CN115911233A - 发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片，涉及显示技术领域。发光芯片包括层叠设置的透明衬底和发光单元，所述透明衬底的底面刻蚀有微透镜阵列，所述多个发光单元呈阵列分布并与所述微透镜阵列对应，所述透明衬底设置于所述发光单元的出光侧_。本申请提供的发光芯片，能够改善光学能量发散，远距离显示时不清晰的现象。

Description

发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片。

背景技术

Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微米发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。

在相关技术中，发光芯片存在光串扰现象，图像显示不清晰。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供了一种发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片的制备方法。

本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种发光芯片，包括：

在透明衬底上设置有多个发光单元；其中，

所述多个发光单元呈阵列分布；所述透明衬底具有与所述多个发光单元对应的微透镜阵列结构，且所述透明衬底设置于所述发光单元的出光侧。

在第一方面的其中一个实施例中，所述发光单元包括与所述透明衬底贴合的第一半导体层。

在第一方面的其中一个实施例中，所述透明衬底靠近所述第一半导体层的一侧设置有多个弧形凸起，所述多个弧形凸起与所述多个发光单元对应；

所述第一半导体层背离所述透明衬底的一侧呈平面结构。

在第一方面的其中一个实施例中，所述弧形凸起为非球面曲率结构。

在第一方面的其中一个实施例中，所述透明衬底靠近所述第一半导体层的一侧设置有多个凹陷，所述多个凹陷与所述多个发光单元对应；

所述第一半导体层背离所述透明衬底的一侧呈平面结构。

在第一方面的其中一个实施例中，所述透明衬底设置的凹陷包括以下至少之一：弧形凹陷、矩形凹陷。

第二方面，本申请实施例还提供了一种微显示结构，包括上述任一实施例中所述的发光芯片和驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片连接。

第三方面，本申请实施例还提供了一种投影设备，包括第二方面实施例所述的微显示结构，通过发光单元产生图像光束；镜头，用于将所述图像光束进行投射以形成图像画面。

第四方面，本申请实施例还提供了一种外延片，包括：

透明衬底，所述透明衬底具有设定微透镜阵列结构；

外延层，所述外延层设置于所述透明衬底上。

第五方面，本申请实施例还提供了一种发光芯片的制备方法，包括：

提供一透明衬底，对所述透明衬底的一侧表面进行刻蚀，得到设定微透镜阵列结构；

在所述透明衬底进行刻蚀处理的一侧，设置与所述微透镜阵列结构对应的发光单元。

在第五方面的其中一个实施例中，在所述透明衬底进行刻蚀处理的一侧，设置与所述微透镜阵列结构对应的发光单元包括：

在所述透明衬底进行刻蚀处理的一侧生长形成外延层；

对所述外延层进行刻蚀生成多个台阶结构，以形成与所述微透镜阵列结构对应的发光单元。

本申请提出了一种发光芯片及其制备方法、微显示结构、投影设备及外延片。相对于相关技术，本申请通过在透明衬底上刻蚀出微透镜阵列结构后，在透明衬底具有微透镜阵列的一侧生成与微透镜阵列结构对应的发光单元。在工作过程中，光线经微透镜阵列的界面折射，光线以相互平行的方式保持直线射出，将发散的光线进行准直，具有良好的聚光效果，提高光线的利用率。同时，在部分光线在临界界面产生全反射现象时，反射光线经微透镜的折射影响而改变传播方向，并在微透镜的准直下，发光单元发出的更多光线能够从透明衬底界面与该发光单元对应的区域射出，而不是从其他发光单元对应的区域或从发光芯片的边侧射出，从而改善光串扰、周边露光的问题，进而能够提升图像显示的清晰度和显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了相关技术的发光芯片结构示意图；

