CN107946426A - Led芯片制作方法和led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种LED芯片制作方法和LED芯片，该方法包括：在LED晶圆表面沉积第一透明导电层，并采用光刻胶对第一透明导电层和LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成具有第一开孔区域的第二透明导电层和N型半导体台面；在去除光刻胶后的结构上沉积第一钝化层；采用光刻胶对第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成具有第二开孔区域的第二钝化层，LED晶圆的P型半导体层经第一开孔区域、第二开孔区域呈裸露状态；在第二钝化层上制作P电极和N电极，P电极设置在第二开孔区域以及第一开孔区域中，N电极位于N型半导体台面上。上述方法所制作的芯片大大减小了电极脱落的风险。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种LED芯片制作方法和LED芯片。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，这种电子元件早在1962年出现，从早期的只能发出红光到今日的能发出各种可见光、红外线及紫外线，可以看出LED的发展越来越迅速，并且也从早期应用于指示灯、显示板发展为目前广泛应用于显示器、电视机采光装饰及照明等。
LED中包括核心组件LED芯片，该LED芯片的制作方法通常包括三道光刻。但是，利用传统光刻技术制成的LED芯片，其P电极容易脱落。
发明内容
基于此，有必要针对传统技术中所制作的LED芯片的P电极容易脱落的技术问题，提供一种LED芯片制作方法和LED芯片。
第一方面，本发明提供一种LED芯片制作方法，包括：
在LED晶圆表面沉积第一透明导电层，并采用光刻胶分别对所述第一透明导电层和所述LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成第二透明导电层和N型半导体台面；其中，所述第二透明导电层具有第一开孔区域；
将所形成的结构上的光刻胶去除，并在去除光刻胶后的结构上沉积第一钝化层；
采用光刻胶分别对所述第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成第二钝化层；其中，所述第二钝化层上具有与第一开孔区域正对的第二开孔区域，所述LED晶圆的P型半导体层经所述第一开孔区域、所述第二开孔区域呈裸露状态；
在所述第二钝化层上采用PAD光刻制作P电极和N电极，所述P电极设置在所述第二开孔区域以及所述第一开孔区域中，以使所述P电极与所述P型半导体层接触，所述N电极位于所述N型半导体台面上；
将所形成的结构上的光刻胶去除。
上述所提供的LED芯片制作方法，通过将LED晶圆和LED晶圆表面沉积的第一透明导电层进行光刻和刻蚀，得到具有第一开孔区域的第二透明导电层，且得到的LED晶圆上具有N型半导体台面，之后去除光刻胶，并对在去除了光刻胶的结构上所沉积的第一钝化层进行光刻和刻蚀，得到具有第二开孔区域的第二钝化层，P电极可以通过第一开孔区域和第二开孔区域与LED晶圆上的P型半导体层直接接触，从而减小或者消除了LED芯片中电极脱落的风险，延长了LED芯片的使用寿命。
在其中一个实施例中，在LED晶圆的表面沉积第一透明导电层之前，所述方法还包括：
在所述LED晶圆上沉积第一电流阻挡层，并采用光刻胶对所述第一电流阻挡层进行CBL光刻，在位于所述第一电流阻挡层表面的第一光刻胶层上形成CBL图层；
将所述CBL图层作为掩模对第一电流阻挡层刻蚀，形成与所述CBL图层对应的第二电流阻挡层；
去除CBL光刻后的光刻胶；
相应的，在形成第二透明导电层和N型半导体台面之后，所述方法还包括：
对所述第二电流阻挡层进行缓冲氧化物刻蚀液(Buffered Oxide Etch，简称BOE)刻蚀，得到第三电流阻挡层，所述第三电流阻挡层上具有与所述第一开孔区域正对的第三开孔区域。
上述所提供的LED芯片制作方法，在LED晶圆表面沉积第一透明导电层之前，先沉积一层第一电流阻挡层，通过将第一电流阻挡层进行光刻和刻蚀，得到具有第三开孔区域的第三电流阻挡层，P电极可以通过第三开孔区域及上述第一开孔区域、第二开孔区域与LED晶圆上的P型半导体层直接接触，并且该第三电流阻挡层可以阻隔P电极的电流从底面直接流向第二透明导电层，避免P电极的电流影响芯片的发光效果，另外，其还可以在刻蚀第一透明导电层刻蚀时对P型半导体层起到保护作用。
