CN112164708A - Oled显示面板制备方法和oled显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阵列层、以及设置在所述阵列层上的平坦层，还包括设置在所述平坦层上的阳极、以及设置在相邻阳极之间的像素定义层，在所述阳极上方设置有发光层、阴极、封装层，其中，所述像素定义层的制备材料为遮光材料；通过将像素定义层用遮光材料制备，遮挡了OLED显示面板内反射光和侧面漏光对TFT器件的影响。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板制备方法和一种OLED显示面板。
背景技术
现有OLED显示面板内存在大量的反射光，平坦层和像素定义层的透光率较高，OLED显示面板内的反射光容易直接照射到TFT器件，影响TFT器件的正常显示，因此，现有OLED显示面板存在像素定义层透光率过高的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板，可缓解现有OLED显示面板存在像素定义层透光率过高的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法，包括：
提供一衬底基板；
依次在所述衬底基板上形成阵列层、平坦层；
在所述平坦层上形成一导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极；
在所述阳极上方制备具有遮光性的有机光阻形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成位于相邻所述阳极之间的像素定义层；
利用等离子体氟化处理所述像素定义层表面，在所述像素定义层表面形成一疏水层；
在阳极上依次形成发光层、阴极、以及封装层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，形成所述像素定义层的步骤还包括：在所述阳极上方制备黑色矩阵材料形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，形成所述像素定义层的步骤还包括：在所述阳极上方制备红色色阻材料形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，形成所述疏水层的步骤还包括：通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的任一种含氟气体对所述像素定义层表面进行氟化处理，形成一疏水层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，形成所述疏水层的步骤还包括：通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的至少两种的混含氟气体对所述像素定义层表面进行氟化处理，形成一疏水层。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阵列层、以及设置在所述阵列层上的平坦层，还包括设置在所述平坦层上的阳极、以及设置在相邻阳极之间的像素定义层，在所述阳极上方设置有发光层、阴极、封装层，其中，所述像素定义层的制备材料为遮光材料。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述像素定义层上设置有疏水层，所述疏水层的疏水材料还设置在像素定义层位于发光区的内侧表面。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述阵列层包括阵列分布的TFT器件,所述阳极包括一金属膜层,所述金属膜层与所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述TFT器件在所述衬底基板上的正投影,所述金属膜层与所述像素定义层用于一同阻挡射向所述TFT器件的反射光。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，像素定义层包括疏水层，所述疏水层位于像素定义层的上表面，所述疏水层至少包括氟元素。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述像素定义层的制备材料为黑色矩阵材料或红色色阻材料，在疏水层下方的所述像素定义层中，氟的含量占材料中碳、氧、氟、氮元素总含量的比例不超过百分之八。
有益效果：本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阵列层、以及设置在所述阵列层上的平坦层，还包括设置在所述平坦层上的阳极、以及设置在相邻阳极之间的像素定义层，在所述阳极上方设置有发光层、阴极、封装层，其中，所述像素定义层的制备材料为遮光材料；通过将像素定义层做成遮光材料，极大程度地增强OLED显示面板的遮光效果，防止OLED显示面板侧向漏光对TFT器件的影响。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的第一种截面示意图；
图3为本发明实施例提供的OLED显示面板的第二种截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图1所示，本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：
S1:提供一衬底基板10；
S2:依次在所述衬底基板10上形成阵列层20、平坦层30；
S3:在所述平坦层30上形成一导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极40；
S4:在所述阳极40上方制备具有遮光性的有机光阻形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成位于相邻所述阳极40之间的像素定义层501；
S5:利用等离子体氟化处理所述像素定义层501表面，在所述像素定义层501表面形成一疏水层502；
S6:在所述疏水层502上依次形成发光层60、阴极70、以及封装层80。
在一种实施例中，形成所述像素定义层501的步骤还包括：在所述阳极40上方制备黑色矩阵材料形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层501。
在一种实施例中，形成所述像素定义层501的步骤还包括：在所述阳极40上方制备红色色阻材料形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层501。
