CN115516641B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。显示基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个子像素，各子像素包括发光功能层。相邻子像素之间设置有限定结构，限定结构包括层叠设置的第一子结构和第二子结构；沿相邻子像素的排列方向，第二子结构的边缘相对于第一子结构的边缘突出以形成突出部，或者，第二子结构的侧表面具有第一坡度角，第一子结构的侧表面具有第二坡度角，第一坡度角与所述第二坡度角的至少之一大于60度，发光功能层包括的多个膜层中的至少一层在限定结构处断开。显示基板中的限定结构可以使得发光功能层的至少一层在限定结构处断开，有利于降低相邻子像素之间产生串扰的几率。
Description
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，用户对显示装置的性能要求越来越高。通过将相邻子像素之间的用于发光的材料层隔断以降低信号串扰的方式可以尽量满足显示装置高亮度和低功耗的性能需求。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。
本公开实施例提供一种显示基板，显示基板包括：衬底基板以及位于衬底基板上的多个子像素。衬底基板至少包括第一显示区域；多个子像素位于所述衬底基板上的第一显示区域，至少部分子像素中的每个子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层以及沿垂直于所述衬底基板的方向位于所述发光功能层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光功能层与所述衬底基板之间，所述发光功能层包括多个膜层。所述显示基板还包括限定结构，至少两个相邻子像素之间设置有至少一个限定结构，所述限定结构包括层叠设置的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构位于所述第二子结构与所述衬底基板之间，所述第一子结构的材料与所述第二子结构的材料不同；沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第二子结构的边缘相对于所述第一子结构的边缘突出以形成突出部；或者，所述第二子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，所述第一子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，所述第一坡度角与所述第二坡度角的至少之一大于60度，且所述第二子结构的靠近所述第一子结构的表面面积不小于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的面积；所述多个膜层中的至少一层在所述限定结构处断开。
例如，根据本公开的实施例，所述第一子结构的材料包括有机材料，且所述第二子结构的材料包括无机非金属材料。
例如，根据本公开的实施例，所述第一子结构的材料和所述第二子结构的材料均包括无机非金属材料。
例如，根据本公开的实施例，显示基板还包括：有机层，位于所述第二子结构与所述衬底基板之间。
例如，根据本公开的实施例，所述第一子结构的材料包括有机材料，且所述第一子结构与所述有机层为一体化的结构；或者，所述第一子结构的材料包括无机非金属材料，且所述第一子结构设置在所述有机层远离所述衬底基板一侧的表面上。
例如，根据本公开的实施例，所述限定结构还包括第三子结构，所述第三子结构位于所述第一子结构与所述衬底基板之间，沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第一子结构的边缘相对于所述第三子结构的边缘突出，且所述第三子结构与所述有机层为一体化的结构。
例如，根据本公开的实施例，所述第三子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第三子结构的接触面的平面的坡度角为第三坡度角，所述第三坡度角大于60度。
例如，根据本公开的实施例，所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括矩形；或者，所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括梯形，所述梯形远离衬底基板一侧的底边的长度大于所述梯形靠近衬底基板一侧的底边的长度；或者，所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括梯形，所述梯形远离衬底基板一侧的底边的长度小于所述梯形靠近衬底基板一侧的底边的长度。
例如，根据本公开的实施例，所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面中包括两条短边以及沿平行于所述衬底基板的方向延伸的两条长边，所述长边和所述短边连接，所述第一截面中靠近所述衬底基板一侧的所述长边与所述短边之间的夹角为第一夹角，所述第一截面中远离所述衬底基板一侧的所述长边与所述短边之间的夹角为第二夹角；所述第一夹角为70度～110度，和/或，所述第二夹角为70度～110度。
例如，根据本公开的实施例，所述第二子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第二截面包括矩形或梯形，所述梯形的侧边与所述梯形远离所述衬底基板一侧的底边之间的夹角不小于70度。
例如，根据本公开的实施例，沿平行于所述衬底基板的方向，所述突出部的尺寸不小于0.01微米。
例如，根据本公开的实施例，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述限定结构的厚度与所述发光功能层的厚度之比为0.7～1.5。
例如，根据本公开的实施例，沿垂直于衬底基板的方向，所述第二子结构的厚度为100～10000埃，所述第一子结构的厚度为100～10000埃。
例如，根据本公开的实施例，所述第二电极在所述限定结构处连续设置。
例如，根据本公开的实施例，所述第二电极在所述限定结构的边缘处断开。
例如，根据本公开的实施例，所述第一电极与所述有机层远离所述衬底基板的一侧表面接触。
例如，根据本公开的实施例，显示基板还包括：像素限定图案，位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，至少位于所述第一显示区域的所述像素限定图案包括多个第一开口，一个所述子像素对应至少一个第一开口，所述子像素的发光元件至少部分位于所述子像素对应的第一开口中，且所述第一开口被配置为暴露所述第一电极。所述像素限定图案还包括多个第二开口，所述限定结构的至少部分被所述第二开口暴露。
例如，根据本公开的实施例，所述第二开口暴露所述限定结构的部分。
例如，根据本公开的实施例，所述发光功能层的至少一层在所述第二开口暴露的所述限定结构的至少部分边缘处断开。
例如，根据本公开的实施例，所述至少一层膜层包括电荷产生层，所述发光功能层包括层叠设置的第一发光层、所述电荷产生层以及第二发光层，所述电荷产生层位于所述第一发光层与所述第二发光层之间，且所述电荷产生层在所述限定结构处断开。
例如，根据本公开的实施例，所述发光功能层中所述电荷产生层面向所述衬底基板一侧的膜层在所述限定结构处断开。
例如，根据本公开的实施例，所述第一发光层发出的光的颜色与第二发光层发出的光的颜色相同。
例如，根据本公开的实施例，所述发光功能层包括发光层，所述发光功能层中至少一层断开的膜层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述发光层在所述衬底基板上的正投影的面积。
例如，根据本公开的实施例，所述发光功能层包括至少一层发光层，所述发光功能层中在所述限定结构处断开的膜层中包括至少一层发光层以及至少一层其他膜层；所述断开的至少一层其他膜层在所述衬底基板上的正投影的面积大于断开的所述至少一层发光层在所述衬底基板上的正投影的面积；或者，所述断开的至少一层其他膜层覆盖所述限定结构的部分的面积，大于断开的所述至少一层发光层覆盖所述限定结构的部分的面积。
例如，根据本公开的实施例，所述第二电极以及所述发光功能层包括的多个膜层的至少一层与所述限定结构在衬底基板上的投影有交叠。
例如，根据本公开的实施例，所述发光功能层包括的多个膜层的至少一层的至少部分覆盖所述限定结构的部分侧表面。
例如，根据本公开的实施例，所述第二电极与所述限定结构的边缘在衬底基板上投影交叠的部分的厚度小于所述第二电极与所述限定结构在衬底基板上投影不交叠的至少部分的厚度，所述电荷产生层与所述限定结构边缘在衬底基板上投影交叠的部分的厚度小于所述电荷产生层位于与所述限定结构在衬底基板上投影不交叠的至少部分的厚度。
例如，根据本公开的实施例，所述至少一层膜层包括电荷产生层，所述电荷产生层在所述限定结构的至少部分边缘处断开，所述第二电极覆盖所述电荷产生层的断开位置，且所述第二电极位于所述第二开口中的部分包括位于所述限定结构上的第一部分和位于所述限定结构以外位置处的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述第二部分在所述衬底基板上的正投影有交叠或者相接。
例如，根据本公开的实施例，位于所述第二开口内的所述有机层的至少部分的厚度大于位于所述第一开口内的所述有机层的厚度。
例如，根据本公开的实施例，所述衬底基板还包括第二显示区域，所述第一显示区域围绕所述第二显示区域的至少部分。
本公开实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板，至少包括第一显示区域；多个子像素，位于所述衬底基板上的第一显示区域，至少部分子像素中的每个子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层以及沿垂直于所述衬底基板的方向位于所述发光功能层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光功能层与所述衬底基板之间，所述发光功能层包括多个膜层。所述发光功能层中至少一层在所述衬底基板上的第一正投影是连续的，且在垂直于所述衬底基板的平面上的第二正投影不连续；或者，所述发光功能层中至少一层在所述衬底基板上的第一正投影与在垂直于所述衬底基板的平面上的第二正投影均不连续，且所述第一正投影中不连续位置处的间隔的宽度小于所述第二正投影中不连续位置处的间隔的宽度。
本公开实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示基板。
本公开实施例提供一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板的至少第一显示区域中形成多个子像素，其中，形成所述子像素包括在垂直于所述衬底基板的方向上依次形成层叠设置的第一电极、发光功能层以及第二电极；所述制作方法，还包括：在所述衬底基板上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层的材料与所述第一材料层的材料不同；对所述第一材料层和所述第二材料层进行图案化以形成限定结构。所述第一材料层图案化形成第一子结构，所述第二材料层图案化形成第二子结构，所述限定结构包括层叠设置的所述第一子结构和所述第二子结构，沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第二子结构的边缘相对于所述第一子结构的边缘突出以形成突出部；或者，所述第二子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，所述第一子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，所述第一坡度角与所述第二坡度角的至少之一大于60度，且所述第二子结构的靠近所述第一子结构的表面面积不小于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的面积，所述发光功能层在形成所述限定结构后形成，所述发光功能层包括多个膜层，所述多个膜层中的至少一层在所述限定结构处断开。
例如，根据本公开的实施例，形成所述限定结构包括对所述第二材料层图案化形成所述第二子结构的同时，所述第一材料层中位于所述第二子结构正下方的部分被刻蚀形成所述第一子结构。
例如，根据本公开的实施例，所述第二材料层为无机非金属材料层，所述第一材料层为有机材料层，对所述第一材料层和所述第二材料层同时图案化形成所述限定结构包括：采用干刻法对所述第二材料层进行刻蚀以在形成所述第二子结构时，所述有机材料层中位于所述第二子结构正下方的部分被干刻形成所述第一子结构。
例如，根据本公开的实施例，所述第二材料层和所述第一材料层均为无机非金属材料层，对所述第一材料层和所述第二材料层同时图案化形成所述限定结构包括：采用对所述第一材料层和所述第二材料层刻蚀选择比不同的刻蚀液对所述第一材料层和所述第二材料层进行刻蚀，其中，所述刻蚀液对所述第一材料层的刻蚀选择比大于所述刻蚀液对所述第二材料层的刻蚀选择比，以使所述第一材料层被刻蚀后形成的所述第一子结构的边缘相对于所述第二材料层被刻蚀后形成的所述第二子结构的边缘内缩，或者，所述第一子结构和所述第二子结构中至少之一的至少部分侧壁的坡度角大于60°。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A和图1C为根据本公开实施例提供的显示基板的局部截面结构示意图；
图1B为根据本公开实施例提供的显示基板的平面图；
图1D为图1C所示的电荷产生层的部分在衬底基板上的正投影；
图2为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图；
图3A为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图；
图3B为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图；
图3C为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图；
图4A至图4D为形成图1A所示显示基板之前的显示基板的制作方法流程示意图；
图5为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图；
图6A至图6D为形成图5所示显示基板之前的显示基板的制作方法流程示意图；
图7为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图；以及
图8为根据本公开实施例的提供的显示基板的平面结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
本公开实施例中使用的“平行”、“垂直”以及“相同”等特征均包括严格意义的“平行”、“垂直”、“相同”等特征，以及“大致平行”、“大致垂直”、“大致相同”等包含一定误差的情况，考虑到测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的限制)，表示在本领域的普通技术人员所确定的对于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大致”能够表示在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的10％或者5％内。在本公开实施例的下文中没有特别指出一个成分的数量时，意味着该成分可以是一个也可以是多个，或可理解为至少一个。“至少一个”指一个或多个，“多个”指至少两个。
在研究中，本申请的发明人发现：发光功能层可以包括层叠设置的多层发光层，该多层发光层中的至少两层之间设置有电荷产生层(CGL)，电荷产生层的导电率较大，在电荷产生层为整面膜层时，相邻两个有机发光元件的电荷产生层是连续膜层，容易使得相邻子像素之间产生串扰。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。该显示基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个子像素。衬底基板至少包括第一显示区域，多个子像素位于所底基板上的第一显示区域。至少部分子像素中的每个子像素包括有机发光元件，有机发光元件包括发光功能层以及沿垂直于衬底基板的方向位于发光功能层两侧的第一电极和第二电极，第一电极位于发光功能层与衬底基板之间，发光功能层包括多个膜层。显示基板还包括限定结构，至少两个相邻子像素之间设置有至少一个限定结构，限定结构包括层叠设置的第一子结构和第二子结构，第一子结构位于第二子结构与衬底基板之间，第一子结构的材料与第二子结构的材料不同；沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的限定结构中第二子结构的边缘相对于第一子结构的边缘突出以形成突出部，或者，第二子结构的至少部分侧表面与平行于第一子结构和第二子结构的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，第一子结构的至少部分侧表面与平行于第一子结构和第二子结构的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于60度，且第二子结构的靠近第一子结构的表面面积不小于第一子结构和第二子结构的接触面的面积；多个膜层中的至少一层在限定结构处断开。本公开实施例通过在显示基板中相邻子像素之间设置限定结构，可以使得发光功能层的至少一层在第二子结构的限定结构处断开，有利于降低相邻子像素之间产生串扰的几率。
下面结合附图对本公开实施例提供的显示基板及其制作方法、以及显示装置进行描述。
图1A和图1C为根据本公开实施例提供的显示基板的局部截面结构示意图，图1B为根据本公开实施例提供的显示基板的平面图。如图1A和图1B所示，显示基板包括位于衬底基板01上的第一显示区A1和第一显示区A2。例如，第一显示区域A1围绕第二显示区域A2的至少部分。例如，图1B示出的第二显示区域A2位于衬底基板01的顶部正中间位置，例如呈矩形的第一显示区域A1的四侧可以均围绕第二显示区域A2，即第二显示区域A2可以被第一显示区域A1包围。例如，该第二显示区域A2也可以不位于图1B所示衬底基板01的顶部正中间位置处，而是位于其他位置。例如，第二显示区域A2可以位于衬底基板01的左上角位置或右上角位置处。例如，第一显示区域A1可以为非透光显示区，第二显示区域A2可以为透光显示区，由此显示基板无需进行挖孔处理就可以将感光传感器等所需硬件结构直接设置于第二显示区域A2内，为实现全面屏提供基础。
如图1A和图1B所示，显示基板包括衬底基板01以及位于衬底基板01上的多个子像素10，多个子像素10位于第一显示区域A1。至少部分子像素10中的每个子像素10包括发光元件100，发光元件100包括发光功能层130以及沿垂直于衬底基板01的方向位于发光功能层130两侧的第一电极110和第二电极120，第一电极110位于发光功能层130与衬底基板01之间，发光功能层130包括多个膜层，例如发光功能层130包括电荷产生层133。例如，发光元件100可以为有机发光元件。
如图1A所示，显示基板还包括限定结构300，相邻子像素10之间设置有至少一个限定结构300，限定结构300包括层叠设置的第一子结构310和第二子结构320，第一子结构310位于第二子结构320与衬底基板01之间，第一子结构310和第二子结构320的材料不同。例如，第二子结构320的材料包括无机非金属材料。
如图1A所示，沿相邻子像素10的排列方向(如图1A所示的X方向)，位于该相邻子像素10之间的限定结构300中第二子结构320的边缘相对于第一子结构310的边缘突出以形成突出部301，发光功能层130包括的多个膜层中的至少一层在突出部301处断开。发光功能层130在限定结构300的边缘处断开。
如图1C所示，显示基板包括衬底基板01以及位于衬底基板01上的多个子像素10，多个子像素10位于第一显示区域A1。至少部分子像素10中的每个子像素10包括发光元件100，发光元件100包括发光功能层130以及沿垂直于衬底基板01的方向位于发光功能层130两侧的第一电极110和第二电极120，第一电极110位于发光功能层130与衬底基板01之间，发光功能层130包括多个膜层，例如发光功能层130包括电荷产生层133。例如，发光元件100可以为有机发光元件。
如图1C所示，显示基板还包括限定结构300，相邻子像素10之间设置有至少一个限定结构300，限定结构300包括层叠设置的第一子结构310和第二子结构320，第一子结构310位于第二子结构320与衬底基板01之间，第一子结构310和第二子结构320的材料不同。例如，第二子结构320的材料包括无机非金属材料。第二子结构320的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第二子结构320的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，第一子结构310的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第二子结构320的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于60度，且第二子结构320的靠近第一子结构310的表面面积不小于第一子结构310和第二子结构320的接触面的面积；发光功能层130包括的多个膜层中的至少一层在限定结构300处断开。
上述第一坡度角可以为第二子结构远离衬底基板一侧的表面与第二子结构的侧表面之间的夹角，也可以为第二子结构面向衬底基板一侧的表面与第二子结构的侧表面之间的夹角；上述第二坡度角可以为第一子结构远离衬底基板一侧的表面与第一子结构的侧表面之间的夹角，也可以为第一子结构面向衬底基板一侧的表面与第一子结构的侧表面之间的夹角。上述第二子结构的侧表面可以指第二子结构的与衬底基板之间具有一定夹角的表面，上述第一子结构的侧表面可以指第一子结构的与衬底基板之间具有一定夹角的表面。
例如，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于70度。例如，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于80度。例如，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于90度。例如，第一坡度角与第二坡度角的至少之一为70-120度。例如，第一坡度角与第二坡度角的至少之一为80-110度。例如，第一坡度角与第二坡度角的至少之一为90-100度。
图1D为图1C所示的电荷产生层的部分在衬底基板上的正投影。如图1C和图1D所示，显示基板包括衬底基板01以及位于衬底基板01上的多个子像素10，多个子像素10位于第一显示区域A1。至少部分子像素10中的每个子像素10包括发光元件100，发光元件100包括发光功能层130以及沿垂直于衬底基板01的方向位于发光功能层130两侧的第一电极110和第二电极120，第一电极110位于发光功能层130与衬底基板01之间，发光功能层130包括多个膜层，例如发光功能层130包括电荷产生层133。例如，发光元件100可以为有机发光元件。
如图1C和图1D所示，发光功能层130中至少一层在衬底基板01上的第一正投影是连续的，且在垂直于衬底基板01的平面上的第二正投影不连续；或者，发光功能层130中至少一层在衬底基板01上的第一正投影与在垂直于衬底基板01的平面上的第二正投影均不连续，且第一正投影中不连续位置处的间隔的宽度小于第二正投影中不连续位置处的间隔的宽度。
例如，如图1C所示，发光功能层130中至少一层可以为电荷产生层133，电荷产生层133在衬底基板01上的第一正投影是连续的，且在垂直于衬底基板01的平面上的第二正投影不连续。例如，电荷产生层133可以包括位于限定结构300上的部分以及没有位于限定结构300上的部分，这两部分在限定结构300的边缘处断开。例如，这两部分在衬底基板01上的第一正投影可以相接或者交叠，第一正投影是连续的。例如，这两部分与衬底基板01之间的距离不同，则这两部分在XY面上的第二正投影是不连续的。
例如，如图1C和图1D所示，发光功能层130中至少一层可以为电荷产生层133，电荷产生层133在衬底基板01上的第一正投影与在垂直于衬底基板01的平面上的第二正投影均不连续，且第一正投影中不连续位置处的间隔的宽度小于第二正投影中不连续位置处的间隔的宽度。例如，电荷产生层133可以包括位于限定结构300上的部分以及没有位于限定结构300上的部分，这两部分在限定结构300的边缘处断开。例如，这两部分在衬底基板01上的第一正投影之间设置有间隔，第一正投影是断开的。例如，这两部分与衬底基板01之间的距离不同，则这两部分在XY面上的第二正投影是不连续的，两部分在XY面上的第二正投影之间设置有间隔。
图1A所示显示基板中相邻子像素之间设置限定结构，该限定结构通过设置第二子结构的边缘相对于第一子结构的边缘突出而形成突出部，使得发光功能层的至少一层在第二子结构的突出部处断开，有利于降低相邻子像素之间产生串扰的几率。
图1C所示显示基板中相邻子像素之间设置限定结构，该限定结构通过设置第一子结构和第二子结构至少之一的坡度角，使得发光功能层的至少一层在限定结构的边缘处断开，有利于降低相邻子像素之间产生串扰的几率。
例如，发光功能层的至少一层可以至少在限定结构的边缘处断开，限定结构的边缘可以是突出部，也可以是侧壁坡度角比较大的部分两侧。
上述限定结构可以指用于限定发光功能层的至少一层膜层的分布的结构，例如限定发光功能层的至少一层膜层在其边缘处断开。
本公开任一实施例中的“相邻子像素”指两个子像素10之间没有设置其他子像素10。
例如，如图1A和图1C所示，多个子像素10可以包括沿X方向排列的相邻两个子像素10。例如，第二子结构320的至少一个边缘相对于第一子结构310的相应边缘突出以形成至少一个突出部301。例如，如图1A所示，第二子结构320的两侧边缘均相对于第一子结构310的相应边缘突出以形成两个突出部301。例如，两个突出部301沿X方向排列。
图1A和图1C示意性的示出相邻两个子像素10之间设置有一个限定结构300，该限定结构300包括两个突出部301，但不限于此，相邻两个子像素之间还可以设置两个或者更多个限定结构，每个限定结构包括至少一个突出部，通过对限定结构的数量以及突出部的数量的设置，可以使得发光功能层的至少一层被限定结构断开。
例如，如图1A和图1C所示，第一子结构310面向所述第二子结构320的表面在衬底基板01上的正投影完全位于第二子结构320面向衬底基板01一侧的表面在衬底基板01上的正投影。例如，第二子结构320在X方向上的尺寸大于第一子结构310面向所述第二子结构320的表面在X方向上的尺寸。
例如，如图1A和图1C所示，在垂直于衬底基板01的方向，第一子结构310的厚度大于第二子结构320的厚度。
例如，如图1A和图1C所示，发光功能层130可以包括层叠设置的第一发光层(EML)131、电荷产生层(CGL)133以及第二发光层132，电荷产生层133位于第一发光层131与第二发光层132之间。电荷产生层具有较强的导电性，可以使得发光功能层具有寿命长、功耗低以及可实现高亮度的优点，例如，相对于没有设置电荷产生层的发光功能层，子像素通过在发光功能层中设置电荷产生层可以将发光亮度提高近一倍。
例如，各子像素10中，发光功能层130还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
例如，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层以及电荷产生层133均为多个子像素10的共用膜层，可以称为共通层。例如，发光功能层130中在限定结构300的边缘处断开的至少一层膜层可以为上述共通层中的至少一层膜层。通过将上述共通层中的至少一层膜层在位于相邻子像素之间的限定结构300的边缘处断开，可以有利于降低相邻子像素之间产生串扰的几率。
例如，第二发光层132可以位于第一发光层131与第二电极120之间，空穴注入层可以位于第一电极110与第一发光层131之间。例如，电荷产生层133与第一发光层131之间还可以设置电子传输层。例如，第二发光层132与电荷产生层133之间可以设置空穴传输层。例如，第二发光层132与第二电极120之间可以设置电子传输层和电子注入层。
例如，同一个子像素10中，第一发光层131和第二发光层132可以为发射相同颜色光的发光层。例如，发不同颜色光的子像素10中的第一发光层131(或第二发光层132)发射不同颜色光。当然，本公开实施例不限于此，例如，同一子像素10中，第一发光层131和第二发光层132可以为发射不同颜色光的发光层，通过在同一子像素10中设置发射不同颜色光的发光层可以使得子像素10包括的多层发光层发射的光混合为白光，通过设置彩膜层来调节每个子像素出射光的颜色。
例如，如图1A和图1C所示，相邻子像素的第一发光层131(第二发光层132)可以在限定结构300上交叠。但不限于此，例如，相邻子像素的第一发光层131(第二发光层132)可以在限定结构300上间隔设置；或者，限定结构300上可以仅设置相邻子像素中的一个子像素的第一发光层131(第二发光层132)。
例如，相邻子像素10中，位于电荷产生层133同一侧的发光层可以彼此间隔设置，也可以在两个子像素10之间的间隔处交叠或者相接，本公开实施例对此不作限制。
例如，电子传输层的材料可以包括芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。
例如，电荷产生层133的材料可以是含有磷氧基团的材料，也可以是含有三嗪的材料。
例如，电荷产生层133的材料电子迁移率与电子传输层电子迁移率之比为10-2～102。
例如，在上述相邻两个子像素10之间没有设置限定结构300时，该相邻两个子像素10的发光功能层130中的电荷产生层133等共通层可能连接或者为整层膜层，例如电荷产生层133具有较高的导电率，对于具有高分辨率的显示装置而言，电荷产生层133的高导电性容易导致相邻子像素10发生串扰。
本公开实施例提供的显示基板中，通过在该相邻两个子像素之间设置限定结构，可以使得形成在限定结构边缘处的发光功能层的至少一层断开，此时，该相邻两个子像素的发光功能层中至少一个膜层(如电荷产生层)间隔设置，可以增加相邻子像素之间发光功能层的电阻，从而在降低该相邻两个子像素之间产生串扰的几率的同时，又不影响子像素的正常显示。
例如，如图1A所示，第二子结构320的材料可以包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的任意一种或多种。
例如，如图1A所示，多个子像素10中的第二电极120可以为多个子像素10共用的公共电极，在上述相邻两个子像素10之间没有设置限定结构300时，第二电极120为整层膜层。
例如，如图1A所示，突出部301的尺寸可以在0.1～5微米的范围内。例如，突出部301的尺寸可以在0.2～2微米的范围内。
例如，如图1A所示，沿垂直于衬底基板01的方向，限定结构300的厚度与发光功能层130的厚度之比为0.7～1.5。例如，限定结构300的厚度与发光功能层130的厚度之比为0.8～1.2。例如，限定结构300的厚度与发光功能层130的厚度之比为0.9～1.1。例如，沿垂直于衬底基板01的方向，第二子结构320的厚度可以为100～10000埃。例如，第二子结构320的厚度可以为200～1500埃。例如，沿垂直于衬底基板01的方向，第一子结构310的厚度可以为100～10000埃。例如，第一子结构310的厚度可以为200～2000埃。本公开实施例的一示例可以通过对限定结构的厚度进行设置，例如限定结构的厚度与发光功能层的厚度之比设置为0.7～1.5，以使发光功能层130在限定结构300的边缘处断开，而第二电极120保持连续不被隔断，从而起到防止相邻子像素间串扰的作用，同时第二电极不隔断又保证了显示的均一性。
例如，限定结构300的厚度可以为300～5000埃，限定结构300的上述厚度(300～5000埃)可以使得发光功能层130在限定结构边缘必然断开，而第二电极120是否断开则根据限定结构300的厚度进一步决定。
本公开实施例通过对限定结构的厚度以及突出部的尺寸的设置，可以实现发光功能层的至少一个膜层在限定结构的边缘处断开。
例如，发光功能层130包括至少一层发光层，发光功能层130中在限定结构300处断开的膜层中包括至少一层发光层以及至少一层其他膜层；断开的至少一层其他膜层在衬底基板01上的正投影的面积大于断开的至少一层发光层在衬底基板01上的正投影的面积；或者，断开的至少一层其他膜层覆盖限定结构300的部分的面积，大于断开的至少一层发光层覆盖限定结构300的部分的面积。
例如，第二电极120以及发光功能层130包括的多个膜层的至少一层与限定结构300在衬底基板01上的投影有交叠。
例如，发光功能层130包括的多个膜层的至少一层的至少部分覆盖限定结构300的部分侧表面。
例如，第二电极120与限定结构300的边缘在衬底基板01上投影交叠的部分的厚度小于第二电极120与限定结构300在衬底基板01上投影不交叠的至少部分的厚度，电荷产生层133与限定结构300边缘在衬底基板01上投影交叠的部分的厚度小于电荷产生层133位于与限定结构300在衬底基板01上投影不交叠的至少部分的厚度。
图2为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图。图2所示示例中的显示基板与图1A所示示例中的显示基板的不同之处在于限定结构的厚度不同，图2所示显示基板中的限定结构300的厚度大于图1A所示显示基板中的限定结构300的厚度，例如，如图2所示，可以通过将限定结构300的厚度设置的较大(例如限定结构的厚度与发光功能层的厚度比大于1.5)，使得发光功能层和第二电极均在限定结构的突出部处断开。
例如，图1A示意性的示出发光功能层130包括的所有膜层均在限定结构300的突出部301处断开，第二电极120在限定结构300的突出部301处没有断开。但不限于此，其他示例中，可以通过对限定结构的厚度进行设置，使得发光功能层中靠近衬底基板一侧的部分膜层在限定结构的边缘处断开，发光功能层中远离衬底基板一侧的部分膜层在限定结构的边缘处没有断开，且第二电极在限定结构的边缘处没有断开。
例如，如图1A所示，第一子结构310的材料包括有机材料。
例如，如图1A所示，显示基板还包括有机层200，位于第二子结构320与衬底基板01之间。
例如，如图1A所示，第一子结构310与有机层200为一体化的结构。例如，第一子结构310可以为有机层200中的一部分。例如，第一子结构310可以为有机层200中向远离衬底基板01一侧突出的部分。
例如，如图1A所示，有机层200包括平坦(PLN，Planarization)层。例如，第一子结构310的材料包括光致抗蚀剂，聚酰亚胺(PI)树脂，丙烯酸树脂，硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料。
例如，如图1A所示，第一子结构310被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第一截面包括矩形。例如，第一子结构310被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第一截面包括梯形。例如，第一截面中包括两条短边以及沿平行于衬底基板01的方向延伸的两条长边，长边和短边连接，第一截面中靠近衬底基板01一侧的长边与短边之间的夹角为第一夹角，第一截面中远离衬底基板01一侧的长边与短边之间的夹角为第二夹角；第一夹角为70度～110度，和/或，第二夹角为70度～110度。
例如，第一截面可以为梯形，梯形的侧边与梯形靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不大于90度。例如，如图1A所示，第一子结构310被平行于XY面的平面所截的第一截面可以为梯形，梯形的上底位于梯形的下底远离衬底基板01的一侧，梯形的侧边与下底之间的夹角不大于90度。
例如，如图1A所述，第一子结构310的梯形截面的上底的长度小于第二子结构320的截面的靠近衬底基板01一侧的边的长度以使得第二子结构320的边缘与第一子结构310的上底的边缘形成底切结构，即第二子结构320的边缘包括突出部301。
图1A示意性的示出第一子结构310的侧边为直边，但不限于此，在实际工艺过程中，形成的第一子结构310的侧边也可以为曲边，例如，曲边向远离其所在的第一子结构310的中心的一侧弯曲，或者曲边向靠近其所在的第一子结构310的中心的一侧弯曲，此时，第一子结构310的曲边与下底之间的坡度角可以指曲边中点处切线与下底之间的夹角，也可以指曲边与下底交点处切线与下底之间的夹角。例如，第一子结构310的曲边与上底之间的坡度角可以指曲边中点处切线与上底之间的夹角，也可以指曲边与上底交点处切线与上底之间的夹角。
例如，如图1A所示，第二子结构320被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第二截面包括矩形或梯形。例如，图1A示意性的示出第二子结构320的第二截面的形状为矩形，通过将第二子结构320的第二截面的短边设置为与其靠近衬底基板01一侧的长边之间的夹角为直角或大致直角(例如大致直角可以指两边之间的夹角与90度之差不大于10度)，可以有利于发光功能层130在第二子结构320的边缘处断开。
例如，第二子结构320被沿相邻子像素的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第二截面的形状可以为梯形，梯形的侧边与梯形远离衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于70度。本公开实施例可以通过对第二子结构320的侧边和梯形远离衬底基板一侧的底边之间的夹角进行设置，使得发光功能层130在第二子结构320的边缘处断开。
例如，第二子结构320的第二截面的形状可以为梯形，梯形的远离衬底基板01一侧的底边的长度小于梯形的靠近衬底基板01一侧的底边的长度。
图3A为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图。图3A所示显示基板与图1A所示显示基板的不同之处在于第一子结构310被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第一截面的形状不同。例如，如图3A所示，第一子结构310被平行于XY面的平面所截的第一截面的形状可以为矩形，第二子结构320被平行于XY面的平面所截的第一截面的形状也为矩形，可以有利于发光功能层130在限定结构300的边缘处断开。
图3B为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图。图3B所示显示基板与图3A所示显示基板的不同之处在于第一子结构310被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第一截面的形状不同。例如，如图3B所示，第一子结构310被平行于XY面的平面所截的第一截面的形状可以为梯形，且该梯形远离衬底基板01一侧的底边的长度大于梯形靠近衬底基板10一侧的底边的长度，可以有利于发光功能层130在限定结构300的边缘处断开。
例如，如图1A至图3B所示，第一电极110与有机层200远离衬底基板01的一侧表面接触。例如，第一电极110可以为阳极，第二电极120可以为阴极。例如，阴极可由高导电性和低功函数的材料形成，例如，阴极可采用金属材料制成。例如，阳极可由具有高功函数的透明导电材料形成。
例如，如图1A至图3B所示，显示基板还包括像素限定图案400，位于第一电极110远离衬底基板01的一侧，至少位于第一显示区域A1的像素限定图案400包括多个第一开口410，一个子像素对应至少一个第一开口410，子像素的发光元件至少部分位于子像素对应的第一开口410中，且第一开口410被配置为暴露第一电极110。例如，当发光功能层130形成在像素限定图案400的第一开口410中时，位于发光功能层130两侧的第一电极110和第二电极120能够驱动的第一开口410中的发光功能层130进行发光。例如，上述发光区可以指子像素有效发光的区域，发光区的形状指二维形状，例如发光区的形状可以与像素限定图案400的第一开口410的形状相同。
例如，如图1A至图3B所示，像素限定图案400除第一开口410外的部分为像素限定部401，像素限定部401的材料可以包括聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
例如，如图1A至图3B所示，像素限定图案400还包括多个第二开口420，限定结构300位于第二开口420中。例如，限定结构300与像素限定图案400的像素限定部401之间设置有间隔。
例如，如图1A至图3B所示，沿X方向，第一开口410的尺寸可以小于第二开口420的尺寸。但不限于此，可以根据产品需要对第二开口的尺寸进行设置。
例如，如图1A至图3B所示，第二子结构320包括至少一层隔断层。例如，第二子结构320可以包括单层隔断层，该单层膜层的材料可以为氧化硅或者氮化硅。例如，第二子结构320可以包括两层隔断层，两层隔断层的材料分别为氧化硅和氮化硅。本公开实施例不限于此，第二子结构可以包括三层或者更多层隔断层，第二子结构包括的隔断层的数量可以根据产品需求进行设置。
例如，如图1A至图3B所示，沿垂直于衬底基板01的方向，限定结构300厚度小于像素限定部401的厚度。
例如，如图1A至图3B所示，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸不小于0.01微米。例如，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸不小于0.1微米。例如，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸可以为0.01～5微米。例如，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸可以为0.05～4微米。例如，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸可以为0.1～2微米。
例如，如图1A至图3B所示，第二子结构320被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第二截面包括矩形或梯形。例如，第二子结构320的第二截面形状为矩形，通过将第二子结构320的第二截面的短边设置为与其靠近衬底基板01一侧的长边之间的夹角为直角或大致直角(例如大致直角可以指两边之间的夹角与90度之差不大于10度)，可以有利于发光功能层130在第二子结构320的边缘处断开。
例如，第二子结构320的第二截面可以为梯形，梯形的侧边与梯形的靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于70度。例如，第二截面可以为梯形，梯形的侧边与梯形的靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于90度以使得第二子结构320的侧边与梯形的远离衬底基板01一侧的底边之间的夹角为锐角，可以有利于发光功能层130在限定结构300的边缘处断开。
例如，如图1A至图3B所示，发光功能层130中电荷产生层133面向衬底基板01一侧的膜层在限定结构300的边缘处断开。例如，电荷产生层133面向衬底基板01一侧的膜层可以包括电子传输层、第一发光层131等膜层。
例如，如图1A至图3B所示，发光功能层130包括发光层(第一发光层131或第二发光层132)，发光功能层130中断开的膜层在衬底基板01上的正投影的面积大于任一子像素的发光层(第一发光层131或第二发光层132)在衬底基板01上的正投影的面积。例如，断开的膜层可以为上述共通层，发光层可以为采用精细金属掩模形成的具有一定图案的膜层。
例如，如图1A至图3B所示，一子像素的发光层(第一发光层131或第二发光层132)在限定结构300的边缘处断开，发光功能层130中断开的膜层中除断开的发光层(第一发光层131或第二发光层132)外的其他膜层在衬底基板01上的正投影的面积大于断开的发光层(第一发光层131或第二发光层132)在衬底基板01上的正投影的面积。
例如，如图1A至图3B所示，限定结构300上设置有第二电极120以及发光功能层130中包括的至少电荷产生层133，且电荷产生层133的至少部分覆盖限定结构300的部分侧表面。例如，位于限定结构300上的电荷产生层133的至少部分可以覆盖第二子结构320的部分侧表面。例如，没有位于限定结构300上的电荷产生层133的至少部分可以覆盖第一子结构310的部分侧表面。
例如，如图1A至图3B所示，第二电极120位于限定结构300中心的部分的厚度大于第二电极200位于限定结构300边缘的部分的厚度，电荷产生层133位于限定结构300中心的部分的厚度大于电荷产生层133位于限定结构300边缘的部分的厚度。例如，位于限定结构300上的第二电极120的中间部分的厚度大于两边的厚度。例如，位于限定结构300上的电荷产生层133的中间部分的厚度大于两边的厚度。
例如，如图1A至图3B所示，第二电极120与限定结构300的侧面接触。例如，第二电极120可以与第一子结构310的侧表面接触，和/或，第二电极120可以与第二子结构320的侧表面接触。
例如，如图1A至图3B所示，电荷产生层133在限定结构300的边缘处断开，第二电极120覆盖电荷产生层133的断开位置，且第二电极120位于第二开口420中的部分包括位于限定结构300上的第一部分和位于限定结构300以外位置处的第二部分，第一部分在衬底基板01上的正投影与第二部分在衬底基板01上的正投影有交叠或者相接。
例如，如图1A至图3B所示，位于第二开口420内的有机层200的至少部分的厚度大于位于第一开口410内的有机层200的厚度。例如，位于第二开口420内的有机层200的厚度较大的部分可以包括限定结构300的一部分。
例如，显示基板还包括像素电路，有机发光元件100的第一电极110可以通过贯穿有机层200等膜层的过孔与像素电路中的薄膜晶体管的源极和漏极之一连接。例如，像素电路还包括存储电容。例如，有机层200与衬底基板01之间还可以设置栅极绝缘层、层间绝缘层、像素电路中的各膜层、数据线、栅线、电源信号线、复位电源信号线、复位控制信号线、发光控制信号线等膜层或者结构。例如，有机层200与衬底基板01之间的膜层可以包括一层电源信号线，也可以包括两层电源信号线。例如，有机层200面向衬底基板01的一侧表面可以与层间绝缘层接触。
例如，像素限定图案400的像素限定部401远离衬底基板01的一侧还可以设置隔垫物，隔垫物被配置为支撑制作发光层的蒸镀掩模板。
例如，本公开一实施例提供一种形成图1A所示显示基板的制作方法，包括在衬底基板01上形成多个子像素10，其中，形成子像素10包括在垂直于衬底基板01的方向上依次形成层叠设置的第一电极110、发光功能层130以及第二电极120；在衬底基板01上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层，第二材料层的材料与第一材料层不同；对第一材料层和第二材料层进行图案化形成限定结构300。第一材料层图案化形成第一子结构310，第二材料层图案化形成第二子结构320，限定结构300包括层叠设置的第一子结构310和第二子结构320。沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的限定结构300中第二子结构320的边缘相对于第一子结构310的边缘突出以形成突出部301；或者，第二子结构320的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第二子结构320的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，第一子结构310的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第二子结构320的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于60度，且第二子结构320的靠近第一子结构310的表面面积不小于第一子结构310和第二子结构320的接触面的面积，发光功能层130在形成限定结构300后形成，发光功能层130包括多个膜层，多个膜层中的至少一层在限定结构300的边缘处断开。
例如，形成限定结构300包括对第二材料层图案化形成第二子结构320的同时，第一材料层中位于第二子结构320正下方的部分被刻蚀形成第一子结构310。
例如，第二材料层为无机非金属材料层，第一材料层为有机材料层，对第一材料层和第二材料层同时图案化形成限定结构300包括：采用干刻法对第二材料层进行刻蚀以在形成第二子结构320的同时，有机材料层中位于第二子结构320正下方的部分被干刻形成第一子结构310。
图3C为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图。图3C所示显示基板与图3B所示显示基板的不同之处在于第二开口420暴露限定结构300的部分。例如，如图3C所示，像素限定部401覆盖限定结构300的一部分，第二开口420暴露限定结构300的另一部分。
例如，如图3C所示，发光功能层130的至少一层在第二开口420暴露的限定结构300的至少部分边缘处断开。例如，发光功能层130的至少一层在限定结构300被暴露的边缘断开。例如，相邻两个子像素中，各子像素的发光层(如第一发光层或第二发光层)均包括位于限定结构300上的部分，但不限于此，还可以仅与限定结构300距离较近的子像素中的发光层包括位于限定结构上的部分，而与限定结构300距离较远的子像素中的发光层不包括位于限定结构上的部分。
例如，图4A至图4D为形成图1A所示显示基板之前的显示基板的制作方法流程示意图。如图1A、图4A至图4D所示，显示基板的制作方法包括：在衬底基板01上形成多个子像素10，其中，形成子像素10包括在垂直于衬底基板01的方向上依次形成层叠设置的第一电极110、发光功能层130以及第二电极120；在衬底基板01上形成有机材料层020(即第一材料层)；在有机材料层020上形成无机非金属材料层030(即第二材料层)；对无机非金属材料层030图案化形成第二子结构320的同时，有机材料层020中位于第二子结构320正下方的部分有机材料层020被刻蚀形成第一子结构310。限定结构300包括第一子结构310和第二子结构320，沿相邻子像素10的排列方向，位于该相邻子像素10之间的限定结构300中第二子结构320的边缘相对于第一子结构310的边缘突出以形成突出部301；发光功能层130在形成限定结构300后形成，发光功能层130包括多个膜层，多个膜层中的至少一层在突出部301处断开。
例如，如图1A和图4A所示，显示基板的制作方法可以包括在玻璃载板上制备衬底基板01。例如，衬底基板01可以为柔性衬底基板。例如，形成衬底基板01可以包括在玻璃载板上依次形成叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。第一无机材料层、第二无机材料层的材料采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一无机材料层、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层。
例如，在形成有机材料层020之前，可以在衬底基板01上形成像素电路的驱动结构层。驱动结构层包括多个像素电路，每个像素电路包括多个晶体管和至少一个存储电容，例如像素电路可以采用2T1C、3T1C或7T1C设计。例如，形成驱动结构层可以包括在衬底基板01上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底基板01的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案，有源层图案至少包括有源层。例如，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括栅电极和第一电容电极。例如，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层，第四绝缘层上开设有至少两个第一过孔，两个第一过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层图案的有源层的表面。随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案，源漏金属层图案至少包括位于显示区域的源电极和漏电极。源电极和漏电极可以分别通过第一过孔与有源层图案中的有源层连接。
例如，上述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以为缓冲(Buffer)层，用于提高衬底基板01的抗水氧能力；第二绝缘层和第三绝缘层可以为栅绝缘(GI，Gate Insulator)层；第四绝缘层可以为层间绝缘(ILD，Interlayer Dielectric)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
例如，如图4A和图4B所示，在形成无机非金属材料层030后，对无机非金属材料层030进行图案化。例如，对无机非金属材料层030进行图案化包括采用干刻法对无机非金属材料层030进行刻蚀以在形成第二子结构320的同时，有机材料层020中位于第二子结构320正下方的部分有机材料层020被干刻形成第一子结构310。例如，可以采用掩模板对待形成第二子结构320的位置处的无机非金属材料层030进行遮挡，以使待形成第二子结构320的位置处以外的其他位置的无机非金属材料层030被刻蚀，在对无机非金属材料层030进行干刻的过程中，刻蚀气体会对有机材料层020中没有被掩模板遮挡的部分进行刻蚀，以使在刻蚀后保留的无机非金属材料层(即第二子结构320)的正下方保留了具有一定厚度的有机材料层(即第一子结构310)，使得有机材料层020远离衬底基板01的一侧形成了位于第二子结构320正下方的突出部，该突出部即为第一子结构320。
例如，如图4A和图4B所示，在对无机非金属材料层030进行干刻的过程中，有机材料层020被刻蚀的厚度可以为100～10000埃，则形成的第一子结构310的厚度可以为100～10000埃。例如，在对无机非金属材料层030进行干刻的过程中，有机材料层020被刻蚀的厚度可以为200～2000埃，则形成的第一子结构310的厚度可以为200～2000埃。
例如，如图1A和图4C所示，在形成限定结构300后，在平坦层200上图案化形成子像素的第一电极110。例如，第一电极110通过平坦层200中的第二过孔与晶体管的漏电极连接。
例如，第一电极110可以采用金属材料，如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。
例如，如图1A和图4D所示，在形成第一电极110后，可以形成像素限定图案400。例如，在形成前述图案的衬底基板01上涂覆像素限定薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素限定图案400。例如，显示区域的像素限定图案400包括多个像素限定部401，相邻像素限定部401之间形成有第一开口410或者第二开口420，第一开口410和第二开口420内的像素限定膜被显影掉，第一开口410暴露多个子像素的第一电极110的至少部分表面，第二开口420暴露限定结构300。
例如，形成像素限定图案400后，可以在像素限定部上形成隔垫物。例如，在形成前述图案的衬底基板01上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成隔垫物。隔垫物可以作为支撑层，配置为在蒸镀过程中支撑FMM(高精度掩模板)。
例如，如图1A所示，在形成隔垫物之后，依次形成发光功能层130以及第二电极120。例如，第二电极120可以为透明阴极。发光功能层130可以通过透明阴极从远离衬底基板01一侧出光，实现顶发射。例如，第二电极120可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金，或者采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)，或者，金属与透明导电材料的多层复合结构。
例如，形成发光功能层130可以包括：采用开口掩模板(Open Mask)依次蒸镀形成空穴注入层和空穴传输层；采用FMM依次蒸镀形成发不同颜色光的第一发光层131，例如蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层；采用开口掩模板依次蒸镀形成电子传输层、电荷产生层133、以及空穴传输层；采用FMM依次蒸镀形成发不同颜色光的第二发光层132，例如蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层；采用开口掩模板依次蒸镀形成电子传输层、第二电极以及光耦合层。例如，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电荷产生层、第二电极以及光耦合层均为多个子像素的共通层。
例如，如图1A所示，形成的发光功能层130会在限定结构300边缘处断开，使得位于像素限定图案400的第二开口420内的发光功能层130的一部分位于限定结构300上，另一部分位于有机层200上。
例如，形成第二电极120以后，显示基板的制作方法还包括形成封装层，封装层可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层。第一封装层采用无机材料，在显示区域覆盖第二电极120。第二封装层采用有机材料。第三封装层采用无机材料，覆盖第一封装层和第二封装层。然而，本实施例对此并不限定。例如，封装层也可以采用无机/有机/无机/有机/无机的五层结构。
例如，相对于没有形成限定结构的显示基板，本公开实施例提供的形成有限定结构的显示基板只增加一道掩模工艺，对工艺产能的影响较低。
例如，图5为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图。图5所示示例中的显示基板与图1A所示示例中的显示基板的不同之处在于图5所示显示基板中的第一子结构310的材料包括无机非金属材料。图5所示显示基板中的子像素10、衬底基板01以及像素限定图案400可以与图1A至图3B所示任一示例中的显示基板中的子像素10、衬底基板01以及像素限定图案400具有相同的特征，在此不再赘述。
例如，如图5所示，第一子结构310的材料与第二子结构320的材料不同。例如，第二子结构320的材料可以包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的任意一种或多种，第一子结构310的材料也可以包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的任意一种或多种，且第一子结构310的材料与第二子结构320的材料不同。
例如，如图5所示，多个子像素10可以包括沿X方向排列的相邻两个子像素10。例如，第二子结构320的至少一个边缘相对于第一子结构310的相应边缘突出以形成至少一个突出部301。例如，如图5所示，第二子结构320的两侧边缘均相对于第一子结构310的相应边缘突出以形成两个突出部301。例如，两个突出部301沿X方向排列。
例如，图5示意性的示出相邻两个子像素10之间设置有一个限定结构300，该限定结构300包括两个突出部301，但不限于此，相邻两个子像素之间还可以设置两个或者更多个限定结构，每个限定结构包括至少一个突出部，通过对限定结构的数量以及突出部的数量的设置，有利于发光功能层的至少一层起到较好的断开效果。
例如，如图5所示，第一子结构310面向所述第二子结构320的表面在衬底基板01上的正投影完全位于第二子结构320面向衬底基板01一侧的表面在衬底基板01上的正投影内。
例如，如图5所示，在垂直于衬底基板01的方向，第一子结构310的厚度大于第二子结构320的厚度。
例如，如图5所示，在垂直于衬底基板01的方向，限定结构300的厚度小于像素限定部401的厚度。例如，限定结构300与像素限定部401之间设置有间隔。
例如，如图5所示，像素限定图案400的第二开口420暴露的有机层200的远离衬底基板01一侧的表面可以为平坦的表面，即有机层200远离衬底基板01一侧的表面没有包括突出部。例如，如图5所示，第一子结构310设置在有机层200远离衬底基板01一侧的表面上。
例如，如图5所示，在垂直于衬底基板01的方向，第二子结构320的厚度不大于发光功能层130的厚度。例如，第二子结构320的厚度可以为500～8000埃。
例如，如图5所示，沿垂直于衬底基板01的方向，限定结构300的厚度与发光功能层130的厚度之比为0.7～1.5。例如，限定结构300的厚度与发光功能层130的厚度之比为0.8～1.2。例如，限定结构300的厚度与发光功能层130的厚度之比为0.9～1.1。本公开实施例的一示例可以通过对限定结构的厚度进行设置，例如限定结构的厚度与发光功能层的厚度之比设置为0.7～1.5，以使发光功能层130在限定结构300的边缘处断开，而第二电极120保持连续不被隔断，从而起到防止相邻子像素间串扰的作用，同时第二电极不隔断又保证了显示的均一性。
例如，图5示意性的示出发光功能层130包括的全部膜层均在限定结构300的边缘处断开，但不限于此，还可以是发光功能层130的一部分膜层在限定结构300的边缘处断开，另一部分膜层在限定结构300的边缘处连续。在突出部301处断开的膜层可以视为发生错位的膜层，通过使得膜层在突出部301处错位设置，有利于降低该膜层的横向串扰。
当然，图5所示示例不限于此，还可以设置限定结构的厚度大于发光功能层的厚度，以使发光功能层和第二电极均在限定结构的边缘断开。
例如，如图5所示，第一子结构310被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第一截面包括矩形或梯形。例如，第一截面为梯形，梯形远离衬底基板01一侧的底边长度大于梯形靠近衬底基板01一侧的底边长度。例如，梯形的侧边与梯形靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于70度。例如，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸不小于0.01微米。例如，沿平行于衬底基板01的方向，突出部301的尺寸不小于0.1微米。
例如，如图5所示，突出部301的尺寸可以在0.01～5微米的范围内。例如，梯形的侧边与梯形靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于90度。例如，突出部301的尺寸可以在0.1～2微米的范围内。
例如，第一子结构310的侧边可以为直边，也可以为曲边，例如曲边向靠近其所在的第一子结构310的中心的一侧弯曲，此时，第一子结构310的曲边与靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角可以指曲边中点处切线与该底边之间的夹角，也可以指曲边与该底边的交点处切线与该底边之间的夹角。
本公开实施例通过对限定结构的厚度、突出部的尺寸和/或第一子结构的侧边角度的设置，可以实现发光功能层的至少一个膜层在限定结构的边缘处断开。
例如，如图5所示，第二子结构320被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的第二截面包括矩形或梯形。例如，第二子结构320的第二截面形状为矩形，通过将第二子结构320的第二截面的短边设置为与其靠近衬底基板01一侧的长边之间的夹角为直角或大致直角(例如大致直角可以指两边之间的夹角与90度之差不大于10度)，可以有利于发光功能层130在限定结构300的边缘处断开。
例如，第二子结构320的第二截面可以为梯形，梯形的侧边与梯形的靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于70度。例如，第二截面可以为梯形，梯形的侧边与梯形的靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不小于90度以使得第二子结构320的侧边与梯形的远离衬底基板01一侧的底边之间的夹角为锐角，可以有利于发光功能层130在限定结构300的边缘处断开。
例如，图5示意性的示出第一子结构310包括一层膜层，第二子结构320包括一层膜层，但不限于此，第一子结构310和第二子结构320的至少之一可以包括多层膜层，至少第二子结构320的边缘相对于第一子结构310的边缘突出以形成用于断开发光功能层的至少一层的突出部即可。
在限定结构的侧边角度较大时(如第一截面的侧边与其靠近衬底基板一侧的底边之间的夹角，和/或，第二截面的侧板与其靠近衬底基板一侧的底边之间的夹角)，发光功能层沉积的厚度整体减薄，位于相邻子像素之间的发光功能层的至少一个膜层断开，使得该膜层的电阻增大，进一步减小相邻子像素间的串扰。
例如，本公开一实施例提供一种形成图5所示显示基板的制作方法，包括在衬底基板01上形成多个子像素10，其中，形成子像素10包括在垂直于衬底基板01的方向上依次形成层叠设置的第一电极110、发光功能层130以及第二电极120；在衬底基板01上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层，第二材料层的材料与第一材料层不同；对第一材料层和第二材料层进行图案化形成限定结构300。第一材料层图案化形成第一子结构310，第二材料层图案化形成第二子结构320，限定结构300包括层叠设置的第一子结构310和第二子结构320。沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的限定结构300中第二子结构320的边缘相对于第一子结构310的边缘突出以形成突出部301；或者，第二子结构320的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第二子结构320的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，第一子结构310的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第二子结构320的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，第一坡度角与第二坡度角的至少之一大于60度，且第二子结构320的靠近第一子结构310的表面面积不小于第一子结构310和第二子结构320的接触面的面积，发光功能层130在形成限定结构300后形成，发光功能层130包括多个膜层，多个膜层中的至少一层在限定结构300的边缘处断开。
例如，对第一材料层和第二材料层同时图案化形成限定结构300。形成限定结构300包括对第二材料层图案化形成第二子结构320的同时，第一材料层中位于第二子结构320正下方的部分被刻蚀形成第一子结构310。
例如，第一材料层和第二材料层均为无机材料层，对第一材料层和第二材料层同时图案化形成限定结构300包括：采用对第一材料层和第二材料层刻蚀选择比不同的刻蚀液对第一材料层和第二材料层同时刻蚀，其中，刻蚀液对第一材料层的刻蚀选择比大于刻蚀液对第二材料层的刻蚀选择比，以使第一材料层被刻蚀后形成的第一子结构310的边缘相对于第二材料层被刻蚀后形成的第二子结构320的边缘内缩以形成底切结构。
例如，图6A至图6D为形成图5所示显示基板之前的显示基板的制作方法流程示意图。如图5、图6A至图6D所示，显示基板的制作方法包括：在衬底基板01上形成多个子像素10，其中，形成子像素10包括在垂直于衬底基板01的方向上依次形成层叠设置的第一电极110、发光功能层130以及第二电极120；在衬底基板01上形成有机材料层020；在有机材料层020上形成无机非金属材料层030，无机非金属材料层030包括至少两层膜层，例如膜层031(即第一材料层)和膜层032(即第二材料层)；对无机非金属材料层030图案化形成限定结构300。限定结构300包括第一子结构310和第二子结构320，第一子结构310位于第二子结构320与衬底基板01之间；沿相邻子像素10的排列方向，位于该相邻子像素10之间的限定结构300中第二子结构320的边缘相对于第一子结构310的边缘突出以形成突出部301；发光功能层130在形成限定结构300后形成，发光功能层130包括多个膜层，多个膜层中的至少一层在突出部301处断开。
例如，形成图5所示显示基板中的衬底基板01、像素10、以及像素限定图案400等结构的制作方法可以与图4A至图4D所示形成显示基板中的衬底基板01、像素10、以及像素限定图案400等结构的制作方法相同，在此不再赘述。
例如，如图6A和图6B所示，在形成无机非金属材料层030后，对无机非金属材料层030进行图案化。例如，无机非金属材料层030可以包括两层膜层，例如第一无机非金属材料层031和第二无机非金属材料层032，对无机非金属材料层030进行图案化包括采用湿刻的工艺对无机非金属材料层030包括的两层膜层进行刻蚀，刻蚀液或者刻蚀气体对第一无机非金属材料层031的刻蚀选择比大于对第二无机非金属材料层032的刻蚀选择比，从而使得第一无机非金属材料层031被刻蚀形成的第一子结构310的边缘相对于第二无机非金属材料层032被刻蚀形成的第二子结构320的边缘内缩以形成底切结构，即形成突出部301。
例如，如图6C所示，在形成限定结构300后，在平坦层200上图案化形成子像素的有机发光元件100的第一电极110。本示例形成第一电极110的方法以及材料可以与图4C所示形成第一电极110的方法以及材料相同，在此不再赘述。
例如，如图6D所示，在形成第一电极110后，可以形成像素限定图案400。本示例形成像素限定图案400的方法以及材料可以与图4D所示形成像素限定图案400的方法以及材料相同，在此不再赘述。例如，本示例形成像素限定图案以后的步骤可以与图1A所示显示基板形成像素限定图案以后的步骤相同，在此不再赘述。
例如，图7为根据本公开实施例的另一示例提供的显示基板的局部截面结构示意图。图7所示示例中的显示基板与图5所示示例中的显示基板的不同之处在于限定结构300还包括第三子结构330。图7所示显示基板中的子像素10、衬底基板01以及像素限定图案400可以与图1A至图3B以及图5所示任一示例中的显示基板中的子像素10、衬底基板01以及像素限定图案400具有相同的特征，在此不再赘述。图7所示显示基板中第一子结构310与第二子结构320的材料、形状以及尺寸关系可以与图5所示显示基板中第一子结构310与第二子结构320的材料、形状以及尺寸关系相同，在此不再赘述。
例如，如图7所示，第三子结构330位于第一子结构310与衬底基板01之间，沿相邻子像素10的排列方向，位于该相邻子像素10之间的限定结构300中第一子结构310的边缘相对于第三子结构330的边缘突出，且第三子结构330与有机层200为一体化的结构。
例如，如图7所示，第三子结构330可以为有机层200中的一部分。例如，第三子结构330可以为有机层200中向远离衬底基板01一侧突出的部分。例如，第一子结构310可以位于该有机层200中向远离衬底基板01一侧突出的部分上。
例如，如图7所示，第三子结构330的材料包括光致抗蚀剂，聚酰亚胺(PI)树脂，丙烯酸树脂，硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料。
例如，如图7所示，第三子结构330的厚度可以为100～10000埃。例如，第三子结构330的厚度可以为200～2000埃。
例如，第三子结构330被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的截面包括矩形。例如，第三子结构330被沿相邻子像素10的排列方向且垂直于衬底基板01的平面所截的截面包括梯形，梯形的侧边与梯形靠近衬底基板01一侧的底边之间的夹角不大于90度。
例如，如图7所示，第三子结构330的梯形截面的上底的长度小于第一子结构310的截面的靠近衬底基板01一侧的边的长度。
例如，第三子结构330的侧边可以为直边，也可以为曲边，例如，曲边向远离其所在的第三子结构330的中心的一侧弯曲，或者，曲边向靠近其所在的第三子结构330的中心的一侧弯曲，此时，第三子结构330的曲边与下底之间的夹角可以指曲边中点处切线与下底之间的夹角，也可以指曲边与下底交点处切线与下底之间的夹角。
例如，形成图7所示限定结构与形成图5所示限定结构的不同之处在于，采用干刻法对无机非金属材料层030进行刻蚀以在形成第一子结构310和第二子结构320的同时，有机材料层020中位于第一子结构310正下方的部分有机材料层020被干刻形成第三子结构330。例如，可以采用掩模板对待形成第一子结构310和第二子结构320的位置处的无机非金属材料层030进行遮挡，以使待形成第一子结构310和第二子结构320的位置处以外的其他位置的无机非金属材料层030被刻蚀，在对无机非金属材料层030进行干刻的过程中，刻蚀气体会对有机材料层020中没有被掩模板遮挡的部分进行刻蚀，以使在刻蚀后保留的无机非金属材料层(即第一子结构310和第二子结构320)的正下方保留了具有一定厚度的有机材料层(即第三子结构330)，使得有机材料层020远离衬底基板01的一侧形成了位于第一子结构310和第二子结构320正下方的突出部，该突出部即为第三子结构330。本示例不限于此，还可以先采用湿刻工艺形成第一子结构310和第二子结构320，然后采用干刻工艺形成第三子结构330；或者采用先干刻后湿刻的工艺形成上述第一子结构310、第二子结构320以及第三子结构330。
例如，第三子结构330的至少部分侧表面与平行于第一子结构310和第三子结构330的接触面的平面的坡度角为第三坡度角，第三坡度角大于60度。例如，第三坡度角可以为60～150度。例如，第三坡度角大于70度。例如，第三坡度角大于80度。例如，第三坡度角大于90度。
例如，上述第三子结构的侧表面可以指第三子结构的与衬底基板之间具有一定夹角的表面。例如，第三子结构的侧表面可以为平面，也可以为曲面。例如，第三子结构的侧表面被XY面所截线段可以为直线段也可以为曲线段。例如，第三子结构的侧表面被XY面所截线段为曲线段时，第三坡度角可以为曲线段与第一子结构接触点处切线与衬底基板之间的角度，也可以为曲线段与有机层200接触点处切线与衬底基板之间的角度。
例如，如图4A和图4B所示，在对无机非金属材料层030进行干刻的过程中，有机材料层020被刻蚀的厚度可以为100～10000埃，则形成的第三子结构330的厚度可以为100～10000埃。例如，在对无机非金属材料层030进行干刻的过程中，有机材料层020被刻蚀的厚度可以为200～2000埃，则形成的第三子结构330的厚度可以为200～2000埃。
例如，图8为根据本公开实施例的提供的显示基板的平面结构示意图。例如，如图8所示，该显示基板还包括限定结构300，限定结构300位于衬底基板上，且位于相邻的子像素10之间；由此，发光功能层中的电荷生成层在限定结构300所在的位置断开。多个子像素10包括多个第一颜色子像素201、多个第二颜色子像素202以及多个第三颜色子像素203，限定结构300包括多个环状限定结构，各环状限定结构围绕一个第一颜色子像素201、一个第二颜色子像素202和一个第三颜色子像素203中一个；也就是说，各环状限定结构围绕一个第一颜色子像素201、一个第二颜色子像素202、或者一个第三颜色子像素203。另外，上述的环状限定结构可为封闭的环形，也可为非封闭的环形，例如包括至少一个缺口的环形。
例如，限定结构300可以为条状，也可将相邻的第一颜色子像素和第三颜色子像素隔开，并将相邻的第一颜色子像素和第三颜色子像素隔开。
在本公开实施例提供的显示基板中，通过在相邻的子像素之间设置限定结构，并使得发光功能层中的电荷生成层在限定结构所在的位置断开，从而避免导电性较高的电荷生成层造成相邻子像素之间的串扰。并且，由于限定结构包括多个环状限定结构，各环状限定结构围绕一个第一颜色子像素、一个第二颜色子像素或者一个第三颜色子像素，因此该限定结构可通过简单的环状限定结构就可实现大多数相邻子像素的隔断，从而避免相邻子像素之间的串扰。另一方面，由于该显示基板可通过限定结构避免相邻子像素之间的串扰，因此该显示基板可在采用双层发光(Tandem EL)设计的同时，提高像素密度。所以，该显示基板可具有寿命长、功耗低、亮度高、分辨率高等优点。本公开另一实施例提供一种显示装置，包括图1A至图8所示任一示例中的显示基板，通过在显示装置中相邻子像素之间设置限定结构，可以使得发光功能层的至少一层(例如电荷产生层)在限定结构的边缘断开，有利于降低相邻子像素之间产生串扰的几率。
例如，该显示装置还包括位于显示面板出光侧的盖板。
例如，该显示装置可以为有机发光二极管显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件，本实施例不限于此。
有以下几点需要说明：
(1)本公开的实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (27)
1.一种显示基板，包括：
衬底基板，至少包括第一显示区域；
多个子像素，位于所述衬底基板上的第一显示区域，至少部分子像素中的每个子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层以及沿垂直于所述衬底基板的方向位于所述发光功能层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光功能层与所述衬底基板之间，所述发光功能层包括多个膜层，
其中，所述显示基板还包括限定结构，至少两个相邻子像素之间设置有至少一个限定结构，所述限定结构包括层叠设置的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构位于所述第二子结构与所述衬底基板之间，所述第一子结构的材料与所述第二子结构的材料不同；
沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第二子结构的边缘相对于所述第一子结构的边缘突出以形成突出部；或者，所述第二子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，所述第一子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，所述第一坡度角与所述第二坡度角的至少之一大于60度，且所述第二子结构的靠近所述第一子结构的表面面积不小于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的面积；
所述多个膜层中的至少一层在所述限定结构处断开，
所述第一子结构的材料包括有机材料，且所述第二子结构的材料包括无机非金属材料；
沿垂直于衬底基板的方向，所述第一子结构的厚度为100～10000埃，且所述第二电极与所述第一子结构不接触；
所述显示基板还包括有机层，位于所述第二子结构与所述衬底基板之间，所述第一电极与所述有机层远离所述衬底基板的一侧表面接触，所述第一子结构与所述有机层为一体化的结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括矩形；或者，
所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括梯形，所述梯形远离衬底基板一侧的底边的长度大于所述梯形靠近衬底基板一侧的底边的长度；或者，
所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括梯形，所述梯形远离衬底基板一侧的底边的长度小于所述梯形靠近衬底基板一侧的底边的长度。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面中包括两条短边以及沿平行于所述衬底基板的方向延伸的两条长边，所述长边和所述短边连接，所述第一截面中靠近所述衬底基板一侧的所述长边与所述短边之间的夹角为第一夹角，所述第一截面中远离所述衬底基板一侧的所述长边与所述短边之间的夹角为第二夹角；
所述第一夹角为70度～110度，和/或，所述第二夹角为70度～110度。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第二截面包括矩形或梯形，所述梯形的侧边与所述梯形远离所述衬底基板一侧的底边之间的夹角不小于70度。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，沿平行于所述衬底基板的方向，所述突出部的尺寸不小于0.01微米。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述限定结构的厚度与所述发光功能层的厚度之比为0.7～1.5。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，沿垂直于衬底基板的方向，所述第二子结构的厚度为100～10000埃。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二电极在所述限定结构处连续设置。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二电极在所述限定结构的边缘处断开。
10.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
像素限定图案，位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，至少位于所述第一显示区域的所述像素限定图案包括多个第一开口，一个所述子像素对应至少一个第一开口，所述子像素的发光元件至少部分位于所述子像素对应的第一开口中，且所述第一开口被配置为暴露所述第一电极，
其中，所述像素限定图案还包括多个第二开口，所述限定结构的至少部分被所述第二开口暴露。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第二开口暴露所述限定结构的部分。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述发光功能层的至少一层在所述第二开口暴露的所述限定结构的至少部分边缘处断开。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述至少一层膜层包括电荷产生层，所述发光功能层包括层叠设置的第一发光层、所述电荷产生层以及第二发光层，所述电荷产生层位于所述第一发光层与所述第二发光层之间，且所述电荷产生层在所述限定结构处断开。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述发光功能层中所述电荷产生层面向所述衬底基板一侧的膜层在所述限定结构处断开。
15.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第一发光层发出的光的颜色与第二发光层发出的光的颜色相同。
16.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述发光功能层包括发光层，所述发光功能层中至少一层断开的膜层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述发光层在所述衬底基板上的正投影的面积。
17.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述发光功能层包括至少一层发光层，所述发光功能层中在所述限定结构处断开的膜层中包括至少一层发光层以及至少一层其他膜层；
所述断开的至少一层其他膜层在所述衬底基板上的正投影的面积大于断开的所述至少一层发光层在所述衬底基板上的正投影的面积；
或者，
所述断开的至少一层其他膜层覆盖所述限定结构的部分的面积，大于断开的所述至少一层发光层覆盖所述限定结构的部分的面积。
18.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二电极以及所述发光功能层包括的多个膜层的至少一层与所述限定结构在衬底基板上的投影有交叠。
19.根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述发光功能层包括的多个膜层的至少一层的至少部分覆盖所述限定结构的部分侧表面。
20.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二电极与所述限定结构的边缘在衬底基板上投影交叠的部分的厚度小于所述第二电极与所述限定结构在衬底基板上投影不交叠的至少部分的厚度，所述电荷产生层与所述限定结构边缘在衬底基板上投影交叠的部分的厚度小于所述电荷产生层位于与所述限定结构在衬底基板上投影不交叠的至少部分的厚度。
21.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述至少一层膜层包括电荷产生层，所述电荷产生层在所述限定结构的至少部分边缘处断开，所述第二电极覆盖所述电荷产生层的断开位置，且所述第二电极位于所述第二开口中的部分包括位于所述限定结构上的第一部分和位于所述限定结构以外位置处的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述第二部分在所述衬底基板上的正投影有交叠或者相接。
22.根据权利要求10所述的显示基板，其中，位于所述第二开口内的所述有机层的至少部分的厚度大于位于所述第一开口内的所述有机层的厚度。
23.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述衬底基板还包括第二显示区域，所述第一显示区域围绕所述第二显示区域的至少部分。
24.一种显示装置，包括权利要求1-23任一项所述的显示基板。
25.一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板的至少第一显示区域中形成多个子像素，其中，形成所述子像素包括在垂直于所述衬底基板的方向上依次形成层叠设置的第一电极、发光功能层以及第二电极；
所述制作方法，还包括：
在所述衬底基板上形成第一材料层；
在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层的材料与所述第一材料层的材料不同；
对所述第一材料层和所述第二材料层进行图案化以形成限定结构；
其中，所述第一材料层图案化形成第一子结构，所述第二材料层图案化形成第二子结构，所述限定结构包括层叠设置的所述第一子结构和所述第二子结构，
沿相邻子像素的排列方向，位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第二子结构的边缘相对于所述第一子结构的边缘突出以形成突出部；或者，所述第二子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第一坡度角，所述第一子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第二坡度角，所述第一坡度角与所述第二坡度角的至少之一大于60度，且所述第二子结构的靠近所述第一子结构的表面面积不小于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的面积，
所述发光功能层在形成所述限定结构后形成，所述发光功能层包括多个膜层，所述多个膜层中的至少一层在所述限定结构处断开；
所述第一子结构的材料包括有机材料，且所述第二子结构的材料包括无机非金属材料；
沿垂直于衬底基板的方向，所述第一子结构的厚度为100～10000埃，且所述第二电极与所述第一子结构不接触；
所述显示基板还包括有机层，位于所述第二子结构与所述衬底基板之间，所述第一电极与所述有机层远离所述衬底基板的一侧表面接触，所述第一子结构与所述有机层为一体化的结构。
26.根据权利要求25所述的制作方法，其中，形成所述限定结构包括对所述第二材料层图案化形成所述第二子结构的同时，所述第一材料层中位于所述第二子结构正下方的部分被刻蚀形成所述第一子结构。
27.根据权利要求25或26所述的制作方法，其中，所述第二材料层为无机非金属材料层，所述第一材料层为有机材料层，对所述第一材料层和所述第二材料层同时图案化形成所述限定结构包括：采用干刻法对所述第二材料层进行刻蚀以在形成所述第二子结构时，所述有机材料层中位于所述第二子结构正下方的部分被干刻形成所述第一子结构。
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