CN112420605A - 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板。所述制备方法包括下列步骤:在第一金属层上制备有机光阻层;采用半色调掩膜版对所述有机光阻层进行曝光显影处理,使所述有机光阻层形成对应像素电极图案的图案化有机光阻层;利用所述图案化有机光阻层,将所述第一金属层未被所述图案化有机光阻层遮蔽的部分刻蚀,形成像素电极;将所述图案化有机光阻层部分灰化,形成像素定义层;采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层;在所述像素电极上且对应于所述像素定义层的开孔内采用喷墨打印工艺打印发光材料,形成有机发光层。本发明将像素电极和像素定义层采用同一张半色调掩膜版制作,减少了黄光制程次数,节约了成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板。
背景技术
AMOLED显示技术是面板行业的发展趋势,相比液晶显示面板而言,OLED显示面板具有结构简单、色域更广、响应时间更快等优点。AMOLED显示技术目前已量产的是底发光的OLED显示面板,但底发光的OLED显示面板采用蒸镀方法制备OLED器件,对有机发光材料浪费极大,且需要彩色滤光片滤色才能得到R、G、B三原色,因而能耗较大;此外,开口率低是底发光结构的先天缺陷,不利于高分辨显示应用。相比底发光的OLED显示面板,顶发光的喷墨打印技术对原材料利用超过80%,无需进行滤色即可发出R、G、B三色光,且顶发光结构有利于提高开口率。
现有技术的顶发光的喷墨打印技术是在TFT基板上制备平坦化层,再制备像素电极,最后制备像素定义层,需要3张Mask。理论上像素电极和像素定义层可以采用Half-tone工艺一同制备,但Half-tone工艺需使用氧化性气体进行灰化工艺,会导致像素定义层的疏水性失效,无法用于后续打印工艺。故,有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板的制备方法,用于解决现有技术的OLED显示面板需要使用三张光罩分别形成平坦化层、像素电极和像素定义层,成本较高;或现有技术采用Half-tone工艺的氧化性气体会导致像素定义层的疏水性失效,导致无法进行后续打印工艺的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板的制备方法,包括下列步骤:提供一衬底层;在所述衬底层上制备薄膜晶体管层;在所述薄膜晶体管层上制备绝缘层;在所述绝缘层上制备平坦化层;在所述平坦化层上制备第一金属层,所述第一金属层通过第一过孔与所述薄膜晶体管层相连;在所述第一金属层上制备有机光阻层;采用半色调掩膜版对所述有机光阻层进行曝光显影处理,使所述有机光阻层形成对应像素电极图案的图案化有机光阻层;利用所述图案化有机光阻层,将所述第一金属层未被所述图案化有机光阻层遮蔽的部分刻蚀,形成像素电极;将所述图案化有机光阻层部分灰化,形成像素定义层;采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层;以及在所述像素电极上且对应于所述像素定义层的开孔内采用喷墨打印工艺打印发光材料,形成有机发光层。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法中,所述采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层的步骤具体指:采用含氟离子的气体的等离子体对所述像素定义层进行处理。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法中,所述含氟离子的气体为三氟化氮、四氟化碳、以及六氟化硫中的一种或多种。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法中,所述将所述图案化有机光阻层部分灰化的步骤具体指:采用氧气、一氧化二氮、以及臭氧中的一种或多种对所述图案化有机光阻层进行部分灰化处理。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法中,所述像素电极的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法中,所述有机光阻层的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法中,所述发光材料包括红色发光材料、绿色发光材料、以及蓝色发光材料。
本发明实施例还提供一种OLED显示面板,包括:衬底层、薄膜晶体管层、绝缘层、平坦化层、像素电极、像素定义层、疏水层、以及有机发光层。薄膜晶体管层位于所述衬底层之上。绝缘层位于所述衬底层上且覆盖所述薄膜晶体管层。平坦化层位于所述绝缘层之上。像素电极位于所述平坦化层之上,且通过第一过孔与所述薄膜晶体管层相连。像素定义层位于所述像素电极上。其中所述像素定义层具有阵列配置的开孔,所述像素电极对应于所述开孔下方设置。疏水层位于所述像素定义层的表面。有机发光层位于所述像素电极上且对应于所述像素定义层的所述开孔设置。
本发明实施例提供的OLED显示面板中,所述像素电极的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
本发明实施例提供的OLED显示面板中,所述像素定义层的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
有益效果:本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法,通过将像素电极和像素定义层采用同一张半色调掩膜版制作,而后利用等离子体处理方法将像素定义层表面处理为疏水层,最后打印有机发光材料,减少了黄光制程次数,节约了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法流程图。
图2a~2e是本发明实施例提供的OLED显示面板的制备工艺流程中,各步骤的组件结构示意图。
图3是本发明实施例提供的OLED显示面板的基本结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在附图中,为了清晰及便于理解和描述,附图中绘示的组件的尺寸和厚度并未按照比例。
如图1所示,本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法流程图,所述制备方法包括步骤:
S101、提供一衬底层;
S102、在所述衬底层上制备薄膜晶体管层;
S103、在所述薄膜晶体管层上制备绝缘层;
S104、在所述绝缘层上制备平坦化层;
S105、在所述平坦化层上制备第一金属层,所述第一金属层通过第一过孔与所述薄膜晶体管层相连;
S106、在所述第一金属层上制备有机光阻层;
S107、采用半色调掩膜版对所述有机光阻层进行曝光显影处理,使所述有机光阻层形成对应像素电极图案的图案化有机光阻层;
S108、利用所述图案化有机光阻层,将所述第一金属层未被所述图案化有机光阻层遮蔽的部分刻蚀,形成像素电极;
S109、将所述图案化有机光阻层部分灰化,形成像素定义层;
S110、采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层;以及
S111、在所述像素电极上且对应于所述像素定义层的开孔内采用喷墨打印工艺打印发光材料,形成有机发光层。
需要说明的是,本实施例通过将像素电极和像素定义层采用同一张半色调掩膜版制作而成,然后采用等离子体工艺将像素定义层表面处理为疏水层,最后再打印有机发光材料,减少了黄光工艺的次数,节约了成本。
在一种实施例中,所述步骤S110中,采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层指的是:采用含氟离子的气体的等离子体对所述像素定义层进行处理。具体地,所述含氟离子的气体为三氟化氮、四氟化碳、以及六氟化硫中的一种或多种。
在一种实施例中,所述步骤S109中,将所述图案化有机光阻层部分灰化指的是:采用氧气、一氧化二氮、以及臭氧中的一种或多种对所述图案化有机光阻层进行部分灰化处理。
在一种实施例中,所述像素电极的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
在一种实施例中,所述有机光阻层的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
在一种实施例中,所述发光材料包括红色发光材料、绿色发光材料、以及蓝色发光材料。
具体地,请参阅图2a~2e,本发明实施例提供的OLED显示面板的制备工艺流程,首先在衬底层201上制备薄膜晶体管层202;然后在所述衬底层201上采用化学气相沉积方法制备一层绝缘层203,所述绝缘层203覆盖所述薄膜晶体管层202,采用光刻工艺在所述绝缘层203上对应所述薄膜晶体管层202的电极(源级或漏极)位置处进行开孔;接下来在所述绝缘层203上制备平坦化层204,在相应位置(与所述绝缘层203开孔位置对应)进行开孔,所述绝缘层203和所述平坦化层204上的孔相通,统称为第一过孔206(也可以在形成所述绝缘层203与所述平坦化层204之后再一次性蚀刻出第一过孔206,本发明不限于此);然后在所述平坦化层204上制备第一金属层205,所述第一金属层205通过所述第一过孔206与所述薄膜晶体管层202相连;然后在所述第一金属层205上涂覆一层有机光阻层;采用半色调掩膜版208对所述有机光阻层进行曝光显影处理,使所述有机光阻层形成对应像素电极图案的图案化有机光阻层207,其中,所述半色调掩膜版208包括遮光区A3、半透光区A2、以及透光区A1,其中,所述遮光区A3位于所述半透光区A2的两侧,所述透光区A1位于所述遮光区A3远离所述半透光区A2的一侧。
接下来,利用所述图案化有机光阻层207,采用蚀刻工艺将所述第一金属层205未被所述图案化有机光阻层207遮蔽的部分蚀刻掉,形成像素电极209,由于所述第一金属层205是采用湿法蚀刻,存在3微米的双边线宽误差,以致所述像素电极209的两端部相对于所述图案化有机光阻层207内缩;再将所述图案化有机光阻层207部分灰化,形成像素定义层210,并露出半透光区A2内的所述像素电极209;接下来采用等离子体工艺将所述像素定义层210的表面处理以形成疏水层211,使得所述像素定义层210的表面呈现疏水性,以便进行后续打印制程;最后采用喷墨打印工艺在所述像素电极209上且对应于所述像素定义层210的开孔213(即所述半透光区A2对应的位置)内打印发光材料,形成有机发光层212。后续完成公共电极、以及封装层的制作,即可制得OLED显示面板。需要说明的是,本实施例通过将像素电极和像素定义层采用同一张半色调掩膜版制作而成,然后采用等离子体工艺将像素定义层表面处理为疏水层,最后再打印有机发光材料,减少了黄光工艺的次数,节约了成本。
需要说明的是,采用等离子体工艺将所述像素定义层210的表面处理以形成疏水层211指的是:采用含氟离子的气体的等离子体对所述像素定义层210进行处理。具体地,所述含氟离子的气体为三氟化氮、四氟化碳、以及六氟化硫中的一种或多种。
需要说明的是,将所述图案化有机光阻层207部分灰化指的是:采用氧气、一氧化二氮、以及臭氧中的一种或多种对所述图案化有机光阻层207对应于所述半透光区A2的部分进行灰化处理。现有技术中,一般采用特殊的疏水性材料来制备像素定义层,然而灰化工艺会破坏像素定义层的疏水性,像素定义层要保持疏水性便不能采用灰化工艺,因而无法采用Half-tone工艺,而本发明先进行灰化工艺、再将像素定义层处理为疏水层,如此既可以进行Half-tone工艺,又可以进行喷墨打印工艺,减少了黄光制程次数,节约了成本。
在一种实施例中,所述绝缘层203上的孔和所述平坦化层204上的孔可以在同一道黄光工艺中制作而成,即先制备所述绝缘层203和所述平坦化层204,再通过同一道黄光工艺形成所述第一过孔206。相较于先制备所述绝缘层203、蚀刻过孔、再制备所述平坦化层204,又蚀刻一次过孔,一次性形成所述第一过孔206的方案更简便,提高了生产效率。
在一种实施例中,所述衬底层201可以是刚性的,例如玻璃、硬质涂层等,也可以是柔性的,例如聚酰亚胺、超薄玻璃等。
在一种实施例中,所述像素电极209的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
在一种实施例中,所述像素定义层210的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
