CN113540387A - 一种微显示器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种微显示器及其制作方法，微显示器的制作方法包括：提供一基板，其中，基板包括衬底和位于衬底一侧的电路层；在电路层远离衬底一侧形成第一电极层，其中，第一电极层包括多个第一电极；在第一电极层远离电路层的一侧形成第一感光膜层，其中，第一感光膜层覆盖第一电极层；对第一感光膜层进行掩膜、曝光和显影形成第二感光膜层，其中，第二感光膜层包括多个开口，开口与第一电极一一对应，每一开口裸露部分第一电极；对第二感光膜层进行刻蚀直到每一第一电极远离衬底的表面全部裸露且剩余部分的第二感光膜层远离衬底一侧的表面包括中央区和过渡区。本发明实施例提供一种微显示器及其制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示领域，特别是涉及一种微显示器及其制作方法。
背景技术
随着目前市场对显示器件的多样性及高性能性的需求扩大，极大的推动着显示技术的发展。基于面板结合半导体技术的硅基Micro有机发光二极管技术(Organic LightEmitting Diode，OLED)也在飞速发展。硅基Micro OLED微显示器件区别于常规利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件，它以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。基于其技术优势和广阔的应用市场，它有望在消费电子领域掀起近眼显示的新浪潮。
在目前的硅基Micro OLED微型显示器件的造过程中，容易出现阴极断裂的问题，进而造成基板的良率低下。
发明内容
本发明实施例提供一种微显示器及其制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。
第一方面，本发明实施例提供一种微显示器的制作方法，该制作方法包括：
提供一基板，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层；
在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；
在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成第一感光膜层，其中，所述第一感光膜层覆盖所述第一电极层；
对所述第一感光膜层进行掩膜、曝光和显影形成第二感光膜层，其中，所述第二感光膜层包括多个开口，所述开口与所述第一电极一一对应，每一所述开口裸露部分所述第一电极；
对所述第二感光膜层进行刻蚀直到每一所述第一电极远离所述衬底的表面全部裸露且剩余部分的所述第二感光膜层远离所述衬底一侧的表面包括中央区和过渡区，所述过渡区相对所述中央区更邻近所述第一电极，所述过渡区环绕所述第一电极，所述过渡区与所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角范围内，其中，剩余部分的所述第二感光膜层为像素定义层。
可选的，所述设定夹角小于等于45°。
可选的，对所述第二感光膜层进行刻蚀直到每一所述第一电极远离所述衬底的表面全部裸露且剩余部分的所述第二感光膜层远离所述衬底一侧的表面包括中央区和过渡区包括：
将形成所述第二感光膜层的基板放入碱性溶液中对所述第二感光膜层进行刻蚀。
可选的，所述碱性溶液包括显影液。
可选的，所述第一感光膜层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括0.4～1μm；
所述第一电极层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括90～110nm。
可选的，在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成第一感光膜层包括：
通过旋转涂布的方法在所述第一电极层远离所述电路层的一侧涂覆感光材料，形成所述第一感光膜层。
可选的，所述感光材料包括聚酰亚胺或旋涂玻璃。
可选的，相邻两个所述第一电极的间距包括0.4～0.8μm。
可选的，该制作方法还包括在所述像素定义层远离所述衬底一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层远离所述衬底一侧形成第二电极层。
第二方面，本发明实施例还提供了一种微显示器，该微显示器包括基板、第一电极层和像素定义层；
所述第一电极层位于所述电路层远离所述衬底的一侧，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；
所述像素定义层位于所述电路层远离所述衬底的一侧，所述像素定义层包括多个开口，所述开口与所述第一电极一一对应，每一所述开口裸露出所述第一电极，且第一电极远离所述衬底的表面全部裸露；所述像素定义层包括中央区和过渡区，所述过渡区相对所述中央区更邻近所述第一电极，所述过渡区环绕所述第一电极，所述过渡区与所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角。
本发明实施例提供一种微显示器的制作方法，通过在电路层远离衬底一侧形成第一电极层，在第一电极层远离衬底一侧形成第一感光膜层，然后通过掩膜、曝光及显影的方式形成第二感光膜层，接着对第二感光膜层进行刻蚀形成像素定义层，像素定义层包括中央区与环绕中央区的过渡区，过渡区与第一电极层远离衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角，从而使第一电极到中央区的过渡更为平缓及第一电极层与像素定义层之间的段差较小，从而避免在第一电极层远离衬底一侧制作的其他电极层的发生断裂。本发明实施例提供一种微显示器的制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种微显示器的制作方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种微显示器的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明实施例，而非对本发明实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明实施例相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种微显示器的制作方法的流程示意图，参考图1，该制作方法包括：
S110、图2为本发明实施例提供的一种微显示器的结构示意图，参考图2，提供一基板，其中，基板包括衬底210和位于衬底210一侧的电路层220。
具体的，衬底210与位于衬底210一侧的电路层220组成一个含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板。
S120、图3为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图3，在电路层220远离衬底210一侧形成第一电极层230，其中，第一电极层230包括多个第一电极231。
具体的，第一电极层230可以是阳极膜层，若第一电极层230为阳极膜层时，则第一电极231为阳极。形成第一电极层230的具体过程包括：采用物理气相沉积法在电路层220远离衬底210一侧沉积一侧金属膜层，然后在金属膜层远离衬底210一侧放置掩膜版，接着对金属膜层进行光刻形成第一电极层230。相比与其他方法制作金属膜层，采用物理气相沉积法过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与电路层220的结合力强。
S130、图4为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图4，在第一电极层230远离电路层220的一侧形成第一感光膜层240，其中，第一感光膜层240覆盖第一电极层230。
具体的，可以通过旋转涂布的方法在第一电极层230远离电路层220的一侧形成第一感光膜层240。第一感光膜层240远离衬底210一侧的表面是平齐的。
S140、图5为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图5，对第一感光膜层进行掩膜、曝光和显影形成第二感光膜层250，其中，第二感光膜层250包括多个开口251，开口251与第一电极231一一对应，每一开口251裸露部分第一电极231。
具体的，第一感光膜的材料为感光材料，相邻两个第一电极231的间距包括0.4～0.8μm，相邻两个第一电极231的间距小于感光材料的分辨率，由制作工艺及感光材料属性的限制，第一感光膜层经掩膜、曝光和显影后不能将每一第一电极231全部裸露出来，即第二感光膜层250中的每一开口251只能裸露部分第一电极231。
S150、图6为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图6，对第二感光膜层进行刻蚀直到每一第一电极231远离衬底210的表面全部裸露且剩余部分的第二感光膜层远离衬底210一侧的表面包括中央区10和过渡区20，过渡区20相对中央区10更邻近第一电极231，过渡区20环绕第一电极231，过渡区20与第一电极层230远离衬底210一侧的表面的夹角小于设定夹角，其中，剩余部分的第二感光膜层为像素定义层260。
具体的，由于第二感光膜层侧面与开口相邻，在刻蚀时，第二感光膜层的侧面与刻蚀液接触面积大，第二感光膜层的侧面刻蚀速率比第二感光膜层远离衬底210的表面刻蚀较快，因此，最终形成的像素定义层260远离衬底210的表面为凸状的曲面。像素定义层260远离衬底210的表面为曲面，将曲面分为中央区10和中央区10周边的过渡区20，从中央区10到电路层220远离衬底210的表面的距离略大于过渡区20到电路层220远离衬底210的表面的距离。θ表示过渡区20与第一电极层230远离衬底210一侧的表面的夹角。过渡区20与第一电极层230远离衬底210一侧的表面的夹角θ小于设定夹角，从而使第一电极231到中央区10的过渡更为平缓及第一电极层230与像素定义层260之间的段差较小，进而避免在第一电极层230远离衬底210的一侧制作其他电极层的断裂。
本发明实施例提供一种微显示器的制作方法，通过在电路层远离衬底一侧形成第一电极层，在第一电极层远离衬底一侧形成第一感光膜层，然后通过掩膜、曝光及显影的方式形成第二感光膜层，接着对第二感光膜层进行刻蚀形成像素定义层，像素定义层包括中央区与环绕中央区的过渡区，过渡区与第一电极层远离衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角，从而使第一电极到中央区的过渡更为平缓及第一电极层与像素定义层之间的段差较小，从而避免在第一电极层远离衬底一侧制作的其他电极层的发生断裂。本发明实施例提供一种微显示器的制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。
可选的，设定夹角小于等于45°。
具体的，当设定夹角小于等于45°时，过渡区与第一电极层230远离衬底210一侧的表面的夹角小于45°，使第一电极到中央区的过渡更为平缓及第一电极层与像素定义层之间的段差较小，从而避免在第一电极层远离衬底一侧制作其他电极层时因第一电极与像素定义层之间过渡较陡而造成其他电极层的断裂，当第一电极为阳极时，本实施例提供的微显示器的制作方法可以防止阴极断裂。
可选的，对第二感光膜层进行刻蚀直到每一第一电极远离衬底的表面全部裸露且剩余部分的第二感光膜层远离衬底一侧的表面包括中央区和过渡区包括：
将形成第二感光膜层的基板放入碱性溶液中对所述第二感光膜层进行刻蚀。
具体的，将形成感光膜层的基板可以直接放入装有碱性溶液的槽中，使碱性溶液对感光膜层进行刻蚀，直到第一电极层远离衬底一侧的表面略低于剩余部分第二感光膜层远离衬底一侧的表面，且剩余部分的第二感光膜层远离衬底一侧的表面中的过渡区与第一电极层远离衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角，形成像素定义层。本实施例提供的微显示器的制作方法无需再次通过光刻形成像素定义层，从而减少微显示器制作的工艺流程，降低制作成本。
可选的，碱性溶液包括显影液。
具体的，显影液为弱碱性溶液，选用显影液对感光膜层进行刻蚀，一方面，可以控制刻蚀速率，防止刻蚀过快造成像素定义层远离衬底的表面与第一电极层远离衬底的表面差距过大，另一方面，显影液易于获取且成本较低，从而进一步降低微显示器的制作成本。
可选的，继续参考图4，第一感光膜层240远离电路层220的表面到电路层220远离衬底210的表面的距离h1包括0.4～1μm；第一电极层230远离电路层220的表面到电路层220远离衬底210的表面的距离h2包括90～110nm。
具体的，h1表示第一感光膜层240远离电路层220的表面到电路层220远离衬底210的表面的距离，h2表示第一电极层230远离电路层220的表面到电路层220远离衬底210的表面的距离。将h1设置在0.4～1μm范围内，可以保证第一感光膜层240完全覆盖第一电极层230，且h1设置的不大于1μm可以防止因第一感光膜层240厚度过大引起光刻时间过长，进一步节省形成像素定义层的时间。
可选的，在第一电极层远离电路层的一侧形成第一感光膜层包括：通过旋转涂布的方法在第一电极层远离电路层的一侧涂覆感光材料，形成第一感光膜层。
具体的，采用旋转涂布的方法制作第一感光膜层，可以使第一感光膜层远离衬底的表面平齐。
可选的，感光材料包括聚酰亚胺或旋涂玻璃。
具体的，聚酰亚胺和旋涂玻璃易于获取且价格便宜，此外，相比于其他感光材料，使用聚酰亚胺或旋涂玻璃制作的感光膜层远离衬底的表面更平齐。
可选的，在电路层远离衬底一侧形成第一电极层之前还包括：对基板进行清洗并烘干。
具体的，对基板进行清洗并烘干，可以防止基板表面的污染物造成金属膜层与基板中电路层结合不强，防止制作完成后的金属膜层脱落，也防止污染物掺杂都金属膜层内，影响微显示器的工作性能。
可选的，图7为本发明实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图7，本实施例提供的微显示器的制作方法还包括在像素定义层260远离衬底210一侧形成发光功能层270；在发光功能层270远离衬底210一侧形成第二电极层280。
具体的，在第二电极层280远离发光功能层270的一侧还包括封装层290，封装层290的材料可以为氮化硅或三氧化二铝等，封装层290的厚度可以为1um，封装层290用于保护第二电极层280。含有电极的硅基CMOS驱动电路中的电极与微显示器中的第一电极层230和第二电极层280连接，从而使第一电极层230与第二电极层280导通。当第一电极层230远离衬底的表面与像素定义层260远离衬底的表面过渡平缓时，在第一电极层230远离衬底210一侧制作的第二电极层270的远离衬底210的表面也是平缓的，从而避免第二电极层270的断裂。
本发明实施例还一种微显示器，继续参考图6，该微显示器包括：基板、第一电极层230和像素定义层260；基板包括衬底210和位于衬底210一侧的电路层220；第一电极层230位于电路层220远离衬底210的一侧，其中，第一电极层230包括多个第一电极231；像素定义层260位于电路层220远离衬底210的一侧，像素定义层260包括多个开口，开口与第一电极231一一对应，每一开口裸露出第一电极231，且第一电极231远离衬底210的表面全部裸露；像素定义层230包括中央区10和过渡区20，过渡区20相对中央区10更邻近第一电极231，过渡区20环绕第一电极231，过渡区20与第一电极层230远离衬底210一侧的表面的夹角θ小于设定夹角。
本实施例提供的微显示器与本发明任意实施例提供的微显示器的制作方法属于相同的发明构思，具有相应的有益效果，未在本实施例详尽的技术细节，详尽本发明任意实施例提供的微显示器的制作方法。
注意，上述仅为本发明实施例的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明实施例不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明实施例的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明实施例进行了较为详细的说明，但是本发明实施例不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明实施例构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明实施例的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种微显示器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层；
在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；
在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成第一感光膜层，其中，所述第一感光膜层覆盖所述第一电极层；
对所述第一感光膜层进行掩膜、曝光和显影形成第二感光膜层，其中，所述第二感光膜层包括多个开口，所述开口与所述第一电极一一对应，每一所述开口裸露部分所述第一电极；
对所述第二感光膜层进行刻蚀直到每一所述第一电极远离所述衬底的表面全部裸露且剩余部分的所述第二感光膜层远离所述衬底一侧的表面包括中央区和过渡区，所述过渡区相对所述中央区更邻近所述第一电极，所述过渡区环绕所述第一电极，所述过渡区与所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角，其中，剩余部分的所述第二感光膜层为像素定义层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述设定夹角小于等于45°。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第二感光膜层进行刻蚀直到每一所述第一电极远离所述衬底的表面全部裸露且剩余部分的所述第二感光膜层远离所述衬底一侧的表面包括中央区和过渡区包括：
将形成所述第二感光膜层的基板放入碱性溶液中对所述第二感光膜层进行刻蚀。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述碱性溶液包括显影液。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一感光膜层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括0.4～1μm；
所述第一电极层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括90～110nm。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成第一感光膜层包括：
通过旋转涂布的方法在所述第一电极层远离所述电路层的一侧涂覆感光材料，形成所述第一感光膜层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述感光材料包括聚酰亚胺或旋涂玻璃。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，相邻两个所述第一电极的间距包括0.4～0.8μm。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述像素定义层远离所述衬底一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层远离所述衬底一侧形成第二电极层。
10.一种微显示器，其特征在于，包括：基板、第一电极层和像素定义层；
所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层；
所述第一电极层位于所述电路层远离所述衬底的一侧，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；
所述像素定义层位于所述电路层远离所述衬底的一侧，所述像素定义层包括多个开口，所述开口与所述第一电极一一对应，每一所述开口裸露出所述第一电极，且第一电极远离所述衬底的表面全部裸露；所述像素定义层包括中央区和过渡区，所述过渡区相对所述中央区更邻近所述第一电极，所述过渡区环绕所述第一电极，所述过渡区与所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面的夹角小于设定夹角。
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Citations (8)
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|---|---|---|---|---|
| US20040021413A1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Nobuyuki Ito | Electroluminescent display and process for producing the same |
| EP2797115A2 (en) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and mask unit |
| US20160254331A1 (en) * | 2014-04-01 | 2016-09-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled display device and manufacturing method thereof, and display apparatus |
| US20160307980A1 (en) * | 2015-04-20 | 2016-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display including the same |
| CN109216413A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 天马日本株式会社 | Oled显示设备及其制造方法 |
| US20200212371A1 (en) * | 2019-01-02 | 2020-07-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel defining layer and manufacturing method thereof, array substrate and display device |
| US20210005835A1 (en) * | 2017-07-12 | 2021-01-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| CN112968051A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置 |
-
2021
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040021413A1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Nobuyuki Ito | Electroluminescent display and process for producing the same |
| EP2797115A2 (en) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and mask unit |
| US20160254331A1 (en) * | 2014-04-01 | 2016-09-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled display device and manufacturing method thereof, and display apparatus |
| US20160307980A1 (en) * | 2015-04-20 | 2016-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display including the same |
| CN109216413A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 天马日本株式会社 | Oled显示设备及其制造方法 |
| US20210005835A1 (en) * | 2017-07-12 | 2021-01-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| US20200212371A1 (en) * | 2019-01-02 | 2020-07-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel defining layer and manufacturing method thereof, array substrate and display device |
| CN112968051A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置 |
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