CN107221291B - 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域。显示基板的衬底基板的显示区域内设置有像素单元；像素单元内设置有发光二极管，发光二极管包括第一电极、发光层和第二电极，不同列的发光二极管对应的第二电极相互分立，同一列的发光二极管对应的第二电极相互电连接；周边区域内设置有至少一条显示走线、至少一条测试走线和集成电路；显示走线的第一端与集成电路电连接，测试走线的第一端与集成电路电连接，每列发光二极管的第二电极均与显示走线的第二端电连接，每列发光二极管的第二电极还均与测试走线的第二端电连接。本发明的技术方案能够对发光二极管的阈值电压进行补偿，改善显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置。
背景技术
发光二极管(例如，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)、微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，简称Mic-LED))作为一种电流型发光器件，以其主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富、高亮度、低功耗等众多优点而被广泛应用于显示领域中。但是本申请的发明人发现，发光二极管的阈值电压会随着时间而变化，进而使得发光二极管的发光效率会随着时间而退化，即随着时间的推移，在相同的电流下发光二极管的发光亮度逐渐降低，影响发光二极管显示面板的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置，用于对发光二极管的阈值电压进行补偿，改善显示面板的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；
所述显示区域内设置有阵列排布的多个像素单元；每个像素单元内设置有发光二极管，所述发光二极管包括沿远离所述衬底基板依次设置的第一电极、发光层和第二电极，不同列的所述发光二极管对应的第二电极相互分立，同一列的所述发光二极管对应的第二电极相互电连接；
所述周边区域内设置有至少一条显示走线、至少一条测试走线和集成电路；
所述显示走线的第一端与所述集成电路电连接，所述测试走线的第一端与所述集成电路电连接，每列所述发光二极管的第二电极均与所述显示走线的第二端电连接，每列所述发光二极管的第二电极还均与所述测试走线的第二端电连接。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括以上所述的显示基板。
第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的显示基板。
第四方面，本发明实施例提供一种显示面板的驱动方法，所述显示面板的驱动方法与以上所述的显示面板相对应，所述显示面板的驱动方法包括：
将所述显示面板的驱动过程划分为电流测试阶段和显示阶段；
在所述电流测试阶段内，所述集成电路通过所述测试走线逐行向所述发光二极管的第二电极输入测试电极信号，且所述集成电路逐行向所述发光二极管的第一电极输入测试数据信号，并对流经所述测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；
在所述显示阶段内，所述集成电路通过所述显示走线逐行向所述发光二极管的第二电极输入显示电极信号，且所述集成电路逐行向所述发光二极管的第一电极输入使用所述补偿值补偿后的显示数据信号。
本发明实施例提供了一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置，其中，显示基板包括衬底基板，衬底基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域，显示区域内设置有阵列排布的多个像素单元，每个像素单元内设置有发光二极管，发光二极管包括沿远离衬底基板依次设置的第一电极、发光层和第二电极，不同列的发光二极管对应的第二电极相互分立，同一列的发光二极管对应的第二电极相互电连接；周边区域内设置有至少一条显示走线、至少一条测试走线和集成电路，显示走线的第一端与集成电路电连接，测试走线的第一端与集成电路电连接，每列发光二极管的第二电极均与显示走线的第二端电连接，每列发光二极管的第二电极还均与测试走线的第二端电连接，从而使得集成电路可以通过测试走线逐行向发光二极管的第二电极输入测试电极信号，且集成电路逐行向发光二极管的第一电极输入测试数据信号，并对流经测试走线的电流进行测试，进而可以根据测试电流计算得出发光二极管的阈值电压，并可根据该阈值电压计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值，进而在包括该显示基板的显示面板的显示过程中集成电路可以通过显示走线逐行向发光二极管的第二电极输入显示电极信号，且集成电路逐行向发光二极管的第一电极输入使用补偿值补偿后的显示数据信号，进而实现了对发光二极管的阈值电压的补偿，改善了显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示基板的一种俯视图；