在一种实施例中,所述有机发光层212的发光材料包括红色发光材料、绿色发光材料、以及蓝色发光材料。
如图3所示,本发明实施例提供的OLED显示面板的基本结构示意图,所述OLED显示面板包括:衬底层201、薄膜晶体管层202、绝缘层203、平坦化层204、像素电极209、像素定义层210、疏水层211、以及有机发光层212。薄膜晶体管层202位于所述衬底层201之上。绝缘层203位于所述衬底层201上且覆盖所述薄膜晶体管层202。平坦化层204位于所述绝缘层203之上。像素电极209位于所述平坦化层204之上,且通过第一过孔206与所述薄膜晶体管层202相连。像素定义层210位于所述像素电极209上。其中所述像素定义层210具有阵列配置的开孔213(为了能清楚的表示,图3仅绘示一个开孔与一个像素电极),所述像素电极209对应于所述开孔213下方设置。疏水层211位于所述像素定义层210的表面。有机发光层212位于所述像素电极209上且对应于所述像素定义层210的所述开孔213设置。
需要说明的是,本实施例提供的OLED显示面板是采用图1所示的OLED显示面板的制备方法制备而成的,具体过程请参阅图2a~2e及其说明,此处不再赘述。
在一种实施例中,所述像素电极209的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
在一种实施例中,所述像素定义层210的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
本发明实施例还提供一种OLED显示装置,包括上述的OLED显示面板。本发明实施例提供的OLED显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述,本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法,通过将像素电极和像素定义层采用同一张半色调掩膜版制作,而后利用等离子体处理方法将像素定义层表面处理为疏水层,最后打印有机发光材料,减少了黄光制程次数,节约了成本,解决了现有技术的OLED显示面板需要使用三张光罩分别形成平坦化层、像素电极和像素定义层,成本较高;或现有技术采用Half-tone工艺的氧化性气体会导致像素定义层的疏水性失效,导致无法进行后续打印工艺的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板进行了详细介绍。应理解,本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的,用于帮助理解本发明的方法及其核心思想,而并不用于限制本发明。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一衬底层;
在所述衬底层上制备薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层上制备绝缘层;
在所述绝缘层上制备平坦化层;
在所述平坦化层上制备第一金属层,所述第一金属层通过第一过孔与所述薄膜晶体管层相连;
在所述第一金属层上制备有机光阻层;
采用半色调掩膜版对所述有机光阻层进行曝光显影处理,使所述有机光阻层形成对应像素电极图案的图案化有机光阻层;
利用所述图案化有机光阻层,将所述第一金属层未被所述图案化有机光阻层遮蔽的部分刻蚀,形成像素电极;
将所述图案化有机光阻层部分灰化,形成像素定义层;
采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层;以及
在所述像素电极上且对应于所述像素定义层的开孔内采用喷墨打印工艺打印发光材料,形成有机发光层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述采用等离子体工艺处理所述像素定义层的表面以形成疏水层的步骤具体指:采用含氟离子的气体的等离子体对所述像素定义层进行处理。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述含氟离子的气体为三氟化氮、四氟化碳、以及六氟化硫中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述将所述图案化有机光阻层部分灰化的步骤具体指:采用氧气、一氧化二氮、以及臭氧中的一种或多种对所述图案化有机光阻层进行部分灰化处理。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述像素电极的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述有机光阻层的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述发光材料包括红色发光材料、绿色发光材料、以及蓝色发光材料。
8.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
衬底层;
薄膜晶体管层,位于所述衬底层之上;
绝缘层,位于所述衬底层上且覆盖所述薄膜晶体管层;
平坦化层,位于所述绝缘层之上;
像素电极,位于所述平坦化层之上,且通过第一过孔与所述薄膜晶体管层相连;
像素定义层,位于所述像素电极上,其中所述像素定义层具有阵列配置的开孔,所述像素电极对应于所述开孔下方设置;
疏水层,位于所述像素定义层的表面;以及
有机发光层,位于所述像素电极上且对应于所述像素定义层的所述开孔设置。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素电极的材料为层迭设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡、银/氧化铟锡、铝/氧化钨、或银/氧化铟锌中的一种。
10.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素定义层的材料为聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210226 |
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