CN114664912A - 有机发光二极管显示面板及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示面板及其制造方法 Download PDF

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CN114664912A CN202210313901.0A CN202210313901A CN114664912A CN 114664912 A CN114664912 A CN 114664912A CN 202210313901 A CN202210313901 A CN 202210313901A CN 114664912 A CN114664912 A CN 114664912A
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周万亮
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。有机发光二极管显示面板包括基板、薄膜晶体管层、钝化层以及阴极。薄膜晶体管层设置于基板上，包括源极、漏极以及辅助阴极，辅助阴极与源极和漏极同层设置。钝化层覆盖于薄膜晶体管层远离基板的一侧。阴极设置于钝化层远离薄膜晶体管层的一侧。其中，钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层和第二钝化层之间形成底切结构。底切结构暴露辅助阴极，阴极延伸入底切结构中与辅助阴极连接。本申请的有机发光二极管显示面板利用钝化层形成底切结构，能够提升阴极以及辅助阴极的连接性能，降低电压降。

Description

有机发光二极管显示面板及其制造方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管显示面板根据发光方向可以分为顶发光型和底发光型。在现有的顶发光型有机发光二极管显示面板中，由于阴极为整面电极，为了增加光的透过率，阴极需要尽可能薄。然而，阴极层厚度越小，电阻越大。当从显示面板边缘向阴极提供电信号时，从显示面板边缘到显示面板的中心，电压降(IR Drop)会逐渐增大。显示面板点亮以后，会出现边缘亮中间暗的现象。这种情况在大尺寸显示面板中更严重，成为目前大尺寸有机发光二极管显示面板需要攻克的难题之一。
通过在阵列基板上设置辅助阴极能够解决电压降的问题，阴极和辅助阴极通过过孔连通。但在电子传输层和/或电子注入层的蒸镀过程中，电子传输层和/或电子注入层会进入过孔中，占据过孔，从而阻碍阴极在过孔中与辅助阴极连接。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种能够提升阴极与辅助阴极连接性能的有机发光二极管显示面板及其制造方法。
本申请提供一种有机发光二极管显示面板，其包括：
基板；
薄膜晶体管层，设置于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极，所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置；
钝化层，覆盖于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧；以及
阴极，设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧；
其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述第一钝化层中开设有第一通孔，所述第二钝化层中开设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连通，所述第一通孔与所述第二通孔构成底切结构，所述底切结构暴露所述辅助阴极，所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
可选的，在一种实施方式中，所述第一钝化层的材料包括氧化硅，所述第二钝化层的材料包括氮化硅。
可选的，在一种实施方式中，所述阴极位于所述底切结构的侧壁上，并与所述辅助阴极连接。
可选的，在一种实施方式中，所述有机发光二极管显示面板还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极靠近所述钝化层的一侧，所述电子功能层的一部分位于所述底切结构中的所述辅助阴极上，所述阴极位于所述电子功能层的一部分与所述底切结构的侧壁之间。
可选的，在一种实施方式中，所述辅助阴极包括层叠设置的导电金属层和保护金属层，所述导电金属层设置于所述保护金属层与所述基板之间，所述保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀。
可选的，在一种实施方式中，所述有机发光二极管显示面板还包括平坦层，所述平坦层设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述平坦层中开设有第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔连通，所述阴极从所述第三通孔延伸入所述底切结构中。
