CN111933066A - Oled显示基板、显示模组、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED显示基板、显示模组、显示面板,属于显示技术领域,其可解决现有的OLED显示基板阴极阻值无法检测的问题。本发明的一种OLED显示基板,具有显示区和扇出区;OLED显示基板包括:基底,设置在所述在基底上的OLED显示器件;OLED显示基板还包括:设置在所述基底上的多条测试信号线,所述测试信号线与OLED显示器件的阴极连接,并延伸至所述扇出区;其中,不同测试信号线与阴极的不同位置连接,每个阴极连接多条测试信号线。

Description

OLED显示基板、显示模组、显示面板
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED显示基板、显示模组、显示面板。
背景技术
随着OLED(OrganicLight-Emitting Diode;有机电致发光二极管)显示屏的大尺寸化,相对应的产品开发难度也在不断提升,出现在小尺寸OLED显示屏中不会出现的很多显示问题。例如,由于大尺寸显示OLED显示面板的尺寸较大,OLED显示器件的阴极压降较大,会造成OLED显示面板的不良。
因此,需要对OLED显示基板的阴极电阻进行测试,但是现有的OLED显示面板并不能进行阴极电阻的测试。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种能够检测阴极阻值的OLED显示基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED显示基板,具有显示区和扇出区;所述OLED显示基板包括:基底,设置在所述在基底上的OLED显示器件;所述OLED显示基板还包括:
设置在所述基底上的多条测试信号线,所述测试信号线与OLED显示器件的阴极连接,并延伸至所述扇出区;其中,不同测试信号线与阴极的不同位置连接,每个阴极连接多条测试信号线。
可选的,所述OLED显示基板还包括:薄膜晶体管;所述测试信号线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置且材料相同。
进一步可选的,所述OLED显示基板还包括:设置在所述薄膜晶体管与所述OLED显示器件之间的平坦化层;所述平坦化层具有连接过孔,所述连接过孔中设置有连接电极;所述OLED显示器件的阴极通过所述连接电极与所述测试信号线连接。
进一步可选的,所述连接电极与所述薄膜晶体管的源漏电极同层设置且材料相同。
进一步可选的,所述连接电极包括第一子连接电极和第二子连接电极;所述第一子连接电极和所述第二子连接电极的材料不同。
可选的,所述OLED显示基板还具有测试区;所述OLED显示基板还包括设置在所述测试区的测试键;所述测试信号线从所述扇出区延伸至所述测试区,并与所述测试键对应连接。
进一步可选的,所述测试键均匀排布,任意相邻两个所述测试键之间的间距大于所述OLED显示器件的阴极厚度。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示模组,包括上述任意一种OLED显示基板。
可选的,所述显示模组包括所述的OLED显示基板;
所述显示面板还包括:与所述OLED显示基板绑定设置的驱动板;所述驱动板包括多个测试点位,所述测试点位与所述测试信号线对应连接。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板,包括上述任意一种显示模组。
附图说明
图1为本发明的实施例的显示基板的结构示意图;
图2为本发明的实施例的显示基板的另一种结构示意图;
图3为本发明的实施例的显示基板的平面示意图;
其中附图标记为:1、基底;2、薄膜晶体管;20、有源层;21、栅缘层;22、栅极;23、层间绝缘层;24、介电层;3、连接电极;31、第一子连接电极;32、第二子连接电极;4、平坦化层;5、阳极;6、像素界定层;7、测试信号线;8、发光层;9、阴极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
在本发明中,两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的,故它们在层叠关系上处于相同层中,但并不代表它们与基底间的距离相等,也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。
在本发明中,“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤,其可为光刻工艺,光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步;当然,“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
实施例1:
如图1和2所示,本实施例提供一种OLED显示基板,具有显示区A1(Active Area;AA区)和扇出区(Fanout区)。OLED显示基板包括:基底1,设置在在基底1上的OLED显示器件。显示区包括多个像素单元,每个像素单元中包括一个OLED显示器件,以及相应的像素电路结构。其中,像素电路结构可包括薄膜晶体管2、存储电容等。同时,显示基板上中还设置有多条信号线,可包括驱动信号线、触控信号线等。OLED显示器件与对应的驱动信号线(或者还有对应的触控信号线等)连接。信号线主体位于走线区,由显示区延伸至扇出区,与扇出区中的焊盘连接,以通过FPC等与驱动芯片连接,使OLED显示基板能够在驱动芯片的控制下进行显示。
其中,如图1和2所示,OLED显示器件通常包括设置在基底上的阳极5、有机发光层8、以及阴极9。OLED显示基板上通过像素界定层6将不同OLED显示器件的发光层8隔开,从而限定出多个OLED显示器件。在现有的OLED显示基板中,多个OLED显示器件的阴极9通常为一体结构。在此情况下,当OLED显示基板的尺寸较大时,阴极9压降较大,容易导致OLED显示基板出现显示不良现象。因此,需要对OLED显示基板中的阴极9电阻阻值进行测试,以便于对OLED显示基板进行补偿,保证OLED显示基板的良好显示。
如图3所示,本实施例中,特别的,OLED显示基板还包括:设置在基底1上的多条测试信号线7。如图1和2所示,测试信号线7与OLED显示器件的阴极9层连接,并延伸至扇出区;其中,不同测试信号线7与阴极9层的不同位置连接,各阴极9图案连接多条测试信号线7。
可以理解的是,在OLED显示基板中,虽然多个OLED显示器件共用一个阴极9(也即多个OLED显示器件的阴极9为一体结构),但是在同一OLED显示基板中,可能会有多个阴极9图案,不同区域像素单元的OLED显示器件连接不同的阴极9图案。
本实施例提供的OLED显示基板中,通过在基底1上设置测试信号线7,利用多根测试信号线7连接同一阴极9图案的不同位置,测试信号线7与阴极9图案的连接位置可作为阴极9图案的测试点,利用测试信号线7将其引出至扇出区,从而可在扇出区与测试装置相连接,进而能够对阴极9阻值进行测试。
可以理解的是,本实施例中,一条测试信号线7对应一个测试点。基于本实施例提供的OLED显示基板,可通过四探针法对阴极9图案的阻值进行测试。具体的,同一阴极9图案的不同位置可连接四条测试信号线7,并引出至扇出区,在扇出区形成四个可与外界电连接的测试点位。以测试点位1为中心的圆柱面为等势面,在距离中心为r处的电流密度为:
Figure BDA0002656092160000041
所以,其电场强度为:
Figure BDA0002656092160000042
进一步地,将测试点位1和测试点位4分别作为稳流源接入点和接出点,测试点位2和测试点位3作为电压测试点,测试点位2和测试点位3之间的电压差为:
Figure BDA0002656092160000043
所以,由测试点位1至4限定出的阴极9区域点电阻为:
Figure BDA0002656092160000051
(其中,ρ为阴极9电阻率,l为所测试区域的长,Xj为阴极9厚度,V23为电压表读数,I为稳流源数值)。同理,依据上述测量方式,可测得阴极9层中各区域的阴极9电阻阻值。
在此需要说明的是,本实施例提供的OLED显示基板中,测试信号线7的数量并不只限于4条,更多可能的情况为多条。每个连接点对应连接的阴极的位置不同(可以连接相同或者不同的阴极)。各测试信号线7的连接点在扇出区按照一定规则依次排列,由1到n。其中可选的,由显示区中心位置引出的测试信号线7的连接点位于连接连排列阵列中的中心(也即2/n处)。
可选的,本实施例提供的OLED显示基板还包括:薄膜晶体管2。作为一种实施方式,测试信号线7可与薄膜晶体管2的栅极22同层设置且材料相同。如图1和2所示,薄膜晶体管2包括:栅极22、栅绝缘层21、有源层20、层间绝缘层23、源漏电极等结构。其中,薄膜晶体管2可为顶栅型薄膜晶体管或者底栅型薄膜晶体管,本实施例中对此不做具体限制。
具体的,本实施例中以底栅型薄膜晶体管2为例进行说明。如图1所示,本实施例中,测试信号线7可与薄膜晶体管2的栅极22同层设置,二者可采用一次构图工艺形成,从而不需要在现有的显示基板的制造工艺中增加掩模数量,尽量简化OLED显示基板的制备流程,节约制备成本。
进一步可选的,OLED显示基板还包括:设置在薄膜晶体管2与OLED显示器件之间的平坦化层4;平坦化层4具有连接过孔,连接过孔中设置有连接电极3;OLED显示器件的阴极9通过连接电极3与测试信号线7连接。如图1和2所示,OLED显示器件设置于薄膜晶体管2背离基底1的一侧,平坦化层4位于薄膜晶体管2所在层与OLED显示器件所在层之间。与栅极22同层的测试信号线7位于平坦化层4靠近基底1的一侧(图1和2中下方)。本实施例中,可在平坦化层4中形成过孔,在过孔中形成连接电极3,从而使OLED显示器件的阴极9通过连接电极3与测试信号线7连接。
可选的,本实施例中,连接电极3可与薄膜晶体管2的源漏电极同层设置且材料相同。如图1和2所示,本实施例中,源漏电极所在层位于栅极22层背离基底1的一侧(图1和2中上方),本实施例中,可将源漏电极与连接电极3同层设置,从而尽量简化OLED显示基板的制备工艺。
进一步可选的,本实施例中,连接电极3包括第一子连接电极31和第二子连接电极32;第一子连接电极31和第二子连接电极32的材料不同。如图1和2所示,本实施例中,连接电极3可采用双层子连接电极3的设计方式,形成并联结构,从而降低测试信号线7的电阻所带来的压降。
其中,可选的,第一子连接电极31相对第二子连接电极32更靠近基底1。第一子连接电极31优选可与源漏电极同层设置。
作为另一种实施方式,本实施例中,测试信号线7可与薄膜晶体管2的源漏电极同层设置。现有技术中,源漏电极的材料通常比栅极22材料具有更低的电阻率,本实施例中,通过将测试信号线7与源漏电极同层设置,能够在简化制备工艺的基础上,尽量减小测试信号线7的阻值,从而减小压降。
实施例2:
如图3所示,本实施例提供一种OLED显示基板,与实施例1提体的OLED显示基板结构相似。特别的是,本实施例提供的OLED显示基板中,除显示区A1、走线区A2、扇出区A4外,还具有测试区A5;OLED显示基板还包括设置在测试区的测试键;测试信号线7从扇出区A4延伸至测试区A5,并与测试键对应连接。
如图3所示,本实施例提供的OLED显示基板中,走线区可包括驱动信号线区A2和测试信号线区A3。测试区A5中设置有测试键。每个测试键与一条测试信号线7对应连接,从而连接至阴极9图案的不同位置。在对OLED显示基板进行测试时,测试键作为测试点位,测试装置可直接与测试键进行对应连接,从而测试出对应区域的阴极9阻值。
其中,测试键均匀排布,任意相邻两个测试键之间的间距大于OLED显示器件的阴极9厚度。本实施例提供的OLED显示基板优选可采用方阻测试,具体可采用四探针法对阴极9电阻进行测试。在进行测试时,选择四个测试点位,其中,为了满足测试四探针法的进行,相邻两个测试点位之间的距离应大于阴极9厚度。四探针法测量阴极9阻值的具体方式可参考实施例1及相关现有技术,本实施例中对此不再赘述。
可选的,如图3所示,本实施例中,测试区A5可位于扇出区A4远离显示区A1的位置。对于OLED显示基板中阴极9电阻的测试通常于OLED显示基板的制备过程中进行。基于本实施例提供的OLED显示基板,可在测试完阴极9阻值之后,在形成显示模组之前,将测试区A5去除,以减小显示基板的显示边框,提高占屏比。具体的,可通过激光切割工艺将测试区A5去除。可以理解的是,去除测试区A5之后的OLED显示基板与实施例1中提供的显示基板基本相同。
实施例3:
本实施例提供一种显示模组,包括实施例1或者实施例2提供的任意一种OLED显示基板。
可选的,本实施例提供的显示模组包括实施例1提供的OLED显示基板。可选的,本实施例中,显示模组还包括:与OLED显示基板绑定设置的驱动板;驱动板包括多个测试点位,测试点位与测试信号线7对应连接。
实施例4:
本实施例提供一种显示面板,包括本发明的实施例3所提供的显示模组。
该显示面板可为有机发光二极管(OLED)显示面板。具体的,该显示面板可用于电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件中。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示基板,具有显示区和扇出区;所述OLED显示基板包括:基底,设置在所述在基底上的OLED显示器件;其特征在于,所述OLED显示基板还包括:
设置在所述基底上的多条测试信号线,所述测试信号线与OLED显示器件的阴极连接,并延伸至所述扇出区;其中,不同测试信号线与阴极的不同位置连接,每个阴极连接多条测试信号线。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,还包括:薄膜晶体管;所述测试信号线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置且材料相同。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,还包括:设置在所述薄膜晶体管与所述OLED显示器件之间的平坦化层;所述平坦化层具有连接过孔,所述连接过孔中设置有连接电极;所述OLED显示器件的阴极通过所述连接电极与所述测试信号线连接。
4.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述连接电极与所述薄膜晶体管的源漏电极同层设置且材料相同。
5.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述连接电极包括第一子连接电极和第二子连接电极;所述第一子连接电极和所述第二子连接电极的材料不同。
6.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,还具有测试区;所述OLED显示基板还包括设置在所述测试区的测试键;所述测试信号线从所述扇出区延伸至所述测试区,并与所述测试键对应连接。
7.根据权利要求6所述的OLED显示基板,其特征在于,所述测试键均匀排布,任意相邻两个所述测试键之间的间距大于所述OLED显示器件的阴极厚度。
8.一种显示模组,其特征在于,包括权利要求1至7中任意一项所述的OLED显示基板。
9.根据权利要求8所述的显示模组,其特征在于,所述显示模组包括权利要求1至5中任意一项所述的OLED显示基板;
所述显示面板还包括:与所述OLED显示基板绑定设置的驱动板;所述驱动板包括多个测试点位,所述测试点位与所述测试信号线对应连接。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求8或9所述的显示模组。
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