CN107611285A - 基板处理系统以及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及基板处理系统以及方法，其中基板处理方法包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在腔室内部中在基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于基板的掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在基板的元件。调节相对于基板的掩膜部件的配置高度，进而能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

Description

基板处理系统以及基板处理方法

技术领域

本发明涉及基板处理系统以及方法，更详细地说涉及调节基板掩膜部件的配置高度可形成各种结构的封装层(encapsulation layer)的基板处理系统以及基板处理方法。

背景技术

显示器制造工艺或者半导体制造工艺中的封装(encapsulation)工艺是指形成封装层的工艺，进而在大气中的氧气与水分中保护元件(element)的有机层与电极，以及在从外部施加的机械性、物理性冲击中保护元件。

尤其是，有机发光二极管(OLED)元件使用的有机材料在暴露在空气中的氧气以及水分的情况下，显著缩短使用寿命，因此必须要求封装层能够防止有机材料与外部接触。

一般地说，封装层可通过如下的方式形成：在封装基板与TFT基板之间填充有机物的填充封装方式；利用由激光熔融玻璃原料(frit)进行粘结的玻璃料封装方法、通过多层的有机-无机复合膜从外部保护元件的薄膜(film)封装方法等。

其中，薄膜封装方法的封装层是交替层叠相互不同的两种以上的膜(例如，有机膜以及无机膜)来形成的封装层。

作为现有的封装层的制造方法中的一种，其提出了如下的封装层形成方法：在第一腔室的内部中在形成有元件的基板上面配置第一掩膜，并通过利用第一掩膜的沉积工艺形成第一封装层以覆盖元件，之后在第二腔室的内部中在基板上面配置与第一掩膜不同(例如，尺寸不同或者具有开口部)的第二掩膜，并通过利用第二掩膜的沉积工艺形成第二封装层以覆盖第一封装层，之后再重新在第三腔室的内部中在基板上面配置与第二掩膜不同的第三掩膜，并且通过利用第三掩膜的沉积工艺形成第三封装层以覆盖第二封装层，进而形成封装层。

但是，在现有的技术中，为了形成由第一封装层至第三封装层构成的封装层，需考虑相互不同的尺寸以及层的属性而分别制作相互不同种类的第一掩膜至第三掩膜，因此在制作以及维护掩膜需要很多的费用与时间，因此并不是经济实惠的方法。

再则，在现有技术中为了将第一掩膜至第三掩膜配置在相互不同的腔室内部，也要根据掩膜的种类以及样本分别分开制作用于在腔室内部配置掩膜的装置(例如，掩膜支撑装置或者对齐装置)，据此存在制作工艺复杂、生产性方面效率低、提高制作成本的问题。

另外，现有技术存在如下的问题：在固定掩膜的状态下进行沉积，据此为了改变封装层结构(例如，沉积面积)，不得不按封装层的结构分别制作不同尺寸以及考虑层属性的相互不同的掩膜，因此增加掩膜部件的制作成本，并且封装层的制作结构以及制作工艺复杂。

据此，在最近正在进行各种研究，进而能够将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，并提高工艺效率，但是该研究还有不足之处，因此有必要对此的进行开发。

发明内容

(要解决的问题)

本发明的目的在于，提供能够将制作结构以及制作工艺简单化并且能够提高工艺效率的基板处理系统以及方法。

尤其是，本发明的目的在于，调节基板掩膜部件(mask member)的配置高度，进而能够形成各种结构的封装层(encapsulation layer)。

另外，本发明的目的在于，能够只利用一个种类的掩膜部件形成各种结构的封装层。

另外，本发明的目的在于，将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，并且能够提高产量。

另外，本发明的目的在于，防止氧气以及水分等的渗透并且能够提高稳定性。

另外，本发明的目的在于，能够将掩膜部件标准化(standardization)，并且能够节省掩膜部件的制作以及维护上所需的费用与时间。

(解决问题的手段)

根据用于达成上述本发明目的的优选实施例，基板处理方法包括：基板配置步骤，在腔室内部配置(disposing)基板；掩膜部件配置步骤，在腔室内部中在基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节基板掩膜部件的高度来形成封装层，以覆盖(covering)形成于基板的元件。

据此，在形成封装层时，为了形成各种结构的封装层，无需个别准备相互不同种类的掩膜部件，而是只利用一种掩膜部件形成各种结构的封装层，以用于将封装层制作结构以及制作工艺简单化，并提高工艺效率。

即，本发明是在腔室内中调节基板掩膜部件的配置高度来形成各种结构的封装层，据此无需按照封装层的种类分别制作不同尺寸以及考虑层(layer)属性的掩膜部件，因此能够得到节省掩膜部件制作成本的效果，并且不仅能够将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，还能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

更进一步地说，本发明对基板设置不同的掩膜部件的配置高度，进而能够对掩膜部件的沉积面积(deposition area)做出相互不同的调整，据此能够得到使用一种(singlekind of)掩膜部件形成结构相互不同的封装层(different structured encapsulationlayers)的效果。

再则，在本发明中使用一个种类的掩膜部件形成封装层，据此只要在腔室内部出入一个种类掩膜部件即可，因此能够使掩膜部件的搬送工艺以及保管工艺更加简单化。

也就是说，能够利用相互不同的多个掩膜部件形成相互不同结构的封装层，但是在这一情况下，在分别制作相互不同的多个掩膜部件上需要很多的费用与时间，因此并不经济实惠。不仅如此，还存在如下的问题：根据封装层的结构相互不同的掩膜部件应该出入于腔室内部，而使用完的掩膜部件应该按照提前设定好的顺序分别保管在独立的储存空间，因此整体的处理工艺效率复杂并且效率低。但是，本发明是利用一个种类的掩膜部件形成相互不同结结构的封装层，据此不仅消除在腔室内部按照已设定的顺序出入相互不同种类的掩膜的麻烦，而且也无需将使用完的相互不同的掩膜部件按照已设定的顺序分别保管在独立的空间，因此能够将掩膜部件的搬送工艺以及保管工艺简单化，并且能显著缩短在腔室内部配置掩膜部件的所需时间，(缩短沉积工艺停止的时间)从而获得有利的效果。

另外，使封装层的沉积工艺在从基板上面间隔配置掩膜部件的状态下进行，据此能够增加通过掩膜部件的掩膜图案沉积的面积，也就是说能够在比掩膜部件的掩膜图案的区域大的区域中进行沉积，因此封装层不仅能够覆盖元件(device)的上面，还能够覆盖元件的边缘部(edge portion)周边。据此，封装层的边缘部可从上部至向下部逐渐变尖以形成向下倾斜的形状。据此，能够有效防止封装层的边缘部中的水分渗透，并且能够得到降低因水分渗透的产量低下以及黑斑发生率，从而获得有利的效果。

更详细地说，封装层形成步骤包括：第一配置步骤，对于基板上面将掩膜部件配置在第一高度；第一封装层形成步骤，利用配置在第一高度的掩膜部件形成第一封装层；第二配置步骤，对基板将掩膜部件设置与第一高度不同的第二高度；第二封装层形成步骤，利用配置在第二高度的掩膜部件形成覆盖第一封装层的第二封装层。与此相同，通过与第一封装层一同形成第二封装层，能够得到更加稳定地封装被封装体的效果。

此时，在第一高度掩膜部件紧贴于基板上面，或者可上与基板上面分隔而配置。另外，优选为，在第二高度掩膜部件上与基板上面分隔而配置。

然后，掩膜部件包括：配置在第一高度的第一掩膜部件；配置在第二高度的第二掩膜部件；其中，在第一掩膜部件与第二掩膜部件可形成相同的掩膜图案。

在此，如下定义第一掩膜部件与第二掩膜部件形成相同的掩膜图案：第一掩膜部件与第二掩膜部件具有相同的尺寸以及层属性(layer properties)，并且形成相同的尺寸以及形状的掩膜图案。例如，第一掩膜部件与第二掩膜部件可使用标准化(或者成品化)的一个种类的掩膜部件。也就是说，两两个掩膜部件形成地一模一样而具有相同规格，其中的一个可作为第一掩膜部件来使用，而另一个则可作为第二掩膜部件来使用。

与上述不同的是(alternately)，掩膜部件包括：配置在第一高度的第一掩膜部件、配置在第二高度的第二掩膜部件，其中第二掩膜部件可以是配置在第二高度的第一掩膜部件。也就是说，第一掩膜部件与第二掩膜部件只共用一个掩膜部件，若该共用掩膜部件配置在第一高度，则可作为第一掩膜部件来使用，若该共用掩膜部件配置在第二高度，则可作为第二掩膜部件来使用。

此时，优选为，第二掩膜部件在第二高度上与基板上面分隔而配置。

然后，在封装层形成步骤中可包括高度调节步骤，其能调节基板掩膜部件的配置高度，进而通过掩膜部件调节沉积面积。

如上所述，在高度调节步骤中，在通过掩膜部件进行沉积工艺的期间调节基板掩膜部件的高度，据此能够得到由一种材料构成的封装层形成多层结构(相互不同沉积面积的封装层连续层叠的结构)的有利效果。尤其是，在本发明中，能够只以一个种类的掩膜部件形成多层结构的封装层，因此能够得到节省掩膜部件的制作成本的效果，并且不仅将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，还能够形成各种结构的封装层，进而得到有利的效果。

