CN103515492A - 一种无掩膜版的光刻led晶片的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910017398 Au—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000010009 beating Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-M dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC([O-])=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229940070765 laurate Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，该方法很好的利用了金属电极的不透光性，通过从LED晶片衬底背面对负性光刻胶进行曝光，实现精确地自对准光刻，克服传统SiO2层开孔工艺中光刻机对准精度不够造成电极上方的SiO2不能完全被腐蚀掉的缺点，使SiO2层与电极紧密的相接，杜绝了电极上SiO2脱落，从而解决了后续打线打不粘的问题。此外，本发明只需简便的光刻机，无需光刻版，省去了高昂的光刻机设备费和光刻版的费用，并消除了对准误差而造成的不良，提高了作业效率，大大降低了LED芯片制造过程中的SiO2开孔制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种光刻工艺，特别是涉及一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，属于半导体制造工艺领域。
背景技术
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用，尤其是LED以其优异的性能被业界普遍认为是第四代光源的理想选择，LED光源在发光效率、使用寿命、回应时间、环保等方面均优于白炽灯、荧光灯等传统光源。
在LED芯片制造中，需要将电极之外的其他区域用SiO2保护，但是要想用SiO2刚好露出电极其他位置保护住几乎不可能，因为光刻机的对准精度达不到，所以只能覆盖住一点电极，而SiO2与金电极粘附很差，脱落的SiO2沾在电极上，后续打线的时候会造成打不粘现象。
目前制造LED芯片过程中的SiO2开孔工艺请参阅图1a至图1f。首先，如图1a所示，提供一衬底1，在所述衬底1上制备金属电极2；如图1b所示，然后在所述衬底1及金属电极1上沉积一层SiO2层；如图1c所示，接着在所述SiO2层3上旋涂一层均匀的正性光刻胶4，之后用热板对光刻胶4进行前烤；再接着用光刻机对所述光刻胶4进行光刻，在光刻前先要将衬底1上的图案与掩膜版5上的图案对准，掩膜版5图案包括透光区50，遮光区51，然后用紫外线（UV）光源对光刻胶4进行曝光，如图1d所示；如图1e所示，所述光刻胶4曝光后，透光区50下方的光刻胶4经光照后变成可溶物质，而遮光区51下方的光刻胶4性质不变，仍然是不溶性物质，利用特定显影液使感光部分的光刻胶4显影，从而将SiO2层3上方对应的光刻胶4显影掉，暴露出SiO2层3，之后用热板对光刻胶烘烤坚膜；最后，用BOE腐蚀液将电,2上方对应的SiO2层3腐蚀掉，并去除将剩余的光刻胶4，从而完成SiO2层3的开孔工艺，如图1f所示为最终形成的工艺图。但是，此传统工艺流程中，由于光刻机对准精度有限以及掩膜板的图形的误差，所述SiO2层只能覆盖住一点电极，而SiO2与金电极粘附很差，脱落的SiO2沾在电极上，造成后续打线的时候会造成打不粘现象，从而导致LED器件良率的降低。
鉴于此，在制造LED芯片过程中，为了克服传统SiO2开孔工艺中光刻机对准精度不够造成电极上方的SiO2不能完全被腐蚀掉，以及脱落的SiO2粘附在电极上造成后续打线的打不粘的缺点，本发明提出了一种无掩膜版的光刻工艺，用于解决上述缺点。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，用于解决现有技术中SiO2开孔工艺中光刻机对准精度不够造成电极上方的SiO2不能完全被腐蚀掉，以及脱落的SiO2粘附在电极上造成后续打线打不粘的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，该方法至少包括：
1）提供一上表面蒸镀有金属电极且具有透明衬底的LED晶片；
2）在所述LED晶片的上表面沉积一层SiO2层；
3）在所述SiO2层上旋涂一层负性光刻胶，并用热板对所述光刻胶进行前烘；
4）利用紫外线光源从所述LED晶片的透明衬底的背面照射，使所述紫外线光源透过所述透明衬底对所述光刻胶进行曝光处理；
5）用显影液将所述SiO2层上方未感光的光刻胶显影掉，暴露出所述金属电极上方的SiO2绝缘层，并利用热板对剩余光刻胶进行坚膜处理；
6）对暴露出的所述SiO2层进行腐蚀直至露出其下方的所述金属电极，并去除剩余的光刻胶。
可选地，所述透明衬底为Si、SiC、ZnO、玻璃或蓝宝石。
可选地，所述金属电极的材质选自金、镍、银、钛、铝、铟、铂、金镍合金、或金铬合金中的一种。
可选地，所述步骤4）中曝光的方法为：将所述LED晶片衬底背面朝上放置在光刻机承片台上，所述承片台正上方为紫外线光源，且所述紫外线光源透过所述透明衬底背面，并以不透光的金属电极作为掩膜版对所述光刻胶进行曝光处理。
可选地，所述光刻胶的厚度小于3μm。
如上所述，本发明的一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，具有以下有益效果：
本发明提供一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，该方法很好的利用了金属电极的不透光性，通过从LED晶片衬底背面对所述光刻胶进行曝光，实现精确地自对准光刻，克服传统SiO2层开孔工艺中光刻机对准精度不够造成电极上方的SiO2不能完全被腐蚀掉的缺点，使SiO2层与电极紧密的相接，杜绝了电极上SiO2脱落，从而解决了后续打线打不粘的问题。此外，还可以省去高昂的光刻机设备费用，只要简便的光刻机；省去了光刻版的费用，不需要用光刻版；消除了对准误差而造成的不良，不需要对准，无缝对接特点；提高了作业效率，大大降低了LED芯片制造过程中的SiO2开孔制造成本。
附图说明
图1a～1f显示为现有技术中的一种光刻LED晶片的工艺流程图。
图2a～2f显示为本发明中的一种无掩膜版的光刻LED晶片的工艺流程图。
元件标号说明
1 LED晶片
2 金属电极
3 SiO2层
4 光刻胶
5 掩膜版
50 透光区
51 遮光区
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2a至图2f。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2a至图2f所示，本发明提供一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，所述方法至少包括以下步骤：
