CN111092100A

CN111092100A - 像素结构及其制备方法、显示器件

Info

Publication number: CN111092100A
Application number: CN201811235261.6A
Authority: CN
Inventors: 高卓; 唐卫东; 杨曦
Original assignee: Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Current assignee: Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority date: 2018-10-23
Filing date: 2018-10-23
Publication date: 2020-05-01
Anticipated expiration: 2038-10-23
Also published as: CN111092100B

Abstract

本发明涉及一种像素结构及其制备方法、显示器件。其中，像素结构包括：TFT基板；像素定义层，包括形成于所述TFT基板上的像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。该能实现高分辨率显示器件的印刷。

Description

像素结构及其制备方法、显示器件

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种像素结构及其制备方法、显示器件。

背景技术

市场对显示器分辨率的要求越来越高，高分辨率的像素图案化技术对于显示器来说是一项至关重要的技术。目前，喷墨打印技术正在发展成为下一代的OLED像素图案化技术。

在印刷工艺中，需要制备像素定义层(pixel definition layer，PDL，或者被称为Bank)，常用的bank制备采用黄光工艺，利用曝光显影等工艺来形成深度统一、形状基本固定的像素凹槽，用作容纳印刷墨水的“容器”。由于受打印设备精度以及墨水液滴尺寸的影响，对于传统的RGB条状排列的像素结构，很难实现高分辨率显示器件的制备。虽然，通过将相连像素的子像素共用掩膜(mask)上的开口，可以有效提高显示器件的分辨率，但是随着分辨率的增大，各子像素的尺寸就会减小，相应地各子像素凹槽的体积变小，像素凹槽内的墨水还是会因为体积变小而溢出像素凹槽，与相邻不同颜色的子像素发生颜色串扰，引起显示效果下降。

而且，为了使像素凹槽内的印刷墨水干燥之后形成厚度均匀的薄膜，通常要求bank的上端具有疏水性，下端具有亲水性，像素定义层各个部位对材料的亲疏水特性有特定要求，因此，要满足高分辨率显示器件的印刷要求，像素结构还需要改进和发展。

发明内容

基于此，有必要提供一种像素结构，能够解决因显示器件分辨率增大而引起像素面积减小、墨水外溢造成颜色串扰以及成膜不均匀的问题。

一种像素结构，包括：

TFT基板；

像素定义层，包括形成于所述TFT基板上的像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；

所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。

本发明上述像素结构，一方面所述像素隔离柱将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度，从而位于第一像素凹槽的多个同种颜色的子像素可以一起共用第一像素凹槽的开口，同时进行打印，从而成倍的增大了墨水的沉积区域，因此可以有效减小各子像素的尺寸，同时保证墨水不会因子像素面积过小而发生溢出，弥补打印设备机械精度不足；另一方面，经过氟等离子体表面处理能有效控制像素定义层不同部位对亲疏水特性的要求，能够有效控制钉扎点的高度，有利于后续打印墨水的铺展及成膜后的均匀性控制，提高成膜均匀性，利于实现高分辨率显示器件的印刷。

在其中一个实施例中，所述像素定义层主体高于所述像素隔离柱的部分侧壁也经过氟等离子体处理形成疏水层。

在其中一个实施例中，所述像素定义层主体的高度为0.8μm～1.5μm，所述像素隔离柱的高度为0.2μm～0.5μm。

在其中一个实施例中，所述像素隔离柱的侧壁与所述TFT基板的夹角为25°～65°。

进一步地，所述像素隔离柱的侧壁与所述TFT基板的夹角为45°～55°。

在其中一个实施例中，所述疏水层与水的接触角大于100°，所述第二像素凹槽的底部与水的接触角小于10°。

本发明另一目的在于提供一种像素结构的制备方法，包括如下步骤：

提供TFT基板；

于所述TFT基板上沉积形成像素定义层，所述像素定义层包括像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；

对所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面进行氟等离子体处理形成疏水层，即可。

在其中一个实施例中，所述于所述TFT基板上沉积形成像素定义层的步骤为：于所述TFT基板上沉积像素定义层材料，形成像素定义层薄膜，利用纳米压印模具对所述像素定义层薄膜进行纳米压印，去除残留在所述TFT基板的电极上的像素定义层材料，形成所述像素定义层；