优选为在高度调节步骤中使掩膜部件的配置高度增加，更优选为在高度调节步骤中逐渐增加掩膜部件的配置高度，据此封装层的边缘部(edge portion)可从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状。根据情况，在高度调节步骤中形成封装层的期间也能够逐渐缩小掩膜部件的配置高度。

另一方面，根据本发明的另一领域，基板处理系统包括：腔室；基座，配置在腔室内部并且安装有基板；掩膜部件，配置在基板上部；控制部，调节基板掩膜部件的配置高度。利用由控制部调节高度的掩膜部件来形成封装层以覆盖形成在基板的元件。

如上所述，本发明是在腔室内中调节基板掩膜部件的配置高度来形成各种结构的封装层，据此无需按照封装层的种类分别制作不同尺寸以及考虑层(layer)属性的掩膜部件，因此能够得到节省掩膜部件制作成本的效果，并且不仅能够将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，还能够形成各种结构的封装层，进而得到有利的效果。

更详细地说，控制部将掩膜部件配置在相对于基板上面的第一高度，或者配置在相对于基板上面的与第一高度不同的第二高度，其中，若掩膜部件配置在第一高度，则形成覆盖元件的第一封装层，若掩膜部件配置在第二高度，则形成覆盖第一封装层的第二封装层。与此相同，控制部将掩膜部件配置在相互不同的高度来形成第一封装层以及第二封装层，据此能够得到更加稳定地封装被封装体的效果。

此时，在第一高度掩膜部件紧贴于基板上面，或者可与基板上面分隔而配置。另外，优选为在第二高度掩膜部件与基板上面分隔而配置。

然后，掩膜部件包括：配置在第一高度的第一掩膜部件；配置在第二高度的第二掩膜部件；其中，在第一掩膜部件与第二掩膜部件可形成相同的掩膜图案。

在此，如下定义第一掩膜部件与第二掩膜部件形成相同的掩膜图案：第一掩膜部件与第二掩膜部件具有相同的尺寸以及层属性，并且形成相同的尺寸以及形状的掩膜图案。例如，第一掩膜部件与第二掩膜部件可使用标准化(或者成品化)的一个种类的掩膜部件。也就是说，两个掩膜部件形成地一模一样而具有相同规格，其中的一个可作为第一掩膜部件来使用，而另一个则可作为第二掩膜部件来使用。

与上述不同的是，掩膜部件包括：配置在第一高度的第一掩膜部件、配置在第二高度的第二掩膜部件，其中第二掩膜部件可以是配置在第二高度的第一掩膜部件。也就是说，第一掩膜部件与第二掩膜部件只共用一个掩膜部件，若该共用掩膜部件配置在第一高度，则可作为第一掩膜部件来使用，若该共用掩膜部件配置在第二高度，则可作为第二掩膜部件来使用。

另外，控制部调节基板掩膜部件的配置高度，通过掩膜部件调节沉积面积。

如上所述，控制部在通过掩膜部件进行沉积工艺的期间调节基板掩膜部件的高度，据此能够得到由一种材料构成的封装层形成多层结构(相互不同沉积面积的封装层连续层叠的结构)的有利效果。尤其是，在本发明中，能够只以一个种类的掩膜部件形成多层结构的封装层，因此能够得到节省掩膜部件的制作成本的效果，并且不仅将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，还能够形成各种结构的封装层，进而得到有利的效果。

优选为控制部使基板掩膜部件的配置高度增加，更优选为逐渐增加基板掩膜部件的配置高度，据此封装层的边缘部(edge portion)可从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状。

另一方面，根据本发明另一实施形态，基板处理系统包括：第一腔室；第一掩膜部件，配置在第一腔室内部，并且在第一腔室中形成第一封装层来覆盖形成在基板上面的元件；第二腔室，与第一腔室独立配置，并且在第一封装层上面形成第二封装层；第三腔室，与第二腔室独立配置；第二掩膜部件，形成与第一掩膜部件相同的掩膜图案，并且配置在第三腔室内部，在第三腔室中在第二封装层的上面形成第三封装层。

如上所述，本发明利用形成相同掩膜图案的一个种类的掩膜部件(第一掩膜部件以及第二掩膜部件)形成包括多个封装层的多层封装层，据此无需按照封装层的种类分别制作不同尺寸以及考虑层属性个别制作多个掩膜部件，因此能够将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，并且能够提高产量，进而得到有利的效果。

优选为，第一掩膜部件在第一腔室的内部中面配置在相对于基板上的第一高度，第二掩膜部件在第三腔室内部中配置在比第一高度高的第二高度。此时，第一掩膜部件在第一高度紧贴于基板上面，或者能够上与基板上面分隔而配置，第二掩膜部件在第二高度紧贴于基板上面，或者能够间隔于基板的上面。优选为，第一掩膜部件在第一高度紧贴于基板上面，而第二部件在第二高度上与基板上面分隔而配置。

如上所述，第三封装层的沉积工艺是在第二掩膜部件上与基板上面分隔而配置的状态下进行的，据此可通过第二掩膜部件的掩膜图案增加沉积面积，因此第三封装层不仅能够覆盖元件的上面还能广泛地覆盖元件的边缘部周边。因此，由多个封装层构成的多层封装层的边缘部从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状。据此，能够有效防止在多个封装层的边缘部中的水分渗透，并且能够有效降低因水分渗透引起的产量低下以及黑斑发生率，进而得到有利的效果。

另外，优选为，第一封装层由无机膜形成，第二封装层由有机膜形成，第三封装层由无机膜形成。以供参考，由于无机膜很难形成至预定厚度以上，因此在第一封装层与第三封装层之间形成第二封装层，而该第二封装层由执行缓冲层作用的有机膜形成，据此能够使氧气以及水分等渗透到多层封装层的渗透时间更长，进而得到有利的效果。

另外，第三腔室与第一腔室也能够只共用一个腔室(即，第三腔室与第一腔室相同)。也就是说，与第三腔室共同使用第一腔室，进而在形成第二封装层之后返回到第一腔室的基板上面形成第三封装层。

如上所述，第一腔室与第三腔室只共用一个腔室，并且只在一个腔室形成第一封装层与第三封装层，据此能够得到将装置最小化并且缩小安装装置的所需空间的效果以及节省制造成本的效果。

另一方面，根据本发明的另一领域，基板处理方法包括：第一封装层形成步骤，在第一腔室内部中利用第一掩膜部件形成第一封装层以覆盖形成在基板上面的元件；第二封装层形成步骤，在第二腔室内部中在第一封装层上面形成第二封装层；第三封装层形成步骤，在第三腔室内部中利用第二掩膜部件在第二封装层的上面形成第三封装层，其中，所述第二掩膜部件形成与第一掩膜部件相同的掩膜图案。

优选为，在第一封装层形成步骤中将第一掩膜部件配置在相对于基板上面的第一高度，在第三封装层形成步骤中将第二掩膜部件配置在比第一高度高的第二高度，据此按照对基板配置掩膜部件的配置高度能够分别调节通过掩膜部件的掩膜图案沉积封装层的面积，进而能够得到利用标准化的一个种类的掩膜部件形成相互不同的多个封装层的有利效果。

此时，第一掩膜部件在第一高度紧贴于基板上面，或者能够间隔于基板上，第二掩膜部件在第二高度紧贴于基板上面，或者能够间隔于基板上。优选为，第一掩膜部件在第一高度紧贴于基板上面，第二掩膜部件在第二高度上与基板上面分隔而配置。

另外，第三封装层的沉积工艺是在第二掩膜部件上与基板上面分隔而配置的状态下进行的，据此可通过第二掩膜部件的掩膜图案增加沉积面积，也就是说可在比第二掩膜部件的掩膜图案的区域大的区域进行沉积，因此第三封装层不仅能够覆盖元件的上面还能广泛地覆盖元件的边缘部周边。因此，由多个封装层构成的多层封装层的边缘部可从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状。据此，能够有效防止在多个封装层的边缘部中的水分渗透，并且能够有效降低因水分渗透引起的产量低下以及黑斑发生率，进而得到有利的效果。

另外，优选为，在第一封装层形成步骤中第一封装层由无机膜形成，在第二封装层形成步骤中第二封装层由有机膜形成，在第三封装层形成步骤中第三封装层由无机膜形成。以供参考，由于无机膜很难形成至预定厚度以上，因此在第一封装层与第三封装层之间形成第二封装层，而该第二封装层由执行缓冲层作用的有机膜形成，据此能够得到使氧气以及水分等渗透多层封装层的渗透时间更长的有利效果。

另外，对于在第三封装层形成步骤中使用的第三腔室，能够与在第一封装成形成步骤中使用的第一腔室分别以独立的腔室分开提供，但是根据情况第三腔室与第一腔室也能够只共用一个腔室(第三腔室＝第一腔室)。也就是说，在第三封装层形成步骤中与第三腔室共用第一腔室，在第三封装层形成步骤中在形成第二封装层之后返回到第一腔室的基板上面可形成第三封装层。

如上所述，第一腔室与第三腔室只共用一个腔室，并且只在一个腔室形成第一封装层与第三封装层，据此能够得到将装置最小化并且缩小安装装置所需的空间与节省制造成本的效果。

如下定义在本说明书以及权力要求范围记载的“标准化的掩膜部件”或者与此类似的用语：为了形成多个封装层而使用的掩膜部件形成相同的掩膜图案，并且各个掩膜部件形成相同的形状以及尺寸。

在本说明书以及权力要求范围记载的“多层封装层”或者与此类似的用语定义为层叠至少两两个封装层形成的封装层(laminated layer)。

在本说明书以及权力要求范围记载的“形成在基板的元件”或者与此类似的用语意味着形成在基板上被多层封装层封装的被封装对象体。例如，可在基板上面形成有机发光二极管(OLED)。

(发明的效果)

根据如上所述的本发明，能够得到将封装层的制作结构以及制作工艺简单化并且提高工艺效率的效果。

尤其是，根据本发明，在腔室内中调节基板掩膜部件的配置高度来形成各种结构的封装层，据此消除按照封装层的种类分别制作不同尺寸以及考虑层(layer)属性的掩膜部件的麻烦，因此能够得到节省掩膜部件制作成本的效果，并且不仅能够将封装层的制作结构以及制作工艺简单化，还能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

更进一步地说，根据本发明，对基板设置不同的掩膜部件的配置高度，进而能够对掩膜部件的沉积面积做出相互不同的调整，据此能够得到使用一种掩膜部件形成结构相互不同的封装层的效果。

再则，根据在本发明，使用一个种类的掩膜部件形成封装层，据此只要在腔室内部出入一个种类的掩膜部件即可，因此能够使掩膜部件的搬送工艺以及保管工艺更加简单化。

也就是说，根据本发明，能够利用相互不同的多个掩膜部件形成相互不同结构的封装层，但是在这一情况下，在分别制作相互不同的多个掩膜部件上需要很多的费用与时间，因此并不经济实惠。不仅如此，还存在如下的问题：在腔室内部应按照封装层的结构出入相互不同的掩膜部件，而使用完的掩膜部件应该按照提前设定好的顺序分别保管在独立的储存空间，因此整体的处理工艺效率复杂并且效率低。但是，根据本发明，利用一个种类的掩膜部件形成相互不同结构的封装层，据此不仅消除在腔室内部按照已设定的顺序出入相互不同种类的掩膜的麻烦，而且也无需将使用完的相互不同的掩膜部件按照已设定的顺序分别保管在独立的空间，因此能够将掩膜部件的搬送工艺以及保管工艺简单化，并且能够得到显著缩短在腔室内部配置掩膜部件的所需时间(缩短沉积工艺停止的时间)的有利效果。

另外，根据本发明，将掩膜部件标准化，进而能够节省掩膜部件的制作以及维护的所需费用与时间，并且能够得到更加有效管理掩膜部件的更换周期的有利效果。

另外，根据本发明，只使用一个种类的掩膜部件形成封装层，据此能够将封装部件的制作误差以及工艺误差最小化，并且能够将因该误差引起的封装层的不合格率降到最低。

另外，根据本发明，第一腔室与第三腔室只共用一个腔室，并且只在一个腔室中形成第一封装层与第三封装层，据此能够得到将装置简单化并且缩小安装装置所需空间的效果以及节省制造成本的有利效果。

另外，根据本发明，能够得到根据要求的条件使基板与掩膜部件非接触(间隔)配置状态下形成各种结构的多层封装层的有力效果。

附图说明

图1是用于说明根据本发明的基板处理系统的第一腔室的图面；

图2是用于说明通过图1的基板处理系统形成第一封装层的过程的图面；

图3是用于说明在图2的第一封装层的上部形成第二封装层的过程的图面；

图4是用于说明通过图1的基板处理系统形成第三封装层的过程的图面；

图5是示出通过图1的基板处理系统形成的封装层的厚度分布的曲线图；

图6至图9是用于说明通过图1的基板处理系统形成封装层的过程的另一示例的图面；

图10是用于说明图1的基板处理系统的第三腔室的图面；

图11是用于说明通过图10的第三腔室形成第三封装层的过程的图面；

图12是用于说明根据本发明的基板处理方法的框图；

图13至图16是用于说明根据本发明另一实施例的基板处理方法的框图。

(附图标记说明)

110：第一腔室 110’：第二腔室

110”：第三腔室 120：基座

130：花洒头 140：对齐部

200：基板 210：元件

220：封装层 221：第一封装层

222：第二封装层 223：第三封装层

310：第一掩膜部件 312：掩膜图案

320：高度调解部 320’：喷墨打印机

330：第二掩膜部件

332：掩膜图案 400：控制部

具体实施方法

以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例，但是本发明不得被实施例限制或者限定。以供参考，在本说明中相同符号实质上称为相同要素，在这一规则下可引用在其他图面记载的内容进行说明，并且可省略对技术人员显而易见或者反复的内容。

参照附图，根据本发明一实施例的基板处理系统10包括：第一腔室110；配置在第一腔室110内部并且安装基板200的基座120；配置在基板200的上部的掩膜部件310、330；调节基板200掩膜部件310、330的配置高度的控制部400；其中，利用由控制部400调节高度的掩膜部件310、330形成封装层221、223以覆盖形成在基板200的元件210。

第一腔室110内部具有真空处理空间，在侧壁至少一侧提供出入部，以用于基板200以及第一掩膜部件310出入。

对于第一腔室110的尺寸以及结构可根据要求的条件以及设计样本做出适当的改变，并且不得由第一腔室110的特性限制或者限定本发明。

在第一腔室110的上部提供花洒头130，以用于将工艺气体以及RF能量供应于第一腔室110内部。

可根据要求的条件以及设计样本提供各种结构的花洒头130，不得由花洒头130的结构以及特性限制或者限定本发明。例如，花洒头130可包括从上部向下部方向配置的顶板、中间板、端板，向顶板与中间板之间的空间供应的工艺气体经过中间板的贯通孔扩散到中间板与端板之间，之后通过端板的排放孔可向第一腔室110的内部空间喷射。

基座120在第一腔室110的内部可沿着上下方向升降，在基座120的上面装有基板200。基座120的轴通过常用的驱动工具(例如，电机)沿着上下方向移动。

第一掩膜部件310配置在第一腔室110的内部，并且使第一掩膜部件310对基板200上面间隔第一高度H1或者紧贴，并且为了在第一腔室110中形成第一封装层221以覆盖形成在基板200上面的元件而配置第一掩膜部件310。

以供参考，在本发明中元件210意味着形成在基板200上面并且被第一封装层221封装的被封装对象。例如，在基板200的上面可形成有机发光二极管(OLED)，并且第一封装层221覆盖发光二极管，以防止因为有机发光二极管暴露在空气中的氧气以及水分等而降低性能以及寿命。

根据要求的条件以及设计样本，可对由第一掩膜部件310形成的第一封装层221的材质以及特性做出各种改变。优选为，第一封装层221由能够有效防止氧气以及水分渗透的无机膜材料形成。

在第一掩膜部件310形成用于形成封装层的掩膜图案312，通过掩膜图案312区域进行沉积并且可形成第一封装层221。例如，第一掩膜部件可包括掩膜板、附着于掩膜板的掩膜垫，掩膜图案可形成在掩膜垫上。根据情况，无需另外的掩膜垫，也可在掩膜板直接形成掩膜图案。

控制部400调节相对于基板200的掩膜部件310、330的配置高度，以使覆盖形成在基板200的元件210的封装层221、223形成各种结构。

也就是说，控制部400调节相对于基板200的掩膜部件310、330的配置高度，进而通过掩膜部件310、330调节沉积面积，据此可形成相互不同结构的封装层221、223。

同时，在本发明中相对于基板200上面利用间隔第一高度H1的第一掩膜部件310形成第一封装层221，据此能够得到只通过一个种类的第一掩膜部件310形成各种结构的封装层的有利效果。

即，在现有技术中为了使封装层结构(例如，封装层的沉积面积)不同，需按照要求的沉积面积分别利用独立的掩膜部件形成相互不同沉积面积的封装层，但是在本发明中只使用一种第一掩膜部件310，也能够通过调节相对于基板200第一掩膜部件310的第一高度H1形成相互不同结构(相互不同沉积面积)的封装层。

例如，若基板200与第一掩膜部件310之间的间隔距离(第一高度)变大(对基板的第一掩膜部件的配置高度变高)，则可增加通过第一掩膜部件310的掩膜图案312沉积的第一封装层221的沉积面积，相反地若基板200与第一掩膜部件310之间的间隔距离变小，则通过第一掩膜部件310的掩膜图案312沉积的第一封装层221的沉积面积变小。

此时，根据要求的条件以及沉积环境可对基板200的第一掩膜部件310的配置高度(第一高度)做出各种改变，并且不得被第一高度H1限制或者限定本发明。此时，第一掩膜部件310可在第一高度H1紧贴或者与基板上面分隔而配置。

另外，在对基板200间隔配置第一掩膜部件310的状态下形成第一封装层221，据此第一封装层221的边缘部从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状，也就是说，第一封装层221的边缘部逐渐变尖地形成，进而从上部向下部宽度越来越宽(参照图5的W1<W2)。

即，通过第一掩膜部件310从基板200上面间隔配置，据此通过第一掩膜部件310的掩膜图案312能够增加沉积面积，也就是说能够在比第一掩膜部件310的掩膜图案312的区域大区域进行沉积，因此第一封装层221不仅覆盖元件210的上面，还能够广泛地覆盖元件210边缘部周边。

如果，若垂直形成第一封装层221的边缘部(边缘部上部与下部的宽度相同的直角结构)，则通过第一封装层221的边缘部轻易渗透水分，从而降低产量，并且存在黑斑(darkspot或者block spot)发生率变高的问题。相反地，如同本发明，若将第一封装层221的边缘部逐渐变尖，则能够防止第一封装层221的边缘部中的水分渗透，因此能够降低因水分渗透导致产量下降以及黑斑发生率，进而得到有利的效果。

另一方面，基板处理系统10包括对齐部140，该对齐部140在形成封装层220之前对齐基板100的第一掩膜部件310(或者对掩膜部件对齐基板)。

第一掩膜部件310进入第一腔室110内部之后，对齐部140可执行对基板200对齐(align)第一掩膜部件310。以供参考，在基板200进入第一腔室110内部之后，最初对齐部140只执行一次对基板200对齐第一掩膜部件310的工艺，但是根据情况也可执行两次以上的对齐工艺。

例如，对齐部140包括：拍摄部，拍摄形成在基板200的目标标记(或者对象标识)与形成在第一掩膜部件310的对象标识(或者目标标记)；移动部，将第一掩膜部件310移动相当于由拍摄部拍摄的目标标记(target mark)与对象标识(object mark)的距离以及方向偏差的距离。根据情况，也可提供能够执行对基板对齐掩膜部件的其他结构的对齐部，并且本发明不受到对齐部的结构限制或者限定。

拍摄部是为了拍摄目标标记以及对象标识而提供。例如，拍摄部可使用普通摄像机，如视觉摄像机。

掩膜部件移动部通过通常的驱动工具使支撑第一掩膜部件310底面的掩膜部件支撑架302沿3轴方向(例如，X轴、Y轴、Z轴或者R轴、θ轴、Z轴)移动。

另一方面，为了覆盖元件而形成的封装层(参照图4的220)可只由单层膜(例如，第一封装层)构成，相反地也能够由多层膜(例如，第一封装、第二封装层、第三封装层)构成封装层。

参照图3，在形成有第一封装层221的基板上部可形成第二封装层222。例如，基板200经过第一腔室110之后被搬送到第二腔室110’，在第二腔室110’中在基板200上面(第一封装层221的上面)形成第二封装层222。优选为，第二封装层222由有机膜形成，以覆盖第一封装层221上面的一部分或者全部。

在第二腔室110’内部具有在第一封装层221上面形成第二封装层222的第二封装层形成工具，根据要求的条件以及设计样本，可使用各种封装层形成工具来作为第二封装层222形成工具。

优选为，作为第二封装层222形成工具在第二腔室110’内部喷墨打印第二封装层222的喷墨打印机320’。与此相同，通过在第二腔室110’的内部中利用喷墨打印机320’形成第二封装层222，可将结果简单化，并且能够得到缩短第二封装层222的形成工艺的有利效果。尤其是，在大气压状态下喷墨打印机320’可形成第二封装层222，并且作业工艺非常简单且快速，从而能够提高产量。根据情况，也能够在第二腔室的内部中真空状态下沉积形成第二封装层。不同的是，不形成另外的第二封装层，而是也能够只用第一封装层封装元件。

参照图4，根据本发明的基板处理系统可包括配置在相对于基板200与第一高度H1不同的第二高度H2的第二掩膜部件330，并且通过第二掩膜部件330可形成覆盖元件的第三封装层223。优选为，第三封装层223由无机膜形成，并且将第二封装层222上面全部覆盖。

在第二掩膜部件330上形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332，并且为了在形成有第一封装层221的第一腔室110形成第三封装层223而配置第二掩膜部件330。

在此，如下定义第二掩膜部件330形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332：第二掩膜部件330与第一掩膜部件310相互具有相同的尺寸以及曾属性，并且形成相同尺寸以及形状的掩膜图案312、322。也就是说，理解为只使用标准化(或者成品化)的一个种类的掩膜部件作为第一掩膜部件310与第二掩膜部件330来使用。

例如，作为第一掩膜部件310与第二掩膜部件330可使用标准化(或者成品化)只有一个种类的掩膜部件。也就是说，形成地一模一样而相互具有相同规格的两个掩膜部件中的一个作为第一掩膜部件310来使用，而另一个可作为第二掩膜部件330来使用。

举另一示例，第二掩膜部件330可以是配置在第二高度的第一掩膜部件310。也就是说，作为第一掩膜部件310以及第二掩膜部件330只共用一个掩膜部件，若共用掩膜部件配置在第一高度H1，则作为第一掩膜部件310来使用，若共用掩膜部件配置在第二高度H2，则可作为第二掩膜部件330来使用。

第二掩膜部件330能够在第二高度紧贴于基板200的上面，或者可间隔于基板200上面。在以下，第二掩膜部件330在第二高度H2间隔于基板200上面，举例说明第二高度H2大于第一高度H1(H2>H1)。根据情况，第二掩膜部件也可配置在低于第一高度的第二高度。

同时，第一封装层221由无机膜形成，第二封装层222由有机膜形成，第三封装层223由无机膜形成。以供参考，无机膜很难形成至预定厚度以上，因此在第一封装层221与第三封装层223之间形成由起到缓冲层作用的有机膜构成的第二封装层222，据此通过由第一封装层221、第二封装层222、第三封装层223构成的封装层220，能够得到使氧气以及水分等渗透的渗透时间更长的有利效果。根据情况，第二封装层也可由不是无机膜的其他材料形成。

另外，对于基板200间隔配置(第二高度)第二掩膜部件330的状态下形成第三封装层223，据此第三封装层223的边缘部从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状，也就是说第三封装层223的边缘部可逐渐变尖地形成以具有从上部向下部越来越宽的宽度(W1〈W2))。

即，通过从基板200上面间隔配置第二掩膜部件330，可增加第二掩膜部件330的掩膜图案332的沉积面积，因此能够比第二掩膜部件330的掩膜图案332的区域更大的区域进行沉积，因此第三封装层223不仅能够覆盖元件210的上面，还能够广泛地覆盖元件210的边缘部周边。因此，能够防止在第三封装层223的边缘部中的水分渗透，因此能够得到降低因水分渗透引起的产量低下以及黑斑发生率的有利效果。

另一方面，在图2至图4中举例说明从基板200间隔第一掩膜部件310的状态下先形成第一封装层221，之后在从基板200间隔第二掩膜部件330的状态下形成第三封装层223，但是与上所述不同，如图6以及图8所示，也可在将第一掩膜部件310紧贴于基板200的状态下先形成第一封装层221，之后在从基板200间隔第二掩膜部件330的状态形成第三封装层223。另外，如图7所示，可在第三封装层223与第一封装层221之间形成第二封装层222。

另外，参照图9，根据本发明另一实施例的基板处理系统10包括：第一腔室110；配置在第一腔室110内部并且安装基板200的基座120；配置在基板200的上部的第一掩膜部件310；为了在形成第一封装层221’的期间调节第一掩膜部件310的沉积面积，调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度的控制部400。

在此，如下定义形成第一封装层221’的期间：工艺气体供应于第一腔室110内部，并且通过第一掩膜部件310进行沉积工艺的途中。

在通过第一掩膜部件310进行沉积工艺的期间，通过控制部400调节相对于基板200的节第一掩膜部件310的配置高度，可连续调节第一掩膜部件310沉积第一封装层221’的沉积面积。

如上所述，本发明在通过第一掩膜部件310进行沉积工艺的期间，调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度，据此能够得到由一种材料构成的第一封装层221’形成多层结构(连续层叠相互不同沉积面积的封装层的结构)的有利效果。尤其是，在现有技术是通过固定配置的一个掩膜部件形成封装层，因此通过一个掩膜部件只能形成单层结构的封装层，而为了形成多层结构的封装层，需使用形成相互不同掩膜图案的各种掩膜部件，因此存在制作工艺复杂并且制造时间以及费用增加的问题。但是，在本发明中只用一个种类的第一掩膜部件310也能够形成多层结构的第一封装层221’，因此能够得到节省掩膜部件的制造成本的效果，并且不仅可将封装层制作结构以及制作工艺简单化，还能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

优选为，控制部400在形成第一封装层221’的期间逐渐增加第一掩膜部件310的配置高度，据此可将第一封装层221’的边缘部(edge portion)逐渐变尖地形成从上部向下部向下倾斜的形状。根据情况，控制部也能够在形成第一封装层的期间逐渐缩小第一掩膜部件的配置高度。

另一方面，根据本发明其他实施例的基板处理系统10可包括：第一腔室110；配置在第一腔室110内部并且在第一腔室110中形成第一封装层221来覆盖形成在基板200上面的元件210的第一掩膜部件310；与第一腔室110分开独立配置并且在第一封装层221上面形成第二封装层222的第二腔室110’；与第二腔室110’分开独立配置的图10的第三腔室110”；形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332且配置在第三腔室110”内部，并且在第三腔室110”中在第二封装层222上面形成第三封装层223的第二掩膜部件330。

即，本发明的其他一实施例的特征在于，与第一腔室110以及第二腔室110’独立配置第三腔室110”。在此，第三腔室110”具有与上述第一腔室110相同或者类似的结构，因此将省略第一腔室110以及第三腔室110”的具体结构的相关说明。

第一掩膜部件310配置在第一腔室110内部，并且为了在第一腔室110中形成第一封装层(first encapsulation layer)221来覆盖形成在基板上面的元件而配置第一掩膜部件310。

另外，可通过高度调节部320调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度。例如，第一掩膜部件310通过高度调节部320在第一腔室110内部中调节相对于基板200上面配置的第一高度。此时，第一掩膜部件310在第一高度紧贴于基板200上面，或者可间隔于基板200上面。在以下，举例说明第一掩膜部件310在第一高度紧贴于基板200上面的情况。

另外，在第一腔室110的内部具有第一对齐部140’，在第一对齐部140’上形成第一封装层221之前可执行对基板200对齐第一掩膜部件310(或者对第一掩膜部件对齐基板)。

参照图7，第二腔室110’与第一腔室110独立配置，并且在第二腔室110’中在第一封装层221上面形成第二封装层(second encapsulation layer)222。

基板经过第一腔室110之后被搬送到第二腔室110’，在第二腔室110’中的基板上面，也就是说在第一封装层221的上面形成第二封装层222。优选为，第二封装层222由有机膜形成，并且覆盖第一封装层221上面的一部分。

在第二腔室110’的内部具有第二封装层形成工具，第二封装层形成工具在第一封装层221上面形成第二封装层222，作为第二封装层形成工具根据要求的条件以及设计样本可使用各种封装层形成工具。

优选为，作为第二封装成形成工具在第二腔室110’内部配置喷墨打印第二封装层222的喷墨打印机320’。与此相同，在第二腔室110’内部中利用喷墨打印机320’形成第二封装层222，据此可将结构简单化，并且能够得到缩短第二封装层222形成工艺的有利效果。尤其是，喷墨打印机320’能够在大气压状态下形成第二封装层222，并且作业工艺非常简单且快速，因此能够提高产量。根据情况，也能够在第二腔室内部中在真空状态下沉积第二封装层。

参照图10以及图11，第三腔室110”内部提供真空处理空间，在侧壁的至少一侧提供出入部以用于基板200以及第二掩膜部件330出入。

根据要求的条件以及设计样本，可适当改变第三腔室110”的尺寸以及结构，并且不得由第三腔室110”的特性限制或者限定本发明。

在第三腔室110”上部提供用于将工艺气体以及RF能量供应于第三腔室110”内部的花洒头130。

根据要求的条件以及设计样本可提供各种结构的花洒头130，并且不得由花洒头130的结构以及特性限制或者限定本发明。

在第三腔室110”内部具有能够沿着上下方向升降的基座120，在基座120的上面安装基板200。基座120的轴通过常用驱动工具(例如，电机)沿着上下方向移动。

另一方面，第三腔室110”与第一腔室110可分别以独立的腔室、独立分开提供，但是根据情况第三腔室110”与第一腔室110也能够只共用一个腔室(第三腔室＝第一腔室)。

也就是说，与第三腔室110”共用第一腔室110，在形成第二封装层222之后返回到第一腔室110的基板200的上面可形成第三封装层223。

在此，基板200返回到第一腔室110意味着基板经过第一腔室110与第二腔室110’之后重新返回第一腔室110(第三腔室的作用)。

如上所述，通过第一腔室110与第三腔室110”只共用一个腔室，能够得到将装置简单化并且缩小安装装置所需空间的效果，以及节省制造成本的效果。

在第二掩膜部件330形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332，第二掩膜部件330配置在第三腔室110”内部，并且在第三腔室110”中形成第三封装层(thirdencapsulation layer)223以覆盖第二封装层222。

在此，如下定义在第二掩膜部件330形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332：第二掩膜部件330与第一掩膜部件310相互具有相同的尺寸以及层属性，并且形成相同尺寸以及形状的掩膜图案312、322。也就是说，理解为作为第一掩膜部件310与第二掩膜部件330使用标准化(或者成品化)的一个种类的掩膜部件。

在第二掩膜部件330形成用于形成第三封装层223的掩膜图案332，并且通过掩膜图案332区域进行沉积并形成第三封装层223。例如，第二掩膜部件330可包括掩膜板与附着于掩膜板的掩膜垫，掩膜图案可形成在掩膜垫上。根据情况，无需另外的掩膜垫也能够在掩膜板直接形成掩膜图案。

然后，可通过高度调节部320调节相对于基板200的第二掩膜部件330的高度。例如，第二掩膜部件330通过高度调节部320在第三腔室110”内部中配置在比第一高度高的第二高度H2。此时，第二掩膜部件330在第二高度H2紧贴于基板200上面，或者能够间隔于基板200上面。在以下举例说明第二掩膜部件330在第二高度H2间隔于基板200上面。根据情况，在第三腔室内部中第二掩膜部件也能够配置在低于第一高度的第三高度。

同时，通过高度调节部320调节相对于基板200的第二掩膜部件330的配置高度，据此可调节通过第二掩膜部件330的掩膜图案332沉积封装层的沉积面积。例如，若基板200与第二掩膜部件330之间的间隔距离变大(若对基板配置第二掩膜部件的高度高)，则可增加通过第二掩膜部件330的掩膜图案332沉积的第三封装层223的沉积面积(大面积沉积)，相反地若基板200与第二掩膜部件330之间的间隔距离变小，则通过第二掩膜部件330的掩膜图案332沉积的第三封装层223的沉积面积可变小。

另外，在第三腔室110”内部可具有第二对齐部140”，该第二对齐部140”在形成第三封装层223之前执行对基板200对齐第二掩膜部件330(或者对第二掩膜部件对齐基板)。

在第二掩膜部件330进入第三腔室110”内部之后，第二对齐部140”可执行对基板对齐第二掩膜部件330。例如，第二对齐部140”包括：拍摄部，拍摄形成在基板200的目标标记(或者对象标识)与形成在第二掩膜部件330的对象标识(或者目标标记)；掩膜部件移动部，使第二掩膜部件330移动相当于由拍摄部拍摄的目标标记(target mark)与对象标识(object mark)的距离以及方向偏差的距离。根据情况，也可提供能够执行对基板200对齐第二掩膜部件330的其他结构的对齐部，并且本发明不受第二对齐部140”的结构限制或者限定。

拍摄部是为了拍摄目标标记以及对象标识而提供的。例如，作为拍摄部可使用常用摄像机，例如视觉摄像机。

掩膜部件移动部使支撑第二掩膜部件330底面的掩膜部件支撑架302通过通常的驱动工具沿三轴方向(例如，X轴、Y轴、Z轴或者R轴、θ轴、Z轴)移动。

同时，高度调节部320起到调节相对于基板200的第二掩膜部件330的上下高度的作用，并且可同时一同起到对基板200对齐第二掩膜部件330的掩膜部件移动部的作用。根据情况，也可分别分开配置高度调节部与掩膜部件移动部。

另一方面，在基板200按顺序经过第一腔室110、第二腔室110’、第三腔室110”的期间，在基板200的上面按顺序层叠第一封装层221、第二封装层222、第三封装层223来形成多层封装层(multilayer encapsulation thin layer)220。

同时，第一封装层221由无机膜形成，第二封装层222由有机膜形成，第三封装层223由无机膜形成。以供参考，无机膜很难形成至预定厚度以上，因此在第一封装层221与第三封装层223之间形成由起到缓冲层作用的有机膜构成的第二封装层222，据此能够使氧气以及水分等渗透到多层封装层220的渗透时间更长，进而得到有利的效果。

优选为，在对于基板200间隔配置(第二高度)第二掩膜部件330的状态下形成第三封装层223，据此多层封装层220的边缘部从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状，也就是说多层封装层220的边缘部可逐渐变尖地形成以具有从上部向下部越来越宽的宽度(W1〈W2)。

即，通过间隔于基板200上面配置第二掩膜部件330，可增加第二掩膜部件330的掩膜图案332的沉积面积，也就是说能够比第二掩膜部件330的掩膜图案332的区域更大的区域进行沉积，因此第三封装层223不仅能够覆盖元件210的上面，还能够广泛地覆盖元件210的边缘部周边。

另一方面，图12是用于说明根据本发明的基板处理方法的框图。另外，图13至图16是用于说明根据本发明另一实施例的基板处理方法的框图。同时，对于与上述结构相同以及许多相同的部分赋予相同或者相当的参照符号，并省略详细说明。

参照图12，根据本发明的基板处理方法包括：基板配置步骤S10，在第一腔室110内部配置基板200；掩膜部件配置步骤S20，在第一腔室110的内部中在基板200上面配置掩膜部件310、330；封装层形成步骤S30，调节相对于基板200掩膜部件310、330的配置高度H1、H2来形成封装层221、223，以覆盖形成在基板200的元件210。

步骤1-1

首先，在第一腔室110内部配置基板200S10。

在基板配置步骤S10中，基板200通过形成在第一腔室110侧壁的出入部进入第一腔室110内部，并且进入第一腔室110内部的基板200被基板支撑架202支撑，之后配置在基座120上面(参照图1)。

步骤1-2

之后，在第一腔室110内部中在基板200上面配置掩膜部件310、330S20。

在掩膜部件配置步骤S20中，掩膜部件310、330可通过形成在第一腔室110侧壁的出入部第一腔室110的内部，并且进入第一腔室110内部的掩膜部件310、330可被掩膜部件支撑架302支撑。

在掩膜部件310、330形成掩膜图案312、332，该掩膜图案312、332用于形成封装层221、223的，并且通过掩膜图案312、332区域进出沉积，可形成封装层221、223。例如，掩膜部件可包括掩膜板、附着于掩膜板的掩膜垫，掩膜图案可形成在掩膜垫上。根据情况，无需另外的掩膜垫，也可在掩膜板直接形成掩膜图案。

步骤1-3

之后，调节相对于基板200的掩膜部件310、330的配置高度H1、H2来形成封装层221、223来覆盖形成在基板200的元件210。

在此，形成在基板200的元件210意味着形成在基板200上面并且被封装层221、223封装的被封装对象。例如，在基板200的上面可形成有机发光二极管(OLED)，并且封装层221、223覆盖发光二极管，以防止因为有机发光二极管暴露在空气中的氧气以及水分等而降低性能以及寿命。

在封装层形成步骤S30中，在间隔(或者紧贴)于基板200的的掩膜部件310、330形成封装层221、223。

此时，对于封装层221、223，根据在掩膜部件配置步骤S20中决定的掩膜部件310、330的配置高度H1、H2可调节沉积面积。更详细地说，若基板200与掩膜部件310、330之间的间隔距离变大(若对基板的掩膜部件的配置高度高)，则通过掩膜部件310、330的掩膜图案312、332沉积的封装层221、223的沉积面积增加(沉积面积大)，与此相反，若基板200与掩膜部件310、330之间的间隔距离变小，则通过掩膜部件310、330的掩膜图案312、332沉积的封装层221、223的沉积面积变小。

优选为，在封装层形成步骤S30中，封装层221、223由无机膜形成。根据情况，也能够代替无机膜由其他材料形成封装层。

更加优选为，在封装层形成步骤S30中封装层221、223的边缘部可逐渐变尖地形成，从而具有从上部向下部越来越宽的宽度。

即，封装层形成步骤S30中，对于基板200间隔配置掩膜部件310、330的状态下形成封装层221、223，据此封装层221、223的边缘部从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状，也就是说封装层221、223的边缘部可逐渐变尖地形成，从而具有从上部向下部越来越宽的宽度(W1〈W2)(参照图4以及图5)。

如上所述，通过间隔于基板200上面的掩膜部件310、330，可增加掩膜部件310、330的掩膜图312、332的沉积面积，也就是说能够在比掩膜部件310、330的掩膜图案312、332区域更大的区域进行沉积，因此封装层221、223不仅能够覆盖元件210的上面，还能够广泛地覆盖元件210的边缘部周边。

如果，垂直形成封装层的边缘部(边缘部上部与下部的宽度相同的直角结构)，则通过封装层的边缘部轻易渗透水分，从而降低产量，并且存在黑斑(dark spot或者blockspot)发生率变高的问题。相反地，如同本发明，若将封装层221、223的边缘部逐渐变尖地形成，则能够防止封装层221、223的边缘部中的水分渗透，因此能够降低因水分渗透导致产量下降以及黑斑发生率，得到有利的效果。

另外，参照图13以及图14，根据本发明另一实施例的基板处理方法包括：基板配置步骤S10，在第一腔室110内部配置基板200；第一掩膜部件配置步骤S20，在第一腔室110内部配置第一掩膜部件310，并对基板200的上面间隔提前设定的第一高度H1地配置第一掩膜部件310；第一封装层形成步骤S30，利用第一掩膜部件310形成第一封装层221，以覆盖形成在基板200的元件；第二掩膜部件配置步骤S40，对于基板200在与第一高度H1不同的第二高度配置第二掩膜部件330；第三封装层形成步骤S50，利用第二掩膜部件330形成第三封装层223，以覆盖形成在基板200的元件。

步骤2-1

首先，在第一腔室110内部配置基板200S10。

在基板配置步骤S10中，基板200通过形成在第一腔室110侧壁的出入部进入第一腔室110内部，并且进入第一腔室110内部的基板200被基板支撑架202支撑，之后配置在基座120的上面(参照图1)。

步骤2-2

之后，在第一腔室110内部配置第一掩膜部件310，并对基板200的上面间隔提前设定的第一高度H1地配置第一掩膜部件310

在第一掩膜部件配置步骤S20中，第一掩膜部件310可通过形成在第一腔室110侧壁的出入部进入第一腔室110的内部，并且进入第一腔室110内部的第一掩膜部件310可被掩膜部件支撑架302支撑。

在第一掩膜部件310形成用于形成第一封装层221的掩膜图案312，通过掩膜图案312区域进行沉积并且可形成第一封装层221。例如，掩膜部件可包括掩膜板、附着于掩膜板的掩膜垫，掩膜图案可形成在掩膜垫上。根据情况，无需另外的掩膜垫，也可在掩膜板直接形成掩膜图案。

在第一掩膜部件配置步骤S20中，根据要求的条件以及沉积环境可对第一掩膜部件310的配置高度(第一高度)做出各种改变，并且本发明不受第一高度H1限定或者限制。

步骤2-3

之后，利用第一掩膜部件310形成第一封装层221，以覆盖形成在基板200的元件S30。

在此，形成在基板200的元件210意味着形成在基板200上面并且被第一封装层221封装的被封装对象。例如，在基板200的上面可形成有机发光二极管(OLED)，并且第一封装层221覆盖发光二极管，以防止因为有机发光二极管暴露在空气中的氧气以及水分等而降低性能以及寿命。

在第一封装形成步骤S30中，通过间隔于基板200第一高度H1配置的第一掩膜部件310形成第一封装层221(参照图2)。

此时，对于第一封装层221，可根据在第一掩膜部件配置步骤S20决定的第一掩膜部件310的第一高度H1可调节沉积面积。更详细地说，若基板200与第一掩膜部件310之间的间隔距离(第一高度)变大(若对基板配置第一掩膜部件的高度高)，则可增加通过第一掩膜部件310的掩膜图案312沉积的第一封装层221的沉积面积(大面积沉积)，与此相反，若基板200与第一掩膜部件310之间的间隔距离变小，则通过第一掩膜部件310的掩膜图案312沉积的第一封装层221的沉积面积可变小

优选为，在第一封装层形成步骤S30中，由无机膜形成第一封装层221。根据情况，也能够由其他材料代替无机膜来形成第一封装层。

另一方面，可包括形成有第一封装层221的基板200上部形成第二封装层(图3的222)的步骤S35。

在形成第二封装层222的步骤S35中，基板200搬送至第二腔室110’，在第二腔室110’中可在基板200上面(第一封装层221上面)形成第二封装层222。优选为，第二封装层222由有机层形成，以覆盖第一封装层221上面的一部分。

在第二封装层222形成步骤S35中，根据要求的条件以及设计样本可通过多种方法形成第二封装层222。

例如，在第二腔室110’内部可具有喷墨打印第二封装层222的喷墨打印机320’，在第二封装层222形成步骤S35中可通过喷墨打印形成第二封装层222(参照图3)。根据情况，也能够在第二腔室内部中在真空状态下沉积形成第二封装层。

步骤2-4

之后，在第一腔室110内部配置第二封装部件330，并且使第二封装部件330相对于基板200配置在与第一高度H1不同的第二高度H2。

在第二掩膜部件配置步骤S40中，第二掩膜部件330可通过形成在第一腔室110侧壁的出入部进入第一腔室110内部，进入第一腔室110内部的第二掩膜部件330可被掩膜部件支撑架302支撑。

此时，在第二掩膜部件330形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332。在此，如下定义第二掩膜部件330形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案(312＝332)：第二掩膜部件330与第一掩膜部件310相互具有相同的尺寸以及层属性，并且形成相同的尺寸以及形状的掩膜图案312、322。也就是说，理解为第一掩膜部件310与第二掩膜部件330使用标准化(或者成品化)的只有一个种类掩膜部件。