在一种实施例中，形成所述疏水层502的步骤还包括：通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的任一种含氟气体对所述像素定义层501表面进行氟化处理，形成一疏水层502。
在一种实施例中，形成所述疏水层502的步骤还包括：通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的至少两种的混含氟气体对所述像素定义层501表面进行氟化处理，形成一疏水层502。
在一种实施例中，形成所述像素定义层501的步骤还包括：在所述阳极40上方整面涂布黑色矩阵材料形成一有机光阻层，所述有机光阻层的厚度范围为0.8微米至5微米。
其中，有机光阻层的厚度小于0.8微米时，遮光效果不佳。
其中，有机光阻层的厚度大于5微米时，容易造成OLED显示面板过厚的问题。
在一种实施例中，形成所述疏水层502的步骤还包括：通入含氟气体对所述像素定义层501表面进行氟化处理，形成一疏水层502，其中，疏水层502的厚度小于0.2微米。
其中，在疏水层502下方的像素定义层501中，氟的含量占碳、氧、氟、氮元素含量的比例不超过百分之八。
在一种实施例中，在形成阵列层20的步骤中，还包括：在衬底基板10上方制备一层无机钝化层材料，并采用光刻工艺在TFT器件相应电极位置设置开孔。
在一种实施例中，在形成平坦层30的步骤中，还包括：在阵列层20上形成一有机光阻层，在TFT器件相应电极位置设置开孔以形成平坦层30。
在一种实施例中，在形成阳极40的步骤中，还包括：在平坦层30上沉积一层金属，通过刻蚀等方式把阳极40图案以外的金属材料去除，形成阳极40。
在一种实施例中，在提供衬底基板10的步骤中，所述衬底基板10可以是刚性的，也可以是柔性的。
在一种实施例中，有机光阻层可以是PI系、亚克力系等有机光阻中的一种。
在一种实施例中，所述图案化和过孔方式至少包括涂敷光阻、曝光、显影等制程步骤中的一种制程步骤。
在一种实施例中，所述OLED显示面板可以为半导体为氧化铟镓锌材料的顶发光OLED面板。
如图2所示，本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括衬底基板10、设置在所述衬底基板10上的阵列层20、以及设置在所述阵列层20上的平坦层30，还包括依次设置在所述平坦层30上的阳极40、像素定义层501、发光层60、阴极70、封装层80，其中，所述像素定义层501的制备材料为遮光材料。
在本实施例中，OLED显示面板包括衬底基板10、设置在所述衬底基板10上的阵列层20、以及设置在所述阵列层20上的平坦层30，还包括依次设置在所述平坦层30上的阳极40、像素定义层501、发光层60、阴极70、封装层80，其中，所述像素定义层501的制备材料为遮光材料；通过将像素定义层501做成遮光材料，极大程度地增强OLED显示面板的遮光效果，防止OLED显示面板侧向漏光对TFT器件的影响。
其中，所述像素定义层501的遮光材料为有机遮光材料。
其中，所述阳极40与所述发光层60触接，所述像素定义层501内侧表面与发光层60触接。
其中，在所述阳极40与所述发光层60触接的表面设置疏水层502。
其中，在所述像素定义层501内侧表面与发光层60触接的表面也设置有疏水层502，在打印发光层60时，所述疏水层502用于防止打印墨水从一子像素区域扩散至相邻另一子像素区域。
其中，所述发光功能层从下到上依次包括阳极40、发光层60以及阴极70。
其中，所述封装层80设置在所述阴极70上。
其中，所述紫外光阻挡层可以设置在钝化保护层和发光层60之间。
其中，所述TFT器件包含半导体层、层间绝缘层、栅极、绝缘层、源漏极。
如图3所示，在一种实施例中，所述像素定义层501上设置有疏水层502，所述疏水层502的疏水材料还设置在像素定义层501位于发光区的内侧表面。
其中，所述疏水层502可以设置在像素定义层501与发光层60触接的表面。
其中，所述疏水层502也可以设置在像素定义层501上表面。
在一种实施例中，所述阳极40包括一金属膜层,所述金属膜层的光透过率低,所述金属膜层与所述像素定义层501遮光材料一同阻挡反射光进入下方TFT器件。
在一种实施例中，所述阵列层包括阵列分布的TFT器件,所述阳极包括一金属膜层,所述金属膜层与所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述TFT器件在所述衬底基板上的正投影,所述金属膜层与所述像素定义层用于一同阻挡射向所述TFT器件的反射光
在一种实施例中，像素定义层501包括疏水层502，所述疏水层502位于像素定义层501的上表面，所述疏水层501至少包括氟元素。
其中，所述疏水层502的制备材料可以包括碳元素。
其中，所述疏水层502的制备材料也可以包括氮元素。
其中，所述疏水层502的制备材料还可以包括氧元素。
在本实施例中，所述疏水层502的制备材料是有由机光阻材料受含氟气体氟化处理得到，所述疏水层502的厚度不大于0.2微米，所述疏水层502的元素组成与有机光阻材料的元素、以及含氟气体的元素有关。
其中，当含氟气体包括三氟化氮时，所述疏水层502的元素组成至少包括氟元素和氮元素。
其中，当含氟气体包括四氟化碳时，所述疏水层502的元素组成至少包括氟元素和碳元素。
其中，当含氟气体包括六氟化硫时，所述疏水层502的元素组成至少包括氟元素和硫元素。
在一种实施例中，所述像素定义层501的制备材料为黑色矩阵材料或红色色阻材料。
在一种实施例中，所述有机光阻层的厚度范围为0.8微米至5微米。
其中，有机光阻层的厚度小于0.8微米时，遮光效果不佳。
其中，有机光阻层的厚度大于5微米时，容易造成OLED显示面板过厚的问题。
其中，当有机光阻层的厚度为0.8微米时，有利于实现超薄OLED显示面板，且像素定义层501的遮光效果依然满足OLED显示面板的需求。
其中，当有机光阻层的厚度为5微米时，所述像素定义层501的遮光效果最好，继续增大有机光阻层的厚度也无法增强遮光效果。
在本实施例中，通过调整有机光阻层的厚度，可以达到不同产品的不同需求，对于需要实现超薄而对遮光效果要求不高的OLED显示面板产品，可以设置有机光阻层的厚度趋近于0.8微米；对于在需要很好的遮光效果的OLED显示面板中，可以设置有机光阻层的厚度趋近于5微米。
在本实施例中，有机光阻层的厚度为像素定义层501的厚度与疏水层502的厚度之和。
在一种实施例中，所述疏水层502的厚度小于0.2微米。
其中，在所述疏水层502下方的所述像素定义层501中，氟的含量占碳、氧、氟、氮元素含量的比例不超过百分之八。
其中，所述像素定义层501中所述氟的含量在远离所述疏水层502的方向上依次递减。
在一种实施例中，钝化层的制备材料为无机钝化材料。
在一种实施例中，所述衬底基板10可以是刚性的，所述衬底基板10也可以是柔性的。
在一种实施例中，所述有机光阻层可以是PI系、亚克力系等有机光阻中的一种。
在一种实施例中，所述阳极40可以是氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、银/氧化镓锡等复合结构中的任一种。
如图2所示，本发明实施例提供一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括OLED显示面板、反射片、光学膜片、背板、玻璃板，所述OLED显示面板包括衬底基板10、设置在所述衬底基板10上的阵列层20、以及设置在所述阵列层20上的平坦层30，还包括设置在所述平坦层30上的阳极40、以及设置在相邻阳极40之间的像素定义层501，在所述阳极40上方设置有发光层60、阴极70、封装层80，其中，所述像素定义层501的制备材料为遮光材料。
在本实施例中，OLED显示面板包括衬底基板10、设置在所述衬底基板10上的阵列层20、以及设置在所述阵列层20上的平坦层30，还包括设置在所述平坦层30上的阳极40、以及设置在相邻阳极40之间的像素定义层501，在所述阳极40上方设置有发光层60、阴极70、封装层80，其中，所述像素定义层501的制备材料为遮光材料；通过将像素定义层501做成遮光材料，极大程度地增强OLED显示面板的遮光效果，防止OLED显示面板侧向漏光对TFT器件的影响。
其中，所述像素定义层501的遮光材料为有机遮光材料。
其中，所述阳极40与所述发光层60触接，所述像素定义层501内侧表面与发光层60触接。
其中，在所述阳极40与所述发光层60触接的表面设置疏水层502。
其中，在所述像素定义层501内侧表面与发光层60触接的表面也设置有疏水层502，在打印发光层60时，所述疏水层502用于防止打印墨水从一子像素区域扩散至相邻另一子像素区域。
其中，所述发光功能层从下到上依次包括阳极40、发光层60以及阴极70。
其中，所述封装层80设置在所述阴极70上。
其中，所述紫外光阻挡层可以设置在钝化保护层和发光层60之间。
其中，所述TFT器件包含半导体层、层间绝缘层、栅极、绝缘层、源漏极。
如图3所示，在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述像素定义层501上设置有疏水层502。
其中，所述疏水层502可以设置在像素定义层501与发光层60触接的表面。
其中，所述疏水层502也可以设置在像素定义层501上表面。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述疏水层502的疏水材料还设置在像素定义层501位于发光区的内侧表面。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，像素定义层包括疏水层，所述疏水层位于像素定义层的上表面，所述疏水层至少包括氟元素。
其中，所述疏水层502的制备材料可以包括碳元素。
其中，所述疏水层502的制备材料也可以包括氮元素。
其中，所述疏水层502的制备材料还可以包括氧元素。
在本实施例中，所述疏水层502的制备材料是有由机光阻材料受含氟气体氟化处理得到，所述疏水层502的厚度不大于2微米，所述疏水层502的元素组成与有机光阻材料的元素、以及含氟气体的元素有关。
其中，当含氟气体包括三氟化氮时，所述疏水层502的元素组成至少包括氟元素和氮元素。
其中，当含氟气体包括四氟化碳时，所述疏水层502的元素组成至少包括氟元素和碳元素。
其中，当含氟气体包括六氟化硫时，所述疏水层502的元素组成至少包括氟元素和硫元素。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述像素定义层501的制备材料为黑色矩阵材料或红色色阻材料。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述有机光阻层的厚度范围为0.8微米至5微米。
其中，有机光阻层的厚度小于0.8微米时，遮光效果不佳。
其中，有机光阻层的厚度大于5微米时，容易造成OLED显示面板过厚的问题。
其中，当有机光阻层的厚度为0.8微米时，有利于实现超薄OLED显示面板，且像素定义层501的遮光效果依然满足OLED显示面板的需求。
其中，当有机光阻层的厚度为5微米时，所述像素定义层501的遮光效果最好，继续增大有机光阻层的厚度也无法增强遮光效果。
在本实施例中，通过调整有机光阻层的厚度，可以达到不同产品的不同需求，对于需要实现超薄而对遮光效果要求不高的OLED显示面板产品，可以设置有机光阻层的厚度趋近于0.8微米；对于在需要很好的遮光效果的OLED显示面板中，可以设置有机光阻层的厚度趋近于5微米。
在本实施例中，有机光阻层的厚度为像素定义层501的厚度与疏水层502的厚度之和。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述疏水层502的厚度小于0.2微米。
其中，在所述疏水层502下方的所述像素定义层501中，氟的含量占碳、氧、氟、氮元素含量的比例不超过百分之八。
其中，所述像素定义层501中所述氟的含量在远离所述疏水层502的方向上依次递减。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，钝化层的制备材料为无机钝化材料。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述衬底基板10可以是刚性的，所述衬底基板10也可以是柔性的。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述有机光阻层可以是PI系、亚克力系等有机光阻中的一种。
在一种实施例中，在OLED显示装置中，所述阳极40可以是氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、银/氧化镓锡等复合结构中的任一种。
本发明提供的OLED显示面板及OLED显示装置，像素定义层501的制备材料为有机光阻材料，可以有效遮挡侧向漏光和反射光对TFT器件的影响，同时通过氟化处理有机光阻材料上表面，形成所述疏水层502，在保证像素定义层501功能的前提下，遮挡光线照射TFT器件，同时本发明提供的OLED显示面板及OLED显示装置中像素定义层501的制备成本更低。
本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阵列层、以及设置在所述阵列层上的平坦层，还包括设置在所述平坦层上的阳极、以及设置在相邻阳极之间的像素定义层，在所述阳极上方设置有发光层、阴极、封装层，其中，所述像素定义层的制备材料为遮光材料；通过将像素定义层做成遮光材料，极大程度地增强OLED显示面板的遮光效果，防止OLED显示面板侧向漏光对TFT器件的影响。
