CN106129264A - 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法。本发明的像素界定层的制作方法，在有机材料坝体的侧面形成无机覆层，得到数条像素隔离坝，然后对数条像素隔离坝进行等离子体疏水处理，使得有机材料坝体的上表面变为疏水性，形成像素界定层，由于像素隔离坝的上表面具有疏水性，可以使墨水能够更好地进入像素凹槽内，不在像素隔离坝的上表面残留，像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层，可以使墨水很好地铺展开，不因为侧面疏水而造成接触角较大，膜厚较薄，另外一方面，像素隔离坝的侧面采用无机材料，相比于有机材料，性能更加稳定，绝缘性更好，与OLED材料接触，可以使OLED材料更加稳定，延长使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、宽视角、使用温度范围广，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机功能层和阴极。目前，OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜均通过真空热蒸镀工艺制备，即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过金属掩膜板(Mask)的开孔沉积在玻璃基板上。但由于真空热蒸发制备成本高，限制了OLED显示器的大范围商业化。
喷墨打印(Ink-jet Print，IJP)具有材料利用率高等优点，是解决大尺寸OLED显示器成本问题的关键技术，IJP技术在OLED器件发光层的制备中，相比于传统的真空蒸镀工艺，具有节省材料、制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点，所以更具应用潜力。此方法是利用多个喷嘴将功能材料墨水滴入预定的像素区域，待溶剂挥发后形成所需图案。
为定义出OLED显示的像素区域，喷墨打印前需要在阳极上制备像素界定层(Bank)，通常来说，我们需要Bank的表面疏水，这样溶解有OLED材料的墨水液滴能够很容易流进Bank槽内，不会残留在Bank上表面；另一方面我们希望Bank的侧面是亲水的，这样液滴能够很好的均匀铺展开，不会在侧面产生过大的接触角使膜厚较薄。只采用一种材料是很难实现上述要求的，通常需要多种材料或是多道工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素界定层的制作方法，所制作的像素界定层，像素隔离坝的上表面具有疏水性，像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层，便于采用喷墨打印工艺制作OLED器件。
本发明的目的还在于提供一种OLED器件的制作方法，采用上述像素界定层的制作方法得到像素界定层，然后通过喷墨打印的方式形成有机功能层，工艺简单，所制作的OLED器件性能更加稳定，使用寿命较长。
为实现上述目的，本发明提供了一种像素界定层的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，在所述TFT基板上涂覆形成一层有机材料层，并通过一道黄光制程对其进行图案化处理，形成数条有机材料坝体，所述有机材料坝体具有侧面和上表面；
步骤2、在所述TFT基板、及数条有机材料坝体上沉积形成一层无机材料层，并通过一道黄光制程对其进行图案化处理，形成覆盖于所述数条有机材料坝体的侧面和上表面上的中间无机材料层；
步骤3、通过一道黄光制程对所述中间无机材料层进行图案化处理，将中间无机材料层上对应于所述数条有机材料坝体的上表面的部分去除，露出所述数条有机材料坝体的上表面，形成覆盖于所述数条有机材料坝体的侧面上的无机覆层，得到数条像素隔离坝，所述数条像素隔离坝在所述TFT基板上围出数个像素凹槽，所述数个像素凹槽的槽壁为无机覆层，形成像素界定层；
步骤4、对所述TFT基板上的像素界定层进行等离子体疏水处理，使得所述数条有机材料坝体的上表面变为疏水性。
所述步骤1中，所述有机光阻层的材料为聚酰亚胺材料、或者聚丙烯材料，所述有机光阻层的厚度1μm-3μm。
所述步骤2中，通过化学气相沉积法形成所述无机材料层。
所述无机材料层的材料为氧化硅、或者氮化硅，所述无机材料层的厚度为1μm-2μm。
所述步骤4中，进行等离子体疏水处理所采用的反应气体为CF4、或SF6，反应气体流量为500sccm-900sccm，处理时间为5min-10min。
所述步骤2中，通过一道黄光制程对无机材料层进行图案化处理的具体过程为：在所述无机材料层上涂布一层光阻材料，利用光罩进行曝光、及显影后，形成对应位于所述有机材料坝体上方的第一光阻层，以所述第一光阻层为遮蔽层，对无机材料层干蚀刻、或湿蚀刻，得到中间无机材料层。
所述步骤3中，通过一道黄光制程对中间无机材料层进行图案化处理的具体过程为：在所述中间无机材料层上涂布一层光阻材料，利用光罩进行曝光、及显影后，形成部分伸入所述像素凹槽的第二光阻层，以所述第二光阻层为遮蔽层，对中间无机材料层干蚀刻、或湿蚀刻，得到无机覆层。
所述步骤1中提供的TFT基板的上表面设有用于构成OLED器件的第一电极，所述第一电极用作OLED器件的阳极、或阴极。
本发明还提供一种OLED器件的制作方法，包括以下步骤：按照上述像素界定层的制作方法制得像素界定层，采用喷墨打印的方式在所述像素界定层在所述TFT基板上所界定的区域内形成有机功能层。
所述有机功能层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
本发明的有益效果：本发明提供的一种像素界定层的制作方法，在TFT基板上形成数条有机材料坝体，在有机材料坝体的侧面形成无机覆层，得到数条像素隔离坝，然后对数条像素隔离坝进行等离子体疏水处理，使得有机材料坝体的上表面变为疏水性，形成像素界定层，由于像素隔离坝的上表面具有疏水性，可以使墨水能够更好地进入像素凹槽内，不在像素隔离坝的上表面残留，像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层，可以使墨水很好地铺展开，不因为侧面疏水而造成接触角较大，膜厚较薄，另外一方面，像素隔离坝的侧面采用无机材料，相比于有机材料，性能更加稳定，绝缘性更好，与OLED材料接触，可以使OLED材料更加稳定，延长使用寿命。本发明提供的OLED器件的制作方法，采用上述像素界定层的制作方法得到像素界定层，然后通过喷墨打印的方式形成有机功能层，工艺简单，所制作的OLED器件性能更加稳定，使用寿命较长。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的像素界定层的制作方法的流程图；
图2为本发明的像素界定层的制作方法的步骤1的示意图；
图3-5为本发明的像素界定层的制作方法的步骤2的示意图；
图6-7为本发明的像素界定层的制作方法的步骤3的示意图；
图8为本发明的像素界定层的制作方法的步骤4的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种像素界定层的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、如图2所示，提供一TFT基板10，在所述TFT基板10上涂覆形成一层有机材料层，并通过一道黄光制程对其进行图案化处理，形成数条有机材料坝体21，所述有机材料坝体21具有侧面和上表面。
具体地，所述步骤1中提供的TFT基板10的上表面设有用于构成OLED器件的第一电极31，所述第一电极31用作OLED器件的阳极、或阴极。
具体地，所述步骤1中，所述有机光阻层的材料为聚酰亚胺(polyimide)材料、或者聚丙烯(acrylic)材料，所述有机光阻层的厚度1μm-3μm。
步骤2、如图3-5所示，在所述TFT基板10、及数条有机材料坝体21上沉积形成一层无机材料层22’，并通过一道黄光制程对其进行图案化处理，形成覆盖于所述数条有机材料坝体21的侧面和上表面上的中间无机材料层22”。
具体地，所述步骤2中，通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)形成所述无机材料层22’。
具体地，所述无机材料层22’的材料为氧化硅(SiOx)、或者氮化硅(SiNx)，所述无机材料层22’的厚度为1μm-2μm。
具体地，如图4所示，所述步骤2中，通过一道黄光制程对无机材料层22’进行图案化处理的具体过程为：在所述无机材料层22’上涂布一层光阻材料，利用光罩进行曝光、及显影后，形成对应位于所述有机材料坝体21上方的第一光阻层80，以所述第一光阻层80为遮蔽层，对无机材料层22’干蚀刻、或湿蚀刻，将无机材料层22’上对应于所述数条有机材料坝体21之外的部分去除，露出第一电极31，得到中间无机材料层22”。
步骤3、如图6-7所示，通过一道黄光制程对所述中间无机材料层22”进行图案化处理，将中间无机材料层22”上对应于所述数条有机材料坝体21的上表面的部分去除，露出所述数条有机材料坝体21的上表面，形成覆盖于所述数条有机材料坝体21的侧面上的无机覆层22，得到数条像素隔离坝，所述数条像素隔离坝在所述TFT基板10上围出数个像素凹槽，所述数个像素凹槽的槽壁为无机覆层22，形成像素界定层20。
具体地，如图6所示，所述步骤3中，通过一道黄光制程对中间无机材料层22”进行图案化处理的具体过程为：在所述中间无机材料层22”上涂布一层光阻材料，利用光罩进行曝光、及显影后，形成部分伸入所述像素凹槽的第二光阻层90，以所述第二光阻层90为遮蔽层，对中间无机材料层22”干蚀刻、或湿蚀刻，得到无机覆层22。
步骤4、如图8所示，对所述TFT基板10上的像素界定层20进行等离子体(plasma)疏水处理，使得所述数条有机材料坝体21的上表面变为疏水性。
具体地，所述步骤4中，进行等离子体疏水处理所采用的反应气体为四氟化碳(CF4)、或六氟化硫(SF6)，反应气体流量为500sccm-900sccm，处理时间为5min-10min。
具体地，该步骤4中，在对所述像素界定层20进行等离子体疏水处理过程中，被露出的有机材料坝体21的上表面在反应气体的作用下，会变为疏水性，而无机材料的无机覆层22不会受等离子体疏水处理的影响，还是保持亲水性。
本发明所制作得到的像素界定层20，由于有机材料坝体21的上表面经等离子体疏水处理后变为疏水性，即像素隔离坝的上表面具有疏水性，那么在后续采用喷墨打印工艺制作OLED器件时，可以使墨水能够更好地进入像素凹槽内，不在像素隔离坝的上表面残留，像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层22，可以使墨水很好地在像素凹槽内铺展开，不因为侧面疏水而造成接触角较大，膜厚较薄，另外一方面，像素隔离坝的侧面采用无机材料，相比于有机材料，性能更加稳定，绝缘性更好，与OLED材料接触，可以使OLED材料更加稳定，延长使用寿命。
相应的，基于上述的像素界定层的制作方法，本发明还提供一种OLED器件的制作方法，包括以下步骤：
步骤10、按照上述像素界定层的制作方法制得像素界定层20，具体制作过程在此不再赘述。
步骤20、采用喷墨打印的方式在所述像素界定层20在所述TFT基板10上所界定的区域内形成有机功能层。
具体地，当所述第一电极31作为OLED器件的阳极时，所述有机功能层包括由下至上依次形成的空穴注入层(Hole injection layer，HIL)、空穴传输层(Hole transportlayer，HTL)、发光层(Emitting layer，EL)、电子传输层(Electron transport layer，ETL)和电子注入层(Electron injection layer，EIL)；当所述第一电极31作为OLED器件的阴极时，所述有机功能层包括由下至上依次形成的EIL、ETL、EL、HTL、和HIL。
具体地，本发明所制作得到的像素界定层20，由于有机材料坝体21的上表面经等离子体疏水处理后变为疏水性，即像素隔离坝的上表面具有疏水性，那么该在步骤20中，采用喷墨打印工艺形成有机功能层时，可以使墨水能够更好地进入像素凹槽内，不在像素隔离坝的上表面残留，像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层22，可以使墨水很好地在像素凹槽内铺展开，不因为侧面疏水而造成接触角较大，膜厚较薄，另外一方面，像素隔离坝的侧面采用无机材料，相比于有机材料，性能更加稳定，绝缘性更好，与OLED材料接触，可以使OLED材料更加稳定，延长使用寿命。
步骤30、在所述像素界定层20和所述有机功能层上蒸镀形成第二电极，形成包括第一电极31、有机功能层、及第二电极的OLED器件。
具体地，当所述第一电极31作为OLED器件的阳极时，所述第二电极用作OLED器件的阴极，当所述第一电极31作为OLED器件的阴极时，所述第二电极用作OLED器件的阳极。
综上所述，本发明提供的一种像素界定层的制作方法，在TFT基板上形成数条有机材料坝体，在有机材料坝体的侧面形成无机覆层，得到数条像素隔离坝，然后对数条像素隔离坝进行等离子体疏水处理，使得有机材料坝体的上表面变为疏水性，形成像素界定层，由于像素隔离坝的上表面具有疏水性，可以使墨水能够更好地进入像素凹槽内，不在像素隔离坝的上表面残留，像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层，可以使墨水很好地铺展开，不因为侧面疏水而造成接触角较大，膜厚较薄，另外一方面，像素隔离坝的侧面采用无机材料，相比于有机材料，性能更加稳定，绝缘性更好，与OLED材料接触，可以使OLED材料更加稳定，延长使用寿命。本发明提供的OLED器件的制作方法，采用上述像素界定层的制作方法得到像素界定层，然后通过喷墨打印的方式形成有机功能层，工艺简单，所制作的OLED器件性能更加稳定，使用寿命较长。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种像素界定层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上涂覆形成一层有机材料层，并通过一道黄光制程对其进行图案化处理，形成数条有机材料坝体(21)，所述有机材料坝体(21)具有侧面和上表面；
步骤2、在所述TFT基板(10)、及数条有机材料坝体(21)上沉积形成一层无机材料层(22’)，并通过一道黄光制程对其进行图案化处理，形成覆盖于所述数条有机材料坝体(21)的侧面和上表面上的中间无机材料层(22”)；
步骤3、通过一道黄光制程对所述中间无机材料层(22”)进行图案化处理，将中间无机材料层(22”)上对应于所述数条有机材料坝体(21)的上表面的部分去除，露出所述数条有机材料坝体(21)的上表面，形成覆盖于所述数条有机材料坝体(21)的侧面上的无机覆层(22)，得到数条像素隔离坝，所述数条像素隔离坝在所述TFT基板(10)上围出数个像素凹槽，所述数个像素凹槽的槽壁为无机覆层(22)，形成像素界定层(20)；
步骤4、对所述TFT基板(10)上的像素界定层(20)进行等离子体疏水处理，使得所述数条有机材料坝体(21)的上表面变为疏水性。
2.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述有机光阻层的材料为聚酰亚胺材料、或者聚丙烯材料，所述有机光阻层的厚度1μm-3μm。
3.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，通过化学气相沉积法形成所述无机材料层(22’)。
4.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述无机材料层(22’)的材料为氧化硅、或者氮化硅，所述无机材料层(22’)的厚度为1μm-2μm。
5.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，进行等离子体疏水处理所采用的反应气体为CF4、或SF6，反应气体流量为500sccm-900sccm，处理时间为5min-10min。
6.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，通过一道黄光制程对无机材料层(22’)进行图案化处理的具体过程为：在所述无机材料层(22’)上涂布一层光阻材料，利用光罩进行曝光、及显影后，形成对应位于所述有机材料坝体(21)上方的第一光阻层(80)，以所述第一光阻层(80)为遮蔽层，对无机材料层(22’)干蚀刻、或湿蚀刻，得到中间无机材料层(22”)。
7.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，通过一道黄光制程对中间无机材料层(22”)进行图案化处理的具体过程为：在所述中间无机材料层(22”)上涂布一层光阻材料，利用光罩进行曝光、及显影后，形成部分伸入所述像素凹槽的第二光阻层(90)，以所述第二光阻层(90)为遮蔽层，对中间无机材料层(22”)干蚀刻、或湿蚀刻，得到无机覆层(22)。
8.如权利要求1所述的像素界定层的制作方法，其特征在于，所述步骤1中提供的TFT基板(10)的上表面设有用于构成OLED器件的第一电极(31)，所述第一电极(31)用作OLED器件的阳极、或阴极。
9.一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：按照如权利要求1-8中任一项所述的像素界定层的制作方法制得像素界定层(20)，采用喷墨打印的方式在所述像素界定层(20)在所述TFT基板(10)上所界定的区域内形成有机功能层。
10.如权利要求9所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述有机功能层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610588747.2A CN106129264B (zh) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201610588747.2A CN106129264B (zh) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106129264A true CN106129264A (zh) | 2016-11-16 |
| CN106129264B CN106129264B (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=57290299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610588747.2A Active CN106129264B (zh) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106129264B (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107248523A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定层及其制造方法 |
| CN107919379A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-04-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
| CN108198843A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN109307950A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-02-05 | 三星显示有限公司 | 显示设备和制造该显示设备的方法 |
| CN109515020A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 云谷（固安）科技有限公司 | 喷墨打印方法 |
| CN109599424A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109817668A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN110212007A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置以及制作显示基板的方法 |
| US10424626B2 (en) | 2017-11-06 | 2019-09-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display with light-blocked pixel isolation layer and manufacture method thereof |
| CN111223901A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-06-02 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| GB2581020A (en) * | 2018-12-14 | 2020-08-05 | Lg Display Co Ltd | Electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| CN112164708A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板制备方法和oled显示面板 |
| WO2021073363A1 (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的封装结构、封装方法及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1692679A (zh) * | 2002-09-11 | 2005-11-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
| WO2009147838A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| CN104167430A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN104733505A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光显示器的像素界定层及其制作方法 |
-
2016
- 2016-07-21 CN CN201610588747.2A patent/CN106129264B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1692679A (zh) * | 2002-09-11 | 2005-11-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
| WO2009147838A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| CN104167430A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN104733505A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光显示器的像素界定层及其制作方法 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109307950A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-02-05 | 三星显示有限公司 | 显示设备和制造该显示设备的方法 |
| CN107248523A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定层及其制造方法 |
| CN109515020A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 云谷（固安）科技有限公司 | 喷墨打印方法 |
| CN107919379A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-04-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
| WO2019085108A1 (zh) * | 2017-11-06 | 2019-05-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
| US10424626B2 (en) | 2017-11-06 | 2019-09-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display with light-blocked pixel isolation layer and manufacture method thereof |
| CN108198843B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-08-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板制备方法 |
| CN108198843A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN109599424A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
| US11329115B2 (en) * | 2018-12-06 | 2022-05-10 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd | Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus |
| GB2581020B (en) * | 2018-12-14 | 2021-04-21 | Lg Display Co Ltd | Electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| GB2581020A (en) * | 2018-12-14 | 2020-08-05 | Lg Display Co Ltd | Electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| US10847590B2 (en) | 2018-12-14 | 2020-11-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| CN109817668A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN110212007A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置以及制作显示基板的方法 |
| WO2021073363A1 (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的封装结构、封装方法及显示装置 |
| US11805670B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-10-31 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Packaging structure for display substrate, packaging method and display device |
| CN111223901A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-06-02 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN111223901B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-07-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN112164708A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板制备方法和oled显示面板 |
| US11957000B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-04-09 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode panel and method of preparing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106129264B (zh) | 2018-06-05 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |