CN107275463A - 一种新型led封装制作技术 - Google Patents
一种新型led封装制作技术 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107275463A CN107275463A CN201710387296.0A CN201710387296A CN107275463A CN 107275463 A CN107275463 A CN 107275463A CN 201710387296 A CN201710387296 A CN 201710387296A CN 107275463 A CN107275463 A CN 107275463A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- electrode
- tin cream
- substrate
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims abstract description 68
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 17
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 9
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 9
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 244000247747 Coptis groenlandica Species 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种新型LED封装制作技术，属于LED照明、显示领域。这种技术采用的设备、工艺制程不同于目前封装行业的技术路线，尤其是使用光刻工艺，利用芯片的P、N电极作为光刻掩膜(mask)制作芯片P、N电极的焊接裸露图形区，结合漏印锡膏技术，进行芯片电极与基板的焊接，再利用金属基板通过化学腐蚀或机械、激光切割的方式制作成带电路结构的封装器件，这种新型封装技术不需要传统封装的固晶机、焊线机或共晶焊接机，也不需要支架，金线或合金线等物料，可以制作成各类LED显示、照明、显示等器件。在产品性能提升的同时，采用芯片阵列式制作，提升生产效率，生产成本大幅降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型LED封装制作技术，尤其是使用光刻工艺，利用芯片的P、N电极作为光刻掩膜 (mask)制作芯片P、N电极的焊接裸露图形区，结合漏印锡膏技术，进行芯片电极焊接，再将金属基板与阵列芯片的P、N电极进行焊接，然后将金属基板通过化学腐蚀或机械、激光切割的方式制作成带电路结构的封装器件，这种新型封装技术不需要传统封装的固晶机、焊线机以及支架、金线或合金线等原料，采用芯片阵列封装方式，可以制作各类LED显示、照明、显示等器件。
LED指示、照明、显示屏市场容量高速增长，LED封装是将外部电路引线连接到LED芯片的电极上，以便于与其他器件连接。它不仅将用导线将芯片上的电极连接到封装外壳上实现芯片与外部电路的连接，而且将芯片固定和密封起来，以保护芯片电路不受水、空气等物质的侵蚀而造成电气性能降低。根据不同的应用需要，LED的芯片可通过不同封装方式做成不同结构和外观的器件，按封装成品是否带有引脚，LED 可分为引脚式封装和表面贴装封装两种类型。按照封装采用的芯片类型可分为正装芯片封装和倒装芯片封装两个大类，一类是采用LED正装芯片配合支架，采用点胶、固晶、焊线、封胶等正装芯片封装技术，一类是采用倒装LED芯片配合基板(PCB、FPC、印制电路的陶瓷基板、玻璃基板等)，通过固晶、锡膏回流焊、封胶等的倒装芯片封装技术。
采用正装芯片的LED封装技术是目前LED封装行业的主流技术，这种封装技术需要焊线(金线、银线或合金线等)、封装支架等原材料，生产设备需要固晶机、焊线机等，由于LED固晶机、焊线机的价格比较昂贵，造成设备折旧成本较高，正装芯片采用LED芯片的蓝宝石面贴装结合基板，由于LED芯片的蓝宝石衬底的低导热系数，致使芯片散热性能较差。
倒装芯片LED封装技术，以PCB、FPC、印制电路的陶瓷基板、玻璃基板等为基板，在基板上印刷需要的连接线路和焊接装倒装LED芯片的焊接点。在蚀刻好电路的基板上粘贴倒装LED芯片，过共晶焊或回流焊将芯片的电极与外部电路焊接连接，然后进行封胶、涂覆荧光粉加温固化制成成品。优点是可以节省打线机设备投资，同时由于LED芯片的P/N电极面通过锡膏或共晶焊料与基板电路连接导通，芯片散热较好，缺点是倒装芯片价格高于正装芯片15％以上，另外对于10*30mil以下芯片由于芯片尺寸太小，在进行锡膏焊接时，容易造成芯片P/N电极间焊接短路。
发明内容总述
本发明提供了一种新型LED封装制作技术，属于LED照明、显示领域。这种技术采用的设备、工艺制程不同于目前封装行业的技术路线，尤其是使用光刻工艺，利用芯片的P、N电极作为光刻掩膜(mask) 制作芯片P、N电极的焊接裸露图形区，结合漏印锡膏技术，将金属基板和芯片电极通过锡膏进行焊接，再将金属基板通过化学腐蚀或机械、激光切割的方式制作成带电路结构的封装器件，这种新型封装技术不需要传统封装的固晶机、焊线机以及支架、焊接线(金线、银线、合金线)等设备和物料，在产品性能提升的同时，采用芯片阵列式制作，提升生产效率，生产成本大幅降低，可以制作各类LED显示、照明、显示等器件。
包括以下步骤：
步骤一、涂光刻胶：将若干个芯片电极面朝上阵列摆放在蓝膜上，负性光刻胶涂覆整个芯片阵列，光刻胶完全浸没芯片阵列并高出芯片电极表面0.0001--100mm，干燥后进入曝光、显影步骤；
步骤二、曝光、显影：将步骤一涂胶后的芯片阵列电极面放入曝光机，从芯片衬底面射入光线进行曝光，由于芯片的P、N电极不透光，可以形成两个电极的光刻图形，经过显影去除P、N电极对应位置光刻胶，形成芯片P、N电极的焊接裸露图形区；
步骤三、锡膏漏印：将锡膏在整个芯片电极面进行刮涂，利用芯片光刻显影后形成的P、N电极的焊接裸露图形区漏印锡膏到P、N电极；
步骤四、基板锡膏焊接：将基板(金属薄板)一面涂覆锡膏(或者不涂覆锡膏)，将金属薄板涂覆锡膏面对应步骤三的陈列芯片贴合，加热焊接；
步骤五、电路制作：在步骤四完成的阵列芯片没有涂覆锡膏基板一面涂覆耐腐蚀保护涂层，按照需要的电路要求，切开基板的耐腐蚀保护层，使用刀片或激光或者酸、碱溶液进行腐蚀制作电路；
步骤六、光刻胶去除、清洗：将步骤五完成的阵列芯片用去离子水和去胶剂清洗，去除光刻胶和腐蚀溶液；
步骤七、封装：使用环氧或硅胶将步骤六的芯片阵列进行封装，需要印荧光粉的芯片再涂覆荧光胶，胶水固化；
步骤八：按照需要切割芯片阵列，制作完成成品。
本发明的有益效果：这种方法采用市场通用的正装芯片或倒装芯片，节省了固晶机、焊线机或共晶焊接机等设备投资，采用普通的金属基板，省掉了支架、金线或合金线等原材料，降低封装材料成本。芯片电极面与基板形成锡膏焊接通路，提高了芯片的导热散热性能，最后通过基板激光切割或机械切割或化学腐蚀直接形成导电电路，可以一次性制作阵列型成品封装器件，在产品性能提升的同时，提升生产效率，生产成本大幅降低。
图表说明
图1本发明的结构示意图
图2芯片阵列摆放示意图
图3集成光源封装成品器件(串联结构)示意图
图4集成光源封装成品器件(串并联结构)示意图
图5LED彩色显示单元封装成品器件示意图
图6彩色显示单元芯片阵列摆放示意图
其中：1、基板 2、锡膏涂层 3、芯片P电极漏印锡膏 4、芯片P电极 5、芯片P\N电极间透明绝缘表面层 6、芯片与基板间空隙 7、芯片衬底 8、芯片N电极 9、芯片N电极漏印锡膏 10、电路绝缘带 11、红光芯片 12、蓝光芯片 13、绿光芯片 14、蓝膜
具体发明内容及实施方式
本发明涉及一种新型LED封装制作技术，尤其是使用光刻工艺，利用芯片的P、N电极作为光刻掩膜 (mask)制作芯片P、N电极的焊接裸露图形区，结合漏印锡膏技术，进行芯片电极焊接，再将金属基板通过化学腐蚀或机械、激光切割的方式制作成带电路结构的封装器件。包括以下步骤：
以下附图和实施案例对本发明进行具体说明。
附图及具体实施方式或实施例都仅是示例性的，而非用于限制本发明。
实施例1：
选用LED芯片类型：正装蓝光芯片，芯片尺寸4*5mil，根据需要，可以在电路制作步骤，将基板电路腐蚀制不同类型和形状的集成封装光源，如图3LED集成光源(串联结构)，如图4LED集成光源(并联结构)
步骤一、涂光刻胶：使用分选机将12个芯片电极面朝上阵列摆放在蓝膜(14)上如图2所示，负性光刻胶涂覆整个芯片阵列，光刻胶完全浸没芯片阵列并高出芯片电极表面0.1±0.05mm，干燥后撕去蓝膜(14)，进入曝光显影步骤；
步骤二、曝光、显影：将步骤一涂胶后的芯片阵列放入曝光机，从芯片衬底面①射入光线进行曝光，由于芯片P电极④、芯片N电极⑧不透光，可以形成两个电极的光刻图形，经过显影去除P、N电极对应位置光刻胶；
步骤三、锡膏漏印：将锡膏在整个芯片阵列光刻胶表面进行刮涂，利用芯片P电极④、N电极⑧的光刻显影后形成的光刻胶图形孔漏印锡膏到两个电极表面形成芯片P电极漏印锡膏③和芯片N电极漏印锡膏⑨；
步骤四、基板锡膏焊接：将0.2±0.05mm厚的铜基板①一面涂覆0.05±0.02锡膏涂层②，将基板涂覆锡膏面对应步骤三的芯片阵列的电极面贴合，使用电热板，加热到250度保持3分钟，完成焊接；
步骤五、电路制作：在步骤四完成的芯片阵列的没有涂覆锡膏的基板一面涂覆0.05±0.001mm厚的硅胶耐腐蚀保护涂层，按照需要的电路要求，使用刀片切开基板的耐腐蚀保护层，使用浓硫酸溶液进行对应区域的金属基板①和锡膏的腐蚀制作电路绝缘带⑩，直至基板金属层和锡膏层完全腐蚀断开；
步骤六、光刻胶去除、清洗：将步骤五完成的阵列芯片用去离子水和去胶剂清洗，去除光刻胶和腐蚀溶液；
步骤七、封装：使用硅胶将步骤六的芯片阵列进行封装，涂覆荧光胶，胶水固化；
步骤八：按照需要切割芯片阵列，制作完成成品LED集成光源封装成品器件(串联结构)如图3。
实施例2：
选用LED芯片类型：正装蓝光芯片，芯片尺寸4*5mil，根据需要，可以在电路制作步骤，将基板电路腐蚀制并联结构或串联结构的LED灯条，如图5LED灯条(串联结构)，如图6LED灯条(并联结构)
步骤一、涂光刻胶：使用分选机将12个芯片电极面朝上阵列摆放在蓝膜(14)上如图2所示，负性光刻胶涂覆整个芯片阵列，光刻胶完全浸没芯片阵列并高出芯片电极表面0.1±0.05mm，干燥后撕去蓝膜(14)，进入曝光显影步骤；
步骤二、曝光、显影：将步骤一涂胶后的芯片阵列放入曝光机，从芯片衬底面射入光线进行曝光，由于芯片P电极④、芯片N电极⑧不透光，可以形成两个电极的光刻图形，经过显影去除P、N电极对应位置光刻胶；
步骤三、锡膏漏印：将锡膏在整个芯片阵列光刻胶表面进行刮涂，利用芯片P电极④、N电极⑧的光刻显影后形成的光刻胶图形孔漏印锡膏到两个电极表面形成芯片P电极漏印锡膏③和芯片N电极漏印锡膏⑨；
步骤四、基板锡膏焊接：将0.2±0.05mm厚的铜基板①一面涂覆0.05±0.02锡膏涂层②，将基板涂覆锡膏面对应步骤三的芯片阵列的电极面贴合，使用电热板，加热到250度保持3分钟，完成焊接；
步骤五、电路制作：在步骤四完成的芯片阵列的没有涂覆锡膏的基板一面涂覆0.05±0.001mm厚的硅胶耐腐蚀保护涂层，按照需要的电路要求，使用刀片切开基板的耐腐蚀保护层，使用浓硫酸溶液进行对应区域的金属基板①和锡膏的腐蚀制作电路绝缘带⑩，直至基板金属层和锡膏层完全腐蚀断开；
步骤六、光刻胶去除、清洗：将步骤五完成的阵列芯片用去离子水和去胶剂清洗，去除光刻胶和腐蚀溶液；
步骤七、封装：使用硅胶将步骤六的芯片阵列进行封装，涂覆荧光胶，胶水固化；
步骤八：按照需要切割芯片阵列，制作完成成品LED集成封装(并联结构)如图4。
实施例3：
选用LED芯片类型：正装蓝光芯片，芯片尺寸4*5mil，正装绿光芯片，芯片尺寸4*5mil，P\N电极同侧红光LED芯片4*5mil，根据需要，可以在电路制作步骤，将基板电路腐蚀制并联结构或串联结构的LED 彩色显示单元。
步骤一、涂光刻胶：将4个红光芯片(11)、4个蓝光芯片(12)、4个绿光芯片(13)，芯片电极面朝上阵列摆放在蓝膜(14)上如图6所示，负性光刻胶涂覆整个芯片阵列，光刻胶完全浸没芯片阵列并高出芯片电极表面 0.1±0.05mm，干燥后撕去蓝膜(14)，进入曝光显影步骤；
步骤二、曝光、显影：将步骤一涂胶后的芯片阵列放入曝光机，从芯片衬底面射入光线进行曝光，由于芯片P电极④、芯片N电极⑧不透光，可以形成两个电极的光刻图形，经过显影去除P、N电极对应位置光刻胶；
步骤三、锡膏漏印：将锡膏在整个芯片阵列光刻胶表面进行刮涂，利用芯片P电极④、N电极⑧的光刻显影后形成的光刻胶图形孔漏印锡膏到两个电极表面形成芯片P电极漏印锡膏③和芯片N电极漏印锡膏⑨；
步骤四、基板锡膏焊接：将0.2±0.05mm厚的铜基板①一面涂覆0.05±0.02锡膏涂层②，将基板涂覆锡膏面对应步骤三的芯片阵列的电极面贴合，使用电热板，加热到250度保持3分钟，完成焊接；
步骤五、电路制作：在步骤四完成的芯片阵列的没有涂覆锡膏的基板一面涂覆0.05±0.001mm厚的硅胶耐腐蚀保护涂层，按照需要的电路要求，使用刀片切开基板的耐腐蚀保护层，使用浓硫酸溶液进行对应区域的金属基板①和锡膏的腐蚀制作电路绝缘带⑩，直至基板金属层和锡膏层完全腐蚀断开；
步骤六、光刻胶去除、清洗：将步骤五完成的阵列芯片用去离子水和去胶剂清洗，去除光刻胶和腐蚀溶液；
步骤七、封装：使用硅胶将步骤六的芯片阵列进行封装，胶水固化；
步骤八：按照需要切割芯片阵列，制作完成成品LED彩色显示单元如图6。
Claims (9)
1.一种新型LED封装制作技术，尤其是使用光刻工艺，利用芯片P电极④、芯片N电极⑧作为光刻掩膜(mask)制作芯片P电极④、芯片N电极⑧的焊接裸露图形区，结合漏印锡膏技术，在阵列排布的芯片上做电极锡膏漏印，然后将两个电极表面芯片P电极漏印锡膏③和芯片N电极漏印锡膏⑨与基板焊接，再将基板通过化学腐蚀或机械、激光切割的方式制作成带电路结构的封装器件，这种新型封装技术不需要传统封装的固晶、焊线以及支架，可以制作各类LED显示、照明、显示等器件，包括以下步骤：
步骤一、涂光刻胶：将若干个芯片电极面朝上阵列摆放在蓝膜(14)上，负性光刻胶涂覆整个芯片阵列，光刻胶完全浸没芯片阵列并高出芯片电极表面0.0001--100mm，干燥后撕去蓝膜(14)进入曝光显影步骤；
步骤二、曝光、显影：将步骤一涂胶后的芯片阵列电极面朝下，从芯片衬底面①射入光线进行曝光，由于芯片的P电极④、芯片N电极⑧不透光，可以形成两个电极的光刻图形，经过显影去除P、N电极对应位置光刻胶；
步骤三、锡膏漏印：将锡膏在整个芯片阵列光刻胶表面进行刮涂，利用芯片P电极④、N电极⑧的光刻显影后形成的光刻胶图形孔漏印锡膏到两个电极表面形成芯片P电极漏印锡膏③和芯片N电极漏印锡膏⑨；
步骤四、基板锡膏焊接：将0.2±0.05mm厚的铜基板①一面涂覆0.05±0.02锡膏涂层②，将基板涂覆锡膏面对应步骤三的芯片阵列的电极面贴合，使用电热板，加热到250度保持3分钟，完成焊接；
步骤五、电路制作：在步骤四完成的芯片阵列的没有涂覆锡膏的基板一面涂覆0.05±0.001mm厚的硅胶耐腐蚀保护涂层，按照需要的电路要求，使用刀片切开基板的耐腐蚀保护层，使用浓硫酸溶液进行对应区域的金属基板①和锡膏的腐蚀制作电路绝缘带⑩，直至基板金属层和锡膏层完全腐蚀断开；
步骤六、光刻胶去除、清洗：将步骤五完成的阵列芯片用去离子水和去胶剂清洗，去除光刻胶和腐蚀溶液；
步骤七、封装：使用环氧或硅胶将步骤六的芯片阵列进行封装，需要印荧光粉的芯片再涂覆荧光胶，胶水固化；
步骤八：按照需要切割芯片阵列，制作完成成品。
2.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于，利用芯片的P、N电极作为光刻掩膜(mask)制作与芯片电极大小一致的芯片P、N电极的焊接裸露图形区。
3.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于，使用光刻工艺，采用负性光刻胶，通过光刻胶的曝光、显影、清洗、去胶工艺步骤制备芯片电极焊接。
4.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于，采用锡膏漏印，将芯片电极(P极)①、芯片电极(N极)⑤漏印锡膏，锡膏填满基板上的光刻胶孔⑦、⑧并与基板进行焊接导通。
5.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于，将基板涂覆锡膏并与芯片阵列进行贴合焊接。
6.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于采用电热板或电热箱进行电极焊接。
7.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于封装基板兼做导通电路，采用硫酸、硝酸或其他化学腐蚀液将基板进行腐蚀以形成相应的电路。
8.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于使用固晶机或分选机或其他设备将芯片摆放安置成芯片阵列，然后通过以上步骤封装制作。
9.根据权利要求1所述的新型LED封装制作技术，其特征在于使用芯片为正装芯片或倒装芯片，要求芯片的P、N电极之间要有透光区域，以便将芯片自身可以用作光刻掩膜板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710387296.0A CN107275463A (zh) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 一种新型led封装制作技术 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710387296.0A CN107275463A (zh) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 一种新型led封装制作技术 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107275463A true CN107275463A (zh) | 2017-10-20 |
Family
ID=60064226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710387296.0A Pending CN107275463A (zh) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 一种新型led封装制作技术 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107275463A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108364576A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-08-03 | 精电(河源)显示技术有限公司 | 一种双层导电cob显示模组及其生产方法 |
| CN109817769A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-28 | 申广 | 一种新型led芯片封装制作方法 |
| CN110928123A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-03-27 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 一种激光器阵列、激光光源及激光投影设备 |
| CN113759580A (zh) * | 2021-11-10 | 2021-12-07 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
| US11467477B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-10-11 | Hisense Laser Display Co., Ltd. | Laser array, laser source and laser projection device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101567411A (zh) * | 2009-05-26 | 2009-10-28 | 晶科电子（广州）有限公司 | 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法 |
| CN101888740A (zh) * | 2010-06-02 | 2010-11-17 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种凸型金属印刷电路板及其制作方法 |
| CN103515492A (zh) * | 2012-06-28 | 2014-01-15 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种无掩膜版的光刻led晶片的方法 |
| CN103547066A (zh) * | 2012-07-17 | 2014-01-29 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 散热铝基电路板 |
| CN104091866A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-08 | 胡溢文 | 一种正装倒置芯片的led灯丝制备方法 |
-
2017
- 2017-05-22 CN CN201710387296.0A patent/CN107275463A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101567411A (zh) * | 2009-05-26 | 2009-10-28 | 晶科电子（广州）有限公司 | 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法 |
| CN101888740A (zh) * | 2010-06-02 | 2010-11-17 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种凸型金属印刷电路板及其制作方法 |
| CN103515492A (zh) * | 2012-06-28 | 2014-01-15 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种无掩膜版的光刻led晶片的方法 |
| CN103547066A (zh) * | 2012-07-17 | 2014-01-29 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 散热铝基电路板 |
| CN104091866A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-08 | 胡溢文 | 一种正装倒置芯片的led灯丝制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108364576A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-08-03 | 精电(河源)显示技术有限公司 | 一种双层导电cob显示模组及其生产方法 |
| CN110928123A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-03-27 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 一种激光器阵列、激光光源及激光投影设备 |
| US11467477B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-10-11 | Hisense Laser Display Co., Ltd. | Laser array, laser source and laser projection device |
| CN109817769A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-28 | 申广 | 一种新型led芯片封装制作方法 |
| WO2020147589A1 (zh) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 申广 | 一种新型led芯片封装制作方法 |
| CN113759580A (zh) * | 2021-11-10 | 2021-12-07 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107275463A (zh) | 一种新型led封装制作技术 | |
| CN102032483B (zh) | Led面光源 | |
| CN103066192B (zh) | 半导体发光光源及制造该光源和半导体发光芯片的方法 | |
| CN104393154A (zh) | 一种led芯片级白光光源的晶圆级封装方法 | |
| TW201101548A (en) | LED package structure with a plurality of standby pads for increasing wire-bonding yield and method for manufacturing the same | |
| CN102931322A (zh) | 大功率cob封装led结构及其晶圆级制造工艺 | |
| WO2020147589A1 (zh) | 一种新型led芯片封装制作方法 | |
| CN107146788A (zh) | 一种大功率深紫外led光源模组及其制备方法 | |
| CN101442099A (zh) | 一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法 | |
| CN106856220A (zh) | 晶元级封装的倒装led器件及其分割单元和制作方法 | |
| CN104091866B (zh) | 一种正装倒置芯片的led灯丝制备方法 | |
| CN202957291U (zh) | 大功率cob封装led结构 | |
| CN105185891A (zh) | 一种led免封装结构及其免封装方法 | |
| CN104638085A (zh) | 一种新型倒装芯片及其制作与封装方法 | |
| CN204424303U (zh) | 一种新型倒装芯片及其封装结构 | |
| CN108807352B (zh) | 一种新型led灯丝制作方法 | |
| CN106299042A (zh) | 一种紫外led光源无机封装方法 | |
| TWI685987B (zh) | 微晶粒模組轉移方法 | |
| CN202796951U (zh) | 一种双荧光薄膜双面出光平面薄片式led阵列光源 | |
| CN210722996U (zh) | 一种无需焊线的半导体芯片封装结构 | |
| CN202712177U (zh) | 一种双面出光平面薄片式led封装结构 | |
| CN201982991U (zh) | Led面光源 | |
| CN202523758U (zh) | 直接发出白光的发光二极管晶圆片结构 | |
| CN105609620B (zh) | 一种led光引擎封装结构的制备方法 | |
| WO2008138182A1 (fr) | Diode électroluminescente de type à puce |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171020 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |