CN113571668A - 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 409
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 30
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 11
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 8
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 claims description 4
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 claims description 4
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 claims description 4
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- -1 spiropyran Chemical compound 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，通过将像素界定层中与发光功能层接触的部分设置成具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能，这样在形成发光功能层的各膜层时，由于发光功能层的各膜层亲、疏水性不一致，如在形成亲水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈疏水性，在形成疏水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈亲水性，从而可以使开口区域内形成的发光功能层不会向像素界定层内壁攀爬，从而使开口区域内形成的发光功能层膜厚均一，提高显示面板的显示效果和发光器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器具有低能耗、自发光、宽视角及响应速度快等优点，是当今显示器研究领域的热点之一，被认为是下一代显示技术。
目前，OLED显示器中的发光层的成膜方式主要有蒸镀方式和喷墨打印方式。采用蒸镀方式成膜在制备小尺寸OLED显示器中应用较为成熟，而采用喷墨打印方式成膜由于其成膜速率快、材料利用率较高、可以实现大尺寸化，被认为是大尺寸OLED显示器实现量产的重要方式。通常在制作发光功能层的各膜层时，需要在基板上制作像素界定层以限定各像素所在的区域，之后采用喷墨打印工艺在对应的像素特定的开口区域中制作发光功能层。
但是在打印发光功能层的多个膜层时由于马格兰尼效应(由于二种表面张力不同的液体介面之间存在张力的梯度而使质量移动的现象)，容易形成厚度不均匀的薄膜(两边厚中间薄)，从而在开口区域中间容易形成薄膜层，薄膜层在最终器件中会由于高电压而导致击穿。同时开口区域膜层的不均一容易降低器件的发光效率和寿命，因此如何在开口区域形成膜厚均一的发光功能层是OLED工艺中至关重要的一步。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，用于解决现有技术由于马格兰尼效应导致发光功能层膜厚不均一进而导致显示效果不佳的问题。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板一侧的像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区域，所述开口区域内包括发光功能层，所述像素界定层中与所述发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素界定层包括第一像素界定层，以及位于所述第一像素界定层远离所述衬底基板一侧的第二像素界定层；
所述第一像素界定层包括围绕各所述开口区域且相互独立的多个像素界定结构，所述像素界定结构与所述发光功能层接触；
所述第二像素界定层覆盖多个所述像素界定结构，所述第二像素界定层的结构为具有露出各所述开口区域的网格状结构，且所述第二像素界定层用于使相邻所述像素界定结构之间相互绝缘。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，沿所述衬底基板指向所述像素界定层的方向，所述像素界定结构的厚度大于所述发光功能层的厚度。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一像素界定层在紫外光照射下由亲水性转换为疏水性或由疏水性转换为亲水性。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一像素界定层的材料为偶氮苯、螺吡喃、肉桂酸、二氧化钛或五氧化二钒；所述第二像素界定层的材料为绝缘材料。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一像素界定层的厚度为100nm-200nm，所述第二像素界定层的厚度为50nm-150nm。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述发光功能层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述空穴注入层和所述电子传输层呈亲水性，所述空穴传输层和所述发光层呈疏水性。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述发光层的材料为量子点材料。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层；
在各所述开口区域内形成发光功能层；其中，所述像素界定层中与所述发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层，具体包括：
在所述衬底基板上旋涂第一光刻胶，并对所述第一光刻胶进行曝光、显影后形成图形化的第一光刻胶层；
在形成有所述第一光刻胶层的衬底基板上旋涂制备第一像素界定材料层；
对所述第一光刻胶层进行剥离以除去所述第一光刻胶层和所述第一光刻胶层上方的第一像素界定材料层，以形成围绕各所述开口区域且相互独立的多个像素界定结构，各所述像素界定结构构成所述第一像素界定层；
在所述第一像素界定层远离所述衬底基板一侧沉积绝缘材料膜层；
对所述绝缘材料膜层进行构图露出各所述开口区域，以形成所述第二像素界定层；所述第二像素界定层覆盖多个所述像素界定结构，所述第二像素界定层的结构为具有露出各所述开口区域的网格状结构，且所述第二像素界定层用于使相邻所述像素界定结构之间相互绝缘。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在各所述开口区域内形成发光功能层，具体包括：
对形成有所述第二像素界定层的衬底基板在第一外部条件下进行处理，以使所述第一像素界定层呈疏水性；
采用喷墨打印工艺在各所述开口区域内形成空穴注入层；
对形成有所述空穴注入层的衬底基板在第二外部条件下进行处理，以使所述第一像素界定层呈亲水性；
采用喷墨打印工艺在所述空穴注入层远离所述衬底基板一侧形成空穴传输层；
采用喷墨打印工艺在所述空穴传输层远离所述衬底基板一侧形成发光层；
对形成有所述发光层的衬底基板在所述第一外部条件下进行处理，以使所述第一像素界定层呈疏水性；
采用喷墨打印工艺在所述发光层远离所述衬底基板一侧形成电子传输层。
本发明实施例的有益效果：
本发明实施例提供的上述阵列基板、其制备方法及显示装置，通过将像素界定层中与发光功能层接触的部分设置成具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能，这样在形成发光功能层的各膜层时，由于发光功能层的各膜层亲、疏水性不一致，如在形成亲水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈疏水性，在形成疏水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈亲水性，从而可以使开口区域内形成的发光功能层不会向像素界定层内壁攀爬，从而使开口区域内形成的发光功能层膜厚均一，提高显示面板的显示效果和发光器件的寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的俯视示意图；
图2A为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
图2B为本发明实施例提供的像素界定层的俯视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的发光功能层的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
图5为本发明实施例提供的阵列基板在未进行外部条件处理时形成发光功能层的结构示意图之一；
图6为本发明实施例提供的阵列基板在未进行外部条件处理时形成发光功能层的结构示意图之二；
图7A为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
图7B为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
图7C为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的阵列基板在紫外光照射时的结构示意图之一；
图9为本发明实施例提供的阵列基板在黑暗处放置时的结构示意图之二；
图10为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图之一；
图11为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图之二；
图12为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图之三；
图13A-图13I分别为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法在执行各步骤之后的截面示意图；
图14为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图1和图2A所示，图1为阵列基板的俯视结构示意图，图2A为图1中AA方向的截面示意图，该阵列基板包括衬底基板1，位于衬底基板1一侧的像素界定层2，像素界定层2具有多个开口区域3，开口区域3内包括发光功能层4，像素界定层2中与发光功能层4接触的部分(第一像素界定层21，后面详细介绍)具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。
本发明实施例提供的上述阵列基板，通过将像素界定层2中与发光功能层4接触的部分设置成具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能，这样在形成发光功能层4的各膜层时，由于发光功能层4的各膜层亲、疏水性不一致，如在形成亲水性的发光功能层4时，将像素界定层2在外部条件处理下使与发光功能层4接触的部分转换呈疏水性，在形成疏水性的发光功能层4时，将像素界定层2在外部条件处理下使与发光功能层4接触的部分转换呈亲水性，从而可以使开口区域3内形成的发光功能层4不会向像素界定层2内壁攀爬，从而使开口区域内3形成的发光功能层4膜厚均一，提高显示面板的显示效果和发光器件的寿命。
需要说明的是，本发明实施例提供的上述阵列基板的衬底基板是包括与各开口区域一一对应的多个阳极的衬底基板，一般是在衬底基板上先沉积一金属膜层，对该金属膜层进行构图形成多个阳极，然后在形成有多个阳极的衬底基板上旋涂一层像素界定膜层，然后对该像素界定膜层进行构图形成露出多个所述阳极的像素界定层，露出的阳极区域即为开口区域，然后再进行发光功能层、阴极以及后续膜层的制备；具体地，该阳极材料包括透明导电材料或半透明导电材料。本发明制作像素界定层的详细内容在后续介绍。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，由于有机电致发光器件有底发射和顶发射两种，通过设置具有透明性的阳极和反射性的阴极结构形成底发射的器件结构，反之通过透明阴极和反射阳极的结构形成顶发光的器件结构。因此根据器件结构不同，阳极材料的选择也不同，通常是ITO、Ag、NiO、Al、石墨烯等高功函的透明或半透明材料。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，发光功能层4包括依次层叠设置的空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44。当本发明实施例提供的阵列基板所述显示装置为正置结构时，先在衬底基板1上形成空穴注入层41，接着依次形成空穴传输层42、发光层43、电子传输层44；当本发明实施例提供的阵列基板所述显示装置为倒置结构时，先在衬底基板1上形成电子传输层44，接着依次形成发光层43、空穴传输层42、空穴注入层41。当然，在具体实施时，发光功能层4还可以包括电子注入层，本发明实施例是以发光功能层4包括空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43和电子传输层44为例进行说明的。
具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，发光层至少包括：红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。除此之外，还可以包括白的发光层，根据具体的像素的排列方式而定，在此不作具体限定。
在具体实施时，为了提高器件的发光效率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，发光层的材料可以为量子点材料。量子点材料可以为二元、三元或多元量子点发光材料，在此不做一一列举。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，空穴注入层41和电子传输层44呈亲水性，空穴传输层42和发光层43呈疏水性。具体地，本发明实施例采用喷墨打印工艺形成空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43和电子传输层44，空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43和电子传输层44各自对应的墨水状态(即液态)和各自干燥之后的固态的亲疏水性不变，例如液态的空穴注入层41和电子传输层44呈亲水性，固态的空穴注入层41和电子传输层44仍呈亲水性；液态的空穴传输层42和发光层43呈疏水性，固态的空穴传输层42和发光层43仍呈疏水性。
具体地，由于空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的亲、疏水性不一致，在采用喷墨打印工艺形成发光功能层的各个膜层时由于马格兰尼效应，容易形成厚度不均匀的薄膜(两边厚中间薄)，在开口区域中间容易形成薄膜层，在最终器件中会由于高电压而导致击穿。因此本发明提供了一种像素界定层，可以使形成的发光功能层的各个膜层膜厚均一，提高显示器件的发光效率和寿命。
具体地，亲水性是指对水具有亲合力的性能。疏水性是指对水具有排斥能力的性能。空穴注入层和电子传输层呈亲水性，空穴注入层和电子传输层与水的接触角一般均小于50度；空穴传输层和发光层呈疏水性，空穴传输层和发光层与水的接触角一般均大于120度。
下面对本发明实施例提供的像素界定层能够使形成的发光功能层的各个膜层膜厚均一进行详细介绍。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2A和图2B所示，图2B为像素界定层的俯视结构示意图，像素界定层2包括第一像素界定层21，以及位于第一像素界定层21远离衬底基板1一侧的第二像素界定层22；
第一像素界定层21包括围绕各开口区域3且相互独立的多个像素界定结构01，像素界定结构01与发光功能层4接触；具体地，由于第一像素界定层21是与发光功能层4接触的部分，因此第一像素界定层21具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能，一般具有在亲水性与疏水性之间转换的功能的材料多数为半导体材料，即第一像素界定层21的材料为半导体材料，半导体材料具有一定的导电能力，又由于第一像素界定层21与阳极和阴极都是接触的，因此第一像素界定层21很有可能将相邻开口区域3(即子像素)之间发生short，导致像素与像素之间发生漏电的现象，因此为了防止相邻子像素之间发生short，将第一像素界定层21设置成包括围绕各开口区域3且相互独立的多个像素界定结构01，从而相邻开口区域3之间不会发生short的问题；
如图2B所述，第二像素界定层22覆盖多个像素界定结构01，第二像素界定层22的结构为具有露出各开口区域3的网格状结构，且第二像素界定层22用于使相邻像素界定结构01之间相互绝缘。具体地，由于第一像素界定层21的各个像素界定结构01是相互独立的，假设在形成第一像素界定层21之后直接形成发光功能层4和阴极时，由于阴极一般为整面设置的结构，即阴极覆盖第一像素界定层21，因此相邻开口区域3之间还是会发生short的问题，因此本发明实施例还在第一像素界定层21远离衬底基板1一侧形成第二像素界定层22，使相邻像素界定结构01之间相互绝缘。当然，在具体实施时，阴极也可以为独立设置的结构，本发明对此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，为了清楚的示意，图4仅示意出了图2A中的部分结构，沿衬底基板1指向像素界定层2的方向，像素界定结构01的厚度D1大于发光功能层4的厚度D2。这样采用喷墨打印工艺形成发光功能层4的各膜层位于像素界定结构01内，由于发光功能层4的各膜层亲、疏水性不一致，因此形成发光功能层4的各膜层均可以利用第一像素界定层21在外部条件下能够在亲水性和疏水性之间转换的功能，如在发光功能层4的膜层为亲水性时，第一像素界定层21通过在外部条件下转换呈疏水性，在发光功能层4的膜层为疏水性时，第一像素界定层21通过在外部条件下转换呈亲水性，从而使发光功能层4的各膜层不会发生向第一像素界定层21内壁攀爬的现象，从而使形成的发光功能层4的各膜层膜厚均一。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一像素界定层在紫外光照射下可以由亲水性转换为疏水性，或第一像素界定层在紫外光照射下也可以由疏水性转换为亲水性。该特性在后续结合特定的材料进行详细说明。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一像素界定层的材料可以为偶氮苯、螺吡喃、肉桂酸、二氧化钛或五氧化二钒，举例的这五种材料在没有进行外部条件处理下均处于中性状态，既不亲水也不疏水；第二像素界定层的材料为绝缘材料，如SiO、SiN等绝缘材料。具体地，如图5所示，以第一像素界定层21的材料为二氧化钛、第二像素界定层22的材料为SiO为例，在没有进行外部条件处理下二氧化钛处于中性状态，在采用喷墨打印工艺形成空穴注入层41时，由于空穴注入层41呈亲水性，亲水性的空穴注入层41由于马格兰尼效应会向第一像素界定层21的内壁攀爬，导致形成的空穴注入层41中间薄两侧厚的现象，从而形成的空穴注入层41的膜厚不均一，影响显示器件的效率和寿命；如图6所示，图6与图5的区别仅在于采用喷墨打印工艺形成疏水性膜层如空穴传输层42，由于空穴传输层42呈疏水性，疏水性的空穴传输层42由于马格兰尼效应也会向第一像素界定层21的内壁攀爬，导致形成的空穴传输层42中间薄两侧厚的现象，从而形成的空穴传输层42的膜厚不均一，影响显示器件的效率和寿命。因此为了解决发光功能层4的各膜层由于亲疏水性不一致导致形成的膜层不均一的问题，本发明通过将第一像素界定层21在外部条件下进行处理转换成亲水性或疏水性，对应的使形成的发光功能层4的膜层的亲疏水性与第一像素界定层21的亲疏水性相反，从而可以使形成的发光功能层4的膜层均一，提高发光器件的效率和寿命。
具体地，本发明实施例所说的外部条件可以为：紫外光照射、可见光照射(如蓝光)、加热、暗室放置等。
具体地，如图7A所示，采用偶氮苯形成的薄膜在紫外光hv1(如波长为365nm)照射下呈现顺式结构，极性变大可以达到表面亲水状态，与水的接触角可以达到15度；紫外光照射完成后，对该偶氮苯薄膜进行加热(△)或者可见光hv2(如蓝光)照射，偶氮苯可以变成反式结构，极性变小呈现疏水特性，与水的接触角达到70度。
具体地，如图7B所示，螺吡喃在紫外光hv1照射后呈现疏水性，在加热(△)或者可见光hv2照射后导致化学键断裂，呈现亲水性。
具体地，如图7C所示，肉桂酸在紫外光hv1照射后呈现亲水性，在可见光hv2照射后发生二聚作用，呈现疏水性。
具体地，二氧化钛(TiO2)在紫外光照射后呈现亲水性，在暗室放置24小时后呈现疏水性。
具体地，五氧化二钒(VO5)在紫外光照射后呈现亲水性，在暗室放置24小时后呈现疏水性。
具体地，如图8所示，以第一像素界定层21的材料为二氧化钛(TiO2)、第二像素界定层22的材料为SiO为例，在紫外光照射下(UV照射)下，二氧化钛转换呈表面亲水的状态，因此可以在形成疏水性的空穴传输层42和发光层43之前，采用UV照射第一像素界定层21；如图9所示，以第一像素界定层21的材料为二氧化钛(TiO2)、第二像素界定层22的材料为SiO为例，将图9的结构在黑暗处放置(如放置24小时)，二氧化钛转换呈表面疏水的状态，因此可以在形成亲水性的空穴注入层41和电子传输层44之前，将图9的结构在黑暗处放置，以使第一像素界定层21呈疏水性。
因此本发明实施例提供的上述五种制作第一像素界定层的材料均具有在外部条件下亲、疏水性可逆变化，具体如何采用该可逆变化的特性形成亲、疏水性不一致的发光功能层的各膜层，在后续制备方法中进行详细介绍。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一像素界定层的厚度可以为100nm-200nm，第二像素界定层的厚度可以为50nm-150nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，发光功能层的厚度可以为100nm-200nm，在制作时，只要保证第一像素界定层的厚度大于发光功能层的厚度即可。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，如图10所示，包括：
S1001、在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层；
S1002、在各开口区域内形成发光功能层；其中，像素界定层中与发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。
本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法，通过将像素界定层中与发光功能层接触的部分设置成具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能，这样在形成发光功能层的各膜层时，由于发光功能层的各膜层亲、疏水性不一致，如在形成亲水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈疏水性，在形成疏水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈亲水性，从而可以使开口区域内形成的发光功能层不会向像素界定层内壁攀爬，从而使开口区域内形成的发光功能层膜厚均一，提高显示面板的显示效果和发光器件的寿命。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，如图11所示，在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层，具体包括：
S1101、在衬底基板上旋涂第一光刻胶，并对第一光刻胶进行曝光、显影后形成图形化的第一光刻胶层；具体地，如图13A所示，在形成有阳极的衬底基板1上旋涂第一光刻胶，并对第一光刻胶进行曝光、显影后形成图形化的第一光刻胶层5。
S1102、在形成有第一光刻胶层的衬底基板上旋涂制备第一像素界定材料层；具体地，如图13B所示，以在形成有第一光刻胶层5的衬底基板1上旋涂偶氮苯材料层6为例。
S1103、对第一光刻胶层进行剥离以除去第一光刻胶层和第一光刻胶层上方的第一像素界定材料层，以形成围绕各开口区域且相互独立的多个像素界定结构，各像素界定结构构成第一像素界定层；具体地，如图13C所示，对第一光刻胶层5进行剥离以除去第一光刻胶层5和第一光刻胶层5上方的二氧化钛材料层6，以形成围绕各开口区域3且相互独立的多个像素界定结构01，各像素界定结构01构成第一像素界定层21。
S1104、在第一像素界定层远离衬底基板一侧沉积绝缘材料膜层；具体地，如图13D所示，在第一像素界定层21远离衬底基板1一侧采用PECVD工艺沉积绝缘材料膜层7。
S1105、对绝缘材料膜层进行构图露出各开口区域，以形成第二像素界定层；第二像素界定层覆盖多个像素界定结构，第二像素界定层的结构为具有露出各开口区域的网格状结构，且第二像素界定层用于使相邻像素界定结构之间相互绝缘；具体地，如图13E所示，对绝缘材料膜层7进行构图露出各开口区域3，以形成覆盖多个像素界定结构01且为网格状结构的第二像素界定层22。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，如图12所示，在各开口区域内形成发光功能层，具体包括：
S1201、对形成有第二像素界定层的衬底基板在第一外部条件下进行处理，以使第一像素界定层呈疏水性；具体地，由于偶氮苯形成的薄膜在紫外光(如波长为365nm)照射下呈亲水性，在加热或者可见光(如蓝光)照射下呈疏水性，因此对形成有第二像素界定层22的衬底基板1在第一外部条件下进行处理，即对形成有第二像素界定层22的衬底基板1在加热或者可见光(如蓝光)照射1-30min，以使第一像素界定层21呈疏水性。
S1202、采用喷墨打印工艺在各开口区域内形成空穴注入层；具体地，如图13F所示，采用喷墨打印工艺在各开口区域3内形成亲水性的空穴注入层41。
S1203、对形成有空穴注入层的衬底基板在第二外部条件下进行处理，以使第一像素界定层呈亲水性；具体地，对形成有空穴注入层41的衬底基板1在第二外部条件下进行处理，即对形成有空穴注入层41的衬底基板1在在紫外光(如波长为365nm)照射下呈亲水性照射1-30min，以使第一像素界定层呈亲水性。
S1204、采用喷墨打印工艺在空穴注入层远离衬底基板一侧形成空穴传输层；具体地，如图13G所示，采用喷墨打印工艺在空穴注入层41远离衬底基板一侧形成疏水性的空穴传输层42。
S1205、采用喷墨打印工艺在空穴传输层远离衬底基板一侧形成发光层；具体地，如图13H所示，在空穴传输层42远离衬底基板1一侧采用喷墨打印工艺形成疏水性的发光层43。
S1206、对形成有发光层的衬底基板在第一外部条件下进行处理，以使第一像素界定层呈疏水性；具体地，对形成有发光层43的衬底基板1在第一外部条件下进行处理，即对形成有发光层43的衬底基板1在加热或者可见光(如436nm的蓝光)照射1-30min，以使第一像素界定层21呈疏水性。
S1207、采用喷墨打印工艺在发光层远离衬底基板一侧形成电子传输层；具体地，如图13I所示，在发光层43远离衬底基板1一侧采用喷墨打印工艺形成亲水性的电子传输层44，即形成本发明图2A所示的阵列基板。
在具体实施时，对本发明图2A所示的阵列基板进行退火后沉积铝等金属材料作为阴极，完成OLED器件的制备。
随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，因此本发明的发光层的材料可以为量子点材料，即形成QLED器件。
在具体实施时，由于采用喷墨打印技术形成发光功能层可以达到制备高分辨率QLED器件，因此本发明实施例均是以采用喷墨打印技术形成发光功能层为例进行说明的，当然本发明的技术方案适用于其它如蒸镀工艺形成发光功能层，本发明对此不作限制。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法中，在图13C，对第一光刻胶采用正胶的方式进行曝光，但在具体实施时也可以采用反胶的方式对第一光刻胶进行曝光，具体的曝光方式根据实际应用情况进行选择，在此不作具体限定。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法中，构图工艺可只包括光刻工艺，或，可以包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。在具体实施时，可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中的阵列基板。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置，如图14所示，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，在此不作限定。
本发明实施例提供的上述阵列基板、其制备方法及显示装置，通过将像素界定层中与发光功能层接触的部分设置成具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能，这样在形成发光功能层的各膜层时，由于发光功能层的各膜层亲、疏水性不一致，如在形成亲水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈疏水性，在形成疏水性的发光功能层时，将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈亲水性，从而可以使开口区域内形成的发光功能层不会向像素界定层内壁攀爬，从而使开口区域内形成的发光功能层膜厚均一，提高显示面板的显示效果和发光器件的寿命。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板一侧的像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区域，所述开口区域内包括发光功能层，所述像素界定层中与所述发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层包括第一像素界定层，以及位于所述第一像素界定层远离所述衬底基板一侧的第二像素界定层；
所述第一像素界定层包括围绕各所述开口区域且相互独立的多个像素界定结构，所述像素界定结构与所述发光功能层接触；
所述第二像素界定层覆盖多个所述像素界定结构，所述第二像素界定层的结构为具有露出各所述开口区域的网格状结构，且所述第二像素界定层用于使相邻所述像素界定结构之间相互绝缘。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，沿所述衬底基板指向所述像素界定层的方向，所述像素界定结构的厚度大于所述发光功能层的厚度。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层在紫外光照射下由亲水性转换为疏水性或由疏水性转换为亲水性。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层的材料为偶氮苯、螺吡喃、肉桂酸、二氧化钛或五氧化二钒；所述第二像素界定层的材料为绝缘材料。
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层的厚度为100nm-200nm，所述第二像素界定层的厚度为50nm-150nm。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述空穴注入层和所述电子传输层呈亲水性，所述空穴传输层和所述发光层呈疏水性。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述发光层的材料为量子点材料。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层；
在各所述开口区域内形成发光功能层；其中，所述像素界定层中与所述发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层，具体包括：
在所述衬底基板上旋涂第一光刻胶，并对所述第一光刻胶进行曝光、显影后形成图形化的第一光刻胶层；
在形成有所述第一光刻胶层的衬底基板上旋涂制备第一像素界定材料层；
对所述第一光刻胶层进行剥离以除去所述第一光刻胶层和所述第一光刻胶层上方的第一像素界定材料层，以形成围绕各所述开口区域且相互独立的多个像素界定结构，各所述像素界定结构构成所述第一像素界定层；
在所述第一像素界定层远离所述衬底基板一侧沉积绝缘材料膜层；
对所述绝缘材料膜层进行构图露出各所述开口区域，以形成所述第二像素界定层；所述第二像素界定层覆盖多个所述像素界定结构，所述第二像素界定层的结构为具有露出各所述开口区域的网格状结构，且所述第二像素界定层用于使相邻所述像素界定结构之间相互绝缘。
13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在各所述开口区域内形成发光功能层，具体包括：
对形成有所述第二像素界定层的衬底基板在第一外部条件下进行处理，以使所述第一像素界定层呈疏水性；
采用喷墨打印工艺在各所述开口区域内形成空穴注入层；
对形成有所述空穴注入层的衬底基板在第二外部条件下进行处理，以使所述第一像素界定层呈亲水性；
采用喷墨打印工艺在所述空穴注入层远离所述衬底基板一侧形成空穴传输层；
采用喷墨打印工艺在所述空穴传输层远离所述衬底基板一侧形成发光层；
对形成有所述发光层的衬底基板在所述第一外部条件下进行处理，以使所述第一像素界定层呈疏水性；
采用喷墨打印工艺在所述发光层远离所述衬底基板一侧形成电子传输层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010354624.9A CN113571668B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
| US17/628,145 US20230039681A1 (en) | 2020-04-29 | 2021-03-02 | Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus |
| PCT/CN2021/078745 WO2021218361A1 (zh) | 2020-04-29 | 2021-03-02 | 显示基板、其制备方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010354624.9A CN113571668B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113571668A true CN113571668A (zh) | 2021-10-29 |
| CN113571668B CN113571668B (zh) | 2023-08-29 |
Family
ID=78158459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010354624.9A Active CN113571668B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230039681A1 (zh) |
| CN (1) | CN113571668B (zh) |
| WO (1) | WO2021218361A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116265236A (zh) * | 2021-12-17 | 2023-06-20 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点复合材料、显示装置 |
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| CN107623082A (zh) * | 2017-08-16 | 2018-01-23 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN107689390A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 |
| CN108919605A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用 |
| CN109192875A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板及制造方法、显示基板及制造方法和显示装置 |
| CN110622317A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制造显示基板的方法和显示设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102576997B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
| CN109100915B (zh) * | 2018-08-23 | 2021-12-14 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种光阻组合物、像素界定结构及其制作方法、显示面板 |
| CN111599849B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
-
2020
- 2020-04-29 CN CN202010354624.9A patent/CN113571668B/zh active Active
-
2021
- 2021-03-02 WO PCT/CN2021/078745 patent/WO2021218361A1/zh active Application Filing
- 2021-03-02 US US17/628,145 patent/US20230039681A1/en active Pending
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| CN107689390A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 |
| CN108919605A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用 |
| CN109192875A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板及制造方法、显示基板及制造方法和显示装置 |
| CN110622317A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制造显示基板的方法和显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113571668B (zh) | 2023-08-29 |
| US20230039681A1 (en) | 2023-02-09 |
| WO2021218361A1 (zh) | 2021-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |