CN112968082A - 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置。发光器件制作方法包括提供一外延片，外延片包括衬底以及设置于衬底的一侧的外延层；在外延层远离衬底的一侧形成电极；在电极远离衬底一侧设置阻挡层，阻挡层与电极远离衬底一侧的表面接触；在衬底和阻挡层之间沉积钝化层；去除阻挡层。上述发光器件结构制作方法通过阻挡层避免电极远离衬底的一侧的表面镀上钝化层，省去了一次黄光和刻蚀的工艺，降低了成本，且制作的发光器件结构在各种环境下工作的可靠性和稳定性高。

Description

一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置

技术领域

本发明涉及发光器件领域，尤其涉及一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置。

背景技术

现如今的发光二极管具有节能、环保，寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。微型发光二极管是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发展方向。然而，传统的微型发光二极管的制作工艺具有对位公差大，成本高等特点。

因此，如何低成本的制作高可靠性的发光器件是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置，旨在解决现有技术中微型发光二极管的制作工艺对位公差大难以形成某些特定结构，且成本高等问题。

一种发光器件结构制作方法，包括：

提供一外延片，所述外延片包括衬底以及设置于所述衬底的一侧的外延层；

在所述外延层远离所述衬底的一侧形成电极；

在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层，所述阻挡层与所述电极远离所述衬底一侧的表面接触；

在所述衬底和所述阻挡层之间沉积钝化层；

去除所述阻挡层。

上述发光器件结构制作方法，通过在外延层远离衬底的一侧形成电极，并在电极远离所述衬底一侧设置与电极远离衬底的一侧的表面粘接的阻挡层，在所述衬底和所述阻挡层之间沉积钝化层，最终去除阻挡层而形成发光器件结构，在形成钝化层的过程中不需要使用黄光和刻蚀工艺，有利于节省成本，同时，通过上述发光器件结构制作方法所制作的发光器件结构，在电极的至少一部分的侧壁上覆有钝化层，进一步保证发光器件结构在各种环境下工作的稳定性。

可选地，所述在所述外延片的外延层上形成电极包括：

露出所述外延片中靠近所述衬底的第一半导体层；

在所述第一半导体层露出的区域形成与其欧姆接触的第一电极，在所述第二半导体层远离衬底的一侧形成与其欧姆接触的第二电极，所述第一电极的高度大于所述第二半导体层远离所述衬底的一侧的表面至所述第一半导体层露出的区域的高度差。

在一些实施过程中，第一电极高于第一电极的高度大于第二半导体层远离衬底的一侧的表面至第一半导体层露出的区域的高度差能够更易于与阻挡层接触，有利于简化制作工艺。

可选地，所述在所述外延片的外延层上形成电极包括：

露出所述外延片中靠近所述衬底的第一半导体层，所述第一半导体层露出的区域环绕远离所述衬底的第二半导体层；

在所述第一半导体层露出的区域形成与其欧姆接触的第一电极，在所述第二半导体层远离衬底的一侧形成与其欧姆接触的第二电极。

这样的结构使得钝化层的裂纹不易延伸到第二半导体层，进一步保证发光器件结构的可靠性。

可选的，所述阻挡层包括底板以及涂覆于所述底板的一侧的粘附层；

所述在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层，所述阻挡层与所述电极远离所述衬底一侧的表面接触包括：

将所述底板涂覆有所述粘附层的一面与所述外延层上设置的电极相粘接。

在底板上涂覆粘附层作为阻挡层，简单可靠。

可选的，所述粘附层包括光解胶或热解胶，所述去除所述阻挡层包括：

对所述粘附层进行解粘后，将所述底板剥离。

粘附层使用可解粘的粘接材料，在钝化层形成之后可以容易的将底板取下。

可选的，所述去除所述阻挡层之后，还包括：

去除悬空的钝化层。

可选的，所述在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层之前，还包括：

根据要形成单个发光器件结构的区域，在所述外延片上形成沟槽，所述沟槽的区域露出所述衬底；

所述去除所述阻挡层之后，还包括：

剥离所述衬底。

通过剥离衬底，获取到可以作为单个芯片使用的不包括衬底的发光器件结构。

可选的，所述在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层之前，还包括：

根据要形成单个发光器件结构的区域，在所述外延片上形成沟槽，所述沟槽的区域露出所述衬底；

所述去除所述阻挡层之后，还包括：

通过裂片得到多个独立的发光器件结构。

通过裂片的方式将发光器件结构切割为多个可以作为单个芯片使用的带有衬底的发光器件结构。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示背板，设置有多个固晶区，所述显示背板还包括设置于所述固晶区的多个发光器件结构，至少部分所述发光器件结构通过上述的发光器件结构制作方法制作。

上述显示背板中的发光器件结构由于其制作方法，在电极的至少一部分侧壁上会覆有钝化层，保证了在各种环境下的稳定和可靠性，且上述发光器件结构制作的成本低，利用控制成本。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示背板。

显示装置使用上述的显示背板，保证了在各种环境下的稳定和可靠性，且其中的发光器件结构制作的成本低，利用控制成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的发光器件结构制作方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的步骤S102的细化流程示意图；

图3为本发明实施例提供的发光器件结构设置阻挡层的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的发光器件结构设置阻挡层的另一结构示意图；

图5a为本发明实施例提供的发光器件结构形成电极的结构示意图；

图5b为图5a的俯视示意图；

图6为本发明另一可选实施例提供的发光器件结构制作方法的流程示意图；

图7为本发明另一可选实施例提供的外延片的结构示意图；

图8为图7的外延片露出N区的结构示意图；

图9为图8的外延片蚀刻出沟槽的结构示意图；

图10为图9在外延层上制作电极的结构示意图；

图11为图10设置阻挡层的结构示意图；

图12为图11沉积钝化层后的结构示意图；

图13为图12剥离阻挡层后的结构示意图；

图14为图13进行清洗和甩干后的结构示意图；

图15为图14剥离衬底后的结构示意图；

图16为外延片露出N区的另一种结构示意图；

图17为图16的外延片蚀刻出沟槽的结构示意图；

图18为图17在外延层上制作电极的结构示意图；

图19为图18设置阻挡层的结构示意图；

图20为图19剥离阻挡层后的结构示意图；

附图标记说明：

1-衬底；11-蓝宝石衬底；21-第一电极；211-N型电极；22-第二电极；221-P型电极；23-第一半导体层；231-N型半导体层；24-发光层；25-第二半导体层；251-P型半导体层；3-阻挡层；31-粘附层；32-底板；4-钝化层。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

现有技术中微型发光二极管的制作工艺对位公差大难以形成某些特定结构，且成本高。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

实施例：

参见图1，为本实施例提供的发光器件结构制作方法的流程示意图，发光器件结构制作方法包括：

S101、提供一外延片，包括衬底以及设置于衬底的一侧的外延层；

其中，衬底可以是例如蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)等材料。外延层可形成在衬底上，在本实施例中，外延层至少包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层设置在第一半导体层与第二半导体层之间，在具体实施过程中，外延层中还可以包括其他层。第一半导体层靠近衬底设置，相应的，第二半导体层远离衬底设置，应当说明的是，在一些实施例中，发光层的出光方向指向第一半导体层，在另一些实施例中，发光层的出光方向指向第二半导体层。

S102、在外延层远离衬底的一侧形成电极；

应当说明的是，外延层上形成的电极包括第一电极和第二电极，第一电极设置在第一半导体层的一侧，第二电极设置在第二半导体层的一侧，可以理解的是，外延层上，第一半导体层、发光层、第二半导体层依次设置在衬底的一侧，为设置第一电极，第一半导体层自远离衬底的一侧被部分露出，第一电极形成在露出的第一半导体层所露出的区域上，该区域不小于第一电极与第一半导体层接触的面积。

作为一种示例，如图2，步骤S102可包括：

S1021、露出外延片中靠近衬底的第一半导体层；

如上，第一半导体层自远离衬底的一侧被部分露出。可以通过例如黄光照射并蚀刻的方式将第一半导体层需要露出的区域上的发光层以及第二半导体层去除。

S1022、在第一半导体层露出的区域形成与其欧姆接触的第一电极，在第二半导体层远离衬底的一侧形成与其欧姆接触的第二电极；

本实施例中，第一电极和第二电极为金属电极，例如一种示例中，电极的材质可包括但不限于Cr，Ni，Al，Ti，Au，Pt，W，Pb，Rh，Sn，Cu，Ag中的至少一种。一些示例中，第一电极和第二电极也可为石墨烯等导电的非金属材质。

示例性的，第一电极和第二电极为金属电极，通过黄光和蒸镀的工艺将第一电极和第二电极形成于外延层上。

S103、在电极远离衬底一侧设置阻挡层，阻挡层与电极远离衬底一侧的表面接触；

应当说明的是，阻挡层与第一电极和第二电极远离衬底一侧的表面接触，在电极远离衬底的一侧设置阻挡层，避免后续钝化层的形成过程中在电极用于实现电连接的一面上形成了钝化层。

在一些实施方式中，如图3，第一电极21的高度大于第二半导体层25远离衬底1的一侧的表面至第一半导体层23露出的区域的高度差，在设置阻挡层3时，第一电极21和第二电极22都能够很容易的与阻挡层3粘接。

如图4，在一些示例中，第一电极21的高度不大于第二半导体层25远离衬底1的一侧的表面至第一半导体层23露出的区域的高度差，即在图中第一电极21的顶面(以图示为参考方向)低于第二半导体层25的顶面。可以在阻挡层3对应于第一电极21的位置设置垫片或凸出的平台，使得第一电极21的顶面与阻挡层3粘接。但这样的实施方式中需要将阻挡层3与电极的位置进行对准。

S104、在衬底和阻挡层之间沉积钝化层；

钝化层可通过蒸镀的方式形成到此时的结构的表面上，示例性的，钝化层的材质可以是氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等。在实际生产中，钝化层可以均匀且致密的覆于衬底和阻挡层之间的外延层所没有被挡住的表面上，钝化层隔离外延层上的各种结构与外界的接触，避免最终形成的发光器件结构直接与外部接触而容易受到环境的影响，覆有钝化层能够保证发光器件结构在更恶劣的环境下的稳定。可以理解的是，本实施例中通过蒸镀而形成钝化层，且在蒸镀钝化层之前，电极已经形成，因而通过本实施例的方法所形成的钝化层，同时也覆于电极的至少一部分侧壁，而电极顶面(即远离衬底的一侧的表面)粘接有阻挡层，因而不会蒸镀上钝化层，同时还应当理解的是，本实施例中，外延层所靠近的衬底和阻挡层的区域也同时被蒸镀上钝化层。

在一些实施方式中，如图5a、图5b所示，第一半导体层23被露出的区域环绕第二半导体层25，第一半导体层23被露出的区域形成一个台面，此时，第二半导体层25以及发光层24、第一半导体层23、衬底1整体形成了类似台阶的形状，当衬底1和阻挡层之间沉积钝化层之后，钝化层贴合外延片设有外延层的这一侧的整体形状而形成。钝化层的裂片容易在拐角处停止，这样的结构能够有效减少钝化层的裂片从衬底1或第一半导体层23的区域向第二半导体层25以及发光层24的区域延伸的情况，保证钝化层最终的形成品质，防止短路。

S105、去除阻挡层；

在一些实施方式中，阻挡层包括底板和涂覆于底部的一侧的粘附层，在电极远离衬底一侧设置阻挡层，阻挡层与电极远离衬底一侧的表面接触包括：

将底板涂覆有粘附层的一面与外延层上设置的电极相粘接。可以理解的是，此时阻挡层与电极远离衬底一侧的表面接触，即是通过粘附层进行的接触，这使得阻挡层被粘接到所形成的结构上。粘附层可以为粘性的胶材，其涂覆在底板上，实现底板与电极之间的粘接。示例性的，粘附层的材料可以使用例如热解胶、光解胶等可以解粘的胶材，底板的材料可以是与衬底相同的材料，例如蓝宝石(主要包括Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)等材料，也可以是其他材料。

示例性的，例如粘附层包括光解胶或热解胶，在去除阻挡层时，可以通过使用能够使光解胶解粘的光线进行照射或者加热的方式，使得光解胶或热解胶融化以降低或解除粘性。此后，直接将底板移开即可，应当注意的是，在实际应用中粘附层可能会残留在电极上，可通过后续的清洗进行去除。

应当说明的是，本实施例中所制作的发光器件结构，其中还可能包括上述实施方式中未示出的其他结构。

可以理解的是，在将阻挡层去除之后，发光器件结构已经成型。在一些实施方式中，去除阻挡层之后，还包括去除多余的钝化层，可以理解的是，在对钝化层进行蒸镀时，阻挡层的区域也可能会蒸镀上一层钝化层，而在阻挡层被去除后，这部分的钝化层是悬空的，仅与外延层上的一部分位置存在较弱的连接，这部分钝化层可以被很容易的去除，例如在去除阻挡层的过程中，其可能由于外力而掉落，或者可以额外的施加外力使其断裂。在一些实际应用中，若后续的制作过程中，包括有清洗、甩干等工序，这部分多余的钝化层也可以在制作过程中被自然的去除。

应当说明的是，上述示例中仅以一个发光器件结构进行示例。在实际应用中，外延片上形成多组发光器件结构，作为一种示例，这些发光器件结构是可以通过例如根据各个发光器件结构的区域，将外延片蚀刻(例如通过黄光和蚀刻技术进行蚀刻)至衬底的位置形成沟槽，以分隔出多个独立的外延层区域，每个外延层区域可形成为一个发光器件结构。在实际应用中，这些区域可以通过划裂并切割等现有的方式，将这些区域切割下来，得到多个独立的发光器件结构，在这种示例中，所制成的发光器件结构包括衬底。而在另一些实际应用的方式中，对衬底进行剥离，各外延层的部分互相独立出来，得到多个独立的发光器件结构，在这种示例中，所制成的发光器件结构不包括衬底。将外延层蚀刻至衬底形成沟槽的步骤可以在设置阻挡层之前的任何工序进行，例如可在形成电极之前，或在形成电极之后但未设置阻挡层之前。

应当说明的是，上述示例中所制成的发光器件结构，可以是外延结构，也可以是切割后的芯片结构。

本实施例的发光器件结构制作方法中，通过在外延层远离衬底的一侧形成电极，并在电极远离衬底一侧设置与电极远离衬底的一侧的表面粘接的阻挡层，在衬底和阻挡层之间沉积钝化层，最终去除阻挡层而形成发光器件结构，而在现有技术中，先于外延层上形成钝化层，而后需要通过黄光和刻蚀工艺去除需要设置电极的区域上的钝化层，并在相应区域形成电极，可见，本实施例中的上述发光器件结构制作方法，先设置了电极，并且在形成钝化层的过程中，通过阻挡层避免电极远离衬底的一侧的表面镀上钝化层，省去了一次黄光和刻蚀的工艺，从而也节省了一次性的光阻材料，且本实施例在实际应用时，阻挡层是可以重复使用的，大大降低了成本。另一方面，通过本实施例的发光器件结构制作方法所制作的发光器件结构，在电极的至少一部分的侧壁上覆有钝化层，进一步保证发光器件结构在各种环境下工作的稳定性。

本发明另一可选实施例：

为更好的理解本实施例中的发光器件结构制作方法，下面结合更为具体的制作流程的示例进行说明。参见图6，为本实施例示出的第一种示例，本示例的发光器件结构制作方法包括：

S601、提供一外延片；

如图7，本示例中的外延片依次包括蓝宝石衬底11、N型半导体层231、发光层24以及P型半导体层251；其中，发光层24至少包括量子阱层，在其他示例中还可包括其他层。

S602、利用黄光和蚀刻技术，露出N区；

如图8，发光层24以及P型半导体层251的一部分通过黄光和蚀刻技术被去除，直至N型半导体层231从远离衬底的一侧露出以形成N区，可以理解的是，N型半导体层231可以是刚好被露出，一些实施方式中也可以被蚀刻掉一部分。本示例中，对应于设置电极的区域被露出。

S603、根据要形成发光器件结构的区域，在外延片上蚀刻出沟槽直至露出衬底；

值得注意的是，在本示例中，于同一外延片上制作多个发光器件结构，因而在实际生产过程中，如图9(图示中仅示出一个发光器件结构的区域作为示意)，还根据各个发光器件结构的位置，在外延层上蚀刻出沟槽至露出衬底1，在发光器件结构成型后，可基于这些沟槽，使各个发光器件结构独立出来。

S604、利用黄光和蒸镀工艺制作电极；

如图10，N型电极211与N型半导体层231所露出的N区欧姆接触，P型电极221与P型半导体层251远离衬底1的一面欧姆接触。本示例中以黄光和蒸镀工艺进行制作，在其他实施方式中，也可以使用其他工艺制作电极。

S605、将底板上涂覆有粘附层的一面与电极远离衬底的一面贴合；

以底板为蓝宝石底板以及其涂覆的粘附层为热解胶作为示例，如图11，热解胶涂覆在蓝宝石底板，N型电极的高度大于P型半导体层远离N型半导体层的一侧的表面至N型半导体层露出的区域的高度差，因而热解胶可以仅与第一电极和第二电极接触，而不会覆盖到P型半导体层上。可以理解的是，蓝宝石底板上的热解胶具有一定厚度，因而只要N型电极的高度大于P型半导体层远离N型半导体层的一侧的表面至N型半导体层露出的区域的高度差即可，并不限定其远离衬底的一面需要与P型电极远离衬底的一面齐平。

例如本示例中，使用热解胶作为粘附层，当热解胶与第一电极和第二电极接触之后，使其冷却固化，实现粘接。

S606、在衬底和阻挡层之间沉积钝化层；

本示例中，可使用ALD(Atomic layer deposition，原子层沉积)工艺在衬底和阻挡层之间的表面镀上例如氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等材质。如图12，可见，粘附层31与电极相粘接的部分不会被沉积有钝化层4，而包括电极的至少一部分侧壁和外延层露出的所有表面以及衬底1和阻挡层相对的一侧形成有钝化层4。

S607、加热使热解胶融化并剥离底板；

可以加热使得热解胶解粘，只要能够将底板剥离且不会对电极造成损伤即可。

在另一些示例中，使用光解胶作为粘附层，例如UV(Ultraviolet Rays，紫外线)光解胶，形成钝化层之后，可使用紫外线进行照射使其解粘。

S608、对外延片进行清洗和甩干；

如图13，当底板32被剥离后，原本覆于粘接层31表面的钝化层4变为悬空的状态或在底板32被剥离的时候就已经断裂掉落。电极上可能残留有热解胶，对外延片进行清洗并甩干，清除电极上的热解胶，并使得悬空的钝化层在此过程中掉落，从而达到将多余的钝化层结构去除的目的，最终可形成例如图14的发光器件结构。本实施例中对于钝化层的任何处理都不需要使用黄光以及刻蚀工艺，由于在黄光以及刻蚀工艺中的光阻材料是一次性使用且成本高，本实施例的发光器件结构制作方法至少减少了一次黄光以及刻蚀工艺，并且本示例中的蓝宝石衬底在剥离后可重复利用，有效的控制生产的成本。

S609、将蓝宝石衬底剥离；

如图15，将蓝宝石衬底11剥离，得到多个独立的不包括衬底的发光器件结构。在其他示例中，可以将蓝宝石衬底11自步骤S603中蚀刻出的沟槽的区域进行划裂，将外延片切割为多个独立的包括衬底的发光器件结构。

本实施例还示出第二种示例，本示例的发光器件结构制作方法包括：

S701、提供一外延片；

S702、利用黄光和蚀刻技术，露出N区；

如图16，发光层24以及P型半导体层251的一部分通过黄光和蚀刻技术被去除，直至N型半导体层231从远离蓝宝石衬底11的一侧露出以形成N区。

S703、根据要形成发光器件结构的区域，在外延片上蚀刻出沟槽直至露出衬底；

如图17，本示例中，N型半导体层231所形成的N区环绕P型半导体层251以及发光层24，P型半导体层251以及发光层24、N型半导体层231、蓝宝石衬底11整体形成了类似台阶的形状。

S704、利用黄光和蒸镀工艺制作电极；

如图18，N型电极211与N型半导体层231所露出的N区欧姆接触，P型电极221与P型半导体层251远离衬底的一面欧姆接触。本示例中以黄光和蒸镀工艺进行制作，在其他实施方式中，也可以使用其他工艺制作电极。本实施例中，N型电极211的高度不大于P型半导体层251远离蓝宝石衬底11的一侧的表面至N型半导体层231露出的区域的高度差。

S705、将底板上涂覆有粘附层的一面与电极远离衬底的一面贴合；

示例性的，如图19，底板32与电极接触的一侧并不是平整的，底板32上对应于N型电极211的区域凸出以于低于P型半导体层251的N型电极211接触。

本示例中，使用热解胶作为粘附层，当热解胶与第一电极和第二电极接触之后，使其冷却固化，实现粘接。

S706、在衬底和阻挡层之间沉积钝化层；

S707、加热使热解胶融化并移走底板；

S708、对外延片进行清洗和甩干；

此时发光器件结构上的钝化层4例如图20所示。

S709、对外延片进行切割；

可以将蓝宝石衬底自步骤S703中蚀刻出的沟槽的区域进行划裂，将外延片切割为多个独立的包括衬底的发光器件结构。

上述第二种示例中，未特别说明的步骤可与本实施例的第一种示例中的相应步骤相同，本示例不再赘述。在不冲突的情况下，本实施例的两种示例中的实施方式可以任意组合。

通过上述方法制作的发光器件结构，在电极的至少一部分侧壁上覆有钝化层，发光器件结构的可靠性高，且其制作的成本低。且在一些实施方式中，发光器件结构中的第一半导体层被露出的区域环绕第二半导体层，即器件四周都露出第一半导体层的台面，从而钝化层的裂纹容易在台面拐角处停止延伸，减少器件在划裂或者剥离之后的钝化层的裂纹向第二半导体层继续延伸，防止短路，进一步保证发光器件结构的可靠性。

本实施例还提供一种显示背板，设置有多个固晶区，显示背板还包括设置于固晶区的多个发光器件结构，至少部分或全部的发光器件结构是通过本实施例上述的发光器件结构制作方法制作的。一个固晶区中，可以设置一个发光器件结构，也可以设置多个发光器件结构。

本实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以是各种采用发光器件结构制作的显示背板进行显示的电子装置，例如可包括但不限于各种智能移动终端，PC、显示器、电子广告板等，其中该显示装置的显示背板可包括但不限于上述的显示背板。

应当说明的是，上述的黄光以及刻蚀工艺中，可以使用正型光刻胶，也可以是负型光刻胶。上述的发光器件结构可以是正装结构，也可以是倒装结构。本实施例中仅以靠近衬底一侧的半导体层为N型半导体层，远离衬底一侧半导体层为P型半导体层作为示例，在实际生产中，N型半导体层和P型半导体层的设置位置可以改变。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光器件结构制作方法，其特征在于，包括：

提供一外延片，所述外延片包括衬底以及设置于所述衬底的一侧的外延层；

在所述外延层远离所述衬底的一侧形成电极；

在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层，所述阻挡层与所述电极远离所述衬底一侧的表面接触；

在所述衬底和所述阻挡层之间沉积钝化层；

去除所述阻挡层。

2.如权利要求1所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述在所述外延片的外延层上形成电极包括：

露出所述外延片中靠近所述衬底的第一半导体层；

在所述第一半导体层露出的区域形成与其欧姆接触的第一电极，在所述第二半导体层远离衬底的一侧形成与其欧姆接触的第二电极，所述第一电极的高度大于所述第二半导体层远离所述衬底的一侧的表面至所述第一半导体层露出的区域的高度差。

3.如权利要求1所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述在所述外延片的外延层上形成电极包括：

露出所述外延片中靠近所述衬底的第一半导体层，所述第一半导体层露出的区域环绕远离所述衬底的第二半导体层；

在所述第一半导体层露出的区域形成与其欧姆接触的第一电极，在所述第二半导体层远离衬底的一侧形成与其欧姆接触的第二电极。

4.如权利要求1所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述阻挡层包括底板以及涂覆于所述底板的一侧的粘附层；

所述在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层，所述阻挡层与所述电极远离所述衬底一侧的表面接触包括：

将所述底板涂覆有所述粘附层的一面与所述外延层上设置的电极相粘接。

5.如权利要求4所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述粘附层包括光解胶或热解胶，所述去除所述阻挡层包括：

对所述粘附层进行解粘后，将所述底板剥离。

6.如权利要求1所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述去除所述阻挡层之后，还包括：

去除悬空的钝化层。

7.如权利要求1-6任一项所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层之前，还包括：

根据要形成单个发光器件结构的区域，在所述外延片上形成沟槽，所述沟槽的区域露出所述衬底；

所述去除所述阻挡层之后，还包括：

剥离所述衬底。

8.如权利要求1-6任一项所述的发光器件结构制作方法，其特征在于，所述在所述电极远离所述衬底一侧设置阻挡层之前，还包括：

根据要形成单个发光器件结构的区域，在所述外延片上形成沟槽，所述沟槽的区域露出所述衬底；

所述去除所述阻挡层之后，还包括：

通过裂片得到多个独立的发光器件结构。

9.一种显示背板，其特征在于，设置有多个固晶区，所述显示背板还包括设置于所述固晶区的多个发光器件结构，至少部分所述发光器件结构通过权利要求7-8任一项所述的发光器件结构制作方法制作。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的显示背板。

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