバンプ電極
を形成し、前記バンプ電極に導電性接着剤を供給する工
程と、前記半導体素子上の前記導電性接着剤が供給され
た前記バンプ電極と底面に外部電極が形成されている半
導体キャリア上面の電極とを接合した後、前記導電性接
着剤を熱硬化する工程と、樹脂を前記半導体素子と前記
半導体キャリアとの間に形成された隙間と半導体素子の
周辺領域とに注入した後、熱硬化する第１の封止工程
と、さらに前記半導体素子上面の周辺領域に樹脂を塗布
し、半導体キャリア底面と同一面まで樹脂を供給した
後、熱硬化をする第２の封止工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】半導体素子の電極パッド上にバンプ電極
を形成し、前記バンプ電極に導電性接着剤を供給する工
程と、前記半導体素子上の前記導電性接着剤が供給され
た前記バンプ電極と底面に外部電極が形成されている半
導体キャリア上面の電極とを接合した後、前記導電性接
着剤を熱硬化する工程と、樹脂を前記半導体素子と前記
半導体キャリアとの間に形成された隙間と半導体素子の
周辺領域とに注入した後、熱硬化させる工程と、外部に
露出している前記半導体素子の側端部に半導体素子側端
部保護用の耐熱性樹脂を付設する工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】半導体素子の電極パッド上にバンプ電極
を形成し、前記バンプ電極に導電性接着剤を供給する工
程と、前記半導体素子上の前記導電性接着剤が供給され
た前記バンプ電極と底面に外部電極が形成されている半
導体キャリア上面の電極とを接合した後、前記導電性接
着剤を熱硬化する工程と、樹脂を前記半導体素子と前記
半導体キャリアとの間に形成された隙間と半導体素子の
周辺領域とに注入した後、熱硬化させる工程と、外部に
露出している前記半導体素子の周辺側端部に耐熱性接着
剤を供給する工程と、前記半導体素子の側端部に半導体
素子側端部保護用の耐熱性樹脂を前記耐熱性接着剤で付
設する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項１０】導電性接着剤は転写法によりバンプ電
極領域のみに形成することを特徴とする請求項７〜請求
項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】封止工程において、樹脂の注入は半導
体キャリアの周辺部の一方向から行なうことを特徴とす
る請求項７〜請求項９のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項１２】封止工程において、樹脂の注入は半導
体キャリアを傾斜させた状態で行なうことを特徴とする
請求項７〜請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項１３】封止工程において、樹脂の注入は半導
体キャリアを低温加熱した状態で行なうことを特徴とす
る請求項７〜請求項９のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項１４】封止工程において、樹脂の注入は半導
体キャリアと半導体素子との隙間を充填した後、半導体
素子の周辺領域を封止することを特徴とする請求項７〜
請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】耐熱性樹脂を付設する工程は、半導体
素子の周辺側端部を囲む枠状の耐熱性テープを付設する
ことを特徴とする請求項８〜請求項９のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法。