所述纳米压印模具包括底板和设于底板上的分别与所述第一像素凹槽一一对应的多个凸起部，每一个所述凸起部的顶面设有与所述第二像素凹槽一一对应的凸起区域。

在其中一个实施例中，所述氟等离子体处理的气体源为含氟气体，工艺参数为：压强为100mTorr～900mTorr，腔室真空度为10Pa～30Pa，设备工作频率13MHz，工作功率20W～45W，处理时间为10s～120s。

在其中一个实施例中，所述像素定义层材料至少包括一种亲水性材料和一种疏水性材料。

本发明又一目的在于提供一种显示器件，包括上述像素结构和形成于所述像素结构上的发光功能层。

本发明利用纳米压印技术替代传统黄光工艺制备像素bank结构，由两道黄光工艺简化为一道纳米压印工艺，且为像素bank结构设计带来了更多便利。一方面，纳米压印技术可以方便调控每个像素凹槽的深度、形状、斜面倾斜角度，以及钉扎点高度等参数，有利于打印墨水的成膜及微腔效应的调节；另一方面，结合等离子体处理工艺，更有效地控制bank表面亲疏水特性，使得bank表面和bank底部亲疏水特性差异更明显，有利于液体薄膜的平坦性控制；更重要的是两层像素bank结构，通过纳米压印技术，使至少两个相同颜色的子像素共用同一个第一像素凹槽的开口，可以进行同时打印，弥补了inkjet设备机械精度的限制，超越了设备设计的打印能力，使得印刷OLED显示器件分辨率大幅提升，通过像素结构的排列和驱动电路的设计，改善了印刷OLED显示器件的精细程度，为印刷高分辨率显示器件提供了解决方案。

附图说明

图1为本发明一实施例像素结构的示意图；

图2为本发明一实施例显示器件的TFT驱动和像素排列示意图；

图3为本发明一实施例制备像素结构的纳米压印模具的结构示意图；

图4为本发明一实施例纳米压印制备像素结构的流程工艺图；

图5为本发明一实施例纳米压印制备得到的像素结构的示意图；

图6为本发明一实施例对像素结构进行氟等离子体表面处理示意图；

图7为本发明一实施例于像素结构内打印墨水的过程示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

目前，像素bank层通常使用有机材料制备，为了在bank的不同高度获得疏水性与亲水性的差别，bank材料至少由两种成分组成，其中一种成分具有疏水性，另一种成分具有亲水性。通过一定的涂布方式将bank材料墨水形成薄膜之后，通过一定的加热程序使疏水性成分与亲水性成分发生相分离，让疏水性成分富集在bank层的上部，而亲水性的部分富集在bank层的下部。使用有机材料制备的bank的优势在于制备工艺过程较为简单，但依然具有一些难以解决的问题，比如，bank需要依靠加热程序来控制相分离，这样的方法难以保证大面积的bank层的各个区域具有一致的相分离程度和相同高度的钉扎点(pinningpoint，疏水部分与亲水部分的交界点称为钉扎点)，故难以保证同样体积的墨水在不同像素凹槽中获得相同高度、相同均匀性的薄膜。

请参照图1，为本发明一实施方式的像素结构10，包括：TFT基板110和像素定义层120。

像素定义层120，包括形成于TFT基板110上的像素定义层主体121和像素隔离柱123；像素定义层主体121上设有多个第一像素凹槽122，像素隔离柱123位于第一像素凹槽122内，并将第一像素凹槽122至少分隔成两个第二像素凹槽124，且像素定义层主体121的高度大于像素隔离柱123的高度。

像素定义层主体121远离TFT基板110的表面、及像素隔离柱123远离TFT基板110的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。

如此，第二像素凹槽124定义了各子像素的发光区域，第一像素凹槽122与位于该像素凹槽内的多个第二像素凹槽124对应，从而聚集在一起的具有相同颜色的多个子像素共用一个第一像素凹槽122的开口，即第一像素凹槽122为多个相同子像素共用，且可以防止墨水溢出。在印刷制备过程中，共用第一像素凹槽122的子像素可以同时进行打印，从而成倍的增大了墨水的沉积区域，因此可以有效减小各子像素的尺寸，同时保证墨水不会因子像素面积过小而发生溢出，弥补打印设备机械精度不足；而且经过氟等离子体表面处理技术能有效控制像素定义层不同部位对亲疏水特性的要求，而无需采用特定的像素定义层材料，能够有效控制钉扎点的高度，有利于后续打印墨水的铺展及成膜后的均匀性控制，便于实现高分辨率显示器件的印刷。

在一实施例中，像素定义层主体121高于所述像素隔离柱123的部分侧壁121a也经过氟等离子体处理形成疏水层。

在一实施例中，像素定义层主体121的高度为0.8μm～1.5μm，像素隔离柱123的高度为0.2μm～0.5μm。

在一实施例中，像素隔离柱123的侧壁123a与TFT基板110的夹角为25°～65°。可以理解，像素隔离柱123的侧壁123a与TFT基板110的夹角(即倾角)越小，所得薄膜层越平坦，但是像素开口率越小；倾角越大薄膜层表面平坦性会变差，但像素开口率越大；综合考虑，像素隔离柱123的侧壁123a与TFT基板110的夹角为25°～65°较为合适。

进一步地，像素隔离柱123的侧壁123a与TFT基板110的夹角为45°～55°。

在一实施例中，疏水层与水的接触角大于100°，第二像素凹槽124的底部与水的接触角小于10°。

在一实施例中，像素定义层120，包括形成于TFT基板110上的像素定义层主体121和像素隔离柱123；像素定义层主体121上设有多个第一像素凹槽122，像素隔离柱123位于第一像素凹槽122内，并将第一像素凹槽122分隔成两个第二像素凹槽124。可以理解，在其他一些实施例中，像素隔离柱可以将第一像素凹槽等分成4个或更多个第二像素凹槽，具体可以根据像素排列需要进行像素隔离柱的设计。

本发明又一实施方式提供一种显示器件，包括本发明上述像素结构10和形成与上述像素结构10的发光功能层。

本发明另一实施方式提供一种显示器件的制备方法，包括以下步骤S001～S008。

在本实施例中，以顶发射AMOLED(Active-matrix organic light-emittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)器件为例进行说明。

S001、提供TFT基板110。

在一实施例中，选用LTPS(低温多晶硅TFT阵列基板)，如图2所示，驱动电路采取双扫描线、双数据线、电源线特殊设计；相邻RGB子像素结合，组成品字形或倒品字形的像素。

在一实施例中，还包括对TFT基板110进行清洗和增强浸润性的预处理。

在一实施例中，增强浸润性处理为等离子体表面处理或HMDS(六甲基二硅氮烷)表面处理。

具体地，对TFT基板110清洗后，用氮气风刀吹干、烘箱加热除去水汽；然后利用UVOzone(紫外光臭氧清洗机)或等离子体(Plasma)对TFT基板110表面进行预处理，以提高TFT基板的表面能，增强其浸润性，或者，采用HMDS对TFT基板110进行表面改性处理，提高TFT基板表面粘结力和浸润性，如此，可以提高后续制备得到的像素结构、像素薄膜层与TFT基板的粘结性。

进一步地，采用HMDS对TFT基板进行表面改性处理的步骤包括：

将TFT基板110置于烘箱中，烘箱温度为100℃～180℃，然后往烘箱内通入HMDS蒸汽进行表面改性处理20min～30min，即可。

需要注意的是，HMDS处理后需要冷却后再涂胶，但是等待时间不能太长，过长处理效果会变差，因此，需要在HMDS处理后4小时内完成涂胶。HMDS作为助粘剂(表面改性剂)以气相态涂布在TFT基板表面，HMDS上面涂胶不影响HMDS的处理效果，而且HMDS只是起到表面改性作用，本身不会涂在基板表面，因此不用额外去除HMDS层。

