CN110622317A - 显示基板、制造显示基板的方法和显示设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示基板。显示基板包括：基底基板；多个第一电极，其在基底基板上成阵列排列；以及，像素限定层，其在基底基板上限定多个开口。多个开口可分别与多个第一电极重叠。像素限定层可包括多个第一像素限定单元和多个第二像素限定单元；并且，多个第一像素限定单元可彼此间隔开。
Description
技术领域
本公开一般涉及显示技术领域，更具体地，涉及显示基板、显示设备和制造显示基板的方法。
背景技术
在显示技术中，有机发光二极管(OLED)变得非常流行。有机发光二极管是一种有机薄膜电致发光元件，并且具有制造过程简单、成本低、发光效率高、能够形成柔性结构等优点。
目前，主要有两种形成OLED的方法。一种方法是沉积工艺，其最适用于制造小尺寸OLED。目前，这种方法已经进入了量产阶段。
另一种方法是溶液工艺，其主要采用有机溶液来通过旋转涂覆、喷墨打印或丝网印刷成膜。该第二种方法具有成本低、产能高、适于大尺寸面板等优点，因此已经在国内外被广泛研究。在经由溶液工艺制造OLED膜的上述技术中，喷墨打印技术是量产大尺寸OLED的前景广阔的方式，这是由于其相对高的材料利用率。
发明内容
在一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：基底基板；多个第一电极，其在基底基板上成阵列排列；以及，像素限定层，其在基底基板上限定多个开口。所述多个开口分别与所述多个第一电极重叠。像素限定层包括多个第一像素限定单元和多个第二像素限定单元；并且，所述多个第一像素限定单元彼此间隔开。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元中的一个具有亲液侧面；所述多个第二像素限定单元中的一个具有疏液侧面；亲液侧面和疏液侧面面向同一开口，并且亲液侧面位于基底基板与疏液侧面之间。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元在基底基板上的正投影与所述多个第一电极在基底基板上的正投影分别重叠。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元在基底基板上的正投影分别位于所述多个第一电极在基底基板上的正投影内。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元由所述多个第二像素限定单元彼此间隔开。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元中的一个在基底基板上的正投影围绕第一开口区域。
在本公开的一些实施例中，所述多个第二像素限定单元彼此直接接触。
在本公开的一些实施例中，所述多个第二像素限定单元中的一个在基底基板上的正投影围绕第二开口区域。
在本公开的一些实施例中，第一开口区域的面积小于或实质上等于第二开口区域的面积。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元包括亲液材料，并且所述多个第二像素限定单元包括疏液材料。
在本公开的一些实施例中，从亲液侧面上的点到第一电极的最大距离在约0.5μm至约2μm的范围内。
在本公开的一些实施例中，从疏液侧面上的点到第一电极的最大距离在约0.6μm至约4μm的范围内。
另一方面，本公开提供了一种制造显示基板的方法，包括：通过构图工艺在基底基板上形成分别位于多个第一电极上的多个第一像素限定层子膜，所述多个第一电极成阵列排列；形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元，其中第一像素限定层单元彼此间隔开。
在本公开的一些实施例中，通过构图工艺在基底基板上形成分别位于多个第一电极上的多个第一像素限定层子膜包括：在基底基板上形成第一电极膜；在第一电极膜上形成第一像素限定层膜；利用第一掩模对第一电极膜和第一像素限定层膜构图，从而在基底基板上形成分别位于所述多个第一电极上的所述多个第一像素限定层子膜。
在本公开的一些实施例中，形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元包括：形成覆盖所述多个第一像素限定子膜的第二像素限定层膜；利用第二掩模对第二像素限定层膜和所述多个第一像素限定层子膜构图，从而形成所述多个第一像素限定层单元和所述多个第二像素限定层单元，其中，所述多个第一像素限定层单元中的至少一个包括亲液侧面，并且所述多个第二像素限定层单元中的至少一个包括疏液侧面。
在本公开的一些实施例中，形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元包括：形成第二像素限定层膜；利用两种不同掩模对第二像素限定层膜和所述多个第一像素限定层子膜构图，从而形成所述多个第一像素限定层单元和所述多个第二像素限定层单元；其中，所述多个第一像素限定层单元中的至少一个包括亲液侧面，并且所述多个第二像素限定层单元中的至少一个包括疏液侧面。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定层单元和所述多个第二像素限定层单元限定多个开口；所述多个开口分别与所述多个第一电极重叠。
在本公开的一些实施例中，所述方法还包括：在所述多个开口中形成有机发光溶液，以使得有机发光溶液与亲液侧面和疏液侧面两者接触；使有机发光溶液干燥以形成有机发光层。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括：上述任一显示基板；位于所述多个开口中的至少一个中的有机发光层；以及，位于有机发光层上的第二电极。
在本公开的一些实施例中，有机发光层的厚度小于或实质上等于从亲液侧面上的点到第一电极的最大竖直距离。
附图说明
为了清楚地示出这里所公开的本发明中的各种实施例，下面是实施例描述中的附图，这里简要进行介绍。
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出根据本公开的一些实施例的显示基板的结构的示意图；
图2-1是示出图1的A-A'截面的示意图；
图2-2是示出根据本公开的一些实施例的多个第一像素限定单元之一和多个第二像素限定单元之一的平面图的示意图；
图3-1是根据本公开的一些实施例的显示基板的示意图；
图3-2是示出根据本公开的一些实施例的多个第一像素限定单元之一和多个第二像素限定单元之一的平面图的示意图；
图4-1是根据本公开的一些实施例的显示基板的示意图；
图4-2是示出根据本公开的一些实施例的多个第一像素限定单元之一和多个第二像素限定单元之一的平面图的示意图；
图5-1至图5-6示出了根据本公开的一些实施例的制造显示基板的方法；
图6-1至图6-6示出了根据本公开的一些实施例的制造显示基板的方法；
图7-1至图7-3示出了根据本公开的一些实施例的制造显示设备的方法；
图8示出了根据本公开的一些实施例的制造显示基板的流程图；
图9示出了根据本公开的一些实施例的制造显示基板的流程图。
具体实施方式
将参照附图和实施例更具体地描述本公开，以提供本领域技术人员对本公开技术方案的更好的理解。在本公开的整个描述内容中，对图1至图9进行参考。当参考附图时，以相似附图标记表示整个附图中的相似结构和元素。
需注意，这些附图应当认为仅示出本公开的一些而非全部的实施例。对于本领域技术人员而言，基于这些附图中所示结构，其他实施例可以变得显而易见。
本文中由“约”所修饰的数值表示该数值可以改变其10％。
在用于制造OLED显示面板中的OLED膜的喷墨打印技术中，将墨滴印刷到由像素限定层(PDL)所形成的多个开口中。PDL通常具有亲液侧。因此，在干燥过程期间，墨滴可沿着开口L的边缘攀升，从而在每个开口中形成边缘厚、中间薄的不均匀膜。这通常不利地影响发光层(EL)的光色效应或发光效应，并缩短显示组件的工作寿命。
因此，本公开特别提供了显示基板、显示设备和制造显示基板的方法，其实质上消除了相关技术的问题中的一个或多个。在一个实施例中，本公开提供了一种显示基板。显示基板包括：基底基板；多个第一电极，其在基底基板上成阵列排列；以及，像素限定层，其在基底基板上限定多个开口。所述多个开口分别与所述多个第一电极重叠。像素限定层包括多个第一像素限定单元和多个第二像素限定单元；并且，所述多个第一像素限定单元彼此间隔开。
图1是根据本公开的一个实施例的显示基板的平面图。图2-1示出了图1的显示基板沿线A-A’的截面图。如图1和图2-1所示，显示基板包括基底基板100；多个第一电极101，其在基底基板100上成阵列排列；以及，像素限定层110，其在基底基板100上限定多个开口A。所述多个开口分别与所述多个第一电极101重叠。像素限定层110包括多个第一像素限定单元111和多个第二像素限定单元112；并且，所述多个第一像素限定单元111彼此间隔开。这里，“彼此间隔开”意即所述多个第一像素限定单元111彼此不直接物理接触。但是，所述多个第一像素限定单元可以彼此非直接地物理接触，例如，通过媒介物彼此非直接地物理接触。本文中，“所述多个开口分别与所述多个第一电极101重叠”意即所述多个开口在基底基板上的正投影与所述多个第一电极在基底基板上的正投影分别重叠。在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111在基底基板100上的正投影与所述多个第一电极101在基底基板100上的正投影分别重叠。
在一些实施例中，如图1所示，第一电极101之一的边界示出为虚线101’。在基底基板100上的所述多个第一电极101彼此间隔开。
如图1和图2-1所示，在一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111和所述多个第二像素限定单元112限定多个开口。所述多个第一像素限定单元111在基底基板100上的正投影分别位于所述多个第一电极101在基底基板100上的正投影内。在本公开的一些实施例中，基底基板100上的所述多个第一电极101被所述多个第二像素限定单元112彼此间隔开。
在一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111中的至少一个具有亲液侧面S1。所述多个第二像素限定单元112中的至少一个具有疏液侧面S2。亲液侧面S1和疏液侧面S2面向同一开口A。亲液侧面S1位于基底基板100与疏液侧面S2之间。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111由所述多个第二像素限定单元112彼此间隔开。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111与所述多个第一电极101直接物理接触。
图2-2示出了第一像素限定单元111和第二像素限定单元112在基底基板100上的正投影。在一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111中的一个在基底基板100上的正投影围绕第一开口区域A1。在一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111中的每一个在基底基板100上的正投影围绕第一开口区域A1。
在一些实施例中，所述多个第二像素限定单元112中的一个在基底基板100上的正投影围绕第二开口区域A2。在一些实施例中，所述多个第二像素限定单元112中的每一个在基底基板100上的正投影围绕第二开口区域A2。
如图2-2所示，在一些实施例中，第一开口区域A1小于或实质上等于第二开口区域A2。
如图2-2所示，在一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111中的一个在基底基板100上的正投影是第一框R1。第一框可具有矩形形状或方形形状。
在一些实施例中，所述多个第二像素限定单元112中的一个在基底基板100上的正投影是第二框R2。第二框可具有矩形形状或方形形状。
在一些实施例中，多个第一框R1和多个第二框R2成阵列排列。
在一些实施例中，所述多个第二框R2彼此直接物理接触。
在一些实施例中，第一开口区域A1是矩形并且第二开口区域A2是矩形。在一些实施例中，第一开口区域A1是方形并且第二开口区域A2是方形。
在本公开的一些实施例中，所述多个第二像素限定单元112中的一个的外轮廓形状是矩形或方形。
这里，术语“矩形的”和“矩形”由于一些工艺误差而可能不是精确的矩形形状。例如，由矩形(的)形状或矩形的两边形成的角度可以在直角±10％变化。在一些实施例中，矩形形状可以具有倒角。
在一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111中的一个在基底基板100上的正投影和所述多个第二像素限定单元112中的一个在基底基板100上的正投影可以为其它形状，比如圆形、三角形、方形或梯形；或者由于一些工艺误差而实质上为圆形、三角形、方形或梯形。
在本公开的一些实施例中，第一开口区域A1和第二开口区域A2可以为其它形状，比如圆形、三角形、方形或梯形；或者由于一些工艺误差而实质上为圆形、三角形、方形或梯形。
在本公开的一些实施例中，所述多个第二像素限定单元112中的一个的外轮廓形状可以为其它形状，比如圆形、三角形、方形或梯形；或者由于一些工艺误差而实质上为圆形、三角形、方形或梯形。
在一些实施例中，如图2-1和图2-2所示，第一开口区域A1的宽度为D1，第二开口区域A2的宽度为D2，所述多个第二像素限定单元112中的一个的外轮廓的宽度为D3，D1＜D2＜D3。即，像素限定层的面向开口A的侧表面具有阶梯结构。第一像素限定单元111的亲液侧面S1构成像素限定层的侧表面的下台阶，并且第二像素限定单元112的疏液侧面S2构成像素限定层的侧面的上台阶。
在一些实施例中，如图3-1和图3-2所示，第一开口区域A1的宽度为D4，第二开口区域A2的宽度等于或实质上等于D4。例如，亲液侧面S1和疏液侧面S2位于同一表面以改善开口A中所形成的有机层的均匀性。
如本文所用，术语“实质上等于”指的是两个主题(比如两个对象的宽度、长度、面积)之差变化可不大于5％(例如，取决于所允许的工艺精确度，不大于0.5％；不大于1％；不大于2％；不大于3％；不大于4％等)。
在本公开的一些实施例中，第一开口区域A1的面积大于第二开口区域A2的面积。
在一些实施例中，如图4-1和图4-2所示，第一开口区域A1的宽度为D1，第二开口区域A2的宽度为D5，D1＞D5。例如，所述多个第一像素限定单元111分别被所述多个第二像素限定单元112覆盖。像素限定层的面向开口的侧表面具有两层结构。第一像素限定单元的亲液侧面S1构成像素限定层的侧表面的下部，并且第二像素限定单元的疏液侧面S2构成像素限定层的侧面的上部。此外，像素限定层的侧表面的上部悬于像素限定层的侧表面的下部之上。第二像素限定单元112的悬垂部分可以遮挡有机层的靠近开口A的边缘的一部分。如此，第二像素限定单元的悬垂部分可以减少或消除靠近开口A的边缘的有机层的由非均匀性导致的任何问题(如有)。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111中的一个的外轮廓形状的宽度为D6。所述多个第一像素限定单元111的一个的该外轮廓在图4-2的俯视图中无法看到，因此其由虚线示出。
在本公开的一些实施例中，所述多个第二像素限定单元112彼此直接接触。
在一些实施例中，如图2-1、图3-1和图4-1所示，所述多个第二像素限定单元112彼此直接接触，也就是说，所述多个第二像素限定单元112可以为整体结构。所述多个第一像素限定单元111彼此未直接接触，也就是说，所述多个第一像素限定单元111是分隔开的结构。
在一些实施例中，显示基板包括位于基底基板100和所述多个第一电极101之间的钝化层(图中未示出)，所述多个第二像素限定单元112与钝化层直接接触，以增强接触力。例如，钝化层包括无机材料，比如SiNx等。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111包括亲液材料，并且所述多个第二像素限定单元112包括疏液材料。
在一些实施例中，亲液材料可以具有光刻胶的成分。例如，亲液材料可以为酚醛树脂或聚酰亚胺。在一些实施例中，亲液材料可包括双酚A聚碳酸酯、其主链含有烷基的聚合物、或其主链含有芳环结构的聚合物中的至少一种。也可以采用其它材料。
在一些实施例中，疏液材料可以为负性光刻胶。疏液材料可以包括聚硅氧烷、含氟聚烯烃、或含氟聚环氧烷中的至少一种。需注意，对于亲液材料子层和疏液材料子层可以分别采用其它化合物/材料，本文对此没有限制。
在本公开的一些实施例中，从亲液侧面上的点到第一电极的最大竖直距离在约0.5μm至约2μm的范围内。
在本公开的一些实施例中，第一像素限定单元在与基底基板垂直的平面中的截面具有梯形的形状。从亲液侧面上的点X(参见图2-1)到第一电极的最大距离H1在约0.5μm至约2μm的范围内，比如约0.8μm至约1.7μm，或1μm至约1.5μm。
在本公开的一些实施例中，从疏液侧面上的点到第一电极的最大距离在约0.6μm至约4μm的范围内。
在本公开的一些实施例中，从疏液侧面上的点Y(参见图2-1)到第一电极的最大距离H2在约0.6μm至约4μm的范围内，比如约1μm至约1.5μm，约2μm至约2.5μm，或约3μm至约3.5μm。
在本公开中，不受特定理论的束缚，当在开口A中形成有机层时，虽然亲液侧面可具有对有机层的吸引力，但是疏液侧面可具有对有机层的排斥力。在这两种力的作用下，可以改善有机层的均匀性。因此，可以确保有机层的光色效应或发光效应，并且还可以改善组件的工作寿命。
另一方面，本公开提供了一种制造显示基板的方法。该方法包括以下步骤1和2。
步骤1包括：通过构图工艺在基底基板上形成分别位于多个第一电极上的多个第一像素限定层子膜，所述多个第一电极成阵列排列。
步骤2包括：形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元，其中第一像素限定层单元彼此间隔开。
图5-1至图5-6和图8示出了根据本公开的一些实施例的制造阵列基板的方法的流程图。该方法步骤1的一些实施例包括以下步骤S101至S103。
如图5-1所示，步骤S101包括：在基底基板100上形成第一电极膜201。
如图5-2所示，步骤S102包括：在第一电极膜201上形成第一像素限定层膜211。
如图5-3所示，步骤S103包括：对第一电极膜201和第一像素限定层膜211构图，从而在基底基板100上形成分别位于所述多个第一电极101上的多个第一像素限定层子膜211’。
这里，在一些实施例中，第一像素限定层膜211具有光刻胶的成分。在一些实施例中，第一像素限定层膜211包括亲液材料，并且亲液材料可以为酚醛树脂或聚酰亚胺。在一些实施例中，亲液材料可包括双酚A聚碳酸酯、其主链含有烷基的聚合物、或其主链含有芳环结构的聚合物中的至少一种。也可以采用其它材料。步骤S103可以包括利用第一掩模对第一像素限定层膜211和第一电极膜201进行曝光、显影和刻蚀的步骤。
在本公开的一些实施例中，形成多个第一像素限定层单元111和多个第二像素限定层单元112的步骤2包括以下步骤S201和S202。
如图5-4所示，步骤S201包括：形成覆盖所述多个第一像素限定子膜211’的第二像素限定层膜212。例如，第一像素限定子膜211’也用作光刻胶，其可以为用于形成所述多个第一电极101的掩模并且其无需被完全剥离，从而其可以节省制造阵列基板的成本。
步骤S202包括：利用第二掩模对第二像素限定层膜212和所述多个第一像素限定层子膜211’构图，从而形成所述多个第一像素限定层单元111和所述多个第二像素限定层单元112。
这里，在一些实施例中，第二像素限定层膜212包括疏液材料并且可以为负性光刻胶。疏液材料可以包括聚硅氧烷、含氟聚烯烃、或含氟聚环氧烷中的至少一种。需注意，对于第一像素限定层膜211中的亲液材料和第二像素限定层膜212中的疏液材料可以分别采用其它化合物/材料，本文对此没有限制。
在一些实施例中，如图5-5所示，步骤S202包括：利用第二掩模，使用曝光、显影和刻蚀第二像素限定层膜212的步骤来形成过渡的第二像素限定层膜212’。
在一些实施例中，如图5-6所示，步骤S202还包括：继续刻蚀所述多个第一像素限定层子膜211’，从而形成所述多个第一像素限定层单元111和所述多个第二像素限定层单元112。可以容易地控制第二像素限定层单元112的厚度。
在一些实施例中，如图5-6所示，可以通过灰化工艺来执行形成多个第一像素限定层单元111和多个第二像素限定层单元112。例如，可以使用氧灰化工艺。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定层单元111中的至少一个包括亲液侧面S1，并且所述多个第二像素限定层单元112中的至少一个包括疏液侧面S2。
例如，可以使用氧灰化工艺来改善亲液侧面S1和疏液侧面S2的均匀性。
图6-1至图6-6示出了根据本公开的一些实施例的制造显示基板的方法。如图6-1至图6-6和图9所示，在本公开的一些实施例中，所述方法包括以下步骤S111至S113。
如图6-1所示，步骤S111包括：在基底基板100上形成第一电极膜201。
如图6-2所示，步骤S112包括：在第一电极膜201上形成第一像素限定层膜211。
如图6-3所示，步骤S113包括：通过构图工艺在基底基板100上形成分别位于所述多个第一电极101上的多个像素限定层子膜311。
在本公开的一些实施例中，如图6-3所示，步骤S113包括：利用半色调掩模在基底基板100上形成分别位于所述多个第一电极101上的所述多个第一像素限定子膜311。
如图6-4所示，随后，利用例如灰化工艺，刻蚀或移除所述多个第一像素限定层子膜311的一部分，从而形成所述多个第一像素限定单元111。
在本公开的一些实施例中，步骤2包括以下步骤S221和S222。
如图6-5所示，步骤S221包括：在所述多个第一像素限定单元111上形成第二像素限定层膜212。
如图6-6所示，步骤S222包括：利用第三掩模对第二像素限定层膜212构图，从而形成所述多个第一像素限定层单元111和所述多个第二像素限定层单元112。
在本公开的一些实施例中，第三掩模不同于半色调掩模。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定层单元111中的至少一个包括亲液侧面S1，并且所述多个第二像素限定层单元112中的至少一个包括疏液侧面S2。
在本公开的一些实施例中，所述多个第一像素限定单元111和所述多个第二像素限定单元112限定多个开口A。所述多个开口A分别与所述多个第一电极101重叠。
如图7-1至图7-3，在本公开的一些实施例中，所述方法还包括以下步骤3和4。
如图7-1所示，步骤3包括：在所述多个开口A中形成有机发光溶液213，以使得有机发光溶液213与亲液侧面S1和疏液侧面S2两者接触。
如图7-2所示，步骤4包括使有机发光溶液213干燥，从而形成有机发光层113。
在本公开的一些实施例中，在所述多个开口A中形成有机发光溶液可以通过喷墨打印工艺来进行。
本公开中提供的显示基板包括两种不同的像素限定单元，使得可以更容易地控制在像素限定单元的开口中所形成的有机层的均匀性。此外，可以用同一掩模形成第一像素限定单元和第一电极，从而进一步降低了成本。
另一方面，如图7-3所示，本公开提供了一种显示设备，其包括根据上述任一实施例的显示基板。
在本公开的一些实施例中，有机发光层113可以位于所述多个开口A中的至少一个中。
在本公开的一些实施例中，有机发光层113包括红色有机发光层或者绿色有机发光层或蓝色有机发光层。
在本公开的一些实施例中，在有机发光层113上形成第二电极。
在本公开的一些实施例中，在多个有机发光层113上的各第二电极形成整体结构。
在本公开的一些实施例中，有机发光层113的厚度小于或实质上等于从亲液侧面S1上的点到第一电极101的最大竖直距离H1。
本公开中所提供的显示设备可以包括有机电致发光二极管(OLED)显示设备，其包括上述像素限定层110。其还包括位于基底基板100上的像素驱动电路的多个结构层、布置在每个开口A中的多个有机功能层。例如，布置在每个开口A中的所述多个有机功能层沿着远离基底基板100的方向可以包括：空穴注入层、空穴传输层、有机电致发光材料层、电子传输层和电子注入层，并且在所述多个有机功能层上布置有第二电极。
在本公开的一些实施例中，所述显示设备，或者更具体地说，所述有机电致发光二极管显示设备可以包括其它常规结构，比如用于封装所述阵列基板的封装基板、供电单元或显示驱动单元等。这些常规结构是领域内技术人员公知的，因此本文不再对其进行描述。
所述显示设备可以为具有显示功能的任何电子产品或组件，比如移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数字相框、或导航仪。
虽然以上已经详细地描述了具体实施例，但是该描述仅用于说明目的。因此，应该理解，除非另有明确说明，否则上述许多方面并非旨在作为必需或必要的元件。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。
此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。
Claims (20)
1.一种显示基板，包括：
基底基板；
多个第一电极，其在所述基底基板上成阵列排列；以及
像素限定层，其在所述基底基板上限定多个开口，所述多个开口分别与所述多个第一电极重叠；
其中，所述像素限定层包括多个第一像素限定单元和多个第二像素限定单元；并且
所述多个第一像素限定单元彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个第一像素限定单元中的一个具有亲液侧面；
所述多个第二像素限定单元中的一个具有疏液侧面；
所述亲液侧面和所述疏液侧面面向同一开口，并且所述亲液侧面位于所述基底基板与所述疏液侧面之间。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个第一像素限定单元在所述基底基板上的正投影与所述多个第一电极在所述基底基板上的正投影分别重叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述多个第一像素限定单元在所述基底基板上的正投影分别位于所述多个第一电极在所述基底基板上的正投影内。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个第一像素限定单元由所述多个第二像素限定单元彼此间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个第一像素限定单元中的一个在所述基底基板上的正投影围绕第一开口区域。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个第二像素限定单元彼此直接接触。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述多个第二像素限定单元中的一个在所述基底基板上的正投影围绕第二开口区域。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一开口区域的面积小于或实质上等于所述第二开口区域的面积。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个第一像素限定单元包括亲液材料，并且所述多个第二像素限定单元包括疏液材料。
11.根据权利要求1所述的显示基板，其中，从所述亲液侧面上的点到所述第一电极的最大距离在约0.5μm至约2μm的范围内。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其中，从所述疏液侧面上的点到所述第一电极的最大距离在约0.6μm至约4μm的范围内。
13.一种制造显示基板的方法，包括：
通过构图工艺在基底基板上形成分别位于多个第一电极上的多个第一像素限定层子膜，所述多个第一电极成阵列排列；
形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元；
其中，所述多个第一像素限定层单元彼此间隔开。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述通过构图工艺在基底基板上形成分别位于多个第一电极上的多个第一像素限定层子膜包括：
在所述基底基板上形成第一电极膜；
在所述第一电极膜上形成第一像素限定层膜；
利用第一掩模对所述第一电极膜和所述第一像素限定层膜构图，从而在所述基底基板上形成分别位于所述多个第一电极上的所述多个第一像素限定层子膜。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元包括：
形成覆盖所述多个第一像素限定子膜的第二像素限定层膜；
利用第二掩模对所述第二像素限定层膜和所述多个第一像素限定层子膜构图，从而形成所述多个第一像素限定层单元和所述多个第二像素限定层单元，
其中，所述多个第一像素限定层单元中的至少一个包括亲液侧面，并且所述多个第二像素限定层单元中的至少一个包括疏液侧面。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成多个第一像素限定层单元和多个第二像素限定层单元包括：
形成第二像素限定层膜；
利用两种不同掩模对所述第二像素限定层膜和所述多个第一像素限定层子膜构图，从而形成所述多个第一像素限定层单元和所述多个第二像素限定层单元，
其中，所述多个第一像素限定层单元中的至少一个包括亲液侧面，并且所述多个第二像素限定层单元中的至少一个包括疏液侧面。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述多个第一像素限定层单元和所述多个第二像素限定层单元限定多个开口；所述多个开口分别与所述多个第一电极重叠。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在所述多个开口中形成有机发光溶液，以使得所述有机发光溶液与所述亲液侧面和所述疏液侧面两者接触；
使所述有机发光溶液干燥以形成有机发光层。
19.一种显示设备，包括：
权利要求1至12中任一项所述的显示基板；
有机发光层，其位于所述多个开口中的至少一个中；以及
第二电极，其位于所述有机发光层上。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述有机发光层的厚度小于或实质上等于从所述亲液侧面上最远的点到所述第一电极的最大竖直距离。
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