CN111490086A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，其中，该显示基板包括基底以及位于基底一侧的显示区、绑定针区、第一单元测试电极和第二单元测试电极，绑定针区位于显示区的一侧，第一单元测试电极位于绑定针区远离显示区的一侧，第二单元测试电极位于第一单元测试电极远离绑定针区的一侧，显示基板包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，第一单元测试电极位于第一金属层上，第二单元测试电极位于第二金属层上。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于柔性显示装置中。
OLED按驱动方式可分为无源矩阵驱动有机发光二极管(Passive Matrix DrivingOLED，PMOLED)和有源矩阵驱动有机发光二极管(Active Matrix Driving OLED，AMOLED)两种，由于AMOLED显示装置具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点，而有望成为取代液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的下一代新型平面显示器。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开提供了一种显示基板，所述显示基板包括柔性基底以及位于柔性基底一侧的显示区、绑定针区、第一单元测试电极和第二单元测试电极，绑定针区位于显示区的一侧，第一单元测试电极位于绑定针区远离显示区的一侧，第二单元测试电极位于第一单元测试电极远离绑定针区的一侧，其中：显示基板包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，第一单元测试电极位于第一金属层上，第二单元测试电极位于第二金属层上。
在一些可能的实现方式中，第一单元测试电极的数量为一个或多个；第二单元测试电极的数量为一个或多个。
在一些可能的实现方式中，所述第一金属层还包括多条第一信号线，所述第一信号线的一端与所述第一单元测试电极连接，另一端与所述绑定针区连接；所述第二金属层还包括多条第二信号线，所述第二信号线的一端与所述第二单元测试电极连接，另一端与所述绑定针区连接，所述第一信号线在所述基底上的正投影和所述第二信号线在所述基底上的正投影不重叠。
在一些可能的实现方式中，所述第一信号线和所述第二信号线相互平行且间隔设置，所述第一信号线和第二信号线的宽度为45至75微米，所述第一信号线和第二信号线之间的间隔为45至75微米。
在一些可能的实现方式中，所述显示区包括触控信号线和数据线；所述第一单元测试电极通过所述第一信号线连接至所述触控信号线；所述第二单元测试电极通过所述第二信号线连接至所述数据线；或者，所述第一单元测试电极通过所述第一信号线连接至所述数据线；所述第二单元测试电极通过所述第二信号线连接至所述触控信号线。
在一些可能的实现方式中，所述第一单元测试电极的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，所述第二单元测试电极的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，所述第一单元测试电极和所述第二单元测试电极之间的距离为400微米至1200微米。
在一些可能的实现方式中，所述显示区包括位于所述基底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、覆盖所述有源层的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一栅金属层、覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层、位于所述第三绝缘层上的第二栅金属层、覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层、位于所述第四绝缘层上的第一源漏金属层、覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层；所述第一金属层与所述第一栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第二栅金属层同层设置；或者，所述第一金属层与所述第二栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第一源漏金属层同层设置。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括阵列测试电极，所述阵列测试电极位于所述第二单元测试电极远离所述第一单元测试电极的一侧；所述阵列测试电极位于所述第一金属层上或者所述第二金属层上。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括第三信号线，所述第三信号线的一端与所述阵列测试电极连接，另一端与所述绑定针区连接；所述第三信号线与所述阵列测试电极同层设置。
在一些可能的实现方式中，所述第一单元测试电极的数量为两个，所述第二单元测试电极的数量为两个，所述第三信号线位于两个所述第一单元测试电极之间，且所述第三信号线位于两个所述第二单元测试电极之间。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括第四信号线，所述第四信号线的一端与所述阵列测试电极连接，另一端与所述第一单元测试电极和/或第二单元测试电极连接。
本公开还提供了一种显示装置，包括如前所述的显示基板。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：在刚性载板上形成柔性基底；在柔性基底上形成驱动结构层，驱动结构层包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，第一金属层包括一个或多个第一单元测试电极；第二金属层包括一个或多个第二单元测试电极；将柔性基底与刚性载板分离。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板包括显示区，所述显示区的驱动结构层包括位于所述柔性基底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、覆盖所述有源层的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一栅金属层、覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层、位于所述第三绝缘层上的第二栅金属层、覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层、位于所述第四绝缘层上的第一源漏金属层、覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层；所述第一金属层与所述第一栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第二栅金属层同层设置；或者，所述第一金属层与所述第二栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第一源漏金属层同层设置。
在阅读并理解了附图概述和本公开的实施方式后，可以明白其他方面。
附图说明
图1为本公开显示基板的一种结构示意图；
图2为图1所示显示基板的AA向、BB向和CC向剖面结构示意图；
图3为本公开显示母板的一种结构示意图；
图4为本公开形成柔性基底后的结构示意图；
图5为本公开形成驱动结构层图案后的结构示意图；
图6为本公开形成第一开孔和第二开孔后的结构示意图；
图7为本公开显示基板的制备方法的流程示意图。
附图标记说明：
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具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
具有触控功能的AMOLED显示器是基于功能丰富化的需求产生的，包括触控结构层和显示结构层。触控结构层包括：触控屏信号线，触控屏信号线包括：多个驱动信号线Tx和多个感应信号线Rx。触控屏信号线通常在柔性多层表面式触控屏(Flexible Mulit-layerOn Cell Touch，FMLOC)工艺阶段形成。由于具有触控功能的AMOLED显示器在测试区的单元测试电极中增加了检测触控屏信号线的引脚，导致单元测试电极的长度增大一倍以上，进而导致单元显示面板阶段的异形切割会切开单元测试电极，因此，具有触控功能的AMOLED显示器的异形切割必须转移至模组(Module，MDL)阶段进行，这就需要对模组设备进行改造，造成了模组阶段产能降低。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括基底以及位于基底一侧的显示区、绑定针区、第一单元测试电极和第二单元测试电极，绑定针区位于显示区的一侧，第一单元测试电极位于绑定针区远离显示区的一侧，第二单元测试电极位于第一单元测试电极远离绑定针区的一侧，其中：显示基板包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，第一单元测试电极位于第一金属层上，第二单元测试电极位于第二金属层上。
本公开一些实施例还提供对应于上述显示基板的显示装置及该显示基板的制备方法。
本公开上述实施例提供的显示基板中，通过将第一单元测试电极和第二单元测试电极分别位于两个金属层上，缩短了单元测试电极的长度，使得在单元显示面板阶段，具有触控功能的AMOLED显示器的异形切割不会切开单元测试电极，即异形切割仍可在单元显示面板阶段进行，从而释放了模组阶段产能，提升了整体产能。
如图1所示，本公开实施例提供了一种显示基板，在平行于显示基板的平面方向，所述显示基板包括显示区100、绑定针区140、第一单元测试区110和第二单元测试区120，绑定针区140位于显示区100的一侧，第一单元测试区110位于绑定针区140远离显示区100的一侧，第二单元测试区120位于第一单元测试区110远离绑定针区140的一侧。第一单元测试区110包括一个或多个第一单元测试电极111，第二单元测试区120包括一个或多个第二单元测试电极121。
图2为本公开显示基板的结构示意图，为图1中的AA向、BB向和CC向剖视图，如图2所示，在垂直于显示基板的平面方向，显示基板包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，第一单元测试电极111位于第一金属层上，第二单元测试电极121位于第二金属层上。
在一种示例性实施例中，第一金属层还包括多条第一信号线112(图2中未示出)，第一信号线112的一端与第一单元测试电极111连接，另一端与绑定针区140连接；第二金属层还包括多条第二信号线122(图2中未示出)，第二信号线122的一端与第二单元测试电极121连接，另一端与绑定针区140连接，第一信号线112在基底10上的正投影和第二信号线122在基底10上的正投影不重叠。
在一种示例性实施例中，第一信号线112和第二信号线122相互平行且间隔设置，第一信号线112和第二信号线122的宽度为45至75微米，第一信号线112和第二信号线122之间的间隔为45至75微米。
示例性的，第一信号线112的宽度可以为60微米，第二信号线122的宽度可以为60微米，第一信号线112和第二信号线122之间的间隔可以为60微米。
在一种示例性实施例中，显示区包括触控信号线和数据线(图中未示出)；第一单元测试电极111通过第一信号线112连接至触控信号线；第二单元测试电极121通过第二信号线122连接至数据线；或者，第一单元测试电极111通过第一信号线112连接至数据线；第二单元测试电极121通过第二信号线122连接至触控信号线。即，第一单元测试电极111和第二单元测试电极121中的任一个可以被配置为对触控信号线进行检测，另一个可以被配置为对像素电极进行检测。
在一种示例性实施例中，第一单元测试电极111的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，第二单元测试电极121的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，第一单元测试电极111和第二单元测试电极121之间的距离为400微米至1200微米。本实施例中，如图1所示，第一单元测试电极111或第二单元测试电极121的宽度指的是第一单元测试电极111或第二单元测试电极121在x方向的长度，第一单元测试电极111或第二单元测试电极121的高度指的是第一单元测试电极111或第二单元测试电极121在y方向的长度。
示例性的，第一单元测试电极111的宽度可以为5000微米，高度可以为750微米，第二单元测试电极121的宽度可以为5000微米，高度可以为750微米，第一单元测试电极111和第二单元测试电极121之间的距离可以为750微米。
在一种示例性实施例中，显示区100包括位于基底10上的第一绝缘层11、位于第一绝缘层11上的有源层、覆盖有源层的第二绝缘层13、位于第二绝缘层13上的第一栅金属层、覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15、位于第三绝缘层15上的第二栅金属层、覆盖第二栅金属层的第四绝缘层17、位于第四绝缘层17上的第一源漏金属层、覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层19。
第一金属层可以与第一栅金属层同层设置，第二金属层可以与第二栅金属层同层设置；或者，第一金属层可以与第二栅金属层同层设置，第二金属层可以与第一源漏金属层同层设置。
在一种示例性实施例中，如图1所示，显示基板还可以包括阵列测试区130，阵列测试区130可以位于第二单元测试区120远离显示区100的一侧。
阵列测试区130包括阵列测试电极131，阵列测试电极131可以位于第一金属层上或者第二金属层上。
在一种示例性实施例中，阵列测试区130还可以包括第三信号线132，第三信号线132的一端与阵列测试电极131连接，另一端与绑定针区140连接。第三信号线132与阵列测试电极131同层设置。阵列测试电极131被配置为对显示基板进行测试，以检查是否有短路、断路等问题。
在一种示例性实施例中，第一单元测试电极111的数量为两个，第二单元测试电极121的数量为两个，第三信号线132位于两个第一单元测试电极111之间，且第三信号线132位于两个第二单元测试电极121之间。
在一种示例性实施例中，阵列测试区130还可以包括第四信号线133，第四信号线133的一端与阵列测试电极131连接，另一端与第一单元测试电极111和/或第二单元测试电极121连接。通过设置第四信号线133，可以在阵列测试时关闭单元测试相关单元，或在单元测试时，关闭阵列测试相关单元。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
由于本公开显示基板的制备过程是先制备显示母板，然后将显示母板切割成个显示基板，因此下述描述中，切割前的基板称之为显示母板，切割后的基板称之为显示基板。如图3所示，显示母板包括基板区域和位于基板区域外围的切割区域200，基板区域包括显示区100、绑定针区140、第一单元测试区110和第二单元测试区120。
(1)在刚性载板1上制备柔性基底10。本公开中，柔性基底10包括在刚性载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在一示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在刚性载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层10A；随后在第一柔性层10A上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层10A的第一阻挡(Barrier1)层10B；然后在第一阻挡层10B上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层10B的非晶硅(a-si)层10C；然后在非晶硅层10C上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层10D；然后在第二柔性层10D上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层10D的第二阻挡(Barrier2)层10E，完成柔性基底10的制备，如图4所示。本次工艺后，显示区100、第一单元测试区110和第二单元测试区120均包括柔性基底10。
(2)在柔性基底10上制备驱动结构层图案。显示区100的驱动结构层包括构成像素驱动电路的第一晶体管101和第一存储电容102，第一单元测试区110的驱动结构层包括第一单元测试电极111、第一信号线112和第二信号线122，第二单元测试区120的驱动结构层包括第二单元测试电极121和第二信号线122，本实施例中，第二信号线122穿过第一单元测试区110与绑定针区140连接。在一种示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在柔性基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的第一绝缘层11，以及位于第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案形成在显示区100，至少包括第一有源层12A。本次构图工艺后，第一单元测试区110和第二单元测试区120包括位于柔性基底10上的第一绝缘层11。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层13，以及位于第二绝缘层13上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在显示区100，至少包括第一栅电极14A、第一电容电极14B和多条栅线(未示出)。本次构图工艺后，第一单元测试区110和第二单元测试区120包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，以及位于第三绝缘层15上的第二栅金属层和第一金属层图案，第二栅金属层图案形成在显示区100，至少包括第二电容电极16A，第二电容电极16A的位置与第一电容电极14B的位置相对应。第一金属层形成在第一单元测试区110，至少包括第一信号线112和第一单元测试电极111图案，第一信号线112用于连接第一单元测试电极111和绑定针区140。本次构图工艺后，第二单元测试区120包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层15。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层17图案，第四绝缘层17上开设有多个第一过孔，多个第一过孔形成在显示区100，其位置分别与第一有源层12A的两端位置相对应，多个第一过孔内的第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层12A的表面。本次构图工艺后，第一单元测试区110包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15、第一金属层和第四绝缘层17。第二单元测试区120包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层17上形成源漏金属层图案和第二金属层图案，源漏金属层形成在显示区100，至少包括第一源电极18A、第一漏电极18B和多条数据线(未示出)图案，第一源电极18A和第一漏电极18B分别通过第一过孔与第一有源层12A连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线(VDD)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种，源漏金属层也称之为第一源漏金属层(SD1)。第二金属层至少包括第二单元测试电极121和第二信号线122图案，其中，第二信号线122同时形成在第一单元测试区110和第二单元测试区120，第二单元测试电极121形成在第二单元测试区120，第二信号线122用于连接第二单元测试电极121和绑定针区140，且第一信号线112在柔性基底10上的正投影和第二信号线122在柔性基底10上的正投影不重叠。在一种示例性实施例中，第一信号线112和第二信号线122相互平行且间隔设置，第一信号线112和第二信号线122的宽度为45至75微米，第一信号线112和第二信号线122之间的间隔为45至75微米。
在一种示例性实施方式中，第一单元测试电极111的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，第二单元测试电极121的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，第一单元测试电极111和第二单元测试电极121之间的距离为400微米至1200微米。本实施例中，如图1所示，第一单元测试电极111或第二单元测试电极121的宽度指的是第一单元测试电极111或第二单元测试电极121在x方向的长度，第一单元测试电极111或第二单元测试电极121的高度指的是第一单元测试电极111或第二单元测试电极121在y方向的长度。
随后，沉积第五绝缘薄膜，形成覆盖源漏金属层的第五绝缘层19图案。
至此，在柔性基底10上制备完成驱动结构层图案，如图5所示。显示区100的驱动结构层包括：位于柔性基底10上的第一绝缘层11，位于第一绝缘层11上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层13，位于第二绝缘层13上的第一栅金属层，覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，位于第三绝缘层15上的第二栅金属层，覆盖第二栅金属层的第四绝缘层17，位于第四绝缘层17上的源漏金属层，覆盖源漏金属层的第五绝缘层19。有源层至少包括第一有源层12A，第一栅金属层至少包括第一栅电极14A和第一电容电极14B，第二栅金属层至少包括第二电容电极16A，源漏金属层至少包括第一源电极18A、第一漏电极18B，第一有源层12A、第一栅电极14A、第一源电极18A和第一漏电极18B组成第一晶体管101，第一电容电极14B和第二电容电极16A组成第一存储电容102。在一示例性实施方式中，第一晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。
第一单元测试区110的驱动结构层包括在柔性基底10上依次叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15，位于第三绝缘层15上的第一金属层，覆盖第一金属层的第四绝缘层17，位于第四绝缘层17上的第二金属层，覆盖第二金属层的第五绝缘层19。
第二单元测试区120的驱动结构层包括在柔性基底10上依次叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层17，位于第四绝缘层17上的第二金属层，覆盖第二金属层的第五绝缘层19。
(3)在第五绝缘层19上开设多个第一开孔20和第二开孔21，多个第一开孔20形成在第一单元测试区110，其位置分别与第一单元测试电极111的位置相对应，多个第一开孔20内的第四绝缘层16被刻蚀掉，分别暴露出第一单元测试电极111的表面。多个第二开孔21形成在第二单元测试区120，其位置分别与第二单元测试电极121的位置相对应，分别暴露出第二单元测试电极121的表面，如图6所示。
在制备完成上述膜层结构后，在显示区100依次形成第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层、像素定义层、有机发光层、阴极和封装层。随后，通过剥离工艺将显示母板从刚性载板1上剥离，然后采用滚轮贴合方式在显示母板背面(柔性基底10远离膜层的一侧表面)贴附一层背膜，完成显示母板的制备。随后，切割设备沿着切割道201进行切割，将显示母板分隔成本公开的显示基板。切割完成后，切割区域200被切割掉，如图1所示。
在一种示例性实施方式中，显示基板区域还可以包括保护膜(Temporary ProtectFilm，TPF)，保护膜贴设在封装层上，保护膜用于保护显示基板的膜层结构，贴附背膜操作是在贴附保护膜后进行。完成切割后，先去除该保护膜，然后在封装层上依次设置触控层和盖板，形成触控显示面板。
本公开中，第一绝缘薄膜、第二绝缘薄膜、第三绝缘薄膜、第四绝缘薄膜和第五绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层，第五绝缘层称之为钝化(PVX)层。第一平坦层和第二平坦层可以采用有机材料。第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜和第四金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
通过本公开显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开实施例通过将第一单元测试电极111和第二单元测试电极121分别位于两个金属层上，缩短了单元测试电极的长度，使得在单元显示面板阶段，具有触控功能的AMOLED显示器的异形切割不会切开单元测试电极，即异形切割仍可在单元显示面板阶段进行，从而释放了模组阶段产能，提升了整体产能。
本公开所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，本示例中，第一金属层与第二栅金属层同层设置，第二金属层与第一源漏金属层同层设置。在其他示例中，第一金属层可以与第一栅金属层同层设置，第二金属层可以与第二栅金属层同层设置；或者，第一金属层可以与第一源漏金属层同层设置，第二金属层可以与第二源漏金属层同层设置。本公开在此不做具体的限定。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，如图7所示，该制备方法包括步骤S1至步骤S3。
其中，步骤S1包括：在刚性载板上形成柔性基底。
步骤S2包括：在柔性基底上形成驱动结构层，驱动结构层包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，第一金属层包括一个或多个第一单元测试电极；第二金属层包括一个或多个第二单元测试电极。
在一种示例性实施例中，第一金属层还包括多条第一信号线，第一信号线的一端与第一单元测试电极连接，另一端与绑定针区连接；第二金属层还包括多条第二信号线，第二信号线的一端与第二单元测试电极连接，另一端与绑定针区连接，第一信号线在柔性基底上的正投影和第二信号线在柔性基底上的正投影不重叠。
在一种示例性实施例中，第一信号线和第二信号线相互平行且间隔设置，第一信号线和第二信号线的宽度为45至75微米，第一信号线和第二信号线之间的间隔为45至75微米。
示例性的，第一信号线的宽度可以为60微米，第二信号线的宽度可以为60微米，第一信号线和第二信号线之间的间隔可以为60微米。
在一种示例性实施例中，第一单元测试电极的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，第二单元测试电极的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，第一单元测试电极和第二单元测试电极之间的距离为400微米至1200微米。本实施例中，第一单元测试电极或第二单元测试电极的宽度指的是第一单元测试电极或第二单元测试电极在x方向的长度，第一单元测试电极或第二单元测试电极的高度指的是第一单元测试电极或第二单元测试电极在y方向的长度。
示例性的，第一单元测试电极的宽度可以为5000微米，高度可以为750微米，第二单元测试电极的宽度可以为5000微米，高度可以为750微米，第一单元测试电极和第二单元测试电极之间的距离可以为750微米。
在一种示例性实施例中，显示基板包括显示区，显示区包括位于柔性基底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的有源层、覆盖有源层的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的第一栅金属层、覆盖第一栅金属层的第三绝缘层、位于第三绝缘层上的第二栅金属层、覆盖第二栅金属层的第四绝缘层、位于第四绝缘层上的第一源漏金属层、覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层。
第一金属层可以与第一栅金属层同层设置，第二金属层可以与第二栅金属层同层设置；或者，第一金属层可以与第二栅金属层同层设置，第二金属层可以与第一源漏金属层同层设置。
步骤S3包括：将柔性基底与刚性载板分离。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本申请中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本申请的权利要求的范围当中。

Claims (14)

1.一种显示基板，包括基底以及位于所述基底一侧的显示区、绑定针区、第一单元测试电极和第二单元测试电极，所述绑定针区位于所述显示区的一侧，所述第一单元测试电极位于所述绑定针区远离所述显示区的一侧，所述第二单元测试电极位于所述第一单元测试电极远离所述绑定针区的一侧；
所述显示基板包括第一金属层、第二金属层以及位于所述第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一单元测试电极位于所述第一金属层上，所述第二单元测试电极位于所述第二金属层上。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一单元测试电极的数量为一个或多个；所述第二单元测试电极的数量为一个或多个。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一金属层还包括多条第一信号线，所述第一信号线的一端与所述第一单元测试电极连接，另一端与所述绑定针区连接；所述第二金属层还包括多条第二信号线，所述第二信号线的一端与所述第二单元测试电极连接，另一端与所述绑定针区连接，所述第一信号线在所述基底上的正投影和所述第二信号线在所述基底上的正投影不重叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第一信号线和所述第二信号线相互平行且间隔设置，所述第一信号线和第二信号线的宽度为45至75微米，所述第一信号线和第二信号线之间的间隔为45至75微米。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述显示区包括触控信号线和数据线；
所述第一单元测试电极通过所述第一信号线连接至所述触控信号线；所述第二单元测试电极通过所述第二信号线连接至所述数据线；或者，
所述第一单元测试电极通过所述第一信号线连接至所述数据线；所述第二单元测试电极通过所述第二信号线连接至所述触控信号线。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一单元测试电极的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，所述第二单元测试电极的宽度为2500微米至7500微米，高度为400微米至1200微米，所述第一单元测试电极和所述第二单元测试电极之间的距离为400微米至1200微米。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示区包括位于所述基底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、覆盖所述有源层的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一栅金属层、覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层、位于所述第三绝缘层上的第二栅金属层、覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层、位于所述第四绝缘层上的第一源漏金属层、覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层；
所述第一金属层与所述第一栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第二栅金属层同层设置；或者，所述第一金属层与所述第二栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第一源漏金属层同层设置。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括阵列测试电极，所述阵列测试电极位于所述第二单元测试电极远离所述第一单元测试电极的一侧；
所述阵列测试电极位于所述第一金属层上或者所述第二金属层上。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括第三信号线，所述第三信号线的一端与所述阵列测试电极连接，另一端与所述绑定针区连接；所述第三信号线与所述阵列测试电极同层设置。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述第一单元测试电极的数量为两个，所述第二单元测试电极的数量为两个，所述第三信号线位于两个所述第一单元测试电极之间，且所述第三信号线位于两个所述第二单元测试电极之间。
11.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括第四信号线，所述第四信号线的一端与所述阵列测试电极连接，另一端与所述第一单元测试电极和/或第二单元测试电极连接。
12.一种显示装置，包括：如权利要求1至11任一所述的显示基板。
13.一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：
在刚性载板上形成柔性基底；
在所述柔性基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括第一金属层、第二金属层以及位于所述第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层包括一个或多个第一单元测试电极；所述第二金属层包括一个或多个第二单元测试电极；
将所述柔性基底与所述刚性载板分离。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其中，所述显示基板包括显示区，所述显示区的驱动结构层包括位于所述柔性基底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、覆盖所述有源层的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一栅金属层、覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层、位于所述第三绝缘层上的第二栅金属层、覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层、位于所述第四绝缘层上的第一源漏金属层、覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层；所述第一金属层与所述第一栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第二栅金属层同层设置；或者，所述第一金属层与所述第二栅金属层同层设置，所述第二金属层与所述第一源漏金属层同层设置。
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