CN113488512A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法,所述制备方法包括在基板上形成阵列驱动层、绑定端子、钝化层、覆盖层与电极层,并使用一半色调掩膜板对所述覆盖层与所述电极层进行图案化工艺,使得所述覆盖层形成第一覆盖部和第二覆盖部,所述第一覆盖部通过第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部对应形成于所述显示区的阵列驱动层上,并使得所述电极层形成第二电极部,所述第二电极部对应形成于所述第二覆盖部上,即采用半色调掩膜技术,仅通过一次曝光工艺对覆盖层与所述电极层进行图案化,该制备方法可减少制备过程中所使用的光罩的数量,使得显示面板的制造效率提升,成本降低,适用于大规模量产。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)显示器是一种电流型的有机发光器件,是通过载流子的注入和复合而实现发光,因其具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、发光效率高、柔性好,能满足消费者对显示形态的新需求等优点,全球越来越多的面板厂家纷纷对此投入大量的研发,大大的推动了OLED的产业化进程。
目前,大尺寸的OLED显示面板,为了减小走线阻抗,通常采用金属铜作为金属走线以及绑定端子的材料,然而,金属铜的稳定性较差,直接暴露在外部环境中易发生氧化,导致绑定不良,为了解决该问题,对于底发光OLED显示面板来说,通常使用阳极层同层材料将绑定端子覆盖以进行保护,而对于顶发光OLED显示面板来说,阳极层通常为反射金属层与透明导电膜层的复合膜层,一方面,用于蚀刻反射金属层的蚀刻液会对铜造成严重腐蚀,另一方面,常用作反射金属层的银或铝的稳定性同样不佳,无法满足绑定端子的可靠性需求,因此,需要增加一张光罩以形成一覆盖层对绑定端子进行保护,从而造成显示面板的制造成本增加,制造效率降低。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法与显示装置,使用该制备方法可减少制备过程中所使用的光罩的数量,使得显示面板的制造效率提升,成本降低。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供了一种显示面板的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
S10:提供一基板,在所述基板上形成阵列驱动层与绑定端子,所述阵列驱动层对应形成于显示区,所述绑定端子对应形成于非显示区;
S20:在所述阵列驱动层与所述绑定端子上形成钝化层,所述钝化层中形成有第一通孔,所述第一通孔使得所述绑定端子显露;
S30:在所述钝化层上形成覆盖层;
S40:在所述覆盖层上形成电极层;
S50:使用一半色调掩膜板对所述覆盖层与所述电极层进行图案化工艺,使得所述覆盖层形成第一覆盖部和第二覆盖部,所述第一覆盖部通过所述第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部对应形成于所述阵列驱动层上,并使得所述电极层形成第二电极部,所述第二电极部对应形成于所述第二覆盖部上。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,所述步骤S50具体包括:
S501:在所述电极层上形成光阻层,使用所述半色调掩膜板对所述光阻层进行曝光和显影,使得光阻层图案化形成第一光阻部与第二光阻部,所述第一光阻部对应形成于所述绑定端子上,所述第二光阻部对应形成于所述阵列驱动层上,且所述第一光阻部的厚度小于所述第二光阻部的厚度;
S502:在所述第一光阻部与第二光阻部的遮蔽下,先对所述电极层进行蚀刻,使得所述电极层形成对应所述第一光阻部的第一电极部以及对应所述第二光阻部的第二电极部,再对所述覆盖层进行蚀刻,使得所述覆盖层形成对应所述第一光阻部的第一覆盖部以及对应所述第二光阻部的第二覆盖部,所述第一覆盖部通过所述第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部对应形成于所述阵列驱动层上;
S503:对所述第一光阻部与第二光阻部进行灰化处理,使得所述第一光阻部完全被去除,所述第二光阻部减薄形成第三光阻部;
S504:蚀刻去除所述第一电极部;
S505:剥离所述第三光阻部。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,在所述步骤S502中,使用湿法蚀刻工艺对所述电极层进行蚀刻,使用干法蚀刻工艺对所述覆盖层进行蚀刻。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,在所述步骤S20中,所述第一通孔在所述基板上的正投影落入所述绑定端子在所述基板的正投影范围内。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,在所述步骤S50中,形成的所述第一覆盖部覆盖所述第一通孔的侧壁并延伸至所述钝化层的表面。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,所述步骤S30具体包括:
S301、在所述钝化层上形成平坦化层,且所述平坦化层位于所述显示区内;
S302、在所述钝化层以及所述平坦化层上形成所述覆盖层。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,在所述步骤S10中,形成所述阵列驱动层的具体步骤包括:依次形成有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层以及源漏电极层;
其中,所述钝化层与所述平坦化层中还形成有对应所述源漏电极层的第二通孔,且所述第二覆盖部形成于所述平坦化层上并通过所述第二通孔电性连接所述源漏电极层。在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,所述源漏电极层与所述绑定端子同层形成。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,形成的所述覆盖层的材料包括钼钛合金或钛。
第二方面,本发明实施例还提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区以及邻接于所述显示区的非显示区;
且所述显示面板还包括:
基板;
阵列驱动层,设置于所述基板上并位于所述显示区内;
绑定端子,设置于所述基板上并位于所述非显示区内;
钝化层,设置于所述阵列驱动层与所述绑定端子上,且所述钝化层包括第一通孔,以露出所述绑定端子;
覆盖层,设置于所述钝化层上,且所述覆盖层包括第一覆盖部和第二覆盖部,其中,所述第一覆盖部设置于所述钝化层上并通过所述第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部位于所述阵列驱动层上;以及
电极层,设置于所述覆盖层上,所述电极层包括设置于所述第二覆盖部上的第二电极部。
有益效果:本发明提供了一种显示面板及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:S10:提供一基板,在所述基板上形成阵列驱动层与绑定端子,所述阵列驱动层对应形成于显示区,所述绑定端子对应形成于非显示区;S20:在所述阵列驱动层与绑定端子上形成钝化层,所述钝化层中形成有第一通孔,所述第一通孔使得所述绑定端子显露;S30:在所述钝化层上形成覆盖层;S40:在所述覆盖层上形成电极层;S50:使用一半色调掩膜板对所述覆盖层与所述电极层进行图案化工艺,使得所述覆盖层形成第一覆盖部和第二覆盖部,所述第一覆盖部通过第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部对应形成于所述显示区的阵列驱动层上,并使得所述电极层形成第二电极部,所述第二电极部对应形成于所述第二覆盖部上。在该制备方法中,在绑定端子上形成一稳定性较好的覆盖层,并采用半色调掩膜技术将此覆盖层与上层的电极层,通过一次曝光工艺完成图案化,以形成对应的覆盖部将绑定端子覆盖,从而提高绑定端子的可靠性,该制备方法相较现有技术,可减少光罩数量,工艺流程简单、成本低廉,适用于大规模量产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;
图2a-2j是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的各制程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本发明中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本发明所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,以下结合图1示出的该制备方法的文字流程示意图,以及图2a-2j示出的该制备方法的结构流程示意图进行详细说明。且该制备方法包括以下步骤:
S10:提供一基板110,在所述基板110上形成阵列驱动层120与绑定端子130,所述阵列驱动层120对应形成于显示区A1,所述绑定端子130对应形成于非显示区A2。
S20:在所述阵列驱动层120与所述绑定端子130上形成钝化层140,所述钝化层140中形成有第一通孔H1,所述第一通孔H1使得所述绑定端子130显露。
S30:在所述钝化层140上形成覆盖层160。
S40:在所述覆盖层160上形成电极层170。
S50:使用一半色调掩膜板对所述覆盖层160与所述电极层170进行图案化工艺,使得所述覆盖层160形成第一覆盖部161和第二覆盖部162,所述第一覆盖部161通过所述第一通孔H1与所述绑定端子130连接,所述第二覆盖部162对应形成于所述阵列驱动层120上,并使得所述电极层170形成第二电极部172,所述第二电极部172对应形成于所述第二覆盖部162上。
具体地,下面结合实施例详述本发明提供的显示面板的制备方法,该制备方法包括如下步骤:
S10:提供一基板110,在所述基板110上形成阵列驱动层120与绑定端子130,所述阵列驱动层120对应形成于显示区A1,所述绑定端子130对应形成于非显示区A2,即形成如图2a所示的结构,通常情况下,所述非显示区A2设置于所述显示区A1的侧边外,此处为示出具体的位置关系,本领域技术人员应当很容易理解。
另外,所述阵列驱动层120通常包括多个阵列排布的薄膜晶体管,以实现驱动显示,如下示例性地给出一种阵列驱动层120的具体结构,但本发明并不仅限于此。
该阵列驱动层120包括:
遮光层121,设置于所述基板110上,所述遮光层121由不透光的金属材料构成。
缓冲层122,设置于所述遮光层121,所述缓冲层122采用绝缘材料构成,通常为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或是前述两者的叠层膜层。
有源层123,设置于所述缓冲层122,并与所述遮光层121对应设置,所述有源层123的材料通常选自非晶硅、低温多晶硅或金属氧化物半导体材料;其中,所述有源层123在所述基板110上的正投影位于所述遮光层121在所述基板110上的正投影之内,进而可以防止光线由所述遮光层121一侧照射至所述有源层123上,避免了所述有源层123因光线的照射而影响电性的现象发生。
栅极绝缘层124,设置于所述有源层123上,所述栅极绝缘层124采用绝缘材料构成,通常为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或是前述两者的叠层膜层。
栅极层125,设置于所述栅极绝缘层124上。
层间绝缘层126,设置于所述栅极层125上,且所述层间绝缘层在对应所述有源层123两端的位置分别形成有第一接触孔与第二接触孔,所述第一接触孔与所述第二接触孔使得所述有源层123显露。
源漏电极层127,设置于所述层间绝缘层126上,包括源极与漏极,所述源极通过所述层间绝缘层126中的所述第一接触孔与所述有源层123搭接,以及所述漏极通过所述层间绝缘层126中的所述第二接触孔与所述有源层123搭接。
且所述阵列驱动层120还包括形成于所述层间绝缘层126以及所述缓冲层122中的第三接触孔,且所述漏极还通过所述第三接触孔与所述遮光层121搭接。
优选的,所述绑定端子130与所述源漏电极层127同一成膜工艺形成,使得所述绑定端子130形成于所述层间绝缘层126上。
S20:在所述阵列驱动层120与绑定端子130上形成钝化层140,所述钝化层140中形成有第一通孔H1,所述第一通孔H1使得所述绑定端子130显露,即形成如图2b所示的结构,其中,所述钝化层140采用绝缘材料构成,通常为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或是前述两者的叠层膜层。
同时,在所述钝化层140上对应显示区A1的位置通常还形成有平坦化层150,用于给设置于上层的发光器件提供平坦的表面,所述平坦化层150通常为有机材料,且所述钝化层140以及平坦化层150在对应所述源漏电极层127的漏极位置形成有第二通孔H2,用于将所述漏极与上层的发光器件进行电性连接。
S30:在所述钝化层140和所述平坦化层150上形成覆盖层160,即形成如图2c所示的结构,所述覆盖层160通过第一通孔H1与第二通孔H2分别与所述绑定端子130以及阵列驱动层120中的漏极电性连接,所述覆盖层160为通过溅射工艺,例如物理气相沉积工艺形成整面的膜层,其材料通常采用化学性质更为稳定的可导电材料。
S40:在所述覆盖层160上形成电极层170,即形成如图2d所示的结构,所述电极层170为通过溅射工艺,例如物理气相沉积工艺形成整面的膜层,通常为反射层与透明导电层的叠层结构,例如银层与氧化铟锡层的叠层结构。
S50:使用一半色调掩膜板对所述覆盖层160与所述电极层170进行图案化工艺,使得所述覆盖层160形成第一覆盖部161和第二覆盖部162,所述第一覆盖部161形成于所述钝化层140上并通过第一通孔H1与所述绑定端子130电性连接,所述第二覆盖部162形成于所述平坦化层150上并通过第二通孔H2与阵列驱动层120中的漏极电性连接。此外,还使得所述电极层170形成第二电极部172,所述第二电极部172对应形成于所述第二覆盖部162上,即形成如图2i所示的结构,其中,所述第一覆盖部161将所述绑定端子130覆盖以实现保护,所述第二覆盖部162与下层的漏极电性连接,作为与上层膜层电性连接的桥接膜层,并使得所述电极层170形成对应所述第二覆盖部162上的第二电极部172,所述第二电极部172即为形成于所述显示区阵列驱动层120上的底电极,通常用作OLED器件的阳极。
在本实施例提供的显示面板的制备方法中,在绑定端子上形成一稳定性较好的覆盖层,并采用半色调掩膜技术将此覆盖层与上面的电极层,通过一次曝光工艺完成图案化,以形成对应的覆盖部将绑定端子覆盖,从而提高绑定端子的可靠性,另一方面,该制备方法相较现有技术,并不需要增加光罩数量,工艺流程简单、成本低廉,适用于大规模量产。
在一些实施例中,所述步骤S50具体包括如下步骤:
S501:在所述电极层170上形成光阻层,使用半色调掩膜板对所述光阻层进行曝光和显影,对所述光阻层进行图案化以形成第一光阻部181与第二光阻部182,所述第一光阻部181对应形成于所述绑定端子130上,所述第二光阻部182对应形成于所述显示区阵列驱动层120上,且所述第一光阻部181的厚度小于所述第二光阻部182的厚度,即形成如图2e所示的结构。
其中,所述光阻层图案化的具体制备步骤包括:涂布一层光阻材料,在所述半色调掩膜板的遮蔽下对该光阻材料进行曝光,对曝光后的光阻材料进行显影,其中,该光罩为半色调掩膜版,包括两个不同透光率的遮蔽部,以对应形成厚度不同的第一光阻部181与第二光阻部182。
S502:在所述第一光阻部181与第二光阻部182的遮蔽下,对所述电极层170与所述覆盖层160进行蚀刻,使得所述电极层170形成对应所述第一光阻部181的第一电极部171以及对应所述第二光阻部182的第二电极部172,以及所述覆盖层160形成对应所述第一光阻部181的第一覆盖部161以及对应所述第二光阻部182的第二覆盖部162,所述第一覆盖部161通过所述第一通孔H1与所述绑定端子130连接,所述第二覆盖部162对应形成于所述阵列驱动层120以及所述平坦化层150上,即形成如图2f所示的结构。
S503:对所述第一光阻部181与第二光阻部182进行灰化处理,使得所述第一光阻部181完全被去除,所述第二光阻部182减薄形成第三光阻部183,即形成如图2g所示的结构,其中,通常采用灰化工艺,逐渐对所述光阻层进行减薄,直至所述第一光阻部181恰好完全被去除时,停止减薄。
S504:蚀刻去除所述第一电极部171,即形成如图2h所示的结构。
S505:剥离所述第三光阻部183,即形成如图2i所示的结构。
在一些实施例中,继续参阅图2b,在所述步骤S20中,所述第一通孔H1在所述基板110上的正投影落入所述绑定端子130在所述基板110的正投影范围内,从而使得所述钝化层140将所述绑定端子130的侧壁完全覆盖,以防止所述绑定端子130的侧壁因裸露而被腐蚀。
进一步地,在一些实施例中,继续参阅图2i,在所述步骤S20中,形成的所述第一覆盖部161覆盖所述第一通孔的侧壁并延伸至所述钝化层140的表面,从而使得所述第一覆盖部161完全覆盖所述绑定端子130的上表面,并与所述钝化层140一同将所述绑定端子130包覆于内部,而实现保护。
在一些实施例中,在所述步骤S30中,形成的所述覆盖层的材料为化学性质更为稳定的可导电材料,例如可选自本领域常用材料钼钛合金或钛。
在一些实施例中,在所述步骤S502中,对所述电极层与所述覆盖层进行蚀刻的具体步骤包括:先使用湿法蚀刻工艺对所述电极层进行蚀刻,再使用干法蚀刻工艺对所述覆盖层进行蚀刻。
在一些实施例中,在所述步骤S50后,还包括步骤:在所述第二电极部172上依次形成:
像素定义层180,形成有一开孔,使得所述第二电极部172的表面显露。
发光功能层191,形成于所述开孔中,并覆盖所述第二电极部172上,所述发光功能层191通常由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
顶电极层192,形成于所述发光功能层191,使得所述顶电极层192、发光功能层191以及第二电极部172形成用于显示的发光器件。
以及封装层193,形成于所述显示区A1中的顶电极层192以及像素定义层180上,即形成如图2j所示的结构,其中所述封装层193材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝等无机材料;在另一些实施方式中,所述封装层193还可为无机层和有机层交替形成的叠层结构,有机层的材料可以是亚克力、环氧树脂以及有机硅中的至少一种。
需要说明的是,上述显示面板的制备方法实施例中仅描述了上述结构,可以理解的是,除了上述结构之外,本发明实施例显示面板中,还可以根据需要使用本领域常用工艺形成其他的必要结构,具体此处不作限定。
本发明还提供了一种显示面板,由上述实施例所提供的显示面板的制备方法制备而得。
所述显示面板包括显示区A1以及邻接于所述显示区A1的非显示区A2,所述显示面板还包括基板110、阵列驱动层120、绑定端子130、钝化层140、平坦化层150、覆盖层160以及电极层170。
其中,所述阵列驱动层120设置于所述基板110上,并位于所述显示区A1内;所述绑定端子130设置于所述基板110上,并位于所述非显示区A2内;所述钝化层140设置于所述阵列驱动层120与所述绑定端子130上,且所述钝化层140包括第一通孔H1,以露出所述绑定端子130;平坦化层150设置于所述钝化层140上,并位于所述显示区A1内,且所述平坦化层150位于所述阵列驱动层120的上;所述覆盖层160设置于所述钝化层140与所述平坦化层150上,且所述覆盖层160包括第一覆盖部161和第二覆盖部162,其中,所述第一覆盖部161设置于所述钝化层140上并通过所述第一通孔H1与所述绑定端子130连接,所述第二覆盖部162设置于所述平坦化层150上,同时也位于所述阵列驱动层120上方;电极层170设置于所述覆盖层160上,且所述电极层170包括设置于所述第二覆盖部162上的第二电极部172。
且所述显示面板的其他具体结构请参阅前述实施例,在此不再赘述。本发明还提供了一种显示装置,包括前述实施例所提供的显示面板,该显示装置可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、车载显示器、电视机、电子书阅读器等。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
S10:提供一基板,在所述基板上形成阵列驱动层与绑定端子,所述阵列驱动层对应形成于显示区,所述绑定端子对应形成于非显示区;
S20:在所述阵列驱动层与所述绑定端子上形成钝化层,所述钝化层中形成有第一通孔,所述第一通孔使得所述绑定端子显露;
S30:在所述钝化层上形成覆盖层;
S40:在所述覆盖层上形成电极层;
S50:使用一半色调掩膜板对所述覆盖层与所述电极层进行图案化工艺,使得所述覆盖层形成第一覆盖部和第二覆盖部,所述第一覆盖部通过所述第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部对应形成于所述阵列驱动层上,并使得所述电极层形成第二电极部,所述第二电极部对应形成于所述第二覆盖部上。
2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S50具体包括:
S501:在所述电极层上形成光阻层,使用所述半色调掩膜板对所述光阻层进行曝光和显影,使得光阻层图案化形成第一光阻部与第二光阻部,所述第一光阻部对应形成于所述绑定端子上,所述第二光阻部对应形成于所述阵列驱动层上,且所述第一光阻部的厚度小于所述第二光阻部的厚度;
S502:在所述第一光阻部与第二光阻部的遮蔽下,先对所述电极层进行蚀刻,使得所述电极层形成对应所述第一光阻部的第一电极部以及对应所述第二光阻部的第二电极部,再对所述覆盖层进行蚀刻,使得所述覆盖层形成对应所述第一光阻部的第一覆盖部以及对应所述第二光阻部的第二覆盖部,所述第一覆盖部通过所述第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部对应形成于所述阵列驱动层上;
S503:对所述第一光阻部与第二光阻部进行灰化处理,使得所述第一光阻部完全被去除,所述第二光阻部减薄形成第三光阻部;
S504:蚀刻去除所述第一电极部;
S505:剥离所述第三光阻部。
3.如权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S502中,使用湿法蚀刻工艺对所述电极层进行蚀刻,使用干法蚀刻工艺对所述覆盖层进行蚀刻。
4.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S20中,所述第一通孔在所述基板上的正投影落入所述绑定端子在所述基板上的正投影范围内。
5.如权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S50中,形成的所述第一覆盖部覆盖所述第一通孔的侧壁并延伸至所述钝化层的表面。
6.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S30具体包括:
S301、在所述钝化层上形成平坦化层,且所述平坦化层位于所述显示区内;
S302、在所述钝化层以及所述平坦化层上形成所述覆盖层。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S10中,形成所述阵列驱动层的具体步骤包括:依次形成有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层以及源漏电极层;
其中,所述钝化层与所述平坦化层中还形成有对应所述源漏电极层的第二通孔,且所述第二覆盖部形成于所述平坦化层上并通过所述第二通孔电性连接所述源漏电极层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述源漏电极层与所述绑定端子同层形成。
9.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,形成的所述覆盖层的材料包括钼钛合金或钛。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及邻接于所述显示区的非显示区;
且所述显示面板还包括:
基板;
阵列驱动层,设置于所述基板上并位于所述显示区内;
绑定端子,设置于所述基板上并位于所述非显示区内;
钝化层,设置于所述阵列驱动层与所述绑定端子上,且所述钝化层包括第一通孔,以露出所述绑定端子;
覆盖层,设置于所述钝化层上,且所述覆盖层包括第一覆盖部和第二覆盖部,其中,所述第一覆盖部设置于所述钝化层上并通过所述第一通孔与所述绑定端子连接,所述第二覆盖部位于所述阵列驱动层上;以及
电极层,设置于所述覆盖层上,所述电极层包括设置于所述第二覆盖部上的第二电极部。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114171567A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112909200A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100215850B1 (ko) * | 1996-04-12 | 1999-08-16 | 구본준 | 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법 |
CN101424844A (zh) * | 2007-11-02 | 2009-05-06 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | 液晶显示装置阵列基板的制造方法 |
CN102543867A (zh) * | 2012-03-08 | 2012-07-04 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
CN102723269B (zh) * | 2012-06-21 | 2015-04-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN109872973A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-06-11 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112909200A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114171567A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
Also Published As
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