JP2018010861A - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、第1チャンバ110の内部に基板200を配置する(S10)。
次に、第1チャンバ110の内部で基板200の上面にマスク部材310、330を配置する(S20)。
次に、基板200に対するマスク部材310、330の配置高さ(H1、H2)を調整し、基板200に形成された素子210を覆う封止膜221、223を形成する(S30)。
まず、第1チャンバ110の内部に基板200を配置する(S10)。
次に、基板200の上面に対して予め設定された第1高さ(H1)に配置されるように、第1チャンバ110の内部に第1マスク部材310を配置する(S20)。
次に、第1マスク部材310を用いて基板200に形成された素子を覆う第1封止膜221を形成する(S30)。
次に、基板200に対して第1高さ(H1)とは異なる第2高さに配置されるように、第1チャンバ110の内部に第2マスク部材330を配置する(S40)。
次に、第2マスク部材330を用いて基板200に形成された素子を覆う第3封止膜223を形成する(S50)。
まず、第1チャンバ110の内部に基板200を配置する(S10)。
次に、第1チャンバ110の内部で基板200の上方に第1マスク部材310を配置する(S20)。
次に、第1マスク部材310を用いて基板200に形成された素子を覆う第1封止膜221’(図9参照)を形成する(S30)。
次に、第1封止膜221’の形成中に第1マスク部材310による蒸着面積が調整されるように、基板200に対する第1マスク部材310の配置高さを調整する(S40)。
まず、第1チャンバ110の内部で第1マスク部材310を用いて基板200の上面に形成された素子210を覆うように第1封止膜221を形成する(S10)。
次に、第2チャンバ110’の内部で第1封止膜221の上面に第2封止膜222を形成する(S20)。
次に、第3チャンバ110’’の内部で第1マスク部材310と同じマスクパターン332が形成された第2マスク部材330を用いて第2封止膜222の上面に第3封止膜223を形成する(S30)。
110’ 第2チャンバ
110’’ 第3チャンバ
120 サセプタ
130 シャワーヘッド
140 整列部
200 基板
210 素子
220 封止膜
221 第1封止膜
222 第2封止膜
223 第3封止膜
310 第1マスク部材
312 マスクパターン
320 高さ調整部
320’ インクジェットプリンタ
330 第2マスク部材
332 マスクパターン
400 制御部
Claims (20)
- 基板処理方法において、
チャンバの内部に基板を配置する基板配置段階と、
前記チャンバの内部で前記基板の上面にマスク部材を配置するマスク部材配置段階と、
前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを調整し、前記基板に形成された素子を覆う封止膜を形成する封止膜形成段階とを含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記封止膜形成段階は、
前記マスク部材を前記基板の上面に対して第1高さに配置する第1配置段階と、
前記第1高さに配置された前記マスク部材を用いて第1封止膜を形成する第1封止膜形成段階と、
前記マスク部材を前記基板に対して前記第1高さとは異なる第2高さに配置する第2配置段階と、
前記第2高さに配置された前記マスク部材を用いて前記第1封止膜を覆う第2封止膜を形成する第2封止膜形成段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記マスク部材は、前記第1高さに配置される第1マスク部材と、前記第2高さに配置される第2マスク部材とを含み、
前記第2マスク部材は、前記第2高さに配置された前記第1マスク部材であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記封止膜形成段階で前記マスク部材による蒸着面積が調整されるように前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを調整する高さ調整段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記高さ調整段階においては、前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを高くすることを特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。
- 基板処理システムにおいて、
チャンバと、
前記チャンバの内部に配置され、基板が載置されるサセプタと、
前記基板の上方に配置されるマスク部材と、
前記基板に対する前記マスク部材の配置高さを調整する制御部とを含み、
前記制御部により高さ調整された前記マスク部材を用いて前記基板に形成された素子を覆う封止膜を形成することを特徴とする基板処理システム。 - 前記制御部は、前記マスク部材を前記基板の上面に対して第1高さに配置するか又は前記基板に対して前記第1高さとは異なる第2高さに配置し、
前記マスク部材が前記第1高さに配置されたとき、前記素子を覆う第1封止膜が形成され、
前記マスク部材が前記第2高さに配置されたとき、前記第1封止膜を覆う第2封止膜が形成されることを特徴とする請求項6に記載の基板処理システム。 - 前記制御部は、前記第1高さで前記マスク部材を前記基板の上面に密着させることを特徴とする請求項7に記載の基板処理システム。
- 前記制御部は、前記第1高さで前記マスク部材を前記基板の上面から離隔させることを特徴とする請求項7に記載の基板処理システム。
- 前記マスク部材は、前記第1高さに配置される第1マスク部材と、前記第2高さに配置される第2マスク部材とを含み、
前記第2マスク部材は、前記第2高さに配置された前記第1マスク部材であることを特徴とする請求項7に記載の基板処理システム。 - 前記制御部は、前記基板に対する前記マスク部材の配置高さが徐々に高くなるように調整することにより、前記マスク部材による蒸着面積を調整することを特徴とする請求項6に記載の基板処理システム。
- 基板処理システムにおいて、
第1チャンバと、
前記第1チャンバの内部に配置され、前記第1チャンバで基板の上面に形成された素子を覆うように第1封止膜を形成する第1マスク部材と、
前記第1チャンバとは独立して備えられ、前記第1封止膜の上面に第2封止膜が形成される第2チャンバと、
前記第2チャンバとは独立して備えられる第3チャンバと、
前記第1マスク部材と同じマスクパターンが形成され、前記第3チャンバの内部に配置され、前記第3チャンバで前記第2封止膜の上面に第3封止膜を形成する第2マスク部材と、を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 前記第1マスク部材は、前記第1チャンバの内部で前記基板の上面に対して第1高さに配置され、
前記第2マスク部材は、前記第3チャンバの内部で前記第1高さより高い第2高さに配置されることを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。 - 前記素子は、有機発光ダイオード(OLED)であり、
前記第1封止膜は無機膜からなり、前記第2封止膜は有機膜からなり、前記第3封止膜は無機膜からなることを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。 - 前記第3チャンバとして前記第1チャンバを使用し、
前記第2封止膜が形成された後に前記第1チャンバに戻ってきた前記基板の上面に前記第3封止膜が形成されることを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。 - 基板処理方法において、
第1チャンバの内部で第1マスク部材を用いて基板の上面に形成された素子を覆うように第1封止膜を形成する第1封止膜形成段階と、
第2チャンバの内部で前記第1封止膜の上面に第2封止膜を形成する第2封止膜形成段階と、
第3チャンバの内部で前記第1マスク部材と同じマスクパターンが形成された第2マスク部材を用いて前記第2封止膜の上面に第3封止膜を形成する第3封止膜形成段階とを含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第1封止膜形成段階においては、前記第1マスク部材を前記基板の上面に対して第1高さに配置し、
前記第3封止膜形成段階においては、前記第2マスク部材を前記第1高さより高い第2高さに配置することを特徴とする請求項16に記載の基板処理方法。 - 前記第1封止膜形成段階においては、前記第1封止膜が前記素子を全体的に覆うように形成され、
前記第2封止膜形成段階においては、前記第2封止膜が前記第1封止膜の上面を部分的に覆うように形成され、
前記第3封止膜形成段階においては、前記第3封止膜が前記第2封止膜を全体的に覆うように形成されることを特徴とする請求項16に記載の基板処理方法。 - 前記素子は、有機発光ダイオード(OLED)であり、
前記第1封止膜は無機膜からなり、前記第2封止膜は有機膜からなり、前記第3封止膜は無機膜からなることを特徴とする請求項18に記載の基板処理方法。 - 前記第3封止膜形成段階においては、前記第3チャンバとして前記第1チャンバを使用し、前記第1チャンバに戻ってきた前記基板の上面に前記第3封止膜を形成することを特徴とする請求項16に記載の基板処理方法。
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