TWI549329B - 有機發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光裝置及其製造方法
範例實施例係有關於一種有機發光裝置及其製造方法，更具體地說，係有關於一種具有改善之發光效率之有機發光裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置可於低電壓操作，其重量輕且具有厚度薄、廣視角、高對比、與高反應速度。由於這些優點，其被視為下一代的顯示裝置。
範例實施例提供一種由於包含兩個像素電極而改善發光效率之有機發光裝置及其製造方法。
範例實施例亦提供一種有機發光裝置，其中當有機發光裝置藉由印刷而製造時，發光部分之邊緣的光發射係被抑制以改善所萃取之光的品質，及其製造方法。
根據範例實施例之一態樣，其係提供一種有機發光裝置， 包含設置於基板上之第一像素電極；覆蓋第一像素電極之邊緣的第一邊坡，第一邊坡具有暴露第一像素電極之一部分的第一開口；第二像素電極，其覆蓋第一像素電極由第一開口所暴露之部分，第二像素電極覆蓋第一邊坡的至少一部分；覆蓋第二像素電極之有機發光層；以及覆蓋有機發光層之反向電極。
第一像素電極與第二像素電極可包含具有不同折射係數之材料。
第二像素電極可直接位於第一像素電極與有機發光層之間，第一像素電極與第二像素電極係直接地表面接觸。
第一像素電極與第二像素電極之各別第一部分可直接相互接觸，且第一邊坡之一部分可位於第一像素電極與第二像素電極之各別第二部分之間。
第一邊坡之厚度可約為1μm或小於1μm。
有機發光裝置可更包含於第一邊坡上的第二邊坡，第二邊坡包含寬於第一開口且暴露第二像素電極的第二開口。
第一邊坡與第二邊坡可包含相同的有機材料。
第二像素電極可包含氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、三氧化二銦(indium oxide,In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide,IGO)、以及氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)之至少其中之一。
第二像素電極之厚度可約為100nm或小於100nm。
第二像素電極可包含金屬材料。
第二像素電極之厚度可約為10nm或小於10nm。
根據範例實施例之另一態樣，其係提供一種製造有機發光裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成第一像素電極於基板上；形成第一邊坡以覆蓋第一像素電極之邊緣，第一邊坡具有暴露第一像素電極之一部分的第一開口；形成第二像素電極以覆蓋第一像素電極藉由第一開口所暴露之部分，第二像素電極覆蓋第一邊坡的至少一部分；形成有機發光層以覆蓋第二像素電極；以及形成反向電極以覆蓋有機發光層。
該方法可更包含於第一邊坡上形成第二邊坡之步驟，如此第二邊坡具有寬於第一開口之第二開口，且有機發光層覆蓋第二像素電極藉由第二開口所界定之區域。
形成第一邊坡與第二邊坡之步驟可藉由同時使用半調遮罩與相同材料而執行。
形成第二像素電極之步驟可包含使用具有與第一像素電極之材料不同折射係數之材料。
形成有機發光層之步驟可包含提供液體有機材料至第二像素電極並乾燥。
形成第二像素電極之步驟可包含使用氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、三氧化二銦、氧化銦鎵、以及氧化銦鋅之至少其中之一。
形成第二像素電極之步驟可包含提供一材料至約100nm或小於100nm的厚度。
形成第二像素電極之步驟可包含使用金屬材料。
形成第二像素電極之步驟可包含提供一材料至約約10nm或小於10nm的厚度。
100、200‧‧‧有機發光裝置
110、210‧‧‧基板
120、220‧‧‧第一像素電極
120a、150a‧‧‧邊緣
140‧‧‧邊坡
140’‧‧‧絕緣材料
140a、230‧‧‧第一邊坡
140b、240‧‧‧第二邊坡
150、250‧‧‧第二像素電極
160、260‧‧‧有機發光層
160’‧‧‧油墨
170、270‧‧‧反向電極
C1‧‧‧第一開口
C2‧‧‧第二開口
n1、n2‧‧‧折射係數
L0、L1、L2、L3‧‧‧光線
R1、R2、R3、R4、R5‧‧‧電阻值
Lt‧‧‧穿隧效應
M‧‧‧半調遮罩
M1‧‧‧遮蔽區域
M2‧‧‧半透射區域
M3‧‧‧透射區域
藉由參考附圖詳細說明例示性實施例，所屬技術領域者將更為瞭解上述及其他特徵與優點，其中：第1圖 係為根據範例實施例之有機發光裝置之剖面示意圖；第2圖 係為用以解釋第1圖中有機發光裝置之共振原理之概念示意圖；第3圖 係為用以解釋第1圖中有機發光裝置之邊緣抑制光萃取(light extraction)之概念示意圖；第4圖至第9圖 係為根據範例實施例之製造有機發光裝置之方法中各階段的剖面圖；以及第10圖 係為根據另一範例實施例之有機發光裝置之剖面圖。
本申請案主張於2011年8月12日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0080652，發明名稱為“有機發光裝置及其製造方法(Organic Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same)”之申請案的優先權效益，其全部內容納於此處做為參考。
現將參考附圖於下文中更完整地描述範例實施例，然而其可以不同形式實施且不應詮釋為此處之實施例所限。相反的，此些實施 例係提供以使揭露更加徹底與完整，且對所屬技術領域者更完整地傳達本發明之範疇。
在圖式中，層與區域的尺寸可能為了清晰解釋而誇大。其將瞭解的是當一層(或元件)被稱為在另一層或基板之“上”時，其可直接位於另一層或元件之上，或可存在中介層。此外其將瞭解的是，當一層被稱為“介於”兩層之間時，其可為兩層之間唯一的一層，或亦可存在一個或多個中介層。全文中相似的參考符號代表相似的元件。
在下文中參考第1圖詳細描述有機發光裝置之例示性實施例。第1圖係為根據範例實施例之有機發光裝置100的剖面示意圖。
請參考第1圖，第一像素電極120可設置於基板110上。
基板110可由例如主要包含二氧化矽(SiO2)為主原料之透明玻璃材料所形成。然而，用於形成基板110的材料不僅限於此，各種材料例如透明塑膠材料或金屬材料亦可用以形成基板110。
雖然並未繪示於第1圖中，但基板110可包含分配至各像素的複數個像素電路單元。每一像素電路單元可包含至少一薄膜電晶體(TFT)。在每一像素電路單元之薄膜電晶體中，任一的源極電極與汲極電極係連接至第一像素電極120的至少一部份。此外，薄膜電晶體可設置於基板110上與第一像素電極120重疊的區域。另一方面，薄膜電晶體可設置於不與第一像素電極120重疊的區域。
形成於基板110上的第一像素電極120可為透明電極、半透明電極、或反射電極。當第一像素電極120為透明電極或半透明電極時，第一像素電極120可包含例如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、三氧化二銦(indium oxide,In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide,IGO)、以及 氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)至少其中之一。當第一像素電極120為反射電極時，第一像素電極120可包含例如由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、及/或鉻(Cr)所形成之反射薄膜，例如由上述用以形成透明或半透明電極之材料所形成之透明或半透明薄膜可形成於反射薄膜上。
一邊坡140可形成於基板110上，覆蓋第一像素電極120的邊緣120a。此邊坡140可包含第一邊坡140a與第二邊坡140b。
第一邊坡140a可形成以覆蓋第一像素電極120的邊緣120a，且可具有第一開口C1，其係至少暴露第一像素電極120的中央部分。第二邊坡140b可設置於第一邊坡140a上，且可具有第二開口C2，其係暴露各第一像素電極120與第一邊坡140a之一部分。因此，第二開口C2可寬於第一開口C1，且第一邊坡140a與第二邊坡140b可具有一台階位於其間。第一開口C1與第二開口C2可形成錐形形狀。
根據範例實施例，第一邊坡140a與第二邊坡140b可整體形成為一體且可以相同材料形成。舉例而言，第一邊坡140a與第二邊坡140b可由親水性有機材料所形成，例如聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)及/或丙烯酸樹脂(acrylic resin)。第二邊坡140b之表面可以疏水性處理以避免形成有機發光層160時油墨溢出。
根據另一範例實施例，第一邊坡140a與第二邊坡140b可由不同材料形成。舉例而言，第一邊坡140a可以相較於第二邊坡140b以更為親水性之材料所形成。然而範例實施例不僅限於此，例如第一邊坡140a與第二邊坡140b可以相同的有機材料形成，且可添加氟至第二邊坡140b。舉例而言，氟可與聚亞醯胺樹脂或丙烯酸樹脂共同使用以根據高度而改變親水性的程度。
第一邊坡140a可形成而由第一像素電極120之一端以約10μm或小於10μm覆蓋第一像素電極120的邊緣120a。亦即，第一邊坡140a可由第一像素電極120的最外側端朝向第一像素電極120的中心，以約10μm或小於10μm的距離覆蓋第一像素電極120的邊緣部分。
當第一邊坡140a與第二邊坡140b，特別是第一邊坡140a，由有機材料形成時，可避免圖樣化第一邊坡140a時傷害第一像素電極的表面。也就是說，由於不需要例如藉由濺鍍以形成無機材料於第一像素電極120之表面上，因此第一像素電極120之表面不受傷害。
當有機發光層160藉由印刷形成時，第二邊坡140b可界定欲掺雜油墨的區域。在此情況之下，若第二邊坡140b的高度過低，則液體有機掺雜材料可能溢出第二邊坡140b。若第二邊坡140b的高度過高，則反向電極170可能由於第二邊坡140b與有機發光層160分開。舉例而言，第二邊坡140b可形成以具有約0.5μm至約3μm的高度。
由於第二像素電極150與有機發光層160係形成於第一邊坡140a上，因此第一邊坡140a的高度可相對較低。然而，由於第一邊坡140a絕緣第一像素電極120的邊緣120a與第二像素電極150的邊緣150a，因此第一邊坡140a相較於第二邊坡140b可具有較低高度。舉例而言，第一邊坡140a之高度可約為0.1μm至約0.5μm。
第二像素電極150可形成於第一像素電極120由第一開口C1所暴露之部分以及至少一部份第一邊坡140a上。第二像素電極150可以與第一像素電極120之材料具有不同折射係數之材料形成。不論第一像素電極120之材料為何，第二像素電極150可為透明/半透明電極。
若第二像素電極150為透明電極，則第二像素電極150可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、三氧化二銦、氧化銦鎵、以及氧化 鋁鋅至少其中之一。若第二像素電極150由透明氧化金屬形成，則此透明氧化金屬可與第一像素電極120之透明氧化金屬不同，以使第二像素電極150發揮共振電極的功能。若第二像素電極150為透明電極，則第二像素電極150之厚度可約為100nm或小於100nm，例如在數nm或數十nm的範圍之內。
若第二像素電極150由金屬材料形成，則可使用銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、或鉻(Cr)至少其中之一。在此情況之下，第二像素電極150可形成以具有約10nm或小於10nm的厚度，進而作為半透明電極。若第二像素電極150由金屬材料形成，亦即讓光線能從中穿透，則第二像素電極150的厚度可小於透明第二像素電極150的厚度。
第二像素電極150可以其邊緣形成於第一邊坡140a上且其中央部分接觸第一像素電極120的方法形成。因此，第一邊坡140a可插設於第一像素電極120與第二像素電極150的邊緣之間。
有機發光層160可形成於第二像素電極150上由第二開口C2所界定的區域內。有機發光層160可由噴墨印刷或噴嘴印刷(nozzle printing)所形成。在此情形下，有機發光層160可由高分子有機材料所形成。當有機發光層160由高分子有機材料形成時，除了有機發光層160之外，可進一步包含電洞傳輸層(HTL)。電洞傳輸層可包含，例如聚-(2,4)-乙烯基-二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene,PEDOT)或聚苯胺(polyaniline,PANI)。此處可用之有機材料可包含聚苯基乙烯基(poly-phenylenevinylene-based,(PPV))或聚芴基(polyfluorene-based)高分子有機材料。
有機發光層160之形成製程可不限於此。舉例而言，有機發光層160可藉由沉積低分子量有機材料所形成。當有機發光層160以低分子量有機材料形成時，電洞傳輸層、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)可沉積於有機發光層160附近。此外，若需要時可沉積各種其他不同層。此處可用之有機材料可為銅鈦菁(copper phthalocyanine,CuPc)、N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine,NPB)、三(8-羥基喹啉鋁)(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)等。
反向電極170可形成於有機發光層160以及第二邊坡140b上。反向電極170可包含鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、以及氟化鋰/鋁(LiF/Al)之至少其中之一。反向電極170可進一步包含輔助電極或匯流排電極(bus electrode)，兩者皆由透明電極形成材料所形成，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、或三氧化二銦。反向電極170可藉由沉積或濺鍍而形成於有機發光層160上。
在範例實施例中，第一像素電極120係用為陽極且反向電極170係用為陰極。然而第一像素電極120與反向電極170之之極性可互換。
第2圖係為用以解釋第1圖中有機發光裝置100之共振原理之概念示意圖。第2圖係為第1圖中區域A的放大圖。
請參閱第2圖，第一像素電極120具有折射係數n1且第二像素電極150具有折射係數n2。折射係數n1與折射係數n2彼此不同。在此結構中，由有機發光層160所發射之光線L0的一部分係入射至第二像素電極150且穿透而朝向第一像素電極120而傳輸。有機發光層160所發射之光線L0的另一部分係入射至第二像素電極150且由第二像素電 極150的表面反射為朝向有機發光層160之光線L1。傳輸通過第二像素電極150朝向第一像素電極120的部分光線可於第一像素電極120與第二像素電極150之間的介面折射，因此該傳輸之光線的第一部分會於該介面折射且更於第二像素電極150與有機發光層160之介面折射而成為朝向有機發光層160反射之光線L2。該傳輸之光線的第二部分係傳輸通過第一像素電極120，並於第一像素電極120與基板110之間的介面折射，並於第二像素電極150的各個介面折射而成為朝向有機發光層160反射之光線L3。反射之光線L1、L2、與L3在滿足布拉格定律(Bragg’s law)的條件下共同造成結構性的干擾。也就是說，第一像素電極120與第二像素電極150形成了共振結構，所以可改善有機發光裝置100之發光效率與色彩再現性。
當傳統有機發光裝置之有機發光層係藉由印刷而形成時，將難以實現共振結構。詳細地說，由於使用溶液的製程特性，有機發光層的厚度可能無法精確地控制，故所產生之有機發光層之厚度可能難以根據像素的顏色而控制。再者，當使用不同之印刷條件時，大量生產之時間可能相對較長。然而，若根據範例實施例之第一像素電極120與第二像素電極150直接形成於彼此的頂端，即便有機發光層160係使用印刷而製造，仍可輕易地實施共振結構。
第3圖係為係為用以解釋第1圖中有機發光裝置100之邊緣抑制光萃取(light extraction)之概念示意圖。第3圖係第1圖之區域A的放大圖。
請參閱第3圖，第一像素電極120的邊緣係與第二像素電極150的邊緣藉由第一邊坡140a而相互分離。第一邊坡140a的邊緣可由於蝕刻過程中的暴露差異而形成具有錐型，且第二像素電極150可符 合第一邊坡140a之錐面。在此情形之下，第一像素電極120可具有約200nm或多於200nm的厚度且第二像素電極150可具有數nm或數十nm的厚度，亦即第一像素電極120可實質上厚於第二像素電極150。
由於第二像素電極150具有數nm或數十nm的厚度，當第一像素電極120具有相對較小電阻值R4時，第二像素電極150可作為具有高電阻值R1、R2與R3的高電阻。此外，將第一像素電極120與第二像素電極150分離之第一邊坡140a覆蓋第一像素電極120的邊緣且其厚度沿著錐型朝向第一像素電極120的端點增加。第一邊坡140a之最厚部分的高度，亦即厚度，可約在約0.1μm至約0.5μm的範圍。因此第一邊坡140a也可具有高電阻值R5。
在第一邊坡140a並未形成的區域中，第一像素電極120接觸第二像素電極150。在此情形之下，雖然第二像素電極150具有高電阻，產生穿隧效應(tunneling)Lt，因此電洞可有效地傳輸至有機發光層160。因此，可在有機發光層160中平順地發光。
然而，在第一邊坡140a形成於第一像素電極120與第二像素電極150之間的區域中，由第一像素電極120提供之電洞由於第一邊坡140a之高電阻值R5，無法透過第一邊坡140a以及第二像素電極150而穿隧至有機發光層160。因此，電洞無法到達有機發光層160位於第一像素電極120邊緣之處，進而無法發光。在本實施例中，第一像素電極120係用作為陽極。然而，第一像素電極120可用作為陰極，且在此情形之下第一像素電極120提供電子而非電洞。
當有機發光層160藉由印刷而形成時，有機發光層160的相對邊緣在液體有機材料乾燥時可能具有不均勻的厚度。這可能於有機發光層160之不均勻的邊緣處造成不均勻的發光，例如造成像素具有環 型帶狀(亦即咖啡漬圈環效應(coffee ring effect))。咖啡漬圈環效應可能導致有機發光裝置100品質的下降。
然而根據範例實施例，在第一邊坡140a形成之區域處，例如第一像素電極120與第二像素電極150之邊緣，並未產生光發射。也就是說，當光發射僅於第一像素電極120接觸第二像素電極150之處，例如第一像素電極120與第二像素電極150相互接觸的中央部位，則有機發光層160之邊緣的不均勻厚度，亦即第一像素電極120與第二像素電極150之外的地方，可能不會影響發光。因此可避免像素看起來具有環型的情形，且可改善有機發光裝置100之像素品質與發光品質。
需注意的是範例實施例並不限於由噴墨印刷或噴嘴印刷所形成的有機發光層160。舉例而言，當有機發光層使用例如濺鍍或沉積之其他方式形成時，也可應用範例實施例。
第4圖至第9圖係為製造第1圖之有機發光裝置100之方法的剖面圖。下文中將參閱第1圖以及第4圖至第9圖詳細說明製造第1圖之有機發光裝置100之方法。
請參閱第4圖，第一像素電極120可形成於基板110上。基板110與第一像素電極120已於上描述。
請參與第5圖，絕緣材料140’可沉積於第一像素電極120上，且第一邊坡140a與第二邊坡140b(顯示於第6圖中)可使用半調遮罩(half-tone mask)M而形成。絕緣材料140’可為有機材料，且可藉由例如旋轉塗佈法沉積於基板110的整個表面，以完全地覆蓋第一像素電極120。第一邊坡140a與第二邊坡140b可藉由使用半調遮罩M的光蝕刻製程而形成。當絕緣材料140’為感光有機材料時，可不需要另外的光阻。半調遮罩M表示該遮罩的穿透率可根據區域而控制。半調遮罩M可 包含設置以對應於第二邊坡140b的遮蔽區域M1、設置以對應於第一邊坡140a的半透射區域M2、以及設置以對應於第一像素電極120之暴露區域的透射區域M3。
一曝光製程係使用利用半調遮罩M之曝光裝置(圖未示)而於其上執行，接著顯影與蝕刻，從而形成具有不同高度的第一邊坡140a與第二邊坡140b。亦即，如第6圖所示，在曝光的過程中絕緣材料140’重疊半調遮罩M之透射區域M3的部分係移除以形成具有第一開口C1的第一邊坡140a且暴露第一像素電極120。相同的，絕緣材料140’重疊半調遮罩M之半透射區域M2的部分係移除以形成具有第二開口C2的第二邊坡140b且暴露第一邊坡140a的邊緣。然而須了解的是，形成第一邊坡140a與第二邊坡140b的方法並不限於使用半調遮罩M的方法。此外第一邊坡140a與第二邊坡140b並不需要以相同有機材料形成。舉例而言，第一邊坡140a與第二邊坡140b可以不同有機材料形成。然而，當使用如上所述的半調遮罩M或狹縫遮罩時，由於第一邊坡140a與第二邊坡140b可使用同一遮罩同時形成，因此可簡化製造製程。
請參與第7圖，第二像素電極150可形成於第一像素電極120所暴露之部分以及第一邊坡140a上。舉例而言，第二像素電極150可形成以依循著第一開口C1的邊界，以使第二像素電極150可覆蓋第一像素電極120由第一開口C1所暴露的所有部分，且可延伸以直接覆蓋第一邊坡140a的邊緣。
請參閱第8圖至第9圖，油墨160’可藉由噴墨印刷或噴嘴印刷而添加至由第二邊坡140b之第二開口C2所定義之區域中，以覆蓋第二像素電極150且完全地填滿第二開口C2。油墨160’可乾燥及/或固化以形成有機發光層160。
請再度參閱第1圖，反向電極170可形成於第二邊坡140b上，覆蓋有機發光層160，進而完成有機發光裝置100的製造。反向電極170可藉由沉積或濺鍍而形成。
如上所述，第一邊坡140a與第二邊坡140b係以有機材料形成。然而範例實施例不限於此，例如無機材料可用以形成第一邊坡140a與第二邊坡140b。
第10圖係為根據另一實施例之有機發光裝置200之剖面圖。下文中僅詳細描述有機發光裝置100與有機發光裝置200之間的差異。
請參閱第10圖，形成以覆蓋第一像素電極220之邊緣的第一邊坡230可與形成於第一邊坡230上之第二邊坡240以不同材料形成。舉例而言，第一邊坡230可由無機材料形成，例如矽氮化物(SiNx)或矽氧化物(SiO2)至少其中之一，且第二邊坡240可以有機材料形成。
當第一邊坡230以無機材料形成時，由於其高親水性的特性，可促進有機發光層260與第一邊坡230之間的貼附。第一邊坡230可藉由例如旋轉塗佈於第一像素電極220上沉積無機材料，接著藉由提供光阻層與用於圖樣化之光蝕刻製程而形成。在形成第一邊坡230之後，第二邊坡240可使用有機材料形成。
然而範例實施例並不限於此。舉例而言，第一邊坡230與第二邊坡240可以不同的有機材料形成。在此情形之下，可避免例如可能發生於第一邊坡230形成時之第一像素電極220的傷害。雖然在本實施例中第二像素電極250係於第一邊坡230與第二邊坡240形成之後才形成，但是第二像素電極250可於形成第一邊坡230與第二邊坡240之 間形成。在後者的情形之下，第二邊坡240可形成以完全地或不完全地暴露第二像素電極250。
此外，第10圖繪示了反向電極270僅形成於由第二邊坡240所定義的區域中的範例情形。若有機發光裝置200為主動矩陣型有機發光裝置，則反向電極270可形成於基板210的整個表面上作為共同電極。然而，若有機發光裝置200如第10圖所示為被動矩陣型有機發光裝置，則反向電極270可僅形成於有機發光層260上。在此情形之下，第二邊坡240除了用作為定義發光區域之外，亦可作為分隔板。
根據範例實施例，由於包含相互接觸的兩個像素電極且形成共振結構，可改善有機發光裝置之發光效率。此外，當藉由印刷製造有機發光裝置時，可藉由抑制發光部分之邊緣的發光而改善所萃取之光(extracted light)的品質。
相對的，傳統的有機發光裝置，例如具有單一像素電極的裝置，可能具有較廣的發光波長範圍，進而呈現相對較低的發光效率與色彩純度。此外，由於在傳統有機發光裝置之有機發光層所發射的光不具有特定的方向，因為在有機發光裝置中的內部全反射，許多以隨機方向發射的光子可能無法到達觀看者，進而減少有機發光裝置的光萃取效率。
此處已揭露例示性實施例，且雖然使用特定的術語，其僅使用且詮釋為通用與描述性的意義，而非為限制之目的。因此所屬技術領域者應了解，任何未脫離範例實施例之精神與範疇，而對其進行之各種不同形式與細節之修改，均應包含於後附之申請專利範圍中。
100‧‧‧有機發光裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一像素電極
120a、150a‧‧‧邊緣
140‧‧‧邊坡
140a‧‧‧第一邊坡
140b‧‧‧第二邊坡
150‧‧‧第二像素電極
160‧‧‧有機發光層
170‧‧‧反向電極
C1‧‧‧第一開口
C2‧‧‧第二開口

Claims (19)

  1. 一種有機發光裝置，其包含：一第一像素電極，其係設置於一基板上；一第一邊坡(bank)，其覆蓋該第一像素電極之一邊緣，該第一邊坡具有暴露該第一像素電極之一部分的一第一開口；一第二像素電極，其覆蓋該第一像素電極由該第一開口所暴露之該部分，該第二像素電極覆蓋該第一邊坡的至少一部分；一第二邊坡，其位於該第一邊坡上，該第二邊坡包含寬於該第一開口且暴露該第二像素電極的一第二開口；一有機發光層，其覆蓋該第二像素電極；以及一反向電極，其覆蓋該有機發光層：其中，該第二像素包含直接接觸該第一電極的一中央部分以及自該中央部分延伸的一邊緣，該第一邊坡位於該第一像素電極以及該第二像素電極的該邊緣之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一像素電極與該第二像素電極包含具有不同折射係數之材料。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光裝置，其中該第二像素電極係直接位於該第一像素電極與該有機發光層之間，該第一像素電極與該第二像素電極係直接地表面接觸。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一像素電極與該第二像素電極之各別第一部分係直接相互接觸，且該第一邊坡之一部分係位於該第一像素電極與該第二像素 電極之各別第二部分之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一邊坡之厚度係約為1μm或小於1μm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一邊坡與該第二邊坡包含一相同有機材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第二像素電極包含氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、三氧化二銦(indium oxide,In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide,IGO)、以及氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)之至少其中之一。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中該第二像素電極之厚度係約為100nm或小於100nm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第二像素電極包含一金屬材料。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光裝置，其中該第二像素電極之厚度係約為10nm或小於10nm。
  11. 一種製造有機發光裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一第一像素電極於一基板上；形成一第一邊坡以覆蓋該第一像素電極之一邊緣，該第一邊坡具有暴露該第一像素電極之一部分的一第一開口；形成一第二像素電極以覆蓋該第一像素電極藉由該第一開口所暴露之該部分，該第二像素電極覆蓋該第一邊坡的至少一部 分；形成一第二邊坡於該第一邊坡上，其中該第二邊坡包含寬於該第一開口的一第二開口；形成一有機發光層以覆蓋該第二像素電極；以及形成一反向電極以覆蓋該有機發光層；其中，該第二像素電極包含直接接觸該第一電極的一中央部分以及自該中央部分延伸的一邊緣，該第一邊坡位於該第一像素電極以及該第二像素電極的該邊緣之間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該有機發光層覆蓋該第二像素電極藉由該第二開口所界定之一區域。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該第一邊坡與該第二邊坡之步驟係藉由同時使用一半調遮罩與一相同材料而執行。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該第二像素電極之步驟包含使用具有與該第一像素電極之材料不同折射係數之一材料。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該有機發光層之步驟包含提供一液體有機材料至該第二像素電極並乾燥。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該第二像素電極之步驟包含使用氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、三氧化二銦(indium oxide,In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide,IGO)、以及氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)之至少其中之一。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該第二像素電極之步驟包含提供一材料至約100nm或小於100nm的厚度。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該第二像素電極之步驟包含使用一金屬材料。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中形成該第二像素電極之步驟包含提供一材料至約10nm或小於10nm的厚度。
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