本申请还提供一种有机发光二极管显示面板的制造方法，其包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极，所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置；
在所述薄膜晶体管层上形成钝化层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧；
利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻以形成底切结构，所述蚀刻液对所述第一钝化层的蚀刻速度大于所述第二钝化层的蚀刻速度，所述底切结构暴露所述辅助阴极；以及
在所述钝化层上形成阴极，所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
可选的，在一种实施方式中，所述在所述薄膜晶体管层上形成钝化层之后，所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之前还包括：
利用蚀刻气体对所述第一钝化层和所述第二钝化层同步进行蚀刻，以在所述第一钝化层中形成预制孔，所述预制孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，并在所述薄膜晶体管层的上方形成接触孔，以暴露所述薄膜晶体管层的源极；
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻包括：
在所述预制孔处利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻。
可选的，在一种实施方式中，所述在所述薄膜晶体管层上形成钝化层之后，所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之前还包括：
在所述钝化层上形成平坦层；和
利用半色调掩膜对所述平坦层进行图案化，在所述平坦层中形成第三通孔和第一盲孔；
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻包括：
在所述第三通孔处对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻；
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之后还包括：
在所述第一盲孔出进行干刻，使所述第一盲孔形成通孔；
在所述通孔处对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻形成接触孔，以暴露所述薄膜晶体管层的源极。
可选的，在一种实施方式中，所述第一钝化层包括氧化硅，所述第二钝化层包括氮化硅，所述蚀刻液为氢氟酸，所述蚀刻液对氧化硅与氮化硅的蚀刻速率比大于或者等于10。
本申请的有机发光二极管显示面板利用钝化层形成底切结构，能够提升阴极以及辅助阴极的连接性能，降低电压降。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请的实施例的显示面板的结构示意图。
图2为图1的显示面板的子像素与辅助阴极连接孔的俯视示意图。
图3(a)至图(l)为本申请的显示面板的制造方法的第一实施例的步骤示意图。
图4(a)至图(m)为本申请的显示面板的制造方法的第二实施例的步骤示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
本申请实施例中的有机发光二极管显示面板可以用于手机、平板电脑、电子阅读器、电子展示屏、笔记本电脑、手机、增强现实(augmented reality，AR)\虚拟现实(virtualreality，VR)设备、媒体播放器、可穿戴设备、数码相机、车载导航仪等。具体地，有机发光二极管显示面板可以为主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-emittingdiode，AMOLED)显示面板，也可以为被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix OrganicLight-emitting diode，PMOLED)显示面板。
请参考图1，本申请的实施例的有机发光二极管显示面板100包括基板10、遮光层LS、缓冲层BL、薄膜晶体管层20、钝化层30、平坦层40以及有机发光层50。薄膜晶体管层20、钝化层30、平坦层40以及有机发光层50依次层叠设置在基板10上。
基板10可以是玻璃、塑料或者柔性基板。柔性基板可以由单层柔性有机层构成，也可以由两层以及以上的柔性有机层构成。可选的，基板10包括依次层叠设置的两层柔性有机层和设置于两层柔性有机层之间的阻隔层。两层柔性有机层的材料分别独立地选自聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)中的一种。阻隔层选自二氧化硅、氮化硅等无机材料。
遮光层LS设置于基板10上。遮光层LS用于防止薄膜晶体管层20中的薄膜晶体管的有源层CL受到光照影响。可选的，遮光层LS的材料选自铜(CU)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、铜铌(CuNb)合金、铜(Cu)与钼(Mo)的叠层、铜(Cu)与钼钛(MoTi)合金的叠层、铜(Cu)与钛(Ti)的叠层、铝(Al)与钼(Mo)的叠层、钼(Mo)与钽(Ta)的叠层、钼(Mo)与钨(W)的叠层、钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的叠层中的其中一种。可选的，遮光层LS可以包括层叠设置的遮光金属层、扩散阻挡层以及刻蚀阻挡层。遮光金属层的材料可以为Mo/Cu的叠层。扩散阻挡层的材料可以为MoTi、Mo、Ta等功函数与Cu相近的材料。刻蚀阻挡层的材料可以为ITO、IGZO等金属氧化物。
缓冲层BL用于防止遮光层LS的金属进入薄膜晶体管层20中的薄膜晶体管T的有源层CL。可选的，缓冲层BL的材料选自氧化硅、氧化氮、氮氧化硅和氧化硅、氧化氮、氮氧化硅的叠层中的一种。
薄膜晶体管层20设置于基板10上。薄膜晶体管层20中包括驱动有机发光二极管显示面板100的子像素发光的像素驱动电路。像素驱动电路可以是2T1C、3T1C、5T1C或者7T1C等本领域常用的像素驱动电路。具体地，薄膜晶体管层20包括多个薄膜晶体管T。多个薄膜晶体管T根据在像素电路中的功能可以分为驱动晶体管、开关晶体管等。需要说明的是，在图1中仅示出像素电路的一个薄膜晶体管T的完整结构，对像素电路的一些部分进行了省略。
薄膜晶体管T位于显示区AA。薄膜晶体管T包括依次层叠设置于缓冲层BL上的有源层CL、栅极绝缘层GI、栅极GE、层间绝缘层IL以及源极SE和漏极DE。具体地，有源层CL位于缓冲层BL远离基板10的表面上。有源层CL包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区。栅极绝缘层GI设置于沟道区上。栅极GE设置于栅极绝缘层GI上。层间绝缘层IL覆盖栅极GE和有源层CL。源极SE和漏极DE位于层间绝缘层IL上。源极SE和漏极DE分别对应于有源层CL的源极区和漏极区设置，并经由开设于层间绝缘层IL中的过孔分别与有源层CL的源极区和漏极区连接。
薄膜晶体管层20还包括辅助阴极21。辅助阴极21与薄膜晶体管的源极SE和漏极DE同层设置。可以理解，源极SE、漏极DE与辅助阴极21可以利用相同材料在同一制程中制造出来。可选的，辅助阴极21包括层叠设置的导电金属层和保护金属层。导电金属层设置于保护金属层与基板10之间，保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀，用于保护辅助阴极21不受开孔过程中使用的蚀刻液腐蚀。在一种具体的实施方式中，辅助阴极21的材料为MoTi/Cu/MoTi的叠层金属。位于上方的MoTi是保护金属层，位于中间的Cu是导电金属层，位于下方的MoTi起到阻隔作用。薄膜晶体管层20还包括外围电路端子22。外围电路端子22与薄膜晶体管的源极SE和漏极DE同层设置，但位于非显示区AA。
钝化层30覆盖于薄膜晶体管层20远离基板10的一侧，起到保护薄膜晶体管层20的作用。钝化层30包括第一钝化层31和第二钝化层32，第二钝化层32位于第一钝化层31远离薄膜晶体管层20的一侧。第一钝化层31中开设有第一通孔31a，第二钝化层32中开设有第二通孔32a，第一通孔31a与第二通孔32a连通，第一通孔31a与第二通孔32a构成底切结构30a。底切结构30a的深度为0.2μm以上。底切结构30a暴露辅助阴极21。
为了在钝化层30中形成底切结构30a，在利用相同的蚀刻液或者蚀刻气体同时蚀刻第一钝化层31与第二钝化层32时，蚀刻液或者蚀刻气体蚀刻第一钝化层31的速度大于蚀刻第二钝化层32的速度。可选的，第一钝化层31的材料包括氧化硅，第二钝化层32的材料包括氮化硅。蚀刻液包含氢氟酸。在一种更具体的实施方式中，第一钝化层31由氧化硅构成，第二钝化层32由氮化硅构成。蚀刻液为氢氟酸。
平坦层40设置于钝化层30远离薄膜晶体管层20的一侧。平坦层40用于形成平坦地形，便于后续在薄膜晶体管层20上方形成有机发光二极管器件。平坦层40中开设有第三通孔40a，第三通孔40a与第二通孔32a连通，第一通孔31a、第二通孔32a以及第三通孔40a共同构成辅助阴极连接孔VA。可选的，平坦层40的材料为有机材料，具体可以选自丙烯酸树脂、环氧树脂和全氟烷氧基树脂(PFA)中的一种。
有机发光层50设置在平坦层40上。有机发光层50包括多个有机发光器件。可选的，多个有机发光器件呈矩阵状排列。有机发光层50包括依次层叠设置的阳极(Anode)51、像素定义层(Pixel Define Layer，简称PDL)52、空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)53、空穴传输层(Hole Transfer Layer，HTL)54、发光层(Emitting Layer，EML)55、电子传输层(Electron Transfer Layer，ETL)56、电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)57以及阴极(Cathode)58。其中，阳极51、空穴注入层53、空穴传输层54、发光层55、电子传输层56、电子注入层57以及阴极58构成一个有机发光器件。
请参考图2，从俯视图来看，有机发光二极管显示面板100包括多个呈阵列排布的子像素PX。图2中示出了红色子像素PX1、绿色子像素PX2以及蓝色子像素PX3。红色子像素PX1、绿色子像素PX2以及蓝色子像素PX3三者沿第一方向D1排列，且红色子像素PX1、绿色子像素PX2以及蓝色子像素PX3分别沿与第一方向D1相交的第二方向D2延伸。可选的，第一方向D1与第二方向D2垂直。每一子像素PX可以划分为发光区LD和非发光区NLD。发光区LD是指设置有有机发光器件的区域，非发光区NLD是除了发光区LD之外的区域。发光区LD与非发光区NLD在第二方向D2上排列。辅助阴极连接孔VA设置于非发光区NLD，也可以说，辅助阴极连接孔VA位于有机发光器件的第二方向D2上的一侧。
有机发光层50包括设置于平坦层40上的多个阳极51。多个阳极51相互间隔绝缘设置于平坦层40上。每一阳极51通过开设于平坦层40和钝化层30之中的第一接触孔CH1与一个薄膜晶体管T的漏极DE连接。阳极51的材料可以包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、Ag(银)、Pd(钯)、Cu(铜)、Al(铝)、Ni(镍)和La(镧)中的一种或多种。阳极51可以为单层结构、双层结构或三层结构。可选的，阳极51为ITO/Ag/ITO的叠层结构。另外，有机发光二极管显示面板100还包括端子部PAD。端子部PAD与阳极51同层设置，并通过开设于钝化层30中的第二接触孔CH2与外围电路端子22连接。
像素定义层52覆盖在多个阳极51与平坦层40上。像素定义层52中开设有多个开口52a。空穴注入层53、空穴传输层54以及发光层55依次层叠设置在每一开口52a中。电子传输层56、电子注入层57以及阴极58依次覆盖在发光层55和像素定义层52上。
电子传输层56和电子注入层57均可以被称为电子功能层。由于制程的原因，在蒸镀电子传输层56和电子注入层57时，电子传输层56和电子注入层57会进入第一通孔31a中与辅助阴极21连接。但电子传输层56和电子注入层57不导电，会妨碍阴极58与辅助阴极21的导通。本申请通过利用第二钝化层32形成一突出结构，在蒸镀时，对电子传输层56和电子注入层57的材料进行遮挡，从而在底切结构30a中的形成的电子传输层56和/或电子注入层57周围预留一圈空间。后续在蒸镀阴极58时，由于阴极58的材料特性，会沿着第三通孔40a、第二通孔32a和第一通孔31a的侧壁延伸，占据底切结构30a中的电子传输层56和电子注入层57周围预留的空间，从而与辅助阴极21连接。换句话说，电子功能层包括第一部分P1和第二部分P2，第一部分P1位于发光区LD，第二部分P2位于非发光区NLD。进一步，第一部分P1位于阴极58远离钝化层30的一侧，第二部分P2位于底切结构30a中的辅助阴极21上。具体地，阴极58位于第二部分P2与底切结构30a的侧壁之间，并与辅助阴极21连接。换句话说，阴极58沿着辅助阴极连接孔VA的侧壁延伸，占据底切结构30a中的电子功能层周围预留的空间，从而与辅助阴极21连接。可选的，阴极58的材料可以选自铝(Al)、金(Au)、银(Ag)等。
本申请的实施例通过在钝化层30中形成底切结构30a，能够防止电子功能层阻碍阴极58与辅助阴极21的连接，提升阴极58与辅助阴极21的连接性能，降低电压降，提升显示品质。另外，本申请中不需要额外增加膜层来制作底切结构30a，工艺简单，成本低廉。
本申请还提供一种有机发光二极管显示面板的制造方法，其用于制造上述有机发光二极管显示面板。有机发光二极管显示面板的制造方法包括以下步骤：
提供基板；
在基板上形成薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极，辅助阴极与源极和漏极同层设置；
在薄膜晶体管层上形成钝化层，钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层远离薄膜晶体管层的一侧；
利用蚀刻液对第一钝化层和第二钝化层进行蚀刻以形成底切结构，蚀刻液对第一钝化层的蚀刻速度大于第二钝化层的蚀刻速度，底切结构暴露辅助阴极；以及
在钝化层上形成阴极，阴极延伸入底切结构中与辅助阴极连接。
本申请的实施例通过利用两种不同材料形成钝化层，再利用对于两种不同材料的蚀刻速度不同的蚀刻液在钝化层中形成底切结构，能够防止电子功能层阻碍阴极与辅助阴极的连接，提升阴极与辅助阴极的连接性能，降低电压降，提升显示品质。另外，本申请中不需要额外增加膜层来制作底切结构，工艺简单，成本低廉。以下，通过两个具体实施例对本申请的有机发光二极管显示面板的制造方法进行说明。
请参考图3(a)至图(k)，本申请的有机发光二极管显示面板的制造方法的第一实施例包括以下步骤：
101：请参考图3(a)，提供基板10，在基板10上形成遮光层LS。
步骤101具体包括：在玻璃基板10上利用物理气相溅射沉积MiTi/Cu金属层，用H2O2进行蚀刻形成图案化的遮光层LS。
102：请参考图3(b)，在遮光层LS形成缓冲层BL。
步骤102具体包括：在遮光层LS上利用化学气相法沉积缓冲层BL。缓冲层BL的材料可以是氧化硅或者氮化硅。
103：请参考图3(b)～图3(e)，在缓冲层BL上形成薄膜晶体管层20。
步骤103具体包括：
1031：在缓冲层BL上形成有源层CL。
在步骤1031中，通过物理气相溅射沉积在缓冲层BL上形成半导体材料层。经光刻工艺形成有源层CL图案。半导体材料可以为ITO或者IGZO等金属氧化物半导体或者硅基半导体。可选的，半导体材料为IGZO，蚀刻剂可以使用草酸系药液。
1032：在有源层CL上形成栅极绝缘层GI和栅极GE。
在步骤1032中，利用化学气相法沉积栅极绝缘材料层和第一金属层，经光刻工艺形成栅极绝缘层GI和栅极GE，剥离光阻后，以栅极GE为遮挡利用等离子处理将IGZO导体化。
1033：在栅极GE和有源层CL上形成层间绝缘层IL。
在步骤1033中，利用化学气相法沉积层间绝缘层IL，经两次光刻工艺分别对层间绝缘层IL及缓冲层BL进行挖孔，形成源极SE和漏极DE与有源层CL的接触孔以及漏极DE与遮光层LS的接触孔。挖孔处理可以采用F系等氧化性气体干刻蚀进行。
1034：在层间绝缘层IL上形成源极SE、漏极DE、辅助阴极21以及外围电路端子22。
在步骤1034中，可以沉积第二金属层，然后图案化第二金属层形成源极SE、漏极DE以及辅助阴极21。其中，辅助阴极21包括层叠设置的导电金属层和保护金属层，导电金属层设置于保护金属层与基板10之间，保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀。
在步骤1034中，利用物理气相法沉积MoTi/Cu/MoTi金属层，经光刻工艺形成源极SE、漏极DE、辅助阴极21以及外围电路端子22，光刻中采用的蚀刻液为H2O2系蚀刻液。
104：请参考图3(e)至图3(f)，在薄膜晶体管层20上形成钝化层30，钝化层30包括第一钝化层31和第二钝化层32，第二钝化层32位于第一钝化层31远离薄膜晶体管层20的一侧；
利用蚀刻气体对第一钝化层31和第二钝化层32同步进行蚀刻，以在第一钝化层31中形成第一预制孔PVA1，第一预制孔PVA1贯穿第一钝化层31和第二钝化层32并暴露出辅助阴极21，并在薄膜晶体管层20的上方形成第二预制孔PVA2，以暴露薄膜晶体管层20的漏极DE，同时，在外围电路端子22上方形成第三预制孔PVA3，以暴露外围电路端子22。
在步骤104中，在层间绝缘层IL、源极SE、漏极DE、辅助阴极21以及外围电路端子22上利用化学气相法沉积一层氧化硅和一层氮化硅，经光刻工艺形成钝化保护层的图案，并采用F系气体等氧化性气体作为干蚀刻剂；完成初步刻蚀，得到第一预制孔PVA1。
105：请参考图3(f)至图3(h)，在第一预制孔PVA1处利用蚀刻液对第一钝化层31和第二钝化层32进行蚀刻以形成底切结构30a，蚀刻液对第一钝化层31的蚀刻速度大于第二钝化层32的蚀刻速度。
可选的，第一钝化层31包括氧化硅，第二钝化层32包括氮化硅，蚀刻液为氢氟酸，蚀刻液对氧化硅与氮化硅的蚀刻速率比大于或者等于10。可选的，第一钝化层31为氧化硅，第二钝化层32为氮化硅，蚀刻液为氢氟酸，蚀刻液对氧化硅与氮化硅的蚀刻速率比大于或者等于10。由于辅助阴极21具有抗氢氟酸腐蚀的保护金属层，在蚀刻底切结构30a时，不会损伤辅助阴极21。
可以理解，钝化层30还可以为SiN/SiO2/SiN的叠层，在SiO2及其上方的SiN形成底切结构30a。
在第一预制孔PVA1的基础上，进行光刻开孔，使用HF湿蚀刻药液刻蚀制孔，完成底切结构30a制作，调试PV膜质SiO2/SiN刻蚀速率比可达10以上。
106：请参考图3(g)和图3(h)，在钝化层30上形成平坦层40，除去非显示区NA的有机平坦层40。在平坦层40中开设第三通孔40a，第三通孔40a与第二通孔32a连通，第一通孔31a、第二通孔32a以及第三通孔40a共同构成辅助阴极连接孔VA。同时，在第二预制孔PVA2和第三预制孔PVA3上方的平坦层40中分别形成通孔，以形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。
107：请参考图3(h)和图3(i)，在平坦层40上形成阳极51和端子部PAD。
阳极51和端子部PAD利用物理气相沉积、曝光、显影和湿法刻蚀形成。阳极51通过第一接触孔CH1与漏极DE连接。端子部PAD通过第二接触孔CH2与外围电路端子22连接。
108：请参考图3(i)和图3(j)，在阳极51上形成像素定义层52，像素定义层52中开设有多个开口52a。
109：请参考图3(j)和图3(k)，在像素定义层52的开口52a中形成空穴注入层53、空穴传输层54、发光层55，并在像素定义层52和发光层55上蒸镀形成电子传输层56、电子注入层57。
在步骤109中，电子传输层56和电子注入层57的第一部分P1位于阳极51远离钝化层30的一侧且位于薄膜晶体管T上方，第二部分P2位于底切结构30a中的辅助阴极21上。由于利用第二钝化层32形成一突出结构，在蒸镀时，对电子传输层56和电子注入层57的材料进行遮挡，从而在底切结构30a中的形成的电子传输层56和/或电子注入层57周围预留一圈空间。
110：请参考图3(l)，在电子注入层57上形成阴极58，阴极58延伸入底切结构30a中与辅助阴极21连接。
在步骤110中，通过溅射沉积形成阴极58，在蒸镀阴极58时，由于阴极58的材料特性，会沿着第三通孔40a、第二通孔32a和第一通孔31a的侧壁延伸，占据底切结构30a中的电子传输层56和电子注入层57周围预留的空间，从而与辅助阴极21连接。
本实施例利用对于两种不同材料的蚀刻速度不同的蚀刻液在钝化层30中形成底切结构30a，然后形成平坦层40，工艺简单。
请参考图4(a)至图(m)，本申请的有机发光二极管显示面板的制造方法的第二实施例包括以下步骤：
201：请参考图4(a)，提供基板10，在基板10上形成遮光层LS。
步骤201具体包括：在玻璃基板10上利用物理气相溅射沉积遮光金属层，再利用PVD在遮光金属层上沉积扩散阻挡层和刻蚀阻挡层，经光刻工艺形成图案化的遮光层LS。遮光金属层的材料可以为Mo/Cu的叠层。扩散阻挡层的材料可以为MoTi、Mo、Ta等功函数与Cu相近的材料。刻蚀阻挡层的材料可以为ITO、IGZO等金属氧化物。遮光金属层和扩散阻挡层可采用H2O2系药液作为蚀刻剂，刻蚀阻挡层用草酸系药液作为蚀刻剂。
202：请参考图4(a)至图4(b)，在遮光层LS形成缓冲层BL。
步骤202具体包括：在遮光层LS上利用化学气相法沉积缓冲层BL。缓冲层BL可以是氧化硅或者氮化硅。当刻蚀阻挡层为IGZO时，同时需采用等离子处理对刻蚀阻挡层进行导体化，保证后续源极与遮光层LS的电荷相互传递，补偿阈值电压Vth。
203：请参考图4(b)至图4(e)，在缓冲层BL上形成薄膜晶体管层20。
步骤203具体包括：
2031：在缓冲层BL上形成有源层CL。
在步骤2031中，通过物理气相溅射沉积在缓冲层BL上形成半导体材料层。经光刻工艺形成有源层CL图案。半导体材料可以为ITO或者IGZO等金属氧化物半导体或者硅基半导体。可选的，半导体材料为IGZO，蚀刻剂可以使用草酸系药液。
2032：在有源层CL上形成栅极绝缘层GI和栅极GE。
在步骤2032中，利用化学气相法沉积栅极绝缘材料层和第一金属层，经光刻工艺形成栅极绝缘层GI和栅极GE，剥离光阻后，以栅极为遮挡利用等离子处理将IGZO导体化。
2033：在栅极和有源层CL上形成层间绝缘层IL。
在步骤2033中，利用化学气相法沉积层间绝缘层IL，经两次光刻工艺分别对层间绝缘层IL及缓冲层BL进行挖孔，形成源极SE和漏极DE与有源层CL的接触孔以及漏极DE与遮光层LS的接触孔。挖孔处理可以采用F系等氧化性气体干刻蚀进行。
2034：在层间绝缘层IL上形成源极SE、漏极DE、辅助阴极21以及外围电路端子22。
在步骤2034中，可以沉积第二金属层，然后图案化第二金属层形成源极SE、漏极DE、辅助阴极21以及外围电路端子22。其中，辅助阴极21包括层叠设置的导电金属层和保护金属层，导电金属层设置于保护金属层与基板10之间，保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀。
在步骤2034中，利用物理气相法沉积MoTi/Cu/MoTi金属层，经光刻工艺形成SE、漏极DE、辅助阴极21以及外围电路端子22，光刻中采用的蚀刻液为H2O2系蚀刻液。
204：请参考图4(e)和图4(f)，在薄膜晶体管层20上形成钝化层30，钝化层30包括第一钝化层31和第二钝化层32，第二钝化层32位于第一钝化层31远离薄膜晶体管层20的一侧。
205：在钝化层30上形成平坦层40。
206：利用半色调掩膜对平坦层40进行图案化，除去非显示区的有机平坦层40，并在平坦层40中形成第三通孔40a、第一盲孔BH1(半开孔)和第二盲孔BH2(半开孔)。第三通孔40a对应于辅助电极，第一盲孔BH1对应于薄膜晶体管T的漏极DE。第二盲孔BH2对应于外围电路端子22。第一盲孔BH1和第二盲孔BH2内均保留有0.2μm至1μm的有机光阻，防止后续蚀刻底切结构30a时，源极被蚀刻。
207：请参考图4(f)和图4(g)，在第三通孔40a处利用蚀刻液对第一钝化层31和第二钝化层32进行蚀刻，以在第一钝化层31中形成第一通孔31a，在第二钝化层32中形成第二通孔32a，第一通孔31a与第二通孔32a连通，构成底切结构30a。其中，蚀刻液对第一钝化层31的蚀刻速度大于第二钝化层32的蚀刻速度。
可选的，第一钝化层31包括氧化硅，第二钝化层32包括氮化硅，蚀刻液为氢氟酸，蚀刻液对氧化硅与氮化硅的蚀刻速率比大于或者等于10。可选的，第一钝化层31为氧化硅，第二钝化层32为氮化硅，蚀刻液为氢氟酸，蚀刻液对氧化硅与氮化硅的蚀刻速率比大于或者等于10。由于辅助阴极21具有抗氢氟酸腐蚀的保护金属层，在蚀刻底切结构30a时，不会损伤辅助阴极21。
208：请参考图4(g)和图4(h)，在第一盲孔BH1出进行干刻，使第一盲孔BH1形成第四通孔TH1，第二盲孔BH2形成第五通孔TH2。
在步骤208中，利用干刻工艺，使用O2，将第一盲孔BH1和第二盲孔BH2全部打开，完成钝化层30上的平坦层40开孔。
209：请参考图4(h)和图4(i)，在第四通孔TH1和第五通孔TH2处对第一钝化层31和第二钝化层32进行蚀刻分别形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。
在步骤209中，利用干刻工艺，完成钝化层30开孔。
210：请参考图4(i)和图4(j)，在平坦层40上形成阳极51和端子部PAD。
阳极51和端子部PAD利用物理气相沉积、曝光、显影和湿法刻蚀形成。阳极51通过第一接触孔CH1与漏极DE连接。端子部PAD通过第二接触孔CH2与外围电路端子22连接。
211：请参考图4(j)和图4(k)，在阳极51上形成像素定义层52，像素定义层52中开设有多个开口52a。
212：请参考图4(k)和图4(l)，在像素定义层52的开口52a中形成空穴注入层53、空穴传输层54、发光层55，并在像素定义层52和发光层55上蒸镀形成电子传输层56、电子注入层57。
在步骤212中，电子传输层56和电子注入层57的第一部分P1位于阳极51远离钝化层30的一侧且位于薄膜晶体管T上方，第二部分P2位于底切结构30a中的辅助阴极21上。由于利用第二钝化层32形成一突出结构，在蒸镀时，对电子传输层56和电子注入层57的材料进行遮挡，从而在底切结构30a中的形成的电子传输层56和/或电子注入层57周围预留一圈空间。
213：请参考图4(l)和图4(m)，在电子注入层57上形成阴极58，阴极58延伸入底切结构30a中与辅助阴极21连接。
在步骤213中，通过溅射沉积形成阴极58，在蒸镀阴极时，由于阴极58材料特性，会沿着第三通孔40a、第二通孔32a和第一通孔31a的侧壁延伸，占据底切结构30a中的电子传输层56和电子注入层57周围预留的空间，从而与辅助阴极21连接。
本实施例在利用半色调掩膜在平坦层40中形成通孔，然后再蚀刻钝化层30形成底切结构30a，半色调掩膜精度高，形成的底切结构30a的深度和宽度更容易控制。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，设置于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极，所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置；
钝化层，覆盖于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧；以及
阴极，设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧；
其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述第一钝化层中开设有第一通孔，所述第二钝化层中开设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连通，所述第一通孔与所述第二通孔构成底切结构，所述底切结构暴露所述辅助阴极，所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括氧化硅，所述第二钝化层的材料包括氮化硅。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述阴极位于所述底切结构的侧壁上，并与所述辅助阴极连接。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述有机发光二极管显示面板还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极靠近所述钝化层的一侧，所述电子功能层的一部分位于所述底切结构中的所述辅助阴极上，所述阴极位于所述电子功能层的一部分与所述底切结构的侧壁之间。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述辅助阴极包括层叠设置的导电金属层和保护金属层，所述导电金属层设置于所述保护金属层与所述基板之间，所述保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述有机发光二极管显示面板还包括平坦层，所述平坦层设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述平坦层中开设有第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔连通，所述阴极从所述第三通孔延伸入所述底切结构中。
7.一种有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极，所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置；
在所述薄膜晶体管层上形成钝化层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧；利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻以形成底切结构，所述蚀刻液对所述第一钝化层的蚀刻速度大于所述第二钝化层的蚀刻速度，所述底切结构暴露所述辅助阴极；以及
在所述钝化层上形成阴极，所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，
所述在所述薄膜晶体管层上形成钝化层之后，所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之前还包括：
利用蚀刻气体对所述第一钝化层和所述第二钝化层同步进行蚀刻，以在所述第一钝化层中形成预制孔，所述预制孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，并在所述薄膜晶体管层的上方形成接触孔，以暴露所述薄膜晶体管层的源极；
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻包括：
在所述预制孔处利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，
所述在所述薄膜晶体管层上形成钝化层之后，所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之前还包括：
在所述钝化层上形成平坦层；和
利用半色调掩膜对所述平坦层进行图案化，在所述平坦层中形成第三通孔和第一盲孔；
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻包括：
在所述第三通孔处对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻；
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之后还包括：
在所述第一盲孔出进行干刻，使所述第一盲孔形成通孔；
在所述通孔处对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻形成接触孔，以暴露所述薄膜晶体管层的源极。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化硅，所述第二钝化层包括氮化硅，所述蚀刻液为氢氟酸，所述蚀刻液对氧化硅与氮化硅的蚀刻速率比大于或者等于10。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024021683A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102374833B1 (ko) * 2014-11-25 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10269879B2 (en) * 2016-10-31 2019-04-23 Lg Display Co., Ltd. Display device having an auxiliary electrode
US10591787B2 (en) * 2016-10-31 2020-03-17 Lg Display Co., Ltd. Display device having an auxiliary electrode
KR102454390B1 (ko) * 2017-12-05 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR102482990B1 (ko) * 2017-12-27 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
KR102482991B1 (ko) * 2017-12-28 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
WO2019218342A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode counter substrate and display panel, array substrate for organic light emitting diode display panel, and fabricating method thereof
CN113871433A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114141717B (zh) * 2021-11-29 2024-08-20 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板的制备方法及显示面板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024021683A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

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