CN211125656U - 显示母板、显示基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种显示母板、显示基板和显示装置。所述显示母板包括多个显示基板区域和位于每个所述显示基板区域周边的切割区域;所述显示母板包括:设置在每个显示基板区域的驱动结构层,以及设置在每个切割区域的标识结构层;所述标识结构层包括切割标识层;设置在所述驱动结构层和标识结构层上的平坦化层,所述平坦化层覆盖所述标识结构层。本实用新型通过在切割区域保留完整的平坦化层,有效提高了切割区域膜层的整体刚度,减小了因滚轮压力产生的形变,避免了切割区域产生气泡,有效解决了因气泡遮挡切割标识导致的切割标识无法识别的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示母板、显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展,OLED技术越来越多的应用于柔性显示装置中。
在制备柔性OLED显示装置时,通常是先制备显示母板,然后对显示母板进行切割,从而使显示母板被分隔成多个显示基板,分开的显示基板均可以用于形成单个OLED显示装置。图1为显示母板上包括多个显示基板的排布示意图。如图1所示,显示母板100上的多个显示基板区域300呈周期性规则排布,切割区域400位于每个显示基板区域300的周边。其中,显示基板区域300至少包括显示区域301和绑定区域302,显示区域301包括矩阵排列的多个像素,绑定区域302包括驱动电路303,绑定区域302设置在显示区域301的一侧。切割区域400包括环绕显示基板区域300的环形的切割线401和多个切割标识(Mark)402。
在进行切割时,切割设备先识别切割标识,然后按照切割标识进行切割,但在生产中存在切割标识无法识别的问题。
实用新型内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种显示母板、显示基板和显示装置,以解决生产中存在切割标识无法识别的问题。
本实用新型提供了一种显示母板,所述显示母板包括多个显示基板区域和位于每个所述显示基板区域周边的切割区域;所述显示母板包括:
设置在每个显示基板区域的驱动结构层,以及设置在每个切割区域的标识结构层;其中,所述标识结构层包括切割标识层;
设置在所述驱动结构层和标识结构层上的平坦化层,所述平坦化层覆盖所述标识结构层。
在一些可能的实现方式中,所述驱动结构层包括第一源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,所述切割标识层与所述第一源漏金属层同层设置。
在一些可能的实现方式中,所述驱动结构层还包括:设置在基底上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的有源层,覆盖所述有源层的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层,覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层,覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,所述第一源漏金属层设置在所述第四绝缘层上;所述标识结构层还包括;在基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层,所述切割标识层设置在所述第四绝缘层上。
在一些可能的实现方式中,还包括第五绝缘层;在所述显示基板区域,所述第五绝缘层设置在所述驱动结构层上,在所述切割区域,所述第五绝缘层设置在所述标识结构层上,所述平坦化层设置在所述第五绝缘层上。
在一些可能的实现方式中,所述平坦化层包括设置在所述第五绝缘层上的第二平坦化层和设置在所述第二平坦化层上的像素定义层;在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还设置有阳极。
在一些可能的实现方式中,所述驱动结构层包括第二源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,所述切割标识层与所述第二源漏金属层同层设置。
在一些可能的实现方式中,所述驱动结构层还包括:设置在基底上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的有源层,覆盖所述有源层的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层,覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层,覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,设置在所述第四绝缘层上的第一源漏金属层,覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层和第一平坦化层,所述第二源漏金属层设置在所述第一平坦化层上;所述标识结构层还包括:在基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第一平坦化层,所述切割标识层设置在所述第一平坦化层上。
在一些可能的实现方式中,所述平坦化层包括覆盖所述驱动结构层和标识结构层的第二平坦化层和设置在所述第二平坦化层上的像素定义层;在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还设置有阳极。
在一些可能的实现方式中,还包括保护膜;在所述显示基板区域,所述平坦化层上设置有封装层,所述保护膜设置在所述封装层上;在所述切割区域,所述保护膜设置在所述平坦化层上。
在一些可能的实现方式中,所述切割区域的切割标识层包括多个切割标识,所述切割标识包括田字形排列的4个矩形图案。
本实用新型还提供了一种显示基板,由前述显示母板沿着所述切割区域切割而形成。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括前述的显示基板。
本实用新型提供了一种显示母板、显示基板和显示装置,通过在切割区域保留完整的平坦化层,有效提高了切割区域膜层的整体刚度,减小了因滚轮压力产生的形变,避免了切割区域产生气泡,有效解决了因气泡遮挡切割标识导致的切割标识无法识别的问题。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案,并不构成对本实用新型技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本实用新型内容。
图1为显示母板上包括多个显示基板的排布示意图;
图2为本实用新型一种显示母板的结构示意图;
图3为本实用新型一种显示母板结构形成驱动结构层和切割标识层图案后的示意图;
图4为本实用新型一种显示母板结构形成平坦化层图案后的示意图;
图5为本实用新型一种显示母板结构形成阳极图案后的示意图;
图6为本实用新型一种显示母板结构形成像素定义层图案后的示意图;
图7本实用新型一种显示母板结构贴附保护膜后的示意图;
图8为本实用新型一种绑定区域的结构示意图;
图9为本实用新型一种切割标识的结构示意图;
图10为本实用新型另一种显示母板的结构示意图;
图11为本实用新型另一种显示母板结构形成驱动结构层和切割标识层图案后的示意图;
图12为本实用新型另一种显示母板结构形成平坦化层图案后的示意图;
图13为本实用新型又一种显示母板的结构示意图;
图14为本实用新型又一种显示母板的结构示意图。
附图标记说明:
1—玻璃载板; 2—背膜; 10—基底;
11—第一绝缘层; 12—有源层; 13—第二绝缘层;
14—栅电极; 15—第一电容电极; 16—第三绝缘层;
17—第二电容电极; 18—第四绝缘层; 19A—源电极;
19B—漏电极; 20—第五绝缘层; 21—平坦化层;
21A—第一平坦化层; 22—阳极; 23—像素定义层;
24—有机发光层; 25—阴极; 26—封装层;
27—保护膜; 40—标识块; 100—显示母板;
101—薄膜晶体管; 102—存储电容; 103—连接电极;
300—显示基板区域; 301—显示区域; 302—绑定区域;
303—驱动电路; 400—切割区域; 401—切割线;
402—切割标识。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本申请的实施例进行详细说明。注意,实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实,就是方式和内容可以在不脱离本实用新型的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此,本实用新型不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中,有时为了明确起见,夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此,本实用新型的一个方式并不一定限定于该尺寸,附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外,附图示意性地示出了理想的例子,本实用新型的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置,而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中,为了方便起见,使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系,仅是为了便于描述本说明书和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此,不局限于在说明书中说明的词句,根据情况可以适当地更换。
在本说明书中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间件间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本说明书中,晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域,并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本说明书中,沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中,可以是第一极为漏电极、第二极为源电极,也可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下,“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此,在本说明书中,“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中,“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受,就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线,而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中,“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态,因此,也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外,“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态,因此,也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中,“膜”和“层”可以相互调换。例如,有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样,有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
经本申请发明人研究发现,生产中存在切割区域的切割标识无法识别的问题,是由于制备过程中切割区域出现气泡,气泡遮挡切割标识造成的。当不规则形状的多个气泡位于切割标识所在区域时,气泡的轮廓线影响了切割设备对切割标识外形判断的准确度,进而导致出现切割设备不能识别切割标识的情形。经本申请发明人进一步研究发现,切割区域出现的气泡主要是在贴合背膜工艺中产生的。显示母板的制备过程通常包括:先在刚性衬底上制备柔性基底,在柔性基底制备相应膜层结构形成显示母板。所有膜层制备完成后,通过剥离(Lift Off)工艺将显示母板从刚性衬底上剥离,然后在柔性基底背部(远离膜层结构一侧的表面)贴附一层背膜,以保护柔性基底。在用滚轮贴附背膜时,较软的柔性基底在滚轮压力下发生形变,形变较大的位置由于挤压作用而产生气泡。
为了解决生产中存在切割标识无法识别的问题,本实用新型提供了一种显示母板,在平行于显示母板的平面上,所述显示母板包括多个显示基板区域和位于每个所述显示基板区域周边的切割区域;在垂直于显示母板的平面上,所述显示母板包括:
设置在每个显示基板区域的驱动结构层,以及设置在每个切割区域的标识结构层;所述标识结构层包括切割标识层;
设置在所述驱动结构层和标识结构层上的平坦化层,所述平坦化层覆盖所述标识结构层。
在一示例性实施方式中,所述驱动结构层包括第一源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,所述切割标识层与所述第一源漏金属层同层设置。
其中,所述驱动结构层还包括:设置在基底上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的有源层,覆盖所述有源层的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层,覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层,覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,所述第一源漏金属层设置在所述第四绝缘层上;所述标识结构层还包括;在基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层,所述切割标识层设置在所述第四绝缘层上。
其中,还包括第五绝缘层;在所述显示基板区域,所述第五绝缘层设置在所述驱动结构层上,在所述切割区域,所述第五绝缘层设置在所述标识结构层上,所述平坦化层设置在所述第五绝缘层上。
其中,所述平坦化层包括设置在所述第五绝缘层上的第二平坦化层和设置在所述第二平坦化层上的像素定义层;在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还设置有阳极。
在一示例性实施方式中,所述驱动结构层包括第二源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,所述切割标识层与所述第二源漏金属层同层设置。
其中,所述驱动结构层还包括:设置在基底上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的有源层,覆盖所述有源层的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层,覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层,覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,设置在所述第四绝缘层上的第一源漏金属层,覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层和第一平坦化层,所述第二源漏金属层设置在所述第一平坦化层上;所述标识结构层还包括:在基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第一平坦化层,所述切割标识层设置在所述第一平坦化层上。
其中,所述平坦化层包括覆盖所述驱动结构层和标识结构层的第二平坦化层和设置在所述第二平坦化层上的像素定义层;在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还设置有阳极。
在一示例性实施方式中,还包括保护膜;在所述显示基板区域,所述平坦化层上设置有封装层,所述保护膜设置在所述封装层上;在所述切割区域,所述保护膜设置在所述平坦化层上。
在一示例性实施方式中,所述切割区域的切割标识层包括多个切割标识,所述切割标识包括田字形排列的4个矩形图案。
本申请实施例提供了一种显示母板,通过在切割区域保留完整的平坦化层,有效提高了切割区域膜层的整体刚度,减小了因滚轮压力产生的形变,避免切割区域产生气泡,从而避免出现因气泡遮挡切割标识导致的切割标识无法识别的情况。
图2为本实用新型一种显示母板的结构示意图,示意了单源漏金属层(单SD或1SD)结构显示基板区域和切割区域的剖面结构。在平行于显示母板的平面方向,本实施例显示母板包括显示基板区域300和切割区域400,切割区域400为显示母板上显示基板区域300以外的其它区域。如图2所示,在垂直于显示母板的平面方向,显示基板区域300包括设置在基底10上的驱动结构层和设置在驱动结构层上的发光结构层,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层和覆盖切割标识层的绝缘层。其中,显示基板区域300的驱动结构层包括形成像素驱动电路的多个薄膜晶体管和存储电容,图2中仅以一个驱动薄膜晶体管101和存储电容102为例进行示意。驱动结构层主要包括设置在基底10上的第一绝缘层11、设置在第一绝缘层11上的驱动薄膜晶体管101和存储电容102以及覆盖驱动薄膜晶体管101和存储电容102的第五绝缘层20和第二平坦化层21。发光结构层主要包括阳极22、像素定义层23、有机发光层24、阴极25以及封装层26。切割区域400的复合绝缘层包括在基底10上依次叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层16和第四绝缘层18,切割标识层包括设置在复合绝缘层上的标识块40,切割区域400的绝缘层包括覆盖切割标识层的第五绝缘层20、第二平坦化层21和覆盖第二平坦化层21的像素定义层23。如图2所示,切割区域400的第二平坦化层21和像素定义层23被完整保留,远离基底10一侧的表面为平齐状,有效提高了切割区域膜层的整体刚度。
下面通过显示母板的制备过程说明本实施例显示母板的结构。其中,本实用新型所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种,涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种,刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。当在整个制作过程中该“薄膜”无需构图工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程中该“薄膜”需构图工艺,则在构图工艺前称为“薄膜”,构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本实用新型中所说的“A和B同层设置”是指,A和B通过同一次构图工艺同时形成。
(1)在玻璃载板1上制备柔性基底10。本实用新型中,柔性基底10包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料,第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等,用于提高基底的抗水氧能力,第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层,半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在一示例性实施方式中,以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例,其制备过程可以包括:先在玻璃载板上涂布一层聚酰亚胺,固化成膜后形成第一柔性(PI1)层;随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜,形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层;然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜,形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层;然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺,固化成膜后形成第二柔性(PI2)层;然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜,形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层,完成柔性基底的制备。
(2)在基底10上制备驱动结构层和切割标识层图案。驱动结构层设置在显示基板区域300,切割标识层设置在切割区域400,驱动结构层包括构成像素驱动电路的驱动薄膜晶体管101和存储电容102。在一示例性实施方式中,驱动结构层和切割标识层的制备过程可以包括:
在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜,通过构图工艺对有源层薄膜进行构图,形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11以及设置在第一绝缘层11上的有源层12图案,有源层12形成在显示基板区域300。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的第一绝缘层11。
随后,依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,形成覆盖整个基底10的第二绝缘层13以及设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层图案,第一栅金属层图案形成在显示基板区域300,至少包括栅电极14、第一电容电极15、第一栅线(未示出)和第二栅线(未示出)。本次构图工艺后,切割区域400包括在基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13。
随后,依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成覆盖整个基底10的第三绝缘层16以及设置在第三绝缘层16上的第二栅金属层图案,第二栅金属层图案形成在显示基板区域300,至少包括第二电容电极17,第二电容电极17的位置与第一电容电极15的位置相对应。本次构图工艺后,切割区域400包括在基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层16。
随后,沉积第四绝缘薄膜,通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图,形成覆盖整个基底10的第四绝缘层18图案,第四绝缘层18上开设有两个第一过孔,两个第一过孔形成在显示基板区域300,其位置与有源层12两端的位置相对应,第一过孔内的第四绝缘层18、第三绝缘层16和第二绝缘层13被刻蚀掉,暴露出有源层12的表面。本次构图工艺后,切割区域400包括在基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层16和第四绝缘层18。
随后,沉积第三金属薄膜,通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图,在第四绝缘层18上形成第一源漏金属层和切割标识层图案,第一源漏金属层(SD1)形成在显示基板区域300,至少包括源电极19A、漏电极19B、数据线(未示出)和电源线(未示出)等,源电极19A和漏电极19B分别通过第一过孔与有源层12连接;切割标识层形成在切割区域400,包括至少二个间隔设置的标识块40。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层和设置在复合绝缘层上的切割标识层,复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层16和第四绝缘层18,切割标识层包括标识块40。
随后,沉积第五绝缘薄膜,形成覆盖整个基底10的第五绝缘层20图案。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层和覆盖切割标识层的第五绝缘层20,复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层16和第四绝缘层18,切割标识层包括标识块40。在一示例性实施方式中,根据实际需要,也可以不形成第五绝缘层20。
至此,在基底10上制备完成驱动结构层和切割标识层图案,如图3所示。有源层12、栅电极14、源电极19A和漏电极19B组成薄膜晶体管101,第一电容电极15与第二电容电极17组成存储电容102,第一源漏金属层和切割标识层同层设置,且通过同一次构图工艺形成。
本实用新型中,第一绝缘薄膜、第二绝缘薄膜、第三绝缘薄膜、第四绝缘薄膜和第五绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等,可以是单层结构,或者可以是多层复合结构。通常,第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层,用于提高基底的抗水氧能力,第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层,第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层,第五绝缘层称之为钝化(PVX)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料,如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)或钼(Mo)等,或者可以采用由金属组成的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)等,合金材料可以是单层结构,或者可以是多层复合结构,如Mo层、Cu层和Mo层组成的复合结构等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或者聚噻吩等材料,即本实用新型适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术或者有机物技术制造的薄膜晶体管。
(3)在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜,通过构图工艺对第五绝缘层20进行构图,形成覆盖整个基底10的第二平坦化(PLN)层21,第五绝缘层20和第二平坦化层21上开设有第二过孔,第二过孔形成在显示基板区域300,第二过孔内的第二平坦化层21和第五绝缘层20被去掉,暴露出漏电极19B的表面,如图4所示。本次工艺中,切割区域400对应切割标识层位置的第二平坦化层21被保留,切割区域400的第二平坦化层21具有平坦的表面,切割区域400的第二平坦化层21的厚度与显示基板区域300的第二平坦化层21的厚度相同。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层、覆盖切割标识层的第五绝缘层20和覆盖第五绝缘层20的第二平坦化层21。
(4)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜,通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图,在第二平坦化层21上形成阳极22图案,阳极22形成在显示基板区域300,阳极22通过第二过孔与薄膜晶体管101的漏电极连接,如图5所示。其中,透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层、覆盖切割标识层的第五绝缘层20和覆盖第五绝缘层20的第二平坦化层21。
(5)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜,通过掩膜、曝光、显影工艺,形成像素定义(PDL)层23图案,像素定义层23上开设有像素开口,像素开口形成在显示基板区域300,像素开口内的像素定义薄膜被显影掉,暴露出阳极22的表面,如图6所示。其中,像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。本次工艺中,像素开口位置的像素定义薄膜被显影掉,切割区域400对应切割标识层位置的像素定义薄膜被保留,因而切割区域400的像素定义层23具有平坦的表面,切割区域400的像素定义层23的厚度与显示基板区域300的像素定义层23的厚度相同。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层、覆盖切割标识层的第五绝缘层20、覆盖第五绝缘层20的第二平坦化层21和覆盖第二平坦化层21的像素定义层23。切割区域400的第二平坦化层21和像素定义层23组成本实用新型覆盖标识结构层的平坦化层。
(6)在后续工艺中,先在显示基板区域300依次形成有机发光层24、阴极25和封装层26,随后通过剥离工艺将显示母板从玻璃载板1上剥离,采用滚轮贴合方式在显示母板背面(基底10远离膜层的一侧表面)贴附一层背膜2,完成本实施例显示母板的制备,如图2所示。最后,切割设备按照切割标识对显示母板进行切割,形成多个显示基板。
其中,有机发光层可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)等金属材料的任意一种,或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金,封装层可以采用例如包括无机材料层、有机材料层和无机材料层的叠层结构,封装层仅覆盖显示基板区域。在一示例性实施方式中,显示基板区域还可以包括设置在封装层上的触控层或触控面板以及覆盖触控层或触控面板的保护层(OC)。
在一示例性实施方式中,显示基板区域还可以包括保护膜(Temporary ProtectFilm,简称TPF)27,在制备完成封装层26后,通过贴附工艺在显示母板上贴附一层保护膜27,在显示基板区域300,保护膜27贴设在封装层上,在切割区域400,保护膜27贴设在像素定义层23上,保护膜27与像素定义层23直接接触,如图7所示。在显示母板上贴设保护膜能够保护显示基板的膜层结构。在贴附保护膜27后,通过剥离工艺将显示母板从玻璃载板1上剥离,采用滚轮贴合方式在显示母板背面贴附一层背膜2,完成本实施例显示母板的制备。随后,切割设备按照切割标识对显示母板进行切割,形成多个显示基板。完成切割后,先去除该保护膜,然后在封装层上依次设置触控层和盖板,形成触控显示面板;或者在封装层上直接设置盖板,形成显示面板。
本实用新型中,显示基板区域包括显示区域和绑定区域,显示区域包括矩阵排列的多个像素,用于实现图像显示,绑定区域包括驱动电路,用于从外部集成电路接收控制信号并发送给显示区域的多个像素。图8为本实用新型一种绑定区域的结构示意图。绑定区域是从显示区域突出来的一个区域,显示母板被分隔成多个显示基板区域后,绑定区域将被弯折到显示区域的背面。在一示例性实施方式中,绑定区域设置在显示区域的一侧,如图8所示,绑定区域包括沿着远离显示区域的方向依次设置的第一扇区(fanout A)、绑定区(bending)、第二扇区(fanout B)、面板测试(cell test)区、集成电路(IC)区、外引脚绑定(OLB)区和柔性电路板(FPC)区。通常,绑定区域长度(第一扇区到柔性电路板区的长度)L为9mm到10mm,如9.601mm。
为了进一步减小气泡对识别切割标识的干扰和影响,本实施例中提出了一种切割标识结构。图9为本实用新型一种切割标识的结构示意图。如图9所示,本实施例切割标识包括4个矩形图案,4个矩形图案按照田字形排列,即按照2*2的矩阵方式排列。通过田字形排列的4个矩形图案,可以最大限度地减少气泡轮廓或杂质轮廓对切割标识外形的影响,提高切割设备对切割标识外形判断的准确度,避免切割设备不能识别切割标识的情形。
如图2至图7所示,本实施例的显示母板包括:
基底10;
设置在基底10上的第一绝缘层11;
设置在第一绝缘层11上的有源层12,有源层12设置在显示基板区域300;
覆盖有源层12的第二绝缘层13;
设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层,第一栅金属层设置在显示基板区域300,至少包括栅电极14和第一电容电极15;
覆盖第一栅金属层的第三绝缘层16;
设置在第三绝缘层16的第二栅金属层,第二栅金属层设置在显示基板区域300,至少包括第二电容电极17;
覆盖第二栅金属层的第四绝缘层18,其上开设有暴露出有源层12的两个第一过孔,两个第一过孔设置在显示基板区域300;
设置在第四绝缘层18上的第一源漏金属层和切割标识层,第一源漏金属层设置在显示基板区域300,至少包括源电极19A和漏电极19B,源电极19A和漏电极19B分别通过第一过孔与有源层12连接;切割标识层设置在切割区域400,至少包括二个间隔设置的标识块40;第一源漏金属层和切割标识层同层设置,且通过同一次构图工艺形成;
覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层20和第二平坦化层21,其上开设有暴露出漏电极19B的第二过孔,第二过孔设置在显示基板区域300;切割区域400的第二平坦化层21远离基底10的表面为平齐状;
设置在第二平坦化层21上的阳极22,阳极22设置在显示基板区域300,通过第二过孔与漏电极19B连接;
覆盖阳极22的像素定义层23,其上开设有暴露出阳极22的像素开口,像素开口形成在显示基板区域300;切割区域的像素定义层23远离基底10的表面为平齐状;
设置在显示基板区域300像素开口内的有机发光层24,有机发光层24与阳极22连接;
设置有机发光层24上的阴极25,阴极25与有机发光层24连接;
设置在显示基板区域300的封装层26;
覆盖前述结构的保护膜27,在显示基板区域300,保护膜27设置在封装层上,在切割区域400,保护膜27设置在像素定义层23上,保护膜27与像素定义层23直接接触。
通过本实用新型显示母板的结构和制备流程可以看出,本实用新型所提供的显示母板,通过在切割区域保留完整的平坦化层和像素定义层,且切割区域的切割标识层与显示基板区域的第一源漏金属层同层,有效提高了切割区域膜层的整体刚度,减小了因滚轮压力产生的形变,避免了切割区域产生气泡,从而避免出现因气泡遮挡切割标识导致的切割标识无法识别的情况。
一种传统结构中,为了减少后续切割工艺的切割厚度和难度,切割区域的平坦化层和像素定义层均开设有暴露出第五绝缘层的凹槽。由于凹槽所在位置有较大的高度差,切割标识层变形空间较大,因而在贴合背膜工艺中当滚轮压设基底时,切割标识层会产生较大的变形,进而形成较多的气泡。本实用新型中,通过在切割区域保留完整的平坦化层和像素定义层,填补了该区域的高度差,不仅增加了切割区域膜层的整体刚度,而且消除了切割标识层的变形空间。贴合背膜工艺中滚轮压设基底时,切割标识层上方较厚的平坦化层和像素定义层能够支撑切割标识层抵抗基底的变形,有效减小了切割标识层的变形,避免了气泡产生,因而降低了气泡对识别切割标识的干扰和影响,避免出现切割区域的切割标识无法识别的情况。
一种传统结构中,切割标识层通常设置成与显示基板区域的第一栅金属层同层,即切割标识层设置在第二绝缘层与第三绝缘层之间。由于切割标识层与基底之间仅间隔第一绝缘层和第二绝缘层,两个绝缘层的厚度和刚度较小,当较软的柔性基底发生较大形变时,切割标识层也会发生较大变形,进而形成较多的气泡。本实用新型中,通过将切割标识层由第一栅金属层变为第一源漏金属层,切割标识层设置成与显示基板区域的第一源漏金属层同层,即切割标识层设置在第四绝缘层上,切割标识层与基底之间间隔有第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层一共四个绝缘层,增加了切割标识层与基底之间膜层的厚度和刚度。这样,即使柔性基底发生较大形变,较大厚度和刚度的四个绝缘层可以抵抗基底的部分变形,在一定程度上减小了切割标识层的变形,减少了气泡数量。
此外,本实用新型的制备工艺利用成熟的制备设备即可实现,对工艺改进较小,兼容性高,工艺实现简单,易于实施,生产效率高,生产成本低,良品率高。总之,本实用新型避免了切割区域的切割标识无法识别的情况,保证了切割工艺的准确性和可靠性,具有良好的应用前景。
图10为本实用新型另一种显示母板的结构示意图,示意了双源漏金属层(双SD或2SD)结构显示基板区域和切割区域的剖面结构。如图10所示,本实施例显示母板包括显示基板区域300和切割区域400,显示基板区域300包括设置在基底10上的驱动结构层和设置在驱动结构层上的发光结构层,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层和覆盖切割标识层的绝缘层。其中,显示基板区域300的驱动结构层包括形成像素驱动电路的多个薄膜晶体管和存储电容,图8中仅以一个驱动薄膜晶体管101和存储电容102为例进行示意。驱动结构层主要包括设置在基底10上的第一绝缘层11、设置在第一绝缘层11上的薄膜晶体管101和存储电容102、覆盖薄膜晶体管101和存储电容102的第五绝缘层20和第一平坦化层21A、设置在第一平坦化层21A上的第二金属导电层以及覆盖第二金属导电层的第二平坦化层21,第二金属导电层包括与薄膜晶体管101的漏电极连接的连接电极103。发光结构层主要包括阳极22、像素定义层23、有机发光层24、阴极25以及封装层26。切割区域400的复合绝缘层包括在基底10上依次叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层16、第四绝缘层18、第五绝缘层20和第一平坦化层21A,切割标识层包括设置在复合绝缘层上的标识块40,绝缘层包括覆盖切割标识层的第二平坦化层21和覆盖第二平坦化层21的像素定义层23。切割区域400的第二平坦化层21和像素定义层23组成本实用新型覆盖标识结构层的平坦化层。如图10所示,切割区域400的第二平坦化层21和像素定义层23被完整保留,远离基底10一侧的表面为平齐状,有效提高了切割区域膜层的整体刚度。
本实施例的制备过程包括:
(11)在玻璃载板1上形成基底10,制备过程与前述实施例的工艺(1)相同。
(12)在基底10上制备驱动结构层和切割标识层图案,包括:在基底10上依次形成第一绝缘层11、有源层12、第二绝缘层13、第一栅金属层、第三绝缘层16、第二栅金属层、第四绝缘层18和第一源漏金属层,处理过程与前述实施例相同,所不同的是,在对第三金属薄膜进行构图中,只在显示基板区域300形成第一源漏金属层图案,切割区域400不形成切割标识层。
随后,形成覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层20和第一平坦化层21A,第五绝缘层20和第一平坦化层21A上开设有第三过孔,第三过孔形成在显示基板区域300,暴露出漏电极19B的表面。随后,沉积第四金属薄膜,通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图,在第一平坦化层21A上形成第二金属导电层和切割标识层。其中,第二金属导电层形成在显示基板区域300,切割标识层形成在切割区域400,切割标识层包括至少二个间隔设置的标识块40。本实施例中,第一源漏金属层至少包括源电极19A、漏电极19B和数据线,第二金属导电层包括通过第三过孔与漏电极19B连接的连接电极103。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层和设置在复合绝缘层上的切割标识层,复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层16、第四绝缘层18、第五绝缘层20和第一平坦化层21A,切割标识层包括标识块40。在一示例性实施方式中,根据实际需要,第二金属导电层还可以包括电源线(VDD)、低压线(VSS)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种。
至此,在基底10上制备完成驱动结构层和切割标识层图案,如图11所示。有源层12、栅电极14、源电极19A和漏电极19B组成薄膜晶体管101,第一电容电极15与第二电容电极17组成存储电容102,第一源漏金属层至少包括源电极19A和漏电极19B,第二金属导电层至少包括连接电极103,第二金属导电层和切割标识层同层设置,且通过同一次构图工艺形成。
(13)在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜,通过掩膜、曝光和显影工艺,形成覆盖整个基底10的第二平坦化层21,第二平坦化层21上开设有第四过孔,第四过孔形成在显示基板区域300,第四过孔内的平坦薄膜被显影掉,暴露出连接电极103的表面,如图12所示。本次工艺中,第四过孔位置的平坦薄膜被显影掉,切割区域400对应切割标识层位置的第二平坦化层21被保留,因而切割区域400的第二平坦化层21具有平坦的表面,且切割区域400的第二平坦化层21的厚度与显示基板区域的第二平坦化层21的厚度相同。本次构图工艺后,切割区域400包括设置在基底10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的切割标识层和覆盖切割标识层的第二平坦化层21。
(14)在形成前述图案的基底上依次形成阳极22、像素定义层23、有机发光层24、阴极25和封装层26,制备过程与前述实施例的工艺(4)~(6)相同,后续贴附保护膜、从玻璃载板上剥离、贴附背膜、切割等过程与前述实施例,这里不再赘述。
如图10至图12所示,本实施例的显示母板包括:
基底10;
设置在基底10上的第一绝缘层11;
设置在第一绝缘层11上的有源层12,有源层12设置在显示基板区域300;
覆盖有源层12的第二绝缘层13;
设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层,第一栅金属层设置在显示基板区域300,至少包括栅电极14和第一电容电极15;
覆盖第一栅金属层的第三绝缘层16;
设置在第三绝缘层16上的第二栅金属层,第二栅金属层设置在显示基板区域300,至少包括第二电容电极17;
覆盖第二栅金属层的第四绝缘层18,其上开设有暴露出有源层12的两个第一过孔,两个第一过孔设置在显示基板区域300;
设置在第四绝缘层18上的第一源漏金属层,第一源漏金属层设置在显示基板区域300,至少包括源电极19A和漏电极19B,源电极19A和漏电极19B分别通过第一过孔与有源层12连接;
覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层20和第一平坦化层21A,其上开设有暴露出漏电极19B的第三过孔,第三过孔设置在显示基板区域300;
设置在第一平坦化层21A上的第二金属导电层和切割标识层;第二金属导电层设置在显示基板区域300,至少包括连接电极103,连接电极103通过第三过孔与漏电极19B连接;切割标识层设置在切割区域400,至少包括二个间隔设置的标识块40;第二金属导电层和切割标识层同层设置,且通过同一次构图工艺形成;
覆盖第二金属导电层的第二平坦化层21,其上开设有暴露出连接电极103的第四过孔,第四过孔设置在显示基板区域300;切割区域400的第二平坦化层21远离基底10的表面为平齐状;
设置在第二平坦化层21上的阳极22,阳极22形成在显示基板区域300,通过第四过孔与连接电极103连接;
覆盖阳极22的像素定义层23,其上开设有暴露出阳极22的像素开口,像素开口形成在显示基板区域300;切割区域400的像素定义层23远离基底10的表面为平齐状;
设置在显示基板区域300像素开口内的有机发光层24,有机发光层24与阳极22连接;
设置在有机发光层24上的阴极25,阴极25与有机发光层24连接;
设置在显示基板区域300的封装层26。
本实施例显示母板同样实现了前述实施例的技术效果,有效减小了切割标识层因滚轮压力产生的形变,避免了切割区域产生气泡,消除了气泡对识别切割标识的干扰和影响,从而避免出现切割区域的切割标识无法识别的情况。此外,由于本实施例将切割标识层设置成与显示基板区域的第二金属导电层同层,即切割标识层设置在第一平坦化层上,切割标识层与基底之间间隔有第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第一平坦化层一共六个绝缘层,进一步增加了切割标识层与基底之间膜层的厚度和刚度,可以进一步减小切割标识层的变形,进一步减少气泡数量,最大限度地避免了切割区域的切割标识无法识别。
图13为本实用新型又一种显示母板的结构示意图,是前述图2所示结构一种扩展。与前述图2所示显示母板不同的是,在显示基板区域300和切割区域400分别形成驱动结构层和切割标识层后,直接在驱动结构层和切割标识层上形成第二平坦化层21,即显示母板不设置第五绝缘层。
图14为本实用新型又一种显示母板的结构示意图,是前述图10所示结构一种扩展。与前述图10所示显示母板不同的是,在形成第一源漏金属层后,直接形成覆盖第一源漏金属层的第一平坦化层21A,即显示母板不设置第五绝缘层。
本实用新型所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明,在示例性实施方式中,可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如,OLED可以是顶发射结构,也可以是底发射结构。又如,驱动薄膜晶体管可以是顶栅结构,也可以是底栅结构,可以是单栅结构,也可以是双栅结构。再如,驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极或引线,本实用新型在此不做具体的限定。
在前述任一个实施例显示母板的基础上,本实用新型还提供了一种显示母板的制备方法。所述显示母板包括多个显示基板区域和位于每个所述显示基板区域周边的切割区域,制备方法包括:
S1、在多个显示基板区域和切割区域分别形成驱动结构层和标识结构层;所述标识结构层包括切割标识层;
S2、在所述驱动结构层和标识结构层上形成平坦化层,所述平坦化层覆盖所述标识结构层。
在示例性实施方式中,所述驱动结构层包括第一源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,步骤S1包括:
在基底上形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上形成有源层,形成覆盖所述有源层的第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成第一栅金属层,形成覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,在所述第三绝缘层上形成第二栅金属层,形成覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,在所述第四绝缘层上通过同一次构图工艺形成所述第一源漏金属层和切割标识层;所述有源层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层设置在所述显示基板区域,所述切割标识层设置在所述切割区域。
在示例性实施方式中,步骤S2包括:
在所述驱动结构层和标识结构层上形成第五绝缘层;
在所述第五绝缘层上依次形成第二平坦化层和像素定义层,在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还形成有阳极。
在示例性实施方式中,所述驱动结构层包括第二源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,步骤S1包括:
在基底上形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上形成有源层,形成覆盖所述有源层的第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成第一栅金属层,形成覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,在所述第三绝缘层上形成第二栅金属层,形成覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,在所述第四绝缘层上形成第一源漏金属层,形成覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层,在所述第五绝缘层上形成第一平坦化层,在所述第一平坦化层上通过同一次构图工艺形成所述第二源漏金属层和切割标识层;所述有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层设置在所述显示基板区域,所述切割标识层设置在所述切割区域。
在示例性实施方式中,步骤S2包括:
在所述第一平坦化层上依次形成第二平坦化层和像素定义层,在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还形成有阳极。
在示例性实施方式中,在所述平坦化层上形成像素定义层之后,还包括:
形成有机发光层、阴极和封装层;
在所述封装层上贴附保护膜,在所述切割区域,所述保护膜与所述像素定义层接触;
采用滚轮贴合方式在所述基底远离所述平坦化层一侧的表面贴附背膜;
对所述显示母板进行切割,形成多个显示基板。
在示例性实施方式中,对所述显示母板进行切割之后,还包括:
去除所述保护膜;
在所述封装层上形成盖板;或者在所述封装层上依次形成触控层和盖板。
本实用新型提供了一种显示母板的制备方法,通过在切割区域保留完整的平坦化层和像素定义层,且切割区域的切割标识层与显示基板区域的第一源漏金属层同层,有效提高了切割区域膜层的整体刚度,减小了因滚轮压力产生的形变,避免了切割区域产生气泡,避免出现因气泡遮挡切割标识导致的切割标识无法识别的情况,保证了切割工艺的准确性和可靠性。此外,本实用新型的制备工艺利用成熟的制备设备即可实现,工艺改进较小、兼容性高,工艺实现简单,易于实施,生产效率高,生产成本低,良品率高,具有良好的应用前景。
本实用新型还提供了一种显示基板,显示基板由前述显示母板沿着所述切割区域切割而形成。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本实用新型所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本实用新型而采用的实施方式,并非用以限定本实用新型。任何所属领域内的技术人员,在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本实用新型的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (12)
1.一种显示母板,其特征在于,所述显示母板包括多个显示基板区域和位于每个所述显示基板区域周边的切割区域;所述显示母板包括:
设置在每个显示基板区域的驱动结构层,以及设置在每个切割区域的标识结构层;所述标识结构层包括切割标识层;
设置在所述驱动结构层和标识结构层上的平坦化层,所述平坦化层覆盖所述标识结构层。
2.根据权利要求1所述的显示母板,其特征在于,所述驱动结构层包括第一源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,所述切割标识层与所述第一源漏金属层同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示母板,其特征在于,所述驱动结构层还包括:设置在基底上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的有源层,覆盖所述有源层的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层,覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层,覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,所述第一源漏金属层设置在所述第四绝缘层上;所述标识结构层还包括;在基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层,所述切割标识层设置在所述第四绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的显示母板,其特征在于,还包括第五绝缘层;在所述显示基板区域,所述第五绝缘层设置在所述驱动结构层上,在所述切割区域,所述第五绝缘层设置在所述标识结构层上,所述平坦化层设置在所述第五绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的显示母板,其特征在于,所述平坦化层包括设置在所述第五绝缘层上的第二平坦化层和设置在所述第二平坦化层上的像素定义层;在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还设置有阳极。
6.根据权利要求1所述的显示母板,其特征在于,所述驱动结构层包括第二源漏金属层,所述标识结构层包括切割标识层,所述切割标识层与所述第二源漏金属层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示母板,其特征在于,所述驱动结构层还包括:设置在基底上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的有源层,覆盖所述有源层的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层,覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层,设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层,覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层,设置在所述第四绝缘层上的第一源漏金属层,覆盖所述第一源漏金属层的第五绝缘层和第一平坦化层,所述第二源漏金属层设置在所述第一平坦化层上;所述标识结构层还包括:在基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第一平坦化层,所述切割标识层设置在所述第一平坦化层上。
8.根据权利要求7所述的显示母板,其特征在于,所述平坦化层包括覆盖所述驱动结构层和标识结构层的第二平坦化层和设置在所述第二平坦化层上的像素定义层;在所述显示基板区域,所述第二平坦化层与像素定义层之间还设置有阳极。
9.根据权利要求1~8任一项所述的显示母板,其特征在于,还包括保护膜;在所述显示基板区域,所述平坦化层上设置有封装层,所述保护膜设置在所述封装层上;在所述切割区域,所述保护膜设置在所述平坦化层上。
10.根据权利要求1~8任一项所述的显示母板,其特征在于,所述切割区域的切割标识层包括多个切割标识,每个所述切割标识包括田字形排列的4个间隔的矩形图案。
11.一种显示基板,其特征在于,由如权利要求1~10中任一项所述的显示母板沿着所述切割区域切割而形成。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示基板。
Priority Applications (1)
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