CN112002823A - Oled显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供的OLED显示面板包括阵列层，阵列层包括TFT器件、以及设置在TFT器件上方的钝化层，钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层的阻隔水氧能力大于第一钝化层的阻隔水氧能力；通过将钝化层设置为两层结构，其中一层起到好的阻挡水氧的作用，缓解了钝化层上方和外界的水氧变化对TFT器件的影响。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板和OLED显示面板的制备方法。
背景技术
现有顶栅型TFT的OLED显示面板内，在钝化层上方以及外界的氢氧含量变化会对TFT器件造成影响，具体的，氢氧可能会穿过钝化层影响到有源层的沟道区，进而影响TFT的电性和稳定性，因此，现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板，可缓解现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，其特征在于，所述阵列层包括：
设置在所述衬底基板上的遮光层；以及
依次设置在所述遮光层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层；
其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水氧能力。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述第一钝化层设置在所述第二钝化层上。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影重合。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述有源层包括沟道区和所述沟道区两侧的源漏掺杂区，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层沟道区在所述衬底基板上的正投影。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中的至少一种，所述第一钝化层的制备材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述第二钝化层的膜层厚度小于所述第一钝化层的膜层厚度。
在本发明实施例提供的OLED显示面板中，所述第二钝化层的膜层厚度范围为100埃至1000埃，所述第一钝化层的膜层厚度范围为1000埃至5000埃。
本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上利用光罩沉积形成一膜层，所述膜层为第二钝化层，所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中至少一种；
在所述第二钝化层上用同一所述光罩沉积形成一膜层，所述膜层为第一钝化层，所述第一钝化层的制备材料为氧化硅或氮化硅中至少一种；
在所述第一钝化层上继续形成平坦层、像素定义层、发光功能层、以及封装层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成所述第二钝化层的步骤中，还包括：通过另一光罩曝光显影，图案化所述第二钝化层形成一遮挡所述有源层沟道区的图案。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成所述第二钝化层的步骤中，还包括：在层间绝缘层上利用所述光罩沉积一氧化铝膜层，所述氧化铝膜层为第二钝化层，所述第二钝化层的厚度为100埃至1000埃中的任一值。
有益效果：本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，所述阵列层包括TFT器件、以及设置在TFT器件上方的钝化层，钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层的阻隔水氧能力大于第一钝化层的阻隔水氧能力；通过将钝化层设置为两层结构，其中一层为水氧阻隔效果好的制备材料，可以有效阻挡钝化层上方和外界的水氧含量变化对TFT器件的影响，缓解现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的OLED显示面板的第一种截面示意图；
图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的第二种截面示意图；
图3为本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图1所示，本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板10、阵列层20、像素定义层30、发光功能层40、封装层50，所述阵列层20包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层201、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极层205、层间绝缘层206、钝化层207、源漏极层208、平坦层209，其中，所述钝化层包括第一钝化层2071和第二钝化层2072，所述第二钝化层2072的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层2071的阻隔水氧能力。
在本实施例中，所述OLED显示面板包括衬底基板、阵列层20、像素定义层30、发光功能层40、封装层50，所述阵列层20包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极层205、层间绝缘层206、钝化层207、源漏极层208、平坦层209，其中，所述钝化层207包括第一钝化层2071和第二钝化层2072，所述第二钝化层2072的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层2071的阻隔水氧能力；通过将钝化层207设置为两层结构，其中一层为水氧阻隔效果好的制备材料，可以有效阻挡钝化层207上方和外界的水氧含量变化对TFT器件的影响，缓解现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。
其中，所述源漏极层208包括源极2071和漏极2072.
其中，所述发光功能层40包括阳极401、发光层402、阴极403。
在一种实施例中，如图2所示，所述第二钝化层2072设置在所述第一钝化层2071上。
在一种实施例中，如图1所示，所述第一钝化层2071设置在所述第二钝化层2072上。
其中，所述第二钝化层2072和所述第一钝化层2071可以用同一道光罩形成。
其中，所述第二钝化层2072和所述第一钝化层2071也可以用不同的光罩形成，其中，第二钝化层2072可以通过光罩显影沟道区正上方的图案，所述图案用于阻挡垂直方向上的水氧。
在一种实施例中，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影与所述第一钝化层2071在所述衬底基板上的正投影重合。
在一种实施例中，所述有源层203包括沟道区和所述沟道区两侧的源漏掺杂区，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影。
其中，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影可以与所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影重合。
其中，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影也可以包容了所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影，即所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影，且所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影面积大于所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影面积
在一种实施例中，所述第二钝化层2072的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中的至少一种，所述第一钝化层2071的制备材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为单一氧化物，所述单一氧化物包括但不限于氧化铝、氧化镁、氧化钛。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为多种氧化物混合得到。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为氧化铝、氧化镁的混合材料。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为氧化铝、氧化钛的混合材料。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为氧化镁、氧化钛的混合材料。
在一种实施例中，所述第二钝化层2072的膜层厚度小于所述第一钝化层2071的膜层厚度。
在一种实施例中，所述第二钝化层2072的膜层厚度范围为100埃至1000埃，所述第一钝化层2071的膜层厚度范围为1000埃至5000埃。
在一种实施例中，所述第二钝化层2072的膜层厚度大于所述第一钝化层2071的膜层厚度。
在本实施例中，所述第二钝化层2072的厚度较所述第一钝化层2071的厚度大
在一种实施例中，所述遮光层厚度为500埃至2000埃中任一值，通过遮光层定义出TFT器件的遮光区域。
其中，遮光层可以是单层的，所述遮光层的制备材料可以为钼，铝，铜，钛中的任一种。
其中，遮光层也可以是双层膜，所述遮光层的制备材料也可以钼/铝、铜/铝、钼/铜中的任一种。
在一种实施例中，所述缓冲层202可以是单层的，所述缓冲层202的制备材料为氧化硅,所述缓冲层202的厚度范围为1000埃至5000埃。
在一种实施例中，所述有源层203的制备材料可以是氧化铟锡、氧化铟镓锌、氧化铟镓中的任一种。
其中，所述有源层203包括沟道区和沟道区两侧分别与源极2071和漏极2072触接的源漏掺杂区，所述有源层203的厚度范围为100埃至1000埃。
在一种实施例中，栅极绝缘层的制备材料为氧化硅薄膜，栅极绝缘层的厚度范围为800埃至3000埃。
在一种实施例中，栅极金属层的制备材料可以是钼/铜、钛/铜、钼/铝/钼、铝/钼、或者是钼钛合金/铜中的任一种，其中，，栅极金属层的厚度范围为1000埃至10000埃。
在一种实施例中，所述层间绝缘层206作为介电层，所述层间绝缘层206的厚度在2000埃至10000埃，所述层间绝缘层206为氧化硅或氮化硅。
其中，层间绝缘层206上设置有源极2071和漏极2072接触孔，用于源极2071和漏极2072与有源层203触接。
在一种实施例中，所述源漏极2072金属层的制备材料可以是钼/铜、钛/铜、钼/铝/钼、铝/钼、或者是钼钛合金/铜中的任一种，所述源漏极2072金属层的厚度范围为1000埃至10000埃。
本发明实施例提供一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括OLED显示面板、扩散板、反射片、光学膜片、玻璃基板，所述OLED显示面板包括衬底基板、阵列层20、像素定义层30、发光功能层40、封装层50，所述阵列层20包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极层205、层间绝缘层206、钝化层207、源漏极层208、平坦层209，其中，所述钝化层207包括第一钝化层2071和第二钝化层2072，所述第二钝化层2072的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层2071的阻隔水氧能力。
在本实施例中，所述OLED显示装置中的所述OLED显示面板包括衬底基板、阵列层20、像素定义层30、发光功能层40、封装层50，所述阵列层20包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极层205、层间绝缘层206、钝化层207、源漏极层208、平坦层209，其中，所述钝化层207包括第一钝化层2071和第二钝化层2072，所述第二钝化层2072的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层2071的阻隔水氧能力；通过将钝化层207设置为两层结构，其中一层为水氧阻隔效果好的制备材料，可以有效阻挡钝化层207上方和外界的水氧含量变化对TFT器件的影响，缓解现有OLED显示面板存在的钝化层207阻挡水氧效果差的技术问题。
其中，所述源漏极层208包括源极2071和漏极2072.
其中，所述发光功能层40包括阳极401、发光层402、阴极403。
在一种实施例中，在显示装置中，如图2所示，所述第二钝化层2072设置在所述第一钝化层2071上。
在一种实施例中，在显示装置中，如图1所示，所述第一钝化层2071设置在所述第二钝化层2072上。
其中，所述第二钝化层2072和所述第一钝化层2071可以用同一道光罩形成。
其中，所述第二钝化层2072和所述第一钝化层2071也可以用不同的光罩形成，其中，第二钝化层2072可以通过光罩显影沟道区正上方的图案，所述图案用于阻挡垂直方向上的水氧。
在一种实施例中，在显示装置中，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影与所述第一钝化层2071在所述衬底基板上的正投影重合。
在一种实施例中，在显示装置中，所述有源层203包括沟道区和所述沟道区两侧的源漏掺杂区，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影。
其中，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影可以与所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影重合。
其中，所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影也可以包容了所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影，即所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影，且所述第二钝化层2072在所述衬底基板上的正投影面积大于所述有源层203沟道区在所述衬底基板上的正投影面积
在一种实施例中，在显示装置中，所述第二钝化层2072的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中的至少一种，所述第一钝化层2071的制备材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为单一氧化物，所述单一氧化物包括但不限于氧化铝、氧化镁、氧化钛。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为多种氧化物混合得到。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为氧化铝、氧化镁的混合材料。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为氧化铝、氧化钛的混合材料。
其中，所述第二钝化层2072的制备材料可以为氧化镁、氧化钛的混合材料。
在一种实施例中，在显示装置中，所述第二钝化层2072的膜层厚度小于所述第一钝化层2071的膜层厚度。
在一种实施例中，在显示装置中，所述第二钝化层2072的膜层厚度范围为100埃至1000埃，所述第一钝化层2071的膜层厚度范围为1000埃至5000埃。
在一种实施例中，在显示装置中，所述第二钝化层2072的膜层厚度大于所述第一钝化层2071的膜层厚度。
在本实施例中，所述第二钝化层2072的厚度较所述第一钝化层2071的厚度大
在一种实施例中，在显示装置中，所述遮光层厚度为500埃至2000埃中任一值，通过遮光层定义出TFT器件的遮光区域。
其中，遮光层可以是单层的，所述遮光层的制备材料可以为钼，铝，铜，钛中的任一种。
其中，遮光层也可以是双层膜，所述遮光层的制备材料也可以钼/铝、铜/铝、钼/铜中的任一种。
在一种实施例中，在显示装置中，所述缓冲层202可以是单层的，所述缓冲层202的制备材料为氧化硅,所述缓冲层202的厚度范围为1000埃至5000埃。
在一种实施例中，在显示装置中，所述有源层203的制备材料可以是氧化铟锡、氧化铟镓锌、氧化铟镓中的任一种。
其中，所述有源层203包括沟道区和沟道区两侧分别与源极2071和漏极2072触接的源漏掺杂区，所述有源层203的厚度范围为100埃至1000埃。
在一种实施例中，在显示装置中，栅极绝缘层的制备材料为氧化硅薄膜，栅极绝缘层的厚度范围为800埃至3000埃。
在一种实施例中，在显示装置中，栅极金属层的制备材料可以是钼/铜、钛/铜、钼/铝/钼、铝/钼、或者是钼钛合金/铜中的任一种，其中，，栅极金属层的厚度范围为1000埃至10000埃。
在一种实施例中，在显示装置中，所述层间绝缘层206作为介电层，所述层间绝缘层206的厚度在2000埃至10000埃，所述层间绝缘层206为氧化硅或氮化硅。
其中，层间绝缘层206上设置有源极2071和漏极2072接触孔，用于源极2071和漏极2072与有源层203触接。
在一种实施例中，在显示装置中，所述源漏极2072金属层的制备材料可以是钼/铜、钛/铜、钼/铝/钼、铝/钼、或者是钼钛合金/铜中的任一种，所述源漏极2072金属层的厚度范围为1000埃至10000埃。
如图3所示，本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法，包括：
S1:提供一衬底基板；
S2:在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层202、有源层203、栅极绝缘层、栅极层205、层间绝缘层206；
S3:在所述层间绝缘层206上利用光罩沉积形成一膜层，所述膜层为第二钝化层2072，所述第二钝化层2072的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中至少一种；
S4:在所述第二钝化层2072上用同一所述光罩沉积形成一膜层，所述膜层为第一钝化层2071，所述第一钝化层2071的制备材料为氧化硅或氮化硅中至少一种；
S5:在所述第一钝化层2071上继续形成平坦层209、像素定义层30、发光功能层40、以及封装层50。
在一种实施例中，在形成所述第二钝化层2072的步骤中：通过另一光罩曝光显影，图案化所述第二钝化层2072形成一遮挡所述有源层203沟道区的图案。
在一种实施例中，在形成所述第二钝化层2072的步骤中：在层间绝缘层206上利用所述光罩沉积一氧化铝膜层，所述氧化铝膜层为第二钝化层2072，所述第二钝化层2072的厚度为100埃至1000埃中的任一值。
在一种实施例中，在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层202、有源层203、栅极绝缘层、栅极层205、层间绝缘层206的步骤中：在所述衬底基板上沉积一层厚度范围为500埃至2000埃的膜层作为遮光层，同时利用黄光定义出TFT器件的遮光区域。
在一种实施例中，在沉积缓冲层202的步骤中，还包括：沉积一层厚度范围为1000埃至5000埃的有机膜层作为缓冲层202。
在一种实施例中，在沉积有源层203的步骤中，还包括：沉积一层厚度范围为100埃到1000埃的半导体层，再利用黄光工艺定义出沟道区。
在一种实施例中，利用一道光罩定义出栅极、栅绝缘层204的区域，采用湿蚀刻法蚀刻栅极，再利用栅极图形自对准蚀栅绝缘层204，并将有源层203露出的区域导体化。
在一种实施例中，在栅极上沉积一层氧化硅薄膜作为层间绝缘层206，所述层间绝缘层206的厚度范围为2000埃至10000埃，同时蚀刻出源极2071接触孔洞和漏极2072接触孔洞。
在一种实施例中，在源漏极层208上先沉积一层氧化铝薄膜作为第二钝化层2072，所述氧化铝薄膜的厚度范围为100埃至1000埃，再沉积一层氧化硅或氮化硅薄膜作为第一钝化层2071，所述第一钝化层2071的厚度范围为1000埃至5000埃，并蚀刻出过孔。
本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，所述阵列层包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层，其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水氧能力；通过将钝化层设置为两层结构，其中一层为水氧阻隔效果好的制备材料，可以有效阻挡钝化层上方和外界的水氧含量变化对TFT器件的影响，缓解现有OLED显示面板存在钝化层阻挡氢氧效果差，进而影响TFT的电性和稳定性的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板，包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层，其特征在于，所述阵列层包括：
设置在所述衬底基板上的遮光层；以及
依次设置在所述遮光层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层；
其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水氧能力。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一钝化层设置在所述第二钝化层上。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影重合。
4.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有源层包括沟道区和所述沟道区两侧的源漏掺杂区，所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层沟道区在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中的至少一种，所述第一钝化层的制备材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层的膜层厚度小于所述第一钝化层的膜层厚度。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二钝化层的膜层厚度范围为100埃至1000埃，所述第一钝化层的膜层厚度范围为1000埃至5000埃。
8.一种OLED显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上利用光罩沉积形成一膜层，所述膜层为第二钝化层，所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中至少一种；
在所述第二钝化层上用同一所述光罩沉积形成一膜层，所述膜层为第一钝化层，所述第一钝化层的制备材料为氧化硅或氮化硅中至少一种；
在所述第一钝化层上继续形成平坦层、像素定义层、发光功能层、以及封装层。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成所述第二钝化层的步骤中，还包括：通过另一光罩曝光显影，图案化所述第二钝化层形成一遮挡所述有源层沟道区的图案。
10.如权利要求8所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成所述第二钝化层的步骤中，还包括：在层间绝缘层上利用所述光罩沉积一氧化铝膜层，所述氧化铝膜层为第二钝化层，所述第二钝化层的厚度为100埃至1000埃中的任一值。
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