JP7446169B2 - 基板搬送装置、基板処理システム、基板搬送方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板搬送装置、基板処理システム、基板搬送方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体に関する。

有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、基板上に蒸着物質を成膜する成膜処理等、基板に対して所定の処理が実行される。このような処理が行われる際には、搬送ロボット等により基板が成膜装置等の各種の処理装置へと搬送される。特許文献１には、搬送ロボットが教示された搬送位置に基板を搬送することが開示されている。

特開２０１９－１５３７７５号公報

有機ＥＬディスプレイは、様々な成膜工程によって基板上に複数の層が形成されることで製造される。このとき、製造ラインの都合により、ある工程までは大型基板（マザーガラスとも称する）に対して処理を行い、その後その大型基板を切断して複数のより小さい基板に分割し、それ以降の工程では分割した基板に対して成膜等の処理を行う場合がある。例えば、スマートフォン用の有機ＥＬディスプレイの製造においては、バックプレーン工程（ＴＦＴ形成工程や陽極形成工程等）は第６世代の大型基板（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）に対して成膜処理等が行われる。その後、この大型基板を半分に切断し、第６世代のハーフカット基板（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）とし、その後の工程はこの第６世代のハーフカット基板に対して成膜等の処理が行われる。

このような場合、分割工程よりも後の工程に用いられる処理装置には、大型基板からの切り出し位置が異なる基板が順次搬入されることとなる。しかし、大型基板から切り出された基板においては、大型基板のどの部位から切り出されたかによって（例えば、マザーガラスの左側半分の部分なのか、あるいは右側半分の部分なのかによって）、サイズや剛性分布といった基板の特性が異なる場合がある。基板の特性が異なると、搬送ロボット等に基板が載置された状態で基板が搬送される際の基板の滑り方等に差異が生じ、処理装置に基板が搬入された際の基板の位置のばらつきを招く場合がある。

本発明は、大型基板から切り出された基板の搬送に関し、切り出し位置の相違による搬送位置のばらつきを抑制する技術を提供するものである。

本発明によれば、
大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を処理装置内の受け渡し位置へ搬送し、該処理装置に備えられた基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送手段と、
前記搬送手段を制御する制御手段と、を備える基板搬送装置であって、
前記搬送手段によって搬送される基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記基板情報に基づいて、前記搬送手段に前記基板を前記受け渡し位置へ搬送させ、
前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶手段をさらに有する、
ことを特徴とする基板搬送装置が提供される。

本発明によれば、大型基板から切り出された基板の搬送に関し、切り出し位置の相違による搬送位置のばらつきを抑制する技術を提供することができる。

電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。 一実施形態に係る成膜装置の概略図。 （Ａ）及び（Ｂ）は一実施形態に係る搬送装置の説明図。 大型基板とカット基板の例を示す図。 搬送ロボットが基板を成膜室に搬送した後の基板の目標位置からのずれを模式的に示す図。 搬送装置の処理部及び成膜装置の制御装置の処理例を示すフローチャート。 搬送装置の処理部の処理例を示すフローチャート。 （Ａ）は上位装置が管理する情報の例を示す図。（Ｂ）は記憶部が管理する情報の例を示す図。 （Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜電子デバイスの製造ライン＞
図１は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図１の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板１００が成膜ブロック３０１に順次搬送され、基板１００に有機ＥＬの成膜が行われる。

成膜ブロック３０１には、平面視で八角形の形状を有する搬送室３０２の周囲に、基板１００に対する成膜処理が行われる複数の成膜室３０３ａ～３０３ｄと、使用前後のマスクが収納されるマスク格納室３０５とが配置されている。搬送室３０２には、その内部に設けられる後述の搬送装置１５（基板搬送装置）が有する、基板１００を搬送する搬送ロボット１５１（搬送手段）が配置されている。換言すれば、成膜ブロック３０１は、搬送ロボット１５１の周囲を取り囲むように複数の成膜室３０３ａ～３０３ｄが配置されたクラスタ型の成膜ユニットである。なお、成膜室３０３ａ～３０３ｄを総称する場合、或いは、区別しない場合は成膜室３０３と表記する。

基板１００の搬送方向（矢印方向）で、成膜ブロック３０１の上流側、下流側には、それぞれ、バッファ室３０６、旋回室３０７、受渡室３０８が配置されている。製造過程において、各室は真空状態に維持される。なお、図１においては成膜ブロック３０１を１つしか図示していないが、本実施形態に係る製造ラインは複数の成膜ブロック３０１を有しており、複数の成膜ブロック３０１が、バッファ室３０６、旋回室３０７、受渡室３０８で構成される連結装置で連結された構成を有する。なお、連結装置の構成はこれに限定はされず、例えばバッファ室３０６又は受渡室３０８のみで構成されていてもよい。

搬送ロボット１５１は、上流側の受渡室３０８から搬送室３０２への基板１００の搬入、成膜室３０３間での基板１００の搬送、マスク格納室３０５と成膜室３０３との間でのマスクの搬送、及び、搬送室３０２から下流側のバッファ室３０６への基板１００の搬出、を行う。

バッファ室３０６は、製造ラインの稼働状況に応じて基板１００を一時的に格納するための室である。バッファ室３０６には、複数枚の基板１００を基板１００の被処理面（被成膜面）が重力方向下方を向く水平状態を保ったまま収納可能な多段構造の基板収納棚（カセットとも呼ばれる）と、基板１００を搬入又は搬出する段を搬送位置に合わせるために基板収納棚を昇降させる昇降機構とが設けられる。これにより、バッファ室３０６には複数の基板１００を一時的に収容し、滞留させることができる。

旋回室３０７は基板１００の向きを変更する装置を備えている。本実施形態では、旋回室３０７は、旋回室３０７に設けられた搬送ロボット（不図示）によって基板１００の向きを１８０度回転させる。旋回室３０７に設けられた搬送ロボットは、バッファ室３０６で受け取った基板１００を支持した状態で１８０度旋回し受渡室３０８に引き渡すことで、バッファ室３０６内と受渡室３０８とで基板の前端と後端が入れ替わる。これにより、成膜室３０３に基板１００を搬入する際の向きが、各成膜ブロック３０１で同じ向きになるため、基板１００に対する成膜のスキャン方向やマスクの向きを各成膜ブロック３０１において一致させることができる。このような構成とすることで、各成膜ブロック３０１においてマスク格納室３０５にマスクを設置する向きを揃えることができ、マスクの管理が簡易化されユーザビリティを高めることができる。

製造ラインの制御系は、ホストコンピュータとしてライン全体を制御する上位装置３００と、各構成を制御する制御装置１４ａ～１４ｄ、３０９、３１０とを含み、これらは有線又は無線の通信回線３００ａを介して通信可能である。制御装置１４ａ～１４ｄは、成膜室３０３ａ～３０３ｄに対応して設けられ、後述する成膜装置１を制御する。なお、制御装置１４ａ～１４ｄを総称する場合、或いは、区別しない場合は制御装置１４と表記する。

制御装置３０９は、搬送装置１５が有する搬送ロボット１５１を制御する。制御装置３１０は旋回室３０７の装置を制御する。上位装置３００は、基板１００に関する情報や搬送タイミング等の指示を各制御装置１４、３０９、３１０に送信し、各制御装置１４、３０９、３１０は受信した指示に基づき各構成を制御する。

＜成膜装置の概要＞
図２は本発明の一実施形態に係る成膜装置１の概略図である。成膜装置１は、基板１００に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク１０１を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置１で成膜が行われる基板１００の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの物質である。成膜装置１は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置１が真空蒸着によって基板１００に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやＣＶＤ等の各種成膜方法を適用可能である。なお、各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。

成膜装置１は、箱型の真空チャンバ３を有する。真空チャンバ３の内部空間３ａは、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。本実施形態では、真空チャンバ３は不図示の真空ポンプに接続されている。なお、本明細書において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。真空チャンバ３の内部空間３ａには、基板１００を水平姿勢で支持する基板支持ユニット６、マスク１０１を支持するマスク台５、成膜ユニット４、プレートユニット９が配置される。マスク１０１は、基板１００上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、マスク台５の上に固定されている。マスク１０１としては、枠状のマスクフレームに数μｍ～数十μｍ程度の厚さのマスク箔が溶接固定された構造を有するマスクを用いることができる。マスク１０１の材質は特に限定はされないが、インバー材などの熱膨張係数の小さい金属を用いることが好ましい。成膜処理は、基板１００がマスク１０１の上に載置され、基板１００とマスク１０１とが互いに重ね合わされた状態で行われる。

プレートユニット９は、成膜時に基板１００を冷却する冷却プレート１０と、磁力によってマスク１０１を引き寄せ基板１００とマスク１０１とを密着させる磁石プレート１１と、を備える。プレートユニット９は、例えばボールねじ機構等を備えた昇降ユニット１３によりＺ方向に昇降可能に設けられている。

成膜ユニット４は、ヒータ、シャッタ、蒸発源の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成され、蒸着物質を基板１００に蒸着する蒸着源である。より具体的には、本実施形態では、成膜ユニット４は複数のノズル（不図示）がＸ方向に並んで配置され、それぞれのノズルから蒸着材料が放出されるリニア蒸発源である。成膜ユニット４は、蒸発源移動機構（不図示）によってＹ方向（成膜室３０３と搬送室３０２の接続部から遠ざかる方向）に往復移動される。

また、成膜装置１は、基板１００とマスク１０１とのアライメントを行うアライメント装置２を備える。概略として、アライメント装置２は、カメラ（撮像装置）７、８により基板１００及びマスク１０１に形成されたアライメントマークを検知し、この検知結果に基づいて基板１００とマスク１０１との相対位置を調整する。カメラ７、８は、真空チャンバ３の上壁の上方に配置され、上壁に形成された窓部（不図示）を介して真空チャンバ３内の画像を撮像可能である。カメラ７、８は、真空チャンバ３内に配置された基板１００に設けられた基板アライメントマークとマスク１０１に設けられたマスクアライメントマークとを撮像する。得られた画像を不図示の画像処理手段によって処理することによって、基板１００とマスク１０１の位置情報を取得することができる。カメラ７、８は基板１００とマスク１０１の位置情報を取得する、位置情報取得手段ともいえる。

アライメント装置２は、基板１００の周縁部を支持する基板支持ユニット６を備える。基板支持ユニット６は、互いにＸ方向に離間して設けられ、Ｙ方向に延びる一対のベース部６２と、ベース部６２から内側へ突出した複数の爪状の載置部６１を備える。なお、載置部６１は「受け爪」又は「フィンガ」とも呼ばれることがある。複数の載置部６１は一対のベース部６２のそれぞれに間隔を置いて配置されている。載置部６１には基板１００の周縁部の長辺側の部分が載置される。ベース部６２は複数の支柱６４を介して梁部材２２２に吊り下げられている。

本実施形態のようにベース部６２がＸ方向に離間して一対に基板１００の短辺側にベース部６２が形成されない構成により、搬送ロボット１５１が載置部６１へと基板を受け渡す際の、搬送ロボット１５１とベース部６２との干渉を抑制することができる。これにより、基板１００の搬送及び受け渡しの効率を向上させることができる。しかしながら、ベース部６２は、基板１００の周縁部全体を囲うような矩形枠状であってもよい。また、ベース部６２は、部分的に切り欠きがある矩形枠状であってもよい。部分的に切り欠きがある矩形枠状とすることにより、搬送ロボット１５１が載置部６１へと基板を受け渡す際の、搬送ロボット１５１とベース部６２との干渉を抑制することができ、基板１００の搬送及び受け渡しの効率を向上させることができる。

基板支持ユニット６は、また、クランプユニット６３を備える。クランプユニット６３は、複数のクランプ部６６を備える。各クランプ部６６は各載置部６１に対応して設けられており、クランプ部６６と載置部６１とで基板１００の周縁部を挟んで保持することが可能である。基板１００の支持態様としては、このようにクランプ部６６と載置部６１とで基板１００の周縁部を挟んで保持する態様の他、クランプ部６６を設けずに載置部６１に基板１００を載置するだけの態様を採用可能である。

また、アライメント装置２は、基板支持ユニット６により周縁部が支持された基板１００と、マスク１０１との相対位置を調整する調整ユニット２０を備える。調整ユニット２０は、カメラ７、８の検知結果等に基づいて基板支持ユニット６をＸ－Ｙ平面上で変位することにより、マスク１０１に対する基板１００の相対位置を調整する。本実施形態では、マスク１０１の位置を固定し、基板１００を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク１０１を変位させて調整してもよく、或いは、基板１００とマスク１０１の双方を変位させてもよい。

また、アライメント装置２は、基板支持ユニット６を昇降することで、基板支持ユニット６によって周縁部が支持された基板１００とマスク１０１とを基板１００の厚み方向（Ｚ方向）に接近及び離隔（離間）させる接離ユニット２２を備える。換言すれば、接離ユニット２２は、基板１００とマスク１０１とを重ね合わせる方向に接近させることができる。接離ユニット２２としては、例えばボールねじ機構を採用した電動アクチュエータ等が用いられてもよい。

＜搬送装置＞
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、搬送装置１５の説明図であり、図３（Ａ）は受渡室３０８から基板１００を搬出する際の状態を示す図、図３（Ｂ）は搬送装置１５の構成を模式的に示す側面図である。搬送装置１５は、大型基板から切り出された基板を処理装置に搬送する搬送ロボット１５１を有する。搬送ロボット１５１は、水平多関節ロボットであり、本体部１５１１と、第１アーム１５１２と、第２アーム１５１３と、ロボットハンド１５１４とを含む。

本体部１５１１は、搬送ロボット１５１の土台部分を構成し、例えば搬送室３０２の底面に設置される。より具体的には、本体部１５１１はフランジ部１５１１ｃを有する有底円筒形状のケース体１５１１ｄを有し、搬送室３０２の底面を構成するチャンバ壁３０２ａに設けられた開口部にフランジ部１５１１ｃを介して固定される。本体部１５１１は、第１アーム１５１２の一端を回動可能に支持する昇降部１５１１ｂと、昇降部１５１１ｂを昇降可能な昇降機構１５１１ａを有する。昇降機構１５１１ａおよび昇降部１５１１ｂは、ケース体１５１１ｄの内部に配置される。昇降機構１５１１ａは、例えば、ボールねじ機構によって構成されてもよい。この場合、昇降機構１５１１ａは、ねじ軸と、このねじ軸と螺合するように構成されたボールナットと、ねじ軸を回転させるモータを含み（何れも不図示）、モータの駆動力によりねじ軸が回転することでボールナットとブラケットで接続された昇降部１５１１ｂを昇降させる。

昇降部１５１１ｂには、本体部１５１１に対して第１アーム１５１２を回動させるためのモータ１５１１ｅが取り付けられている。また、昇降部１５１１ｂには、第１アーム１５１２の基端側が固定される中空回転軸（不図示）と、中空回転軸を回動可能に支持する円筒状の保持部材（不図示）と、を備える。モータ１５１１ｅが回転すると、中空回転軸を介してモータ１５１１ｅの動力が第１アーム１５１２に伝達されて、第１アーム１５１２が回動する。また、第１アーム１５１２は、ベース部１５１１が接続する端部と反対側の端部において第２アームと接続する。第２アーム１５１３は、モータ１５１３ａを駆動源として、その一端部が第１アーム１５１２に対して重力方向に延びる軸回りに回動可能に設けられる。また、第２アームは、第１アーム１５１２と接続する端部と反対側の端部においてロボットハンド１５１４と接続する。

ロボットハンド１５１４は、第２アーム１５１３の先端側に回動可能に連結されるハンド基部１５１４ａと、基板１００及びマスク１０１が搭載される４本のハンドフォーク１５１４ｂ（載置部）とを有する。ロボットハンド１５１４は、モータ１５１４ｃを駆動源として、第２アーム１５１３に対して重力方向に延びる軸回りに回動可能である。４本のハンドフォーク１５１４ｂのうちの２本のハンドフォーク１５１４ｂは、互いに所定の間隔をあけた状態で平行に配置されている。この２本のハンドフォーク１５１４ｂは、ハンド基部１５１４ａから水平方向の一方側へ突出するようにハンド基部１５１４ａに固定されている。残りの２本のハンドフォーク１５１４ｂは、ハンド基部１５１４ａから水平方向の一方側へ突出する２本のハンドフォーク１５１４ｂと反対側に向かってハンド基部１５１４から突出するようにハンド基部１５１４に固定されている。

なお、上述の搬送ロボット１５１の構成は例示であって、適宜周知の技術を採用可能である。例えば、搬送ロボット１５１は垂直多関節型のロボットであってもよい。また、ロボットハンド１５１４は、基板１００等が載置されることで支持する構成に限らず、基板１００の端部を把持したり基板１００を吸着したりすることにより基板１００を保持する構成であってもよい。

制御装置３０９は、搬送装置１５の全体を制御する。さらに言えば、制御装置３０９は、搬送ロボット１５１を制御する。制御装置３０９は、処理部３０９１（制御手段）、記憶部３０９２、入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）３０９３及び通信部３０９４を備える。

処理部３０９１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサであり、記憶部３０９２に記憶されたプログラムを実行して搬送装置１５を制御する。記憶部３０９２は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive)等の記憶デバイス（記憶手段）であり、処理部３０９１が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。Ｉ／Ｏ（Input/Output）３０９３は、処理部３０９１と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部３０９４は通信回線３００ａを介して上位装置３００又は他の制御装置１４、３１０等と通信を行う通信デバイスであり、処理部３０９１は通信部３０９４を介して上位装置３００等から情報を受信し、或いは、上位装置３００等へ情報を送信する。なお、制御装置３０９、１４、３１０や上位装置３００の全部又は一部がＰＬＣ（Programmable Logic Controller）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）で構成されてもよい。

＜基板＞
本実施形態の基板１００は、大型基板から切り出されたカット基板である。図４は大型基板とカット基板の例を示す図である。大型基板ＭＧは、第６世代フルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）のマザーガラスであり、矩形形状を有している。大型基板ＭＧの一部の角部には、大型基板ＭＧの向きを特定するためのオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。

なお、ここでは大型基板ＭＧの４つの角部のうちの１つの角部のみが切り落とされてオリエンテーションフラットＯＦが形成されている例を示したが、これに限定はされず、４つの角部全てが切り落とされているものの、１つの角部が他に比べて大きく切り落とされることで、オリエンテーションフラットＯＦが形成されてもよい。この場合には、他の角部と異なる形状に切り落とされている部分を、オリエンテーションフラットＯＦと捉えることができる。

上述の通り、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬディスプレイの製造においては、バックプレーン工程（ＴＦＴ形成工程や陽極形成工程等）は第６世代フルサイズの大型基板ＭＧに対して成膜処理等が行われる。その後、この大型基板ＭＧが半分に切断され（切り出し工程）、切断して得られた第６世代のハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板１００が、本実施形態に係る製造ラインのうちの有機層の成膜を行う成膜ブロック３０１へと搬入される。成膜ブロック３０１に搬入される基板１００は、大型基板ＭＧから切り出して得られた２種類の分割基板のいずれかであり、本実施形態においては基板１００Ａ又は基板１００Ｂである。大型基板ＭＧは、その一辺である基準辺から距離Ｌの位置の切断線ＣＴＬで切断され、基板１００Ａと基板１００Ｂとが得られる。図１に例示した製造ラインにおいては、基板１００Ａと基板１００Ｂとが混在して、基板１００として搬送され、各種の処理が行われる。

なお、ここでは大型基板ＭＧを半分に切断するものとしたが、これに限定はされず、大型基板ＭＧを切断して、略同じ大きさの複数の基板に分割すればよい。例えば、大型基板ＭＧを４分割して４つの基板１００とし、これを成膜ブロック３０１に搬入するようにしてもよい。

基板１００Ａと基板１００Ｂとはサイズや剛性分布といった基板の特性が異なる場合がある。例えば、基板１００Ａは短辺の長さがＬに採寸された基板となるが、基板１００Ｂは短辺の長さが採寸されておらず、基板１００Ａと基板１００Ｂとでは短辺の長さが異なる場合がある。また、基板１００ＢにはオリエンテーションフラットＯＦがあるが、基板１００Ａにはこれがない。切断面における残留応力の大きさが、基板１００Ａと基板１００Ｂとで異なる場合もある。また、切断面の位置が、基板１００Ａでは右辺であり基板１００Ｂでは左辺であり、部位が異なる。こうした基板の特性の相違は、基板搬送時の基板１００の挙動に影響する場合がある。

図５は、搬送ロボット１５１が基板１００を成膜室３０３に搬送した後の基板１００の目標位置からのずれを模式的に示す図である。本実施形態では、搬送ロボット１５１は、ロボットハンド１５１４のハンドフォーク１５１４ｂ上に基板１００を載置した状態で、基板を搬送する。このため、搬送時には、基板１００がハンドフォーク１５１４ｂに対して滑ることがある。この場合、搬送ロボット１５１自体は成膜装置１内の載置部６１に対して同じ相対位置で基板１００を受け渡したとしても、載置部６１に載置された基板１００は目標とする搬送位置からずれてしまう場合がある（ずれ量Ａｘ及びＡｙ）。そして、上述の基板の特性の相違により、基板１００Ａと基板１００Ｂとでこのずれ量Ａｘ，Ａｙの傾向が異なる場合もある。つまり、基板１００Ａと基板１００Ｂとで、搬送ロボット１５１による成膜装置１への受け渡し位置が異なる場合がある。一方、載置部６１に載置された基板１００に対しては、その後アライメント装置２によるアライメントが実行される。しかし、基板１００Ａと基板１００Ｂとで受け渡し位置にずれが生じている場合、アライメントに時間を要したり、アライメントの精度が低下したりしてしまうことがある。

そこで、本実施形態では以下に説明するように、基板１００が切り出された大型基板ＭＧの部位に応じた基板の搬送制御を行う。

＜制御例＞
制御装置３０９の処理部３０９１が実行する搬送装置１５の制御例及び制御装置１４が実行する成膜装置１の制御例について説明する。図６は、処理部３０９１及び制御装置１４の処理例を示すフローチャートであり、図７は処理部３０９１の処理例を示すフローチャートである。本フローチャートは、例えば、処理部３０９１が上位装置３００から基板１００の搬送指示を受けたことに基づいて開始する。

ステップＳ１（以下、単にＳ１と称する。他のステップについても同様とする。）で、処理部３０９１は、これから搬送する基板１００の基板情報を取得する（取得工程）。本実施形態では、基板情報は、基板１００の、分割される前の大型基板ＭＧにおける相対位置に関する情報を含む。この情報は、換言すれば、基板１００が切り出された大型基板ＭＧの部位に関する部位情報であり、「切り出し情報」や「カット情報」とも呼ばれ得る。このように、処理部１４１は、基板１００の、分割前の大型基板ＭＧにおける部位に関するに関する基板情報を取得する取得手段としての機能を有する。本実施形態では、図４において、大型基板ＭＧの切断線ＣＴＬの左側の部位に対応し、カット位置が図面右側となる基板１００ＡをＡカット、大型基板ＭＧの切断線ＣＴＬの右側の部位に対応し、カット位置が図面左側となる基板１００ＢをＢカットとする。処理部３０９１は、搬送する基板１００がＡカットであるかＢカットであるかを基板情報として取得する。

また、本実施形態では、基板情報は、基板１００のその他の情報と関連付けて上位装置３００により管理されている。図８（Ａ）は、上位装置３００が管理する情報の例を示している。本実施形態では、上位装置３００は、各基板１００を識別するための識別情報と、その基板１００の基板情報（基板１００Ａか基板１００Ｂか）と、搬送ルート情報とを対応付けて記憶している。そして、上位装置３００が基板１００の処理を制御装置３０９等に指示する場合、識別情報と基板情報を指示先の制御装置３０９等に送信する。つまり、Ｓ１では、処理部３０９１は、通信部３０９４を介して上位装置３００から基板１００に関する情報を受信することで基板情報を取得する。なお、上位装置３００は、例えば大型基板ＭＧを切断する切断装置（基板分割装置）や製造ラインにおいて成膜装置１よりも上流側に配置されている他の装置、あるいは製造ラインの外部の装置から基板情報を取得してもよいし、製造ラインのオペレータの入力を受け付け、オペレータの入力によって基板情報を取得するようにしてもよい。

Ｓ２で、処理部３０９１は、基板１００の受け渡し位置を設定する。本実施形態では、搬送装置１５は、成膜ブロック３０１内の各成膜室３０３に設けられる成膜装置１ごとに受け渡し位置に関する位置情報を記憶部３０９２に記憶している。処理部３０９１は、上位装置３００から取得した搬送ルート情報に基づいて搬送先の成膜装置１を確認し、その成膜装置１に対応する位置情報に基づいて基板１００の受け渡し位置を設定する。受け渡し位置に関する位置情報は、例えば成膜ブロック３０１全体における固定座標系や成膜装置１における固定座標系の座標情報であってもよいし、搬送ロボット１５１の制御パラメータであってもよい。搬送ロボット１５１の制御パラメータは、例えば搬送ロボット１５１の各部を駆動する各モータの出力電流、出力電圧等であってもよいし、各モータの回転角度を検知するロータリエンコーダの目標値等であってもよい。

Ｓ３で、処理部３０９１は、Ｓ２で設定した基板１００の受け渡し位置を、Ｓ１で取得した基板情報に基づいて補正する。図８（Ｂ）は記憶部３０９２が管理する情報の例を示す図である。本実施形態の場合、記憶部３０９２は、基板情報受け渡し位置を補正するための受け渡し位置補正情報としての受け渡し位置オフセット量と基板情報とを対応付けて記憶している。処理部３０９１は、Ｓ１で取得した基板情報に対応する受け渡し位置オフセット量を記憶部３０９２から読み出し、読み出したオフセット量に従って基板１００の受け渡し位置を補正する。ある側面から見れば、処理部３０９１は、Ｓ２で搬送先の受け渡し位置の基準値を設定し、Ｓ３で基板情報に基づいて受け渡し位置を基準値からオフセットさせている。なお、オフセット量は、例えばＸ方向及びＹ方向についての基準値からの相対的な距離であってもよいし、搬送ロボット１５１の制御パラメータ等であってもよい。

なお、この基板情報ごとのオフセット量は、例えば、搬送ロボット１５１を製造ラインに設置する際など実行される、基板１００の搬送軌跡や受け渡し位置を教示するためのティーチング作業時に設定されてもよい。例えば、ティーチング作業時に、搬送ロボット１５１を成膜装置１内の受け渡し位置に移動させた際の、搬送ロボット１５１に載置された基板１００の目標位置からのずれ量を基板１００の種類（Ａカット、Ｂカット）ごとに測定してもよい。そして、その測定結果に基づいて、基板１００の種類ごとに目標位置からのずれが相殺されるように、基板情報ごとに異なるオフセット量が設定されてもよい。

受け渡し位置補正情報を設定する際に用いる、搬送ロボット１５１を成膜装置１内の受け渡し位置に移動させた際の基板１００の目標位置からのずれ量は、成膜装置１のカメラ７又は８を用いて測定するようにしてもよい。例えば、搬送ロボット１５１を成膜装置１内の受け渡し位置に移動させた後に（Ｓ１～Ｓ５の後に）、基板１００に形成された基板アライメントマークや基板１００の端部や角部をカメラ７又は８によって検出し、基板１００の位置情報を取得する。そして、取得した基板１００の位置情報と目標位置とに基づいて、実際に搬送した後の基板１００の位置と目標位置との間のずれ量を取得する。なお、受け渡し位置への搬送後の基板１００の位置情報の取得は、基板１００が搬送ロボット１５１に支持された状態で行ってもよいし、基板支持ユニット６への受け渡しが完了した後に基板１００が基板支持ユニット６に支持された状態で行ってもよい。受け渡し位置への搬送後の基板１００の位置情報の取得は、Ｓ６においてアライメント装置２による基板１００とマスク１０１のアライメントを行う際のカメラ７又は８による計測を兼ねていてもよい。

このように、搬送ロボット１５１を成膜装置１内の受け渡し位置に移動させた際の基板１００の目標位置からのずれ量を成膜装置１のカメラ７又は８を用いて測定するようにすれば、目標位置からのずれ量を測定するための測定手段を別途設ける必要が無いため装置構成を簡略化できる。また、ティーチング作業時のみならず、製造ラインの稼働中にもオフセット量の更新ができるようになるため、環境の変化や装置の経時的な変化による搬送ずれの変動にもタイムリーに対応することができ、搬送精度を維持することができる。なお、カメラ７又は８を用いて測定された基板１００の位置情報に基づいてオフセット量を更新するものとしたが、これに限定はされず、上記のずれを相殺するように受け渡し位置の位置情報を直接更新するようにしてもよい。

Ｓ４で、処理部３０９１は、基板搬送動作を行う（制御手段）。具体的には、処理部３０９１は、搬送ロボット１５１を制御して、Ｓ２及びＳ３で設定した受け渡し位置まで基板１００を搬送し、基板１００を載置する。ある側面から見れば、処理部３０９１は、Ｓ２～Ｓ４により、取得した基板情報に基づいて、搬送ロボット１５１に基板１００を受け渡し位置へ搬送させる。Ｓ５で、処理部３０９１は基板搬送動作が終了した旨の搬送終了通知を、受け渡し先の成膜装置１の制御装置１４及び／又は上位装置３００に対して送信する。以上により搬送装置１５側の処理が終了する。

成膜装置１の制御装置１４は、搬送終了通知を受信すると、Ｓ６でアライメント装置２による基板１００とマスク１０１のアライメントを行う。なお、詳細な説明は省略するが、アライメントの方法としては周知の技術を採用可能である。

Ｓ７で、成膜装置１の制御装置１４は、アライメントの終了後、成膜処理を実行する。ここでは成膜ユニット４によりマスク１０１を介して基板１００の下面に薄膜が形成される。成膜処理が終了するとステップＳ８で制御装置１４は成膜が終了した旨の成膜終了通知を搬送装置１５の制御装置３０９及び／又は上位装置３００に対して送信する。以上により成膜装置１側の処理が終了する。

なお、成膜終了通知を受信した処理部３０９１は、上位装置３００が管理する搬送ルート情報を参照し、基板１００の次の搬送先が成膜ブロック３０１内の別の成膜室３０３内の成膜装置１である場合、再びＳ１から処理を繰り返してもよい。また、処理部３０９１は、次の搬送先がバッファ室３０６の場合にも、基板情報に基づいて基板１００の受け渡し位置を変更してもよい。

図７は、Ｓ３で示す受け渡し位置補正の具体例を示すフローチャートである。

Ｓ３１で、処理部３０９１は、Ｓ１で取得した基板情報を確認し、ＡカットであればＳ３２に進み、ＢカットであればＳ３３に進む。Ｓ３２で、処理部３０９１は、図８（Ｂ）で示される基板情報と受け渡し位置オフセット量との関係に基づいて、オフセット量（Δｘ＝ｘ１，Δｙ＝ｙ１）を取得する。Ｓ３３で、処理部３０９１は、図８（Ｂ）で示される基板情報と受け渡し位置オフセット量との関係に基づいて、オフセット量（Δｘ＝ｘ２，Δｙ＝ｙ２）を取得する。Ｓ３４で、処理部３０９１は、Ｓ３２又はＳ３３で取得したオフセット量に基づいてＳ２で設定した受け渡し位置を補正する。これにより、基板１００がＡカットの場合とＢカットの場合とで受け渡し位置が変更される。

なお、ｘ１及びｘ２の関係並びにｙ１及びｙ２の関係は特に限定されない。例えば、ＡカットとＢカットとでオフセット量Δｘ，Δｙがそれぞれ異なっていてもよい（ｘ２≠ｘ１かつｙ２≠ｙ１）。また、ＡカットとＢカットとでオフセット量Δｘ，Δｙのいずれかが異なっていてもよい。例えば、ｘ２≠ｘ１かつｙ２＝ｙ１であってもよいし、ｘ２＝ｘ１かつｙ２≠ｙ１であってもよい。

あるいは、ＡカットとＢカットとのオフセット量Δｘ，Δｙが同じ（ｘ２＝ｘ１かつｙ２＝ｙ１）となる場合があってもよい。すなわち、本実施形態では記憶部３０９２は、Ａカットに対応するオフセット量とＢカットに対応するオフセット量とをそれぞれ記憶しているが、これらの値が同じ値になる場合があってもよい。さらに言えば、記憶部３０９２が基板情報に対応付けて受け渡し位置オフセット量を区別して記憶し、基板１００を受け渡す際には記憶してある複数の受け渡し位置オフセット量のいずれかを基板情報に応じて選択して用いるようにすれば、受け渡し位置オフセット量の具体的な値は特に限定はされない。なお、例えば、ある基板を処理する際に基板１００がＡカットの場合とＢカットの場合とで受け渡し位置オフセット量が同じ値であったとしても、基板を何枚か処理した後には上述のように受け渡し位置オフセット量が再設定又は更新される場合もあるため、常に同じ値であるとは限らない。

以上説明したように、本実施形態では、処理部３０９１は基板情報に基づいて、搬送ロボット１５１に基板１００を受け渡し位置へ搬送させる。これにより、大型基板から切り出された基板の搬送に関し、切り出し位置の相違による搬送位置のばらつきを抑制することができる。さらに言えば、本実施形態では、大型基板からの切り出し位置が異なる基板１００Ａと基板１００Ｂとで異なる受け渡し位置が設定される。したがって、大型基板からの切り出し位置が異なることにより基板の特性が相違し、この特性の相違が基板搬送時の基板１００の挙動に影響する場合であっても搬送位置のばらつきを抑制することができる。

また、本実施形態では、基板支持ユニット６の載置部６１に対する基板１００の位置調整を行うにあたって、基板支持ユニット６ではなく搬送ロボット１５１を動作させている。したがって、成膜ユニット４と基板支持ユニット６との相対的な位置関係を維持したまま載置部６１に対する基板１００の位置調整が実行される。よって、基板１００が載置部６１に載置された後に、成膜ユニット４と基板支持ユニット６との位置調整を都度実行する必要がないため、作業時間を短縮することができる。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図１に例示した成膜ブロック３０１が、製造ライン上に、例えば、３か所、設けられる。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図９（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図９（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。

図９（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。

なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。

図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図９（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。

なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。

図９（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。

赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。

なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。

第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層５９の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層５９の形成後に、基板５３を分割する分割工程が実行される。

絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜室３０３に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。

次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜室３０３に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。

赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜室３０３において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜室３０３において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜室３０３において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜室３０３に移動し、第２電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜室３０３～第６の成膜室３０３では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜室３０３における第２電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２電極５８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。

ここで、第１の成膜室３０３～第６の成膜室３０３での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板５３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板５３を載置して成膜が行われる。ここで、各成膜室において行われるアライメント工程は、上述のアライメント工程の通り行われる。

＜他の実施形態＞
上記実施形態では、搬送装置１５が成膜装置１に基板１００を搬送した。しかし、搬送装置１５が成膜以外の処理を行う処理装置に基板１００を搬送する際に上述の処理（Ｓ１～Ｓ５）を実行してもよい。成膜以外の処理を行う処理装置としては、上述の封止装置等が挙げられる。

また、上記実施形態では、上位装置３００が各基板１００の識別情報、基板情報及び搬送ルート情報を対応付けて記憶し、搬送装置１５の記憶部３０９２が基板情報と受け渡し位置オフセット量を対応付けて記憶している。しかしながら、これらの情報を上位装置３００が一括で管理してもよい。

また、受け渡し位置のオフセット量は、成膜ブロック３０１内の成膜装置１ごとにそれぞれ設けられていてもよい。すなわち、オフセット量が、基板情報及び成膜装置１に基づいて設定されてもよい。しかしながら、オフセット量が基板情報にのみに対応し、基板情報が同一であれば各成膜装置１で同じオフセット量が用いられる構成も採用可能である。

また、上記実施形態では、処理部３０９１は、受け渡し位置の基準値を設定した上で、基板情報に基づいて受け渡し位置をオフセットさせていた。しかしながら、複数の基板情報（上記実施形態ではＡカット及びＢカット）に対して複数の受け渡し位置の位置情報がそれぞれ対応付けられた情報が記憶部３０９２に記憶されてもよい。換言すれば、基板の切り出し位置に起因する搬送ずれを加味して予め補正された受け渡し位置の位置情報を、情報に対して対応付けて記憶部３０９２に記憶しておいてもよい。そして、処理部３０９１は、取得した基板情報に対応する位置情報を読み出し、読み出した位置情報に従った受け渡し位置で基板１００が受け渡されるように、搬送ロボット１５１を制御してもよい。つまり、基板情報に対応付けられる情報は、受け渡し位置の基準値からのオフセット量に限らず、受け渡し位置自体の位置情報、例えば成膜ブロック３０１全体における固定座標系や成膜装置１における固定座標系の座標情報等であってもよい。

また、上記実施形態では、処理部３０９１が基板情報を上位装置３００から通信により取得した（Ｓ１）。しかし、処理部３０９１による基板情報の取得は他の態様であってもよい。例えば、搬送装置１５がオリエンテーションフラットＯＦの有無を検知可能なカメラ等の検知装置を備え、処理部３０９１はその検知結果に基づいて基板情報を取得してもよい。また、例えば基板情報を示すバーコード等の識別子を各基板１００に付与しておき、識別子を読み取ることで処理部３０９１が基板情報を取得してもよい。

なお、上記実施形態では、成膜室３０３内の成膜装置１、は基板支持ユニット６及びマスク台５等を含んで構成される基板ステージを１つ有しているといえるが、成膜装置１が２つ以上の基板ステージを有していてもよい。これにより、一方の基板ステージにある基板１００に対して成膜ユニット４が成膜を行っている間に他方の基板ステージに基板１００を搬入し、アライメント装置２によるアライメント等を行うことができ、作業効率を向上することができる。そして、このような構成において、記憶部３０９２が基板情報に基づくオフセット量を基板ステージごとに記憶してもよい。処理部３０９１は、基板情報及び基板１００が載置されている基板ステージに基づいて受け渡し位置が変更されるように搬送ロボット１５１を制御してもよい。

また、上記実施形態では、基板情報と基板１００の識別情報とが関連付けられて上位装置３００により管理されているとしたが、基板１００の識別情報自体に基板情報が含まれていてもよい。例えば、識別情報を構成する文字列等に、基板情報を表す部分が含まれていてもよい。この場合、処理部３１１１は、上位装置３００から受信した基板１００の識別情報から基板情報を取得することができる。

本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１ 成膜装置、１５ 搬送装置（基板搬送装置）、１５１ 搬送ロボット（搬送手段）、３０９１ 処理部（取得手段、制御手段）、３０９２ 記憶部（記憶手段）、１００ 基板、１０１ マスク

Claims (17)

1. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を処理装置内の受け渡し位置へ搬送し、該処理装置に備えられた基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送手段と、
   前記搬送手段を制御する制御手段と、を備える基板搬送装置であって、
   前記搬送手段によって搬送される基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
   前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記基板情報に基づいて、前記搬送手段に前記基板を前記受け渡し位置へ搬送させ、
   前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶手段をさらに有する、
   ことを特徴とする基板搬送装置。
2. 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記基板情報と、前記記憶手段に前記基板情報と対応付けて記憶されている前記補正情報と、に基づいて、前記受け渡し位置を基準位置から補正して、前記搬送手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
3. 前記補正情報はオフセット量であり、
   前記制御手段は、
   前記取得手段により取得された前記基板情報に応じた前記オフセット量を前記記憶手段から読み出し、
   読み出した前記オフセット量に従って前記受け渡し位置が前記基準位置からオフセットするように、前記搬送手段を制御する、
   ことを特徴とする請求項２に記載の基板搬送装置。
4. 複数の前記受け渡し位置の位置情報を、複数の前記基板情報とそれぞれ対応付けて記憶する位置情報記憶手段をさらに有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
5. 前記制御手段は、
   前記取得手段により取得された前記基板情報に対応する前記受け渡し位置の情報を前記位置情報記憶手段から読み出し、
   読み出した前記受け渡し位置の情報に従った前記受け渡し位置で前記基板が受け渡されるように、前記搬送手段を制御する、
   ことを特徴とする請求項４に記載の基板搬送装置。
6. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を処理装置内の受け渡し位置へ搬送し、該処理装置に備えられた基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送手段と、
   前記搬送手段を制御する制御手段と、を備える基板搬送装置であって、
   前記搬送手段によって搬送される基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段と、
   前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶手段と、を備え、
   前記制御手段は、前記補正情報に基づいて、前記取得手段により取得された前記基板情報によって異なる前記受け渡し位置へ、前記搬送手段に前記基板を搬送させる、
   ことを特徴とする基板搬送装置。
7. 前記処理装置が蒸着装置であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の基板搬送装置。
8. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段を有し、前記基板支持手段によって支持された前記基板を処理する処理装置と、
   前記基板を前記処理装置内の受け渡し位置に搬送し、前記基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送手段と、
   前記搬送手段を制御する制御手段と、を備える基板処理システムであって、
   前記搬送手段によって搬送される基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得手段を備え、
   前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記基板情報に基づいて、前記搬送手段に前記基板を前記受け渡し位置へ搬送させ、
   前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶手段をさらに有する、
   ことを特徴とする基板処理システム。
9. 前記処理装置は、前記処理装置内における前記基板の位置情報を取得する位置情報取得手段をさらに有し、
   前記位置情報取得手段により取得された前記基板の位置情報に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記補正情報を更新する更新手段を有する、
   ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理システム。
10. 複数の前記受け渡し位置の位置情報を、複数の前記基板情報とそれぞれ対応付けて記憶する位置情報記憶手段をさらに有する、
    ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理システム。
11. 前記処理装置は、前記処理装置内における前記基板の位置情報を取得する位置情報取得手段をさらに有し、
    前記位置情報取得手段により取得された前記基板の位置情報に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記受け渡し位置の情報を更新する更新手段を有する、
    ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理システム。
12. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を支持する基板支持手段を有し、前記基板支持手段によって支持された前記基板を処理する処理装置と、
    前記基板を前記処理装置内の受け渡し位置に搬送し、前記基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送手段と、
    前記搬送手段を制御する制御手段と、を備える基板処理システムであって、
    前記搬送手段によって搬送される基板の、分割前の前記大型基板における相対位置に関する基板情報を取得する取得手段と、
    前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶手段と、を備え、
    前記制御手段は、前記補正情報に基づいて、前記取得手段により取得された前記基板情報によって異なる前記受け渡し位置へ、前記搬送手段に前記基板を搬送させる、
    ことを特徴とする基板処理システム。
13. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちいずれかの基板を処理装置内の受け渡し位置に搬送し、該処理装置に備えられた基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送工程を含む基板搬送方法であって、
    前記基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得工程を有し、
    前記搬送工程では、前記取得工程で取得された前記基板情報に基づいて、前記受け渡し位置へ前記基板を搬送し、
    前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶工程を更に有する、
    ことを特徴とする基板搬送方法。
14. 大型基板を分割して得られた複数の基板のうちのいずれかの基板を処理装置内の受け渡し位置に搬送し、該処理装置に備えられた基板支持手段に前記基板を受け渡す搬送工程を含む基板搬送方法であって、
    前記基板の、分割前の前記大型基板における部位に関する基板情報を取得する取得工程と、
    前記受け渡し位置を補正する補正情報を、前記基板情報と対応付けて記憶する記憶工程と、を有し、
    前記搬送工程では、前記補正情報に基づいて、前記取得工程で取得された前記基板情報によって異なる前記受け渡し位置へ前記基板を搬送する、
    ことを特徴とする基板搬送方法。
15. 請求項１３又は１４に記載の基板搬送方法によって基板を搬送する搬送工程と、
    前記搬送工程により前記処理装置である成膜装置に搬送された前記基板に成膜を行う成膜工程と、を含む、
    ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
16. 請求項１３又は１４に記載の基板搬送方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
17. 請求項１３又は１４に記載の基板搬送方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

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