CN103904006A - 用于制造薄膜封装的设备以及方法 - Google Patents

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CN103904006A CN201310470669.2A CN201310470669A CN103904006A CN 103904006 A CN103904006 A CN 103904006A CN 201310470669 A CN201310470669 A CN 201310470669A CN 103904006 A CN103904006 A CN 103904006A
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李正浩
李勇锡
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Abstract

用于制造薄膜封装的设备以及方法包括：第一簇，配置成使用溅射工艺在显示基板上形成第一无机层；第二簇，配置成使用单体沉积工艺在显示基板上的第一无机层上形成第一有机层；以及第三簇，配置成使用化学气相沉积（CVD）工艺或等离子体增强化学气相沉积（工艺）在显示基板上的第一有机层上形成第二无机层。

Description

用于制造薄膜封装的设备以及方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年12月24日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0152501号韩国专利申请的优先权和权益，该申请公开的全文通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及用于制造薄膜封装的设备和方法。
背景技术
最近，便携式电子设备被广泛使用。除了如手机的紧凑型电子设备之外，平板个人电脑（PC）最近被广泛使用为移动型电子设备。
为了支持多种功能，移动型电子设备包括显示设备以将如图像的可视信息提供给用户。随着驱动显示装置的组件变得越来越紧凑，电子设备中的显示装置的尺寸相对于电子设备的整体的尺寸逐渐增加，并且也在开发着从平面状态能够弯曲一角度（例如，预定角度）的显示装置。
当如上所述的柔性显示装置被形成时，可以使用多层薄膜封装柔性显示装置的发光单元以改善显示装置的使用寿命。为了进行封装，可以形成封装薄膜，并且可以通过交替地层叠有机层和无机层形成封装薄膜。可以使用多种方法形成封装薄膜的有机层和无机层。
发明内容
本发明的实施方式提供用于制造薄膜封装的设备以及方法，其中可以调节有机层和无机层的厚度，并且可以均匀保持多种薄膜沉积设备的真空压力。
根据本发明的一方面，提供了薄膜封装制造设备包括：第一簇，配置成使用溅射工艺在显示基板上形成第一无机层；第二簇，配置成使用单体沉积工艺在显示基板上的第一无机层上形成第一有机层；以及第三簇，配置成使用化学气相沉积（CVD）工艺或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺在显示基板上的第一有机层上形成第二无机层。
第一簇、第二簇和第三簇各自包括多个工艺腔室。
可以沿着一个方向排列第一簇的多个工艺腔室、第二簇的多个工艺腔室和第三簇的多个工艺腔室的顺序，并且可以以相同顺序分别在对应的工艺腔室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
第一簇、第二簇和第三簇中的至少一个可以包括掩模储存腔室。
薄膜封装制造设备还可以包括：第四簇耦合到第三簇并且配置成通过使用单体沉积工艺在从第三簇输送的第二无机层上形成第二有机层。
薄膜封装制造设备还可以包括：第五簇耦合到第四簇并且配置成通过使用CVD方法或PECVD方法在从第四簇输送的第二有机层上形成第三无机层。
第二簇和第三簇可以被交替地安装。
第一簇和第二簇可以使用向下沉积方法分别形成第一无机层和第一有机层，并且第三簇可以使用向上沉积方法形成第二无机层。
薄膜封装制造设备还可以包括以下腔室中的至少一种：位于第一簇与第二簇之间并且配置成输送显示基板的通道腔室，和耦合到所述第二簇并且配置成对齐显示基板的输入方向的转动模块腔室。
薄膜封装制造设备还可以包括：第一多个通道腔室，位于所述第一簇与所述第二簇之间并且配置成输送所述显示基板；和第一转动模块腔室，配置成将所述显示基板的输入方向对齐，其中，所述第一多个通道腔室耦合到所述第一转动模块腔室的相对的两侧以将所述第一簇耦合到所述第二簇。
当显示基板被输送时，第一簇和多个通道腔室中的一个的内部压力可以被控制为基本相同、多个通道腔室中的一个和转动模块腔室的内部压力可以被控制为基本相同、转动模块腔室和多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力可以被控制为基本相同、或者多个通道腔室中的另一通道腔室和第二簇的内部压力可以被控制为基本相同。
薄膜封装制造设备还可以包括以下腔室中的至少一种：位于第二簇与第三簇之间并且配置成输送显示基板的通道腔室，和耦合到所述第二簇并且配置成对齐显示基板的输入方向的转动模块腔室。
薄膜封装制造设备还可以包括：第二多个通道腔室，位于所述第二簇与所述第三簇之间并且配置成输送所述显示基板；和第二转动模块腔室，配置成将所述显示基板的输入方向对齐，其中，所述第二多个通道腔室耦合到所述第二转动模块腔室的相对的两侧以将所述第二簇耦合到所述第三簇。
当显示基板被输送时，第二簇和多个通道腔室中的一个的内部压力可以被控制为基本相同、多个通道腔室中的一个和转动模块腔室的内部压力可以被控制为基本相同、转动模块腔室和多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力可以被控制为基本相同、或者多个通道腔室中的另一通道腔室和第三簇的内部压力可以被控制为基本相同。
薄膜封装制造设备还可以包括：装载簇，配置成从外侧接收显示基板并且输送显示基板到第一簇。
薄膜封装制造设备还可以包括：卸载簇，耦合到第三簇并且配置成移除从第三簇输送的显示基板。
卸载簇可以包括多个卸载腔室，并且卸载腔室中的每个可以被配置成，当其中不存在显示基板时，储存进入到卸载簇的多个显示基板中的一个。
薄膜封装制造设备还可以包括：耦合在第三簇与卸载簇之间并且配置成反转从第三簇抽出的显示基板的转动模块腔室。
根据本发明的另一方面，提供制造薄膜封装的方法，该方法包括：使用溅射工艺在显示基板上形成第一无机层；使用单体沉积工艺在显示基板上的第一无机层上形成第一有机层；以及使用化学气相沉积（CVD）工艺或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺在显示基板上的第一有机层上形成第二无机层。
在形成第一有机层之后，显示基板可以在形成第二无机层之前反转。
第一无机层、第一有机层和第二无机层分别可以形成在包括多个工艺腔室的第一簇中、包括多个工艺腔室的第二簇中和包括多个工艺腔室的第三簇中。
可以沿着一个方向排列第一多个工艺腔室、第二多个工艺腔室、第三多个工艺腔室的顺序，并且可以以相同顺序分别在对应的工艺腔室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
第一簇、第二簇和第三簇中的至少一个可以包括：配置成储存掩模的掩模储存腔室。
通过以下腔室中的至少一种，显示基板可以从第一簇被输送到第二簇：位于第一簇与第二簇之间并且配置成输送显示基板的通道腔室；和耦合到所述第二簇并且配置成对齐显示基板的输入方向转动模块腔室。
该方法还可以包括：将第一多个通道腔室耦合到位于所述第一簇与所述第二簇之间的第一转动模块腔室的相对的两侧，以使得耦合的第一多个通道腔室和耦合的第一转动模块腔室将所述第一簇耦合到所述第二簇。
当显示基板被输送时，第一簇和多个通道腔室中的一个的内部压力可以被控制为基本相同、多个通道腔室中的一个和转动模块腔室的内部压力可以被控制为基本相同、转动模块腔室和多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力可以被控制为基本相同、或者多个通道腔室中的另一通道腔室和第二簇的内部压力可以被控制为基本相同。
通过以下腔室中的至少一种，显示基板可以从第二簇被输送到第三簇：位于第二簇与第三簇之间并且配置成输送显示基板的通道腔室；和配置成对齐显示基板的输入方向的转动模块腔室。
该方法还可以包括：将第二多个通道腔室耦合到位于所述第二簇与所述第三簇之间的第二转动模块腔室的相对的两侧，以使得耦合的第二多个通道腔室和耦合的第二转动模块腔室将所述第二簇耦合到所述第三簇。