步骤一：如图2a所示，提供一上表面蒸镀有金属电极2且具有透明衬底的LED晶片1；本实施例中，所述透明衬底（图中未示出）暂选为蓝宝石，但并不限于此，在其他的实施例中，所述透明衬底所用材料亦可为Si、SiC、ZnO、或玻璃中的一种，特此述明；所述金属电极2暂选为Au-Ni合金，但并不限于此，在其他实施例中，所述金属电极2所用材料亦可为金、镍、银、钛、铝、铟、铂、铬、金铬合金、或它们中至少两种金属以上的合金中的一种，特此声明。
步骤二：如图2b所示，利用PECVD（等离子增强化学气相淀积）工艺，在所述LED晶片1及金属电极2上沉积一层SiO2层3，利用PECVD方法淀积的SiO2薄膜由于其具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质，常作为金属层间介质(ILD)、钝化层等，被广泛运用在半导体材料，集成电路和MEMS器件的制造工艺中，本实施例中的SiO2层3用于保护LED芯片。
步骤三：如图2c所示，利用旋转法在所述SiO2层3上，涂上一层粘附性好、厚度适当、均匀的光刻胶4。所用光刻胶4为负性光刻胶，光照后形成不可溶物质，例如采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。所述光刻胶4的典型厚度小于3μm，本实施例暂选为2μm，在其他实施例中，亦可以选用其它合适的厚度，特此声明。旋涂完所述光刻胶4后，利用热板对所属光刻胶进行前烘，促使光刻胶4内溶剂充分地挥发掉，使光刻胶4干燥，增加光刻胶4与SiO2层3之间的粘附性和提高光刻胶4的耐磨性，只有干燥的光刻胶4才能充分进行光化学反应。
步骤四：如图2d所示，本发明对光刻胶4的曝光处理是在一简易的专用光刻机上进行的，将所述LED晶片1背面朝上放置在光刻机承片台上，所述承片台正上方为紫外线光源，且所述紫外线（UV）光源从所述LED晶片1的透明衬底背面就行照射，使所述紫外线光源透过所述透明衬底，并以不透光的金属电极2作为掩膜版对所述光刻胶4进行曝光处理，曝光时间为8s～25s，选择合适的曝光时间使所述光刻胶4充分反应。
该步骤中不需要用光刻掩膜版5，而是利用了金属电极2的不透光性作为掩膜版，消除了对准误差而造成的不良影响，实现了自对准光刻；提高了作业效率，大大降低了LED芯片制造过程中的SiO2开孔制造成本。
步骤五：如图2e所示，用本领域常规的显影液将所述SiO2层3上方未感光的光刻胶4显影掉，以获得腐蚀时所需要的、有抗蚀剂保护的图形。本实施例中去除所述金属电极2上方的光刻胶3，并使所述金属电极2上方的SiO2层3暴露出来，并利用热板对感光的光刻胶4进行坚膜处理。显影时光刻胶4发生软化、膨胀，显影后必须进行坚固胶膜的工作，坚固后可以使光刻胶4与SiO2层3之间粘贴的更牢，以增强光刻胶4膜本身的抗蚀能力。
步骤六：如图2f所示，对暴露出的所述SiO2层3进行腐蚀直至露出其下方的所述金属电极2。本实施中采用6:1的BOE（Buffered Oxide Etch，BOE）即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成，加入NH4F用以缓冲HF溶液，故称作缓冲氧化层腐蚀（BOE），加入NH4F也可以控制酸碱度，并且可以补充氟离子的缺乏，可以维持稳定的腐蚀效果。腐蚀之后去除光刻胶4：去除覆盖在SiO2层3上方的光刻胶4，一般使用化学试剂使其胶膜碳化脱落。至此，完成了对LED晶片1光刻的整个工艺。
综上所述，本发明提供一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，该方法很好的利用了金属电极的不透光性，通过从LED晶片衬底背面对所述光刻胶进行曝光，实现了精确的自对准光刻，克服传统SiO2层开孔工艺中光刻机对准精度不够造成电极上方的SiO2不能完全被腐蚀掉的缺点，使SiO2层与电极紧密的相接，杜绝了电极上SiO2脱落，从而解决了焊线打不粘现象。此外，本发明只需简便的光刻机，无需掩膜版，省去了高昂的光刻机设备费和掩膜版的费用，并消除了对准误差而造成的不良影响，提高了作业效率，大大降低了LED芯片制造过程中的SiO2开孔制造成本。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (5)
1.一种无掩膜版的光刻LED晶片的方法，其特征在于，所述方法至少包括：
1）提供一上表面蒸镀有金属电极且具有透明衬底的LED晶片；
2）在所述LED晶片的上表面沉积一层SiO2层；
3）在所述SiO2层上旋涂一层负性光刻胶，并用热板对所述光刻胶进行前烘；
4）利用紫外线光源从所述LED晶片的透明衬底的背面照射，使所述紫外线光源透过所述透明衬底对所述光刻胶进行曝光处理；
5）用显影液将所述SiO2层上方未感光的光刻胶显影掉，暴露出所述金属电极上方的SiO2绝缘层，并利用热板对剩余光刻胶进行坚膜处理；
6）对暴露出的所述SiO2层进行腐蚀直至露出其下方的所述金属电极，并去除剩余的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的无掩膜版的光刻LED晶片的方法，其特征在于：所述透明衬底为Si、SiC、ZnO、玻璃或蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的无掩膜版的光刻LED晶片的方法，其特征在于：所述金属电极的材质选自金、镍、银、钛、铝、铟、铂、金镍合金、或金铬合金中的一种。
4.根据权利要求1所述的无掩膜版的光刻LED晶片的方法，其特征在于，所述步骤4）中曝光的方法为：将所述LED晶片衬底背面朝上放置在光刻机承片台上，所述承片台正上方为紫外线光源，且所述紫外线光源透过所述透明衬底背面，并以不透光的金属电极作为掩膜版对所述光刻胶进行曝光处理。
5.根据权利要求1所述的无掩膜版的光刻LED晶片的方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度小于3μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210219646.XA CN103515492B (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种无掩膜版的光刻led晶片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210219646.XA CN103515492B (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种无掩膜版的光刻led晶片的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103515492A true CN103515492A (zh) | 2014-01-15 |
| CN103515492B CN103515492B (zh) | 2016-04-27 |
Family
ID=49897893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210219646.XA Active CN103515492B (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种无掩膜版的光刻led晶片的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103515492B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103956414A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种紫外发光二极管器件的制备方法 |
| CN104269478A (zh) * | 2014-09-24 | 2015-01-07 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led衬底结构及其制作方法 |
| CN107275463A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-10-20 | 申广 | 一种新型led封装制作技术 |
| CN109904285A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-18 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制造方法 |
| CN111724816A (zh) * | 2019-03-20 | 2020-09-29 | 新科实业有限公司 | 在衬底上形成图案的方法 |
| CN112968082A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置 |
| CN114256390A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种led阵列芯片及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060091565A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Slater David B Jr | LED with self aligned bond pad |
| CN1834746A (zh) * | 2006-04-20 | 2006-09-20 | 广辉电子股份有限公司 | 液晶显示器下基板的制作方法 |
| CN101807644A (zh) * | 2010-03-05 | 2010-08-18 | 厦门大学 | 一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法 |
| CN101814487A (zh) * | 2010-02-09 | 2010-08-25 | 中山大学 | 一种多芯片led光源模组及其制作方法 |
| CN102289155A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-21 | 中国科学技术大学 | 一种基于紫外led光源的光刻机 |
-
2012
- 2012-06-28 CN CN201210219646.XA patent/CN103515492B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060091565A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Slater David B Jr | LED with self aligned bond pad |
| CN1834746A (zh) * | 2006-04-20 | 2006-09-20 | 广辉电子股份有限公司 | 液晶显示器下基板的制作方法 |
| CN101814487A (zh) * | 2010-02-09 | 2010-08-25 | 中山大学 | 一种多芯片led光源模组及其制作方法 |
| CN101807644A (zh) * | 2010-03-05 | 2010-08-18 | 厦门大学 | 一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法 |
| CN102289155A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-21 | 中国科学技术大学 | 一种基于紫外led光源的光刻机 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103956414A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种紫外发光二极管器件的制备方法 |
| CN103956414B (zh) * | 2014-04-30 | 2017-03-08 | 中国科学院半导体研究所 | 一种紫外发光二极管器件的制备方法 |
| CN104269478A (zh) * | 2014-09-24 | 2015-01-07 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led衬底结构及其制作方法 |
| CN107275463A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-10-20 | 申广 | 一种新型led封装制作技术 |
| CN109904285A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-18 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制造方法 |
| CN111724816A (zh) * | 2019-03-20 | 2020-09-29 | 新科实业有限公司 | 在衬底上形成图案的方法 |
| CN111724816B (zh) * | 2019-03-20 | 2023-09-22 | 新科实业有限公司 | 在衬底上形成图案的方法 |
| CN112968082A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置 |
| CN114256390A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种led阵列芯片及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103515492B (zh) | 2016-04-27 |
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| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |