CN110471219A - Led基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED基板及显示装置，涉及显示技术领域，包括：衬底基板；位于衬底基板一侧的阵列层；位于阵列层远离衬底基板一侧的限定层，限定层限定出多个绑定开口；位于限定层靠近衬底基板一侧的绑定层，绑定开口暴露至少部分绑定层；沿垂直于衬底基板所在平面的方向，绑定层上设置有多个第一开口，或者，绑定层上设置多个凹陷部分；绑定剂和位于绑定剂远离绑定层一侧的LED，LED通过绑定剂与绑定层电连接；绑定剂的至少部分填充于绑定开口内，且绑定剂由绑定开口延伸至第一开口内，或者，绑定剂由绑定开口延伸至凹陷部分内。通过增加绑定剂与绑定层的接触面积，有利于提升LED的绑定可靠性。

Description

LED基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种LED基板及显示装置。
背景技术
目前，LED(Light Emitting Diode)作为背光源在液晶面板显示领域的应用渗透率已经超过90％。背光源模组架构主要有侧入式和直下式两种，侧入式LED背光是将LED光源设置在导光板的侧面，LED发出的光进入导光板后，通过反射片、网点的反射和散射将光导出，不可进行局部调光。直下式LED背光则以更准确地呈现图像，并展现出优秀的色彩和明暗对比效果而逐渐成为市场的主流趋势。
此外，Mini LED或Micro LED还作为新一代的显示技术，相比较现有的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)或LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示)技术具有高解析度、高亮度、超省电、响应速度快、出光效率高和高寿命等优点，被广泛应用于手机、笔记本电脑和电视等显示领域。
无论将LED作为背光源还是作为显示面板，均需将LED与阵列层进行绑定，实现LED与阵列层的电连接，当LED与阵列层之间绑定不可靠时，会直接影响LED作为背光源时背光源的发光可靠性，也会影响LED作为显示面板时显示面板的显示可靠性。因此，如何实现LED与阵列层之间的可靠绑定成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种LED基板及显示装置，通过增加绑定剂与绑定层之间的接触面积，以提升LED的绑定可靠性。
第一方面，本申请提供一种LED基板，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的阵列层；
位于所述阵列层远离所述衬底基板一侧的限定层，所述限定层限定出多个绑定开口；
位于所述限定层靠近所述衬底基板一侧的绑定层，所述绑定开口暴露至少部分所述绑定层；沿垂直于衬底基板所在平面的方向，所述绑定层上设置有多个第一开口，或者，所述绑定层上设置多个凹陷部分；
绑定剂和位于所述绑定剂远离所述绑定层一侧的LED，所述LED通过所述绑定剂与所述绑定层电连接；
所述绑定剂的至少部分填充于所述绑定开口内，且所述绑定剂由所述绑定开口延伸至所述第一开口内，或者，所述绑定剂由所述绑定开口延伸至所述凹陷部分内。
第二方面，本申请提供一种显示装置，包括LED基板，该LED基板为本申请所提供的LED基板。
与现有技术相比，本发明提供的LED基板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本申请所提供的LED基板和显示装置中，在绑定层上设置有多个第一开口或多个凹陷部分，LED通过绑定剂与绑定层电连接，特别是，绑定剂除填充于绑定开口内，还由绑定开口延伸至第一开口内或凹陷部分内，如此方式增加了绑定剂与绑定层之间的接触面积，因而有利于提升绑定剂与绑定层之间的绑定可靠性，进而有利于提升LED与阵列层之间的绑定可靠性，使得LED可靠发光。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1所示为现有技术中所提供的一种LED基板的一种结构示意图；
图2所示为本申请实施例所提供的LED基板的一种俯视图；
图3所示为图2所提供的LED基板的一种AA’截面图；
图4所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图5所示为LED的一种结构示意图；
图6所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图7所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图8所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图9所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图10所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图11所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图；
图12所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构示意图；
图13所示为图12中显示装置的一种BB’截面图；
图14所示为图12中显示装置的另一种BB’截面图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1所示为现有技术中所提供的一种LED基板100的一种结构示意图，请参见图1，现有技术的LED基板100中，LED 101的绑定一般采用锡膏工艺，锡膏103填充于LED 101与绑定pad 102之间，绑定pad 102一般为金属层，作为绑定pad 102的金属层一般采用Ti，Mo等，而锡膏103与Ti、Mo等金属层的粘附力很小，导致LED 101绑定后很不可靠或很容易脱落，当LED 101与绑定pad 102之间绑定不可靠时，会直接影响LED作为背光源时背光源的发光可靠性，也会影响LED作为显示面板时显示面板的显示可靠性。
有鉴于此，本发明提供了一种LED基板及显示装置，通过增加绑定剂与绑定层之间的接触面积，以提升LED的绑定可靠性。
以下将结合附图和具体实施例进行详细说明。
图2所示为本申请实施例所提供的LED基板的一种俯视图，图3所示为图2所提供的LED基板的一种AA’截面图，图4所示为图2所提供的LED基板的另一种AA’截面图，请参见图2至图4，本申请提供一种LED基板200，包：
衬底基板10；
位于衬底基板10一侧的阵列层20；
位于阵列层20远离衬底基板10一侧的限定层30，限定层30限定出多个绑定开口31；
位于限定层30靠近衬底基板10一侧的绑定层40，绑定开口31暴露至少部分绑定层40；沿垂直于衬底基板10所在平面的方向，绑定层40上设置有多个第一开口41，或者，绑定层40上设置多个凹陷部分42；
绑定剂50和位于绑定剂50远离绑定层40一侧的LED 60，LED 60通过绑定剂50与绑定层40电连接；
绑定剂50的至少部分填充于绑定开口31内，且绑定剂50由绑定开口31延伸至第一开口41内，或者，绑定剂50由绑定开口31延伸至凹陷部分42内。
需要说明的是，图2仅示意性给出了LED基板200上包括多个LED 60的一种俯视图，仅体现LED 60的一种排布关系，并不代表实际的尺寸和数量，在本申请的其他一些实施例中，LED 60还可采用其他的排布方式，本申请对此不进行具体限定。图3和图4示出了各膜层之间的一种相对位置关系，并不代表实际的尺寸和膜层数量。
此外，LED 60的具体结构例如可参见图5，其中图5所示为LED的一种结构示意图，通常，LED 60包括第一导电层61、第二导电层63、位于第一导电层61和第二导电层63之间的半导体层62、以及位于第二导电层63远离半导体层62一侧的电接触层64；在实际应用过程中，电接触层64通过绑定剂50与LED基板中的绑定层40电连接。需要说明的是，LED的膜层结构可参见图5，但本申请并不对LED的形状进行限定，既可采用图5所示的类似于到倒梯形的结构，也可采用例如图3或4所示的正梯形的结构。
具体地，以图2和图3为例，LED 60通过绑定剂50与绑定层40电连接，绑定层40上包括多个沿垂直于衬底基板10的方向贯穿绑定层40的第一开口41。需要说明的是，第一开口41是沿垂直于衬底基板10的方向贯穿绑定层40的，该第一开口41暴露位于绑定层40朝向衬底基板一侧且与绑定层相邻的膜层。该实施例中，绑定剂50从绑定开口31延伸至第一开口41内，如此，绑定剂50既能够与绑定层40朝向LED 60的表面接触，还能够与绑定层40中第一开口41的内壁接触，相比现有技术中锡膏仅与绑定pad朝向LED 60的表面接触的方式，本申请中增大了绑定剂50与绑定层40的接触面积，因此有利于提升绑定剂50与绑定层40之间的绑定可靠性，同时绑定剂50还与第一开口41所暴露的无机层直接接触，同样也有利于提升绑定剂50与无机层之间的粘附力；因此，绑定剂50从绑定开口31延伸至第一开口41内的方案有利于提升绑定剂50与LED 60之间的绑定可靠性，有利于减小由于绑定剂50与绑定层40之间绑定不可靠而造成LED 60从阵列层20上脱落的可能，因此有利于提升LED基板作为背光源时背光源的发光可靠性，也有利于提升LED基板作为显示面板时显示面板的显示可靠性。
以图2和图4为例，绑定层40上包括多个凹陷部分42，该实施例中，凹陷部分42是由绑定层形成的，制作过程中，先对绑定层40朝向衬底基板一侧的膜层进行开孔，再制作绑定层，绑定层覆盖孔区域，并且由于绑定层为金属材料，因此不会填充膜层开孔，从而形成绑定层的凹陷结构。即凹陷部分42不会暴露出绑定层40朝向衬底基板一侧且与绑定层40相邻的膜层。沿垂直于衬底基板10所在平面的方向，该凹陷部分42贯穿绑定层40和绑定层40朝向衬底基板10一侧的至少一个膜层，绑定剂50从绑定开口31延伸至上述凹陷部分42内。相比现有技术中锡膏仅与绑定pad朝向LED 60的表面接触的方式，绑定剂50还与凹陷部分42接触，此种设计方式同样有利于增大绑定剂50与绑定层40或阵列层20中其他膜层之间的接触面积，因此同样有利于提升绑定剂50与绑定层40或其他膜层之间的绑定可靠性，同样有利于减小由于绑定剂50与绑定层40之间绑定不可靠而造成LED 60从阵列层20上脱落的可能，因此有利于提升LED基板作为背光源时背光源的发光可靠性，也有利于提升LED基板作为显示面板时显示面板的显示可靠性。
需要说明的是，当绑定层上包括多个凹陷部分42时，凹陷部分42除体现为图4所示的贯穿绑定层40和绑定层40朝向衬底基板10一侧的至少一个膜层的形式外，该凹陷部分42还可不贯穿绑定层40，仅体现为位于绑定层40朝向LED 60一侧的多个凹陷结构，该凹陷结构可以由绑定层的金属材料制作后再刻蚀形成凹陷，例如请参见图6，图6所示为图2所提供的LED基板200的另一种AA’截面图，绑定剂50延伸至该凹陷部分42中时，相当于增加了绑定剂50与绑定层40之间的接触面积，同样有利于提升本申请中绑定剂50与绑定层40之间的绑定可靠性。
可选地，绑定剂50包括锡、银、铜、助焊剂中的至少一种，即本申请中的绑定剂50可采用现有工艺中的锡膏形成，采用锡膏作为绑定剂50的工艺较为成熟，因而不会增加本申请LED基板200的生产工艺复杂度。
可选，请继续参见图3和图4，本申请实施例所提供的LED基板200中，阵列层20包括薄膜晶体管70，绑定层40与薄膜晶体管70的源极71或漏极72电连接。
具体地，阵列层20通常设置多个阵列排布的薄膜晶体管70，薄膜晶体管70的栅极73通常用于接收控制信号，使薄膜晶体管70在控制信号的控制下导通或截止。薄膜晶体管70的源极71和漏极72中的一者连接数据信号端，另一者连接绑定层40。当薄膜晶体管为PMOS晶体管时，源极71连接数据信号端，漏极72连接绑定层40，当薄膜晶体管70导通时，数据信号将从源极71发送至漏极72进而传递至LED 60，控制LED 60发光。当薄膜晶体管为NMOS晶体管时，绑定层与薄膜晶体管70的源极71电连接，数据信号将从漏极72发送至源极71进而传递至LED 60。需要说明的是，本申请中的薄膜晶体管70是以顶栅结构为例进行说明的，在本申请的一些其他实施例中，薄膜晶体管70还可体现为底栅结构，本申请对此不进行具体限定。
可选，本申请实施例所提供的LED基板200中，绑定层40与薄膜晶体管70的源极71或漏极72同层设置。
具体地，请参见图3和图4，当将绑定层40和与其连接的源极71或漏极72同层设置时，在实现绑定层40和与其连接的源极71或漏极72的电连接时，在同一膜层进行连接即可，例如请参见图3和图4，二者之间无需通过打孔的方式进行连接，此种方式有利于简化LED基板200的生产工艺，提升LED基板200的生产效率。图3和图4所示实施例中，薄膜晶体管70的源极71和漏极72是同层设置的，在本申请的一些其他实施例中，源极71和漏极72还可位于不同的膜层，本申请对此不进行具体限定。
需要说明的是，本申请实施例所提供的LED基板200中，绑定层40还可与其连接的源极71或漏极72位于不同的膜层，例如请参见图6，在该实施例中，绑定层40位于薄膜晶体管70中的漏极72靠近衬底基板10的一侧，绑定层40与薄膜晶体管70中的漏极72通过过孔74电连接。图6所示实施例仅示出了绑定层40位于漏极72靠近衬底基板10一侧的一种情形，即与阵列层中的栅极金属层同层设置，在本申请的一些其他实施例中，绑定层还可与阵列层中的其他膜层同层设置，例如电容金属层等，本申请对此并不进行具体限定。
可选地请参见图7，图7所示为图2所提供的LED基板200的另一种AA’截面图，图8所示为图2所提供的LED基板200的另一种AA’截面图，LED 60基板还包括位于绑定层40靠近衬底基板10一侧的固定层80，绑定剂50通过第一开口41与固定层80接触，或者，绑定层40通过凹陷部分42与固定层80接触。
具体地，本申请在绑定层40靠近衬底基板10的一侧引入了固定层80，图7所示实施例中，绑定剂50通过第一开口41与固定层80接触，也就是说，绑定剂50除与绑定层40接触外，还与固定层80直接接触，通过绑定剂50与固定层80的接触，有利于增加绑定剂50的绑定可靠性，进而有利于进一步提升LED 60的绑定可靠性。图8所示实施例中，绑定层40中的凹陷部分42与固定层80接触，使得绑定层40通过凹陷部分42与固定层80接触，此种设计方式有利于增加绑定层40与固定层80之间的接触面积，从而有利于减小绑定层40从阵列层20脱落的可能，进而有利于提升LED60与绑定层40之间的绑定可靠性。
可选，本申请实施例所提供的LED基板200中，固定层80包括铜、金、镍、银、铝或氧化铟锡中的至少一种。
具体地，当本申请中的固定层80采用铜、金、镍、银、铝或氧化铟锡中的至少一种形成时，能够与本申请中的绑定剂50(采用锡、银、铜、助焊剂等材料)形成较佳的粘附力，当绑定剂50通过第一开口41与固定层80接触时，绑定剂50与固定层80之间形成的可靠粘附力能够有效减小绑定剂50从固定层80或绑定层40上脱落的可能，进而减小与绑定剂50固定的LED 60从阵列基板上脱落的可能，因此有利于进一步提升LED 60的绑定可靠性。而且，采用上述材料形成固定层80时，该固定层80还能与无机层(即位于固定层80朝向阵列基板一侧的绝缘层)之间形成较强的粘附力，从而有利于避免在受到外界作用力时，固定层80从无机层脱落的可能，进而有利于进一步提升LED 60的绑定可靠性。此外，当固定层采用金属材料或其他导电材料构成时，只要该固定层80与绑定层40之间形成电连接，无论是采用图7所示的贴合形式，或是采用图8所示的通过过孔形成电连接的形式，均相当于为绑定层40并联了电阻，均有利于减小绑定层40的电阻；当绑定层40的电阻较大时会使得LED基板形成的压降较大，使得LED基板200上不同区域的LED 60出现发光亮度不均的现象，而本申请通过为绑定层40并联导电层的方式将绑定层40的电阻减小时，有利于减小LED基板200上的压降，从而减小不同区域LED 60之间的亮度差异，因而还有利于提升LED 60发光亮度的均匀性。
需要说明的是，图7仅示出了当绑定层40与固定层80贴合时二者的一种相对位置关系，请参见图7和图9，图9所示为图2所提供的LED基板200的另一种AA’截面图，图7所示实施例中，阵列层20包括有源层93、栅极金属层91、源漏极金属层92以及电容金属层94，绑定层40位于源漏极金属层92，固定层80位于源漏极金属层92与电容金属层94之间，在本申请的一些其他实施例中，固定层80还可位于其他膜层，例如固定层80还可位于栅极金属层91或电容金属层94，请参见图9，当固定层80位于栅极金属层91时，此时固定层80可采用与栅极金属层91相同的材料形成，如此，固定层80与栅极金属层91可在同一制作工艺中形成，因此有利于简化LED基板200的生产工艺，提高LED基板200的生产效率。此外还需说明的是，当固定层80位于栅极金属层91时，绑定层40可位于电容金属层94，在形成绑定层40之前，需要将绑定层40与栅极金属层91之间的无机层刻蚀掉，以使得绑定层40朝向衬底基板10的表面与固定层80贴合。当然，在本申请的一些其它实施例中，固定层80还可位于电容金属层94、有源层93或其他膜层，本申请对此不进行具体限定。
可选，请参见图7和图9，绑定层40朝向衬底基板10的一侧与固定层80贴合。
具体地，请继续参见图7和图9，沿垂直于衬底基板10所在平面的方向，固定层80与绑定层40之间并未设置其他膜层，而是使固定层80与绑定层40直接接触，即在图7所示视角下，绑定层40朝向衬底基板10的表面与固定层80贴合，固定层80朝向衬底基板10的一侧与无机层贴合。本申请中的固定层80例如可采用金属层形成，固定层80与无机层之间能够形成较好的粘附力，使得固定层80不易从阵列层20脱落。本实施例中绑定剂50延伸至第一开口41中并与固定层80直接接触，即使与绑定剂50固定的LED 60在受到外界的拉力作用时，由于固定层80与无机层形成了较好的粘附力，而且绑定剂50与固定层80之间又直接接触，因此外界的拉力不易使LED 60和固定层80从阵列层20脱落，因而同样有利于提升LED 60的绑定可靠性。需要说明的是，本申请中的固定层80的材料例如可以为铜、金、镍、银、铝等金属材料，也可采用ITO等非金属材料，这些材料不仅与绑定剂50由较强的粘附性，还与无机层由较强的粘附性，因此有利于提升本申请中LED 60的绑定可靠性。
可选，请继续参见图7和图9，固定层80在衬底基板10所在平面的正投影覆盖绑定层40在衬底基板10所在平面的正投影，从而使得绑定层40朝向衬底基板10的表面完全与固定层80贴合，如此设置方式有利于增加绑定层40与固定层80之间的接触面积，使得绑定层40与固定层80之间形成可靠的粘附力，从而避免在受到外界拉力作用时绑定层40从固定层80上脱落的现象，因此更加有利于提升LED 60的绑定可靠性。
可选，请参见图8和图10，图10所示为图2所提供的LED基板200的另一种AA’截面图，固定层80与绑定层40之间包括至少一层绝缘层22，绝缘层22包括沿LED基板200厚度方向上贯穿绝缘层的过孔23，过孔23暴露出固定层80，过孔与第一开口41或凹陷部分42在衬底基板10上的正投影交叠。
具体地，请继续参见图8和图10，绑定层40与固定层80之间设置有至少一层绝缘层22，绑定层40与固定层80通过过孔23连接。这些实施例中，绑定层40与固定层80之间形成连接关系，有利于提升绑定层40与固定层80之间的连接可靠性，同时，与绑定层40和LED 60连接的绑定剂50还延伸至第一开口41(例如请参见图10)或凹陷部分42(例如请参见图8)中，并位于过孔中，由于过孔贯穿固定层80与绑定层40之间的至少一个绝缘层22，这样就进一步增加了绑定剂50与其他膜层的接触面积，从而提升了绑定剂50与其他膜层之间的键合能力，因此更加有利于提升LED 60的绑定可靠性。
可选，请继续参见图8，阵列层20包括有源层93、栅极金属层91、源漏极72金属以及电容金属层94，固定层80与有源层93、栅极金属层91、源漏极金属层92或电容金属层94中任意一层同层设置。
具体地，当绑定层40与固定层80之间设置有至少一层绝缘层22时，固定层80可与有源层93、栅极金属层91、源漏极金属层92或电容金属层94中的任意一层同层设置，采用复用现有膜层的方式形成固定层80时，无需为固定层80单独设置生产工序，在形成其他膜层的过程中即可完成固定层80的制作，因而有利于节约LED基板200的生产工序，提高LED基板200的生产效率。当固定层80与栅极金属层91、源漏极金属层92和电容金属层94中的任一金属层同层设置时，绑定层40与固定层80之间形成电连接，相当于为绑定层40并联了金属层，形成了双层金属并联的结构，从而有利于减小绑定层40的电阻；当绑定层40的电阻较大时会使得LED基板200形成的压降较大，使得LED基板200上不同区域的LED 60出现发光亮度不均的现象，而本申请通过为绑定层40并联金属层的方式将绑定层40的电阻减小时，有利于减小LED基板200上的压降，从而减小不同区域LED 60之间的亮度差异，因而还有利于提升LED 60发光亮度的均匀性。
需要说明的是，本申请实施例所提及的源漏极金属层92包括源极金属层和漏极金属层，其中，源极金属层和漏极金属层可位于相同膜层，也可位于不同膜层，本申请对此不进行具体限定。此外，图8仅示出源漏极金属层92中的源极金属层和漏极金属层位于同层、绑定层40位于源漏极金属层92且固定层80与栅极金属层91同层设置的情形，在本申请的一些其他实施例中，绑定层40和固定层80还可位于其他的膜层，本申请在此不再逐一列举。
可选，请参见图10，固定层80与有源层93同层设置，固定层80与有源层93的半导体基材相同，且固定层80为半导体基材导电化处理形成。
具体地，请继续参见图10，绑定层40和有源层93之间包括三层绝缘层22，绑定层40通过位于绝缘层22上的过孔23与位于有源层93上的固定层80连接，由于有源层93本身并不具备导电性能，当固定层80与有源层93同层设置时，本申请通过对有源层93中形成固定层的部分的半导体基材进行导电化处理，例如当半导体基材为poly Si时，采用离子掺杂的方式对其进行导电化处理，形成固定层80。有源层93中的半导体基材通过离子掺杂的方式形成固定层80时，使得固定层80的导电性能更佳，在绑定层40与固定层80之间形成并联电连接时，更加有利于降低绑定层40的电阻，更有利于减小LED基板200上的压降，减小不同区域LED 60之间的亮度差异，因而还有利于提升LED 60发光亮度的均匀性。此外，当固定层80位于有源层93时，固定层80与绑定层40或者绑定剂50之间的粘结力也更好，更加有利于提升LED 60的绑定可靠性。以下将以图10为例对薄膜晶体管中的半导体有源层以及固定层的结构进行说明。与薄膜晶体管70的源极和漏极连接的半导体有源层，可以通过非晶硅的结晶使非晶硅变为多晶硅而形成，半导体有源层包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间的区域是其中不掺杂杂质的沟道区域。当固定层与有源层层同层设置时，固定层通过对半导体基材整体进行导电化处理形成，使其整体具备导电性能。
需要说明的是，当绑定层40与固定层80之间包含至少一层绝缘层，实现绑定层40与固定层80之间的连接时，请参见图8，可在形成绑定层40之前，在绑定层40与固定层80之间的绝缘层上形成过孔，然后再形成绑定层40，使得绑定层40的至少部分填充于过孔中，并在过孔中形成凹陷部分42，在绑定开口31中添加绑定剂50时，绑定剂50从绑定开口31中延伸至凹陷部分42中。除此种方式外，请参见图10，在形成绑定层40之后，再在绑定层40上形成第一开口41，并在绑定层40和固定层80之间的绝缘层上形成过孔，在绑定开口31中添加绑定剂50时，绑定剂50填充至第一开口41和过孔中。
可选，图11所示为图2所提供的LED基板200的另一种AA’截面图，该LED基板200还包括反射层99，反射层99位于限定层30和阵列层20之间。
具体地，请参见图11，本申请在限定层30和阵列层20之间引入了反射层99，该反射层用于对LED 60发出的光线进行反射，从而有利于提升LED基板200的发光效率。
基于同一发明构思，本申还提供一种显示装置300，包括本申请上述实施例所提供的任一LED基板100。请参见图12-图14，图12所示为本申请实施例所提供的显示装置300的一种结构示意图，图13所示为图12中显示装置300的一种BB’截面图，图14所示为图12中显示装置300的另一种BB’截面图。
请结合图12和图13，对应的显示装置300为液晶显示装置300，其包括背光模组302和显示面板301，其中的背光模组302包括本申请上述实施例所提供的任一LED基板100，LED基板100中各LED发出的光线为显示面板301提供背光源。需要说明的是，图13实施例中是以侧入式背光模组的方式为例进行说明的，在本申请的一些其他实施例中，背光模组还可体现为直下式结构。当将本申请中的LED基板应用于直下式结构的背光模组时，背光模组中的LD具体可体现为Mini LED或Micro LED，此时LED基板中的各LED可单独控制，这样就使得背光模组实现了局部精确调光的功能，例如在显示装置进行画面显示时，当需要某些区域呈现黑态时，可将背光模组中对应区域的LED调节为不发光状态，将显示画面中的黑态部分和亮态部分进行了明显区分，因此有利于提升显示装置的对比度，使得画面的显示更为细腻，更加有利于提升用户的视觉体验效果。
请结合图12和图14，对应的显示装置300为LED显示装置300，例如可以为Mini LED显示装置，LED基板100上的各LED 60单独用作显示装置300中的像素结构，比如三个或四个相邻的LED 60形成一个像素单元，多个像素单元共同发挥显示作用从而实现显示装置300的画面显示功能。
需要说明的是，本申请所提供的显示装置300的实施例可参见上述LED基板100的实施例，相同之处不再赘述。本申请所提供的显示装置300可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
通过上述实施例可知，本发明提供的LED基板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本申请所提供的LED基板和显示装置中，在绑定层上设置有多个第一开口或多个凹陷部分，LED通过绑定剂与绑定层电连接，特别是，绑定剂除填充于绑定开口内，还由绑定开口延伸至第一开口内或凹陷部分内，如此方式增加了绑定剂与绑定层之间的接触面积，因而有利于提升绑定剂与绑定层之间的绑定可靠性，进而有利于提升LED与阵列层之间的绑定可靠性，使得LED可靠发光。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种LED基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的阵列层；
位于所述阵列层远离所述衬底基板一侧的限定层，所述限定层限定出多个绑定开口；
位于所述限定层靠近所述衬底基板一侧的绑定层，所述绑定开口暴露至少部分所述绑定层；沿垂直于衬底基板所在平面的方向，所述绑定层上设置有多个第一开口，或者，所述绑定层上设置多个凹陷部分；
绑定剂和位于所述绑定剂远离所述绑定层一侧的LED，所述LED通过所述绑定剂与所述绑定层电连接；
所述绑定剂的至少部分填充于所述绑定开口内，且所述绑定剂由所述绑定开口延伸至所述第一开口内，或者，所述绑定剂由所述绑定开口延伸至所述凹陷部分内。
2.根据权利要求1所述的LED基板，其特征在于，所述阵列层包括薄膜晶体管，所述绑定层与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
3.根据权利要求2所述的LED基板，其特征在于，所述绑定层与所述薄膜晶体管的源极或漏极同层设置。
4.根据权利要求1所述的LED基板，其特征在于，所述LED基板还包括位于所述绑定层靠近所述衬底基板一侧的固定层，所述绑定剂通过所述第一开口与所述固定层接触，或者，所述绑定层通过所述凹陷部分与所述固定层接触。
5.根据权利要求4所述的LED基板，其特征在于，所述固定层包括铜、金、镍、银、铝或氧化铟锡中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的LED基板，其特征在于，所述绑定层朝向所述衬底基板的一与所述固定层贴合。
7.根据权利要求6所述的LED基板，其特征在于，所述固定层在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述绑定层在所述衬底基板所在平面的正投影。
8.根据权利要求4所述的LED基板，其特征在于，所述固定层与所述绑定层之间包括至少一层绝缘层，所述绝缘层包括沿所述LED基板厚度方向上贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述固定层，所述过孔与所述第一开口或所述凹陷部分在所述衬底基板上的正投影交叠。
9.根据权利要求4所述的LED基板，其特征在于，所述阵列层包括有源层、栅极金属层、源漏极金属以及电容金属层，
所述固定层与所述有源层、所述栅极金属层、所述源漏极金属层或所述电容金属层中任意一层同层设置。
10.根据权利要求9所述的LED基板，其特征在于，所述固定层与所述有源层同层设置，所述固定层与所述有源层的半导体基材相同，且所述固定层为所述半导体基材导电化处理形成。
11.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，还包括反射层，所述反射层位于所述限定层和所述阵列层之间。
12.根据权利要求1所述的LED基板，其特征在于，所述绑定剂包括锡、银、铜、助焊剂中的至少一种。
13.一种显示装，其特征在于，包括权利要求1至12任一所述的LED基板。
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