当显示基板被输送时，第二簇和多个通道腔室中的一个的内部压力可以被控制为基本相同、多个通道腔室中的一个和转动模块腔室的内部压力可以被控制为基本相同、转动模块腔室和多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力可以被控制为基本相同、或者多个通道腔室中的另一通道腔室和第三簇的内部压力可以被控制为基本相同。
可以交替地进行多次第一有机层的形成和第二无机层的形成。
可以使用向下沉积方法形成第一无机层和第一有机层，并且可以使用向上沉积方法形成第二无机层。
在形成无机层和第一有机层之后，显示基板可以在形成第二无机层之前反转。
该方法还可以包括：在形成第一无机层之前，通过装载簇从外侧接收显示基板。
该方法还可以包括：在形成第一无机层之后，通过卸载簇移除显示基板。
卸载簇可以包括多个卸载腔室，并且卸载腔室中的每个可以被配置成，当其中不存在显示基板时，储存进入到卸载簇的多个显示基板中的一个。
在进入卸载簇之前，可以将显示基板反转。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其他特征和方面将变得更加明确，在附图中：
图1为根据本发明实施方式的薄膜封装制造设备的概念图；
图2为使用图1的薄膜封装制造设备制造的显示基板的剖视图；
图3为根据本发明另一实施方式的薄膜封装制造设备的概念图；
图4为使用图3的薄膜封装制造设备制造的显示基板的剖视图；
图5为根据本发明另一实施方式的薄膜封装制造设备的概念图；以及
图6为使用图5的薄膜封装制造设备制造的显示基板的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更加全面地描述本发明的实施方式。然而，可以以许多不同形式实现发明概念并且不应当被解释为限制于本文中记载的示例性实施方式。相反，这些实施方式被提供以便本公开对于本领域普通技术人员变得彻底和完整，并且全面地覆盖本发明的范围。本文中使用的术语仅仅是以描述特定实施方式的目的，并不旨在发明概念的限制。如本文中所用，除非另有清洗地指示，否则单数形式旨在包括复数形式。将进一步了解，当用语“包括”和/或“包括有”用于本说明书中时，是指定所述特征、数量、操作、元件和/或组件的存在，而不是排除一个或多个其他特征、数量、操作、元件、组件和/或它们的群的存在或添加。将理解，尽管可以在本文中使用用语“第一”、“第二”、“第三”以描述多种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当被这些用语限制。这些用语仅仅用于从另一区域、层或部分区分出一个元件、组件、区域、层、或部分。
如本文中所用，用语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任意和所有组合。当如“至少一个”的表述在一列元件前面时，修饰整列元件而不是修饰列中的单个元件。
图1为根据本发明实施方式的薄膜封装制造设备100的概念图。图2为使用图1的薄膜封装制造设备100制造的显示基板200的剖视图。
参照图1和图2，薄膜封装制造设备100可以包括：装载簇110、第一通道腔室P1、第一簇120、第二通道腔室P2、第二簇130、第三通道腔室P3、第一转动模块腔室T1、第三簇140、第二转动模块腔室T2、第四通道腔室P4和卸载簇150。
装载簇110可以从外侧接收显示基板200并且将显示基板200供给到第一簇120。装载簇110可以包括用于接收和储存显示基板200的装载腔室112。可以包括多个装载腔室112，并且多个装载腔室112中的每个可以储存显示基板200。并且，装载簇110可以包括耦合到装载腔室112的第一传输腔室111。多个装载腔室112分别可以被耦合到第一传输腔室111。
与此同时，第一通道腔室P1可以耦合装载簇110与第一簇120。第一通道腔室P1可以被配置成从装载簇110输送显示基板200到第一簇120。
第一簇120可以包括第二传输腔室121。并且，第一簇120可以包括被耦合到第二传输腔室121并且是用于进行溅射工艺的工艺腔室的第一溅射腔室122。此处，可以包括多个第一溅射腔室122，并且多个第一溅射腔室122可以被分别耦合到第二传输腔室121。在第一溅射腔室122中可以将第一无机层231沉积在显示基板200上。
可选地，第一簇120可以包括第一掩模储存腔室123，用于储存溅射工艺期间所需的掩模。此处，第一掩模储存腔室123可以储存掩模，然后可以自动供给掩模到第一溅射腔室122。
与此同时，第二通道腔室P2可以耦合第一簇120与第二簇130，并且可以被配置成从第一簇120输送显示基板200到第二簇130。
第二簇130可以包括第三传输腔室131，用于暂时储存通过第二通道腔室P2被传输的显示基板200。并且，第二簇130可以包括被耦合到第三传输腔室131并且是用于执行单体沉积工艺的工艺腔室的第一单体沉积腔室132。此处，可以包括多个第一单体沉积腔室132，并且每个第一单体沉积腔室132可以被耦合到第三传输腔室131。在第一单体沉积腔室132中可以将第一有机层232形成在第一无机层231上。
可选地，第二簇130可以包括第二掩模储存腔室133，用于储存溅射工艺期间所需的掩模。此处，第二掩模储存腔室133可以储存多个掩模，并且可以根据需要将掩模供给到第一单体沉积腔室132。
与此同时，第三通道腔室P3和第一转动模块腔室T1可以被耦合在第二簇130与第三簇140之间。此处，第三通道腔室P3被配置成从第二簇130输送显示基板200到第一转动模块腔室T1，并且可以以翻转腔室的形式形成第一转动模块腔室T1，以倒转（例如，翻转或反转）和对齐显示基板200。例如，在第一簇和第二簇中执行向下沉积之后，第一转动模块腔室上下倒转（例如，翻转或反转）显示基板以在第三簇140中执行向上沉积，由此从第二簇130输送显示基板到第三簇140。
第三簇140可以包括被耦合到第一转动模块腔室T1的第四传输腔室141。此处，第四传输腔室141还可以被耦合到第一化学气相腔室142，第一化学气相腔室142是用于层叠第二无机层233的工艺腔室。可以包括多个第一化学气相腔室142，并且可以在第四传输腔室141中以多种间隔（例如，预定间隔）径向排列多个第一化学气相腔室142。
通过使用传统化学气相沉积（CVD）方法或者等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，第二无机层233可以在第一化学气相腔室142中形成。然而，为了描述的方便，将详细描述使用传统CVD方法在第一化学气相腔室142中形成第二无机层233的实施方式。
第三簇140可以被耦合到第四传输腔室141，并且可以包括第三掩模储存腔室143，用于供给第一化学气相腔室142中所需的掩模。此处，第三掩模储存腔室143可以储存工艺中所需的掩模，然后供给掩模到进行工艺的第一化学气相腔室142中的每个。
与此同时，第二转动模块腔室T2可以被耦合到如上所述形成的第三簇140。第二转动模块腔室T2可以被耦合到第四传输腔室141并且被配置成通过倒转（翻转或反转）显示基板200来输送完成工艺的显示基板200。详细地，第二转动模块腔室T2可以被形成为如上述第一转动模块腔室T1的翻转腔室。
第四传输腔室P4可以被耦合到第二转动模块腔室T2。第四传输腔室P4可以被配置成输送完成薄膜封装工艺的显示基板200到卸载簇150。
卸载簇150可以包括第五传输腔室151。并且，卸载簇150可以包括被耦合到第五传输腔室151并且被配置成从第五传输腔室151输送显示基板200到外侧的卸载腔室152。此处，可以包括多个卸载腔室152，并且多个卸载腔室152可以被径向安装或偶合到第五传输腔室151。
与此同时，在下文中将详细描述通过使用薄膜封装制造设备100执行薄膜封装工艺的方法以及显示基板200的结构。
首先，可以制造显示基板200。详细地，显示基板200可以包括第一基板210、封装单元230和发光单元220。
发光单元220可以被形成在第一基板210上。此处，发光单元220包括：薄膜晶体管（TFT）；以及钝化层221，覆盖TFT（例如，形成在TFT上），并且有机发光器件（OLED）可以被形成在钝化层221上。
第一基板210可以由玻璃材料形成，但并不限于此，并且还可以由塑料材料或如不锈钢（SUS）或钛（Ti）的金属材料形成。
由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层222可以被进一步形成在第一基板210的上表面上，并且可以由，例如，SiOx（x≥1）或SiNx（x≥1）形成。
在以一图案（例如，预定图案）排列的有源层223被形成在缓冲层222上之后，栅极绝缘层224被形成在有源层223和缓冲层222上。有源层223包括源区域223a和漏区域223c，并且还包括位于源区域223a和漏区域223c之间的沟道区域223b。有源层223可以由非晶硅形成，但并不限于此。有源层223还可以由氧化物半导体形成。氧化物半导体的示例可以包括选自以下材料的氧化物：如锌（Zn）、铟（In）、镓（Ga）、锡（Sn）、镉（Cd）、锗（Ge）和铪（Hf）的4、12、13、14族金属元素及其中的两种或更多金属的组合物。例如，由半导体形成的有源层223可以包括G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c]（a、b和c分别为满足条件a≥0，b≥0和c＞0的实数）。然而，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于由非晶硅形成的有源层223。
通过在缓冲层222上首先形成非晶硅层，将非晶硅层晶体化为多晶硅层，并且图案化多晶硅层，由此可以形成有源层223。根据TFT是驱动TFT（未示出）还是开关TFT（未示出）的TFT类型，有源层223可以包括具有杂质的源区域223a和漏区域223c。
对应于有源层223的栅电极225、和覆盖栅电极225的层间绝缘层226被形成在栅极绝缘层224上。
通过层间绝缘层226和栅极绝缘层224形成接触孔，并且源电极227a和漏电极227b被形成在层间绝缘层226上，延伸通过层间绝缘层226和栅极绝缘层224以分别与源区域223a和漏区域223c接触。
与此同时，因为反射层在如上述的同一时间被形成在源/漏电极227a和227b上，所以源/漏电极227a和227b可以由具有能够反射光的厚度的高导电率材料形成。例如，源/漏电极227a和227b可以由金属材料形成，如银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）或其中两个或更多的化合物。
钝化层221被形成在TFT和如上所述形成的反射层上，并且OLED的像素电极228a被形成在钝化层221上。像素电极228a通过形成在钝化层221中的通孔H2接触TFT的漏电极227b。钝化层221可以由无机材料和/或有机材料形成，并且以单层结果或包括至少两层的结构，并且还可以被形成为平坦化层，以使得与下层的曲线无关地平坦化其上表面。此外，钝化层221可以由透明绝缘材料形成以获得谐振效果。
在钝化层221上形成像素电极228a之后，像素限定层229可以被形成以覆盖像素电极228a和有机材料和/或无机材料的钝化层221。像素限定层229被开口以暴露像素电极228a。也就是说，像素电极228a上的像素限定层229的一部分可以被刻蚀或移除以暴露像素电极228a的一部分表面。
此外，有机层228b和相对电极228c至少被形成在像素电极228a上。
像素电极228a可以作为阳极电极，而相对电极128c可以作为阴极电极，并且像素电极228a和相对电极228c的极性可以交换。
像素电极228a可以由具有高功函数的材料形成，例如，如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、In2O3和ZnO的透明导体。
相对电极228c可以由如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca的金属及其中两个或更多的化合物或合金形成；详细地，相对电极228c可以由具有薄厚度的Mg、Ag或Al形成以成为半透明反射层，以便光在光谐振后通过其进行透射。通过有机层228b，像素电极228a与相对电极228c彼此电绝缘，并且通过向有机层228b施加极性相反的电压，在有机发射层中进行发光。
有机层228b可以由低分子量或聚合物有机层形成。当由低分子量层形成时，有机层228b可以具有这样的结构，其中以单层或多层结构层叠有空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、有机发射层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL），并且可以使用如铜酞菁（copperphthalocyanine，简称为CuPc）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺（N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine，简称为NPB）、三-8-羟基喹啉铝（tris-8-hydroxyquinoline aluminum，简称为Alq3）的多种有机材料。可以使用真空沉积方法形成低分子有机层。此处，HIL、HTL、ETL和EIL是可以公共地适用于红色、绿色和蓝色像素的公共层。因此，如相对电极228C，公共层可以被形成以覆盖整个像素。
例如，聚合物有机层通常可以由HTL和EML形成，并且在此处，PEDOT可以被用作为HTL，并且如聚亚苯基乙烯（Poly-Phenylenevinylene，简称为PPV）类材料或聚芴（Polyfluorene）类材料的聚合物有机材料可以被用作为可以通过丝网印刷、喷墨印刷、精细金属掩膜工艺、激光热转印工艺等形成的有机发射层。
与此同时，可以以多种形式形成如上所述的有机发射层。例如，蓝色有机发射层、绿色有机发射层和红色有机发射层可以被形成在每个子像素中以形成单个单位像素。并且，除了如上所述的蓝色、绿色和红色有机发射层以外，其他颜色的有机发射层也可以被形成在子像素中。因此，除了蓝色、绿色和红色有机发射层以外，蓝色有机发射层、绿色有机发射层和红色有机发射层可以被层叠以形成白色有机发射层作为子像素，由此形成单个单位像素。
此外，虽然在上文中描述了在每个像素中由额外的发光材料形成的有机发射层，但是本发明的实施方式并不限于此。例如，有机发射层可以与像素的位置无关地公共地形成于整个像素。此处，可以通过垂直层叠例如发出红色、绿色和蓝色光的发射材料或者通过混合发射材料，来形成有机发射层。显而易见地，如果可以发出白光，其他颜色的组合也是可能的。并且，还可以包括颜色转换层或滤光片，用于将发出的白光转换为另一颜色（例如，预定颜色）。
有机层228b并不限于此，并且还可以应用有机层228b的其他多种示例。然而，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于由蓝色有机发射层、绿色有机发射层和红色有机发射层形成的子像素以形成单个单位像素。
与此同时，在准备在上面形成有发光单元220的第一基板210后，第一基板210可以被输入到薄膜封装制造设备100以形成封装单元230。如上所述，通过依次层叠第一无机层231、第一有机层232和第二无机层233，可以形成封装单元230。
详细地，第一有机层232可以由聚合物形成，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或叠层。在一个实施方式中，第一有机层232可以由聚丙烯形成；详细地，第一有机层232可以包括包含有二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。并且，本领域公知的光引发剂，如热塑聚烯烃（TPO）还可以被包括在单体组合物中，但是本发明的实施方式并不限于此。
第一无机层231和第二无机层233可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或叠层。详细地，第一无机层231和第二无机层233可以包括SiNx、Al2O3、SiO2、TiO2中的一种。此处，第二无机层233可以被形成以防止或减少湿气相对于发光单元220的渗透。
与此同时，包含LiF的金属卤化物层还可以被包括在发光单元220与第一无机层231之间。金属卤化物层可以在通过使用溅射工艺形成第一无机层231时防止或减少发光单元220受损。
并且，第一有机层232的特征在于，其具有小于第二无机层233的表面。此处，第一有机层232完全被第二无机层233覆盖。
将详细描述形成如上所述封装单元230的方法。首先，在上面形成有发光单元220的第一基板210可以被装载到装载腔室112中（图1中所示）。此处，可以使用多种装载方法。例如，在上面形成有发光单元220的第一基板210可以被装载到箱盒中，然后箱盒可以被装载到装载腔室112中。并且，通过使用如外部机械臂的输送单元，在上面形成有发光单元220的第一基板210可以被供给（例如，装载或放置）到装载腔室112。
与此同时，如上所述被供给的第一基板210可以从装载腔室112被供给或传输到第一传输腔室111。此处，机械臂等可以被安装或耦合到第一传输腔室111以移动第一基板210。当从装载腔室112输送第一基板210到第一传输腔室111时，在进行输送操作之前，装载腔室112和第一传输腔室111的压力可以被调节为相同。
如上所述被输送到第一传输腔室111的第一基板210可以从第一传输腔室111再次被输送到第一通道腔室P1。此处，当输送第一基板210时，第一传输腔室111和第一通道腔室P1的内部压力可以被控制为均匀。
第一通道腔室P1可以再次输送第一基板210到第一簇120的第二传输腔室121。此处，当输送第一基板210时，可以均匀或大致均匀地保持第一通道腔室P1和第二传输腔室121的内部压力。
如上所述被输送的第一基板210可以从第二传输腔室121被装载到多个第一溅射腔室122中的一个。此处，多个第一基板210可以以定义或预定顺序（例如，以顺时针或逆时针方向）被装载到第一溅射腔室122。例如，可以沿着一方向（例如，预定方向）指定或排列多个第一溅射腔室122的顺序，如顺时针或逆时针方向。并且，每个第一溅射腔室122可以指定有身份（ID）。确定顺序的方法并不限于此，并且可以使用多种方法确定多个第一溅射腔室122的顺序。然而，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于其中以期望的或预定方向确定顺序的实施方式。
例如，第一基板210可以被装载到根据给予第一基板210的ID进行编号的第一溅射腔室122中。例如，第一基板210可以被装载到第一溅射腔室122中以使得第一基板210的ID与第一溅射腔室122的顺序一致。
当如上所述通过使用溅射工艺形成第一无机层231时，用于溅射工艺的掩模可以从第一掩模储存腔室123被输送到待进行溅射工艺的第一溅射腔室122。掩模可以进入多个待进行溅射工艺的第一溅射腔室122中的至少一个。掩模可以在第一基板210进入第一溅射腔室122之后或之前进入第一溅射腔室122。并且，本发明的实施方式并不限于此，并且掩模可以与第一基板210同时进入。
与此同时，在第一基板210已进入第一溅射腔室122之后，第一溅射腔室122可以在发光单元220上形成第一无机层231。此处，第一无机层231与如上所述的相同，因此将省略其描述。
当如上所述完全形成第一无机层231时，第一基板210可以从第一溅射腔室122被输送到第二传输腔室121。此处，第一溅射腔室122和第二传输腔室121的压力可以被控制为相同。
例如，通过使用机械臂，第二传输腔室121可以输送在上面形成有第一无机层231的第一基板210到第二通道腔室P2。例如，第一基板210可以从第二传输腔室121被输送到第二通道腔室P2，同时均匀或基本均匀地保持在第二传输腔室121和第二通道腔室P2的内部压力。
与此同时，如上所述被输送的第一基板210可以被输送到第二簇130。此处，第一基板210可以被输送到耦合到第二通道腔室P2的第三传输腔室131，并且当第一基板210被输送时，可以相同或基本相同地保持第二通道腔室P2和第三传输腔室131的压力。
如上所述，输送到第三传输腔室131的第一基板210可以从第三传输腔室131被输送到第一单体沉积腔室132。此处，输送第一基板210到多个第一单体沉积腔室132中的一个的方法可以与上述的输送第一基板210到多个第一溅射腔室122中的一个的方法相同。例如，可以以与多个第一溅射腔室122相同的顺序编号多个第一单体沉积腔室132。
第三传输腔室131和第一单体沉积腔室132可以被设置为具有相同或基本相同的压力。第一单体沉积腔室132可以在第一无机层231上形成第一有机层232。详细地，当第一基板210被装载到第一单体沉积腔室132中时，可以通过使用闪蒸方法沉积单体和光引发剂，单体和光引发剂可以通过施加紫外（UV）线或热量而被聚合。
当完成上述工艺时，UV线或热量可以被施加到在上面沉积和硬化单体的表面，由此聚合单体从而以聚合物的形式形成第一有机层232。第一有机层232与如上所述相同，因此将省略其描述。
储存在第二掩模储存腔室133中并用于形成第一有机层232的掩模可以被供给到第一单体沉积腔室132。此处，从第二掩模储存腔室133供给掩模到第一单体沉积腔室132的方法与从第一掩模储存腔室123供给掩模到第一溅射腔室122的方法相似，因此将省略其描述。
与此同时，在于第一无机层231上形成第一有机层232之后被输送到第三传输腔室131的第一基板210可以再次从第三传输腔室131被输送到第三通道腔室P3。此处，当输送第一基板210时，第三通道腔室P3和第三传输腔室131的内部压力可以被控制为相同。
当完成上述工艺时，第一基板210可以从第三传输腔室131被供给到第一转动模块腔室T1。此处，第一转动模块腔室T1可以180度倒转（例如，翻转或反转）第一基板210。详细地，在第一簇120和第二簇130的情况下，使用向下沉积方法，其中沉积材料被向上移动以沉积第一无机层231和第一有机层232，而在第三簇140的情况下，使用向上沉积方法，其中沉积材料向下移动以沉积第二无机层233。因此，为了向上沉积，第一基板210可以被180度倒转（例如，翻转或反转）。
如上所述，在第一转动模块腔室T1中倒转（例如，翻转或反转）第一基板210之后，第一基板210可以被供给到第四传输腔室141。此处，第一转动模块腔室T1和第四传输腔室141的内部压力可以被控制为相同或基本相同。
与此同时，输送到第四传输腔室141的第一基板210可以再次被输送到第一化学气相腔室142。此处，第四传输腔室141和第一化学气相腔室142的内部压力可以被控制为相同或基本相同。
如上所述，当第二无机层233被沉积时，可以从第三掩模储存腔室143供给用于第一化学气相腔室142的掩模。此处，第三掩模储存腔室143的工艺与第一掩模储存腔室123或第二掩模储存腔室133的工艺相似，因此将省略其详细描述。
与此同时，当完成第二无机层233的沉积时，在上面形成有封装单元230的显示基板200可以从第四传输腔室141被输送到第二转动模块腔室T2。此处，通过180度倒转（例如，翻转或反转）显示基板200，第二转动模块腔室T2可以还原显示基板200至原始状态。
被还原至原始状态的显示基板200可以通过第四通道腔室P4从第二转动模块腔室T2被输送到第五传输腔室151。此处，当显示基板200从第四通道腔室P4被输送到第五传输腔室151时，可以进行输送，同时均匀或基本均匀地保持第二转动模块腔室T2和第四通道腔室P4的内部压力，然后通过均匀或基本均匀地保持第四通道腔室P4和第五传输腔室151的内部压力最终输送到第五传输腔室151。
当完成上述工艺时，封装单元230可以被完全形成在发光单元220上以完成显示基板200的制造。如上所述制造的显示基板200可以从第五传输腔室151被装载到卸载腔室152并且储存在其中。此处，可以输送显示基板200，同时在第五传输腔室151和卸载腔室152的内部压力被控制为相同。
与此同时，可以使用多种方法将完成的显示基板200装载到卸载腔室152中。例如，可以预先设置用于卸载腔室152的顺序，或者如果显示面板200被完全装载到随机选择的卸载腔室152中时，则显示基板200可以被控制以被储存在另一卸载腔室152中。并且，一个显示基板200被储存在卸载腔室152中，并且如果确定没有显示基板200时，可以从第五传输腔室151输送合适的显示基板200。可以随机或以预定顺序选择合适的显示基板200。
因此，如上所述的薄膜封装制造设备100可以以直列式方式进行薄膜封装工艺，并由此可以优化薄膜封装工艺中使用的时间。
并且，当形成多层薄膜封装时，薄膜封装制造设备100可以调节各个层的厚度，并且由于可以同时进行向上形成层和向下形成层，可以轻易地形成多层薄膜封装。
因为薄膜封装制造设备100包括装载簇110和卸载簇150，所以可以以直列式工艺形成薄膜封装，由此增加了生产效率。
图3为根据本发明另一实施方式的薄膜封装制造设备300的概念图。图4为使用图3的薄膜封装制造设备300制造的显示基板400的剖视图。
参照图3和图4，薄膜封装制造设备300可以包括装载簇（未示出）、第一通道腔室P1、第一簇320、第二通道腔室P2、第一转动模块腔室T1、第三通道腔室P3、第二簇330、第四通道腔室P4、第二转动模块腔室T2、第五通道腔室P5、第三簇340、第六通道腔室P6、第三转动模块腔室T3、第七通道腔室P7、第四簇360、第八通道腔室P8、第四转动模块腔室T4、第九通道腔室P9、第五簇370、第十通道腔室P10、第五转动模块腔室T5、第十一通道腔室P11和卸载簇（未示出）。
第一通道腔室P1至第十一通道腔室P11是以与以上参照图1和图2描述的第一通道腔室P1至第四通道腔室P4相同或相似的方式形成，并且显示基板400也可以使用相同或相似的方法进行输送，并因此将省略其详细描述。
并且第一转动模块腔室T1至第五转动模块腔室T5是以与以上参照图1和图2描述的第一转动模块腔室T1和第二转动模块腔室T2相同或相似的方式形成，并且显示基板400也可以以通过对齐或倒转（翻转或反转）显示基板400的相同或相似的方法进行输送，并因此将省略其详细描述。
与此同时，装载簇和卸载簇是以与以上参照图1和图2描述的相同的方法形成，并因此将在下面省略其详细描述。此外，装载簇和卸载簇可以被包括或可以不被包括在薄膜封装制造设备300中，并因此，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于不包括装载簇和卸载簇的实施方式。
第一簇320可以包括第二传输腔室321、第一溅射腔室322和第一掩模储存腔室323。第一簇320是以与参照图1和图2的上述的相同或相似的方法形成，并因此将省略其详细描述。
并且，第二簇330可以包括第三传输腔室331、第一单体沉积腔室332和第二掩模储存腔室333。第二簇330是以与参照图1和图2的上述的相同或相似的方法形成，并因此将省略其详细描述。
第三簇340可以包括第四传输腔室341、第一化学气相腔室342和第二掩模储存腔室343。第三簇340是以与参照图1和图2的上述的相同或相似的方法形成，并因此将省略其详细描述。然而，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于第二无机层433通过使用PECVD方法形成在第一化学气相腔室342中的实施方式。
与此同时，第四簇360可以包括第六传输腔室361、第二单体沉积腔室362和第四掩模储存腔室363。因此，第四簇360可以在第二无机层433上形成第二有机层434。第四簇360可以以与第二簇330相似的方式形成，并且第二有机层434可以以与第一有机层432相同的方式形成，并因此将省略其详细描述。
第五簇370可以包括第七传输腔室371、第二化学气相腔室372和第五掩模储存腔室373。第五簇370可以在第二有机层434上形成第三无机层435。第五簇370可以以与第三簇340相似的方式形成，并且第三无机层435可以以与第二无机层433相同的方式形成，并因此将省略其详细描述。
与此同时，在下文中将详细描述通过使用薄膜封装制造设备300进行薄膜封装工艺的方法以及显示基板400的结构。
首先，可以制造显示基板400。详细地，显示基板400可以包括第一基板410、封装单元430和发光单元420。此处，第一基板410和发光单元420分别与参照图1和图2的上述第一基板210和发光单元220相同，并因此将省略其详细描述。
与此同时，在准备在上面形成有发光单元420的第一基板410之后，第一基板410可以被装载到或定位在薄膜封装制造设备300内以形成封装单元430。此处，封装单元430可以包括至少一个夹层结构，其中至少一个有机层被插入到至少两个无机层之间。并且，封装单元430可以包括夹层结构，其中至少一个无机层被插入到至少两个有机层之间。
通过如上所述依次层叠第一无机层431、第一有机层432、第二无机层433、第二有机层434和第三无机层435，可以形成封装单元430。
详细地，第一有机层432和第二有机层434可以由聚合物形成，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或叠层。在一个实施方式中，第一有机层432和第二有机层434可以由聚丙烯形成，并且详细地，可以包括包含有二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。并且，如TPO的本领域公知的光引发剂还可以被包括在单体组合物中，但是本发明的实施方式并不限于此。
第一无机层至第三无机层431、433和435可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或叠层。详细地，第一无机层至第三无机层431、433和435可以包括SiNx、Al2O3、SiO2、TiO2中的一种。此处，第三无机层435可以被形成以防止或减少湿气相对于发光单元420的渗透。
与此同时，包含LiF的金属卤化物层还可以被包括在发光单元420与第一无机层431之间。金属卤化物层可以在通过使用溅射工艺形成第一无机层431时防止或减少发光单元420受损。
并且，第一有机层432的特征在于，其具有小于第二无机层433的表面，并且第二有机层434还可以具有小于第三无机层435的表面积。并且，第一有机层432的特征在于，其被第二无机层433完全覆盖，并且第二有机层434还可以被第三无机层435完全覆盖。
将详细描述形成如上所述封装单元430的方法。通过将整个薄膜封装制造设备300的真空度或压力保持在5E-4Pa或以下，通过使用机械臂，第一掩模储存腔室至第五掩模储存腔室323、333、343、363和373中的掩模分别可以在第一溅射腔室322、第一单体沉积腔室332、第一化学气相腔室342、第二单体沉积腔室362和第二化学气相腔室372之间传输。
当完成上述工艺时，在上面形成有发光单元420的第一基板410被安装在第一通道腔室P1中，并且第一通道腔室P1的真空度或压力被保持在与第二传输腔室321相同或基本相同的等级，然后闸阀被开启以移动第一基板410到第二传输腔室321。此处，可以通过使用机械臂移动第一基板410。
与此同时，当第二传输腔室321的真空度或压力与进行用于形成第一无机层431的溅射工艺的第一溅射腔室322中的一个的真空度或压力在相同等级时，闸阀被开启以移动或传输第一基板410到第一溅射腔室322。在被装载在预先安装的掩模与基板支架之间之后，通过使用耦合有可视单元的对齐仪器、通过使用第一基板410的标记和掩模的开口标记对齐第一基板410，然后第一基板410和掩模被彼此粘接。
与此同时，工艺气体被注入到溅射工艺的第一溅射腔室322中以将真空度或压力保持在1E-1至1E-2Pa的范围内，并且电压被施加到阴极以生成等离子体放电。此处，形成层的同时将第一基板410或阴极输送到第一溅射腔室322内。
在进行工艺期间，当第一无机层431达到目标厚度时，第一基板410或阴极被移动至待机区域以停止放电，并且气体注入操作也被停止以控制真空放电系统的电导，从而将第一溅射腔室322的真空度或压力保持在与第二传输腔室321相同等级。此处，第一基板410和掩模被彼此分离以移动第一基板410至可以排出的位置。
当完成上述工艺时，第一基板410从第一溅射腔室322被移动到第二传输腔室321。并且，当第二传输腔室321和第二通道腔室P2的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410从第二传输腔室321被移动到第二通道腔室P2。
当第二通道腔室P2和第一转动模块腔室T1的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410被移动到第一转动模块腔室T1，并且在第一转动模块腔室T1中第一基板410被转动180度，以防止或减少第一基板410的输入位置的变化。
与此同时，当完成第一转动模块腔室T1的操作时，第一转动模块腔室T1和第三通道腔室P3的真空度或压力被控制为相同或基本相同，由此移动第一基板410到第三通道腔室P3。
此处，在将第三通道腔室P3和第三传输腔室331的真空度或压力保持在相同或基本相同等级期间，闸阀被开启以移动第一基板410到第三传输腔室331。此处，通过使用机械臂移动第一基板410。
当完成上述工艺时，并且第三传输腔室331的真空度或压力与用于进行形成第一有机层432的工艺的多个第一单体沉积腔室332中的一个的真空度或压力在相同或基本相同等级时，闸阀被开启以移动第一基板410到第一单体沉积腔室332。此处，在被装载在预先安装的掩模与基板支架之间之后，通过使用耦合有可视单元的对齐仪器、通过使用第一基板410的标记和掩模的开口标记，第一基板410被精确地对准，然后第一基板410和掩模被彼此粘接。
用于单体沉积工艺的工艺气体被注入到进行单体沉积工艺的第一单体沉积腔室332中，以将真空度或压力保持在1E-1至1E-2Pa的范围内，并且包含蒸发的有机材料的喷雾器的喷嘴单元被开启。此处，在第一单体沉积腔室332中，进行层的形成和硬化的同时输送第一基板410或源单元。
如上所述，当第一基板410被装载到第一单体沉积腔室332中时，可以通过使用闪蒸方法沉积可以通过施加UV线或热量而被聚合的单体和光引发剂。
当完成上述工艺时，UV线或热量可以被施加到在上面沉积并硬化单体的表面，由此聚合单体从而以聚合物的形式形成第一有机层432。
与此同时，在进行上述工艺期间，当第一有机层432达到目标厚度时，第一基板410或源单元被移动至待机区域以停止工艺气体的注入，并且真空放电系统的电导被控制以将第一单体沉积腔室332的真空度或压力保持在与第三传输腔室331的真空度或压力相同的等级。此处，第一基板410和掩模被彼此分离以移动第一基板410至可以排出或移除的位置。
当第一单体沉积腔室332和第三传输腔室331的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410从第一单体沉积腔室332移动到第三传输腔室331。并且，当第三传输腔室331和第四通道腔室P4的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410从第三传输腔室331被移动或输送到第四通道腔室P4。
与此同时，当第四通道腔室P4和第二转动模块腔室T2的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410被移动到第二转动模块腔室T2，并且在第二转动模块腔室T2中，第一基板410被转动大约180度以防止或减少第一基板410的输入位置的变化。
当完成上述工艺时，并且当第二转动模块腔室T2和第五通道腔室P5的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410被移动到第五通道腔室P5。并且，在将第五通道腔室P5和第三簇340的真空度或压力保持在相同等级期间，闸阀被开启以移动第一基板410到第三簇340。第一基板410可以从第四通道腔室P4被移动到第四传输腔室341。此处，通过机械臂移动第一基板410。
如上所述，当通过使用时间和空间划分方法控制真空放电系统的电导，第四传输腔室341的真空度或压力与用于进行形成第二无机层433的PECVD方法的多个第一化学气相腔室342中的一个的真空度或压力在相同或基本相同等级时，闸阀被开启以移动第一基板410到第一化学气相腔室342。在被装载在预先安装的掩模与基板支架之间之后，通过使用耦合有可视单元的对齐仪器、通过使用第一基板410的标记和掩模的开口标记对齐第一基板410，然后第一基板410和掩模被彼此粘接。
然后，完全关闭用于控制电导的、耦合到高真空泵的阀之后，通过使用等离子体生成单元注入作为放电气体的Ar以将压力保持在1Pa至200Pa范围内，然后功率被提升到3W/cm2至5W/cm2范围内，由此生成等离子体。
此处，通过使用等离子体生成源供给反应材料、反应气体和输送气体，在1至200Pa范围内的压力被调节。反应材料被注入到等离子体区域以形成原子团（使用SiN生成气体：SiH4/NH3/N2/H2/Ar）。然后，在上述的环境中，进行层形成工艺。此处，层形成速度保持在200nm/min或以下，并且持续供给SiH4(50-500sccm)/NH3(300-2000sccm)/N2(300-2000sccm)的气体。
与此同时，在进行上述工艺期间，并且第二无机层433达到目标厚度时，停止用于反应的气体的供给，并且以多个阶段降低等离子体功率至1W/cm2。然后，第一基板410和掩模被彼此分离以移动第一基板410至可以排出的位置。同时，通过使用时分空间控制方法开启用于控制电导的、安装在高真空泵的阀，然后第一化学气相腔室342的真空度或压力与第四传输腔室341的真空度或压力被保持在相同等级。此处，第一基板410从第一化学气相腔室342被移动到第四传输腔室341。
与此同时，当完成上述工艺时，第四传输腔室341和第六通道腔室P6的真空度或压力在相同或基本相同等级，第一基板410从第四传输腔室341被移动到第六通道腔室P6。
并且，当第六通道腔室P6和第三转动模块腔室T3的真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410被移动到第三转动模块腔室T3，并且在第三转动模块腔室T3中第一基板410被转动180度以防止或减少第一基板410的输入位置的变化。
此处，当第三转动模块腔室T3和第七通道腔室P7的真空度或压力在相同等级时，第一基板410被移动到第七通道腔室P7。并且，在将第七通道腔室P7和第六传输腔室361的真空度或压力保持在相同等级期间，闸阀被开启以移动第一基板410到第六传输腔室361。此处，通过使用机械臂移动第一基板410。
与此同时，当第六传输腔室361的真空度或压力与用于进行形成第二有机层434的单体沉积工艺的多个第二单体沉积腔室中的一个的真空度或压力在相同或基本相同等级时，闸阀被开启以移动显示基板200到第二单体沉积腔室362。此处，形成第二有机层434的方法与形成第一有机层432的方法相似，并因此将省略其详细描述。
与此同时，当第二有机层434达到目标厚度时，第一基板410或源单元被移动到待机区域以停止工艺气体的注入，并且通过控制真空放电系统的电导，第二单体沉积腔室362的真空度或压力被保持在与第六传输腔室361相同等级。此处，第一基板410和掩模被彼此分离以移动第一基板410至可以排出的位置。
与此同时，在从第二单体沉积腔室362移动第一基板410到第六传输腔室361之后，当第六传输腔室361和第八通道腔室P8真空度或压力在相同或基本相同等级时，第一基板410从第六传输腔室361被移动到第八通道腔室P8。
再次，当第八通道腔室P8和第四转动模块腔室T4的真空度或压力在相同等级时，第一基板410被移动到第四转动模块腔室T4，并且在第四转动模块腔室T4中第一基板410被转动180度以防止或减少第一基板410的输入位置的变化。
并且，当完成上述工艺时，并且第四转动模块腔室T4和第九通道腔室P9的真空度或压力在相同等级时，第一基板410被移动到第九通道腔室P9。并且，在将第九通道腔室P9和第七传输腔室371的真空度或压力保持在相同或基本相同等级期间，闸阀被开启以移动第一基板410到第七传输腔室371。此处，通过使用机械臂移动第一基板410。
与此同时，当完成上述工艺时，并且通过使用时间和空间划分方法控制真空放电系统的电导，第七传输腔室371的真空度或压力与用于进行形成第三无机层435的PECVD方法的多个第二化学气相腔室372中的一个的真空度或压力在相同或基本相同等级时，闸阀被开启以移动第一基板410到第二化学气相腔室372。此处，在对齐第一基板410和掩模之后形成第三无机层435的方法与上述形成第二无机层233的方法相似，并因此将省略其详细描述。
与此同时，当随着第三无机层435达到目标厚度而完成工艺时，显示基板400和掩模被分离以移动显示基板400至可以排出或移除显示基板400的位置。同时，安装在高真空泵中通过时间和空间控制方法控制电导的阀被开启，然后第二化学气相腔室372的真空度或压力被保持在与第七传输腔室371相同或基本相同的等级。
当完成上述工艺时，显示基板400从第二化学气相腔室372输送到第七传输腔室371。并且，当第七传输腔室371和第十通道腔室P10的真空度或压力在相同等级时，显示基板400从第七传输腔室371被移动到第十通道腔室P10。
与此同时，当完成上述工艺时，显示基板400从第十通道腔室P10被输送到第五转动模块腔室T5，并且在第五转动模块腔室T5中可以通过180度转动对齐显示基板400，然后输送到第十一通道腔室P11。
此处，用户通过移动从第十一通道腔室P11排出的显示基板400到外侧来完成工艺。可以使用机械臂取出第十一通道腔室P11内的显示基板400。
因此，通过使用薄膜封装制造设备300，在形成使用有机层和无机层层叠多层膜层时可以控制各个层的厚度，并且可以通过使用时间和空间划分真空控制方法将多种薄膜工艺装置的真空度或压力保持在相同等级，可以形成直列式簇。此外，由于在薄膜封装制造设备300中形成直列式簇，因而可以以直列方式进行溅射、闪沉积和PECVD。
图5为根据本发明另一实施方式的薄膜封装制造设备500的概念图。图6为使用图5的薄膜封装制造设备制造500的显示基板600的剖视图。
参照图5和图6，薄膜封装制造设备500可以包括装载簇（未示出）、第一通道腔室P1、第一簇520、第二通道腔室P2、第一转动模块腔室T1、第三通道腔室P3、第二簇530、第四通道腔室P4、第二转动模块腔室T2、第五通道腔室P5、第三簇540、第六通道腔室P6、第三转动模块腔室T3、第七通道腔室P7、第四簇560、第八通道腔室P8、第四转动模块腔室T4、第九通道腔室P9、第五簇570、第十通道腔室P10、第五转动模块腔室T5、第十一通道腔室P11、第六簇580、第十二通道腔室P12、第六转动模块腔室T6、第十三通道腔室P13、第七簇590、第十四通道腔室P14、第七转动模块腔室T7、第十五通道腔室P15和卸载簇（未示出）。
此处，第一通道腔室P1至第十五通道腔室P15是以与以上参照图1和图2描述的第一通道腔室P1至第四通道腔室P4相同或相似的方式形成，并且显示基板600也可以以相同或相似的方法进行输送，并因此将省略其详细描述。
并且第一转动模块腔室T1至第七转动模块腔室T5是以与以上参照图1和图2描述的第一转动模块腔室T1和第二转动模块腔室T2相同或相似的方式形成，并且显示基板600也可以以通过对齐或倒转（翻转或反转）显示基板600的相同或相似的方法进行输送，并因此将省略其详细描述。
与此同时，装载簇和卸载簇是以与以上参照图1和图2描述的相同的方法形成，并因此将在下面省略其详细描述。此外，装载簇和卸载簇可以被包括或可以不被包括在薄膜封装制造设备500中，并因此，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于不包括装载簇和卸载簇的实施方式。
第一簇520可以包括第二传输腔室521、第一溅射腔室522和第一掩模储存腔室523。第一簇520是以与以上参照图1和图2描述的相同或相似的方法形成，并因此将省略其详细描述。
并且，第二簇530可以包括第三传输腔室531、第一单体沉积腔室532和第二掩模储存腔室533。第二簇530是以与以上参照图1和图2描述的相同或相似的方法形成，并因此将省略其详细描述。
第三簇540可以包括第四传输腔室541、第一化学气相腔室542和第二掩模储存腔室543。第三簇540是以与参照图1和图2的上述的相同或相似的方法形成，并因此将省略其详细描述。然而，为了描述的方便，在下面的描述中将着重于在第一化学气相腔室542中通过使用PECVD方法形成第二无机层633的实施方式。
与此同时，第四簇560可以包括第六传输腔室561、第二单体沉积腔室562和第四掩模储存腔室563。因此，第四簇560可以在第二无机层633上形成第二有机层634。第四簇560可以以与第二簇530相似的方式形成，并且第二有机层634可以以与第一有机层632相同的方式形成，并因此将省略其详细描述。
第五簇570可以包括第七传输腔室571、第二化学气相腔室572和第五掩模储存腔室573。第五簇570可以在第二有机层634上形成第三无机层635。第五簇570可以以与第三簇540相似的方式形成，并且第三无机层635可以以与第二无机层233相同的方式形成，并因此将省略其详细描述。
与此同时，第六簇580可以包括第八传输腔室581、第三单体沉积腔室582和第六掩模储存腔室583。第六簇580可以在第三无机层635上形成第三有机层636。第六簇580可以以与第二簇530相似的方式形成，并且第三有机层636可以以与第一有机层632相同的方式形成，并由此将省略其详细描述。
第七簇590可以包括第九传输腔室591、第三化学气相腔室592和第七掩模储存腔室593。第七簇590可以在第三有机层636上形成第四无机层637。第七簇590可以以与第三簇540相似的方式形成，并且第四无机层637可以以与第二无机层633相似的方式形成，并由此将省略其详细描述。
与此同时，在下文中，将详细描述通过使用薄膜封装制造设备500进行薄膜封装工艺的方法以及显示基板600。
首先，可以制造显示基板600。详细地，显示基板600可以包括第一基板610、封装单元630和发光单元620。此处，第一基板610和发光单元620分别与参照图1和图2的上述第一基板210和发光单元220相同，并因此将省略其详细描述。
与此同时，在准备在上面形成有发光单元620的第一基板610之后，第一基板610可以被输入到薄膜封装制造设备500内以形成封装单元630。此处，封装单元630可以包括至少一个夹层结构，其中至少一个有机层被插入到至少两个无机层之间。并且，封装单元630可以包括夹层结构，其中至少一个无机层被插入到至少两个有机层之间。
例如，如上所述通过依次层叠第一无机层631、第一有机层632、第二无机层634和第三无机层635、第三有机层636和第四无机层637，可以形成封装单元630。
详细地，第一有机层至第三有机层632、634和636可以由聚合物形成，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或叠层。在一个实施方式中，第一有机层至第三有机层632、634和636可以由聚丙烯形成，并且详细地，可以包括包含有二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。并且，如TPO的本领域公知的光引发剂还可以被包括在单体组合物中，但是本发明的实施方式并不限于此。
第一无机层至第四无机层631、633、635和637可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或叠层。详细地，第一无机层至第四无机层631、633、635和637可以包括SiNx、Al2O3、SiO2、TiO2中的一种。此处，第四无机层637可以被形成以防止或减少湿气相对于发光单元620的渗透。
与此同时，包含LiF的金属卤化物层还可以被包括在发光单元620与第一无机层631之间。金属卤化物层可以在通过使用溅射工艺形成第一无机层631时防止或减少发光单元620受损。
并且，第一有机层632的特征在于，其具有小于第二无机层633的表面，并且第二有机层634还可以具有小于第三无机层635的表面积。第三有机层636还可以具有小于第四无机层637的表面积。
并且，第一有机层632的特征在于，其被第二无机层633完全覆盖，并且第二有机层634还可以被第三无机层635完全覆盖。并且，第三有机层636可以被第四无机层637完全覆盖。
将详细描述形成如上所述封装单元630的方法。通过将整个薄膜封装制造设备500的真空度或压力保持在5E-4Pa或以下，通过使用机械臂，第一掩模储存腔室至第五掩模储存腔室523、533、543、563和573中的掩模分别可以在第一溅射腔室522、第一单体沉积腔室532、第一化学气相腔室542、第二单体沉积腔室562和第二化学气相腔室572之间传输。
当完成上述工艺时，第一无机层631、第一有机层632、第二无机层633、第二有机层634和第三无机层635可以被形成在发光单元620上。此处，形成第一无机层631、第一有机层632、第二无机层633、第二有机层634和第三无机层635的方法与上述的参照图3和图4的方法相同，并由此将省略其详细描述。
当完成上述工艺时，第一基板610可以在通过第十通道腔室P10、第五转动模块腔室T5和第十一通道腔室P11之后，从第五簇570被装载到第六簇580中。
此处，在第六簇580中，通过使用闪沉积工艺，第三有机层636可以被形成在第三无机层635上。此处，第六簇580的操作方法与上述的第二簇530和第四簇560的操作方法相似，并由此将省略其详细描述。
当完成上述工艺时，第一基板610可以通过第十二通道腔室P12、第六转动模块腔室T6和第十三通道腔室P13从第六簇580移动到第七簇590。
此处，在第七簇590中，第四无机层637可以被形成在第三有机层636上。在第七簇590中，可以使用PECVD方法形成第四无机层637。在上述情况下，第七簇590以与第三簇540和第五簇570相似的方式操作，并由此将省略其详细描述。
如上所述，在形成第四无机层637之后，显示基板600可以通过第十四通道腔室P14、第七转动模块腔室T7和第十五通道腔室P15从第七簇590被抽出到外侧。
与此同时，如上所述形成的封装单元630并不限于此，并且第一有机层632和第二无机层633还可以被交替地形成在第一无机层631上。
因此，通过使用薄膜封装制造设备500，当使用有机层和无机层形成层叠多层膜层时可以控制各个层的厚度，并且可以通过使用时间和空间划分真空控制方法将多种薄膜工艺装置的真空度或压力保持在相同等级，可以形成直列式簇。此外，随着在薄膜封装制造设备500中形成直列式簇，可以以直列方式进行溅射、闪沉积和PECVD。
根据本发明的实施方式，当形成有机层和无机层的多层层叠薄膜时，可以控制各个层的厚度，并且通过使用时间和空间划分真空控制方法均匀保持多种薄膜制造设备的真空度或压力，可以形成直列式簇的簇。并且，根据本发明的实施方式，通过形成直列式簇，可以以直列方式进行溅射、闪沉积和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。
虽然参照本发明的示例性实施方式具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离如所附权利要求书及其等同物定义的本发明的精神和范围的情况下可在形式和细节上进行多种改变。

Claims (36)

1.一种薄膜封装制造设备，包括：
第一簇，配置成使用溅射工艺在显示基板上形成第一无机层；
第二簇，配置成使用单体沉积工艺在所述显示基板上的所述第一无机层上形成第一有机层；以及
第三簇，配置成使用化学气相沉积（CVD）工艺或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺在所述显示基板上的所述第一有机层上形成第二无机层。
2.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，其中，
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇各自包括多个工艺腔室。
3.如权利要求2所述的薄膜封装制造设备，其中，
沿着一个方向排列所述第一簇的多个工艺腔室、所述第二簇的多个工艺腔室和所述第三簇的多个工艺腔室的顺序，并且以相同顺序分别在对应的工艺腔室中形成所述第一无机层、所述第一有机层和所述第二无机层。
4.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，其中，
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇中的至少一个包括掩模储存腔室。
5.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，还包括：
第四簇，其被耦合到所述第三簇并且配置成使用单体沉积工艺在所述显示基板上的所述第二无机层上形成第二有机层。
6.如权利要求5所述的薄膜封装制造设备，还包括：
第五簇，其被耦合到所述第四簇并且配置成使用化学气相沉积方法或等离子体增强化学气相沉积方法在所述显示基板上的所述第二有机层上形成第三无机层。
7.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，其中，
所述第二簇和所述第三簇被交替地安装。
8.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，其中，
所述第一簇和所述第二簇使用向下沉积方法分别形成所述第一无机层和所述第一有机层，并且所述第三簇使用向上沉积方法形成所述第二无机层。
9.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，还包括以下腔室中的至少一种：
位于所述第一簇与所述第二簇之间并且配置成输送所述显示基板的通道腔室；和
耦合到所述第二簇并且配置成将所述显示基板的输入方向对齐的转动模块腔室。
10.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，还包括：
第一多个通道腔室，位于所述第一簇与所述第二簇之间并且配置成输送所述显示基板；和
第一转动模块腔室，配置成将所述显示基板的输入方向对齐，
其中，所述第一多个通道腔室耦合到所述第一转动模块腔室的相对的两侧以将所述第一簇耦合到所述第二簇。
11.如权利要求10所述的薄膜封装制造设备，其中，
当所述显示基板被输送时，所述第一簇和所述多个通道腔室中的一个的内部压力被控制为基本相同、所述多个通道腔室中的一个和所述转动模块腔室的内部压力被控制为基本相同、所述转动模块腔室和所述多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力被控制为基本相同、或者所述多个通道腔室中的另一通道腔室和所述第二簇的内部压力被控制为基本相同。
12.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，还包括以下腔室中的至少一种：
位于所述第二簇与所述第三簇之间并且配置成输送所述显示基板的通道腔室；和
耦合到所述第二簇并且配置成将所述显示基板的输入方向对齐的转动模块腔室。
13.如权利要求12所述的薄膜封装制造设备，还包括：
第二多个通道腔室，位于所述第二簇与所述第三簇之间并且配置成输送所述显示基板；和
第二转动模块腔室，配置成将所述显示基板的输入方向对齐，
其中，所述第二多个通道腔室耦合到所述第二转动模块腔室的相对的两侧以将所述第二簇耦合到所述第三簇。
14.如权利要求13所述的薄膜封装制造设备，其中，
当所述显示基板被输送时，所述第二簇和所述多个通道腔室中的一个的内部压力被控制为基本相同、所述多个通道腔室中的一个和所述转动模块腔室的内部压力被控制为基本相同、所述转动模块腔室和所述多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力被控制为基本相同、或者所述多个通道腔室中的另一通道腔室和所述第三簇的内部压力被控制为基本相同。
15.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，还包括：
装载簇，配置成从外侧接收所述显示基板并且输送所述显示基板到所述第一簇。
16.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备，还包括：
卸载簇，耦合到所述第三簇并且配置成移除从所述第三簇输送的所述显示基板。
17.如权利要求16所述的薄膜封装制造设备，其中，所述卸载簇包括多个卸载腔室，所述卸载腔室中的每个被配置成，当其中不存在显示基板时，储存进入到所述卸载簇的所述多个显示基板中的一个。
18.如权利要求16所述的薄膜封装制造设备，还包括：
耦合在所述第三簇与所述卸载簇之间并且配置成反转从所述第三簇抽出的显示基板的转动模块腔室。
19.一种制造薄膜封装的方法，包括：
使用溅射工艺在显示基板上形成第一无机层；
使用单体沉积工艺在所述第一无机层上形成第一有机层；以及
使用化学气相沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一有机层上形成第二无机层。
20.如权利要求19所述的方法，其中，
在形成所述第一有机层之后，所述显示基板在形成所述第二无机层之前反转。
21.如权利要求19所述的方法，其中，
所述第一无机层、所述第一有机层和所述第二无机层分别形成在包括第一多个工艺腔室的第一簇中、包括第二多个工艺腔室的第二簇中和包括第三多个工艺腔室的第三簇中。
22.如权利要求21所述的方法，其中，
沿着一个方向排列所述第一多个工艺腔室、所述第二多个工艺腔室、所述第三多个工艺腔室的顺序，并且以相同顺序分别在对应的工艺腔室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
23.如权利要求21所述的方法，其中，
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇中的至少一个包括：配置成储存掩模的掩模储存腔室。
24.如权利要求21所述的方法，其中，通过以下腔室中的至少一种，所述显示基板从所述第一簇被输送到所述第二簇：
位于所述第一簇与所述第二簇之间并且配置成输送所述显示基板的通道腔室；和
耦合到所述第二簇并且配置成对齐所述显示基板的输入方向的转动模块腔室。
25.如权利要求21所述的方法，还包括：
将第一多个通道腔室耦合到位于所述第一簇与所述第二簇之间的第一转动模块腔室的相对的两侧，以使得耦合的第一多个通道腔室和耦合的第一转动模块腔室将所述第一簇耦合到所述第二簇。
26.如权利要求25所述的方法，其中，
当所述显示基板被输送时，所述第一簇和所述多个通道腔室中的一个的内部压力被控制为基本相同、所述多个通道腔室中的一个和所述转动模块腔室的内部压力被控制为基本相同、所述转动模块腔室和所述多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力被控制为基本相同、或者所述多个通道腔室中的另一通道腔室和所述第二簇的内部压力被控制为基本相同。
27.如权利要求24所述的方法，其中，通过以下腔室中的至少一种，所述显示基板从所述第二簇被输送到所述第三簇：
被耦合在所述第二簇与所述第三簇之间并且配置成输送所述显示基板的通道腔室；和
配置成对齐所述显示基板的输入方向的转动模块腔室。
28.如权利要求27所述的方法，还包括：
将第二多个通道腔室耦合到位于所述第二簇与所述第三簇之间的第二转动模块腔室的相对的两侧，以使得耦合的第二多个通道腔室和耦合的第二转动模块腔室将所述第二簇耦合到所述第三簇。
29.如权利要求28所述的方法，其中，
当所述显示基板被输送时，所述第二簇和所述多个通道腔室中的一个的内部压力被控制为基本相同、所述多个通道腔室中的一个和所述转动模块腔室的内部压力被控制为基本相同、所述转动模块腔室和所述多个通道腔室中的另一通道腔室的内部压力被控制为基本相同、或者所述多个通道腔室中的另一通道腔室和所述第三簇的内部压力被控制为基本相同。
30.如权利要求19所述的方法，其中，
交替地进行多次所述第一有机层的形成和所述第二无机层的形成。
31.如权利要求19所述的方法，其中，
使用向下沉积方法形成所述第一无机层和所述第一有机层，以及使用向上沉积方法形成所述第二无机层。
32.如权利要求31所述的方法，其中，
在形成所述无机层和所述第一有机层之后，所述显示基板在形成所述第二无机层之前反转。
33.如权利要求19所述的方法，还包括：
在形成所述第一无机层之前，通过装载簇从外侧接收所述显示基板。
34.如权利要求19所述的方法，还包括：
在形成所述第一无机层之后，通过卸载簇移除所述显示基板。
35.如权利要求34所述的方法，其中，所述卸载簇包括多个卸载腔室，所述卸载腔室中的每个被配置成，当其中不存在显示基板时，储存进入到所述卸载簇的所述多个显示基板中的一个。
36.如权利要求34所述的方法，其中，
在进入所述卸载簇之前，将所述显示基板反转。
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