图2为本发明实施例提供的图1沿A-A’方向的截面示意图；
图3为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视图；
图4为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视图；
图5为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视图；
图6为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视图；
图7为本发明实施例提供的显示基板的显示区域的俯视图；
图8为本发明实施例提供的像素电路的电路图；
图9为本发明实施例提供的图3沿A-A’方向的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的图4沿A-A’方向的截面示意图；
图11为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图；
图12为本发明实施例提供的有机发光显示面板的截面示意图；
图13为本发明实施例提供的显示装置的俯视图；
图14为本发明实施例提供的显示面板的驱动方法的时序图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示基板，如图1所示，图1为本发明实施例提供的显示基板的一种俯视图，该显示基板1包括衬底基板10，衬底基板10包括显示区域11和围绕显示区域11的周边区域12。
具体地，如图1所示，显示区域11内设置有阵列排布的多个像素单元111；每个像素单元111内设置有发光二极管112，如图2所示，图2为本发明实施例提供的图1沿A-A’方向的截面示意图，发光二极管112包括沿远离衬底基板10依次设置的第一电极112a、发光层112b和第二电极112c，如图3和图4所示，图3和图4为本发明实施例提供的显示基板的另外两种俯视图，不同列的发光二极管112对应的第二电极112c相互分立，同一列的发光二极管112对应的第二电极112c相互电连接。
如图5和图6所示，图5和图6为本发明实施例提供的显示基板的另外两种俯视图，为清楚起见图5和图6中仅示出一个像素单元111但像素单元111的个数并不局限与此，周边区域12内设置有至少一条显示走线121、至少一条测试走线122和集成电路IC，其中，显示走线121的第一端与集成电路IC电连接，测试走线122的第一端与集成电路IC电连接，每列发光二极管112的第二电极112c均与显示走线121的第二端电连接，每列发光二极管112的第二电极112c还均与测试走线122的第二端电连接。
其中，周边区域12内设置的显示走线121的条数可以根据每条显示走线121对应的发光二极管112的列数进行确定，例如，各条显示走线121与各列发光二极管112一一对应，或者，一条显示走线121与多列发光二极管112对应，或者，一条显示走线121与所有列发光二极管112对应。类似地，周边区域12内设置的测试走线122的条数可以根据以上方式进行确定。本发明实施例对此不进行限定。
基于本发明实施例中的显示基板1具有上述结构，从而使得可将包括该显示基板1的显示面板的驱动过程分为电流测试阶段和显示阶段，在电流测试阶段中，集成电路IC可以通过测试走线122逐行向发光二极管112的第二电极112c输入测试电极信号，且集成电路IC逐行向发光二极管112的第一电极输入测试数据信号，并对流经测试走线122的电流进行测试，进而可以根据测试电流计算得出发光二极管112的阈值电压，并可根据该阈值电压计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值，在显示阶段中，集成电路IC可以通过显示走线121逐行向发光二极管112的第二电极112c输入显示电极信号，且集成电路IC逐行向发光二极管112的第一电极输入使用补偿值补偿后的显示数据信号，进而实现了对发光二极管112的阈值电压的补偿，提高了显示面板的显示效果。
另外，由于在电流测试阶段中，集成电路IC通过测试走线122逐行向发光二极管112的第二电极112c输入测试电极信号，且集成电路IC逐行向发光二极管112的第一电极输入测试数据信号，从而使得在电流测试阶段中，同一列中的各发光二极管112依次打开进行测试，同一行中的各发光二极管112同时打开进行测试，测试效率高，有助于降低测试成本。
本发明实施例中的发光二极管可以为有机发光二极管或者微型发光二极管。现有技术中，若显示基板上设置有多个有机发光二极管时，显示基板上设置的有机发光二极管包括依次层叠设置于衬底基板上的阳极、发光层和阴极，其中，每个有机发光二极管的阳极均相互分立，所有有机发光二极管的阴极为一整层结构。类似地，若显示基板上设置有多个微型发光二极管时，显示基板上设置的微型发光二极管包括依次层叠设置于衬底基板上的下电极、发光层和上电极，每个微型发光二极管的下电极均相互独立，所有微型发光二极管包括的上电极为一整层结构。
由以上所述可知，现有技术中的阴极和上电极相当于本发明实施例中的第二电极，现有技术中的阴极和上电极均为一整层结构，而如图3和图4所示，本发明实施例的技术方案中不同列的发光二极管112对应的第二电极112c是相互分立的，与现有技术存在明显区别，因此，本申请的发明人是在打破了现有技术的思维局限，进行了认真的思考和研究，付出了一系列创造性劳动之后，才构思出本发明实施例中的技术方案，本发明实施例的技术方案的提出过程也是具有创造性的。
本发明实施例中的显示基板可以应用无源矩阵驱动(Passive Matrix Driving)方式进行驱动，也可以应用有源矩阵驱动(Active Matrix Driving)方式进行驱动，本发明实施例对此不进行限定。
示例性地，本发明实施例中的显示基板应用无源矩阵驱动方式进行驱动时，如图7所示，图7为本发明实施例提供的显示基板的显示区域的俯视图，第一电极112a沿行方向延伸，第二电极112c沿列方向延伸，二者相交位置为一个像素单元111，显示阶段中，向各行第一电极112a中依次施加信号，且向各列第二电极112c依次施加信号，其中，同时施加信号的第一电极112a和第二电极112c相交位置对应的像素单元111中的发光二极管112发光。
示例性地，本发明实施例中的显示基板应用有源矩阵驱动方式进行驱动时，如图5和图6所示，显示区域11内还设置有多条沿发光二极管112的行方向延伸的栅线113，以及多条沿发光二极管112的列方向延伸的数据线114；多条栅线113和多条数据线114限定出多个像素单元111，每个像素单元111内还设置有与发光二极管112对应电连接的像素电路，进而可通过栅线113、数据线114以及像素电路的共同作用下，使得发光二极管112发光。需要说明的是，为了清楚地示出像素单元111中的发光二极管112、像素电路、栅线113和数据线114之间的连接关系，图5和图6中仅示出一个像素单元111、一条栅线113和一条数据线114。
可选地，如图8所示，图8为本发明实施例提供的像素电路的电路图，上述像素电路采用“2T1C”的结构，其中，T1为选择晶体管，T2为驱动晶体管，当栅线上的扫描信号Vselect输入时，选择晶体管T1导通，数据线上的数据信号Vdata传输到驱动晶体管T2的栅极，并同时给存储电容Cs充电。而后驱动晶体管T2导通，使得PVDD和PVEE之间有驱动电流通过，该驱动电流流经发光二极管，发光二极管在驱动电流的作用下发光。由于存储电容Cs的保持作用，驱动晶体管T2的栅极电压在整个显示时间段内保持不变，使得驱动晶体管T2在整个显示时间段内导通状态不变，在整个显示时间段内稳定的驱动电流均可从PVDD流经发光二极管到
PVEE，进而保证微发光二极管在整个显示时间段内均能正常发光。当然，上述像素电路的电路图只是举例说明，本发明实施例提供的像素单元中的像素电路也可以采用其他电路图。
需要说明的是，由于像素电路中的驱动晶体管T2通常由非晶硅、多晶硅或金属氧化物等半导体材料制成，受限于制造工艺，像素电路的驱动晶体管T2也会出现阈值电压漂移的现象，从而使得流经发光二极管112的电流还会随着驱动晶体管T2的阈值电压的变化而变化，即在相同的PVDD和PVEE的信号下，流过发光二极管112的电流发生会偏差，使得发光二极管112的亮度发生变化，影响显示面板的显示效果。
当本发明实施例中的显示基板具有如上所述的结构时，在电流测试阶段中，流经测试走线122的电流同时流经了驱动晶体管T2和发光二极管112，因此，对该电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值包含了对驱动晶体管T2的阈值电压的补偿值和对发光二极管112的阈值电压的补偿值，从而使得在显示阶段中，集成电路IC向发光二极管112的第一电极112a输入的使用补偿值补偿后的显示数据信号，可以同时对驱动晶体管T2的阈值电压以及发光二极管112的阈值电压进行补偿，即通过一次测试即可同时对驱动晶体管T2的阈值电压以及发光二极管112的阈值电压进行补偿，使得测试方式简单、测试效率高，且补偿效果好。
另外，显示走线121的第一端与集成电路IC电连接，测试走线122的第一端与集成电路IC电连接，每列发光二极管112的第二电极112c均与显示走线121的第二端电连接，每列发光二极管112的第二电极112c还均与测试走线122的第二端电连接时，集成电路IC在电流测试阶段内通过测试走线122逐行向发光二极管112的第二电极112c输入测试电极信号，在显示阶段内通过显示走线121逐行向发光二极管112的第二电极112c输入显示电极信号的实现方式可以有多种：
在第一个例子中，集成电路IC的第一输出端与显示走线121的第一端电连接，集成电路IC的第二输出端与测试走线122的第一端电连接，从而可以在显示阶段内，集成电路IC的第二输出端通过显示走线121逐行向发光二极管112的第二电极112c输入显示电极信号，在电流测试阶段内，集成电路IC的第一输出端通过测试走线122逐行向发光二极管112的第二电极112c输入测试电极信号。
在第二个例子中，集成电路IC的一个输出端既与显示走线121的第一端电连接，又与测试走线122的第一端电连接，以简化集成电路IC的结构。此时，则需要使该输出端与显示走线121的第一端电连接的时间段，与该输出端与测试走线122的第一端电连接的时间段区分开来，或者，使显示走线121的第二端与每列发光二极管112电连接的时间段，与测试走线122的第二端与每列发光二极管112电连接的时间段区分开来。
可选地，在输出端与显示走线121的第一端之间串联一个开关单元，在该输出端与测试走线122的第一端之间串联另一个开关单元，通过在显示阶段内，使输出端与显示走线121的第一端之间串联的开关单元闭合，输出端与测试走线122的第一端之间串联的开关单元断开，在电流测试阶段内，使输出端与显示走线121的第一端之间串联的开关单元断开，输出端与测试走线122的第一端之间串联的开关单元闭合的方式，使该输出端输出的信号在显示阶段内作为显示电极信号，在电流测试阶段内作为测试电极信号。
可选地，如图5和图6所示，周边区域12内还设置有至少一个第一开关单元SW1和至少一个第二开关单元SW2，第一开关单元SW1串联于每列发光二极管112的第二电极112c与显示走线121的第二端之间，第二开关单元SW2串联于每列发光二极管112的第二电极112c与测试走线122的第二端之间，通过在显示阶段内，使第一开关单元SW1闭合，第二开关单元SW2断开，在电流测试阶段内，使第一开关单元SW1断开，第二开关单元SW2闭合的方式，使该输出端输出的信号在显示阶段内作为显示电极信号，在电流测试阶段内作为测试电极信号。
需要说明的是，第一开关单元SW1可以与各列发光二极管112一一对应，一个第一开关单元SW1可以与多列发光二极管112对应，或者，一个第一开关单元SW1可以与所有列发光二极管112对应，第二开关单元SW2与发光二极管112之间也可以有类似的对应方式，本发明实施例对此不进行限定。另外，对于第一开关单元SW1和第二开关单元SW2的具体结构的选择，只要能实现开关功能即可，本发明实施例对此也不进行限定。
可选地，如图5和图6所示，至少一个第一开关单元SW1为第一薄膜晶体管，至少一个第二开关单元SW2为第二薄膜晶体管。示例性地，第一薄膜晶体管的源极和漏极电连接于每列发光二极管112的第二电极112c与显示走线121的第二端之间，栅极与集成电路IC的另一输出端电连接，第二薄膜晶体管的源极和漏极电连接于每列发光二极管112的第二电极112c与测试走线122的第二端之间，栅极与集成电路IC的又一输出端电连接，进而可通过集成电路IC控制第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的导通和截止，有利于简化显示基板1的结构。
例如，所有第一开关单元SW1均为第一薄膜晶体管，所有第二开关单元SW2均为第二薄膜晶体管；或者，一部分第一开关单元SW1为第一薄膜晶体管，另一部分第一开关单元SW1为具有开关功能的其他结构，一部分第二开关单元SW2为第二薄膜晶体管，另一部分第二开关单元SW2为具有开关功能的其他结构。
本申请的发明人发现，流经第一薄膜晶体管的电流要远大于流经第二薄膜晶体管的电流，具体原因如下：以所有第一开关单元SW1均为第一薄膜晶体管，所有第二开关单元SW2均为第二薄膜晶体管，且第一开关单元SW1与各列发光二极管112一一对应，第二开关单元SW2与各列发光二极管112一一对应为例，由于第一薄膜晶体管在显示阶段内导通，显示阶段内，一列发光二极管112均同时发光，流经第一薄膜晶体管的电流为该列中所有发光二极管112对应的电流，使得流经第一薄膜晶体管的电流较大，第二薄膜晶体管在电流测试阶段内导通，电流测试阶段内，同一时刻内一列发光二极管112中仅一个发光二极管112发光，流经第二薄膜晶体管的电流为该发光二极管112对应的电流，流经第二薄膜晶体管的电流较小。
因此，为了保证第一薄膜晶体管能够满足电流大小的需求，本发明实施例提供几种可选的方式：可选地，第一薄膜晶体管的有源层的材质为具有高载流子迁移率的金属氧化物半导体或者多晶硅，示例性地，上述金属氧化物半导体可以为IZO(氧化铟锌)或者IGZO(氧化铟镓锌)；可选地，第一薄膜晶体管的沟道的宽长比，与第二薄膜晶体管的沟道的宽长比之间的比值大于100，需要说明的是，上述宽长比的比值的具体数值本领域技术人员可以根据发光二极管112的行数、漏电流的大小、制作难度和边框宽度等因素综合进行选择。
可选地，如图5所示，第一开关单元SW1和显示走线121设置于周边区域12的第一侧内，第二开关单元SW2和测试走线122设置于周边区域12的第二侧内，第一侧和第二侧为相对设置的两侧，且第一侧或者第二侧为设置有集成电路IC的一侧，图5中以第二侧为设置有集成电路IC的一侧为例。如此设置可以使得周边区域12的第一侧的宽度和第二侧的宽度较为一致，显示面板的美观程度较好。此时，未设置在集成电路IC所在侧的走线(显示走线121或者测试走线122)可通过连接线与集成电路IC电连接。需要说明的是，上述“第一侧”、“第二侧”以及“设置有集成电路IC的一侧”均指的是周边区域12包括的子区域。
可选地，如图6所示，第一开关单元SW1、第二开关单元SW2、显示走线121和测试走线122均设置于周边区域12的集成电路IC所在侧内。如此设置可以使得集成电路IC与第一开关单元SW1、第二开关单元SW2、显示走线121和测试走线122的连接方式较简单，连接电阻较小，信号传输过程中的损失较小。
需要补充的是，“不同列的发光二极管112对应的第二电极112c相互分立，同一列的发光二极管112对应的第二电极112c相互电连接”的实现方式也可以有多种：
可选地，如图3和图9所示，图9为本发明实施例提供的图3沿A-A’方向的截面示意图，每列发光二极管112对应设置的n个第二电极112c为一整体结构，该整体结构为沿发光二极管112的列方向延伸的条状结构，n为每列发光二极管112中发光二极管112的总个数。
可选地，如图4和图10所示，图10为本发明实施例提供的图4沿A-A’方向的截面示意图，每列发光二极管112对应设置的n个第二电极112c为相互分立的块状结构，n为每列发光二极管112中发光二极管112的总个数，同一列的n个第二电极112c通过位于其对应列的发光二极管112一侧的连接线115相互电连接。
可选地，衬底基板10上设置有相互绝缘的栅极金属层和源漏极金属层，连接线115位于源漏极金属层或者栅极金属层，以使得连接线115可以通过显示基板1上的已有膜层制作形成，不会额外增加显示基板的制作工艺和成本。其中，栅极金属层中可以设置有驱动晶体管和开关晶体管的栅极以及扫描线，源漏极金属层中可以设置有驱动晶体管和开关晶体管的源极、漏极和数据线。
当发光二极管112为有机发光二极管时，各发光二极管112之间由像素定义层间隔开，当发光二极管112为微型发光二极管时，各发光二极管112之间由平坦化层间隔开，平坦化层的材质可以为有机物。
其中，当发光二极管为微型发光二极管时，通常微型发光二极管是先在生长衬底上制备，然后转移至显示基板上的，生长衬底上制备的微型发光二极管包括两层电极层和位于中间的发光层，在转移之前的显示基板上形成有矩阵设置的多个第一金属导电结构，转移过程中使微型发光二极管的一层电极层与第一金属导电结构接触，转移之后再在显示基板上形成多个第二金属导电结构，多个第二金属导电结构与微型发光二极管的另一层电极层接触，此时，第一金属导电结构以及与其接触的电极层共同作为微型发光二极管的第一电极，第二金属导电结构以及与其接触的电极层共同作为微型发光二极管的第二电极，第二金属导电结构的形状即为微型发光二极管的第二电极的形状。
另外，当发光二极管为微型发光二极管时，微型发光二极管的发光层耐水、氧和高温，因此，可以通过在显示基板上蒸镀一层第二电极对应材质的膜层，对该膜层进行图形化，以使不同列的发光二极管对应的阴极相互分立。上述图形化包括涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶的步骤。
当发光二极管为有机发光二极管时，由于有机发光二极管的发光层对水、氧敏感，无法采用以上图形化的方法使第二电极形成分立结构，下面本发明实施例提供两种使第二电极形成分立结构的方式：
第一种，本发明实施例中，如图11所示，图11为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图，相互分立的第二电极112c之间设置有第二电极截断结构116，第二电极截断结构116的横截面为倒梯形。在制作显示基板的过程中，先形成第二电极截断结构116，从而使得在蒸镀形成第二电极112c时，沉积在第二电极截断结构116上的膜层，与沉积在第二电极112c对应区域上的膜层断开，沉积在第二电极112c对应区域上的膜层作为第二电极112c，以使不同列的发光二极管112对应的第二电极112c相互分立。可选地，为了充分保证沉积在第二电极截断结构116上的膜层，与沉积在第二电极112c对应区域上的膜层断开，第二电极截断结构116的高度为第二电极112c的厚度的至少10倍。通常第二电极112c的厚度为2000A，则第二电极截断结构116的高度应大于或等于20000A。第二电极截断结构116的材质可以为有机物，例如负性光阻，负性光阻曝光、显影即可形成倒梯形结构。
第二种，在沉积形成第二电极的过程中，首先使用精细掩膜板覆盖显示基板，精细掩膜板上在第二电极对应位置处设置有开口，然后蒸镀第二电极对应的材料，材料穿过精细掩膜版上的开口到达第二电极对应位置处，进而形成多个第二电极，且不同列的发光二极管对应的第二电极相互分立。
本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括以上任一项所述的显示基板。可选地，显示面板还包括覆盖于显示基板上的发光二极管上的封装结构。
需要说明的是，当显示面板为有机发光显示面板时，其对封装效果的要求较高。如图12所示，图12为本发明实施例提供的有机发光显示面板的截面示意图，该有机发光显示面板还包括覆盖于显示基板1上的发光二极管112上的封装结构2。示例性地，若有机发光显示面板为非柔性，则封装结构2可以为封装玻璃，显示基板1的边缘与封装玻璃的边缘通过玻璃胶封装方式进行封装，虽然玻璃胶的成本较高，但可以有效阻隔外界的水、氧，避免因水、氧与显示基板1上的发光层接触，而造成的发光层失效，有利于保证有机发光显示面板的正常发光。但本申请不限于此，在其他实现方式中，还可以是采用UV(ultraviolet，紫外线)固化胶等其他的封装方式。若显示面板为柔性，则封装结构2可以为封装层，可选地，封装层包括多层薄膜，通常为无机+有机+无机的三层或者五层结构，其中，无机层的作用在于阻隔水氧，有机层的作用在于缓解弯折应力，无机层的材质可以为氮化硅或者氧化硅等，厚度为1微米左右，可以采用镀膜的方式形成，有机层的材质可以为有机硅化合物、芳香族、二基苯、苯乙烯等，厚度为10微米左右，可以采用喷墨打印的方式形成。
本发明实施例还提供一种显示装置，如图13所示，图13为本发明实施例提供的显示装置的俯视图，该显示装置包括以上所述的显示面板600。本申请实施例提供的显示装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。本申请实施例提供的显示面板和显示装置可以为柔性，也可以为非柔性，本申请对此不做限定。
本发明实施例还提供一种显示面板的驱动方法，与之前所述的显示面板相对应，显示面板的驱动方法包括：
将显示面板的驱动过程划分为电流测试阶段和显示阶段；
在电流测试阶段内，集成电路通过测试走线逐行向发光二极管的第二电极输入测试电极信号，且集成电路逐行向发光二极管的第一电极输入测试数据信号，并对流经测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；
在显示阶段内，集成电路通过显示走线逐行向发光二极管的第二电极输入显示电极信号，且集成电路逐行向发光二极管的第一电极输入使用补偿值补偿后的显示数据信号。
可选地，本发明实施例中仅在包括显示面板的显示装置开机时，执行电流测试阶段，这样即实现了对发光二极管的阈值电压的补偿，又不会影响显示面板的正常显示。当然也可以在根据需要选择在其他时间段执行电流测试阶段，本发明实施例对此不进行限定。由于在电流测试阶段中，需要逐行对发光二极管进行测试，因此，电流测试阶段的持续时间应为所有行测试完成的时间，其与一帧时间相同，通常为1/60s，或1/120s。
示例性地，当显示面板的驱动方式为有源矩阵驱动时，在电流测试阶段内，栅线逐行扫描，测试走线输入测试电极信号，数据线输入测试数据信号，并对流经测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；在显示阶段内，栅线逐行扫描，显示走线输入显示电极信号，数据线输入使用补偿值补偿后的显示数据信号。
下面本发明实施例以第n行、第m列像素单元111中的发光二极管112为例，结合时序图对显示面板的驱动方法进行说明。
示例性地，如图5和图6所示，显示基板1的周边区域12内设置有至少一个第一开关单元SW1和至少一个第二开关单元SW2，第一开关单元SW1串联于每列发光二极管112的第二电极112c与显示走线121的第二端之间，第二开关单元SW2串联于每列发光二极管112的第二电极112c与测试走线122的第二端之间，且第一开关单元SW1和第二开关单元SW2均为N型薄膜晶体管。基于显示基板具有上述结构，如图14所示，图14为本发明实施例提供的显示面板的驱动方法的时序图，在电流测试阶段内，控制第一开关单元SW1的控制信号(图14中表示为SW1)为低电平，控制第二开关单元SW2的控制信号(图14中表示为SW2)为高电平，第一开关单元SW1断开，第二开关单元SW2闭合，第n条栅线上输出扫描信号(图14中表示为Gn)，测试走线输入测试电极信号(图14中表示为PVEE)，数据线输入测试数据信号(图14中表示为Dm)，并对流经测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；在显示阶段内，控制第一开关单元SW1的控制信号(图14中表示为SW1)为高电平，控制第二开关单元SW2的控制信号(图14中表示为SW2)为第电平，第一开关单元SW1闭合，第二开关单元SW2断开，第n条栅线上输出扫描信号(图14中表示为Gn)，显示走线输入显示电极信号(由于显示电极信号和测试电极信号为同一输出端在不同时间段输出的信号，因此图14中也表示为PVEE)，数据线输入使用补偿值补偿后的显示数据信号(图14中表示为Dm)。
需要说明的是，如图5和图6所示，测试走线122和显示走线121连接集成电路IC的同一输出端，因此，上述测试电极信号和显示电极信号为相同的信号，因此，在图14中测试电极信号和显示电极信号均以PVEE表示，但二者出现的时间段不同。
由之前所述可知，像素电路中存在存储电容，存储电容用以维持发光二极管的发光，因此，在电流测试阶段内，针对已经测试完成的发光二极管，在其对应的存储电容的作用下，会继续发光，进而使得通过其的驱动电流也会流经测试走线，进而使得通过对流经测试走线的电流进行测试无法准确反应正在测试的发光二极管对应的驱动电流，为了解决上述问题，本发明实施例提供以下方案，当然，以下解决方案仅是举例，并非限定。
示例性地，电流测试阶段包括多个子阶段，每个子阶段与一行发光二极管相对应，每个子阶段均包括测试子阶段和位于测试子阶段之后的复位子阶段。
如图14所示，为清楚起见图14中仅示出与第n行发光二极管对应的一个子阶段，与其他行发光二极管对应的子阶段与其类似，在测试子阶段内，集成电路向对应行的发光二极管的第一电极输入测试数据信号(图14中表示为Dm)，测试数据信号(图14中表示为Dm)为高电平，选择晶体管导通，测试数据信号到达驱动晶体管的栅极，驱动晶体管导通，驱动电流流经发光二极管，并流经测试走线，进而可对流经测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；在复位子阶段内，集成电路向对应行的发光二极管的第一电极输入复位信号(由于复位信号和测试数据信号为同一输出端在不同时间段输出的信号，因此图14中也表示为Dm)，复位数据信号为低电平，选择晶体管依然导通，复位数据信号到达驱动晶体管的栅极，驱动晶体管截止，无驱动电流流经对应行的发光二极管，对应行的发光二极管结束发光。需要说明的是，以上均以驱动晶体管和选择晶体管为N型薄膜晶体管为例进行描述。
其中，上述复位信号和测试数据信号可以通过对数据线上的脉冲信号的时间宽度进行合理设置的方式实现，例如，使数据线上脉冲信号的时间宽度小于选择晶体管导通的时间，使得在选择晶体管导通的一部分时间内数据线上为脉冲信号，该脉冲信号作为测试数据信号，选择晶体管导通的另外一部分时间内数据线上无脉冲信号，即相当于数据线上输出低电平信号，该低电平信号作为复位数据信号。
本发明实施例提供了一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置，其中，显示基板包括衬底基板，衬底基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域，显示区域内设置有阵列排布的多个像素单元，每个像素单元内设置有发光二极管，发光二极管包括沿远离衬底基板依次设置的第一电极、发光层和第二电极，不同列的发光二极管对应的第二电极相互分立，同一列的发光二极管对应的第二电极相互电连接；周边区域内设置有至少一条显示走线、至少一条测试走线和集成电路，显示走线的第一端与集成电路电连接，测试走线的第一端与集成电路电连接，每列发光二极管的第二电极均与显示走线的第二端电连接，每列发光二极管的第二电极还均与测试走线的第二端电连接，从而使得集成电路可以通过测试走线逐行向发光二极管的第二电极输入测试电极信号，且集成电路逐行向发光二极管的第一电极输入测试数据信号，并对流经测试走线的电流进行测试，进而可以根据测试电流计算得出发光二极管的阈值电压，并可根据该阈值电压计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值，进而在包括该显示基板的显示面板的显示过程中集成电路可以通过显示走线逐行向发光二极管的第二电极输入显示电极信号，且集成电路逐行向发光二极管的第一电极输入使用补偿值补偿后的显示数据信号，进而实现了对发光二极管的阈值电压的补偿，提高了显示面板的显示效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (16)
1.一种显示基板，包括衬底基板；所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；所述显示区域内设置有阵列排布的多个像素单元；
每个像素单元内设置有发光二极管，所述发光二极管包括沿远离所述衬底基板依次设置的第一电极、发光层和第二电极；
其特征在于，不同列的所述发光二极管对应的第二电极相互分立，同一列的所述发光二极管对应的第二电极相互电连接；
所述周边区域内设置有至少一条显示走线、至少一条测试走线和集成电路；
所述显示走线的第一端与所述集成电路电连接，所述测试走线的第一端与所述集成电路电连接，每列所述发光二极管的第二电极均与所述显示走线的第二端电连接，每列所述发光二极管的第二电极还均与所述测试走线的第二端电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域内设置有多条沿所述发光二极管的行方向延伸的栅线，以及多条沿所述发光二极管的列方向延伸的数据线；多条所述栅线和多条所述数据线限定出多个所述像素单元；每个所述像素单元内还设置有与所述发光二极管对应电连接的像素电路。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述周边区域内还设置有至少一个第一开关单元和至少一个第二开关单元，所述第一开关单元串联于每列所述发光二极管的第二电极与所述显示走线的第二端之间，所述第二开关单元串联于每列所述发光二极管的第二电极与所述测试走线的第二端之间；所述至少一个第一开关单元为第一薄膜晶体管，所述至少一个第二开关单元为第二薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的有源层的材质为金属氧化物半导体或者多晶硅。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的沟道的宽长比，与所述第二薄膜晶体管的沟道的宽长比之间的比值大于100。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每列所述发光二极管对应设置的n个第二电极为一整体结构，该整体结构为沿所述发光二极管的列方向延伸的条状结构，n为每列所述发光二极管中所述发光二极管的总个数。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每列所述发光二极管对应设置的n个第二电极为相互分立的块状结构，n为每列所述发光二极管中所述发光二极管的总个数，同一列的n个所述第二电极通过位于其对应列的所述发光二极管一侧的连接线相互电连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板上设置有相互绝缘的栅极金属层和源漏极金属层，所述连接线位于所述源漏极金属层或者所述栅极金属层。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述发光二极管为有机发光二极管，相互分立的所述第二电极之间设置有第二电极截断结构，所述第二电极截断结构的横截面为倒梯形。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极截断结构的高度为所述第二电极的厚度的至少10倍。
11.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一开关单元和所述显示走线设置于所述周边区域的第一侧内，所述第二开关单元和所述测试走线设置于所述周边区域的第二侧内，所述第一侧和所述第二侧为相对设置的两侧，且所述第一侧或者所述第二侧为设置有所述集成电路的一侧；或者，所述第一开关单元、所述第二开关单元、所述显示走线和所述测试走线均设置于所述周边区域的所述集成电路所在侧内。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～11任一项所述的显示基板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示面板。
14.一种显示面板的驱动方法，与权利要求12所述的显示面板相对应，其特征在于，所述显示面板的驱动方法包括：
将所述显示面板的驱动过程划分为电流测试阶段和显示阶段；
在所述电流测试阶段内，所述集成电路通过所述测试走线逐行向所述发光二极管的第二电极输入测试电极信号，且所述集成电路逐行向所述发光二极管的第一电极输入测试数据信号，并对流经所述测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；
在所述显示阶段内，所述集成电路通过所述显示走线逐行向所述发光二极管的第二电极输入显示电极信号，且所述集成电路逐行向所述发光二极管的第一电极输入使用所述补偿值补偿后的显示数据信号。
15.根据权利要求14所述的显示面板的驱动方法，其特征在于，所述电流测试阶段包括多个子阶段，每个子阶段与一行所述发光二极管相对应，每个子阶段均包括测试子阶段和位于所述测试子阶段之后的复位子阶段；
在所述测试子阶段内，所述集成电路向对应行的所述发光二极管的第一电极输入测试数据信号，并对流经所述测试走线的电流进行测试，根据测试电流计算得出对显示数据信号进行补偿的补偿值；
在所述复位子阶段内，所述集成电路向对应行的所述发光二极管的第一电极输入复位信号，以使对应行的所述发光二极管结束发光。
16.根据权利要求14所述的显示面板的驱动方法，其特征在于，仅在包括所述显示面板的显示装置开机时，执行所述电流测试阶段。
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