以上对本发明实施例所提供的一种进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
依次在所述衬底基板上形成阵列层、平坦层；
在所述平坦层上形成一导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极；
在所述阳极上方制备具有遮光性的有机光阻形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成位于相邻所述阳极之间的像素定义层；
利用等离子体氟化处理所述像素定义层表面，在所述像素定义层表面形成一疏水层；
在阳极上依次形成发光层、阴极、以及封装层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层的步骤还包括：在所述阳极上方制备黑色矩阵材料形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，形成所述像素定义层的步骤还包括：在所述阳极上方制备红色色阻材料形成一有机光阻层，对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，形成所述疏水层的步骤还包括：通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的任一种含氟气体对所述像素定义层表面进行氟化处理，形成一疏水层。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，形成所述疏水层的步骤还包括：通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的至少两种的混含氟气体对所述像素定义层表面进行氟化处理，形成一疏水层。
6.一种OLED显示面板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阵列层、以及设置在所述阵列层上的平坦层，还包括设置在所述平坦层上的阳极、以及设置在相邻阳极之间的像素定义层，在所述阳极上方设置有发光层、阴极、封装层，其中，所述像素定义层的制备材料为遮光材料。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层上设置有疏水层，所述疏水层的疏水材料还设置在像素定义层靠近所述发光层一侧表面。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阵列层包括阵列分布的TFT器件,所述阳极包括一金属膜层,所述金属膜层与所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述TFT器件在所述衬底基板上的正投影,所述金属膜层与所述像素定义层用于一同阻挡射向所述TFT器件的反射光。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层包括疏水层，所述疏水层位于像素定义层的上表面，所述疏水层至少包括氟元素。
10.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层的制备材料为黑色矩阵材料或红色色阻材料，在疏水层下方的所述像素定义层中，氟的含量占材料中碳、氧、氟、氮元素总含量的比例不超过百分之八。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113097407A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113097406A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113097268A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及电子设备 |
| CN113903781A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-07 | 北海惠科光电技术有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101543135A (zh) * | 2007-05-31 | 2009-09-23 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件和其制造方法 |
| CN104659287A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN106129264A (zh) * | 2016-07-21 | 2016-11-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 |
| CN106896564A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-06-27 | 住华科技股份有限公司 | 彩色滤光片及其制作方法 |
| WO2019119235A1 (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-27 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种显示器及其显示器制造方法 |
| CN111092100A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-05-01 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制备方法、显示器件 |
| CN111613654A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196298A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| KR100768191B1 (ko) * | 2005-11-12 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조방법 및 유기 발광 표시장치 |
| KR101258255B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2013-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크리스 노광 장비를 사용한 박막 트랜지스터 기판의제조방법 |
| KR101437866B1 (ko) * | 2007-10-15 | 2014-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제어방법 |
| CN104752490B (zh) | 2015-04-16 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
| US11063237B2 (en) * | 2016-12-02 | 2021-07-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
| CN106816557A (zh) | 2017-03-02 | 2017-06-09 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示面板 |
| CN108091772B (zh) | 2017-06-27 | 2019-09-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | Oled显示单元及显示面板 |
| CN108010954B (zh) * | 2017-12-15 | 2023-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板 |
| US10985226B2 (en) * | 2018-01-09 | 2021-04-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Ink jet printing organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof |
| CN108649052B (zh) | 2018-04-28 | 2021-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN110098220B (zh) | 2018-04-28 | 2021-05-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素界定结构及发光器件的制作方法 |
| KR102480092B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN109148516A (zh) | 2018-07-20 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定结构及其制备方法、oled器件 |
| CN109166879A (zh) | 2018-07-20 | 2019-01-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定结构及其制备方法、oled器件 |
| EP3660907B1 (en) | 2018-11-28 | 2023-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN109616497A (zh) | 2018-11-30 | 2019-04-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板 |
-
2020
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101543135A (zh) * | 2007-05-31 | 2009-09-23 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件和其制造方法 |
| CN104659287A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN106129264A (zh) * | 2016-07-21 | 2016-11-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 |
| CN106896564A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-06-27 | 住华科技股份有限公司 | 彩色滤光片及其制作方法 |
| WO2019119235A1 (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-27 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种显示器及其显示器制造方法 |
| CN111092100A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-05-01 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制备方法、显示器件 |
| CN111613654A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113097407A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113097406A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113097268A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及电子设备 |
| CN113097268B (zh) * | 2021-03-30 | 2024-04-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及电子设备 |
| CN113903781A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-07 | 北海惠科光电技术有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| CN113903781B (zh) * | 2021-09-28 | 2022-12-06 | 北海惠科光电技术有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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