图2示出了本申请一些实施例中发光芯片结构示意图；

图3示出了本申请一些实施例中微透镜为弧形凹陷的微显示结构示意图；

图4示出了本申请一些实施例中微透镜为矩形凹陷的微显示结构示意图；

图5示出了本申请一些实施例中微透镜阵列制备示意图；

图6示出了本申请一些实施例中外延层生成示意图；

图7示出了本申请一些实施例中像素结构示意图；

图8示出了本申请一些实施例中电极层沉积示意图；

图9示出了本申请一些实施例中钝化层结构示意图；

图10示出了本申请一些实施例中钝化层开孔示意图；

图11示出了本申请一些实施例中发光芯片和驱动芯片连接结构示意图；

图12示出了本申请一些实施例中投影设备的结构示意图；

图13示出了本申请一些实施例中发光芯片的制备方法流程图；

图14示出了本申请一些实施例中发光芯片的制备方法中的微透镜阵列制备流程图；

图15示出了本申请一些实施例中发光芯片的制备方法中的发光单元制备流程图。

主要元件符号说明：

1-衬底；2-第一半导体层；3-第二半导体层；4-钝化层；5-MQW层；6-第三半导体层；7-ITO电流扩展层；8-金属电极；9-键合层。

110-透明衬底；120-外延层；121-第一半导体层；122-第二半导体层；123-MQW层；124-第三半导体层；130-电极层；131-ITO电流扩展层；132-金属电极；140-钝化层；150-键合层；200-驱动板；300-镜头。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

如图1所示，为相关技术中垂直结构的发光芯片结构图。本申请的发明人发现，在发光芯片的工作过程中，光线经衬底1与空气的接触界面射出，由于光是分散的，即开始相邻的两条光线传播后会相离越来越远，呈现光串扰及周边漏光现象，光的利用率较低，造成光学能量发散。尤其，在光学投影、车载HUD(Head Up Display，平视显示系统)镜头等远距离显示的应用场景中，存在图像显示不清晰等问题。并且，在部分发光单元工作时，存在部分光线在第一半导体层2与衬底1的界面位置发生全反射，将有一部分全反射光线会从钝化层4中折射并射出，最终从未工作的发光单元处射出，从而形成光串扰现象；同时存在部分全反射光线经第一半导体层2与衬底1的界面多次反射后从发光芯片的边侧射出，造成发光芯片周边的露光问题，影响Micro-LED显示器件整体的显示效果。

当然，本方案提供的发光芯片，不仅能够应用于光学投影、车载HUD等电子设备的投影部分，还可以应用于电子设备的显示部分，例如该电子设备可以包括：智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪、头戴式设备等任何具有显示屏的设备。

如图2所示，本申请第一方面的实施例提供了一种发光芯片，可有效地将光线进行准直，提升光线的利用率，并减少光串扰，改善显示器件的显示效果。本申请中，发光芯片可以为Micro-LED芯片、Mini-LED芯片等微型LED芯片。

发光芯片包括透明衬底和发光单元。发光单元包括与透明衬底贴合的第一半导体层121。

进一步地，透明衬底110上设置有微透镜阵列，第一半导体层121设置于透明衬底110设有微透镜阵列的一侧。本实施例中，透明衬底110可以选用Al₂O₃(蓝宝石)衬底、玻璃衬底等。

具体的，根据设计的需要，透明衬底110的材料也可以选择使用Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaAs(砷化镓)、AlN(氮化铝)、ZnO(氧化锌)等材料中的一种。

在本申请第一方面的一些实施例中，发光单元包括外延层120、电极层130、钝化层140和键合层150，第一半导体层121为外延层120的组成部分。

具体的，外延层120设置于透明衬底110具有微透镜阵列的一侧，外延层120背离透明衬底110的一侧刻蚀形成多个间隔设置的台阶结构，电极层130、钝化层140和键合层150依次设置于台阶结上，以形成发光单元阵列。发光单元阵列与微透镜阵列对应，即每一个发光单元的上方均有一个微透镜。

在本申请第一方面的一些实施例中，蓝宝石衬底的底面刻蚀有多个弧形凸起，多个弧形凸起呈阵列分布以形成微透镜阵列。

进一步地，弧形凸起为非球面曲率结构，对光线的聚集和准直效果更佳。

如图3和图4所示，在本申请第一方面的一些实施例中，蓝宝石衬底的底面刻蚀有多个凹陷，多个凹陷呈阵列分布以形成微透镜阵列。

进一步地，凹陷的型状为弧形或矩形。优选的，凹陷的型状为弧形。

在本申请第一方面的一些实施例中，外延层120包括依次层叠设置的第一半导体层121、第二半导体层122、MQW(Multiple Quantum Well，多量子阱)发光层和第三半导体层124。

进一步地，第一半导体层121为U-GaN(U型氮化镓)层，第二半导体层122为N-GaN(N型氮化镓)层，第三半导体层124为P-GaN(P型氮化镓)层。

具体的，第一半导体层121覆盖于透明衬底110带有微透镜阵列的一侧，为外延层120的生成提供缓冲，将透明衬底110带有微透镜阵列的表面铺平，使第一半导体层121背离透明衬底110的一侧呈平面结构。

第二半导体层122的一侧与第一半导体层121贴合，另一侧刻蚀形成多个间隔设置的台阶。即第二半导体层122背离第一半导体层121的一侧设置多个凸起的台阶，同时第二半导体层122的部分区域露出台阶范围，且每个台阶的规格可设置为相同。

MQW层123设置于第二半导体层122的台阶端面；第三半导体层124设置于MQW层123背离第二半导体层122的一侧。通过第一半导体层121、第二半导体层122、MQW层123和第三半导体层124的层叠设置，并刻蚀形成台阶状的像素结构。

再进一步地，电极层130设置于外延层120的台阶结构台阶面，电极层130包括ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)电流扩展层131和金属电极132。

具体的，ITO电流扩展层131设置于外延层120和金属电极132之间。另外，ITO电流扩展层131也可以使用FTO(氧化氟锡)或AZO(氧化铝锌)等材料替换。

在ITO电流扩展层131上以离子束蒸镀方法依次沉积Ti/Al/Ti/Au(钛/铝/钛/金)金属层，以形成金属电极132。

在另一些实施例中，金属电极132还可由Ni/Fe/Pt/Pd(镍/铁/铂/钯)金属制成，亦或其他导电材料制成。

再进一步地，钝化层140附着于外延层120和电极层130的表面，钝化层140与电极层130接触的部位开设有通孔。

具体的，钝化层140可由聚氯乙烯、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯醇、天然橡胶、聚苯乙烯或SiO₂(二氧化硅)等材料制成。本申请中，钝化层140由SiO₂沉积形成。

再进一步地，键合层150设置于钝化层140背离电极层130的一侧，并通过通孔与电极层130连接。

具体的，键合层150由金属材料在通孔处沉积形成，并使键合层150相对于钝化层140远离透明衬底110的一侧表面凸出。键合层150可由金、钛、镍、铝、铜、铟、锡或银锡合金等金属材料制成。本实施例中，键合层150由金属铟沉积形成。

如图11所示，本申请第二方面的实施例提供一种微显示结构，包括上述实施例提供的发光芯片和驱动板200，发光芯片和驱动板200连接。在实施时，发光芯片与驱动板200可以通过发光芯片的键合层150连接。

具体的，键合层150与驱动板200上对应位置的焊盘键合连接，可以通过铟回流形成铟球，使发光芯片与驱动板200电连接。在显示器件工作过程中，可由驱动板200控制发光芯片的发光工作。驱动板200可为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动板或者TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)驱动板。本实施例中，驱动板200选用CMOS驱动板。

如图12所示，本申请第三方面的实施例提供一种投影设备，包括本申请第二方面实施例提供的微显示结构和镜头300。该投影设备通过发光单元产生图像光束；镜头300将图像光束进行投射以形成图像画面。

具体的，镜头300可以具有图像缩放功能，通过调整镜头300的焦距，将发光单元产生的图像光束适应性地投射于被投影平面，且能够调整投影幕布上图像画面的大小。

本申请第四方面的实施例提供一种外延片，包括本申请第一方面实施例提供的透明衬底和外延层。

具体的，透明衬底具有设定微透镜阵列结构，外延层设置于透明衬底上。

如图13所示，本申请第五方面的实施例提供一种发光芯片的制备方法，用于制备第一方面实施例提供的发光芯片，包括：

S10，提供一透明衬底110，对透明衬底110的一侧表面进行刻蚀，得到设定微透镜阵列结构；

微透镜可为弧形凸起、弧形凹陷或矩形凹陷。

再一并结合图14所示，在本申请第五方面的一些实施例中，步骤S10具体可包括：

S11，选取一透明衬底110。

透明衬底110可用作像素结构的生长载体，可用于承载像素结构中的其他结构。在一些实施例中，透明衬底110可以选用Al₂O₃(蓝宝石)衬底、Si(硅)衬底或SiC(碳化硅)衬底等衬底结构中的一种。

本实施例中，透明衬底110为Al₂O₃(蓝宝石)衬底。

S12，在透明衬底110上沉积掩膜。

采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强化学气相沉积)方法在透明衬底110的一侧平坦表面沉积掩模。在一些实施例中，掩模材料可以选用或光刻胶等材料中的一种。

本实施例中，掩模材料可以选用SiO₂(石英)、Si₃N₄中的至少之一。

S13，掩膜图形制作。

在掩膜的覆盖成型材料，成型材料可包括乳剂、铬和氧化铁。

S14，刻蚀得到微透镜阵列。

如图5所示，可选的，微透镜的刻蚀型状为弧形凸起。本实施例中，采用ICP(电感耦合等离子体)方法对透明衬底110进行刻蚀后得到微透镜阵列。

在一些实施例中，刻蚀气体可选用BCl₃(三氯化硼)、Cl₂(氯气)或两者的混合物。本实施例中，刻蚀气体选用BCl₃和Cl₂的混合物。

S20，在透明衬底110进行刻蚀处理的一侧，设置与微透镜阵列结构对应的发光单元。

发光单元包括外延层120、电极层130、钝化层140和键合层150。

再一并结合图15所示，在本申请第五方面的一些实施例中，步骤S20具体可包括：

S21，在微透镜阵列的表面生长形成外延层120。

再一并结合图6所示，外延层120包括依次层叠设置的第一半导体层121、第二半导体层122、MQW层123和第三半导体层124。其中，第一半导体层121覆盖于透明衬底110带有微透镜阵列的一侧，为外延层120的生成提供缓冲，将透明衬底110带有微透镜阵列的表面铺平，使第一半导体层121背离透明衬底110的一侧呈平面结构。即微透镜阵列位于发光区的上方，以达到更好的光线准直效果。

进一步地，第一半导体层121、第二半导体层122、MQW层123和第三半导体层124可分别通过不同或相同的外延生长方法生长而成。例如，可分别通过气相外延生长方法、液相外延生长方法或分子束外延生长方法等外延生长方法中的一种进行生长。

S22，对外延层120进行刻蚀生成多个台阶结构，以形成像素结构；

再一并结合图7所示，可从外延层120远离透明衬底110的一侧对外延层120进行刻蚀，但仍保留第二半导体层122的部分厚度，即第二半导体层122的部分区域露出台阶结构的范围，形成台阶状的像素结构。露出的第二半导体层122区域作为发光芯片的阴极。

本实施例中，通过光刻工艺对外延层120进行刻蚀。

S23，在台阶结构的台阶面蒸镀形成电极层130；

再一并结合图8所示，电极层130设置于外延层120的台阶结构远离透明衬底110的一侧，将电极层130作为发光芯片的阳极。电极层130包括ITO电流扩展层131和金属电极132，ITO电流扩展层131设置于外延层120和金属电极132之间。

具体的，通过磁控溅射方法在台阶结构远离透明衬底110的一侧表面沉积ITO材料，以获得ITO电流扩展层131。

通过离子束蒸镀方法在ITO电流扩展层131远离台阶结构的一侧表面依次沉积Ti/Al/Ti/Au金属层，以形成金属电极132。

进一步地，ITO电流扩展层131也可以使用FTO或AZO等材料进行替换。

再进一步地，金属电极132还可由Ni/Fe/Pt/Pd金属制成，亦或其他导电材料制成。

再进一步地，金属电极132也可为两层结构的金属沉积形成，如Ti/Al电极或Ti/Au电极。

S24，在外延层120远离透明衬底110的一侧制作钝化层140，并使钝化层140覆盖电极层130；

再一并结合图9所示，在一些实施例中，可通过PECVD方法在外延层120远离透明衬底110的一侧表面沉积钝化层140。其中，钝化层140可由SiO₂、Si₃N₄或Al2O3等材料制成。实施例中，钝化层140可同时覆盖于金属电极132的表面。

进一步地，钝化层140还可由聚氯乙烯、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯醇、天然橡胶或聚苯乙烯等有机材料制成。

实施例中，钝化层140可为外延层120和电极层130中其他结构件提供防护功能，避免杂质原子等吸附于外延层120、电极层130等结构的表面而造成污染，可确保发光芯片的发光效果。同时，也可实现发光芯片的防短路保护。

S25，在钝化层140开设通孔，使电极层130远离透明衬底110一侧的部分表面暴露；

再一并结合图10所示，通过光刻工艺在钝化层140上开设通孔，且使通孔与电极层130相对。可以理解的是，通孔可连通外界环境及电极层130。相应地，电极层130远离透明衬底110一侧的至少部分表面可通过钝化层140上的通孔外露。

S26，在通孔处沉积形成键合层150。

再一并结合图11所示，通过PECVD方法在通孔所对应位置的电极层130上沉积键合层150，并使键合层150相对于钝化层140远离透明衬底110的一侧表面凸出，以便于对键合层150远离透明衬底110的一端进行焊接。在一些实施例中，键合层150可由金、钛、镍、铝、铜、铟、锡或银锡合金等金属材料制成。

进一步地，本实施例中，键合层150由金属铟沉积形成。同时，在钝化层140过孔，ITO电流扩展层131、金属电极132和键合层150均通过钝化层140过孔分别与第三半导体层124搭接构成P-Pad(焊盘)，与第二半导体层122搭接构成N-Pad。

综上，本申请通过在透明衬底110上刻蚀出微透镜阵列结构后，在透明衬底110具有微透镜阵列的一侧生成与微透镜阵列结构对应的发光单元。在工作过程中，光线经微透镜阵列的界面折射，光线以相互平行的方式保持直线射出，将发散的光线进行准直，具有良好的聚光效果，提高光线的利用率。同时，在部分光线在临界界面产生全反射现象时，反射光线经微透镜的折射影响而改变传播方向，并在微透镜的准直下，使光线从透明衬底110的界面直线射出，而非经过折射、反射，从其他发光单元对应的区域或从发光芯片的边侧射出，这样可以改善光串扰、周边露光的问题，从而能够提升图像显示的清晰度和显示效果。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种发光芯片，其特征在于，包括：

在透明衬底上设置有多个发光单元；其中，

所述多个发光单元呈阵列分布；所述透明衬底具有与所述多个发光单元对应的微透镜阵列结构，且所述透明衬底设置于所述发光单元的出光侧。

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光单元包括与所述透明衬底贴合的第一半导体层。

3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述透明衬底靠近所述第一半导体层的一侧设置有多个弧形凸起，所述多个弧形凸起与所述多个发光单元对应；

所述第一半导体层背离所述透明衬底的一侧呈平面结构。

4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述弧形凸起为非球面曲率结构。

5.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述透明衬底靠近所述第一半导体层的一侧设置有多个凹陷，所述多个凹陷与所述多个发光单元对应；

所述第一半导体层背离所述透明衬底的一侧呈平面结构。

6.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，所述透明衬底设置的凹陷包括以下至少之一：弧形凹陷、矩形凹陷。

7.一种微显示结构，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述的发光芯片和驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片连接。

8.一种投影设备，其特征在于，包括：

权利要求7所述的微显示结构，通过发光单元产生图像光束；

镜头，用于将所述图像光束进行投射以形成图像画面。

9.一种外延片，其特征在于，包括：

透明衬底，所述透明衬底具有设定微透镜阵列结构；

外延层，所述外延层设置于所述透明衬底上。

10.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一透明衬底，对所述透明衬底的一侧表面进行刻蚀，得到设定微透镜阵列结构；

在所述透明衬底进行刻蚀处理的一侧，设置与所述微透镜阵列结构对应的发光单元。

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