CN107833903B - 具有光管理系统的发光显示器 - Google Patents
具有光管理系统的发光显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107833903B CN107833903B CN201710835481.1A CN201710835481A CN107833903B CN 107833903 B CN107833903 B CN 107833903B CN 201710835481 A CN201710835481 A CN 201710835481A CN 107833903 B CN107833903 B CN 107833903B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- well
- light
- substrate
- light emitting
- blocking material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供一种用于制造具有光管理系统的发光显示基板的方法。所述方法提供具有顶表面的透明第一基板，且形成多个发光元件井。所述井侧壁由光吸收材料或者光反射材料形成。在一方面，光阻挡材料膜层被形成为覆盖所述第一基板的顶表面，所述发光元件的侧壁形成于光阻挡材料膜层。在另一方面，透明第二基板被形成为覆盖所述第一基板的顶表面。然后，所述发光元件的井形成于所述第二基板且具有通道表面，所述光阻挡材料被沉积为覆盖所述井通道表面。另外，所述光阻挡材料可以形成于每一个井的底面。具有光管理系统的发光显示基板被提供如下。
Description
技术领域
本发明总体涉及发光显示器，尤其涉及用于使用微型发光元件的发光显示器的光管理系统。
背景技术
红-绿-蓝(RGB)显示器可以由微型发光元件形成，比如微型发光二极管(μLED)。这样的显示器可以被使用于电视、电脑显示器或者手持设备。微型发光元件可以具有小于100微米的直径或者横截面。所述发光元件以某种方式对齐至像素阵列。在发光元件的放置之后的传统的处理和集成步骤包括金属化以连接所述发光元件至控制线矩阵。
如果显示器的制造是使用流体组装工艺，所述显示基板形成有井的阵列用以捕捉所述发光元件。通常，所述发光基板由诸如玻璃的透明材料制成。结果，光可能通过相邻的井之间的透明基板泄露传播，其降低颜色的质量和对比度。
如果从每一个发光基板的井中发出的光可以被控制，以使来自井中的发光元件的光仅指向透明基板的顶表面，并且防止传播至相邻的井，这将会是有利的。
发明内容
本发明所述为采用直接发光的发光元件的结构特征，比如微型发光二极管(uLED)，其可以控制发光的方向性。发光显示器可以由多个uLED像素组成；每一个单独寻址。重要的是，由每一个uLED发出的光的方向被控制，以减少像素之间的光泄露从而确保颜色的质量和对比度。来自每一个uLED的光是从包括正面和侧面的所有的表面被发出，因此是在垂直和平行于所述显示基板的表面的方向上被发出。除非被控制，否则沿着名义上平行于透明显示基板表面的方向发出的光将传播到相邻像素。本文所描述的结构特征被用于反射或者吸收所述光。反射材料可以包括已经结合于背板制造中的金属，包括铝、钛、银、锡、铟、镍、金或其它反射性金属。吸收材料可以包括黑色聚合物树脂和含有炭黑或者石墨烯氧化物的黑色光阻材料。
相应地，一种用于制造具有光管理系统的发光显示基板的方法被提供。所述方法提供具有顶表面的透明第一基板，和形成多个发光元件的井。井的侧壁由光阻挡材料形成。在最简单的情况下，所述井形成于所述第一基板。如上所提及的，所述光阻挡材料可以是光吸收材料或者光反射材料。在一个方面，光阻挡材料膜层被形成为覆盖所述第一基板的顶表面，且所述发光元件的侧壁被形成于所述光阻挡材料膜层。
在另一个方面，透明第二基板被形成为覆盖所述第一基板的顶表面。然后，所述发光元件的井具有通道表面被形成于所述第二基板，且所述光阻挡材料被沉积为覆盖所述井的通道表面。另外，所述光阻挡材料可以形成于每一个井的底面。如果所述第一基板包括形成于所述顶表面的电接口，形成于所述第二基板的所述发光元件的井被蚀刻以暴露形成于每一个井的底面的电接口。然后，在所述井的底面上的光阻挡材料被图案化以避开形成于所述井的底表面上的所述电接口。
在另一个方面，在沉积所述光阻挡材料之前，流体组装工艺被使用以用发光元件填充所述井。需要说明的是，所述井可以使用拾取-放置工艺而被填充，其本质上更耗时。然后，所述井的侧壁的光阻挡材料通过共形地沉积所述光吸收阻挡材料覆盖所述第二基板的顶表面和填充所述井，并蚀刻所述光吸收阻挡材料以暴露所述发光元件的方式被形成。
下面将提供上述方法和具有光管理系统的发光显示基板的附加细节。
附图说明
图1是具有光管理系统的发光显示基板的局部横截面图。
图2是描绘第一变更实施例的光管理系统的局部横截剖面图。
图3是描绘第二变更实施例的光管理系统的局部横截剖面图。
图4A和4B分别是与图3所示的所述第二变更实施例的光管理系统相关的局部横截剖面图和平面图。
图5A和5B是描绘添加了发光元件之后的显示光管理系统的局部横截面图。
图6是由反射材料形成的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。