例如，第一掩膜部件310与第二掩膜部件330可使用标准化(或者成品化)的一个种类的掩膜部件。也就是说，形成地一模一样以具有相同规格的两个掩膜部件中的一个在第一掩膜部件配置步骤S20中可作为第一掩膜部件310来使用，而另一个则可在第二掩膜部件配置步骤S40中作为第二掩膜部件330来使用。

举另一示例，在第二掩膜部件配置步骤S40中，第二掩膜部件330可以是配置在第二高度的第一掩膜部件310。也就是说，第一掩膜部件310以及第二掩膜部件330只共用一个掩膜部件，若共用掩膜部件配置在第一高度H1，则作为第一掩膜部件310来使用，若在第二掩膜部件配置步骤S40中在第二高度配置共用掩膜部件，则可作为第二掩膜部件330来使用。

在第二掩膜部件配置步骤S40中，第二掩膜部件330在第二高度紧贴于基板200上面，或者能够间隔于基板200上面。例如，在第二掩膜部件配置步骤S40中，第二掩膜部件330在第二高度H2间隔于基板200上面，并且第二高度(参照图4的H2)大于第一高度H1(参照图2的H1)(H2〉H1)。根据情况，第二掩膜部件也可配置在低于第一高度H1的第二高度。

步骤2-5

之后，利用第二掩膜部件330形成第三封装层223以覆盖形成在基板200的元件S50。

在第三封装层形成步骤S50中，通过配置在从基板200间隔的第二高度的第二掩膜部件330形成第三封装层223(参照图4)。

此时，对于第三封装层223，可根据在第二掩膜部件配置步骤S40决定的第二掩膜部件330的第二高度调节沉积面积。更详细地说，若基板200与第二掩膜部件330之间的间隔距离变大(若对基板配置第二掩膜部件的高度高)，则可增加通过第二掩膜部件330的掩膜图案332沉积的第三封装层223的沉积面积(大面积沉积)，与此相反，若基板200与第二掩膜部件330之间的间隔距离变小，则通过第二掩膜部件330的掩膜图案332沉积的第三封装层223的沉积面积可变小。

优选为，在第三封装层形成步骤S50中，由无机膜形成第三封装层223。根据情况，也能够由其他材料代替无机膜形成第三封装层。

另一方面，在图13中举例说明了在将第一掩膜部件310间隔于基板200的状态下先形成第一封装层221，之后在将第二掩膜部件330间隔于基板200的状态下形成第三封装层223，但是与此不同，如图14所示，也能够在将第一掩膜部件310紧贴于基板200的状态下先形成第一封装层221，之后在将第二掩膜部件330间隔于基板200的状态下形成第三封装层223。另外，如图14所示，还可增加在形成第一封装层221之后在形成第三封装层223之前形成第二封装层222的步骤S35’。

另外，参照图15，根据本发明另一实施例的基板处理方法包括：基板配置步骤S10，在第一腔室110内部配置基板200；第一掩膜部件配置步骤S20，在第一腔室110的内部中在基板200上面配置第一掩膜部件310；第一封装层形成步骤S30，利用第一掩膜部件310形成第一封装层221，以覆盖形成在基板200的元件；高度调节部件S40，调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度，进而在形成第一封装层221的期间调节第一掩膜部件310的沉积面积。

步骤3-1

首先，在第一腔室110内部配置基板200S10。

在基板配置步骤S10中，基板200通过形成在第一腔室110侧壁的出入部进入第一腔室110内部，并且进入第一腔室110内部的基板200被基板支撑架202支撑，之后配置在基座120的上面(参照图1)。

步骤3-2

之后，在第一腔室110内部中在基板200上面配置掩膜部件310S20。

在第一掩膜部件配置步骤S20中，第一掩膜部件310可通过形成在第一腔室110侧壁的出入部第一腔室110的内部，并且进入第一腔室110内部的第一掩膜部件310可被掩膜部件支撑架302支撑。

在第一掩膜部件310形成用于形成封装层的掩膜图案312，并且通过掩膜图案312区域进行沉积并且可形成第一封装层221。此时，在第一掩膜部件配置步骤S20中，根据要求的条件以及沉积环境，可对第一掩膜部件310的配置高度(第一高度)做出各种改变，并且本发明不受第一高度H1限定或者限制。

同时，在第一掩膜部件配置步骤S20中，第一掩膜部件310配置在相对于基板上面提前设定的第一高度H1，此时第一掩膜部件310在第一高度H1中紧贴或者间隔于基板200上面。

步骤3-3

之后，利用第一掩膜部件310形成封装层(参照图9的221’)，以覆盖形成在基板200的元件。

在第一封装层形成步骤S30中，通过对基板200配置在第一高度H1(例如，间隔配置)的第一掩膜部件310形成第一封装层221’。

优选为，在第一封装层形成步骤S30中，由无机膜形成第一封装层221’。根据情况，也可由其他材料代替无机膜来形成第一封装层。

步骤3-4

之后，在形成第一封装层221’的期间调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度，进而调节第一掩膜部件310的沉积面积S40。

在高度调节步骤S40中，通过调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度，在形成第一封装层221’的期间(工艺气体供应于腔室内部并且通过第一掩膜部件进行沉积工艺的途中)连续调节第一掩膜部件310沉积第一封装层221’的沉积面积。

如上所述，在高度调节步骤S40中，在通过第一掩膜部件310进行沉积工艺的期间调节相对于基板200的第一掩膜部件310的配置高度，据此能够得到由一种材料构成的第一封装层221’形成多层结构(相互不同沉积面积的封装层连续层叠的结构)的有利效果。尤其是，在本发明中也可只用一个种类的第一掩膜部件310形成多层结构的第一封装层221’，因此能够得到节省掩膜部件的制作成本的效果，并且不仅将封装层制作结构以及制作工艺简单化，还能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

优选为，在高度调节步骤S40中，在形成第一封装层221’的期间逐渐增加第一掩膜部件310的配置高度，第一封装层221’的边缘部(edge portion)可逐渐变尖地形成从上部向下部向下倾斜的形状。根据情况，在高度调节步骤中形成第一封装层的期间也能逐渐缩小第一掩膜部件的配置高度。

根据情况，利用固定配置在第一高度的第一掩膜部件形成覆盖元件的第一封装层之后，逐渐调节相对于基板第二掩膜部件的配置高度，据此也能够在第一封装层上部形成多层结构的第三封装层。

参照图16，根据本发明的基板200处理方法包括：第一封装层形成步骤S10，在第一腔室110内部中利用第一掩膜部件310形成第一封装层221，以覆盖形成在基板200上面的元件210；第二封装层形成步骤S20，在第二腔室110’内部中在第一封装层221的上面形成第二封装层222；第三封装层形成步骤S30，在第三腔室110”内部中利用形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332的第二掩膜部件330，在第二封装层222上面形成第三封装层223。

步骤4-1

首先，在第一腔室110内部中利用第一掩膜部件310形成第一封装层221，以覆盖形成在基板200上面的元件210S10。

基板200通过形成在第一腔室110侧壁的出入部进入第一腔室110内部，并且进入第一腔室110内部的基板200被基板支撑架202支撑，之后配置在基座120上面(参照图1)。

在第一封装层形成步骤S10中，第一掩膜部件310在第一腔室110内部中对基板200上面配置在第一高度，在基板200上部第一掩膜部件310配置在第一高度的状态下通过第一掩膜部件310的掩膜图案312区域进行沉积，进而形成第一封装层221以覆盖形成在基板200的元件210。

此时，第一掩膜部件310在第一高度紧贴于基板200的上面，或者能够间隔于基板200上面。在以下，举例说明在第一封装层形成步骤S10中第一掩膜部件310在第一高度紧贴于基板200上面的情况。

形成在基板200的元件210意味着形成在基板200上面并且被第一封装层221封装的被封装对象。例如，在基板200的上面可形成有机发光二极管(OLED)，并且第一封装层221覆盖发光二极管，以防止因为有机发光二极管暴露在空气中的氧气以及水分等而降低性能以及寿命。优选为，由无机膜形成第一封装层221。

步骤4-2

之后，在第二腔室110’内部中在第一封装层221的上面形成第二封装层222S20。

在第一封装形成步骤S10中，形成有第一封装层221的基板被搬送到第二腔室110’，在基板配置在第二腔室110’内部的状态下在第一封装层221的上面形成第二封装层222。

优选为，在第二封装层形成步骤S20中，由有机膜形成第二封装层222，并覆盖第一封装层221上面的一部分。

在第二封装层形成步骤S20中，可根据要求的条件以及设计样本以各种方式形成第二封装层222。

例如，在第二腔室110’内部可具有喷墨打印第二封装层222的喷墨打印机320’，在第二封装层形成步骤S20中，可通过喷墨打印形成第二封装层222(参照图7)。与此相同，通过在第二腔室110’内部中利用喷墨打印机320’形成第二封装层222，可将结构简单化，并且能够得到缩短第二封装层222形成工艺的有利效果。尤其是，在大气压状态下喷墨打印机320’能够形成第二封装层222，并且作业工艺非常简单且快速，因此能够提高产量。根据情况，也能够在第二腔室内部中真空状态下沉积形成第二封装层。

步骤4-3

之后，在第三腔室110”内部中利用形成有与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332的第二掩膜部件330，在第二封装层222上面形成第三封装层223S30。

在第二封装层形成步骤S20中形成有第二封装层222的基板200在第三封装层形成步骤S30中被搬送到第三腔室110”。基板200通过形成在第三腔室110”的侧壁的出入部进入第三腔室110”内部，并且进入第三腔室110”内部的基板200被基板支撑架202支撑，之后配置在基座120上面(参照图10)。

在第三封装层形成步骤S30中，第二掩膜部件330在第三腔室110”内部中配置在高于第一高度的第二高度，并且在基板上部配置第二掩膜部件330的状态下，通过第二掩膜部件330的掩膜图案332区域进行沉积，进而形成第三封装层223以覆盖形成在基板的元件(参照图11)。

此时，第二掩膜部件330在第二高度紧贴于基板200上面，或者也能够间隔于基板200上面。在以下，举例说明在第三封装层形成步骤S30中第二掩膜部件330在第二高度间隔于基板200。

以供参考，在第三封装层形成步骤S30中，使用形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案332的第二掩膜部件330。在此，如下定义第二掩膜部件330形成与第一掩膜部件310相同的掩膜图案312、332：第二掩膜部件330与第一掩膜部件310具有相同的尺寸以及层属性，并且形成有相同尺寸以及形状的掩膜图案。也就是说，应该理解为使用标准化(或者成品化)的一个种类的掩膜部件作为第一掩膜部件310与第二掩膜部件330。

优选为，在第三封装层形成步骤S30中，第三封装层223由无机膜形成，并且将第二封装层222的上面全部覆盖。

如上所述，在基板上面按顺序层叠第一封装层221、第二封装层222、第三封装层223来形成多层封装层(multilayer encapsulation thin layer)。

由于无机膜很难形成至预定厚度以上，因此在第一封装层221与第三封装层223之间形成第二封装层222，而该第二封装层222由执行缓冲层作用的有机膜形成，据此能够得到使氧气以及水分等渗透到多层封装层220的渗透时间更长的有利效果。

同时，在第三封装层形成步骤S30中，在对于基板200间隔配置(第二高度)第二掩膜部件330的状态下形成第三封装层223，据此多层封装层220的边缘部从上部向下部逐渐变尖地形成向下倾斜的形状，也就是说多层封装层220的边缘部可逐渐变尖地形成，以具有从上部向下部越来越宽的宽度(W1〈W2)。

即，第三封装层形成步骤S30中，通过间隔于基板200上面配置第二掩膜部件330，可增加第二掩膜部件330的掩膜图案332的沉积面积，也就是说能够在比第二掩膜部件330的掩膜图案332的区域更大的区域进行沉积，因此第三封装层223不仅能够覆盖元件210的上面，还能够广泛地覆盖元件210的边缘部周边。

若垂直形成多层封装层220的边缘部(边缘部上部与下部的宽度相同的直角结构)，则通过多层封装层220的边缘部轻易渗透水分，从而降低产量，并且存在黑斑(darkspot或者block spot)发生率变高的问题。相反地，如同本发明，若将多层封装层220的边缘部逐渐变尖，则能够防止多层封装层220的边缘部中的水分渗透，因此能够降低因水分渗透导致产量下降以及黑斑发生率，进而得到有利的效果。

另一方面。在第三封装层形成步骤S30中,与第三腔室110”共用第一腔室110(将第三腔室作为第一腔室来使用)，在第三封装层形成步骤S30中返回到第一腔室110的基板200上面可形成第三封装层223。

也就是说，在第三封装层形成步骤S30中，与第三腔室110”共用第一腔室110，并且可在形成第二封装层222之后返回到第一腔室110的基板200上面形成第三封装层223。

在此，基板200返回到第一腔室110意味着基板200经过第一腔室110与第二腔室110’之后重新返回第一腔室110(第三腔室的作用)。

如上所述，第一腔室110与第三腔室110”只共用一个腔室，据此能够得到将装置最小化并且缩小安装装置的所需空间的效果以及节省制造成本的效果。根据情况，对于在第三封装层形成步骤中使用的第三腔室，能够与第一腔室以独立的腔室分开提供。

如上所述，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明所属技术领域的技术人员应该理解在不超出权利要求记载的本发明的思想以及领域范围内可对本发明进行各种修改以及改变。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

基板配置步骤，在腔室内部配置基板；

掩膜部件配置步骤，在所述腔室内部中在所述基板上面配置掩膜部件；

封装层形成步骤，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在所述基板的元件。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述封装层形成步骤包括：

第一配置步骤，将所述掩膜部件配置在相对于所述基板上面的第一高度；

第一封装层形成步骤，利用配置在所述第一高度的所述掩膜部件形成第一封装层；

第二配置步骤，将所述掩膜部件配置在相对于所述基板的、与所述第一高度不同的第二高度；

第二封装层形成步骤，利用配置在所述第二高度的所述掩膜部件来形成覆盖所述第一封装层的第二封装层。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

所述掩膜部件包括：配置在所述第一高度的第一掩膜部件；以及配置在所述第二高度的第二掩膜部件；

其中，所述第二掩膜部件为配置在所述第二高度的所述第一掩膜部件。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述封装层形成步骤中还包括高度调节步骤，所述高度调节步骤调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度，进而调节所述掩膜部件的沉积面积。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述高度调节步骤中，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度。

6.一种基板处理系统，其特征在于，包括：

腔室；

基座，配置在所述腔室内部并且安装有基板；

掩膜部件，配置在所述基板的上部；

控制部，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度；

其中，利用由所述控制部调节高度的所述掩膜部件来形成封装层，以覆盖形成在所述基板的元件。

7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，

所述控制部将所述掩膜部件配置在相对于所述基板上面的第一高度，或者配置在相对于所述基板的、与所述第一高度不同的第二高度，

若所述掩膜部件配置在所述第一高度，则形成覆盖所述元件的第一封装层，

若所述掩膜部件配置在所述第二高度，则形成覆盖所述第一封装层的第二封装层。

8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，

所述控制部在所述第一高度将所述掩膜部件紧贴于所述基板的上面。

9.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，

所述控制部在所述第一高度将所述掩膜部件间隔于所述基板上面。

10.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，

所述掩膜部件包括：配置在所述第一高度的第一掩膜部件；以及配置在所述第二高度的第二掩膜部件；

其中，所述第二掩膜部件为配置在所述第二高度的所述第一掩膜部件。

11.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，

所述控制部调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度，以使所述掩膜部件的配置高度逐渐增加，进而调节所述掩膜部件的沉积面积。

12.一种基板处理系统，其特征在于，包括：

第一腔室；

第一掩膜部件，配置在所述第一腔室内部，并且在所述第一腔室中形成第一封装层，以覆盖形成在基板上面的元件；

第二腔室，与所述所述第一腔室独立配置，并且在所述第一封装层上面形成第二封装层；

第三腔室，与所述第二腔室独立配置；

第二掩膜部件，形成与所述第一掩膜部件相同的掩膜图案，并且配置在所述第三腔室内部，在所述第三腔室中在所述第二封装层的上面形成第三封装层。

13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，

所述第一掩膜部件在所述第一腔室的内部中配置在相对于所述基板上面的第一高度，

所述第二掩膜部件在所述第三腔室的内部中配置在比所述第一高度高的第二高度。

14.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，

所述元件为有机发光二极管，

所述第一封装层由无机膜形成，所述第二封装层由有机膜形成，所述第三封装层由无机膜形成。

15.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，

与所述第三腔室共用所述第一腔室，

在形成所述第二封装层之后返回到所述第一腔室的所述基板的上面形成所述第三封装层。

16.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

第一封装层形成步骤，在第一腔室内部中利用第一掩膜部件形成第一封装层，以覆盖形成在基板上面的元件；

第二封装层形成步骤，在第二腔室内部中在所述第一封装层上面形成第二封装层；

第三封装层形成步骤，在第三腔室内部中利用第二掩膜部件在所述第二封装层的上面形成第三封装层，其中所述第二掩膜部件形成与所述第一掩膜部件相同的掩膜图案。

17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第一封装层形成步骤中，对于所述基板上面将所述第一掩膜部件配置在第一高度，

在所述第三封装层形成步骤中，将所述第二掩膜部件配置在比所述第一高度高的第二高度。

18.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第一封装层形成步骤中，使所述第一封装层将所述元件全部覆盖；

在所述第二封装层形成步骤中，使所述第二封装层覆盖所述第一封装层上面的一部分；

在所述第三封装层形成步骤中，使所述第三封装层将所述第二封装层全部覆盖。

19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，

所述元件为有机发光二极管，

所述第一封装层由无机膜形成，所述第二封装层由有机膜形成，所述第三封装层由无机膜形成。

20.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第三封装层形成步骤中，与所述第三腔室共用所述第一腔室，

在所述第三封装层形成步骤中，在返回到所述第一腔室的所述基板的上面形成所述第三封装层。