KR102019252B1 - 광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이 - Google Patents

광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이 Download PDF

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켄지 사사키
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Abstract

본 발명은 광 관리 시스템을 구비하는 발광 표시 기판을 제조하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 상부 표면을 구비하는 투명한 제1 기판을 제공하고, 복수개의 발광 소자의 웰을 형성하는 스텝을 제공한다. 상기 웰 측벽은 광 흡수 재료 및 광 반사 재료로 형성된다. 한 국면에서, 광 차단 재료는 상기 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 막층을 형성하고, 상기 웰의 측벽은 상기 광 차단 재료 막층에 형성된다. 다른 국면에서, 상기 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 투명한 제2 기판이 형성된다. 다음에, 상기 발광 소자의 웰은 비아 표면을 구비하는 상기 제2 기판에 형성되고, 상기 차광 재료를 증착하여 상기 웰 비아 표면을 피복한다. 또한, 상기 광 차단 재료는 각각의 웰의 바닥면에 형성된다. 광 관리 시스템을 구비하는 발광 표시 기판도 또한 제공된다.

Description

광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이{EMISSIVE DISPLAY WITH LIGHT MANAGEMENT SYSTEM}
본 발명은 발광 디스플레이에 관한 것으로, 특히 마이크로 사이즈 발광 소자를 사용한 발광 디스플레이의 광 관리 시스템에 관한 것이다.
적색-녹색-청색(RGB) 디스플레이는 마이크로 발광소자를 사용할 수 있고, 예컨대 마이크로 발광 다이오드(μLED)로 제조될 수 있다. 이러한 디스플레이는 텔레비전, 컴퓨터 모니터 또는 핸드 휴대 장치에서 사용될 수 있다. 마이크로 발광 소자는 100 미크론 미만의 직경 또는 횡단면을 가질 수 있다. 발광 소자는 어떤 방식으로 픽셀 배열중에 정렬된다. 발광 소자의 배치 이후의 통상적인 처리 및 집적 스텝은 발광 소자를 제어선의 매트릭스에 연결시키기 위한 금속화 처리를 포함한다.
디스플레이가 유체 제조 공정을 이용하여 제작되는 경우, 표시 기판은 발광 소자를 포획하기 위해 웰의 어레이로 형성될 수 있다. 전형적으로, 발광 기판은 유리와 같은 투명 재료로 만들어진다. 결과적으로, 광은 인접한 웰 사이의 투명 기판을 통해 전파되어 누출될 수 있으며, 이로 인해 컬러 품질과 콘트라스트가 저하된다.
이것은, 웰 내의 발광 소자로부터의 광이 투명 기판의 상부 표면으로만 향하고 인접한 웰로 전파되는 것이 방지되도록, 각 발광 기판의 웰로부터 출사한 광을 제어할 수 있는 경우에 유리하다.
본 발명은 직접 발광하는 발광 소자의 구조적 특징을 사용하고, 예컨대 마이크로 발광 다이오드(μLED)와 같이 출사광의 방향성을 제어할 수 있다. 발광 디스플레이는 각각 개별적으로 어드레스되는 복수개의 픽셀로 구성될 수 있다. 각각의 uLED에 의해 출사된 광의 방향을 제어하여 픽셀간의 광의 누설을 줄임으로써, 컬러 품질과 콘트라스트를 보장하는 것이 중요하다. 각각의 LED로부터의 광은 정면 및 측면을 포함하는 모든 표면으로부터 출사되며, 따라서 상기 표시 기판의 표면에 수직 및 평행한 방향으로 출사된다. 제어되지 않는 한, 명목상 표면에 평행한 방향을 따라 출사된 광은 상기 광을 반사 또는 흡수하는 구조가 없는 조건 하에 인접한 픽셀로 전달된다. 본 발명에서 기재된 구조 특징은 광을 흡수 또는 반사하는데 사용된다. 반사 재료는 백플레인 제조 공정에 사용되는 금속을 포함하고, 상기 금속은 알루미늄, 티타늄, 은, 주석, 인듐, 니켈, 금 또는 다른 반사 금속을 포함한다. 흡수 재료는 블랙 폴리머 수지 및 카본 블랙을 포함하는 재료 혹는 그래핀 산화물(graphene oxide)을 포함하는 재료일 수 있다.
따라서, 광 관리 시스템을 구비하는 발광 표시 기판을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 상부 표면을 구비하는 투명한 제1 기판을 제공하고, 복수개의 발광 소자의 웰을 형성하는 스텝을 제공한다. 상기 웰 측벽은 광 흡수 재료 및 광 반사 재료로 형성된다. 가장 간단한 경우에, 웰은 제1 기판에 형성된다. 위에서 설명한 바와 같이, 광 차단 재료는 광 흡수 재료 혹는 광 반사 재료일 수 있다. 한 국면(aspect)에서, 광 차단 재료는 상기 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 막층을 형성하고, 상기 웰의 측벽은 상기 광 차단 재료 막층에 형성된다.
다른 국면에서는, 상기 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 투명한 제2 기판이 형성된다. 다음에, 발광 소자의 웰이 비아 표면을 갖는 제2 기판에 형성되고, 상기 광 차단 재료를 증착하여 상기 웰 비아 표면을 피복한다. 또한, 상기 광 차단 재료는 각각 웰의 바닥면에 형성된다. 제1 기판은 상부 표면에 형성된 전기 인터페이스를 구비하는 제1 기판을 제공하는 경우, 상기 제2 기판에 형성된 상기 발광 소자의 웰을 에칭하여 각각 웰 바닥면 상에 형성된 전기 인터페이스를 노출시킨다. 그렇지만, 상기 웰의 바닥면에 광 차단 재료를 패터닝하여 전기 인터페이스가 상기 웰의 바닥면에 형성되는 것을 회피한다.
다른 국면에서는, 상기 광 차단 재료를 증착하기 전에, 유체적인 조립공정을 사용하여 상기 웰을 발광 소자로 채운다. 상기 웰은 본질적으로 더 많은 시간이 소요되는 픽-앤-플레이스(pick-and-place) 공정을 사용하여 발광 소자를 웰에 채울 수도 있다는 점에 주의해야 한다. 상기 웰 측벽의 상기 광 차단 재료는 광 흡수 차단 재료를 등각적으로 증착하여 상기 제2 기판의 상부 표면을 피복하고, 상기 웰을 채우며, 상기 광 흡수 차단 재료를 에칭하여 상기 발광 소자를 노출시킨다.
상술한 방법 및 광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이의 추가적인 세부 사항이 이하와 같이 제공된다.
도 1은 광 관리 시스템을 구비한 발광 표시 기판의 부분 단면도이다.
도 2는 제1 변형예의 광 관리 시스템의 일부를 도시한 부분 단면도이다.
도 3은 제2 변형예의 광 관리 시스템의 일부를 도시한 부분 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 도 3에 도시된 제2 변형예의 광 관리 시스템에 관한 부분 단면도 및 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 발광 소자를 추가한 후에 도시한 광 관리 시스템의 부분 단면도이다.
도 6은 반사 재료로 형성된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다.
도 7은 광 흡수 재료로 형성된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다.
도 8은 반사 재료로 피복된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다.
도 9는 광 흡수 재료로 피복된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다.
도 10은 발광 소자가 광 흡수 재료로 피복되어 있는 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다.
도 11은 광 관리 시스템을 구비하는 발광 표시 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 12는 발광 표시 기판으로부터 출사된 광의 방향을 관리하는 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 1은 광 관리 시스템을 구비한 발광 표시 기판의 부분 단면도이다. 디스플레이(100)는 제1 기판 상부 표면(104)을 구비하는 제1 기판(102)을 포함한다. 예컨대, 제1 기판(102)은 유리 혹는 플라스틱과 같은 투명 재료일 수 있지만, 상기 재료는 불투명 플라스틱, 금속 혹는 실리콘 재료일 수도 있다. 복수개의 발광 소자의 웰(106)(하나의 웰만이 도시됨)에는 광 차단 재료(108)로 형성된 웰 측벽이 존재한다. 한 국면에서는, 도시된 바와 같이 상기 웰(106)은 상기 제1 기판(102)에 직접 형성된다. 상기 광 차단 재료는 광 흡수 재료 혹는 광 반사 재료일 수 있다. 상기 광 흡수 재료의 일부 예로서 블랙 폴리머 수지, 블랙 포토레지스트, 카본 블랙을 포함하는 재료, 혹는 그래핀 산화물을 포함하는 재료가 있다. 상기 광 반사 재료의 일부 예로서 알루미늄, 티타늄, 은, 주석, 인듐, 니켈 및 금이 있다. 유리하게는, 이러한 재료는 일반적으로 박막 디스플레이 및 집적회로(IC)의 제조공정에 사용된다. 한 국면에서는, 예컨대 도 8을 참조하면, 본 실시예의 웰 비아(well via) 표면 및 측벽이 경사지게 되어 있다.
도 2는 제1 변형예의 광 관리 시스템의 일부를 도시한 부분 단면도이다. 한 국면에서, 광 차단 재료는 막층(108)을 형성하고, 상기 막층(108)은 상기 제1 기판의 상부 표면(104)을 피복한다. 상기 웰(106)은 광 차단 재료 막층(108)에 형성된다. 도시되지는 않았지만, 상기 웰이 형성될 때, 상기 제1 기판의 상부 표면을 노출하기 위해 상기 광 차단 막층을 에칭할 필요가 없다.
도 3은 제2 변형예의 광 관리 시스템의 일부를 도시한 부분 단면도이다. 한 국면에서, 상부 표면(302)을 구비한 투명한 제2 기판(300)은 제1 기판 상부 표면(104)을 피복한다. 상기 웰(106)은 웰의 비아 표면(302)을 구비한 제2 기판(300)에 형성되고, 광 차단 재료 측벽(108)은 상기 웰의 비아 표면을 피복한다. 도시되지는 않았지만, 상기 웰이 형성될 때, 상기 제1 기판의 상부 표면을 노출시키기 위해 상기 제2 기판을 에칭할 필요가 없다.
도 4a 및 도 4b는 각각 도 3에 도시된 제2 변형예의 광 관리 시스템에 관한 부분 단면도 및 평면도이다. 한 국면에서, 광 차단 재료(402)는 각각의 웰(106)의 바닥면(400)에 형성된다. 광 차단 재료(402, 108)는 일반적으로 동일한 공정에서 형성된 동일한 재료이지만, 명확하게 하기 위해 상이한 참조 부호가 부여되어 있다는 점에 주의해야 한다. 도시되지는 않았지만, 상기 웰이 형성될 때, 상기 제1 기판의 상부 표면을 노출하기 위해 상기 제2 기판을 에칭할 필요가 없다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 전기 인터페이스(404)가 각각의 웰의 바닥면(400)에 형성될 경우, 각각의 웰의 바닥면(400)의 상기 광 차단 재료(402)를 패터닝하여 상기 전기 인터페이스가 상기 웰의 바닥면에 형성되는 것을 회피한다. 이 예에서 상기 웰은 원형인 것으로 도시되어 있지만, 다른 모양(예컨대, 정사각형, 직사각형, 타원형 등)일 수도 있다. 도시되지는 않았지만, 각각의 웰은 광 차단 재료(402)를 패터닝하는 방식에 의해 노출되는 추가적인 전기 인터페이스를 포함할 수도 있다.
도 5a 및 도 5b는 발광 소자를 추가한 후에 도시한 광 관리 시스템의 부분 단면도이다. 이 국면에서, 디스플레이(100)는 상기 웰(106)을 채우는 발광 소자(500)를 더 포함한다.
선택적으로, 도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 웰(106)이 각각의 웰의 바닥면(400)에 형성된 전기 인터페이스(404)를 포함하고, 상기 발광 소자(500)는 각각의 웰의 바닥면에 형성된 전기 인터페이스와 연결된 전기 접촉부(502)를 구비한다. 도시되지 않은 일부 국면에서는, 상기 웰의 바닥면은 두 개의 전기 인터페이스를 포함하고, 또한 상기 발광 소자가 두 개의 전기 접촉부을 포함한다. 이 예에서는 광 차단 측벽(108)을 구비한 제2 투명기판(300)을 사용하고, 선택적으로 상기 광 차단 측벽(108)은 도 2에 도시된 바와 같이 광 차단막 층으로 형성될 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 웰(106)은 상기 제2 기판(300)의 상부 표면(504)에 형성된다. 흡수형 광 차단 재료(506)는 상기 제2 기판의 상부 표면(504)을 피복하고, 또한 상기 웰 측벽을 형성한다. 상기 흡수형 광 차단 재료(506)는 패터닝되어 각각의 발광 소자(500)의 상부 부면(508)을 노출시킨다.
위에서 제시된 변형예들은 구조 소자가 직접 발광 소자 디스플레이 내에 설치되어 발광 소자가 출사한 광의 방향성을 제어하는 것에 대해 설명하였다. 상기 발광 소자의 하나의 예로서 상기 발광 소자는 마이크로 발광 다이오드(uLED)이다. 발광 디스플레이는 많은 uLED 픽셀로 구성되고, 각각 개별적으로 어드레스(addressed)된다. 각각의 uLED가 출사한 광의 방향을 제어하여 픽셀간의 광의 누출을 줄임으로써, 컬러 품질과 콘트라스트(contrast)를 보장하는 것이 중요하다. 각각의 uLED로부터의 광은 정면 및 측면을 포함하는 모든 표면으로부터 출사되며, 따라서 표시 기판의 표면에 수직 및 평행한 방향으로 출사된다. 명목상 표면에 평행한 방향을 따라 출사된 광은 상기 광을 반사 또는 흡수하는 구조가 없는 조건하에 인접한 픽셀로 전달된다. 이러한 구조 소자는 흡수형 또는 반사형일 수 있다. 사용될 수 있는 반사 재료로서는 백플레인 제조 공정에 사용되는 금속을 포함하고, 상기 금속은 알루미늄, 티타늄, 은, 주석, 인듐, 니켈, 금 또는 기타 반사재료를 포함한다. 흡수형 재료는 블랙 폴리머 수지 및 카본 블랙 혹는 그래핀 산화물을 포함하는 재료를 포함한다.
도 6은 반사 재료로 형성된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다. 웰(106-0 및 106-n)이 도시되어 있다. 이러한 반사 재료는 예컨대 금속일 수 있다. 유리와 같은 기판(102)은 표준 포토리소그래피 방법에 의해 금속 전극(도시되지 않음)이 패터닝될 수 있도록 제공된다. 상기 반사형 웰 층(600)은 수 미크론 두께로 증착되고, 이는 상기 발광 소자(500-0 및 500-n)의 두께에 의해 결정되는 정확한 두께이다. 상기 반사형 웰 층(600)은 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝되어 웰(106-0 및 106-n)을 형성한다. 상기 발광 소자(500-0 및 500-n)는 상기 웰 구조에 유체적으로 조립될 수 있고, 전기 인터페이스가 웰 바닥층(도시되지 않음)에 존재하는 경우, 납땜 공정(solder process)을 통해 상기 발광 소자에 연결된다.
도 7은 광 흡수 재료로 형성된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다. 이러한 흡수 재료는 예컨대 블랙 매트릭스 재료일 수 있다. 표준 포토리소그래피 방법에 의해 금속 전극(도시되지 않음)이 패터닝될 수 있는 유리와 같은 기판(102)이 제공된다. 상기 흡수형 웰 층(700)은 수 미크론 두께로 증착되고, 이는 상기 발광 소자의 두께에 의해 결정되는 정확한 두께이다. 상기 흡수형 웰 층(700)은 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝되어 웰(106-0 및 106-n)을 형성한다. 상기 발광 소자(500-0 및 500-n)는 각각 상기 웰 구조(106-0 및 106-n)에 유체적으로 조립될 수 있고, 전기 인터페이스가 웰 바닥층(도시되지 않음)에 존재하는 경우, 납땜 공정(solder process)을 통해 상기 발광 소자에 연결된다.
도 8은 광 반사 재료로 피복된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다. 이러한 반사 재료는 예컨대 금속일 수 있다. 표준 포토리소그래피 방법에 의해 금속 전극(도시되지 않음)이 패터닝될 수 있는 유리와 같은 기판(102)이 제공된다. 통상적으로 투명재료로 형성된 웰 패턴층(300)은 수 미크론 두께로 증착되고, 이는 상기 발광 소자의 두께에 의해 결정되는 정확한 두께이다. 상기 웰층(300)은 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝되어 웰(106-0 및 106-n)을 형성한다. 반사 코팅층(800-0 및 800-n)은 예시한 증착 또는 스퍼터링 공정(sputter process)을 통해 웰 구조(106-0 및 106-n)에 각각 증착된다. 상기 반사 코팅층(800-0 및 800-n)은 포토리소그래피 방법에 의해 패턴닝된다. 상기 발광 소자(500-0 및 500-n)는 웰 구조(106-0 및 106-n)에 유체적으로 조립되고, 전기 인터페이스가 웰 바닥층(도시되지 않음)에 존재하는 경우, 이들은 납땜 공정을 통해 상기 발광 소자에 연결된다.
도 9는 광 흡수 재료로 피복된 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다. 이러한 흡수 재료는 예컨대 블랙 매트릭스 재료일 수 있다. 표준 포토리소그래피 방법에 의해 금속 전극(도시되지 않음)이 패터닝될 수 있는 유리와 같은 기판(102)이 제공된다. 투명 웰 패턴층(300)은 수 미크론 두께로 증착되고, 이는 상기 발광 소자의 두께에 의해 결정되는 정확한 두께이다. 상기 투명 웰 패턴층(300)은 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝되어 웰(106-0 및 106-n)을 형성한다. 흡수 코팅층(900-0 및 900-n)은 각각 상기 웰 구조(106-0 및 106-n)에 증착된다. 상기 흡수 코팅층은 포토리소그래피 방법에 의해 패턴닝된다. 상기 발광 소자(500-0 및 500-n)는 각각 상기 웰 구조(106-0 및 106-n)에 유체적으로 조립될 수 있고, 전기 인터페이스가 웰 바닥층(도시되지 않음)에 존재하는 경우, 납땜 공정을 통해 상기 발광 소자에 연결된다.
도 10은 발광 소자가 광 흡수 재료에 의해 피복되어 있는 웰 구조로서 사용가능한 광 관리 특징의 부분 단면도이다. 이러한 흡수 재료(1000)는 예컨대 블랙 매트릭스 재료일 수 있다. 표준 포토리소그래피 방법에 의해 금속 전극(도시되지 않음)이 패터닝될 수 있는 유리와 같은 기판(102)이 제공된다. 웰 패턴층(300)은 수 미크론 두께로 증착되고, 이는 상기 발광 소자의 두께에 의해 결정되는 정확한 두께이다. 상기 웰층(300)은 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝되어 웰(106-0 및 106-n)을 형성한다. 상기 발광 소자(500-0 및 500-n)는 각각 상기 웰 구조(106-0 및 106-n)에 유체적으로 조립될 수 있고, 전기 인터페이스가 웰 바닥층(도시되지 않음)에 존재하는 경우, 납땜 공정을 통해 상기 발광 소자에 연결된다. 상기 흡수 재료(1000)는 상기 웰 구조에 증착된다. 상기 흡수 재료(1000)는 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝된다.
도 11은 광 관리 시스템을 구비하는 발광 표시 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 명확하게 하기 위해, 본 방법은 일련의 번호가 붙여진 복수개의 스텝으로 묘사되어 있지만, 번호는 반드시 스텝의 순서를 지정하는 것은 아니다. 이들 스텝들중 일부는 스킵되거나, 동시에 수행되거나, 혹은 수행하지만 엄격히 선후 순서를 유지할 필요는 없음을 이해해야 한다. 그렇지만, 일반적으로 이 방법은 표시된 스텝의 번호 순서를 따른다. 이 방법은 스텝 1100으로부터 시작한다.
스텝 1102는 상부 표면을 구비하는 투명한 제1 기판을 제공한다. 스텝 1104는 복수개의 발광 소자 웰을 형성하고, 스텝 1106은 광 차단 재료로부터 웰 측벽을 형성한다. 위에서 설명한 바와 같이, 상기 차단 재료는 광 흡수 재료이고, 예컨대 블랙 폴리머 수지, 블랙 포토레지스트, 카본 블랙을 포함하는 재료 또는 그래핀 산화물을 포함하는 재료일 수 있다. 다른 국면에서, 상기 광 차단 재료는 반사 재료이고, 예컨대 알루미늄, 티타늄, 은, 주석, 인듐, 니켈 및 금과 같은 광 반사 재료이다. 한 국면에서, 상기 웰은 상기 제1 기판에 직접 형성된다. 다른 국면에서, 스텝 1104 중 상기 발광 소자 웰을 형성하는 스텝은 경사진 비아 표면을 구비한 웰을 형성하는 스텝을 포함하고, 또한 스텝 1106 중 웰 측벽을 형성하는 스텝은 경사진 웰 측벽을 형성하는 스텝을 포함한다.
한 국면에서, 스텝 1103a에서는 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 광 차단 재료 막층을 형성한다. 그렇지만, 스텝 1106에서 웰 측벽을 형성하는 스텝은 광 차단 재료 막층에 발광 소자 측벽을 형성하는 스텝을 포함한다. 여기서, 스텝 1108은 발광 소자 웰을 발광 소자로 채우기 위해 유체적인 조립공정을 사용할 수 있다. 선택적으로, 웰을 채우는 공정에 픽-앤-플레이스 공정을 사용할 수 있다.
다른 국면에서, 스텝 1103b는 제1 기판 상부 표면을 피복하는 투명한 제2 기판을 형성한다. 다음에, 스텝 1104에서 상기 발광 소자의 웰을 형성하는 스텝은 상기 제2 기판에 비아 표면을 구비하는 상기 발광 소자의 웰을 형성하는 스텝을 포함하고, 스텝 1106에서 웰 측벽을 형성하는 스텝은 광 차단 재료를 증착하여 상기 출광 소자의 비아 표면을 피복하는 스텝을 포함한다. 선택적으로, 스텝 1106은 각각의 웰의 바닥면에 광 차단 재료를 형성할 수 있다. 스텝 1102가 제1 기판 상부 표면에 형성된 전기 인터페이스를 구비하는 제1 기판을 제공하는 경우, 스텝 1104에서 발광 소자 웰을 형성하는 스텝은 제2 기판을 에칭하여 각각의 웰 바닥면 상에 형성된 전기 인터페이스를 노출시키는 스텝을 포함한다. 마찬가지로, 스텝 1106에서 각각의 웰의 바닥면에 광 차단 재료를 형성하는 스텝은 광 차단 재료를 패터닝하여 상기 웰의 바닥면에 전기 인터페이스가 형성되는 것을 회피하는 스텝을 포함한다. 여기서, 스텝 1108은 발광 소자 웰을 발광 소자로 채우기 위해 유체적인 조립공정을 사용할 수 있다. 선택적으로, 웰을 채우는 공정에 픽-앤-플레이스 공정을 사용할 수 있다.
투명한 제2 기판을 사용하는 또 다른 국면에서, 스텝 1105는 광 차단 재료를 증착하기 전에, 스텝 1105 중 발광 소자 웰을 발광 소자로 채우기 위해 유체적인 조립공정을 사용한다. 다음에, 광 차단 재료로 웰 측벽을 형성하는 스텝은 복수개의 서브 스텝을 포함한다. 스텝 1106a는 광 흡수 차단 재료를 증착하여 제2 기판 상부 표면을 피복하고, 또한 웰을 채우는 광 흡수 차단 재료를 등각적으로(conformally) 증착하며, 스텝 1106b는 발광 재료를 노출시키기 위해 광 흡수 차단 재료를 에칭한다.
도 12는 발광 표시 기판으로부터 출사된 광의 방향을 관리하는 방법을 예시하는 흐름도이다. 이 방법은 스텝 1200으로부터 시작한다. 스텝 1202는 투명 기판 및 복수개의 발광 소자 웰을 제공한다. 스텝 1204는 광 차단 재료의 웰 측벽을 형성하고, 스텝 1206은 유체적인(또는 픽-앤-플레이스)조립 공정을 사용하여 발광 소자를 웰에 채운다. 도 11의 설명에서 알려진 바와 같이, 일부 국면에서, 스텝 1206은 스텝 1204 전에 수행될 수 있다. 상기 광 차단 재료 측벽에 응답하여, 스텝 1208은 인접한 웰들 사이에서 광의 전파를 방지한다.
일종의 발광 디스플레이 관리 시스템이 제공된다. 특정 재료, 회로 레이아웃 및 공정 스텝의 예는 본 발명을 설명하기 위한 것이다. 그러나, 본 발명은 이들 예에만 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 다른 변형 및 실시예가 해당 기술분야의 통상의 기술을 가진 자에게 일어날 수 있다.
100---디스플레이
102---제1 기판
104---상부 표면
106, 106-0, 106-n---웰
108---광 차단 재료
300---제2 기판
302---비아 표면
400---바닥면
402---광 차단 재료
404---전기적 인터페이스
500, 500-0, 500-n---발광 소자
502---전기 접촉부
504---상부 표면
506---흡수형 광 차단 재료
508---상부 표면
600---반사형 웰 층
700---흡수형 웰 층
800-0, 800-n---반사 코팅층
900-0, 900-n---흡수 코팅층
1000---흡수 재료

Claims (26)

  1. 광 관리 시스템을 구비하는 발광 표시 기판에 있어서,
    투명한 제1 기판;
    제1 기판의 상부 표면;
    상기 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 투명한 제2 기판;
    상기 제2 기판에 형성된 복수개의 발광 소자의 웰; 및
    광 차단 재료로 형성된 웰 측벽을 포함하고,
    상기 광 차단 재료는 상기 제2 기판의 상부 표면, 각각의 발광 소자의 상부 표면 및 상기 웰을 피복하여 상기 웰 측벽을 형성하며, 상기 광 차단 재료는 각각의 웰의 바닥면에 형성되고, 상기 각각의 웰의 바닥면에 형성된 상기 광 차단 재료는 결구부를 구비하며,
    상기 광 차단 재료는 상기 제2 기판의 상부 표면을 피복하며, 상기 웰 측벽을 형성하고, 패터닝되어 각각의 발광 소자의 상부 표면을 노출시키고, 상기 제2 기판의 상부 표면에 위치하고 있는 상기 광 차단 재료의 일부분이 상기 각각의 발광 소자의 상부 표면과 중첩되며,
    상기 각각의 웰의 바닥면 상의 상기 광 차단 재료가 패터닝되어 전기 인터페이스를 형성하고, 상기 전기 인터페이스는 상기 각각의 웰의 바닥면에서 돌출되고, 또한 상기 결구부 내에 위치하여 상기 각각의 웰의 바닥면 상의 상기 광 차단 재료에 둘러싸인 것을 특징으로 하는, 발광 표시 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 차단 재료는 광 흡수 재료 및 광 반사 재료로 이루어진 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 표시 기판.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 웰은 웰 비아 표면을 구비하는 상기 제2 기판에 형성되며,
    상기 광 차단 재료의 측벽이 상기 웰 비아 표면을 피복하는 것을 특징으로 하는, 발광 표시 기판.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 흡수 재료는 블랙 폴리머 수지, 블랙 포토레지스트, 카본 블랙을 포함하는 재료, 그래핀 산화물을 포함하는 재료로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 표시 기판.

  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 반사 재료는 알루미늄, 티타늄, 은, 주석, 인듐, 니켈 및 금으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 표시 기판.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 웰 측벽은 경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 표시 기판.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 표시 기판은 웰을 채우는 발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 표시 기판.

  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 웰은 각각의 웰 바닥면에 형성된 전기 인터페이스를 포함하고,
    상기 발광 소자는 각각의 웰 바닥면에 형성된 상기 전기 인터페이스에 연결된 전기 접촉부를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 표시 기판.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 광 차단 재료는 광 흡수막인 것을 특징으로 하는, 발광 표시 기판.
  14. 광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이 기판의 제조방법에 있어서,
    상부 표면을 구비하는 투명한 제1 기판을 제공하는 스텝,
    상기 제1 기판의 상부 표면을 피복하는 투명한 제2 기판을 형성하는 스텝,
    상기 제2 기판에 복수개의 발광 소자의 웰을 형성하고, 상기 복수개의 발광 소자의 웰은 비아 표면을 구비하는 스텝,
    증착하여 상기 웰의 비아 표면을 피복하는 광 차단 재료를 형성하는 스텝,
    상기 광 차단 재료로 웰 측벽을 형성하는 스텝, 및
    유체적인 조립공정을 사용하여 상기 발광 소자로 상기 웰을 채우는 스텝을 포함하고,
    상기 광 차단 재료를 증착하기 전에, 상기 유체적인 조립공정을 사용하여 상기 웰을 발광 소자로 채우는 스텝을 수행하고,
    상기 광 차단 재료로 상기 웰 측벽을 형성하는 스텝은, 광 흡수 차단 재료를 등각적으로 증착하여 상기 제2 기판의 상부를 피복하고 상기 웰을 채우는 스텝을 포함하며,
    상기 광 차단 재료를 패터닝하여 상기 웰의 바닥면에 형성된 전기 인터페이스를 회피시키며,
    상기 광 흡수 차단 재료를 에칭하여 상기 발광 소자를 노출시키며,
    상기 제2 기판의 상부 표면에 위치하고 있는 상기 광 차단 재료의 일부분이 각각의 발광 소자의 상부 표면과 중첩하는 것을 특징으로 하는, 발광 디스플레이 기판의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 광 차단 재료는 광 흡수 재료 및 광 반사 재료로 이루어진 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 디스플레이 기판의 제조방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 기판을 제공하는 스텝은 상기 상부 표면 상에 형성된 전기 인터페이스를 구비하는 기판을 제공하는 스텝을 포함하고,
    상기 발광 소자의 웰을 형성하는 스텝은 상기 제2 기판을 에칭하여 각각의 웰의 바닥면에 형성된 전기 인터페이스를 노출시키는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디스플레이 기판의 제조방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 광 흡수 재료는 블랙 폴리머 수지, 블랙 포토레지스트, 카본 블랙을 포함하는 재료, 그래핀 산화물을 포함하는 재료로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 디스플레이 기판의 제조방법.
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 광 반사 재료는 알루미늄, 티타늄, 은, 주석, 인듐, 니켈 및 금으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 디스플레이 기판의 제조방법.
  24. 제 14 항에 있어서,
    상기 발광 소자의 웰을 형성하는 스텝은 경사진 비아 표면을 구비하는 웰을 형성하는 스텝을 포함하고,
    상기 발광 소자의 웰의 측벽을 형성하는 스텝은 경사진 웰의 측벽을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디스플레이 기판의 제조방법.
  25. 삭제
  26. 삭제
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