S002、制作像素结构的纳米压印模具。

需要说明的是，步骤S001和步骤S002没有明确的先后顺序，可以同时进行，也可以提前进行步骤S002，将纳米压印模具制备完成。

在一实施例中，纳米压印模具设有如图1所示像素定义层的图案，包括底板和设于底板上的分别与第一像素凹槽122一一对应的多个凸起部，每一个所述凸起部的顶面设有与所述第二像素凹槽124一一对应的凸起区域。如此，压印后可形成图1所示的像素结构10。

具体地，纳米压印模具上的图案采用高分辨率电子束刻印术(EBL)制作。

在一实施例中，如图3所示，纳米压印模具包括底板和设于底板上的分别与第一像素凹槽122一一对应的多个凸起部，每一个所述凸起部的顶端设有一个凹槽，所述凹槽将所述凸起部的顶端分隔成与第二像素凹槽124一一对应的两块凸起区域。

在其他一些实施例中，每一个所述凸起部的顶端可以设有呈十字交叉的两个凹槽，从而将所述凸起部的顶端分隔成与第二像素凹槽一一对应的四块凸起区域。或者根据像素结构的需要进行纳米压印模具的形状设计。

进一步地，制备纳米压印模具的材料选自Si(硅)、SiO₂(二氧化硅)、氮化硅和金刚石中的至少一种。可以理解，这些材料具有高硬度、大压缩强度、大抗拉强度，可以减少压印过程中模具的变形和磨损；这些材料还具有高热导率和低热膨胀系数，使得在加热过程中压模的热变形很小。

S003、于TFT基板110上沉积像素定义层材料，形成像素定义层薄膜。

在一实施例中，如图4所示，采用常规的旋涂、刮涂、喷涂等涂覆工艺，将常规的像素定义层材料涂覆在经过预处理的TFT基板之上，加热预固化，得到厚度为0.5μm～1.5μm的薄膜涂层。

进一步地，加热温度为80℃～100℃，预固化时间为1min～2min。

具体地，控制涂覆均匀性在10％以内进行涂覆，将涂覆有像素定义层材料的TFT基板置于烘箱或加热板上，控制温度为80℃～100℃，预固化1min～2min，去除像素定义层材料中的大部分挥发性溶剂，形成薄膜涂层。

在一实施例中，像素定义层材料至少包括一种亲水性材料和一种疏水性材料。比如日产NPAR系列bank材料。如此，通过加热程序使疏水性成分与亲水性成分发生相分离，让疏水性成分富集在bank层的上部，而亲水性的部分富集在bank层的下部，使得涂层的上部具有疏水性，中部以下具有亲水性，利于后续像素墨水干燥后成膜的平坦性控制，形成均匀的像素薄膜层。

S004、利用纳米压印模具对像素定义层薄膜进行纳米压印，去除残留在TFT基板110的电极上的像素定义层材料，去除残留在TFT基板110的电极上的像素定义层材料，得到如图1所示像素定义层120。

在一实施例中，采用步骤S002制作的纳米压印模具对步骤S003沉积固化后的像素定义层薄膜进行纳米压印的步骤，具体为：如图4所示，将纳米压印模具和TFT基板110上的薄膜涂层对位，将TFT基板110加热至涂层材料的固化温度，利用机械力将纳米压印模具压入软化后的涂层内，并且维持高温、高压10min～20min，使软化的像素定义层材料填入纳米压印模具的纳米结构(凸起部围成的凹陷)内，待像素定义层材料冷却、固化成形后，释放压力并将纳米压印模具脱离TFT基板，完成像素定义层的制备，得到如图5所示的像素定义层。

进一步地，涂层材料的固化温度为200℃～250℃

如图5所示，像素定义层的结构经过特殊设计，包括像素定义层主体和像素隔离柱，其中，像素定义层主体与传统的像素定义层相似，像素隔离柱则是在原有像素定义层的结构基础之上又制作了一像素隔离结构，将原本的第一像素凹槽一分为二，成为两个更小的第二像素凹槽(double-pixel)。

传统黄光工艺制作两层像素bank结构，需要进行两次黄光工艺，且黄光工艺对像素定义层的形状和凹槽倾斜角度的调节非常有限。相对于黄光工艺，本发明方法仅通过一次纳米压印工艺就能达到要求，而且可以根据像素定义层所需的形状来制备纳米压印模具，实现像素凹槽的形状、深度和倾斜角度的调节控制，一次压印制作出多层图案，且各层图案和凹槽深度均可以通过纳米压印模具来控制。而且通过纳米压印实现凹槽深度的灵活调节有利于调节腔长，避免微腔效应带来的色偏。

在一实施例中，通过纳米压印形成的像素隔离柱的高度为0.2μm～0.5μm，像素定义层主体的高度为0.8μm～1.5μm。

在一实施例中，第二像素凹槽的内侧面与TFT基板的夹角为25°～65°。

较优的，第二像素凹槽的内侧面与TFT基板的夹角为45°～55°。

根据流体力学和表面张力，调节像素凹槽的形状和深度有利于墨水打印成膜；而像素凹槽的斜面倾角有利于控制液体在凹槽斜面的钉扎点，从而改善干燥后薄膜表面平坦度。上述范围内的倾斜角所得的膜层平坦性好，且能保证像素开口率适中。

在一实施例中，采用气体等离子体增强工艺，将纳米压印工艺残留在像素凹槽内TFT器件电极上的像素定义层材料分解并去除，避免电极上残留的像素定义层材料对像素墨水的浸润性影响，从而增加像素墨水在像素凹槽内的铺展性，有利于提高干燥后薄膜的均匀性。

等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，主要包括：电子、离子、中性基团、分子、光子，它是除去固、液、气相之外物质存在的第四态。分为高温等离子体和低温等离子体，其中低温等离子常用于表面处理，它不单纯是清洗，同时可以进行蚀刻、灰化、表面活化和涂镀。高分子领域中应用等离子体表面处理技术，是指利用气体(如Ar、N₂、CO、NH₃、O₂、H₂等)等离子体与高分子材料表面相互作用，使在表面形成新的官能团和改变高分子链结构，以改善亲(疏)水性，粘接性、表面电学性能、光学性能以及生物相容性等，从而达到表面改性的目的。

S005、对像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及像素隔离柱远离所述TFT基板的表面进行氟等离子体处理形成疏水层。

在一实施例中，于TFT基板上覆盖掩膜版，遮挡第二像素凹槽的开口，对像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及像素隔离柱远离所述TFT基板的表面进行氟等离子体处理形成疏水层。

具体地，如图6所示，在TFT基板的表面设置相应的掩膜版(mask)，遮挡第二像素凹槽的开口，同时确保等离子体能与像素定义层主体远离基板的表面以及像素隔离柱远离所述TFT基板的表面接触并反应，采用含氟气体为气体源对像素定义层的上表面进行处理，形成疏水层。

在其他一些实施例中，在第二像素凹槽的开口部分形成阻挡层，对像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及像素隔离柱远离所述TFT基板的表面进行氟等离子体处理形成疏水层。

进一步地，含氟气体为F₂、CF₄、CH₂F₂，等离子体处理的工艺参数为：压强为100mTorr～900mTorr，腔室真空度为10Pa～30Pa，设备工作频率13MHz，工作功率20W～45W，处理时间为10s～120s。

S006、于像素定义层上打印OLED墨水后，低温真空干燥成膜。

具体地，如图7所示，将OLED材料溶于高沸点溶剂中，利用inkjet(喷墨打印)工艺精确地将空穴注入材料、空穴传输材料、红绿蓝三色发光材料打印到相应像素定义层的第二像素凹槽内，然后迅速转移到真空的腔室，进行真空干燥工艺。

Inkjet设备按照第二层像素定义层的设计进行打印工艺，各层有机材料墨水滴落在第一像素凹槽内，通过像素定义层疏水层进行分散至第二像素凹槽，如图7所示，形成两个更小的子像素(double-pixel)，从而带来一次打印生成两个子像素的效果，弥补了inkjet设备运动精度的限制，超越了设备设计的打印能力。进一步地，如图1所示，通过像素排列和特殊的驱动电路设计，形成上下错位的正品字形、倒品字形像素排列，有利于大幅提高显示的精细程度。结合驱动算法，适当地借用周围像素，与相邻的像素单元通过共用子像素，形成虚拟像素，来提升画面的显示精细程度，在局部范围内增加像素密度，提升显示效果；而且上述像素定义层的结构、以及高沸点溶剂有利于打印成膜，低温下不易挥发有利于抑制咖啡环效应；低温和超高真空的快速干燥工艺在溶液尚未来得及形成咖啡环效应之前将溶剂快速去除，有利于湿膜干燥后的表面平坦性和均匀性。

S007、EIL/ETL/阴极的制备。

由于目前尚无稳定可靠的电子注入层(EIL)，电子传输层(ETL)墨水材料，而印刷纳米银作为阴极还不能满足OLED像素电极的需求，因此，还无法做到全打印AMOLED器件，EIL/ETL/阴极的制备需要借助传统的真空蒸镀工艺制备完成。

S008、OLED器件封装

待阴极制备完成，在阴极上制备一层水氧阻隔层。结合PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、打印、喷涂等工艺交替沉积致密的无机薄膜和覆盖性优良的有机薄膜，将水汽和氧气与OLED器件隔离，维持器件性能的稳定性，延长器件寿命。

本发明实施例利用纳米压印技术替代传统黄光工艺制备像素bank结构，由两道黄光工艺简化为一道纳米压印工艺，且为像素bank结构设计带来了更多便利。利用EBL制作纳米压印的模具，一方面，纳米压印技术可以方便调控每个像素凹槽的深度、形状、斜面倾斜角度，斜面长度、钉扎点位置等参数，有利于打印墨水的成膜及微腔效应的调节；另一方面，结合低温等离子体处理工艺，更有效地控制bank表面疏水特性，使得bank表面和bank底部亲疏水特性差异更明显，有利于液体薄膜的平坦性控制，得到均匀的薄膜层。并且通过驱动算法，适当地借用周围像素，与相邻的像素单元通过共用子像素，形成虚拟像素，提升画面的显示精细程度，在局部范围内增加像素密度，提升显示效果；更重要的是两层像素bank结构，通过纳米压印技术，使多个相同颜色的子像素共用同一个第一像素凹槽的开口，可以进行同时打印，弥补了inkjet设备运动精度的限制，超越了设备设计的打印能力，使得印刷OLED器件分辨率大幅提升，通过像素结构的排列和驱动电路的设计，改善了印刷OLED显示的精细程度，为印刷高分辨率显示器件提供了解决方案。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

TFT基板；

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素定义层主体高于所述像素隔离柱的部分侧壁也经过氟等离子体处理形成疏水层。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素定义层主体的高度为0.8μm～1.5μm，所述像素隔离柱的高度为0.2μm～0.5μm。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素隔离柱的侧壁与所述TFT基板的夹角为25°～65°。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述疏水层与水的接触角大于100°，所述第二像素凹槽的底部与水的接触角小于10°。

6.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供TFT基板；

7.根据权利要求6所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述于所述TFT基板上沉积形成像素定义层的步骤为：于所述TFT基板上沉积像素定义层材料，形成像素定义层薄膜，利用纳米压印模具对所述像素定义层薄膜进行纳米压印，去除残留在所述TFT基板的电极上的像素定义层材料，形成所述像素定义层；

所述纳米压印模具包括底板和设于底板上的分别与所述第一像素凹槽一一对应的多个凸起部，

每一个所述凸起部的顶面设有与所述第二像素凹槽一一对应的凸起区域。

8.根据权利要求6或7所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述氟等离子体处理的气体源为含氟气体，工艺参数为：压强为100mTorr～900mTorr，腔室真空度为10Pa～30Pa，设备工作频率13MHz，工作功率20W～45W，处理时间为10s～120s。

9.根据权利要求6或7所述的像素定义层的制备方法，其特征在于，所述像素定义层材料至少包括一种亲水性材料和一种疏水性材料。

10.一种显示器件，其特征在于，包括像素结构和形成于所述像素结构上的发光功能层，其中，所述像素结构为权利要求1～5任一所述的像素结构或者采用权利要求6～9任一所述方法制备得到的像素结构。