在其中一个实施例中，所述采用光刻胶分别对所述第一透明导电层和所述LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成第二透明导电层和N型半导体台面，包括：
采用光刻胶对所述第一透明导电层进行MESA光刻，在位于所述第一透明导电层上的第二光刻胶层上形成第一MESA图层；
在所形成的结构上，将所述第一MESA图层作为掩模对所述第一透明导电层进行刻蚀，形成所述第二透明导电层；
将所述第一MESA图层作为掩模对所述LED晶圆进行ICP刻蚀，形成所述N型半导体台面；
去除MESA光刻后的光刻胶。
上述所提供的LED芯片制作方法，通过一道MESA光刻对第一透明导电层和LED晶圆进行光刻和刻蚀，得到具有第一开孔区域的第二透明导电层，且得到的LED晶圆上具有N型半导体台面，其大大节省了制作工序，降低了制作成本，同时实现对第一透明导电层和LED晶圆刻蚀时的自对准功能，增大了芯片的亮度。
在其中一个实施例中，所述采用光刻胶分别对所述第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成第二钝化层，包括：
采用光刻胶对所述第一钝化层进行PAD光刻，在位于所述第一钝化层表面上的第三光刻胶层上形成PAD图层；
将所述PAD图层作为掩模对第一钝化层刻蚀，形成与所述PAD图层对应的所述第二钝化层。
上述所提供的LED芯片制作方法，通过PAD光刻对第一钝化层进行光刻和刻蚀，且上述对P/N电极的制作也是使用PAD光刻，因此使用一道PAD光刻即可实现对第一钝化层和P/N电极的光刻，其大大节省了制作工序，降低了制作成本。
在其中一个实施例中，所述第一透明导电层、所述第二透明导电层均为ITO导电层。
在其中一个实施例中，所述第一钝化层、所述第二钝化层均为SiO2。
在其中一个实施例中，所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层、第三电流阻挡层均为SiO2。
第二方面，本发明还提供一种LED芯片，包括：P电极、N电极以及导电装置，所述导电装置包括：LED晶圆、位于所述LED晶圆上的透明导电层以及钝化层，所述钝化层位于所述透明导电层之上，所述LED晶圆具有一N型半导体台面；
所述透明导电层具有第一开孔区域，所述钝化层具有第二开孔区域，所述第一开孔区域和所述第二开孔区域正对；所述P电极设置在所述第一开孔区域和第二开孔区域内，与所述LED晶圆的P型半导体层接触，所述N电极设置在所述N型半导体台面上。
在其中一个实施例中，所述导电装置还包括：具有第三开孔区域的电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P型半导体层与所述透明导电层之间；
所述第三开孔区域与所述第一开孔区域正对，所述P电极设置在第一开孔区域、第二开孔区域和第三开孔区域内。
在其中一个实施例中，所述第二开孔区域的面积大于所述第一开孔区域的面积。
本发明提供的LED芯片制作方法和LED芯片，通过将LED晶圆和沉积在LED晶圆表面的第一透明导电层进行光刻和刻蚀，得到具有第一开孔区域的第二透明导电层，且得到的LED晶圆上具有N型半导体台面，之后去除光刻胶，并对在去除了光刻胶的结构上所沉积的第一钝化层进行光刻和刻蚀，得到具有第二开孔区域的第二钝化层，P电极可以通过第一开孔区域和第二开孔区域与LED晶圆上的P型半导体层直接接触，从而减小或者消除了LED芯片中电极脱落的风险，延长了LED芯片的使用寿命。
附图说明
图1为本发明一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图；
图1a为本发明一个实施例提供的LED晶圆的结构示意图；
图1b为本发明另一个实施例提供的图层A的结构示意图；
图1c为本发明另一个实施例提供的A’的结构示意图；
图1d为本发明另一个实施例提供的图层B的结构示意图；
图1e为本发明另一个实施例提供的B’的结构示意图；
图1f为本发明另一个实施例提供的C的结构示意图；
图2为本发明另一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图；
图2a为本发明另一个实施例提供CBL图层的结构示意图；
图2b为本发明另一个实施例提供第二电流阻挡层的结构示意图；
图2c为本发明另一个实施例提供的第三电流阻挡层的结构示意图；
图2d为本发明另一个实施例提供的D的结构示意图；
图3为本发明另一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图；
图4为本发明另一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图；
图5为本发明一个实施例提供的LED芯片剖视图；
图6为本发明另一个实施例提供的LED芯片剖视图。
附图标记说明：
1011：衬底；1012：N型半导体层；1013：发光层；
1014：P型半导体层；1015：第二透明导电层；1016：N型半导体台面；
1017：第一开孔区域1018：第二开孔区域；1019：第二钝化层；
1020：N电极；1021：P电极；1022：第二电流阻挡层；
1023：第三电流阻挡层；1024：第三开孔区域；1025：透明导电层；
1026：钝化层；1027：电流阻挡层。
具体实施方式
随着半导体技术的不断发展，LED的应用也越来越广泛，LED是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，该电子元件早期只能发出低光度的红光，之后发展到可以发出其他单色光，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也有了很大的提高。同时，LED的用途也由初时作为指示灯、显示板等发展到现在被广泛地应用于显示器、电视机采光装饰和照明。
LED中包括LED芯片，该LED芯片是LED的核心组件，通常制作LED芯片采用的传统的三道光刻，但利用传统光刻技术制成的LED芯片，其P电极容易脱落。本发明提供的LED芯片制作方法旨在解决传统技术的如上技术问题。
可选的，本发明方法实施例的执行主体可以是用于制作芯片的设备或者系统，该设备或者系统可以通过执行下述方法实施例来达到制作LED芯片的目的。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，通过下述实施例并结合附图，对本发明实施例中的技术方案做进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。
图1为本发明一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图。如图1所示，该LED芯片制作方法包括：
S101，在LED晶圆表面沉积第一透明导电层，并采用光刻胶分别对所述第一透明导电层和所述LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成第二透明导电层1015和N型半导体台面1016；其中，所述第二透明导电层1015具有第一开孔区域1017。
具体的，LED晶圆从下往上依次为衬底1011、N型半导体层1012、发光层1013和P型半导体层1014，具体可以参见图1a所示。可选的，衬底1011可以是Si、SiC、ZnO等材料，N型半导体层1012可以是N型CaN等材料，发光层1013可以是InGaN、GaN等材料，P型半导体层1014可以是P型CaN等材料。在LED晶圆表面即P型半导体层1014上沉积一层第一透明导电层，该第一透明导电层用于将电流从P电极1021传输到P型半导体层1014上。可选的，透明导电层可以是GIO、ZITO等透明导电层，还可以采用等离子溅射高致密ITO透明导电层，并对透明导电层进行检验，然后进行退火，可使透明导电层的导电能力更强，光透过率更高。
接下来在第一透明导电层的表面涂覆一层光刻胶，形成光刻胶层，并利用光刻技术对第一透明导电层进行光刻，从而在光刻胶层上形成相应的图层(假设该图层为A)，该图层A具体可以参见图1b所示。其中，光刻胶是一种混合液体，在曝光区能很快的发生光固化反应，使物理性能发生变化。以上述图层A为掩模分别对第一透明导电层和LED晶圆进行刻蚀，形成相应的结构(设该结构为A’)，进一步的，刻蚀后形成的第二透明导电层1015上具有第一开孔区域1017，用于使P电极1021通过第一开孔1017与P型半导体层1014直接接触，从而减小或者消除电极脱落的风险。该步骤S102所形成的结构A’可以参见图1c所示，需要说明的是，图1c中的第二透明导电层1015和N型半导体台面1016的结构与图1b所示的图层A对应。
S102，将所形成的结构上的光刻胶去除，并在去除光刻胶后的结构上沉积第一钝化层。
具体的，去除光刻胶时依次使用去胶液、丙酮、乙醇溶液进行清洗，并用清水冲洗甩干。在去除光刻胶的结构上沉积第一钝化层，可选的，钝化层可以使用SiO2，SiO2具有较好的物理和化学稳定性，可以对钝化层下面的透明导电层等结构有保护作用。
S103，采用光刻胶分别对所述第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成第二钝化层1019；其中，所述第二钝化层1019上具有与第一开孔区域1017正对的第二开孔区域1018，所述LED晶圆的P型半导体层1014经所述第一开孔区域1017、所述第二开孔区域1018呈裸露状态。
具体的，当执行完S102之后，继续在第一钝化层的表面涂覆一层光刻胶，形成光刻胶层，并利用光刻技术对第一钝化层进行光刻，从而在光刻胶层上形成相应的图层(设该图层为B)，该图层B具体可以参见图1d所示。然后，以上述图层B为掩模对钝化层进行刻蚀，得到第二钝化层1019，该第二钝化层1019上具有与第一开孔区域1017正对的第二开孔区域1018，P电极1021可通过这两个开孔区域与P型半导体层1014直接接触。上述步骤S104所形成的结构(设为B’)可以参见图1e所示，需要说明的是，图1e中的结构与图1d所示的图层对应。
可选的，上述第二钝化层1019刻蚀前可以先通过O2进行等离子预处理，然后使用BOE刻蚀液进行刻蚀，并冲水甩干进行图层检验。
S104，在所述第二钝化层1019上采用PAD光刻制作P电极1021和N电极1020，所述P电极1021设置在所述第二开孔区域1018以及所述第一开孔区域1017中，以使所述P电极1021与所述P型半导体层1014接触，所述N电极1020位于所述N型半导体台面1016上。
具体的，制作P电极1021时，P电极1021可通过第二钝化层1019和第二透明导电层1015上的开孔与P型半导体层1014直接接触，从而减小或者消除P电极1021脱落的风险。该S105的步骤所形成的结构(设为C)可以参见图1f所示。
S105，将所形成的结构上的光刻胶去除。
具体的，去除光刻胶时依次使用去胶液、丙酮、乙醇溶液进行清洗，并用清水冲洗甩干。
本实施例中，通过将LED晶圆和LED晶圆表面沉积的第一透明导电层进行光刻和刻蚀，得到具有第一开孔区域的第二透明导电层，且得到的LED晶圆上具有N型半导体台面，之后去除光刻胶，并对在去除了光刻胶的结构上所沉积的第一钝化层进行光刻和刻蚀，得到具有第二开孔区域的第二钝化层，P电极可以通过第一开孔区域和第二开孔区域与LED晶圆上的P型半导体层直接接触，从而减小或者消除了LED芯片中电极脱落的风险，延长了LED芯片的使用寿命。
图2为本发明另一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图。在上述实施例的基础上，可选的，在LED晶圆的表面沉积第一透明导电层之前，即在S101之前，所述方法还包括：
S201，在所述LED晶圆上沉积第一电流阻挡层，并采用光刻胶对所述第一电流阻挡层进行CBL光刻，在位于所述第一电流阻挡层表面的第一光刻胶层上形成CBL图层。
具体的，在LED晶圆表面沉积透明导电层之前，先沉积一层第一电流阻挡层，即第一电流阻挡层覆盖在LED晶圆的表面。之后，在第一电流阻挡层的表面涂覆一层光刻胶，形成第一光刻胶层，并利用光刻技术对第一电流阻挡层进行CBL光刻，以在第一光刻胶层上形成CBL图层，该CBL图层可以参见图2a所示。可选的，该第一电流阻挡层可以为SiO2材料，用于阻隔P电极1021的电流从底面直接流向第二透明导电层1015，影响芯片的发光效果。
S202，将所述CBL图层作为掩模对第一电流阻挡层刻蚀，形成与所述CBL图层对应的第二电流阻挡层1022。
可选的，当上述第一电流阻挡层材料为SiO2时，本步骤中对第一电流阻挡层的刻蚀与上述实施例中对第一钝化层的刻蚀方法相同，所形成的第二电流阻挡层1022的结构可以参见图2b所示，需要说明的是，图2b中的第二电流阻挡层1022和与图2a所示的CBL图层对应。进一步的，所形成的第二电流阻挡层1022上没有开孔区域，其可以在前述对第一透明导电层刻蚀时，对P型半导体层1014起到保护作用。
S203，去除CBL光刻后的光刻胶。
具体的，去除光刻胶时依次使用去胶液、丙酮、乙醇溶液进行清洗，并用清水冲洗甩干。可选的，在去除CBL光刻的光刻胶后再对LED晶圆进行进一步的清洗，使用浓硫酸和双氧水的体积比为3:1，清洗温度为90℃-100℃，清洗时间为10min-15min。
相应的，在形成第二透明导电层1015和N型半导体台面1016之后，即在S101之后，所述方法还包括：
S204，对所述第二电流阻挡层1022进行BOE刻蚀，得到第三电流阻挡层1023，所述第三电流阻挡层1023上具有与所述第一开孔区域1017正对的第三开孔区域1024。
具体的，在形成具有开孔结构的第二透明导电层1015和N型半导体台面1016后，对S202中形成的第二电流阻挡层1022进行BOE刻蚀，得到具有第三开孔区域1024的第三电流阻挡层1023，该第三开孔区域1024与上述实施例中第一透明导电层的第一开孔区域1017相对，使得P电极1021可以通过这两个开孔与P型半导体层1014直接接触。上述第三电流阻挡层1023的结构可以参见图2c所示。基于该实施例和上述实施例中的LED晶圆、第二透明导电层1015、第二钝化层1019，其所形成的结构(设为D)可以参见图2d所示。
本实施例中，在LED晶圆表面沉积第一透明导电层之前，先沉积一层第一电流阻挡层，通过将第一电流阻挡层进行光刻和刻蚀，得到具有第三开孔区域的第三电流阻挡层，P电极可以通过第三开孔区域及上述第一开孔区域、第二开孔区域与LED晶圆上的P型半导体层直接接触，并且该第三电流阻挡层可以阻隔P电极的电流从底面直接流向第二透明导电层，避免P电极的电流影响芯片的发光效果，另外，其还可以在刻蚀第一透明导电层刻蚀时对P型半导体层起到保护作用。
图3为本发明另一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图。本实施例涉及的是采用光刻胶分别对第一透明导电层和LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成第二透明导电层1015和N型半导体台面1016的具体过程。在该实施例中，采用一道MESA光刻即可实现对第一透明导电层和LED晶圆的光刻，节省了制作工序，降低了制作成本，同时实现对第一透明导电层和LED晶圆刻蚀时的自对准功能，增大了芯片的亮度。在上述实施例的基础上，即上述S101可以包括：
S301，采用光刻胶对所述第一透明导电层进行MESA光刻，在位于所述第一透明导电层上的第二光刻胶层上形成第一MESA图层。
具体的，在经过上述实施例的过程得到第一透明导电层之后，继续在第一透明导电层的表面涂覆一层光刻胶，形成第二光刻胶层，并利用MESA光刻技术对第一透明导电层进行光刻，以在第二光刻胶层上形成第一MESA图层，该第一MESA图层与图1b所示的图层A类似，具体可以参照图1b所示。
S302，在所形成的结构上，将所述第一MESA图层作为掩模对所述第一透明导电层进行刻蚀，形成所述第二透明导电层1015。
具体的，该步骤中通过将第一MESA图层作为掩模对上述第一透明导电层进行刻蚀，形成的第二透明导电层1015与第一MESA图层的结构对应，该第二透明导电层1015上具有第一开孔区域1017。
可选的，当上述第一透明导电层或者第二透明导电层1015为ITO透明导电层时，在刻蚀前可以先通过O2进行等离子预处理，再使用ITO刻蚀液进行刻蚀，最后冲水甩干并进行图层检验。
S303，将所述第一MESA图层作为掩模对所述LED晶圆进行ICP刻蚀，形成所述N型半导体台面1016。
具体的，该步骤中通过将第一MESA图层作为掩模对上述LED晶圆进行ICP刻蚀，所形成的N型半导体台面1016与第一MESA图层的结构对应。可选的，对N型半导体层1012可以采用气体刻蚀方式，反应气可以是氧气、氯气等。
通过步骤S302和S303所形成的结构和图1c所示的结构类似，具体可以参照图1c所示。
S304，去除MESA光刻后的光刻胶。
具体的，去除光刻胶时依次使用去胶液、丙酮、乙醇溶液进行清洗，并用清水冲洗甩干。
本实施例中，通过一道MESA光刻对第一透明导电层和LED晶圆进行光刻和刻蚀，得到具有第一开孔区域的第二透明导电层，且得到的LED晶圆上具有N型半导体台面，其大大节省了制作工序，降低了制作成本，同时实现对第一透明导电层和LED晶圆刻蚀时的自对准功能，增大了芯片的亮度。
图4位本发明另一个实施例提供的LED芯片制作方法的流程示意图。本实施例涉及的是采用光刻胶分别对所述第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成第二钝化层1019的具体过程。在该实施例中，采用一道PAD光刻即可实现对第一钝化层和P/N电极的光刻，节省了制作工序，降低了制作成本。在上述实施例的基础上，即上述S103可以包括：
S401，采用光刻胶对所述第一钝化层进行PAD光刻，在位于所述第一钝化层表面上的第三光刻胶层上形成PAD图层。
具体的，当上述第一钝化层沉积完成之后，在第一钝化层的表面涂覆一层光刻胶，形成第三光刻胶层，并利用PAD光刻技术对第一钝化层进行光刻，以在第三光刻胶层上形成PAD图层，该PAD图层与图1d所示的图层类似，具体可以参照图1d所示。
S402，将所述PAD图层作为掩模对第一钝化层刻蚀，形成与所述PAD图层对应的第二钝化层1019。
具体的，该步骤中通过将PAD图层作为掩模对第一钝化层进行刻蚀，形成的第二钝化层1019与上述PAD图层的结构对应，该第二钝化层1019上具有第二开孔区域1018。该步骤所形成的结构与图1e所示的结构类似，具体可以参照图1e所示。
可选的，钝化层刻蚀前可以首先通过O2进行等离子预处理，然后使用BOE刻蚀液进行刻蚀，并冲水甩干进行图层检验。
本实施例中，通过PAD光刻对第一钝化层进行光刻和刻蚀，且上述对P/N电极的制作也是使用PAD光刻，因此使用一道PAD光刻即可实现对第一钝化层和P/N电极的光刻，其大大节省了制作工序，降低了制作成本。
本发明还提供一种LED芯片，图5为本发明一个实施例提供的LED芯片剖视图，如图5所示，包括：P电极1021、N电极1020以及导电装置，所述导电装置包括：LED晶圆、位于所述LED晶圆上的透明导电层1025以及钝化层1026，所述钝化层1026位于所述透明导电层1025之上，所述LED晶圆具有一N型半导体台面1016；所述透明导电层1025具有第一开孔区域1017，所述钝化层1026具有第二开孔区域1018，所述第一开孔区域1017和所述第二开孔区域1018正对；所述P电极1021设置在所述第一开孔区域1017和第二开孔区域1018内，与所述LED晶圆的P型半导体层1014接触，所述N电极1020设置在所述N型半导体台面1016上。
具体的，上述LED芯片中，电流可以从P电极1021传向透明导电层1025，再从透明导电层1025传向P型半导体层1014，之后传向N型半导体层1012，最后传向N电极1020。
其中，本实施例中的透明导电层1025与上述方法实施例中的第二透明导电层1015结构相同，钝化层1026与上述方法实施例中的第二钝化层1019结构相同。
本实施例中的LED芯片可以采用上述方法实施例的方法步骤制成，其技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
图6为本发明另一个实施例提供的LED芯片剖视图，在图5所示实施例的基础上，所述导电装置还包括：具有第三开孔区域1024的电流阻挡层1027，所述电流阻挡层1027位于所述P型半导体层1014与所述透明导电层1025之间；所述第三开孔区域1024与所述第一开孔区域1017正对，所述P电极1021设置在第一开孔区域1017、第二开孔区域1018和第三开孔区域1024内。进一步的，第二开孔区域1018的面积大于第一开孔区域1017的面积。
其中，本实施例中的电流阻挡层1027与上述方法实施例中的第三电流阻挡层1023结构相同。
本实施例中的LED芯片可以采用上述方法实施例的方法步骤制成，其技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：
在发光二极管LED晶圆表面沉积第一透明导电层，并采用光刻胶分别对所述第一透明导电层和所述LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成第二透明导电层和N型半导体台面；其中，所述第二透明导电层具有第一开孔区域；
将所形成的结构上的光刻胶去除，并在去除光刻胶后的结构上沉积第一钝化层；
采用光刻胶分别对所述第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成第二钝化层；其中，所述第二钝化层上具有与第一开孔区域正对的第二开孔区域，所述LED晶圆的P型半导体层经所述第一开孔区域、所述第二开孔区域呈裸露状态；
在所述第二钝化层上采用PAD光刻制作P电极和N电极，所述P电极设置在所述第二开孔区域以及所述第一开孔区域中，以使所述P电极与所述P型半导体层接触，所述N电极位于所述N型半导体台面上；
将所形成的结构上的光刻胶去除。
2.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述在LED晶圆表面沉积第一透明导电层之前，所述方法还包括：
在所述LED晶圆上沉积第一电流阻挡层，并采用光刻胶对所述第一电流阻挡层进行电流阻挡层CBL光刻，在位于所述第一电流阻挡层表面的第一光刻胶层上形成CBL图层；
将所述CBL图层作为掩模对第一电流阻挡层刻蚀，形成与所述CBL图层对应的第二电流阻挡层；
去除CBL光刻后的光刻胶；
相应的，在形成第二透明导电层和N型半导体台面之后，所述方法还包括：
对所述第二电流阻挡层进行缓冲氧化物刻蚀液BOE刻蚀，得到第三电流阻挡层，所述第三电流阻挡层上具有与所述第一开孔区域正对的第三开孔区域。
3.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述采用光刻胶分别对所述第一透明导电层和所述LED晶圆进行光刻和刻蚀，形成第二透明导电层和N型半导体台面，包括：
采用光刻胶对所述第一透明导电层进行MESA光刻，在位于所述第一透明导电层上的第二光刻胶层上形成第一MESA图层；
在所形成的结构上，将所述第一MESA图层作为掩模对所述第一透明导电层进行刻蚀，形成所述第二透明导电层；
将所述第一MESA图层作为掩模对所述LED晶圆进行ICP刻蚀，形成所述N型半导体台面；
去除MESA光刻后的光刻胶。
4.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述采用光刻胶分别对所述第一钝化层进行光刻和刻蚀，形成第二钝化层，包括：
采用光刻胶对所述第一钝化层进行PAD光刻，在位于所述第一钝化层表面上的第三光刻胶层上形成PAD图层；
将所述PAD图层作为掩模对第一钝化层刻蚀，形成与所述PAD图层对应的所述第二钝化层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层、所述第二透明导电层均为ITO导电层。
6.根据权利要求1-4任一项所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一钝化层、所述第二钝化层均为SiO2。
7.根据权利要求2所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层、所述第三电流阻挡层均为SiO2。
8.一种LED芯片，其特征在于，包括：P电极、N电极以及导电装置，所述导电装置包括：LED晶圆、位于所述LED晶圆上的透明导电层以及钝化层，所述钝化层位于所述透明导电层之上，所述LED晶圆具有一N型半导体台面；
所述透明导电层具有第一开孔区域，所述钝化层具有第二开孔区域，所述第一开孔区域和所述第二开孔区域正对；所述P电极设置在所述第一开孔区域和第二开孔区域内，与所述LED晶圆的P型半导体层接触，所述N电极设置在所述N型半导体台面上。
9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述导电装置还包括：具有第三开孔区域的电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P型半导体层与所述透明导电层之间；
所述第三开孔区域与所述第一开孔区域正对，所述P电极设置在第一开孔区域、第二开孔区域和第三开孔区域内。
10.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述第二开孔区域的面积大于所述第一开孔区域的面积。
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