CN114447173A - 发光器件及其制备方法、发光装置 - Google Patents
发光器件及其制备方法、发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114447173A CN114447173A CN202210109375.6A CN202210109375A CN114447173A CN 114447173 A CN114447173 A CN 114447173A CN 202210109375 A CN202210109375 A CN 202210109375A CN 114447173 A CN114447173 A CN 114447173A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- emitting device
- light
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 190
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 179
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 28
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 19
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 223
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019080 Mg-H Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制备方法、发光装置。
背景技术
微显示技术作为“次世代显示技术”，是显示领域众多企业对高清及超高清显示效果的追求目标，是半导体、面板、检测设备等产业大力研发的高端显示技术。而微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)作为可为微显示产品提供光源的器件，凭借体积小、亮度高、功耗低、寿命长、响应速度快、可实现更高对比度及色彩饱和度等特性，被认为是比有机发光二极管更适合微显示技术的选择。
发明内容
本公开提供了一种发光器件，包括：外延层，设置在所述外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在所述器件电极背离所述外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；
其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。
在一种可选的实现方式中，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触。
在一种可选的实现方式中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧还具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触。
在一种可选的实现方式中，所述第一凸出部与所述第二凸出部分别靠近所述测试电极相对的两个端面设置，所述端面连接所述测试电极靠近所述器件电极一侧的表面以及背离所述器件电极一侧的表面。
在一种可选的实现方式中，所述第二凸出部与所述外延层之间的距离大于或等于10微米。
在一种可选的实现方式中，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面尺寸大于或等于35微米。
在一种可选的实现方式中，在所述测试电极背离所述器件电极的一侧还设置有第二衬底，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面与所述第二衬底相互接触；
所述测试电极包括测试区域，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸。
在一种可选的实现方式中，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于或等于35微米。
在一种可选的实现方式中，所述第一凸出部与所述器件电极相互接触的表面尺寸小于或等于5微米。
在一种可选的实现方式中，所述测试电极的材料包括金属氧化物。
在一种可选的实现方式中，所述至少一个器件电极包括第一器件电极和第二器件电极，所述外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一引出电极、第二引出电极和绝缘层；
其中，所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；所述发光层、所述第二半导体层、所述第一引出电极、所述绝缘层以及所述第一器件电极依次层叠设置在所述第一区域的一侧，所述发光层靠近所述第一区域设置，所述第一器件电极与所述第一引出电极通过设置在所述绝缘层上的第一过孔连接；所述第二引出电极、所述绝缘层和所述第二器件电极依次层叠设置在所述第二区域的一侧，所述第二引出电极靠近所述第二区域设置，所述第二器件电极与所述第二引出电极通过设置在所述绝缘层上的第二过孔连接；
所述至少一个可剥离的测试电极包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一器件电极对应连接，所述第二测试电极与所述第二器件电极对应连接。
在一种可选的实现方式中，所述第二过孔靠近所述外延层的至少一个侧面设置，所述侧面连接所述外延层靠近所述器件电极一侧的表面以及远离所述器件电极一侧的表面。
在一种可选的实现方式中，所述绝缘层背离所述第一区域一侧的表面与所述绝缘层背离所述第二区域一侧的表面高度一致。
在一种可选的实现方式中，所述外延层还包括以下膜层至少之一：
缓冲层，设置在所述第一半导体层背离所述器件电极的一侧；
阻挡层，设置在所述发光层与所述第二半导体层之间；
扩展层，设置在所述第二半导体层与所述第一引出电极之间，所述扩展层与所述第二半导体层之间的接触面积大于所述扩展层与所述第一引出电极之间的接触面积。
本公开提供了一种发光器件的制备方法，包括：
提供外延层；
在所述外延层的一侧形成至少一个器件电极；
在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件，所述第一发光器件为任一实施例提供的发光器件；
其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。
在一种可选的实现方式中，在所述得到第一发光器件的步骤之后，还包括：
剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件。
在一种可选的实现方式中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件的步骤，包括：
在所述第一衬底靠近所述器件电极一侧的表面以及所述器件电极背离所述第一衬底一侧的表面上图案化形成第一电极材料膜层；
对所述第一电极材料膜层靠近所述第一衬底以及所述器件电极一侧的表面进行刻蚀，形成所述第一凸出部和所述第二凸出部，得到所述第一发光器件；其中，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触；
所述剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件的步骤，包括：
提供第三衬底；
将所述测试电极背离所述第一衬底一侧的表面与所述第三衬底通过第一胶膜进行贴合，得到第三发光器件；
剥离所述第三发光器件中的所述第一衬底，以使所述外延层背离所述器件电极一侧的表面裸露；
提供第四衬底；
将所述外延层背离所述器件电极一侧的表面与所述第四衬底通过第二胶膜进行贴合，所述第四衬底的贴合面上设置有避让槽，所述避让槽用于防止所述第四衬底与所述第二凸出部发生接触，所述第二胶膜为可解胶胶膜；
剥离所述第三衬底以及所述测试电极，得到第四发光器件；
对所述第二胶膜进行解胶处理，剥离所述第四衬底，得到所述第二发光器件。
在一种可选的实现方式中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件的步骤，包括：
提供第二衬底；
在所述第二衬底的一侧形成第二电极材料膜层；
将所述器件电极背离所述外延层一侧的表面与所述第二电极材料膜层进行贴合；
对所述第二电极材料膜层靠近所述器件电极一侧的表面进行刻蚀，形成所述第一凸出部和所述测试区域，得到第五发光器件；其中，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸；
剥离所述第五发光器件中的所述第一衬底，以使所述外延层背离所述器件电极一侧的表面裸露，得到所述第一发光器件；
所述剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件的步骤，包括：
提供第五衬底；
将所述外延层背离所述器件电极一侧的表面与所述第五衬底通过第三胶膜进行贴合，所述第三胶膜为可解胶胶膜；
剥离所述第二衬底以及所述测试电极，得到第六发光器件；
对所述第三胶膜进行解胶处理，剥离所述第五衬底，得到所述第二发光器件。
本公开提供了一种发光装置，包括任一实施例提供的制备方法制备得到的发光器件。
上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。需要说明的是，附图中的比例仅作为示意并不代表实际比例。
图1示出了相关技术中晶圆的区块划分示意图和区块内波长分布示意图；
图2示出了本公开实施例提供的第一种发光器件的剖面结构示意图；
图3示出了本公开实施例提供的一种外延层的制备流程示意图；
图4示出了本公开实施例提供的第一种发光器件的部分制备流程示意图；
图5示出了本公开实施例提供的第一种发光器件母板的测试结构示意图；
图6示出了本公开实施例提供的第一种发光器件的部分制备流程示意图；
图7示出了本公开实施例提供的第一种发光器件的部分制备流程示意图；
图8示出了本公开实施例提供的第一种发光器件的部分制备流程示意图；
图9示出了本公开实施例提供的第二种发光器件的剖面结构示意图；
图10示出了本公开实施例提供的第二种发光器件的部分制备流程示意图；
图11示出了本公开实施例提供的第二种发光器件的部分制备流程示意图；
图12示出了本公开实施例提供的第二种发光器件的部分制备流程示意图；
图13示出了本公开实施例提供的第二种发光器件母板的测试结构示意图；
图14示出了本公开实施例提供的第二种发光器件的部分制备流程示意图；
图15示出了本公开实施例提供的一种发光器件母板内各发光器件的电学参数分布示意图；
图16示出了本公开实施例提供的一种根据电学参数分布对发光器件进行分选的示意图；
图17示出了本公开实施例提供的一种外延层的剖面结构示意图；
图18示出了本公开实施例提供的一种发光层的剖面结构示意图；
图19示出了本公开实施例提供的两种发光器件的平面结构示意图；
图20示出了本公开实施例提供的两种发光器件的侧面结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
根据检测原理的不同，针对发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电特性的测试可以分为非接触式光致发光测试和接触式电致发光测试两类。
其中，非接触式光致发光测试是利用光致发光的原理，通过紫外光激发LED芯片，在不接触LED芯片的情况下，实现对LED芯片波长和亮度的检测。由于非接触式光致发光测试无法测试电压等电学参数，因此无法检出电性有问题的芯片。另外，由于采用非接触式光致发光的方式测得的波长和亮度是通过算法计算得出的，因此在测试准确度方面较差。
接触式电致发光测试是利用电流驱动的原理，在LED芯片的正负极上分别施加电流，以实现对芯片波长、亮度和电压等参数的全方位测试。然而，由于LED芯片的正负极尺寸非常小，导致无法采用传统探针式电性测试设备对其进行测试，并且即使可以采用传统探针式电性测试设备对其进行测试，在测试过程中极易造成芯片的损伤及断裂。
相关技术中，为了对LED芯片进行电性测试，通常将LED的整片晶元划分为多个电性连接的区块，区块的正负极与外部测试设备电性连接，实现对区块内芯片的批量测试。由于该方案是将区块内的所有芯片一起点亮，因此无法测得每颗芯片的准确光电信息，进而无法实现波长、亮度和电压的精确测试和分选。参照图1中的左图示出了相关技术中晶圆的区块划分示意图。从图1中的右图示出了区块内波长的分布示意图。由图1可以看出，在所划分的区块内，LED光电参数的均一性很差。根据实际测试数据，在尺寸为1.52cm*1.52cm的区块内，波长极差在1.5nm以内的占比为2.25％，波长极差在3nm以内的占比为28.21％，剩余69.54％的波长极差在3～5nm的范围内，因此，采用区块的整体测试结果无法准确表征区块内每颗芯片的信息。另外，图1右图所示仅是单一波长的分布情况，如果把亮度和电压等参数也考虑在内，区块内的光电参数均一性将会变得更差，甚至是无法使用的。
综上，非接触式光致发光测试存在电学不良器件漏检以及测试准确度低的问题，而接触式电致发光测试又由于芯片电极尺寸过小，存在检测难度高且容易造成芯片损伤及断裂的问题。因此，目前尚无可以对单颗LED芯片进行光电参数精确测试的技术，导致以LED芯片为原物料的产品良率较低，返修率高，并且由于无法实现波长、亮度和电压等参数的精确分选，使得实际制作的终端产品的亮度及色度一致性很差，所达成的光学品质无法满足要求。
为了解决上述问题，本公开提供了一种发光器件，参照图2和图9示出了本公开提供的第一种发光器件的剖面结构示意图。如图2所示，该发光器件包括：外延层21，设置在外延层21同一侧的至少一个器件电极22，以及设置在器件电极22背离外延层21一侧的至少一个可剥离的测试电极23。
其中，测试电极23与器件电极22对应连接，测试电极23在外延层21所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极22在外延层21所在平面上的正投影面积。
由于测试电极23与器件电极22对应连接，并且测试电极23在外延层21所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极22在外延层21所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
采用本公开技术方案，可以对每一个发光器件都进行精确电性测试，从而可以根据测试结果对发光器件进行分选；可以根据测试结果选择波长、亮度和电压一致性高的发光器件，使得发光器件原物料的波长均一性满足±1nm的需求；根据测试结果可以确保发光器件原物料的良率接近100％，提升后段产品的良率，实现在具有数百万个发光器件的终端产品制作中达成99.9999％的良率控制，使得采用本公开提供的发光器件的微显示产品满足工业批量生产的需求，推动微显示产品真正走向市场。
另外，测试电极的设置使得测试设备的探针无需直接接触器件电极，探针直接施加在测试电极上即可完成测试，从而可以降低器件电极以及外延层在测试过程中发生损伤或断裂的概率。
由于测试电极可剥离地设置在器件电极背离外延层21的一侧，因此在测试完成之后可以对测试电极进行剥离，从而不会影响发光器件的后续使用。
在具体实现中，测试电极23的材料可以包括金属以及金属氧化物等导电材料。当测试电极23的材料选用氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium ZincOxide,IZO)以及氧化石墨烯等金属氧化物时，剥离强度较小，采用较小的剥离力度就可以将测试电极23从器件电极22的表面进行剥离，降低器件电极22或者外延层21在剥离过程中发生破损的概率。
为了进一步降低剥离强度，如图2和图9所示，测试电极23靠近器件电极22的一侧可以具有第一凸出部A，第一凸出部A靠近器件电极22一侧的表面与器件电极22相互接触。
通过设置第一凸出部A与器件电极22相互接触，可以降低测试电极23与器件电极22之间的接触面积，降低剥离强度，从而可以进一步降低器件电极22或者外延层21在剥离过程中发生破损的概率。
可选地，第一凸出部A与器件电极22相互接触的表面尺寸小于或等于5微米，本公开对此不作限定。
在具体实现中，测试电极23的具体结构可以有多种实现方式。
在第一种可选的实现方式中，如图2所示，在外延层21背离器件电极22的一侧还设置有第一衬底20，测试电极23靠近器件电极22的一侧还可以具有第二凸出部B。第二凸出部B靠近第一衬底20一侧的表面可以与第一衬底20相互接触。
其中，第一衬底20可以包括蓝宝石衬底或者玻璃衬底等，本公开对此不作限定。
第一衬底20的厚度可以大于或等于500微米且小于或等于650微米。
第一衬底20的表面可以进行抛光处理。
本实现方式中，第二凸出部B起到辅助支撑的作用，可以提高测试过程中测试电极的稳定性，确保测试电极与器件电极之间，以及测试电极与测试设备的探针之间在测试过程中保持良好接触。
可选地，第一凸出部A与第二凸出部B分别靠近测试电极23相对的两个端面设置，端面连接测试电极23靠近器件电极22一侧的表面以及背离器件电极22一侧的表面。
在图2中，测试电极23靠近器件电极22一侧的表面为测试电极23的下表面，测试电极23背离器件电极22一侧的表面为测试电极23的上表面。
第一凸出部A靠近测试电极23的右侧端面设置，第二凸出部B靠近测试电极23的左侧端面设置。
这样的设置方式可以进一步提高测试电极的稳定性，并且降低刻蚀形成第一凸出部A与第二凸出部B的工艺复杂度。
为了降低剥离强度，第二凸出部B与外延层21之间可以无接触。可选地，第二凸出部B与外延层21之间的距离d可以大于或等于10微米。
对于图2所示的发光器件，测试设备的探针可以施加在测试电极23背离器件电极22一侧的表面上，如图5所示。
在具体实现中，为了满足测试设备的要求，图2中测试电极23背离器件电极22一侧的表面尺寸可以大于或等于35微米。
如图19所示，在平行于第一衬底的平面内，当器件电极22的尺寸为8微米×24微米时，本实现方式中测试电极23背离器件电极22一侧的表面尺寸例如可以为35微米×55微米。
在第二种可选的实现方式中，如图9所示，在测试电极23背离器件电极22的一侧还设置有第二衬底91。测试电极23背离器件电极22一侧的表面可以与第二衬底91相互接触。
如图9所示，测试电极23可以包括测试区域，测试区域在第二衬底91上的正投影与器件电极22以及外延层21在第二衬底91上的正投影均无交叠。
其中，测试区域背离第二衬底91一侧的表面尺寸大于器件电极22靠近第二衬底91一侧的表面尺寸。
其中，第二衬底91可以包括蓝宝石衬底或者玻璃衬底等，本公开对此不作限定。
对于图9所示的发光器件，测试设备的探针可以施加在测试区域23背离第二衬底91一侧的表面上，如图13所示。
在具体实现中，为了满足测试设备的要求，图9中测试区域背离第二衬底91一侧的表面尺寸可以大于或等于35微米。
如图19所示，在平行于第二衬底的平面内，当器件电极22的尺寸为8微米×24微米时，本实现方式中测试区域背离第二衬底91一侧的表面尺寸例如可以为35微米×55微米。
在具体实现中，如图2和图9所示，至少一个器件电极22可以包括第一器件电极221和第二器件电极222。在图2和图9中，第一器件电极221为正极，第二器件电极222为负极。在实际应用中，还可以设置第一器件电极221为负极，第二器件电极222为正极，具体可以根据外延层21的具体结构设计。
相应地，至少一个可剥离的测试电极23可以包括第一测试电极231和第二测试电极232，第一测试电极231与第一器件电极221对应连接，第二测试电极232与第二器件电极222对应连接。
如图2、图9和图17所示，外延层21可以包括第一半导体层24、发光层25、第二半导体层26、第一引出电极27、第二引出电极28和绝缘层29。
其中，第一半导体层24包括第一区域和第二区域；发光层25、第二半导体层26、第一引出电极27、绝缘层29以及第一器件电极221依次层叠设置在第一区域的一侧，发光层25靠近第一区域设置，第一器件电极221与第一引出电极27通过设置在绝缘层29上的第一过孔连接；第二引出电极28、绝缘层29和第二器件电极222依次层叠设置在第二区域的一侧，第二引出电极28靠近第二区域设置，第二器件电极222与第二引出电极28通过设置在绝缘层29上的第二过孔连接。
其中，第一半导体层24例如可以为N型GaN，由掺杂了Si的GaN制成，厚度可以为364埃，第一半导体层24的作用是提供电子。
发光层25可以为多层量子阱结构，具体可以包括多组由InGaN和GaN组成的势垒势阱对，势垒势阱对的数量例如可以为8组，如图18所示。其中，InGaN的厚度可以为25埃，GaN的厚度可以为130埃。当势垒势阱对的数量为8组时，发光层25的总厚度为1240埃。
第二半导体层26例如可以为P型GaN，由掺杂了Mg的GaN制成，厚度可以为3400埃，第二半导体层26的作用是提供空穴。
第一半导体层24提供的电子与第二半导体层26提供的空穴在发光层25发生聚合，从而产生光子。
第一引出电极27和第二引出电极28可以由Al/Ti/Pt/Au制成，总厚度为9000埃。第一引出电极27和第二引出电极28用于连接发光器件的内部电路。
绝缘层29例如可以由氧化硅制成，厚度可以为4000埃。绝缘层29用于隔离发光器件内部非导通位置，防止发生短路。
第一器件电极221和第二器件电极222可以由Al/Ti/Pt/Au制成，厚度可以为2μm。第一器件电极221和第二器件电极222用于连接外部电路。
参照图19示出了两种发光器件的平面结构示意图。在一种可选的实现方式中，如图19中的b图所示，第二过孔h2靠近外延层21的至少一个侧面设置，侧面连接外延层21靠近器件电极22一侧的表面以及远离器件电极22一侧的表面。
在具体实现中，第二过孔h2可以靠近外延层21的一个侧面或者多个侧面设置，例如，在图19的b图中，第二过孔h2靠近外延层21的两个侧面，即右侧面和上侧面设置。
由于第二过孔h2位于第二区域范围内，因此第二区域也靠近外延层21的一个侧面或者多个侧面设置。这样，一方面可以降低刻蚀形成第二过孔的工艺复杂度；另一方面可以降低第二区域的占用面积，从而可以增大发光层25的面积，提高发光效率。
在具体实现中，第二过孔h2也可以位于外延层21中间的位置，如图19的a图所示。
参照图20示出了两种发光器件的侧面结构示意图。在一种可选的实现方式中，如图20中的b图所示，绝缘层29背离第一区域一侧的表面与绝缘层29背离第二区域一侧的表面高度一致。
由于绝缘层29背离发光层25一侧的表面具有反射光线的作用，因此当绝缘层29背离第一区域一侧的表面与绝缘层29背离第二区域一侧的表面高度一致时，一方面可以提高光形对称性，另一方面可以提高第一器件电极221和第二器件电极222的焊接效果。
在具体实现中，绝缘层29背离第一区域一侧的表面与绝缘层29背离第二区域一侧的表面的高度也可以不一致，如图20的a图所示，这种情况下可能导致光形对称性差。
如图2、图9和图17所示，外延层21还可以包括缓冲层210。该缓冲层210可以设置在第一半导体层24背离器件电极22的一侧。
在具体实现中，缓冲层210可以设置在第一衬底20与第一半导体层24之间。缓冲层210用于改善第一衬底20与第一半导体层24材料之间的晶格常数失配。
当第一衬底20的材料为蓝宝石，第一半导体层24为N型GaN时，缓冲层210可以由GaN材料制成，厚度可以250埃。此时缓冲层210可以改善蓝宝石与N型GaN材料之间的晶格常数失配。
如图2、图9和图17所示，外延层21还可以包括阻挡层211。该阻挡层211可以设置在发光层25与第二半导体层26之间。
阻挡层211例如可以为电子阻挡层。当第二半导体层26为P型GaN时，阻挡层211可以设置在发光层25与第二半导体层26之间，用于阻挡电子泄露到p型区域即第二半导体层26中，从而可以提高发光层25中电子和空穴的有效复合，提高发光效率。阻挡层211可以由AlGaN制成，厚度可以为232埃。
如图2和图9所示，外延层21还可以包括扩展层212。该扩展层212可以设置在第二半导体层26与第一引出电极27之间，扩展层212与第二半导体层26之间的接触面积大于扩展层212与第一引出电极27之间的接触面积。
扩展层212例如可以由氧化铟锡制成，厚度可以为1000埃。扩展层212可以对电流进行扩展，降低第二半导体层26与第一引出电极27之间的接触电阻。
本公开还提供了一种发光器件的制备方法，包括：
步骤S01：提供外延层。
在一种可选的实现方式中，如图3所示，步骤S01具体可以包括以下步骤：
第1步：对第一衬底20进行高温除杂。具体地，可以将气相外延生长反应室炉温升至1200℃，通入氢气，高温燃烧除去第一衬底如蓝宝石衬底上的杂质，时长为10分钟。参照图3中的a示出了第一衬底的结构示意图。
第2步：在第一衬底20上生长缓冲层210，参照图3中的b示出了完成缓冲层210制作的剖面结构示意图。具体地，可以将气相外延生长反应室炉温降低至530℃，在第一衬底20上生长一层厚度为250埃的GaN，时长为3分钟；之后可以将炉温升至1150℃，将低温生长的非晶GaN在高温作用下转变为多晶GaN。
第3步：在缓冲层210上生长第一半导体材料层31，参照图3中的c示出了完成第一半导体材料层制作的剖面结构示意图。具体地，可以将炉温控制至1160℃，在缓冲层210上生长厚度为364埃的N型GaN，同时掺杂Si，时长为1小时。其中Si的掺杂浓度可以为5×108/cm3。
第4步：在第一半导体材料层31上生长发光材料层32，参照图3中的d示出了完成发光材料层制作的剖面结构示意图。具体地，可以将炉温降至750℃，依次生长一层InGaN和一层GaN，形成一组势垒势阱对；连续生长8组InGaN和GaN构成的势垒势阱对，整个发光材料层32的厚度可以为1240埃，用时为80分钟。
第5步：在发光材料层32上生长电子阻挡材料层33，参照图3中的e示出了完成电子阻挡材料层制作的剖面结构示意图。具体地，可以将炉温升至1000℃，生长厚度为232埃的AlGaN，用时5分钟。
第6步：在电子阻挡材料层33上生长第二半导体材料层34，参照图3中的f示出了完成第二半导体材料层制作的剖面结构示意图。具体地，可以将炉温升至930℃，生长厚度为3400埃P型GaN的同时掺杂Mg，时长为20分钟。之后可以将炉温降至600℃，加热20分钟，打破Mg-H健，激活Mg的导电性。之后将炉温降至150℃，保持时长为30min。其中Mg的掺杂浓度可以为5×1019/cm3。
第7步：采用曝光和刻蚀工艺，对第二半导体材料层34、电子阻挡材料层33以及发光材料层32进行处理，使得第二区域的第一半导体层24漏出，同时形成位于第一半导体层24的第一区域上的发光层25、阻挡层211和第二半导体层26，得到如图3中的g所示的剖面结构示意图。其中，第二区域的面积例如可以为3微米×3微米的矩形区域。
第8步：在第二半导体层26上生长扩展层212，参照图3中的h示出了完成扩展层212制作的剖面结构示意图。具体地，可以采用蒸镀或溅射工艺，图案化形成厚度为1000埃的扩展层212。
第9步：在扩展层212上形成第一引出电极27，在第二区域的第一半导体层24上形成第二引出电极28，参照图3中的i示出了完成第一引出电极27和第二引出电极28制作的剖面结构示意图。具体地，可以采用蒸镀工艺，制作材料可以选用Al/Ti/Pt/Au，第一引出电极27和第二引出电极28的厚度可以为9000埃。
第10步：形成绝缘层29，得到形成在第一衬底上的外延层21，参照图3中的j示出了完成绝缘层29制作的剖面结构示意图。具体地，可以采用蒸镀工艺，使用氧化硅材料制作厚度为4000埃的绝缘层29。
步骤S02：在外延层的一侧形成至少一个器件电极。
参照图3中的k示出了完成器件电极制作的剖面结构示意图。
在具体实现中，可以采用蒸镀工艺，使用Al/Ti/Pt/Au图案化形成厚度为2微米的器件电极。如图3中的k所示，器件电极22包括第一器件电极221和第二器件电极222。
步骤S03：在器件电极背离外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件。该第一发光器件可以为上述任一项提供的发光器件。
如图2和图9所示，测试电极23与器件电极22对应连接，测试电极23在外延层21所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极22在外延层21所在平面上的正投影面积。
在具体实现中，在步骤S03之后，还可以包括以下步骤：
步骤S04：剥离第一发光器件中的测试电极23，得到第二发光器件。
在具体实现中，步骤S03和步骤S04可以有多种实现方式。
在第一种可选的实现方式中，如图3中的k所示，在外延层21背离器件电极22的一侧还设置有第一衬底20，这种情况下，步骤S03可以包括以下步骤：
步骤S11：在第一衬底20靠近器件电极22一侧的表面以及器件电极22背离第一衬底20一侧的表面上图案化形成第一电极材料膜层35，如图4中的a所示。其中，第一电极材料膜层35的厚度可以为8微米。
步骤S12：对第一电极材料膜层35靠近第一衬底20以及器件电极22一侧的表面进行刻蚀，形成第一凸出部A和第二凸出部B，得到如图4中的b或图2所示的第一发光器件。其中，第一凸出部A靠近器件电极22一侧的表面与器件电极22相互接触，第二凸出部B靠近第一衬底20一侧的表面与第一衬底20相互接触。
在具体实现中，在第一衬底20上可以同时形成多个如图2所示的第一发光器件，得到如图5所示的母板结构。如图5所示，可以将测试设备的探针施加在各发光器件的测试电极23背离第一衬底20的一侧表面上，从而可以对单个发光器件进行电学性能测试，测得波长、亮度以及电压等参数。根据母板结构中的每一个发光器件的光电参数测试结果以及卡控条件，绘制得到如图15所示的电学参数分布示意图。
相应地，参照图6至图8，步骤S04可以包括以下步骤：
步骤S13：提供第三衬底61。
其中，第三衬底61可以包括蓝宝石衬底或者玻璃衬底等，本公开对此不作限定。
步骤S14：将测试电极23背离第一衬底20一侧的表面与第三衬底61通过第一胶膜62进行贴合(如图6中的a所示)，得到第三发光器件(如图6中的b所示)。
在具体实现中，可以首先对第一发光器件进行显微镜检测，确认外观是否正常。通过外观检测之后，可以在真空环境下，将测试电极23背离第一衬底20一侧的表面与涂覆有第一胶膜62的第三衬底61进行对位贴合。在对位贴合的过程中可以对贴合机台的温度、压力以及键合时间等参数进行调整，以达到理想贴合效果。
在贴合的过程中，测试电极23可以起到辅助支撑的作用，避免器件电极22或外延层21在贴合压力的作用下发生破损。
步骤S15：剥离第三发光器件中的第一衬底20，以使外延层21背离器件电极22一侧的表面裸露。
当第一衬底20为蓝宝石衬底时，如图7中的a所示，可以采用波长为266nm的固体激光照射第一衬底20背离外延层21的一侧，利用光子能量介于蓝宝石带隙和GaN带隙之间的高能脉冲激光束穿透蓝宝石衬底，对蓝宝石衬底与外延生长的GaN材料的交界面进行均匀扫描；GaN层大量吸收光子能量，并分解形成液态Ga和氮气，实现蓝宝石衬底和GaN膜层间的分离。之后借助镊子或其它剥离设备，可以将蓝宝石衬底即第一衬底从外延层上取下，实现第一衬底的剥离，如图7中的b和c所示。
步骤S16：提供第四衬底81。
其中，第四衬底81可以包括蓝宝石衬底或者玻璃衬底等，本公开对此不作限定。
步骤S17：将外延层21背离器件电极22一侧的表面与第四衬底81通过第二胶膜82进行贴合，如图8中的a所示。贴合得到的结构如图8中的b所示。其中，第四衬底81的贴合面上设置有避让槽，避让槽用于防止第四衬底81与第二凸出部B发生接触，第二胶膜82为可解胶胶膜。
其中，避让槽可以使第二凸出部B悬空，确保第二凸出部B与第四衬底81不接触，便于后续测试电极的剥离。
可选地，在平行于第四衬底81的平面内，避让槽的尺寸可以比第二凸出部的尺寸大3微米，该数值可以根据贴合对位的精度等因素进行调整。
其中，第二胶膜82例如可以为经过光照后可解胶的胶膜。
步骤S18：剥离第三衬底61以及测试电极23(如图8中的c所示)，得到第四发光器件(如图8中的d所示)。
具体地，可以应用机械力，将第三衬底61以及测试电极23一并移除。
步骤S19：对第二胶膜82进行解胶处理(如图8中的e所示)，剥离第四衬底81(如图8中的f所示)，得到第二发光器件(如图8中的g所示)。
具体地，可以采用激光照射第四衬底81背离第二胶膜82的一侧，在光照作用下第二胶膜82发生解胶反应，从而可以对第四衬底81进行剥离，得到第二发光器件。之后可以根据图15所示的电学参数分布示意图，对第二发光器件进行分选，形成不同级别的发光器件物料，如图16所示。
在第二种可选的实现方式中，如图3中的k所示，在外延层21背离器件电极22的一侧还设置有第一衬底20，参照图10至图12，步骤S03可以包括以下步骤：
步骤S21：提供第二衬底91，如图10中的a所示。
步骤S22：在第二衬底91的一侧形成第二电极材料膜层101，如图10中的b所示。
需要说明的是，为了提高第二电极材料膜层101的附着力，可以在第二衬底91与第二电极材料膜层101之间设置胶层100，如图10中的b所示。
在具体实现中，可以首先清洗第二衬底91，之后在第二衬底91上涂覆耐高温的胶层100，再在胶层100上蒸镀厚度为4μm的第二电极材料膜层101。
步骤S23：将器件电极22背离外延层21一侧的表面与第二电极材料膜层101进行贴合，如图11中的a所示。贴合后得到如图11中的b所示的结构。
步骤S24：对第二电极材料膜层101靠近器件电极22一侧的表面进行刻蚀，形成第一凸出部A和测试区域，得到第五发光器件(如图11中的c所示)。
其中，第一凸出部A和测试区域可以参照图9中的相关描述，这里不再赘述。
第一凸出部A靠近器件电极22一侧的表面与器件电极22相互接触，测试区域在第二衬底91上的正投影与器件电极22以及外延层21在第二衬底91上的正投影均无交叠，测试区域背离第二衬底91一侧的表面尺寸大于器件电极22靠近第二衬底91一侧的表面尺寸。
步骤S25：剥离第五发光器件中的第一衬底20，以使外延层21背离器件电极22一侧的表面裸露，得到如图9所示的第一发光器件。
在具体实现中，当第一衬底20为蓝宝石衬底时，如图12中的a所示，可以采用波长为266nm的固体激光照射第一衬底20背离外延层21的一侧，利用光子能量介于蓝宝石带隙和GaN带隙之间的高能脉冲激光束穿透蓝宝石衬底，对蓝宝石衬底与外延生长的GaN材料的交界面进行均匀扫描；GaN层大量吸收光子能量，并分解形成液态Ga和氮气，实现蓝宝石衬底和GaN膜层间的分离。之后借助镊子或其它剥离设备，可以将蓝宝石衬底即第一衬底从外延层上取下，实现第一衬底的剥离，如图12中的b和c所示。
在具体实现中，在第一衬底上可以同时形成多个如图9所示的第一发光器件，得到如图13所示的母板结构。如图13所示，可以将测试设备的探针施加在发光器件的测试电极23背离第二衬底91的一侧表面上，可以对单个发光器件都进行电学性能测试，测得波长、亮度以及电压等参数。根据母板结构中的每一个发光器件的光电参数测试结果以及卡控条件，绘制得到如图15所示的电学参数分布示意图。
相应地，参照图14，步骤S04可以包括以下步骤：
步骤S26：提供第五衬底141。
其中，第五衬底141可以包括蓝宝石衬底或者玻璃衬底等，本公开对此不作限定。
步骤S27：将外延层21背离器件电极22一侧的表面与第五衬底141通过第三胶膜142进行贴合(如图14中的a所示)，第三胶膜142为可解胶胶膜。贴合后得到如图14中b所示的结构。
在贴合的过程中，测试电极23可以起到辅助支撑的作用，避免器件电极或外延层在贴合压力的作用下发生破损。
步骤S28：剥离第二衬底91以及测试电极23(如图14中的c所示)，得到第六发光器件(如图14中的d所示)。
步骤S29：对第三胶膜142进行解胶处理(如图14中的e所示)，剥离第五衬底141(如图14中的f所示)，得到第二发光器件(如图14中的g所示)。
具体地，可以采用激光照射第五衬底141背离第三胶膜142的一侧，在光照作用下第三胶膜142发生解胶反应，从而可以对第五衬底141进行剥离，得到第二发光器件。之后可以根据图15所示的电学参数分布示意图，对第二发光器件进行分选，形成不同级别的发光器件物料，如图16所示。
需要说明的是，本文中所述的厚度，指的是在垂直于对应膜层所在平面的方向上的尺寸。
需要说明的是，在实际工艺中，由于工艺条件的限制或其他因素，上述各特征中的相同并不能完全相同，可能会有一些偏差，因此上述各特征之间的相同关系只要大致满足上述条件即可，均属于本公开的保护范围。例如，上述相同可以是在误差允许范围之内所允许的相同。
本公开还提供了一种发光装置，包括上述任一实施例提供的制备方法制备得到的发光器件。
具体地，该发光装置可以包括上述制备方法制备得到以下发光器件中的至少之一：第一发光器件、第二发光器件、第三发光器件、第四发光器件、第五发光器件和第六发光器件。
本领域技术人员可以理解，该发光装置具有前面所述发光器件的优点。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置作为光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，发光器件用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例性地，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器、电视、广告牌、具有显示功能的激光打印机、电话、手机、电子纸、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、膝上型计算机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、导航仪、便携式摄录机、取景器、车辆、大面积墙壁、剧院的屏幕或体育场标牌等。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本公开所提供的一种发光器件及其制备方法、发光装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本公开的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本公开的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本公开的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本公开的限制。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
本文中所称的“一个实施例”、“实施例”或者“一个或者多个实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本公开的至少一个实施例中。此外，请注意，这里“在一个实施例中”的词语例子不一定全指同一个实施例。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本公开的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本公开可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (19)
1.一种发光器件，包括：外延层，设置在所述外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在所述器件电极背离所述外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；
其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧还具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一凸出部与所述第二凸出部分别靠近所述测试电极相对的两个端面设置，所述端面连接所述测试电极靠近所述器件电极一侧的表面以及背离所述器件电极一侧的表面。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第二凸出部与所述外延层之间的距离大于或等于10微米。
6.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面尺寸大于或等于35微米。
7.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在所述测试电极背离所述器件电极的一侧还设置有第二衬底，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面与所述第二衬底相互接触；
所述测试电极包括测试区域，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于或等于35微米。
9.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一凸出部与所述器件电极相互接触的表面尺寸小于或等于5微米。
10.根据权利要求1至9任一项所述的发光器件，其中，所述测试电极的材料包括金属氧化物。
11.根据权利要求1至9任一项所述的发光器件，其中，所述至少一个器件电极包括第一器件电极和第二器件电极，所述外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一引出电极、第二引出电极和绝缘层；
其中，所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；所述发光层、所述第二半导体层、所述第一引出电极、所述绝缘层以及所述第一器件电极依次层叠设置在所述第一区域的一侧，所述发光层靠近所述第一区域设置，所述第一器件电极与所述第一引出电极通过设置在所述绝缘层上的第一过孔连接；所述第二引出电极、所述绝缘层和所述第二器件电极依次层叠设置在所述第二区域的一侧，所述第二引出电极靠近所述第二区域设置，所述第二器件电极与所述第二引出电极通过设置在所述绝缘层上的第二过孔连接；
所述至少一个可剥离的测试电极包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一器件电极对应连接，所述第二测试电极与所述第二器件电极对应连接。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第二过孔靠近所述外延层的至少一个侧面设置，所述侧面连接所述外延层靠近所述器件电极一侧的表面以及远离所述器件电极一侧的表面。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述绝缘层背离所述第一区域一侧的表面与所述绝缘层背离所述第二区域一侧的表面高度一致。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述外延层还包括以下膜层至少之一：
缓冲层，设置在所述第一半导体层背离所述器件电极的一侧；
阻挡层，设置在所述发光层与所述第二半导体层之间；
扩展层，设置在所述第二半导体层与所述第一引出电极之间，所述扩展层与所述第二半导体层之间的接触面积大于所述扩展层与所述第一引出电极之间的接触面积。
15.一种发光器件的制备方法，包括：
提供外延层；
在所述外延层的一侧形成至少一个器件电极；
在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件，所述第一发光器件为权利要求1至14任一项所述的发光器件；
其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其中，在所述得到第一发光器件的步骤之后，还包括：
剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件的步骤，包括：
在所述第一衬底靠近所述器件电极一侧的表面以及所述器件电极背离所述第一衬底一侧的表面上图案化形成第一电极材料膜层；
对所述第一电极材料膜层靠近所述第一衬底以及所述器件电极一侧的表面进行刻蚀，形成所述第一凸出部和所述第二凸出部，得到所述第一发光器件；其中，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触；
所述剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件的步骤，包括：
提供第三衬底；
将所述测试电极背离所述第一衬底一侧的表面与所述第三衬底通过第一胶膜进行贴合，得到第三发光器件；
剥离所述第三发光器件中的所述第一衬底，以使所述外延层背离所述器件电极一侧的表面裸露；
提供第四衬底；
将所述外延层背离所述器件电极一侧的表面与所述第四衬底通过第二胶膜进行贴合，所述第四衬底的贴合面上设置有避让槽，所述避让槽用于防止所述第四衬底与所述第二凸出部发生接触，所述第二胶膜为可解胶胶膜；
剥离所述第三衬底以及所述测试电极，得到第四发光器件；
对所述第二胶膜进行解胶处理，剥离所述第四衬底，得到所述第二发光器件。
18.根据权利要求16所述的制备方法，其中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件的步骤，包括：
提供第二衬底；
在所述第二衬底的一侧形成第二电极材料膜层；
将所述器件电极背离所述外延层一侧的表面与所述第二电极材料膜层进行贴合；
对所述第二电极材料膜层靠近所述器件电极一侧的表面进行刻蚀，形成所述第一凸出部和所述测试区域，得到第五发光器件；其中，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸；
剥离所述第五发光器件中的所述第一衬底，以使所述外延层背离所述器件电极一侧的表面裸露，得到所述第一发光器件；
所述剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件的步骤，包括：
提供第五衬底；
将所述外延层背离所述器件电极一侧的表面与所述第五衬底通过第三胶膜进行贴合，所述第三胶膜为可解胶胶膜；
剥离所述第二衬底以及所述测试电极，得到第六发光器件；
对所述第三胶膜进行解胶处理，剥离所述第五衬底，得到所述第二发光器件。
19.一种发光装置，包括权利要求15至18任一项所述的制备方法制备得到的发光器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210109375.6A CN114447173B (zh) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | 发光器件及其制备方法、发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210109375.6A CN114447173B (zh) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | 发光器件及其制备方法、发光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114447173A true CN114447173A (zh) | 2022-05-06 |
| CN114447173B CN114447173B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=81370795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210109375.6A Active CN114447173B (zh) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | 发光器件及其制备方法、发光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114447173B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI834220B (zh) | 2022-07-14 | 2024-03-01 | 晶成半導體股份有限公司 | 光電半導體元件 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005026594A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Resuka:Kk | 基板上に付着あるいは埋め込まれた固体試料の剥離試験方法 |
| CN101183701A (zh) * | 2007-12-10 | 2008-05-21 | 华中科技大学 | 一种led芯片及其制备方法 |
| CN102903828A (zh) * | 2012-10-18 | 2013-01-30 | 四川虹视显示技术有限公司 | 有机发光二极管及封装效果的检测方法 |
| CN103117334A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种垂直结构GaN基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN105720145A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-06-29 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种多芯片并联照明模组的制备方法 |
| CN107681034A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-02-09 | 天津三安光电有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN109686828A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法 |
| CN109923683A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-06-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN111490086A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111933627A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-11-13 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 可测试及微转移的微元件及其制作、测试和转移方法、显示装置 |
| CN112968082A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置 |
-
2022
- 2022-01-28 CN CN202210109375.6A patent/CN114447173B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005026594A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Resuka:Kk | 基板上に付着あるいは埋め込まれた固体試料の剥離試験方法 |
| CN101183701A (zh) * | 2007-12-10 | 2008-05-21 | 华中科技大学 | 一种led芯片及其制备方法 |
| CN103117334A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种垂直结构GaN基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN102903828A (zh) * | 2012-10-18 | 2013-01-30 | 四川虹视显示技术有限公司 | 有机发光二极管及封装效果的检测方法 |
| CN105720145A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-06-29 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种多芯片并联照明模组的制备方法 |
| CN107681034A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-02-09 | 天津三安光电有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN109923683A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-06-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| US20200220047A1 (en) * | 2017-09-15 | 2020-07-09 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Micro light emitting diode chip and method for manufacturing micro light emitting diode device including the same |
| CN109686828A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法 |
| CN111490086A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111933627A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-11-13 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 可测试及微转移的微元件及其制作、测试和转移方法、显示装置 |
| CN112968082A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI834220B (zh) | 2022-07-14 | 2024-03-01 | 晶成半導體股份有限公司 | 光電半導體元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114447173B (zh) | 2024-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI823855B (zh) | 發光二極體測試設備及製造方法 | |
| CN107425101B (zh) | 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法 | |
| TW502463B (en) | Image display unit and method of producing image display unit | |
| KR101262386B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법 | |
| US8188493B2 (en) | Light emitting diode with independent electrode patterns | |
| CN110828364A (zh) | 巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置 | |
| US20150171274A1 (en) | Led structure | |
| WO2019005818A1 (en) | LIGHT EMITTING DIODE (LED) MASS TRANSFER APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
| US20200251460A1 (en) | Micro-led element, image display element, and production method | |
| CN107681033B (zh) | 微型led器件及制备方法、显示装置 | |
| US11862751B2 (en) | Light-emitting diode testing circuit, light-emitting diode testing method and manufacturing method | |
| KR101793542B1 (ko) | 반도체 발광소자의 이송 헤드, 이송 시스템 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법 | |
| US20230045160A1 (en) | Method for manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device and a self-assembly apparatus used therefor | |
| EP4044262A1 (en) | WAVELENGTH DOWN-CONVERSION-BASED µLED LIGHT-EMITTING DEVICE WITHOUT ELECTRICAL CONTACT | |
| JP2006135313A (ja) | 発光ダイオード | |
| CN110676368B (zh) | 检测装置的制造方法与检测方法 | |
| Tian et al. | Mechanisms and performance analysis of GaN-based micro-LED grown on pattern sapphire substrate by laser lift-off Process | |
| CN112382643B (zh) | 转印基板、其制作方法及显示面板的制作方法、转印设备 | |
| Sinha et al. | Comparison of properties of thin film AlGaInP LEDs with composite metal and Si substrates | |
| CN114447173B (zh) | 发光器件及其制备方法、发光装置 | |
| CN109192719B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN101621098B (zh) | 光电装置及其制造方法 | |
| US20210050498A1 (en) | Micro led element and micro led display module having the same | |
| CN109473536B (zh) | 发光二极管显示器及其制造方法 | |
| US20220406964A1 (en) | Light emitting diode and manufacturing method therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |