JP7078694B2 - 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図2は、成膜装置11の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を用いる。成膜時に基板Sが水平面(XY平面)と平行となるよう固定された場合、基板Sの短手方向(短辺に平行な方向)をX方向、長手方向(長辺に平行な方向)をY方向とする。また、Z軸まわりの回転角をθで表す。
基板支持ユニット22は、基板の下面の周縁部を支持する支持部を含む。図3は、基板支持ユニット22を鉛直方向(Z方向)上方から見た平面図であり、理解の便宜のために、基板Sが基板支持ユニット22上に載置され支持される様子を示しており、その他、基板S上部に配置される静電チャック24や基板Zアクチュエータ26などの駆動機構などは図示を省略している。
以下、図4(a)~図4(e)を参照して、基板支持部221、222の駆動と連携した、静電チャック24への基板S吸着工程の詳細を説明する。
以下、本実施形態による成膜装置を用いた成膜方法について説明する。
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
Claims (15)
- マスクを介して基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
チャンバ内に配置され、前記基板の第1の辺の周縁部を支持する第1基板支持部と、
前記チャンバ内に配置され、前記第1の辺に対向する第2の辺の周縁部を支持する第2基板支持部と、
前記チャンバ内の前記第1及び第2基板支持部の上方に配置され、前記基板を吸着するための基板吸着手段と、
前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせを行うための位置調整手段と、
前記基板吸着手段に向かって前記第1及び第2基板支持部の昇降を制御する制御部と、を含み、
前記制御部は、前記第1基板支持部を前記基板吸着手段に向かって上昇させ、その後に前記第2基板支持部を前記基板吸着手段に向かって上昇させるように前記第1及び第2基板支持部の昇降を制御し、
前記基板の吸着が開始される前に、前記第1基板支持部と前記基板吸着手段との距離が前記第2基板支持部と前記基板吸着手段との距離よりも小さい状態で、前記位置調整手段が前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせを行うことを特徴とする成膜装置。 - 前記制御部は、前記第1基板支持部を前記第2基板支持部に対して上昇させることで前記状態とすることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記制御部は、前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせの後、前記第1基板支持部と前記第2基板支持部を同時に上昇させて前記基板の前記第1の辺の周縁部を前記基板吸着手段に吸着させるように制御することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記制御部は、前記基板の前記第1の辺の周縁部を前記基板吸着手段に吸着させた後、前記第2基板支持部を引き続き上昇させて前記基板の前記第2の辺の周縁部を前記基板吸着手段に吸着させるように制御することを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記制御部は、前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせの後、前記第1基板支持部と前記第2基板支持部を順次に上昇させるように制御することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記位置調整手段は、前記基板吸着手段と前記基板にそれぞれ設置されたアライメントマークを撮影した結果に基づいて、前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせを行うことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記基板吸着手段は、静電チャックであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 成膜装置のチャンバ内で、マスクを介して基板の成膜面に成膜材料を成膜する成膜方法であって、
チャンバ内に搬入された前記基板の第1の辺の周縁部を第1基板支持部で支持し、前記基板の前記第1の辺に対向する第2の辺の周縁部を第2基板支持部で支持する工程と、
前記チャンバ内の前記第1及び第2基板支持部の上方に配置された基板吸着手段に前記基板の前記成膜面と反対側の面を吸着させる吸着工程と、
前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせを行う位置合わせ工程と、
成膜材料を前記マスクを介して前記基板の前記成膜面に成膜する工程とを含み、
前記吸着工程は、前記第1基板支持部を前記基板吸着手段に向かって上昇させる第1上昇工程と、前記第1上昇工程の開始後に前記第2基板支持部を前記基板吸着手段に向かって上昇させる第2上昇工程とを含み、
前記基板の吸着が開始される前に、前記第1基板支持部と前記基板吸着手段との距離が前記第2基板支持部と前記基板吸着手段との距離よりも小さい状態で、前記位置合わせ工程を行うことを特徴とする成膜方法。 - 前記第1基板支持部を前記第2基板支持部に対して上昇させることで前記状態とすることを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。
- 前記吸着工程は、前記位置合わせ工程の後に、前記第1基板支持部と前記第2基板支持部を同時に上昇させて前記基板の前記第1の辺の周縁部を前記基板吸着手段に吸着させる工程を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の成膜方法。
- 前記吸着工程は、前記基板の前記第1の辺の周縁部を前記基板吸着手段に吸着させた後、前記第2基板支持部を引き続き上昇させて前記基板の前記第2の辺の周縁部を前記基板吸着手段に吸着させることを特徴とする請求項10に記載の成膜方法。
- 前記吸着工程は、前記位置合わせ工程の後に、前記第1基板支持部と前記第2基板支持部を順次に上昇させる工程を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の成膜方法。
- 前記位置合わせ工程では、前記基板吸着手段と前記基板にそれぞれ設置されたアライメントマークを撮影した結果に基づいて、前記基板吸着手段と前記基板との間の位置合わせを行うことを特徴とする請求項8乃至請求項12のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記基板吸着手段は、静電チャックであることを特徴とする請求項8乃至請求項13のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 請求項8乃至請求項14のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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