图7是描绘由光吸收材料形成的能够作为井结构的光管理特征的局部横截面图。
图8是描绘被光反射材料覆盖的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。
图9是被光吸收材料覆盖的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。
图10是描绘具有覆盖有光吸收层的发光元件的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。
图11是说明用于制造具有光管理系统的发光显示基板的方法的流程图。
图12是说明管理来自发光显示基板发出的光的方向的方法的流程图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
图1是具有光管理系统的发光显示基板的局部横截面图。显示器100包括具有第一基板的顶表面104的第一基板102。例如，第一基板102可以是比如玻璃或者塑料的透明材料，但可选地，所述材料可以是非透明塑料、金属或者硅材料。多个发光元件的井106(仅示出一个井)存在具有由光阻挡材料108形成的井侧壁。如示出的一个简单方面，井106直接形成于第一基板102。所述光阻挡材料可以是光吸收材料或者光反射材料。光吸收材料的一些例子包括黑色聚合物树脂、黑色光阻、包括炭黑的材料或者包括石墨烯氧化物的材料。光反射材料的一些例子包括铝、钛、银、锡、铟、镍和金。有利地，这些材料通常被用于薄膜显示器和集成电路(IC)制造工艺中。在一个方面，参见图8所示的实施例，所述井通道表面和侧壁是倾斜的。
图2是描绘第一变更实施例的光管理系统的局部横截剖面图。在这一方面，所述光阻挡材料形成膜层108覆盖所述第一基板的顶表面104。井106被形成在光阻挡材料膜层108中。尽管未示出，在形成所述井时，所述光阻挡膜层不是必须需要被蚀刻以暴露所述第一基板的顶表面。
图3是描绘第二变更实施例的光管理系统的局部横截剖面图。在这一方面，具有上表面302的透明第二基板300覆盖第一基板的顶表面104。井106形成于具有井的通道表面302的第二基板300，且光阻挡材料侧壁108覆盖所述井的通道表面。尽管未示出，在形成所述井时，所述第二基板不是必须需要被蚀刻以暴露所述第一基板的顶表面。
图4A和4B分别是与图3所示的所述第二变更实施例的光管理系统相关的局部横截剖面图和平面图。在这一方面，光阻挡材料402形成于每一个井106的底面400上。备注:光阻挡材料402和108通常是在相同工艺中形成的相同材料，但是为了清楚起见，被赋予了不同的参考标号。尽管未示出，在形成所述井时，所述第二基板不是必须需要被蚀刻以暴露所述第一基板的顶表面。
如果电接口404被形成于每一个井的底面400上，如图4B所示，每一个井的底面400上的光阻挡材料402被图案化以避开形成在所述井的底面上的所述电接口。在这一实施例中所述井被示出为具有圆形，但其他形状(比如方形、矩形、椭圆形等等)也是可能的。尽管未示出，每一个井可以包括将通过图案化光阻挡材料402的方式而被暴露的附加电接口。
图5A和5B是描绘添加了发光元件之后的显示光管理系统的局部横截面图。在这一方面，显示器100进一步包括占据所述井106的发光元件500。可选地，如图5A所述，如果井106包括形成于每一个井的底面400的电接口404，每一个发光元件500具有与形成于井的底面的所述电接口连接的电接触部502。在一些未示出的方面，所述井的底面包括两个电接口且所述发光元件包括两个电接触部。尽管具有光阻挡侧壁108的第二透明基板300被用于这个实施例中，可选择地，所述光阻挡侧壁可以由如图2所示出的光阻挡膜层形成。
如图5B所示，井106形成于第二基板300的上表面504。吸收型光阻挡材料506覆盖第二基板的上表面504且形成井的侧壁。吸收型光阻挡材料506被图案化以暴露每一个发光元件500的顶面508。
上述示出的不同实施例描述了结构元件被用于直接发射发光元件显示器内的，以控制由发光元件发出的光的方向性。所述发光元件的一个实施例是微型发光二极管(uLED)。发光显示器可以由多个uLED像素组成；每一个单独寻址。重要的是由每一个uLED发出的光的方向被控制以减少像素之间光泄露，从而确保颜色的质量和对比度。来自每一个uLED的光是从包括正面和侧面的所有的表面被发出，因此是在垂直和平行于所述显示基板的表面的方向上被发出。所述沿着名义上平行于所述表面的方向被发出的光，在没有用于反射或吸收的结构下，将会传递至相邻的像素。这些结构元件可以是吸收或者反射类型。可以被使用的反射材料包括已经用在背板制造工艺中的金属，所述金属包括铝、钛、银、锡、铟、镍、金或者其它反射材料。吸收材料包括黑色聚合物树脂、和包括炭黑或者石墨烯氧化物的黑色光阻材料。
图6是由反射材料形成的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。示出了井106-0和106-n。这些反射材料可以示例地为金属。基板102诸如玻璃被提供，在其上金属电极通过标准光刻方法被图案化(未示出)。反射式井层600被沉积为厚度几微米，具有由所述发光元件(500-0和500-n)的厚度所决定的准确厚度。反射式井层600通过光刻方法被图案化形成井106-0和106-n。发光元件500-0和500-n可以被流体组装于所述井结构中，并且如果电接口存在于井底层(未示出)，它们通过焊接工艺被连接至所述发光元件。
图7是描绘由光吸收材料形成的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。所述吸收材料可以示例地为黑矩阵材料。基板102诸如玻璃被提供,于其上金属电极(未示出)通过标准光刻方法被图案化。吸收式井层700被沉积为厚度几微米，具有由所述发光元的厚度所决定的准确厚度。吸收式井层700通过光刻方法被图案化形成井106-0和106-n。发光元件500-0和500-n可以分别地被流体组装于所述井结构106-0和106-n中，并且如果电接口存在于所述井底层(未示出)，它们可以通过焊接工艺被连接至所述发光元件。
图8是描绘被光反射材料覆盖的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。这个反射材料可以示例地为金属。基板102诸如玻璃被提供，于其上金属电极通过标准光刻方法被图案化(未示出)。通常由透明材料形成的井图案层300被沉积为厚度几微米，具有由所述发光元件的厚度所决定的准确厚度。井图案层300通过光刻方法被图案化形成井106-0和106-n。反射涂层800-0和800-n通过示例性地蒸发或者溅独工艺被分别地沉积于井结构106-0和106-n上。反射涂层800-0和800-n通过光刻方法被图案化。发光元件500-0和500-n可以被流体组装于井结构106-0和106-n中，并且如果电接口存在于井底层(未示出)，它们可以通过焊接工艺被连接至所述发光元件。
图9是被光吸收材料覆盖的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。所述吸收材料可以示例地为黑矩阵材料。基板102诸如玻璃被提供，于其上金属电极(未示出)通过标准光刻方法可选地被图案化。透明井图案层300被沉积为厚度几微米，具有由所述发光元件的厚度所决定的准确厚度。井层300通过光刻方法被图案化形成井106-0和106-n。吸收涂层900-0和900-n被分别沉积在井106-0和106-n上。所述吸收涂层通过光刻方法被图案化。发光元件500-0和500-n可以分别地被流体组装于井结构106-0和106-n中，并且如果电接口存在于所述井底层(未示出)，它们可以通过焊接工艺被连接至所述发光元件。
图10是描绘具有覆盖有光吸收层的发光元件的能够被作为井结构的光管理特征的局部横截面图。这些吸收材料1000可以示例地为黑矩阵材料。基板102诸如玻璃被提供,于其上金属电极通过标准光刻方法可选地被图案化(未示出)。透明井图案层300被沉积为厚度几微米，具有由所述发光元件的厚度所决定的准确厚度。井层300通过光刻方法被图案化形成井106-0和106-n。发光元件500-0和500-n可以分别地被流体组装于井结构106-0和106-n中，并且如果电接口存在于所述井底层(未示出)，它们可以通过焊接工艺被连接至所述发光元件。吸收涂层1000被沉积于井结构上。吸收涂层1000通过光刻方法被图案化。
图11是说明用于制造具有光管理系统的发光显示基板的方法的流程图。尽管为了清楚起见，该方法被描述为已编号的步骤的序列，但所述编号并不一定决定步骤的顺序。可以理解的是这些步骤中的一部分可以跳过、并行执行或者不要求严格维持序列的顺序地执行。然而通常所述方法遵循所描述的步骤的编号顺序。所述方法始于步骤1100。
步骤1102提供具有顶表面的透明第一基板。步骤1104形成多个发光元件井，且步骤1106以光阻挡材料形成井侧壁。如前所述，所述阻挡材料可以是光吸收材料，诸如黑色聚合物树脂、黑色光阻、包括炭黑的材料或者包括石墨烯氧化物的材料。在其他方面，所述光阻挡材料是光反射材料，诸如铝、钛、银、锡、铟、镍和金。在一方面，所述井直接形成在所述第一基板。在其他方面，步骤1104中形成所述发光元件井包括形成具有倾斜通道表面的井，并且步骤1106中形成井侧壁包括形成倾斜井侧壁。
在一方面，步骤1103a形成光阻挡材料膜层覆盖所述第一基板的顶表面。然后在步骤1106中形成井侧壁包括在所述光阻挡材料膜层中形成所述发光元件侧壁。在这一方面，步骤1108可以使用流体组装工艺来用发光元件占据发光元件井。可选地，拾取-放置工艺可以用于占据所述井。
在另一方面，步骤1103b形成透明第二基板覆盖所述第一基板的顶表面。然后在步骤1104中形成所述发光元件的井包括在所述第二基板中形成具有通道表面的发光元件的井，并且在步骤1106中形成所述井侧壁包括沉积光阻挡材料覆盖所述井通道表面。可选地，步骤1106可以在每一个井的底面形成光阻挡材料。如果步骤1102提供具有形成于所述第一基板的顶表面上的电接口的所述第一基板，然后在步骤1104中形成发光元件井包括蚀刻所述第二基板以暴露形成于每一个井的底面上的电接口。类似地，步骤1106中在每一个井的底面上形成光阻挡材料将包括图案化所述光阻挡材料以避开形成于所述井的底面上的所述电接口。在这一方面，步骤1108使用流体组装工艺来用发光元件占据所述发光元件井。可选地，拾取-放置工艺可以用于占据所述井。
在使用所述透明第二基板的其他方面，在沉积所述光阻挡材料之前，步骤1105使用流体组装工艺来用发光元件占据所述井。然后，以光阻挡材料成井侧壁包括多个子步骤。步骤1106a共形地沉积光吸收阻挡材料覆盖所述第二基板的上表面并填充所述井，并且步骤1106b蚀刻所述光吸收阻挡材料以暴露所述发光元件。
图12是说明用于管理来自发光显示基板发出的光的方向的方法的流程图。所述方法始于步骤1200。步骤1202提供透明基板和多个发光元件井。步骤1204形成光阻挡材料的井侧壁且步骤1206用流体(拾取和放置)组装工艺来用发光元件占据所述井。如图11的说明所述，在一些方面步骤1206可以在步骤1204之前被执行。响应于所述光阻挡材料侧壁，步骤1208阻止光在相邻的井之间传播。
一种发光显示器光管理系统被提供。特定材料、电路布局和工艺步骤的实施例被呈现以说明本发明。然而，本发明并不仅仅限制于这些实施例。本发明的其它的变更和实施例可以被本领域技术人员想到。
Claims (17)
1.一种具有光管理系统的发光显示基板，其特征在于：其包括:
透明的第一基板；
所述第一基板的顶表面；
具有上表面的透明的第二基板，覆盖所述第一基板的顶表面；
多个发光元件的井，所述井形成于所述第二基板中；
多个发光元件，每一个发光元件占据一个所述井；以及
由光阻挡材料形成的井侧壁，
其中，所述光阻挡材料覆盖所述第二基板的上表面且形成所述井侧壁，并被图案化以暴露每一个发光元件的顶表面。
2.如权利要求1所述的发光显示基板，其特征在于：所述光阻挡材料由包括光吸收材料和光反射材料的组合中选择。
3.如权利要求1所述的发光显示基板，其特征在于，所述井具有井的通道表面；以及
其中，所述光阻挡材料覆盖所述井的通道表面。
4.如权利要求3所述的发光显示基板，其特征在于：所述光阻挡材料形成于每一个井的底面上。
5.如权利要求4所述的发光显示基板，其特征在于：所述井包括形成于每一个井的所述底面的电接口；以及
其中，在每一个井的底面的所述光阻挡材料被图案化以避开形成于所述井的底面上的所述电接口。
6.如权利要求2所述的发光显示基板，其特征在于：所述光吸收材料选择自由黑色聚合物树脂、黑色光阻、包括炭黑的材料和包括石墨烯氧化物的材料组成的组。
7.如权利要求2所述的发光显示基板，其特征在于：所述光反射材料选择自由铝、钛、银、锡、铟、镍和金组成的组。
8.如权利要求1所述的发光显示基板，其特征在于：所述井侧壁是倾斜的。
9.如权利要求1所述的发光显示基板，其特征在于：所述井包括形成于每一个井的底面上的电接口；以及
其中，每一个所述发光元件包括与形成于所述井的所述底面上的所述电接口连接的电接触部。
10.一种用于制造具有光管理系统的发光显示器基板的方法，其特征在于：所述方法包括：
提供具有顶表面的透明的第一基板；
形成多个发光元件的井；以及
形成由光阻挡材料形成的井的侧壁；
所述方法还包括形成覆盖所述第一基板的顶表面的透明第二基板；
其中，形成所述井包括在所述第二基板中形成具有通道表面的所述发光元件的井；以及
其中，形成所述井的侧壁包括沉积所述光阻挡材料覆盖所述井的通道表面；
所述方法进一步包括：
在沉积所述光阻挡材料之前，使用流体组装工艺来用发光元件占据所述井；以及
其中，形成以所述光阻挡材料形成的井的侧壁包括：共形地沉积光阻挡材料覆盖所述第二基板的上表面和填充所述井，以及
蚀刻所述光阻挡材料以暴露所述发光元件。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述光阻挡材料选择自由光吸收材料和光反射材料组成的组。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于：形成所述井的侧壁另外包括形成所述光阻挡材料于每一个井的底面。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：提供所述第一基板包括提供具有形成于所述顶表面的电接口的基板；
其中，形成所述发光元件的井包括蚀刻所述第二基板以暴露形成于每一个井的底面的电接口；以及
其中，形成所述光阻挡材料于每一个井的底面包括图案化所述光阻挡材料以避开形成于所述井的底面的所述电接口。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述光吸收材料选自由黑色聚合物树脂、黑色光阻、包括炭黑的材料和包括石墨烯氧化物的材料组成的组。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述光反射材料选自由铝、钛、银、锡、铟、镍和金组成的组。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于：形成所述发光元件的井包括形成具有倾斜的通道表面的井；以及
其中，形成井的侧壁包括形成倾斜的井的侧壁。
17.一种用于管理由发光显示基板发出的光的方向的方法，其特征在于：所述方法包括：
提供透明基板和多个发光元件的井，所述透明基板包括透明的第一基板和覆盖所述第一基板的透明的第二基板；
形成光阻挡材料的井的侧壁；
使用流体组装工艺，用发光元件占据所述井；以及
响应于所述光阻挡材料侧壁，阻止光在相邻的井之间传播；
其中，形成所述井包括在所述第二基板中形成具有通道表面的所述发光元件的井；以及
其中，形成所述井的侧壁包括沉积所述光阻挡材料覆盖所述井的通道表面；
所述方法进一步包括：
在沉积所述光阻挡材料之前，使用流体组装工艺来用发光元件占据所述井；以及
其中，形成以所述光阻挡材料形成的井的侧壁包括：共形地沉积光阻挡材料覆盖所述第二基板的上表面和填充所述井，以及
蚀刻所述光阻挡材料以暴露所述发光元件。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/266796 | 2016-09-15 | ||
| US15/266,796 US9917226B1 (en) | 2016-09-15 | 2016-09-15 | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
| US15/410195 | 2017-01-19 | ||
| US15/410,195 US10236279B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-01-19 | Emissive display with light management system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107833903A CN107833903A (zh) | 2018-03-23 |
| CN107833903B true CN107833903B (zh) | 2022-10-18 |
Family
ID=61643314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710835481.1A Active CN107833903B (zh) | 2016-09-15 | 2017-09-15 | 具有光管理系统的发光显示器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102019252B1 (zh) |
| CN (1) | CN107833903B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113451486A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN113903729A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-07 | 北海惠科光电技术有限公司 | Micro LED显示装置及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130007263A (ko) * | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
| CN105244419A (zh) * | 2014-06-18 | 2016-01-13 | 晶能光电（常州）有限公司 | 一种晶圆级薄膜倒装led芯片的制备方法 |
| CN105339996A (zh) * | 2013-06-18 | 2016-02-17 | 勒克斯维科技公司 | 具有波长转换层的led显示器 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532496B2 (ja) * | 1987-08-07 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の実装方法 |
| JPH08274378A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ |
| JP4422870B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2010-02-24 | 三菱電線工業株式会社 | Ｌｅｄ発光灯におけるリード線配線処理方法 |
| JP4165478B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
| JP4613489B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 素子配列方法及び表示装置 |
| US7719021B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-05-18 | Lighting Science Group Corporation | Light efficient LED assembly including a shaped reflective cavity and method for making same |
| JP5241128B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 多色表示装置 |
| JP4899675B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2012-03-21 | ソニー株式会社 | 実装方法、電子機器の製造方法および発光ダイオードディスプレイの製造方法 |
| JP2008072043A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JP4846498B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-12-28 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
| JP5300702B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2013-09-25 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
| CN102185081A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发光二极管封装构造 |
| WO2013077144A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 富士機械製造株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| US8648328B2 (en) * | 2011-12-27 | 2014-02-11 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Light emitting diode (LED) using three-dimensional gallium nitride (GaN) pillar structures with planar surfaces |
| US10115862B2 (en) * | 2011-12-27 | 2018-10-30 | eLux Inc. | Fluidic assembly top-contact LED disk |
| KR101476207B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2014-12-24 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| US9178123B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
| TWI594661B (zh) * | 2013-04-19 | 2017-08-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
| DE202014011392U1 (de) * | 2013-05-13 | 2020-02-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED-Gehäuse; Fahrzeuglampe sowie Hintergrundbeleuchtung mit diesem |
| US9484504B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
| CN103531108B (zh) * | 2013-10-30 | 2015-10-07 | 广东威创视讯科技股份有限公司 | 一种led显示屏及其封装方法 |
| CN104752584A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种led封装结构 |
| US9343633B1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-17 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode lighting device |
| TWI665800B (zh) * | 2015-06-16 | 2019-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
| KR102467420B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN105206642A (zh) * | 2015-10-13 | 2015-12-30 | 南京大学 | 一种超高密度led显示器件及其制造方法 |
| CN105932128B (zh) * | 2016-05-10 | 2018-04-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种氮化物发光二极管的外延结构 |
-
2017
- 2017-09-15 CN CN201710835481.1A patent/CN107833903B/zh active Active
- 2017-09-15 KR KR1020170118700A patent/KR102019252B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130007263A (ko) * | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
| CN105339996A (zh) * | 2013-06-18 | 2016-02-17 | 勒克斯维科技公司 | 具有波长转换层的led显示器 |
| CN105244419A (zh) * | 2014-06-18 | 2016-01-13 | 晶能光电（常州）有限公司 | 一种晶圆级薄膜倒装led芯片的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102019252B1 (ko) | 2019-11-14 |
| KR20180030456A (ko) | 2018-03-23 |
| CN107833903A (zh) | 2018-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10236279B2 (en) | Emissive display with light management system | |
| EP3114899B1 (en) | Method of fabricating a display device using semiconductor light emitting device | |
| CN110709995A (zh) | 具有发光堆叠结构的显示装置 | |
| US10600354B2 (en) | Small pitch direct view display and method of making thereof | |
| EP2819189B1 (en) | Method and hardware to enhance light out-coupling | |
| CN113725249B (zh) | 一种芯片结构、制作方法和显示装置 | |
| CN102263176A (zh) | 发光器件、发光器件封装以及发光装置系统 | |
| US11360627B2 (en) | Touch substrate, method of forming the same, and touch display device | |
| US10381332B2 (en) | Fabrication method for emissive display with light management system | |
| CN107833903B (zh) | 具有光管理系统的发光显示器 | |
| CN116031279A (zh) | 微显示结构、微显示结构的制备方法和发光装置 | |
| CN115863523A (zh) | 微型led结构及其制备方法和发光装置 | |
| US10026757B1 (en) | Micro-light emitting display device | |
| CN115377320A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN112968141B (zh) | 显示模组、电子设备和显示模组的制造方法 | |
| US7741774B2 (en) | Backlight module including at least one luminescence element, and method of fabricating the same | |
| CN115088070A (zh) | 具有发光元件的单元像素、像素模块及显示装置 | |
| CN115911233A (zh) | 发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片 | |
| CN113257975A (zh) | 发光芯片模组、其制备方法、阵列基板以及显示面板 | |
| CN100373655C (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| KR100354318B1 (ko) | 유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 | |
| WO2024021053A1 (zh) | 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 | |
| CN210182386U (zh) | Oled显示面板及显示装置 | |
| US20230033031A1 (en) | Micro light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| CN100585911C (zh) | 有机发光显示器的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Ge Teemeng Inventor after: Paul John Schuler Inventor after: Sasaki Kenji Inventor after: Li Zongzhan Inventor before: Ge Teemeng Inventor before: Paul John Schuler Inventor before: Sasaki Kenji Inventor before: Li Zongzhan |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |