CN107359263A - 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置，用以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题，本发明提供的有机电致发光显示面板包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续。

Description

一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electroluminesecent Display，OLED)相对于液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)，具有自发光、发光效率高、功耗低、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。
为了改善OLED显示面板的性能，提出了串联式OLED显示面板，目前制备串联式OLED显示面板的有机功能层可采用精细金属掩模罩(Fine Metal Mask,FMM)或开放式掩模罩(Open Mask)，其中，开放式掩模罩相对于精细金属掩模罩成本低，工艺简单，如图1所示，采用开放式掩模罩制备的串联式OLED显示面板，一般包括：基板01，设置于基板01上的阳极层02和界定像素单元的像素界定层03，以及覆盖阳极层02和像素界定层03的阴极层04，阳极层02和阴极层04之间设有覆盖阳极层02和像素界定层03的至少两个串联的有机电致发光单元05，每个相邻有机电致发光单元05之间设有电荷产生层06。上述串联式OLED显示面板，由于电荷产生层覆盖整个显示区(即同层电荷产生层在每个像素单元和与其相邻的像素单元之间是连续的)，且电荷产生层横向导电率大，从而容易导致出现像素串扰问题。
基于此，如何避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置，用以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题。
本发明实施例提供的一种有机电致发光显示面板包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续。
本发明实施例提供的有机电致发光显示面板，包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续，由于阴极层在凹槽处连续，这样保证了像素能够正常点亮，并且每一层电荷产生层在凹槽处均断开，这样可以避免电荷横向传导到相邻像素单元，从而可以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题。
较佳地，相邻像素单元之间的所述凹槽共用。
由于相邻像素单元之间的凹槽共用，这样可以减少相邻像素单元之间的间距，从而可以增大有机电致发光显示面板的开口率。
较佳地，所述凹槽在厚度方向贯穿所述像素界定层。
较佳地，所述凹槽包括两相对设置的侧壁，其中至少一侧壁具有凸向另一侧壁的突起部。
较佳地，所述突起部顶部在所述基板的投影到所述凹槽底部与该突起部所在的侧壁的交线在所述基板的投影的距离为0.1-5μm。
较佳地，所述有机电致发光单元为N个，N≥2的整数，所述凹槽的突起部顶部到所述凹槽底部的高度大于靠近所述阳极层一侧的(N-1)个所述有机电致发光单元的厚度和所有的所述电荷产生层的厚度之和，且小于N个所述有机电致发光单元的厚度、所有的所述电荷产生层的厚度和所述阴极层的厚度之和。
较佳地，每个所述有机电致发光单元沿阳极层一侧至阴极层一侧依次包括：
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
本发明实施例还提供了一种显示装置包括：本发明任意实施例提供的有机电致发光显示面板。
由于本发明实施例提供的显示装置包括上述的有机电致发光显示面板，而上述的有机电致发光显示面板包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续，由于阴极层在凹槽处连续，这样保证了像素能够正常点亮，并且每一层电荷产生层在凹槽处均断开，这样可以避免电荷横向传导到相邻像素单元，从而可以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题。
本发明实施例还提供了一种有机电致发光显示面板的制备方法包括：
在基板上形成阳极层；
在形成有所述阳极层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽；
在形成有所述像素界定层的所述基板上形成覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，且每个相邻有机电致发光单元之间形成有电荷产生层；其中，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开；
在距离所述基板最远的有机电致发光单元上形成覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层；其中，所述阴极层在所述凹槽处连续。
采用该方法制备的有机电致发光显示面板包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续，由于阴极层在凹槽处连续，这样保证了像素能够正常点亮，并且每一层电荷产生层在凹槽处均断开，这样可以避免电荷横向传导到相邻像素单元，从而可以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题。
较佳地，所述有机电致发光单元为N个，N≥2的整数，所述在形成有所述阳极层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层，具体包括：
在形成有所述阳极层的所述基板上的相邻像素单元之间形成限位层；其中，所述限位层的高度大于靠近所述阳极层一侧的(N-1)个所述有机电致发光单元的厚度和所有的所述电荷产生层的厚度之和，且小于N个所述有机电致发光单元的厚度、所有的所述电荷产生层的厚度和所述阴极层的厚度之和；
在形成有所述限位层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层；所述像素界定层包括位于所述限位层上且部分暴露出所述限位层的开口；
移除所述限位层，以在所述像素界定层中形成位于相邻像素单元之间凹槽；所述凹槽包括两相对设置的侧壁，其中至少一侧壁具有凸向另一侧壁的突起部。
较佳地，形成限位层，具体包括：采用SiO2材料形成限位层；
移除所述限位层，具体包括：采用CF4对所述限位层进行干法刻蚀，以移除所述限位层；或
形成限位层，具体包括：采用金属材料形成限位层；
在移除所述限位层之前，该方法还包括：对所述阳极层进行晶化处理；
移除所述限位层，具体包括：采用金属刻蚀液对所述限位层进行湿法刻蚀，以移除所述限位层；或
形成限位层，具体包括：采用正胶材料形成限位层；
形成像素界定层，具体包括：采用负胶材料形成像素界定层；
移除所述限位层，具体包括：
在曝光所述负胶像素界定层时曝光所述正胶限位层；
采用正胶剥离液剥离曝光的所述限位层。
较佳地，所述形成有机电致发光单元，具体包括：
沿阳极层一侧至阴极层一侧依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
较佳地，所述形成有机电致发光单元，具体包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备有机电致发光单元。
较佳地，所述形成电荷产生层，具体包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备电荷产生层。
较佳地，所述形成阴极层，具体包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备阴极层。
附图说明
图1为现有技术中串联式OLED显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种有机电致发光显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板中像素界定层的俯视图；
图4为本发明实施例提供的另一种有机电致发光显示面板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板中有机电致发光单元的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的制备方法的流程示意图；
图7(a)～图7(h)为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的制备工艺流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置，用以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明附图中各层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
参见图2、图3，本发明实施例提供的一种有机电致发光显示面板包括：基板11，设置于基板11上的阳极层12和界定像素单元13的像素界定层14，以及覆盖阳极层12和像素界定层14的阴极层15，阳极层12和阴极层15之间设有覆盖阳极层12和像素界定层14的至少两个串联的有机电致发光单元16(图中以2个有机电致发光单元为例，两个串联的有机电致发光单元16分别为靠近基板11一侧的第一有机电致发光单元1601和远离基板11一侧的第二有机电致发光单元1602)，每个相邻有机电致发光单元16之间设有电荷产生层17；其中，相邻像素单元13之间的像素界定层14中设有凹槽18，每一层电荷产生层17在凹槽18处均断开，阴极层15在凹槽18处连续。
其中，凹槽18可以环绕像素单元13一圈，也可环绕像素单元13多圈，对于有机电致发光显示面板的边缘的像素单元13，靠近像素单元13边缘一侧还可以不设置凹槽18，本发明实施例对此并不进行限定。
上述的有机电致发光显示面板，由于阴极层15在凹槽18处连续，这样保证了像素能够正常点亮，并且每一层电荷产生层17在凹槽18处均断开，这样可以避免电荷横向传导到相邻像素单元13，从而可以避免因电荷产生层17横向导电而导致出现像素串扰问题。
在一较佳实施方式中，为了增大有机电致发光显示面板的开口率，如图2所示，相邻像素单元13之间的凹槽18共用。当然，相邻像素单元13之间的凹槽18也可部分共用，部分不共用，例如，每一个像素单元13单元周围环绕一圈凹槽18后，再在环绕的该圈凹槽18外设置与相邻像素单元13共用的凹槽18。
在一较佳实施方式中，如图2所示，凹槽18可以设置在相邻像素单元13之间的像素界定层14的中部。
在一较佳实施方式中，如图2所示，凹槽18在厚度方向贯穿像素界定层14。当然，凹槽18在厚度方向也可以不贯穿像素界定层14，只要能保证每一层电荷产生层17在凹槽18处均可以断开，阴极层15可以在凹槽18处连续即可，如图4所示。
在一较佳实施方式中，凹槽18包括两相对设置的侧壁，其中至少一侧壁具有凸向另一侧壁的突起部19。较佳地，两侧壁均具有凸向相对侧壁的突起部19(如图2中虚线框所示)，如图2所示。
在一较佳实施方式中，突起部19顶部在基板11的投影到凹槽18底部与该突起部19所在的侧壁的交线在基板11的投影的距离L1为0.1-5μm，如图2所示。
在一较佳实施方式中，有机电致发光单元16为N个，N≥2的整数，凹槽18的突起部19顶部到凹槽18底部的高度大于靠近阳极层12一侧的(N-1)个有机电致发光单元16的厚度和所有的电荷产生层17的厚度之和，且小于N个有机电致发光单元16的厚度、所有的电荷产生层17的厚度和阴极层15的厚度之和。例如：若有机电致发光单元16为2个，凹槽18的突起部19顶部到凹槽18底部的高度H大于靠近阳极层12一侧的1个有机电致发光单元16的厚度和一层电荷产生层17的厚度之和H1，且小于2个有机电致发光单元16的厚度、一层电荷产生层17的厚度和阴极层15的厚度之和H2，如图2所示；若有机电致发光单元16为3个，凹槽18的突起部19顶部到凹槽18底部的高度大于靠近阳极层12一侧的2个有机电致发光单元16的厚度和两层电荷产生层17的厚度之和，且小于3个有机电致发光单元16的厚度、两层电荷产生层17的厚度和阴极层15的厚度之和。
在一较佳实施方式中，每个有机电致发光单元16沿阳极层12一侧至阴极层15一侧依次可以包括：
空穴注入层(HIL)161、空穴传输层(HTL)162、发光层(EML)163、电子传输层(ETL)164、电子注入层(EIL)165，如图5所示。
当然，有机电致发光单元16也可以为其它的结构，例如：有机电致发光单元16包括：空穴传输层、发光层、电子传输层；有机电致发光单元16可以为现有技术中的任意一种结构，本发明实施例对此并不进行限定。
基于同一发明构思，参见图6，本发明实施例还提供了一种有机电致发光显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S101、在基板上形成阳极层；
S102、在形成有所述阳极层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽；
S103、在形成有所述像素界定层的所述基板上形成覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，且每个相邻有机电致发光单元之间形成有电荷产生层；其中，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开；
S104、在距离所述基板最远的有机电致发光单元上形成覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层；其中，所述阴极层在所述凹槽处连续。
在一较佳实施方式中，所述有机电致发光单元为N个，N≥2的整数，步骤S102中在形成有所述阳极层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层，具体可以包括：
在形成有所述阳极层的所述基板上的相邻像素单元之间形成限位层；其中，所述限位层的高度大于靠近所述阳极层一侧的(N-1)个所述有机电致发光单元的厚度和所有的所述电荷产生层的厚度之和，且小于N个所述有机电致发光单元的厚度、所有的所述电荷产生层的厚度和所述阴极层的厚度之和；
在形成有所述限位层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层；所述像素界定层包括位于所述限位层上且部分暴露出所述限位层的开口；
移除所述限位层，以在所述像素界定层中形成位于相邻像素单元之间凹槽；所述凹槽包括两相对设置的侧壁，其中至少一侧壁具有凸向另一侧壁的突起部。
在一较佳实施方式中，上述形成限位层，具体可以包括：采用SiO2材料形成限位层；
上述移除所述限位层，具体可以包括：采用CF4对所述限位层进行干法刻蚀，以移除所述限位层。
在另一较佳实施方式中，上述形成限位层，具体还可以包括：采用金属材料形成限位层；
在移除所述限位层之前，该方法还可以包括：对所述阳极层进行晶化处理；
上述移除所述限位层，具体还可以包括：采用金属刻蚀液对所述限位层进行湿法刻蚀，以移除所述限位层。
在另一较佳实施方式中，上述形成限位层，具体还可以包括：采用正胶材料形成限位层；
形成像素界定层，具体可以包括：采用负胶材料形成像素界定层；
上述移除所述限位层，具体还可以包括：
在曝光所述负胶像素界定层时曝光所述正胶限位层；
采用正胶剥离液剥离曝光的所述限位层。
在一较佳实施方式中，上述形成有机电致发光单元，具体可以包括：
沿阳极层一侧至阴极层一侧依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
在一较佳实施方式中，上述形成有机电致发光单元，具体可以包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备有机电致发光单元。
在一较佳实施方式中，上述形成电荷产生层，具体可以包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备电荷产生层。
在一较佳实施方式中，上述形成阴极层，具体可以包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备阴极层。
下面以有机电致发光单元为2个，凹槽在厚度方向贯穿像素界定层的有机电致发光显示面板为例，结合附图7(a)～7(h)来具体说明本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的制备工艺流程。
步骤一、参见图7(a)，在基板11上形成阳极层12；
其中，阳极层12材料可以为金属、ITO。
步骤二、参见图7(b)，采用SiO2材料在形成有阳极层12的基板11上形成环绕每一个像素单元的限位层73；
例如：可以采用SiO2材料通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在形成有阳极层12的基板11上沉积SiO2膜层，然后通过曝光、显影、干刻、光刻胶剥离工艺，得到环绕每一个像素单元的限位层73。
步骤三、参见图7(c)，在形成有限位层73的基板11上形成界定像素单元的像素界定层14；
其中，像素界定层14包括位于限位层73上且部分暴露出限位层73的开口75。
步骤四、参见图7(d)，采用CF4对限位层73进行干法刻蚀，从而移除限位层73，以在像素界定层14中形成环绕每一个像素单元的凹槽18；
其中，凹槽18包括两相对设置的侧壁，两侧壁均具有凸向相对侧壁的突起部19(如图7(d)中虚线框所示)。
步骤五、参见图7(e)，采用Open mask在形成有像素界定层14的基板11上蒸镀制备第一有机电致发光单元1601；
步骤六、参见图7(f)，采用Open mask在第一有机电致发光单元1601上蒸镀制备电荷产生层17；
步骤七、参见图7(g)，采用Open mask在电荷产生层17上蒸镀制备第二有机电致发光单元1602；
步骤八、参见图7(h)，采用Open mask在第二有机电致发光单元1602上蒸镀制备阴极层15。
其中，限位层73的高度大于第一有机电致发光单元1601的厚度和电荷产生层17的厚度之和，且小于第一有机电致发光单元1601的厚度、电荷产生层17的厚度、第二有机电致发光单元1602的厚度和阴极层15的厚度之和，这样可以使得电荷产生层17在凹槽18处均断开，阴极层15在凹槽18处连续。
第一有机电致发光单元1601和第二有机电致发光单元1602均包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置包括：本发明任意实施例提供的有机电致发光显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述，本发明实施例提供的技术方案中，有机电致发光显示面板包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续，由于阴极层在凹槽处连续，这样保证了像素能够正常点亮，并且每一层电荷产生层在凹槽处均断开，这样可以避免电荷横向传导到相邻像素单元，从而可以避免因电荷产生层横向导电而导致出现像素串扰问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种有机电致发光显示面板，其特征在于，包括：基板，设置于所述基板上的阳极层和界定像素单元的像素界定层，以及覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层，所述阳极层和所述阴极层之间设有覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，每个相邻有机电致发光单元之间设有电荷产生层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开，所述阴极层在所述凹槽处连续。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，相邻像素单元之间的所述凹槽共用。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述凹槽在厚度方向贯穿所述像素界定层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述凹槽包括两相对设置的侧壁，其中至少一侧壁具有凸向另一侧壁的突起部。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述突起部顶部在所述基板的投影到所述凹槽底部与该突起部所在的侧壁的交线在所述基板的投影的距离为0.1-5μm。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述有机电致发光单元为N个，N≥2的整数，所述凹槽的突起部顶部到所述凹槽底部的高度大于靠近所述阳极层一侧的(N-1)个所述有机电致发光单元的厚度和所有的所述电荷产生层的厚度之和，且小于N个所述有机电致发光单元的厚度、所有的所述电荷产生层的厚度和所述阴极层的厚度之和。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，每个所述有机电致发光单元沿阳极层一侧至阴极层一侧依次包括：
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的有机电致发光显示面板。
9.一种有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上形成阳极层；
在形成有所述阳极层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层；其中，相邻像素单元之间的所述像素界定层中设有凹槽；
在形成有所述像素界定层的所述基板上形成覆盖所述阳极层和所述像素界定层的至少两个串联的有机电致发光单元，且每个相邻有机电致发光单元之间形成有电荷产生层；其中，每一层所述电荷产生层在所述凹槽处均断开；
在距离所述基板最远的有机电致发光单元上形成覆盖所述阳极层和所述像素界定层的阴极层；其中，所述阴极层在所述凹槽处连续。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述有机电致发光单元为N个，N≥2的整数，所述在形成有所述阳极层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层，具体包括：
在形成有所述阳极层的所述基板上的相邻像素单元之间形成限位层；其中，所述限位层的高度大于靠近所述阳极层一侧的(N-1)个所述有机电致发光单元的厚度和所有的所述电荷产生层的厚度之和，且小于N个所述有机电致发光单元的厚度、所有的所述电荷产生层的厚度和所述阴极层的厚度之和；
在形成有所述限位层的所述基板上形成界定像素单元的像素界定层；所述像素界定层包括位于所述限位层上且部分暴露出所述限位层的开口；
移除所述限位层，以在所述像素界定层中形成位于相邻像素单元之间的凹槽；所述凹槽包括两相对设置的侧壁，其中至少一侧壁具有凸向另一侧壁的突起部。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，形成限位层，具体包括：采用SiO2材料形成限位层；
移除所述限位层，具体包括：采用CF4对所述限位层进行干法刻蚀，以移除所述限位层；或
形成限位层，具体包括：采用金属材料形成限位层；
在移除所述限位层之前，该方法还包括：对所述阳极层进行晶化处理；
移除所述限位层，具体包括：采用金属刻蚀液对所述限位层进行湿法刻蚀，以移除所述限位层；或
形成限位层，具体包括：采用正胶材料形成限位层；
形成像素界定层，具体包括：采用负胶材料形成像素界定层；
移除所述限位层，具体包括：
在曝光所述负胶像素界定层时曝光所述正胶限位层；
采用正胶剥离液剥离曝光的所述限位层。
12.根据权利要求9-11任一项所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成有机电致发光单元，具体包括：
沿阳极层一侧至阴极层一侧依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成有机电致发光单元，具体包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备有机电致发光单元。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成电荷产生层，具体包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备电荷产生层。
15.根据权利要求14所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成阴极层，具体包括：
采用开放式掩模罩蒸镀制备阴极层。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108231861A (zh) * 2018-01-29 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN108493228A (zh) * 2018-05-23 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN108717942A (zh) * 2018-05-31 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制作方法、显示装置
CN108807494A (zh) * 2018-07-06 2018-11-13 云谷（固安）科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN109166882A (zh) * 2018-08-01 2019-01-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其形成方法、显示装置
WO2019010965A1 (zh) * 2017-07-12 2019-01-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法以及显示装置
CN109346505A (zh) * 2018-10-11 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN109728205A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN110459582A (zh) * 2019-08-26 2019-11-15 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制备方法、驱动控制方法、显示装置
CN110993806A (zh) * 2019-11-06 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN111146250A (zh) * 2018-11-01 2020-05-12 乐金显示有限公司 在显示区域中具有通孔的电致发光显示装置
CN111192898A (zh) * 2019-03-28 2020-05-22 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素结构、有机发光二极管及其制备方法
CN111755610A (zh) * 2019-03-26 2020-10-09 株式会社日本显示器 显示装置
CN111816684A (zh) * 2020-07-16 2020-10-23 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、其制作方法和显示装置
CN113540194A (zh) * 2021-07-12 2021-10-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2023097529A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111599936B (zh) 2020-05-25 2023-01-31 视涯科技股份有限公司 一种有机发光显示面板及制备方法
CN113540387A (zh) * 2021-07-15 2021-10-22 昆山梦显电子科技有限公司 一种微显示器及其制作方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100066221A (ko) * 2008-12-09 2010-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN103779470A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN104538423A (zh) * 2014-12-22 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件及其制造方法
CN104659070A (zh) * 2015-03-13 2015-05-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN105590954A (zh) * 2015-12-22 2016-05-18 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN106206645A (zh) * 2014-11-25 2016-12-07 乐金显示有限公司 有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法
CN106449701A (zh) * 2016-09-19 2017-02-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种oled面板及其制作方法
CN106876331A (zh) * 2017-03-03 2017-06-20 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101652996B1 (ko) * 2009-06-12 2016-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 그의 제조방법
KR102395388B1 (ko) * 2014-12-02 2022-05-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102399414B1 (ko) * 2014-12-30 2022-05-18 엘지디스플레이 주식회사 다층의 스택 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치
KR102543639B1 (ko) 2016-07-18 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치
CN107359263A (zh) * 2017-07-12 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100066221A (ko) * 2008-12-09 2010-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN103779470A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN106206645A (zh) * 2014-11-25 2016-12-07 乐金显示有限公司 有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法
CN104538423A (zh) * 2014-12-22 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件及其制造方法
CN104659070A (zh) * 2015-03-13 2015-05-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN105590954A (zh) * 2015-12-22 2016-05-18 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN106449701A (zh) * 2016-09-19 2017-02-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种oled面板及其制作方法
CN106876331A (zh) * 2017-03-03 2017-06-20 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11114636B2 (en) 2017-07-12 2021-09-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device
WO2019010965A1 (zh) * 2017-07-12 2019-01-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法以及显示装置
US11765920B2 (en) 2017-07-12 2023-09-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device
US11251242B2 (en) 2018-01-29 2022-02-15 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd Array substrate, fabrication method thereof, and display panel
CN108231861A (zh) * 2018-01-29 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
WO2019144593A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, fabrication method thereof, and display panel
US10886492B2 (en) 2018-05-23 2021-01-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display panel comprising fracture opening for blocking carrier transportation between adjacent sub-pixels
CN108493228A (zh) * 2018-05-23 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN108717942A (zh) * 2018-05-31 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制作方法、显示装置
CN108717942B (zh) * 2018-05-31 2021-11-19 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制作方法、显示装置
WO2019228259A1 (zh) * 2018-05-31 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管(oled)基板及其制作方法、显示装置
US11545529B2 (en) 2018-05-31 2023-01-03 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Organic light emitting diode (OLED) substrate and manufacturing method thereof, display device
CN108807494A (zh) * 2018-07-06 2018-11-13 云谷（固安）科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
US11024687B2 (en) 2018-07-06 2021-06-01 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Array substrate with a pixel defining layer with groove between sub-pixel areas
CN108807494B (zh) * 2018-07-06 2021-09-14 云谷（固安）科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN109166882A (zh) * 2018-08-01 2019-01-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其形成方法、显示装置
CN109166882B (zh) * 2018-08-01 2020-07-24 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其形成方法、显示装置
CN109346505A (zh) * 2018-10-11 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN111146250A (zh) * 2018-11-01 2020-05-12 乐金显示有限公司 在显示区域中具有通孔的电致发光显示装置
CN109728205A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN111755610A (zh) * 2019-03-26 2020-10-09 株式会社日本显示器 显示装置
CN111755610B (zh) * 2019-03-26 2023-08-29 株式会社日本显示器 显示装置
CN111192898A (zh) * 2019-03-28 2020-05-22 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素结构、有机发光二极管及其制备方法
CN111192898B (zh) * 2019-03-28 2022-05-17 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素结构、有机发光二极管及其制备方法
CN110459582A (zh) * 2019-08-26 2019-11-15 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制备方法、驱动控制方法、显示装置
CN110993806A (zh) * 2019-11-06 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN111816684A (zh) * 2020-07-16 2020-10-23 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、其制作方法和显示装置
CN113540194A (zh) * 2021-07-12 2021-10-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2023097529A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

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