CN105090900A - 半导体装置的安装构造、背光灯装置及安装基板 - Google Patents

Abstract

一种半导体装置的安装构造、背光灯装置及安装基板。本发明的半导体装置的安装构造具有：半导体装置，其具有在长度方向的两端部分别配置的外部连接端子；安装基板，其安装半导体装置，其中，外部连接端子在用于与安装基板安装的安装面上具有金属区域，在由金属区域规定的区域具有装置侧安装绝缘区域，安装基板在其安装面侧具有在绝缘体上由导体形成的、用于连接外部连接端子的焊盘图案，焊盘图案形成为将半导体装置的端部包围的大小，并且形成沿着装置侧安装绝缘区域的绝缘区域即焊盘侧绝缘区域。

Description

半导体装置的安装构造、背光灯装置及安装基板

本申请要求2014年5月21日提交的No.2014－105,046的日本专利申请的优先权。其全部内容合并于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体装置的安装构造、背光灯装置及安装基板。

背景技术

目前，在电子设备中使用有各种光源，例如，使用侧视型的发光装置作为电子设备的显示面板的背光灯光源等。在这样的发光装置中，具备基体和发光元件，基体具有：具备凹部的芯片状母材、和形成于该母材表面并与发光元件连接的一组端子。而且，作为基体，提案有从发光元件的下方延伸设置的一组端子分别周设于母材两端面附近的表面上的构成。

在将这样的半导体发光装置安装于安装基板上时，如图19所示，使用在安装基板651上预先设置的配线图案的、形成于半导体发光装置601的安装位置的焊盘图案652。即，如图20所示，在矩形的焊盘图案652上，通过焊料653将在半导体发光装置的底面侧露出的引线固定。

另一方面，近年来，要求这样的半导体发光装置的进一步小型化、即高度d的降低。但是，若半导体发光装置变小，则在半导体发光装置的底面侧露出的引线的面积也减小。若要将这样的半导体发光装置安装在矩形的焊盘图案上，则不能充分进行安装时的对准(定位)，安装位置偏移的结果，会产生不良的问题。

参照(日本)特开2007－35881号公报；

(日本)特开2006－032511号公报；

(日本)特开2008－059987号公报；

(日本)特开2008－140596号公报。

发明内容

本发明是为了解决现有的问题点而设立的。本发明的一目的在于提供一种发光装置的安装构造、背光灯装置及安装基板，即使是在半导体发光装置的底面侧露出的引线小的发光装置，也能够实现安装时的定位效果。

为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种半导体发光装置的安装构造，具有：半导体装置，其具有在长度方向的两端部分别配置的外部连接端子；安装基板，其安装所述半导体装置，其中，所述外部连接端子在用于安装于所述安装基板的安装面具有金属区域，所述半导体装置在由所述金属区域规定的区域具有装置侧安装绝缘区域，所述安装基板在其安装面侧具有在绝缘体上由导体形成的、用于连接所述外部连接端子的焊盘图案，所述焊盘图案能够形成为将所述半导体装置的由外部连接端子包围的端部包围的大小，并且形成具有沿着所述装置侧安装绝缘区域的外周的形状的焊盘侧绝缘区域。

另外，本发明第二方面提供一种背光灯，其用于从导光板的端面射入光，其中，具有安装基板和半导体发光装置，该半导体发光装置在所述安装基板上，以使发光面与所述导光板的端面相对的方式安装，并且具有在长度方向的两端部分别配置的外部连接端子，所述外部连接端子在用于与所述安装基板安装的安装面具有金属区域，在由所述金属区域包围的区域具有绝缘性的装置侧安装绝缘区域，所述安装基板具有在其表面的绝缘体上由导体形成的、用于连接所述外部连接端子的焊盘图案，所述焊盘图案能够形成为将所述半导体发光装置的由外部连接端子包围的端部包围的大小，并且形成有具有沿着所述装置侧安装绝缘区域的外周的形状绝缘区域即焊盘侧绝缘区域。

另外，本发明第三方面提供一种安装基板，其用于安装具备从基体露出的外部连接端子的半导体装置，其中，在其表面的安装面侧具有在绝缘体上由导体形成的、用于连接外部连接端子的焊盘图案，所述焊盘图案能够形成为将半导体装置的由外部连接端子包围的端部包围的大小，并且形成有具有沿着在由外部连接端子包围的区域形成的绝缘性区域即装置侧安装绝缘区域的外周的形状的绝缘区域、即焊盘侧绝缘区域。

根据本发明的半导体发光装置的安装构造及背光灯以及安装基板，通过在焊盘图案上设有沿着装置侧安装绝缘区域的焊盘侧绝缘区域，能够实现安装时的定位效果，提高安装时的成品率。

附图说明

参考下述具体描述并结合附图，将易于对本发明及其所具有的优点获得更完整的理解，其中：

图1是表示实施例1的半导体发光装置的立体图；

图2是图1的半导体发光装置的II－II线的水平剖面图；

图3A是表示将图1的半导体发光装置安装在安装基板上的情形的分解立体图；

图3B是表示从斜下方观察图3A的半导体发光装置所看到的状态的分解立体图；

图4A是表示安装基板的焊盘图案的平面图；

图4B是表示安装基板的焊盘图案的变形例的平面图；

图5是表示将图1的半导体发光装置安装在安装基板上的状态的平面图；

图6是图4A的半导体装置的放大剖面图；

图7A是变形例的半导体装置的放大剖面图；

图7B是另一变形例的半导体装置的放大剖面图；

图8是其他变形例的半导体装置的放大剖面图；

图9是表示将图1的半导体发光装置安装在安装基板上的状态的正面图；

图10是从斜下方观察变形例的半导体发光装置所看到的立体图；

图11是其他变形例的半导体发光装置的底面图；

图12是另一变形例的半导体发光装置的底面图；

图13是再一变形例的半导体发光装置的底面图；

图14A是表示将实施例2的半导体发光装置安装在安装基板上的状态的平面图；

图14B是表示变形例的焊盘图案的平面图；

图14C是表示变形例的焊盘图案的平面图；

图14D是表示变形例的焊盘图案的平面图；

图14E是表示变形例的焊盘图案的平面图；

图14F是表示变形例的焊盘图案的平面图；

图14G是表示从斜下方观察与图14F的焊盘图案对应的半导体发光装置所看到的立体图；

图15是表示将图5的半导体发光装置适用于液晶用背光灯的状态的平面图；

图16是图15的液晶用背光灯的侧面图；

图17是图1的发光装置的平面透视图；

图18是表示将图1的发光装置安装于安装部件的状态的概略立体图；

图19是表示将背景技术中的半导体发光装置安装在安装基板上的情形的分解立体图；

图20是表示将图19的半导体发光装置安装在安装基板上的状态的正面图。

标记说明

1、1B、601：半导体发光装置

3、3B、3F、603：外部连接端子

3a：突出图案

4：基体

5：发光元件

7：密封部件

10：透光性部件

31：面状金属区域

32、32B：线状区域

34：装置侧安装绝缘区域

36A、36B、36C、36D：突出片

51、51′、651：安装基板

52、52′、652：焊盘图案

52F：第一焊盘图案

53、53′：接合部件

653：焊料

54：焊盘侧绝缘区域

55：抗蚀剂

56：第二焊盘图案

57：辅助电极

FT：焊脚

FT₂：第二焊脚

具体实施方式

下面参考附图对实施例进行描述，其中在各附图中，相同的参考标记代表相应的或相同的元件。

以下所示的实施方式及实施例是用于将本发明的技术思想具体化的、表示发光装置的安装构造、背光灯装置及安装基板的例子，本发明不将发光装置的安装构造、背光灯装置及安装基板限定为以下的构成。另外，各附图所示的部件的大小及位置关系等有时为了明确说明而进行了夸大。另外，在以下的说明中，同一名称、标记表示相同或同质的部件，适当省略详细说明。另外，构成本发明的各要素既可以由同一部件构成多个要素，由一部件兼作多个要素，也能够相反地由多个部件分担实现一部件的功能。另外，在一部分的实施例、实施方式中说明的内容也能够利用在其他实施例、实施方式等中。

根据本发明一实施方式的半导体装置的安装构造，金属区域包含由所述外部连接端子的端缘构成的线状区域，能够由该线状区域规定所述装置侧安装绝缘区域。

另外，所述线状区域能够形成为弯折成大致平行的矩形的形状。

另外，所述半导体装置能够还具有在一方向上延长的绝缘性基体。

另外，所述外部连接端子在与所述安装面交叉的基体的侧面能够使矩形的面状金属区域露出。

另外，在所述焊盘侧绝缘区域以使所述装置侧安装绝缘区域一致的状态将该焊盘图案和所述外部连接端子连接的接合部件也能够从所述线状区域的周围隆起到所述面状金属区域上而接合。通过上述构成，在安装时使接合部件从线状区域隆起到侧面的面状金属区域，从而由从半导体装置的底面侧连续到侧面的接合部件也能够将半导体装置牢固地固定在安装基板上。

进而，所述金属区域具有コ形连续的三边的形状，能够将由该三边围成的区域设为装置侧安装绝缘区域。通过上述构成，由金属区域能够发挥与焊盘图案的自对准效果，并且实现定位的同时实现牢固的连接。

另外，所述焊盘图案整体形成为大致矩形，在其一边的大致中央形成凹状的焊盘侧绝缘区域。

另外，所述焊盘图案能够在分开的一对大致矩形的、相对的边分别形成所述焊盘侧绝缘区域。

另外，也可以使所述焊盘侧绝缘区域的开口宽度比所述装置侧安装绝缘区域的宽度窄。

另外，能够使所述焊盘侧绝缘区域的开口宽度为0.2mm以下。

另外，也可以使所述半导体装置的高度为0.5mm以下。

另外，能够将所述半导体装置形成为半导体发光装置。特别是，能够将所述半导体装置用作背光灯用光源。

(实施方式1)

本发明的实施方式1的半导体发光装置1的立体图如图1所示，其II－II线的水平剖面图如图2所示。这些图所示的半导体发光装置1具备在一方向延长的基体4、从基体4突出的密封部件7。通过使密封部件7从基体4的大致中央突出，半导体发光装置1的外形形成为大致凸状。基体4在长度方向的两端分别配置有外部连接端子3。这些外部连接端子3在半导体发光装置1的表面露出，如图3A所示地成为将半导体发光装置1安装在后述的安装基板51时的电连接端子。

另外，如图2的剖面图所示，一对外部连接端子3分别以将基体4的端部覆盖的方式形成为一方开口的矩形即コ形。在基体4的上面侧，发光元件5跨过以相互相对的方式延长的一对外部连接端子3之间而进行安装。该发光元件5将发光面相反侧的面作为安装面，在安装面侧形成有正负电极，通过倒装片安装，在一对外部连接端子3之间通过焊凸片或共晶接合而进行安装。

另外，以将发光元件5的除了发光面(上面)之外的周围覆盖的方式设置密封部件7。另外，在发光元件5的发光面的上面设置透光性部件10。透光性部件10与发光元件5的发光面光学结合。透光性部件10只要至少形成在发光面的上面即可，也可以从发光面形成到密封部件7之上。

(外部连接端子3)

外部连接端子3在基体4的长度方向的两端部分别露出(表露出)。这样的外部连接端子3能够通过镀敷等在基体4的表面形成金属层而构成。另外，也可以将金属板弯折而构成。另外，安装面的电气的、机械的金属区域形成为具有大致平行的两边的形状(线状)。另外，金属区域不必一定要电连接，也能够仅实现机械的连接。该情况下，半导体发光装置使用其他的电连接部件与安装基板电连接。

在此，外部连接端子3在俯视观察下形成为コ形，具有线状的区域32和面状的金属区域31。面状金属区域31在与安装面交叉的基体4的侧面侧，矩形地露出。在此，基体4的侧面侧，在图1中将前面、端面和背面三面连续覆盖而设为コ形。

另外，线状区域32为面状金属区域31的端缘，在安装面形成为矩形的コ形。即，线状区域32的线宽度为构成外部连接端子3的金属层的厚度。

(装置侧安装绝缘区域34)

另外，由线状区域32包围的基体4的端缘如图3B的立体图所示地成为装置侧安装绝缘区域34。因此，基体4由绝缘性部件构成。线状区域32以包围装置侧安装绝缘区域34的方式形成为所谓的锁边。另外，在此，装置侧安装绝缘区域34不是指全部的绝缘性基体4，而是仅指由线状区域32覆盖的区域。

该半导体发光装置1如图3A～图9所示地安装在形成于安装基板51上的焊盘图案52上。以与在半导体发光装置1的基体4的两端设置的外部连接端子3分别连接的方式，一对焊盘图案52与一对外部连接端子3的间隔对应而预先形成在安装基板51上。各焊盘图案52整体形成为大致矩形，在其一边的大致中央形成有凹状的焊盘侧绝缘区域54。另外，焊盘侧绝缘区域54分别形成在分开的一对大致矩形的、相对的边。另外，各焊盘图案52形成为沿着半导体发光装置1的线状区域32的形状。在此，焊盘侧绝缘区域54形成为沿着コ形的线状区域32的图案的形状。

(安装基板51)

安装基板51为具有安装半导体发光装置1的安装面的基板，能够利用玻璃环氧基板或印刷基板、陶瓷基板、挠性印刷基板等。在设于安装基板51的焊盘图案52上经由焊料等接合部件53安装半导体发光装置1，从而将半导体发光装置1机械地连接。另外，焊盘图案52与配线图案连接，由此将半导体发光装置1与在安装基板51上形成的电路电连接。

(焊盘图案52)

焊盘图案52为用于与半导体发光装置1的外部连接端子3电连接的区域。在图3A等例中，以与应安装半导体发光装置1的位置且在半导体发光装置1的长度方向的两端设置的一对外部连接端子3的位置及大小对应的方式将一对焊盘图案52形成在安装基板51上。

半导体发光装置1的各外部连接端子3如上所述地在线状区域32的矩形状的内侧形成有装置侧安装绝缘区域34。各焊盘图案52基于此而将整体形成为比半导体发光装置1的端缘大一圈的矩形，在其一部分形成有与线状区域32的矩形状对应的矩形状的凹部。在此，所谓对应是指，二者的形状为大致相似形状，整体沿着另一形状而存在的形状。

通过将这样的半导体发光装置1侧的装置侧安装绝缘区域34及其周围包围的线状区域32、以及在焊盘图案52侧与其对应的形状的组合，能够发挥安装时的自对准效果。即，以往，如图19所示，外部连接端子3自身为面状，故而能够使安装时的接触面积大，能够稳定地安装，且也能够实现安装时的定位。但是，在由外部连接端子3的端面也与焊盘图案52侧接触这样的情况下，安装面的接触面积变小，因此，不能充分地实现自对准效果，从安装位置从希望的位置偏移，其结果，具有安装不良的问题。对此，在本实施方式中，通过将焊盘图案52的形状形成为沿着由半导体发光装置1的线状区域32包围的装置侧安装绝缘区域34的形状，能够由装置侧安装绝缘区域34实现定位效果，能够在半导体发光装置1的安装时发挥自对准效果。换言之，通过使作为导电部分的线状区域32的轮廓与焊盘图案52的凹状地形成的区域的轮廓一致，在半导体发光装置的安装时发挥自对准效果。

另外，焊盘侧绝缘区域54形成为沿着装置侧安装绝缘区域34的形状，但无需形成为完全一致的形状及大小。例如，在图4A及图5的平面图所示的例中，使焊盘侧绝缘区域54的开口宽度T₂比装置侧安装绝缘区域34的厚度T₁稍窄。此时，如图6的放大剖面图所示，能够将线状区域可靠地配置在焊盘图案52上并支承基体4。

另外，如图4B的平面图所示的变形例的半导体发光装置那样地，也可以使焊盘图案52B的焊盘侧绝缘区域54B的开口宽度T₂比基体4B的装置侧安装绝缘区域的厚度T₁稍大。若以将焊料至少施加在装置侧线状区域的方式配置接合部件53，则如图7A的放大剖面图所示，在焊料等溶融时，焊料浸润线状区域，能够从接合部件53的侧面到焊盘图案52的上面形成焊脚FT。另外，在该情况下，能够从焊盘图案52的端面形成将装置侧线状区域的下端连结的第二焊脚FT2。由此，能够进一步提高焊料连接的可靠性。T2与T1的差为100μm以下为好，例如可形成为75μm。

另外，在图6、图7A中，在安装基板51与基体4之间能够配置抗蚀剂55。另外，如图7B所示，也能够形成为不具有抗蚀剂的构成的半导体发光装置。例如，如图4B的平面图所示的变形例的半导体发光装置那样，在基体4B的装置侧安装绝缘区域的厚度T₁比焊盘侧绝缘区域54B的开口宽度T2稍窄的构成中，即使在焊盘侧绝缘区域54B的开口与装置侧安装绝缘区域之间多少具有间隙，在图7B的剖面图所示那样地向安装基板54B安装时，也能够使溶融的焊料从接合部件53B的侧面到焊盘图案52的上面而形成焊脚FT，并且湿润的焊料进入线状区域的下面及焊盘图案52B的侧面，将间隙填充，维持电气连接进而发挥自对准效果。

另外，焊盘图案在以上例中设置在安装基板51的平面上，但不限于该构成。例如，如图8的放大剖面图所示地，也能够在安装基板51′上形成凹部，在凹部上对焊盘图案52′进行构图，经由焊脚FT将该焊盘图案52′和接合部件53′接合。

另外，在安装时，接合部件53隆起到半导体发光装置1的基体4的侧面而延长，从而能够发挥更牢固的固定和电连接。因此，外部连接端子3如上所述地在与安装面交叉的基体4的侧面具有矩形的面状金属区域31。由此，利用接合部件53与由在面状金属区域31的端面形成的线状区域32包围焊盘侧绝缘区域54的焊盘图案52固定(例如焊接)，并且接合部件53到达从线状区域32交叉连续的面状金属区域31，如图9所示地大面积浸润接合部件53，能够以大面积将外部连接端子3和焊盘图案52连接。

焊盘侧绝缘区域54的开口宽度能够任意地设定，但例如在小型、薄型的背光灯用途中可设定为0.2mm以下。其中，若过窄，则难以形成焊盘侧绝缘区域54，另外，焊盘侧绝缘区域54在安装时容易被接合部件53填埋，有损定位效果，故而残出0.1mm以上为好。

另外，线状区域32是指相对于面状金属区域31的用语，实质上只要是线状即可，也包含部分地具有面状区域的意思。例如，从图10的斜下方观察到的立体图所示的变形例的半导体发光装置1中，线状区域32包围基体4的端缘的三边，而起设有从基体4的端缘侧的边突出的突出片36A。突出片36A既可以与其他线状区域32相同宽度、即与构成外部连接端子3的金属层的厚度相同，也可以比其粗。即，能够形成为将线状增粗的具有一定面积的形状。

通过设置这样的突出片36A，不仅线状区域32的面积增大，使与接合部件53的连接面积扩大、使连接部分的形状复杂化而使强度提高，而且通过将线状区域32形成为比コ形图案复杂的形状，也可得到发光装置安装时的自对准效果增强，可实现定位精度的进一步提高的效果。

另外，焊盘侧绝缘区域54能够作为将在焊料溶融时产生的气体释放的路径而起作用，其结果，能够减少焊料气孔。

另外，不限于该例，也可以设置多个突出片。例如，如图11的底面图所示，也能够在基体4的端缘侧的边设置两个突出片36B。对应于此，能够在焊盘侧金属区域也设置与突出片对应的图案。由此，使线状区域32进一步发挥作用，另外，使线状区域32的图案复杂化，也能够进一步实现自对准效果。或者，设置突出片的位置也不限于端缘侧，例如图12的底面图所示的突出片36C那样地，也可以设置在前面侧或背面侧。在这样的情况下，可得到同样的效果。另外，如图13所示，也可以在コ形的开口侧以将开口端减小的方式(C形地)设置突出片36D。通过设置这样的突出片36D，能够更加明确地划分装置侧安装绝缘区域34，能够期待定位效果的精度提高。

(实施方式2)

另外，在以上例中，表示了将外部连接端子的线状区域形成为一方开口的矩形即コ形的例子，但本发明不限于该方式。例如，线状区域除了由连续的三边构成之外，也可以由平行的两边构成。将该例作为实施方式2而表示在图14的平面图中。在该例中，在半导体发光装置1B的侧面的内、正面侧和背面侧分别设有外部连接端子3B。该一对外部连接端子3B通过在基体4形成的贯通孔(孔、通孔)等而电连接。在这样的由分开的多个边形成的线状区域32B，也能够将由这样的线状区域32B包围的装置侧安装绝缘区域34以与形成于焊盘图案52的焊盘侧绝缘区域54对应的方式安装，能够同样地实现自对准效果。

另外，焊盘图案也不限于形成为上述的将一方开口的矩形即コ字状的例子，例如如图14B所示，也能够形成为将在俯视观察下形成为L形的焊盘图案52L镜像状地配置的构成。或者，也能够在焊盘图案上形成细的狭缝或槽。例如，在图14C的平面图所示的例中，形成有多条在与形成于焊盘图案52C的コ字状的开口部分的底边垂直的方向(在图14C中为水平方向)上延长的狭缝SLC。或者，也可以如图14D的平面图所示地，形成有多条在与形成于焊盘图案52D的コ字状的开口部分的底边平行的方向(在图14D中为垂直方向)上延长的狭缝SLD。或者，也可以如图14E的平面图所示，在形成于焊盘图案52E的コ字状的开口部分的底边的两端倾斜地设置狭缝SLE。各狭缝的宽度优选形成为使焊料能够跨过狭缝而扩散的程度，以使焊料将在狭缝分开的焊盘图案连接。另外，狭缝的数量除了设为多个之外，也可以为一个。

在以上例中，作为焊盘图案，公开了将半导体发光装置的两端コ字状地包围的方式，但本发明不将焊盘图案仅限于此，也可以为其他的焊盘图案。例如，在图14F所示的变形例的安装基板中，不仅设有第一焊盘图案52F，还设有第二焊盘图案56。第二焊盘图案56沿着将由俯视看形成コ字状的一对第一焊盘图案52F的焊盘侧绝缘区域54F规定的、凹状的开口端彼此连接的线段状而配置。具体地，在将一对第一焊盘图案52F的开口端彼此连接的线段的中间设置第二焊盘图案56。

另外，如图14G的立体图所示，在半导体发光装置1F侧，以安装于安装基板上的状态，在与第二焊盘图案56对应的位置设有辅助电极57。利用焊料等接合部件将辅助电极57与第二焊盘图案56接合，不仅在设于半导体发光装置1F的两端的外部连接端子3F，在中间部分也设置接合部分，由此，半导体发光装置1F向安装基板上安装时的机械强度提高。辅助电极57优选设置在半导体发光装置1F的背面侧、即光取出面的相反侧。由此，输出光的射出不被辅助电极遮挡，能够提高紧固强度。更加优选的是，将辅助电极57设置在半导体发光装置1F的长度方向的中央附近。由此，能够最有效地发挥自对准的定位效果及机械强度的提高。

(背光灯装置)

这样的半导体发光装置可适用于液晶显示器等的背光灯用光源。作为一例，图15的平面图、图16的侧面图所示的背光灯装置表示边缘灯光型的液晶背光灯装置。该背光灯装置为用于从导光板的端面射入光的部件，具有安装基板51、在该安装基板51上以使发光面与导光板的端面相对的方式安装的半导体发光装置1。特别是，在半导体发光装置1的高度为0.5mm以下这样的薄型面板中，难以采用图19所示那样的侧视型的封装，如图1所示地，产生不能使面状金属区域31面向安装面的情况。在这样的情况下，通过采用设有上述的焊盘侧绝缘区域54的特有的焊盘图案52，能够产生半导体发光装置1安装时的自对准效果，改善成品率。另外，在本说明书中，半导体装置的高度是指，如图1所示地，在侧面发光(侧视)型的半导体发光装置中，在安装时的姿势上表示竖直方向的高度。

以下，在后文中对各部件进行详细地说明。半导体发光装置1为侧面发光型，是所谓的侧视型的发光装置。侧视型的半导体发光装置1将与光取出面邻接的面设为安装面。该发光装置具备具有一对外部连接端子3的基体4、发光元件5及密封部件7。

[基体4]

基体4的形状没有特别限定。例如，至少第一主面具备长度方向和与长度方向交叉或正交的短方向为好。基体4的厚度例如最厚的部位的厚度优选为500μm左右以下，更优选为300μm左右以下，进一步优选为200μm左右以下。另外，优选为40μm左右以上。

基体4的强度可根据后述的母材材料、外部连接端子3的材料等调整。例如，在上述的厚度范围内，优选弯曲强度为300MPa以上，更优选为400MPa以上，进一步优选为600MPa以上。由此，能够确保发光装置的强度。这里的弯曲强度是指，例如基于市场销售的强度测定机、例如英斯特朗试验机进行的三点弯曲试验测定的值。

这样，由于基体4较薄且具备适当的强度，可得到小型、薄型及高性能、高可靠性的发光装置。

构成基体4的母材只要线膨胀系数在后述的发光元件5的线膨胀系数的±10ppm/℃以内的范围内，就可以利用任意的材料形成。优选在±9ppm/℃以内，±8ppm/℃以内，±7ppm/℃以内，±5ppm/℃以内。由此，在将发光元件5安装于基体4的情况下，能够有效地防止目前为止成为问题的、发光元件5和基体4的线膨胀系数的差异引起的、发光元件5从基体4(外部连接端子3)剥离或对发光元件5的不需要的应力负荷。由此，通过倒装片安装，能够将发光元件5的电极与基体4的外部连接端子3直接连接，能够提供更小型、薄型的发光装置。另外，在本发明中，线膨胀系数是指利用TMA法测定的值。只要α1及α2的任一项满足该值即可，但更优选两方都满足。

母材例如可列举出金属、陶瓷、树脂、电介质、浆料、玻璃、纸或其复合材料(例如，复合树脂)、或这些材料和导电材料(例如，金属、碳等)的复合材料等。作为金属，可列举出铜、铁、镍、铬、铝、银、金、钛或含有其合金的金属。作为陶瓷，可列举出氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛或含有其混合物的陶瓷。作为复合树脂，可列举出玻璃环氧树脂等。

特别优选母材含有树脂。树脂只要是在该领域使用的树脂，就可以使用任意的树脂。特别是为了将线膨胀系数设为发光元件5的线膨胀系数的±10ppm/℃，优选利用线膨胀系数较小的树脂。具体而言，可列举出环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、聚乙烯缩醛树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、醇酸树脂、氨酯树脂等。另外，例如也可以利用日本特开2013－35960号、WO2011/132674、WO2012/121224、WO2012/165423等记载的树脂、含有萘系环氧树脂的BT树脂及它们的组合物、市场销售品(例如，三菱瓦斯化学社制造的Hl832NS、HL832NSFtypeLCA，日立化成社制造的MCL－E－700G、MCL－E－705G等)、日本特开2010－114427号等记载的液晶聚合物及它们的组合物。此外，这些物质中也可以含有该领域中公知的添加剂、单体、低聚物、预聚物等。其中，优选为BT树脂或其组合物。

树脂不管其种类如何，优选例如玻化温度为250℃左右以上，更优选为270℃左右以上，280℃左右以上，300℃左右以上，320℃左右以上。从其它观点来看，如后述，优选玻化温度为使发光元件5与外部连接端子3连接而使用的接合部件即焊料的熔融温度的同等以上。这里的同等是指允许5℃左右的变动。由此，能够不影响安装发光元件5时的温度变化，避免发光元件5的连接不良等不良影响。其结果，能够提高发光装置的制造成品率。另外，玻化温度例如可以使用一边使试样的温度缓慢上升或下降一边测定力学的物性变化、吸热或发热的方法(TMA、DSC、DTA等)；一边改变对动态的粘弹性测定试样施加的周期性的力的频率，一边测定其响应的方法的任一种。

另外，树脂优选热放射率为0.5以上，更优选为0.6以上。由于具有这样的热放射率，能够有效地释放发光元件5引起的热，能够提高发光装置的寿命。热放射率是指由放射率测定器(例如，日本传感器株式会社制造的TSS－5X)测定的值。

不管树脂的种类如何，为了将线膨胀系数设为发光元件5的线膨胀系数的±10ppm/℃，或为了增大热放射率，优选树脂中含有充填材料、例如无机材料构成的充填材料。通过适当地组合这种充填材的种类及量等，能够调整母材的线膨胀系数。

作为充填材料及无机材料，例如可举出由六方晶氮化硼包覆的硼酸盐粒子、氧化铝、硅石类(天然硅石，熔融硅石等)、金属水合物(氢氧化铝，勃姆石，氢氧化镁等)、钼化合物(氧化钼等)、硼酸锌、锡酸锌、氧化铝、粘土、陶土、氧化镁、氮化铝、氮化硅、滑石、烧结粘土、烧结陶土、烧结滑石、云母、玻璃短纤维(E玻璃，D玻璃等玻璃微粉末类，玻璃布等)、中空玻璃、磷酸锆等热收缩填料、橡胶粉及核壳型橡胶粉(苯乙烯系，丁二烯系，丙烯酸系，有机硅等)等。特别是，通过含有大量的导热率高的充填材料或无机材料，能够调整热放射率。例如，在使用玻璃布的情况下，能够含有50wt％以上、70wt％以上、90wt％以上的玻璃布中的无机材料。

另外，也可以含有颜料。作为颜料，可举出黑色的碳黑、氧化钛等。特别是，如上所述地，在侧视型的发光装置中，优选在与光取出面邻接的面即安装面和与安装面相对的面上将母材设为黑色。由此，能够吸收从发光装置射出的光或其反射光引起的散射光。进而，通过母材或基体4的散射光的吸收，能够在例如背光灯用途中提高光的颜色及/或明亮度的差异等质量。另外，通过散射光的吸收，能够抑制周边部件的光劣化。特别是，如本发明这样地在尺寸较小的发光装置中，发光元件5本身相对于发光装置相对性地变大，故而担心由于来自发光元件5的发热、荧光体的斯托克斯发热等而使发光装置过度发热。这种热有时导致背光灯的导光板劣化、变形等不良影响。因此，通过在母材(树脂)中含有热放射系数较大的碳黑等黑色的材料，能够释放来自发光元件及荧光体的热。

母材的线膨胀系数基于使用的发光元件5的种类及构造等，例如优选为20ppm/℃左右以下，更优选为10ppm/℃左右以下，进一步优选为8ppm/℃左右以下、7ppm/℃左右以下、6ppm/℃左右以下。通过设为这样的线膨胀系数，能够控制基体4本身的线膨胀系数。由此，如后述，即使在倒装片安装发光元件5的情况下，不管制造过程等温度变化如何，均能够将发光元件5与基体4牢固地连接，能够避免发光元件5的连接不良等不良情况。其结果，能够提高发光装置的制造成品率。

一个发光装置中的母材的形状、大小、厚度等没有特别限定，能够进行适当设定。母材的厚度基于使用的材料、载置的发光元件5的种类及构造等，例如优选为470μm左右以下，更优选为370μm左右以下、320μm左右以下、270μm、200μm、150μm、100μm左右以下。另外，若考虑强度等，则优选为20μm左右以上。为了确保基体4整体的强度，母材的弯曲强度优选与上述基体4的强度同等，例如为300MPa左右以上，更优选为400MPa左右以上、600MPa左右以上。

母材的平面形状可列举出例如圆形、四边形等多边形或与这些形状相近的形状。其中，优选为长方形即在长度方向上细长的形状。大小优选为比后述的发光元件5大的平面面积。在一个发光装置上搭载一个发光元件5的情况下，优选发光装置的长度方向具有发光元件5一边的1.5～5倍左右的长度，更优选为1.5～3倍左右的长度。另外，发光装置的短方向优选具有发光元件一边的1.0～2.0倍左右的长度，更优选为1.1～1.5倍左右的长度。在一个发光装置上搭载多个发光元件5的情况下，能够根据其数量适当调整。例如，在长度方向上搭载两个或三个的情况下，优选长度方向为发光元件5一边的2.4～6.0倍左右或3.5～7.0倍左右。

也可以在母材的第二主面上设置一个以上具有利用绝缘体、金属等进行加强、散热、对准用等标记等功能的层。

(外部连接端子3)

一对外部连接端子3只要形成于基体4的至少第一主面及第二主面上即可。在该情况下，优选外部连接端子3的缘部的至少一部分以与基体4的第一主面的缘部的一部分一致的方式形成。换言之，优选以外部连接端子3的端面的一部分与基体4的安装面的一部分共面的方式形成。由此，在将发光装置安装在安装基板51时，能够使安装基板51和外部连接端子3的端面接触(或无限接近)，故而能够提高发光装置的安装性。在此，同一面是指，无或几乎无高度差，是指允许数μm～数十μm左右的凹凸。在本申请说明书中，关于同一面，以下为同样的意思。

外部连接端子3在第一主面上具有与发光元件5的电极连接的元件连接部和与发光装置的外部连接的外部连接部。更优选外部连接部不仅设于基体4的第一主面上，还设于基体4的第二主面上。例如，优选外部连接端子3(i)从第一主面延长至存在于第一主面和第二主面之间的面上而设置，或(ii)通过以贯通母材的方式设置的通路或通孔等，从第一主面延长到第二主面上而设置，或(iii)从第一主面起，通过存在于第一主面和第二主面之间的面上，并进一步延长至第二主面上(例如，剖面看，为U形)而设置。在此，存在于第一主面和第二主面之间的面也可以指存在于第一主面和第二主面之间的两个以上的端面的一部分或全部。

通常，元件连接部配置于第一主面上，外部连接部配置于(i)第一主面上，或(ii)第一主面及端面上，或(iii)第一主面、端面及第二主面上，或(iv)第一主面及第二主面上。

外部连接端子3遍及基体4的第一主面上、端面上及/或第二主面上，也可以未必是相同的宽度(例如，基体的横向长度)，也可以是仅一部分窄宽度或宽宽度地形成。或者也可以在基体的第一主面及/或第二主面上，以成为窄宽度的方式利用绝缘材料(例如，母材等)覆盖外部连接端子3的一部分。这样的成为窄宽度的部位优选配置于基体4的至少第一主面上，也可以配置于第一主面及第二主面的双方。特别是，更优选成为窄宽度的部位在基体4的第一主面上配置于后述的密封部件7的附近。

通过配置这种成为窄宽度的部位，能够抑制与外部连接端子3连接的焊料等或它们所包含的助焊剂等沿着端子表面浸入后述的密封部件7之下，进而浸入到发光元件5之下的情况。另外，通过使元件连接部从沿着基体4的长度方向的端面离开，在安装发光元件5时能够抑制与焊料等或它们所包含的助焊剂等沿着端子表面浸入密封部件7之下，进而浸入到发光元件5之下的情况。

成为窄宽度的部位优选比元件连接部更窄。另外，成为窄宽度的部位优选平缓地变窄。

除了与发光元件5电连接的外部连接端子3之外，基体也可以进一步具有散热用的端子、散热片、加强部件等。这些零件也可以配置在第一主面、第二主面、端面的任一面上，特别优选配置在发光元件5及/或密封部件7的下方。由此，能够提高发光装置的强度及可靠性。另外，通过提高基体的强度，在使用模型成形密封部件7的情况下，能够减少基体4的变形并提高密封部件7的成形性。散热用的端子或加强端子具有导电性，在设于一对外部连接端子3之间的情况下，散热用的端子或加强端子优选被绝缘性的膜覆盖。由此，能够防止外部连接端子3和散热用的端子或加强端子的接合部件的桥接。

另外，在一个发光装置上配置多个发光元件5的情况下，也可以具备一个以上的将多个发光元件5电连接而构成的外部连接端子。根据在一个基体4上安装的发光元件5的数量、其排列、连接方式(并联及串联)等，能够适当设定外部连接端子的形状及位置等。

外部连接端子3能够利用例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Fe、Cu、Al、Ag等金属或它们的合金的单层膜或层叠膜而形成。其中，优选导电性及安装性优异的材料，更优选与安装侧的焊料的接合性及润湿性良好的材料。特别是从散热性的观点来看，优选为铜或铜合金。也可以在外部连接端子3的表面形成银、铂、锡、金、铜、铑或它们的合金等光反射性高的覆膜。外部连接端子3具体而言可列举出W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Au、Cu/Ni/Cu/Ni/Pd/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Ag、Cu/Ni/Au/Ag等层叠结构。另外，也可以是一部分厚度或层叠数不同。

外部连接端子3也可以在分别与发光元件5连接的面即第一主面上大致平坦，也可以具有凹凸。例如，外部连接端子3也可以在与后述的发光元件5的电极分别相对的位置具有突出图案。突出图案优选为与发光元件5的电极同等的大小。另外，外部连接端子3及突出图案在将发光元件5搭载于基体4的情况下，优选与基体4的表面(与发光元件5连接的面侧)成水平，以能够水平地配置发光面。突出图案可以通过例如添加法、半添加法、移除法等利用光刻的蚀刻法等形成。

外部连接端子3也可以利用配线、引线架等，但为了在基体4表面大致平坦地形成或与基体4共面，优选通过镀敷等形成上述材料的膜。此时的外部连接端子3的厚度可列举数μm～数十μm。特别优选突出图案层叠镀敷而形成。突出图案的厚度可举出自其它部位的外部连接端子3表面起数μm～数十μm。

基体4只要不大幅度影响上述母材的线膨胀系数，其本身可以是构成电容器、变阻器、齐纳二极管、桥接二极管等保护元件的基体，也可以是其一部分、例如以多层结构或层叠结构的方式具备实现这些元件的功能的结构。通过利用实现这样的元件功能的结构，不搭载额外的零件就可以作为发光装置发挥作用。其结果，能够使提高了静电耐压等的高性能的发光装置更小型化。

〔发光元件5〕

发光元件5搭载于基体4上，在基体4的第一主面上，与第一主面上的外部连接端子3连接。搭载于一个发光装置的发光元件5也可以是一个，也可以是多个。发光元件5的大小、形状、发光波长可适当选择。在搭载多个发光元件5的情况下，其配置也可以不规则，也可以行列等规则地或周期性地配置。多个发光元件5也可以是串联、并联、串并联或并串联的任一连接方式。

优选发光元件5至少具备氮化物半导体层叠体。氮化物半导体层叠体是依次层叠第一半导体层(例如，n型半导体层)、发光层、第二半导体层(例如，p型半导体层)，有助于发光的层叠体。氮化物半导体层叠体的厚度优选为30μm左右以下，更优选为15μm左右以下、10μm左右以下。另外，优选在氮化物半导体层叠体的同一侧(例如，第二半导体层侧的面)具有与第一半导体层电连接的第一电极(正或负)和与第二半导体层电连接的第二电极(负或正)双方。作为构成第一电极及第二电极的部件，含有欧姆电极、金属膜、外部连接用电极等。

第一半导体层、发光层及第二半导体层的种类、材料没有特别限定，例如可列举III－V族化合物半导体、II－VI族化合物半导体等各种半导体。具体而言，可举出In_XAl_YGa_1－X－YN(0≤X，0≤Y，X+Y≤1)等氮化物系半导体材料，能够使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各层的膜厚及层构造可利用该领域中公知的膜厚及层结构。

氮化物半导体层叠体通常层叠在半导体层生长用基板上。作为半导体层生长用基板，可列举出使半导体层外延成生长的基板。作为这种基板的材料，可举出蓝宝石(Al₂O₃)、尖晶石(MgAl₂O₄)那样的绝缘性基板、上述氮化物系的半导体基板等。基板的厚度优选为例如190μm左右以下，更优选为180μm左右以下，进一步优选为150μm左右以下。

基板也可以在表面上具有多个凸部或凹凸。另外，伴随于此，也可以在氮化物半导体层叠体的基板侧的表面(氮化物半导体层叠体的配置有上述电极的面的相反面)具有多个凸部或凹凸。该凹凸由基板形状引起，例如，也可以具有其高度为0.5～2.0μm左右、间距为10～25μm左右的表面粗糙度。基板相对于C面、A面等规定的晶面具有0～10°左右的斜角。基板也可以在与第一半导体层之间具有中间层、缓冲层、基底层等半导体层或绝缘层等。

半导体层生长用基板通过使用蓝宝石基板那样的具有透光性的基板，不从半导体层叠体除去就可用于发光装置。或者也可以从半导体层叠体除去这种基板。该生长用的基板的除去可利用激光剥离法等进行。具体而言，从基板侧向半导体层照射透射基板的激光(例如，KrF准分子激光)，在半导体层和基板的界面产生分解反应，而从半导体层分离基板。但是，生长用的基板也可以从半导体层完全除去，并且也可以在半导体层的端部或角部残存一些基板。生长用的基板可以在将发光元件安装至基体的前后任一时间除去。

在氮化物半导体层叠体为除去半导体层生长用基板的层叠体的情况下，能够得到实现更薄型化、小型化的发光装置。另外，通过除去不直接助于发光的层，能够阻止该层引起的从发光层射出的光的吸收。进而，能够阻止基板引起的光散射。因此，能够进一步提高发光效率。其结果，能够提高发光亮度。

另外，发光元件5也可以具有作为所谓的立式冲模或贴合冲模等公知的层叠结构，例如日本特开2008－300719号公报、日本特开2009－10280号公报等记载的层叠结构。

发光元件的平面看的形状没有特别限定，优选为四边形或与四边形近似的形状。发光元件的大小可以根据发光装置的大小适当调整其上限。例如，可举出发光元件一边的长度为百μm～2mm左右，具体地，优选为1400×200μm左右、1100×200μm左右、900×200μm左右等。

发光元件5优选为在其侧面及上面没有起伏及参差不齐、直线性良好的元件。由此，能够减少这些起伏及参差不齐引起的、微小的外力等导致的发光元件的裂纹。例如，发光元件5上面的表面粗糙度Ra优选为15nm以下，示例10～15nm左右。发光元件5侧面的表面粗糙度Ra优选为2μm以下，更优选为1.0μm以下、0.5μm以下。特别优选发光元件侧面的表面粗糙度Ra为0.3μm以下，更优选为0.2μm以下。表面粗糙度Ra表示根据例如JISB060，’01/ISO4287等的测定法测定的值。

(第一电极及第二电极)

第一电极及第二电极优选形成在半导体层叠体的同一侧(在存在基板的情况下，其相反侧的面)。由此，能够进行使基体4的正负的外部连接端子3与发光元件5的第一电极和第二电极相对并接合的倒装片安装。

第一电极及第二电极能够利用例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等或它们的合金的单层膜或层叠膜而形成。具体而言，可列举出从半导体层侧起以Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等的方式层叠的层叠膜。膜厚也可以是在该领域中使用的膜的膜厚的任一项。

另外，第一电极及第二电极优选将相对于从发光层射出的光的反射率比电极的其它材料高的材料层作为这些电极的一部分而分别配置在靠近第一半导体层及第二半导体层的一侧。作为反射率高的材料，可举出银或银合金或铝。作为银合金，也可以使用在该领域中公知的材料的任一种。该材料层的厚度没有特别限定，可举出能够有效地反射从发光元件射出的光的厚度，例如20nm～1μm左右。该反射率高的材料层的与第一半导体层或第二半导体层的接触面积越大越好。

此外，在使用银或银合金的情况下，为了防止银的迁移，优选形成覆盖其表面(优选，上面及端面)的覆盖层。

作为这种覆盖层，只要利用通常可作为导电材料使用的金属及合金形成即可，例如，可举出含有铝、铜、镍等的单层或层叠层。其中，优选使用AlCu。为了有效地防止银的迁移，覆盖层的厚度可列举数百nm～数μm左右。

第一电极及第二电极只要分别与第一半导体层及第二半导体层电连接，电极的整个面就可与半导体层接触，第一电极的一部分也可以不位于第一半导体层之上及/或第二电极的一部分也可以不位于第二半导体层之上。即，例如，第一电极也可以经由绝缘膜等配置在第二半导体层上，第二电极也可以配置在第一半导体层上。由此，能够容易地变更与元件连接部的连接部中的第一电极或第二电极的形状，并能够容易地安装一对外部连接端子3。

作为这里的绝缘膜，没有特别限定，也可以是在该领域中使用的膜的单层膜及层叠膜的任一种。通过使用绝缘膜等，第一电极及第二电极不管第一半导体层及/或第二半导体层的平面面积如何，均可设定成任意的大小及位置。

第一电极及第二电极的形状可以根据半导体层叠体的形状、基体4的外部连接端子3(更具体而言，元件连接部)的形状等设定。第一电极、第二电极及元件连接部优选分别设为平面看成四边形或与四边形相近的形状。通过将第一电极及第二电极的形状和与其对应的元件连接部的形状设为大致同一形状，能够利用自对准直效果而容易地进行半导体层叠体和基体4的接合及对位。在该情况下，优选至少在与基体4连接的半导体层叠体的最表面上，第一电极及第二电极的平面形状大致相同。另外，优选夹着半导体层叠体的中央部分而分别配置第一电极及第二电极。

第一电极及第二电极的第一主面(与半导体层相反侧的面)也可以具有高度差，但优选为大致平坦。这里的平坦是指，从半导体层叠体的第二主面(与第一主面相反侧的面)到第一电极的第一主面的高度和从半导体层叠体的第二主面到第二电极的第一主面的高度为大致相同。这里的大致相同允许半导体层叠体高度的±10％左右的变动。

这样，通过使第一电极及第二电极的第一主面大致平坦，即实际上将两者配置于同一面上，将发光元件5水平地安装至基体4上变得容易。为了形成这样的第一电极及第二电极，能够例如通过镀敷等设置金属膜，然后以成为平坦的方式进行研磨或切削而实现。

也可以在不阻碍二者的电连接的范围内，在第一电极和第一半导体层之间及第二电极和第二半导体层之间配置DBR(分布布拉格反射器)层等。DBR是例如在由任意氧化膜等构成的基底层上层叠低折射率层和高折射率层的多层结构，选择性地反射规定的波长光。具体而言，通过将折射率不同的膜以1/4波长的厚度交替层叠，能够高效地反射规定的波长。作为材料，可以含有选自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al构成的组群的至少一种氧化物或氮化物而形成。

不管有无半导体生长用基板，发光元件5的厚度作为含有电极的厚度，优选为200μm以下，更优选为180μm以下、150μm以下。另外，仅根据除去了基板的氮化物半导体层叠体，优选为20μm以下，更优选为15μm以下、10μm以下。

发光元件5也可以在氮化物半导体层叠体的正负电极的配置面侧配置加强层。这里的加强层只要是对氮化物半导体层叠体可加强其强度的层，就可以利用绝缘体、半导体及导电体的任一种材料形成。加强层也可以是作为整体的单层或层叠层、配置于多个部位的单层或层叠层等的任一种。另外，加强层也可以是其一部分确保发光元件5的功能所必须的绝缘性及导电性等的层。特别是，也可以将用于构成发光元件5的膜的一部分厚膜化。具体而言，也可以通过镀敷、溅射法等公知的方法将作为电极等发挥作用的导电性的层厚膜化。也可以将配置于它们之间的层间绝缘膜、表面保护膜等厚膜化。由此，一边确保适当的强度，一边不配置附加的层，而能够防止引起发光装置的大型化。

例如，从一个观点来看，能够使为了在构成发光元件5的氮化物半导体层叠体及正负电极、它们之间电气绝缘、保护等目的而任意形成的绝缘层以外，且比正负电极更靠基体4侧的层作为加强层发挥作用。另外，从另一观点来看，为了作为发光元件5发挥作用，可以通过将最小限度需要的层厚膜化而作为加强层发挥作用。另外，可以使附加性地设于这种层上的层作为加强层发挥作用。为了使这些层作为加强层发挥作用，优选除去半导体层生长用的基板，且以由金属材料构成的层的整体体积相对于氮化物半导体层叠体、电极、绝缘性的保护膜、埋设在电极间的树脂层等整体体积成为5～95％左右的方式进行调节，更优选设为10～70％左右，15～50％左右。另外，从其他观点来看，可以使未与发光元件5的电极连接的导电层、用于将这种导电层与电极绝缘的绝缘层、用于保护的保护层、这些导电层、绝缘层、保护层等作为加强层发挥作用。这些加强层优选在其最薄的部位，总厚度为1μm左右以上，更优选为3μm左右以上、5μm以上、10μm以上。通过具备具有适当厚度的加强层，能够确保发光装置的强度，同时将元件的大型化/厚膜化抑制在最小限度。

发光元件5优选倒装片安装于基体4上。在该情况下，通常，第一电极及第二电极利用接合部件或上述的凸块等与上述的基体4的外部连接端子3接合。这样的接合部件可以利用该领域中公知的材料的任一种，可列举出导电性的焊料。具体而言，例如可举出锡－铋系、锡－铜系、锡－银系、金－锡系等焊料(具体而言，以Ag、Cu和Sn为主成分的合金，以Cu和Sn为主成分的合金，以Bi和Sn为主成分的合金等)；共晶合金(以Au和Sn为主成分的合金，以Au和Si为主成分的合金，以Au和Ge为主成分的合金等)银、金、钯等导电性浆料；凸块、各向异性导电材料、低熔点金属等焊剂材料等。其中，通过使用焊料，能够与上述的外部连接端子3的形状、突出图案的位置及大小相辅相成而发挥高精度的自校准效果。因此，将发光元件5安装于适当部位变得容易，能够提高量产性，制造更小型的发光装置。另外，在除去生长用基板的情况下，优选使用各向异性导电浆料或各向异性导电薄膜。焊料在将发光元件5固定于外部连接端子3的情况下，优选以成为氮化物半导体层叠体厚度的1～3倍左右的厚度的方式设定。由此，能够发挥更高精度的自校准效果，且能够更小型化/薄型化。例如，焊料的厚度优选为2～50μm左右，更优选为5～30μm左右。

〔密封部件7〕

密封部件7是具有至少将发光元件5的一部分密封(覆盖)或将发光元件固定于基体的功能的部件。其材料没有特别限定，可列举出陶瓷、树脂、电介质、浆料、玻璃或它们的复合材料等。其中，从可以容易成形为任意形状的观点来看，优选树脂。

作为树脂，可举出热固性树脂、热可塑性树脂、它们的改性树脂或含有一种以上这些树脂的混合树脂等。具体而言，可举出环氧树脂组合物、改性环氧树脂组合物(硅改性环氧树脂等)、硅树脂组合物、改性硅树脂组合物(环氧改性硅树脂等)、混合硅树脂、聚酰亚胺树脂组合物、改性聚酰亚胺树脂组合物、聚酰胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS树脂、苯酚树脂、丙烯酸树脂、PBT树脂、脲醛树脂、BT树脂、聚氨酯树脂等树脂。

密封部件7中使用的树脂的线膨胀系数及玻化温度等没有特别限定，例如优选为100ppm/℃左右以下的线膨胀系数，更优选为80ppm/℃左右以下、60ppm/℃左右以下，优选为100℃以下的玻化温度，更优选为75℃以下、50℃以下。

密封部件7也可以具有透光性，但更优选为相对于来自发光元件5的光的反射率为60％以上、70％以上、80％以上、90％以上的遮光性材料。

因此，上述的材料优选在例如树脂中含有二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、氧化锌、硫酸钡、碳黑、各种稀土氧化物(例如，氧化钇、氧化钆)等光反射材料、光散射材料或着色材料等。

密封部件7也可以含有玻璃纤维、钙硅石等纤维状填料、碳等无机填料。另外，也可以含有散热性高的材料(例如，氮化铝等)。另外，密封部件7中也可以含有后述的荧光体。优选这些添加物相对于例如密封部件7的全部重量含有10～95重量％左右、20～80重量％左右、30～60重量％左右。

通过含有光反射材料，能够高效地反射来自发光元件5的光。特别是通过使用光反射率比基体4高的材料(例如，在基体4中使用氮化铝的情况下，使用含有二氧化钛的有机硅树脂作为密封部件7)，能够确保操作性，同时减小基体4的大小，提高发光装置的光取出效率。在仅含有二氧化钛作为光反射材料的情况下，优选相对于密封部件7的全部重量含有20～60重量％左右，更优选含有30～50重量％左右。

另外，通过具有密封部件，能够提高除去、剥离半导体层的生长基板或支承体等工艺中的密封部件7的强度。进而，能够确保发光装置整体的强度。通过利用散热性高的材料形成密封部件，能够在维持发光装置的小型化的状态下提高散热性。

密封部件7的外形没有特别限定，例如为圆柱、四边形柱等多边形柱或与这些形状相近的形状、圆锥台、四棱锥台等多棱锥台，一部分也可以为透镜状等。其中，优选在基体4的长度方向上具有细长的形状。还优选具有沿着基体4的宽度方向的面。

密封部件7优选以与发光元件5的至少一个侧面的一部分或全部接触且覆盖发光元件5的侧面的方式配置，优选以包围发光元件5的整个周围的方式与发光元件5接触配置。在该情况下，密封部件7优选以在沿着发光装置的长度方向侧的侧面较厚、在沿着宽度方向侧的侧面较薄地设置。由此，能够实现发光装置的薄型化。另外，密封部件优选以在安装的发光元件5和基体4之间充填的方式设置。由此，能够提高发光装置的强度。配置于发光元件5和基体4之间的密封部件7也可以是与覆盖发光元件5侧面的材料不同的材料。由此，能够在配置于发光元件5侧面的密封部件7和配置于发光元件5与基体4之间的部件之间分别赋予适当的功能。例如，配置于发光元件5侧面的密封部件7可以设为反射率高的材料，配置于发光元件5和基体4之间的部件可以设为使两者的紧密贴合性牢固的材料。

特别优选配置于发光元件5和基体4之间的密封部件7由具有与外部连接端子3的线膨胀系数同等±20％的线膨胀系数树脂构成。从另一观点来看，优选由具有30ppm/℃左右以下的线膨胀系数的树脂构成，更优选为25ppm/℃左右以下。从其他观点来看，优选为50℃以下的玻化温度，更优选为0℃以下。由此，能够防止密封部件7和基体4的剥离。

密封部件7的平面看(从光取出面侧观察到的平面看)的缘部也可以配置在基体4的缘部的内侧或外侧。在密封部件7为在长度方向上细长的形状的情况下，沿着其长度方向的一个缘部优选与基体4的沿着长度方向的缘部一致。即，密封部件7的沿着长度方向的端面的至少一方优选与基体4的沿着长度方向的端面的一方形成同一面，更优选双方形成同一面。由此，不增大发光装置的厚度就可以增大光取出面的面积，能够提高光取出效率。密封部件7的沿着宽度方向的缘部通常配置在基体4的沿着宽度方向的缘部的内侧。在此，同一面不仅是严格的意义，也包含在密封部件7具有一些圆弧形状的情况下，该圆弧形状的一部分含有与基体4的端面一致的部分的意思。

从光取出面侧观察的情况下，密封部件7的大小优选为比发光元件5更大的平面面积。特别优选其最外形的长度方向的长度具有发光元件5一边的1.01～4.0倍左右的一边长度。具体而言，优选为300～2000μm左右，更优选为1000～1500μm左右。密封部件7的厚度(是指从光取出面侧观察时的从发光元件5的端面到密封部件7的最外形的宽度或发光元件5的侧面的密封部件7的最小宽度)可列举出例如1～1000μm左右，优选为50～500μm左右、100～200μm左右。密封部件7在将发光元件5搭载于基体4上的情况下，优选设为密封部件7的上面与发光元件5的上面形成同一面的高度。密封部件7可以通过丝网印刷、浇注、传递模塑、压模等形成。在使用成形机的情况下，也可以使用离型膜。

通常为了密封(覆盖)发光元件5的整个侧面、发光元件5的与基体4相对的面等，密封部件7在将发光元件5安装于基体4后形成。另外，也可以在将发光元件5安装于基体4前，以覆盖发光元件5的上面或侧面的方式设置。

〔透光性部件10〕

发光元件5优选在其上面即发光装置的光取出面设有透光性部件10。在发光元件5的侧面被遮光性的密封部件7覆盖，且发光元件的上面未被密封部件覆盖的情况下，透光性部件10优选覆盖密封部件7的上面。透光性部件10的端面既可以被密封部件覆盖，也可以不被覆盖。

透光性部件10透射从发光层射出的光的60％以上，进一步优选透射70％、80％或90％以上。作为这种部件，也可以是与密封部件7相同的部件，但也可以是不同的部件。例如可列举出硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、环氧改性树脂、苯酚树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂或含有一种以上这些树脂的混合树脂等树脂；玻璃等。其中，优选为硅树脂或环氧树脂，特别是更优选为耐光性、耐热性优异的硅树脂。

透光性部件10中优选含有被来自发光元件5的光激发的荧光体。荧光体可以使用该领域中公知的荧光体。例如可列举出被铈激活的钇·铝·石榴石(YAG)系荧光体、被铈激活的镥·铝·石榴石(LAG)、被铕及/或铬激活的含氮的铝硅酸钙(CaO－Al₂O₃－SiO₂)系荧光体、被铕激活的硅酸盐((Sr，Ba)₂SiO₄)系荧光体、β塞隆荧光体、CASN系或SCASN系荧光体等氮化物系荧光体、KSF系荧光体(K₂SiF₆：Mn)、硫化物系荧光体等。由此，可以设为射出可见波长的一次光及二次光的混色光(例如，白色系)的发光装置、被紫外光的一次光激发并射出可见波长的二次光的发光装置。在将发光装置用于液晶显示器的背光灯等的情况下，优选使用被蓝色光激发而进行红色发光的荧光体(例如，KSF系荧光体)和进行绿色发光的荧光体(例如，β塞隆荧光体)。由此，能够扩大使用发光装置的显示器的色彩再现范围。在用于照明等的情况下，能够组合使用发出蓝绿色的光的元件和红色荧光体。

荧光体优选为例如中心粒径为50μm以下、30μm以下、10μm以下的荧光体。中心粒径可以利用市场销售的粒子测定器或粒度分布测定器等进行测定及算出。此外，上述粒径是指通过F.S.S.S.No(FisherSubSieveSizer’sNo)的空气透射法得到的粒径。特别是在使用YAG等作为荧光体的情况下，优选为将这些超微粒子均匀地分散而烧结的块体(例如，板状体)。通过这种方式，作为单晶结构及/或多晶结构，能够减少空洞、杂质层，确保较高的透明性。

荧光体也可以是例如称为所谓的纳米晶体、量子点的发光物质。作为这些材料，可列举出半导体材料，例如II－VI族、III－V族、IV－VI族半导体、具体而言，可举出CdSe、核壳型的CdS_xSe_1－x/ZnS、GaP等纳米尺寸的高分散粒子。这种荧光体可举出例如粒径为1～20nm左右(原子10～50个)左右。通过使用这种荧光体，能够抑制内部散射，可进一步提高光的透射率。通过抑制内部散射，能够增加光向与上面垂直的方向的配光成分，同时能够抑制朝向发光装置的侧面或下面的光，因此，能够进一步提高光取出效率。例如，在用于背光灯的情况下，能够进一步增加向背光灯的入光效率。量子点荧光体不稳定，故而也可以利用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等树脂进行表面修饰或稳定化。它们也可以是与透明树脂(例如环氧树脂、硅树脂等)混合而成形的块体(例如，板状体)，也可以是与透明树脂一起密封于玻璃板之间的板状体。

透光性部件10优选为层叠有多层含有粒子状的荧光体的粒子层的层状部件，或透明的多晶荧光体板状部件，或透明的单晶荧光体板状部件。由此，在透光性部件10中，能够进一步减少散射，可进一步提高光的取出效率等。

荧光体不限于在上述部件中含有，也可以设于发光装置的各种位置或部件中。例如，也可以作为涂敷、粘接于不含有荧光体的透光性部件之上等的荧光体层而设置。

透光性部件10也可以含有充填材料(例如，扩散剂、着色剂等)。例如，可列举出硅石、氧化钛、氧化锆、氧化镁、玻璃、荧光体的晶体或烧结体、荧光体和无机物的结合材料的烧结体等。也可以任意调整充填材料的折射率。例如可举出1.8以上。

充填剂的粒子形状也可以是破碎状、球状、中空及多孔质等任意形状。粒子的平均粒径(中值粒径)优选为以较高的效率得到光散射效果的0.08～10μm左右。荧光体及/或充填材相对于例如透光性部件的全部重量优选为10～80重量％左右。

形成透光性部件10的方法可列举出片状地成形透光性部件且以热熔方式或利用粘接剂粘接的方法、通过电泳沉积法使荧光体附着后含浸透光性树脂的方法、浇注法、压缩成形法、喷雾法、静电涂敷法、印刷法等。此时，为了调整粘度或流动性，也可以添加硅石(アエロジル)等。其中，在透光性部件中含有荧光体的情况下，优选为喷雾法，特别优选为脉冲状即间歇性地喷射喷雾的脉冲喷雾方式。通过间歇性地进行喷雾喷射，能够减少单位时间的透光性部件的喷射量。因此，通过使喷雾喷射的喷嘴一边以较少的喷射量进行喷雾喷射一边以低速进行移动，能够在具有凹凸形状的涂敷面上均匀地涂敷荧光体。另外，在脉冲喷雾方式中，与连续喷雾方式相比，不降低来自喷嘴的浆体的喷出速度就可以降低空气的风速。因此，可以向涂敷面良好地供给浆体，且涂敷的浆体不会被气流打乱。其结果，能够形成荧光体的粒子和发光元件的表面的紧密贴合性高的涂敷膜。另外，能够以多个层叠数形成含有粒子状荧光体的薄膜的粒子层。这样，通过控制层叠数，能够提高其厚度的精度。另外，能够抑制荧光体分布的不均，能够均匀地射出进行了波长转换后的光，可以避免产生发光元件的色彩不均等。

脉冲喷雾法是例如日本特开昭61－161175号公报、日本特开2003－300000号公报及WO2013/038953号公报记载的公知的方法，能够适当调整其使用材料、条件等。例如，涂敷的浆体可含有溶剂、热固性树脂、粒子状的荧光体。作为热固性树脂，例如可以使用硅树脂、环氧树脂、脲醛树脂等。作为溶剂，可以使用n－己烷、n－庚烷、甲苯、丙酮、异丙醇等有机溶剂。优选使用例如10～80重量％的荧光体。浆体优选调整成0.01～1000mPa·s左右，更优选为0.1～100mPa·s左右。

透光性部件的厚度没有特别限定，例如可举出1～300μm左右，优选为1～100μm左右，更优选为2～60μm左右、5～40μm左右。其中，在通过喷雾法层叠的情况下，透光性部件优选为氮化物半导体层叠体的全部厚度的20倍以下的厚度，更优选为10倍以下，进一步优选为6倍以下、4倍以下、3倍以下。通过设为这种厚度，能够一边充分地进行光的波长转换，一边提供更小型且薄膜的发光装置。从另一观点来看，透光性部件优选具有发光元件5侧面中的密封部件7的厚度的2倍以下的厚度，更优选设为最小宽度的2倍以下，进一步优选为同等以下。通过设为这种较薄的厚度，如后述，不管有无被密封部件7的覆盖，从发光元件5射出的光均不从透光性部件的端面(侧面)射出，能够仅在光取出面的一个方向上取出光。因此，能够提高光取出效率。

特别是在背光灯用途中，这种较薄的厚度的透光性部件能够进一步提高发光元件5的发光效率及背光灯的发光效率。例如，如上述，能够减少侧面光相对于正面光的比例，且能够提高背光灯向导光板的入光效率。另外，由于能够减少树脂量，故而能够降低热放射率较低的透明树脂的比例，减少蓄热。同时能够增加发光元件5和荧光体或荧光体彼此的接触面积，故而能够确保导热路径。因此，能够改善散热性并改善发光效率。另外，能够将从发光元件表面到导光板入光的距离设为最小，故而能够以更高亮度射入到背光灯的导光板，并能够提高背光灯中的发光效率。

透光性部件10的上面(光取出面)也可以是平面，为了控制配光，也可以将其上面(光取出面)及/或与发光元件相接的面设为凸面、凹面等凹凸面。如上述，在层叠含有粒子状荧光体的多个粒子层的情况下，与荧光体的粒径对应的凹凸转移到透光性部件的表面。由此，通过层叠含有荧光体的较薄的透光性部件，能够防止荧光体的凝聚且一边防止其脱落一边减少树脂而得到适当的凹凸形状。其结果，对光取出是有效的。即，若考虑透光性部件10的变色或寿命、散热性，透光性部件10那样的含树脂部件只要可维持粘接强度等，则优选较薄的一方。另一方面，担心透光性部件的脱落。但是，通过减少树脂而得到适当的凹凸形状，能够解除这些问题。

透光性部件10也可以在将发光元件5安装于基体4之前粘接到发光元件5的上面，并设于发光装置上。特别是在发光元件5由除去了半导体层生长用基板的半导体层叠体构成的情况下，例如通过粘接或固定于玻璃、陶瓷等硬质的透光性部件10上，能够提高发光元件5的强度并提高操作性、发光元件5的安装的可靠性等。

〔绝缘部件〕

本发明的发光装置优选在基体4上配置有绝缘部件，以覆盖外部连接端子3的至少一部分。绝缘部件更优选与密封部件7相接。另外，绝缘部件优选配置在外部连接端子3的元件连接部与外部连接部之间，更优选以完全分离元件连接部与外部连接部之间的表面区域的方式配置。由此，如后述，在将发光装置安装于安装基板51的情况下，能够避免焊料沿着外部连接端子3表面浸入而降低发光装置的可靠性的情况。

绝缘部件优选以密封部件7的缘部配置于绝缘部件上的方式配置于连接端子上。由此，能够提高密封部件7和基体4的紧密贴合性并降低密封部件7剥离的可能性。特别是上述那样地密封部件7具有在长度方向上较长的形状的情况下，更优选以密封部件7的长度方向的缘部配置于绝缘部件上的方式配置于外部连接端子3上。由此，即使在基体4翘曲或扭曲的情况下，也能够降低密封部件7剥离的可能性。绝缘部件也可以以覆盖一对外部连接端子3各自的方式设置一对，也可以连续覆盖一对外部连接端子3。

绝缘部件只要具有绝缘性，就可以由任意的材料形成。例如可以使用上述的密封部件7、透光性部件中示例的材料。其中，优选使用含有白色材料的耐热性高的硅树脂。

绝缘部件的形状没有特别限定，优选为从元件连接部的邻接部位连续到密封部件7的外侧即外部连接部的带状。具体而言，长度方向上的绝缘部件的长度可举出密封部件7的1/10～1/5左右的长度。绝缘部件的宽度优选与基体4及/或密封部件7的宽度相同，或其以下。通过设为这种宽度，能够与基体4及/或密封部件7的一端面形成同一面，进而能够与基体4及密封部件7的相对的端面双方形成同一面。特别是在外部连接端子3上存在成为窄宽度的部位的情况下，优选完全覆盖该成为窄宽度的部位。由此，如后述，在将发光装置安装于安装基板51的情况下，能够避免焊料沿着外部连接端子3表面浸入而降低发光装置的可靠性的情况。

绝缘部件可以通过片状地成形上述材料并粘贴的方法、印刷法、电泳沉积法、浇注法、压缩成形法、喷雾法、静电涂敷法等形成。绝缘部件的厚度没有特别限定，例如可举出10～300μm左右。在使用模型成形密封部件7的情况下，优选绝缘部件从密封部件7的下方连续到外部连接部侧而形成。由此，成形密封部件7的模型和外部连接端子3接触，能够防止外部连接端子3的损伤。

(实施例)

以下，基于附图对本发明的发光装置的实施例进行说明。如图1～图2所示，本实施例的发光装置1包含在第一主面上具备具有一对外部连接端子3的母材2的基体4、发光元件5、密封部件7而构成。基体4如下地构成，即，在母材2的表面即作为第一主面的上面2a、在宽度方向上延伸的端面2b及作为第二主面的下面2c形成从母材2侧层叠Cu/Ni/Au(合计厚度：20μm，线膨胀系数：20ppm/℃左右)而构成的一对外部连接端子3。基体4的长度方向的长度为1.8mm，宽度方向的宽度为0.3mm，厚度为0.45mm，且作为配线基板发挥作用。其强度利用拉伸试验机测定的值为300MPa以上。

母材2由含有市场销售的玻璃布的萘系的含有环氧树脂的BT树脂组合物构成(三菱瓦斯化学社制造的HL832NSFtypeLCA)。该母材2含有玻璃纤维、球状硅石、球状有机硅、碳，且具有长方体形状。母材2(无外部连接端子的状态)的线膨胀系数为3ppm/℃左右，构成母材2的树脂的玻化温度为280℃左右。

一对外部连接端子3在母材2的上面2a侧的中央部相互接近，作为元件连接部而具有突出图案3a。突出图案3a能够利用由铜构成的层(突出厚度20μm)并通过利用了掩模的镀敷而形成。该突出图案3a在与形成于后述的发光元件5的一对电极相对的位置为与这些电极的大小同等的大小。

一对外部连接端子3分别从作为元件连接部的突出图案3a沿长度方向延伸，且从母材2的上面2a经由端面2b连续到下面2c而形成。在外部连接端子3中，从作为元件连接部的突出图案3a延长且连续到母材2的下面2c的部位(剖面视U形的部位)成为外部连接部3b(参照图2)。外部连接端子3的沿着长度方向的缘部与基体4的沿着长度方向的缘部一致，外部连接端子3的沿着长度方向的端面与基体4的沿着长度方向的端面形成同一面。

外部连接端子3在突出图案3a与外部连接部3b之间具有成为窄宽度的部位(参照图3)。另外，虽然未作图示，但基体4的第二主面上的外部连接部3b的一部分具有成为窄宽度的部位。

在连接端子3的突出图案3a上倒装片安装有一个发光元件5。发光元件5在蓝宝石基板(厚度：150μm左右)上形成氮化物半导体的层叠体(厚度：8～12μm左右)，在层叠体的与蓝宝石基板相反侧的表面上具有正负一对电极。发光元件5的正负一对电极在基体4的一对连接端子3的突出图案3a上分别利用作为Au－Sn共晶焊料的熔融性接合部件6(厚度：20μm)连接。另外，在蓝宝石基板表面具有凹凸(高度：0.5μm，间距：10μm)，故而在氮化物半导体层叠体的对应的面上也具有其引起的凹凸。通过利用这种外部连接端子的突出图案3a，在安装发光元件时，与其形状及位置相辅相成，通过控制熔融性的接合部件6的量，能够防止接合部件向非意图的区域的侵入。其结果，能够使发光元件与意图的部位高精度地对准，将发光元件固定在适当部位。

发光元件5是长度方向长度为0.9mm，短方向的宽度为0.2mm，厚度为0.15mm的长方体状的蓝色发光(发光峰值波长455nm)的LED芯片。发光元件5的侧面的表面粗糙度Ra为1.0μm以下。

密封部件7成形为长度方向的长度(全长)为1.2mm、宽度方向的宽度(全长)为0.3mm、厚度为0.15mm的大致长方体状。即，密封部件7的沿着长度方向的缘部分别与基体4的沿着长度方向的缘部一致。密封部件7以与发光元件5相接且与其侧面的整周接触而进行覆盖的方式设于基体4的第一主面上。另外，密封部件7也设于发光元件5的与基体4相对的面侧。即，密封部件7配置于发光元件5和大致完全覆盖突出图案3a的熔融性的焊料之间，大致完全覆盖熔融性的焊料的表面。另外，也可以设于发光元件5和基体4之间。由此，能够从发光元件5向上面高效地取出光。另外，密封部件7也设于发光元件5的与基体4相对的面侧，由此，能够使发光元件5与基体4更牢固地连接。密封部件7的上面与发光元件5的上面大致一致。

密封部件7利用将平均粒径14μm的硅石和作为无机粒子的平均粒径为0.25～0.3μm的氧化钛分别相对于密封部件7的全部重量含有2～2.5wt％及40～50wt％的硅树脂形成。硅树脂的玻化温度为40℃，线膨胀系数为50ppm/℃左右。密封部件7的沿着长度方向的缘部与基体4的沿着长度方向的缘部一致，密封部件7的沿着长度方向的端面与基体4的沿着长度方向的端面形成同一面。

在发光元件5上即正负一对电极的相反侧的表面配置有透光性部件10(厚度：20μm)。该透光性部件10通过将含有中心粒径为8μm左右的YAG：Ce的荧光体的硅树脂利用脉冲喷雾法层叠3层而形成。透光性部件10覆盖密封部件7的上面。透光性部件10的端面与密封部件7的端面一致。

在这样的发光装置中，搭载发光元件的基体的线膨胀系数极低，因此，能够在制造工序中及后将由于承受的热而引起的发光元件和基体之间的线性膨胀的差异抑制得极低。由此，能够防止二者的线性膨胀差引起的二者间的剥离或对发光元件的不需要的应力负荷，能够确保电连接。其结果，可得到寿命长且具有优异的特性的发光装置。

如上述，构成基体的母材由具有250℃以上的较高的玻化温度，且线膨胀系数较小的树脂形成。该树脂中以较高的比例含有SiO₂、Al₂O₃、玻璃布等无机填料，且可任意地含有具有散热性的碳黑、赋予弹性模量的有机硅填料等。由此，能够高效地释放在发光元件的驱动中产生的热。特别是在用于被碳黑等着色成黑色的母材的情况下，由于远红外线等的放射率高，故而能够通过热放射有效地散热。另外，在将与基体的密封部件相接的面侧利用热吸收率高的材料、可见范围的电磁波的吸收率低的材料、吸收远红外线等长波长的电磁波的材料、导热率高的材料涂装的情况下，能够进一步提高散热性。由此，能够改善小型发光装置的散热性，改善荧光体产生的光的波长转换效率，同时能够改善发光元件的发光效率。

如图18所示，该半导体发光装置1以基体4的沿着长度方向的一对端面和密封部件7的沿着长度方向的一对端面分别形成同一面的方式配置。将形成这些同一面的一端面设为发光装置1的安装面，且以侧视型安装于表面具有配线图案52的安装基板51上。

安装中，发光装置1的一对外部连接部3b分别载置于与安装基板51的正极及负极对应的配线图案52上，并利用焊料53连接。在弯曲成U形的外部连接部3b中，焊料53不仅在连接基体4的第一主面上，而且遍及端面及第二主面而将与小型的连接端子3的接触面积扩大而连接。由此，能够在发光装置的侧面形成圆角，并能够提高发光装置的散热性及安装稳定性。

另外，密封部件的沿着长度方向的端面及基体4的沿着长度方向的端面双方与安装基板51的表面相接。

在以上的实施例中，对LED、LD等半导体发光装置的安装构造进行了说明，但本发明不限于半导体发光装置，也能够适用于其他半导体装置、例如受光元件或增宽元件等的安装。特别是，在安装小型的半导体装置时，在姿势的定位控制重要的用途中能够很好地利用本发明。

产业上的可利用性

本发明的发光装置的安装构造、背光灯及安装基板能够利用于液晶显示器用的背光灯光源、各种照明器具、大型显示器、广告、目的地指南等各种表示装置，进而，能够利用于数码相机、传真机、复印机、扫描仪等中的图像读取装置、投影装置等。

Claims (17)

1.一种半导体装置的安装构造，具有：

半导体装置，其具有在长度方向的两端部分别配置的外部连接端子；

安装基板，其安装所述半导体装置，其特征在于，

所述外部连接端子在用于安装于所述安装基板的安装面具有金属区域，

所述半导体装置在由所述金属区域规定的区域具有装置侧安装绝缘区域，

所述安装基板在其安装面侧具有在绝缘体上由导体形成的、用于连接所述外部连接端子的焊盘图案，

所述焊盘图案形成为将所述半导体装置的由外部连接端子包围的端部包围的大小，并且形成具有沿着所述装置侧安装绝缘区域的外周的形状的焊盘侧绝缘区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述金属区域包含由所述外部连接端子的端缘构成的线状区域，由该线状区域包围所述装置侧安装绝缘区域而构成。

3.如权利要求2所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述线状区域形成为コ形。

4.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述半导体装置还具有在一方向上延长的绝缘性基体。

5.如权利要求4所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述外部连接端子在与所述安装面交叉的基体的侧面具有矩形的面状金属区域。

6.如权利要求5所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

在所述焊盘侧绝缘区域，以使所述装置侧安装绝缘区域一致的状态将该焊盘图案和所述外部连接端子连接的接合部件(53)从所述金属区域的周围隆起到所述面状的金属区域上而接合。

7.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述金属区域具备具有コ形连续的三边的形状，将由该三边包围的区域设为装置侧安装绝缘区域。

8.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述焊盘图案将整体形成为大致矩形，在其一边的大致中央形成有凹状的焊盘侧绝缘区域。

9.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述焊盘图案在分开的一对大致矩形的相对的边分别形成有所述焊盘侧绝缘区域。

10.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

使所述焊盘侧绝缘区域的开口宽度比所述装置侧安装绝缘区域的宽度窄。

11.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

使所述焊盘侧绝缘区域的开口宽度比所述装置侧安装绝缘区域的宽度宽。

12.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述焊盘侧绝缘区域的开口宽度为0.2mm以下。

13.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述半导体装置的高度为0.5mm以下。

14.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述半导体装置为半导体发光装置。

15.如权利要求1所述的半导体装置的安装构造，其特征在于，

所述半导体装置为背光灯用光源。

16.一种背光灯装置，其为使用有导光板的边缘灯光型的背光灯装置，其特征在于，具有：

用于从端面射入光的导光板；

配置在所述导光板的端缘的安装基板；

在所述安装基板上，以使发光面与所述导光板的端面相对的方式安装，并且具有在长度方向的两端部分别配置的外部连接端子的半导体发光装置，

所述外部连接端子在用于与所述安装基板安装的安装面具有金属区域，

在由所述金属区域包围的区域具有绝缘性的装置侧安装绝缘区域，

所述安装基板具有在其表面的绝缘体上由导体形成的、用于连接所述外部连接端子的焊盘图案，

所述焊盘图案形成为将所述半导体发光装置的由外部连接端子包围的端部包围的大小，并且形成有具有沿着所述装置侧安装绝缘区域的外周的形状绝缘区域即焊盘侧绝缘区域。

17.一种安装基板，其用于安装具备从基体露出的外部连接端子的半导体装置，其特征在于，

在其表面的安装面侧具有在绝缘体上由导体形成的、用于连接外部连接端子的焊盘图案，

所述焊盘图案形成为将半导体装置的由外部连接端子包围的端部包围的大小，并且形成有具有沿着在由外部连接端子包围的区域形成的绝缘性区域即装置侧安装绝缘区域的外周的形状的绝缘区域、即焊盘侧绝缘区域。