JP2019099910A - 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019099910A
JP2019099910A JP2018179449A JP2018179449A JP2019099910A JP 2019099910 A JP2019099910 A JP 2019099910A JP 2018179449 A JP2018179449 A JP 2018179449A JP 2018179449 A JP2018179449 A JP 2018179449A JP 2019099910 A JP2019099910 A JP 2019099910A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
magnetic force
force application
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018179449A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7199889B2 (ja
Inventor
石井 博
Hiroshi Ishii
石井  博
一史 柏倉
Kazufumi Kashiwakura
一史 柏倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of JP2019099910A publication Critical patent/JP2019099910A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7199889B2 publication Critical patent/JP7199889B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/52Means for observation of the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】静電チャックと基板との間、及びマグネット板とマスクとの間で相対的な位置ずれが発生した場合にも、静電チャックを基板に対して位置調整することができ、マグネット板をマスクに対して位置調整することができる技術を提供する。【解決手段】マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、蒸着工程が行われる空間を定める真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設置され、基板を吸着するための基板吸着手段と、前記真空チャンバ内で前記基板吸着手段の上に設けられ、マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、前記真空チャンバの第1外部面上に設置され、前記基板吸着手段及び前記磁力印加手段を、第1方向、前記第1方向と交差する第2方向、及び、前記第1方向及び前記第2方向と交差する第3方向を軸にした回転方向中少なくとも一つの方向に移動或いは回転させるためのアライメントステージとを含む。【選択図】図3

Description

本発明は、成膜装置及び成膜方法に関するもので、基板吸着手段の昇降機構と磁力印加手段の昇降機構とを、アライメントステージに搭載した構造を持つ成膜装置及びこれを用いる成膜方法に関するものである。
最近、フラットパネル表示装置として有機EL表示装置が脚光を浴びている。有機EL表示装置は自発光ディスプレイであり、応答速度、視野角、薄型化などの特性が液晶パネルディスプレイより優れており、モニタ、テレビ、スマートフォンに代表される各種携帯端末などで既存の液晶パネルディスプレイを早いスピードで代替している。また、自動車用ディスプレイ等にも、その応用分野を広げている。
有機EL表示装置の素子は2つの向かい合う電極(カソード電極、アノード電極)の間に発光を起こす有機物層が形成された基本構造を持つ。有機EL表示装置素子の有機物層及び電極層は、成膜装置の真空チャンバの下部に設けられた蒸着源を加熱することで蒸発された蒸着材料を画素パターンが形成されたマスクを通じて真空チャンバ上部に置かれた基板(の下面)に蒸着させることで形成される。
このような上向蒸着方式の成膜装置の真空チャンバ内において、基板は基板ホルダによって保持されるが、基板(の下面)に形成された有機物層や電極層に損傷を与えないように基板の下面の周縁部が基板ホルダの支持部及びクランプによって保持される。しかし、この場合、基板のサイズが大きくなるにつれて、基板ホルダの支持部及びクランプによって支持されない基板の中央部が基板の自重によって撓む。これは基板のマスクに対するアライメント精度及び基板とマスクとの密着精度を落とし、結果的に、基板上への蒸着精度を下げる要因となっている。
基板の自重による撓みを低減させるための方法として静電チャックを使って基板を保持する技術が検討されている。すなわち、基板の上部に静電チャックを設けて、静電チャックに電圧を印加し基板の上面を静電チャックに吸着させることで、基板の中央部が静電チャックの静電引力によって引っ張られるようになり、基板の撓みが低減される。
静電チャックを用いる従来の成膜装置においては、静電チャックに吸着された状態の基板をマスクに対して水平方向(XYθ方向)に相対的に移動させることで、基板とマスクとの相対的な位置を調整するアライメント工程を行う。
このように相対的位置が調整(アライメント)された基板をマスクの上面に載置した状態で、マグネット板を基板の上部から下降させて、マグネット板を基板の上面に当接させる。マグネット板は、基板を挟んでマスクに磁力を印加することにより、基板とマスクを密着させる。
ところで、静電チャックを用いる方式の成膜装置においては、基板クランプを用いる方式の成膜装置に比べて、静電チャックと基板との間の位置調整及びマグネット板とマスクとの間の位置調整の精度が成膜精度に大きな影響を及ぼす。
つまり、基板の搬送ロボットによる基板の搬送誤差などによって静電チャックと基板と
の相対的位置が水平方向(XYθ方向)にずれた状態で基板を静電チャックに吸着させる場合、基板が静電チャックにきちんと密着されなくなる。このような状態で基板のマスクに対するアライメント工程を行うと、基板のマスクに対する位置調整の精度が落ちてしまう。
また、マグネット板とこれから磁力を受けるマスクとの間の相対的位置がずれた状態でマグネット板がマスクに対して磁力を印加する場合、マスクに磁力が十分に印加されず、基板とマスクとの間の密着精度が落ちる問題がある。
本発明は、静電チャックと基板との間、及びマグネット板とマスクとの間で相対的な位置ずれが発生した場合にも、静電チャックを基板に対して位置調整することができ、マグネット板をマスクに対して位置調整することができる成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法を提供することを主な目的とする。
本発明の第1態様による成膜装置は、マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、蒸着工程が行われる空間を定義する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設置され、基板を吸着するための基板吸着手段と、前記真空チャンバ内で前記基板吸着手段の上に設けられ、マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、前記真空チャンバの第1外部面上に設置され、前記基板吸着手段及び前記磁力印加手段を、第1方向、前記第1方向と交差する第2方向、及び、前記第1方向及び前記第2方向と交差する第3方向を軸にした回転方向中少なくとも一つの方向に移動或いは回転させるためのアライメントステージとを含む。
本発明の第2態様による成膜方法は、マスクを介して基板に蒸着材料を蒸着するための成膜方法であって、本発明の第1態様による成膜装置の真空チャンバ内に搬入されたマスクをマスク保持台に載置する段階、前記成膜装置の前記真空チャンバ内に基板を搬入して基板保持台に載置する段階、基板吸着手段を前記基板保持台に載置された基板に対して位置調整する基板吸着手段アライメント段階、位置調整された前記基板吸着手段によって前記基板を吸着させる段階、前記基板吸着手段に吸着された基板を前記マスク保持台上に載置されたマスクに対して位置調整する基板アライメント段階、位置調整された前記基板を前記マスク上に載置する段階、及びマスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階を含む。
本発明の第3態様による電子デバイス製造方法は本発明の第2態様による成膜方法を用いて電子デバイスを製造する。
本発明によると、基板吸着手段昇降機構及び磁力印加手段昇降機構を、アライメントステージ上に搭載することで、基板吸着手段と基板との間に水平方向(XYθ方向)に相対的な位置ずれが発生した場合に、基板吸着手段昇降機構が搭載されたアライメントステージを基板保持台上に載置された基板に対して水平方向(XYθ方向)に移動させて、基板吸着手段と基板との間の相対的な位置を調整できるようになる。また、磁力印加手段昇降機構も、アライメントステージ上に搭載されるので、磁力印加手段とマスクとの間の相対的な位置ずれが生じた場合にも、基板とマスク上に磁力印加手段を下降させる前に、磁力印加手段昇降機構が搭載されたアライメントステージをマスクに対して水平方向(XYθ方向)に移動させることで、磁力印加手段とマスクとの間の相対的な位置を調整できるようになる。
これにより、基板吸着手段と基板との間の吸着精度を向上させて、アライメント工程の
精度を向上させることができ、同時に磁力印加手段による基板とマスクの密着精度を向上させることができるようになる。その結果、成膜精度を向上させることができるようになる。
図1は有機EL表示装置の製造ラインの一部の模式図である。 図2は成膜装置の模式図である。 図3は本実施例のアライメントステージの構成を示す模式図である。 図4は本実施例のアライメント工程を説明するための模式図である。 図5は有機EL表示装置の全体図及び有機EL表示装置の素子の断面図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
本発明は、基板の表面に真空蒸着によってパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好ましく適用することができる。基板の材料としては、硝子、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができるし、また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、有機EL表示装置は本発明の好ましい適用例の一つである。
<電子デバイス製造ライン>
図1は、電子デバイスの製造ラインの構成の一部を模式的に示す上視図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば約1800mm×約1500mmのサイズの基板に有機ELの成膜を行った後、該基板をダイシングして複数の小サイズのパネルに作製される。
電子デバイスの製造ラインは、一般に、図1に示すように、複数の成膜室11、12と、搬送室13とを有する。搬送室13内には、基板10を保持し搬送する搬送ロボット14が設けられている。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板を保持するロボットハンドが取り付けられた構造を持つロボットであり、各成膜室への基板10の搬入や搬出を行う。
各成膜室11、12にはそれぞれ成膜装置(蒸着装置とも呼ぶ)が設けられている。搬送ロボット14との基板10の受け渡し、基板10とマスクの相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板10の固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動で行われる。
以下、成膜室の成膜装置の構成について説明する。
<成膜装置>
図2は、成膜装置2の構成を概略的に示す断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標係を使う。成膜時に基板が水平面(XY平面)と平行
に固定されることを仮定する時、基板の短辺に平行な方向をX方向(第1方向)、長辺に平行な方向をY方向(第2方向)とする。またZ軸周りの回転角をθ(回転方向)で表示する。
成膜装置2は、成膜工程が行われる空間を定義する真空チャンバ20を具備する。真空チャンバ20の内部は、真空雰囲気、或いは、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気で維持される。
成膜装置2の真空チャンバ20内の上部には、基板を保持する基板保持台21、マスクを保持するマスク保持台22、基板を吸着するための基板吸着手段23、金属製のマスクに磁力を印加するための磁力印加手段24などが設けられ、成膜装置の真空チャンバ20内の下部には、蒸着材料が収納される蒸着源25などが設けられる。
基板保持台21は、搬送室13の搬送ロボット14から受取った基板10を載置するフレーム状の手段である。基板保持台21は、真空チャンバ20に固定されるように設置されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板保持台21は水平方向(XYθ方向)には固定されるが、鉛直方向(Z方向、第3方向)には昇降可能に設置されてもよい。基板保持台21は基板の下面の周縁部を支持する支持部211、212を含む。支持部上には基板の損傷を防止するため、フッ素コーティングされたパッド(不図示)が設置されてもよい。
基板保持台21の下には、真空チャンバ20に固定されたフレーム状のマスク保持台22が設置され、マスク保持台22には、基板10上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有するマスク221が置かれる。スマートフォン用の有機EL素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、FMM(Fine Metal Mask)とも呼ぶ。マスク保持台22は、真空チャンバ20に水平方向には固定されるように設置され、鉛直方向には昇降可能に設置されてもよい。
基板保持台21の支持部の上方には、基板を吸着して固定させるための基板吸着手段23が設けられる。基板吸着手段23は、例えば、セラミックス材質のマトリックス内に金属電極などの電気回路が埋め込まれた構造を持つ静電チャックであってもいいが、これに限らない。静電チャック方式の基板吸着手段23において、金属電極にプラス(+)及びマイナス(−)電圧が印加されれば、セラミックスマトリックスを通じて基板に分極電荷が誘導され、これら基板と基板吸着手段23との間の静電気的な引力によって基板が基板吸着手段23に吸着固定される。基板吸着手段23は埋め込まれた電気回路の構造によって複数のモジュールに区画することができる。
基板吸着手段23の上には、金属製のマスク221に磁力を印加してマスクの撓みを防止し、マスク221と基板10とを密着させるための磁力印加手段24が設けられる。磁力印加手段24は、永久磁石又は電磁石から構成され、複数のモジュールに区画することができる。
図2には図示していないが、基板吸着手段(23)と磁力印加手段(24)との間には基板を冷却させるための冷却板(不図示)を設置することができる。冷却板は、基板吸着手段(23)又は磁力印加手段(24)と一体で形成されてもよい。
蒸着源25は、基板に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、蒸着源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。蒸着源25は、点(point
)蒸着源、線形(linear)蒸着源、リボルバ蒸着源などの用途によって多様な構成を持つことができる。
図2に図示しなかったが、成膜装置2は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び、膜厚算出ユニット(不図示)を含む。
成膜装置2の真空チャンバ20の外部上面には、基板吸着手段23及び磁力印加手段24などを鉛直方向(第3方向)に昇降させるための昇降機構、及び基板吸着手段23及び磁力印加手段24などを水平方向に(XYθ方向に)移動させるためのアライメントステージなどが設置される。本実施例では、図3を参照して後述するとおり、基板10に対する基板吸着手段23の位置調整及びマスクに対する磁力印加手段24の位置調整のために、基板吸着手段23の昇降機構及び磁力印加手段24の昇降機構が、アライメントステージ上に搭載される。
また、本実施例の成膜装置2には、アライメント工程のために、真空チャンバ20の天井に設けられた窓を通じて基板10、基板吸着手段23、マスク221及び磁力印加手段24に形成されたアライメントマークを撮影するアライメント用カメラ(不図示)も設けられる。
以下、本実施例の成膜装置で行われる成膜プロセスの各段階を説明する。
まず、成膜装置の真空チャンバ20内に新しいマスクが搬入されて、マスク保持台22上に載置される。
次いで、搬送室13の搬送ロボット14によって基板が、真空チャンバ20内に搬入されて基板保持台21に置かれると、基板吸着手段23が下降して基板保持台21上の基板を吸着して固定する。本実施例では、基板を基板吸着手段23に吸着させる前に、基板吸着手段23と基板10の相対的な位置を調整する基板吸着手段アライメントを行う。
続いて、基板吸着手段23に吸着された状態の基板10とマスク保持台22上に置かれているマスク221との間の相対的位置の測定及び調整を行う基板アライメント工程が行われる。
基板アライメント工程が完了すれば、基板10を吸着固定している基板吸着手段23が昇降機構によってさらに下降して基板10をマスク221上に置く。その後、磁力印加手段24が昇降機構によって下降することで、基板10とマスク221を密着させる。本実施例では、磁力印加手段24によって基板10とマスク221とを密着させる前に、磁力印加手段24とマスク221との間の相対的な位置を調整する磁力印加手段アライメントを行う。
この状態で、蒸着源25のシャッタが開かれて、蒸着源25のるつぼから蒸発された蒸着材料が、マスクの微細パターン開口を通して基板に蒸着される。
基板に蒸着された蒸着材料の膜厚が所定の厚さに到逹すれば、蒸着源25のシャッタが閉じ、その後、搬送ロボット14が、基板を真空チャンバ20から搬送室13に搬出する。所定の枚数の基板に対して、基板搬入から基板搬出までの工程を繰り返して行った後、蒸着材料が堆積されてこれ以上使うことができなくなったマスクを、成膜装置から搬出して、新しいマスクを成膜装置に搬入する。
<アライメントステージ>
以下、図3を参照して本実施例のアライメントステージ30の構成を説明する。
真空チャンバ20の外部上面(第1外部面)には、基板吸着手段23の基板10に対する位置調整及び磁力印加手段24のマスクに対する位置調整のために、基板吸着手段23及び磁力印加手段24を水平方向(XYθ方向)に移動させるためのアライメントステージ30、基板吸着手段23をZ軸方向に昇降させるための基板吸着手段Z軸昇降機構31及び、磁力印加手段24をZ軸方向に昇降させるための磁力印加手段Z軸昇降機構32などが設置される。
アライメントステージ30は、真空チャンバの外部上面に固定されたアライメントステージ駆動用モータ301からリニアガイドを通じて水平方向(XYθ方向)への駆動力を受ける。すなわち、真空チャンバ外側上面にガイドレール(不図示)が固定されて設置され、ガイドレール上にリニアブロックが移動可能に設置される。リニアブロック上にアライメントステージベース板302が搭載される。真空チャンバの外側上面に固定されたアライメントステージ駆動用モータ301からの駆動力によって、リニアブロックを水平方向(XYθ方向)に移動させることで、リニアブロック上に搭載されたアライメントステージベース板302の動きに従って、アライメントステージ30全体を水平方向(XYθ方向)に移動させることができる。
基板吸着手段Z軸昇降機構31及び磁力印加手段Z軸昇降機構32は、後述するようにアライメントステージ30に搭載されるので、アライメントステージ30が水平方向(XYθ方向)に移動するにつれて、基板吸着手段23及び磁力印加手段24はアライメントステージ30の移動に追従して、水平方向(XYθ方向)に移動する。
基板吸着手段Z軸昇降機構31は、基板吸着手段23をZ軸方向に昇降させる機構であり、アライメントステージベース板302上に搭載される。真空チャンバ20内の基板吸着手段23は、真空チャンバ20の外部上面を通して基板吸着手段Z軸昇降機構31に繋がる。基板吸着手段Z軸昇降機構31は、基板吸着手段昇降駆動用モータ(不図示)と基板吸着手段昇降駆動用モータの駆動力を基板吸着手段23に伝達するための基板昇降駆動力伝達機構(不図示)とを含む。基板昇降駆動力伝達機構として、リニアガイド又は、ボールねじなどを使うこともできるが、本発明はこれに限らない。
磁力印加手段Z軸昇降機構32は、磁力印加手段24をZ方向に駆動させるための駆動力を発生させる磁力印加手段昇降駆動用モータ(不図示)及び、磁力印加手段昇降駆動用モータからの駆動力を磁力印加手段24に伝えるための磁力印加手段昇降駆動力伝達機構(不図示)を含み、アライメントステージベース板302上に搭載される。磁力印加手段昇降駆動力伝達機構として、ボールねじ又は、リニアガイドなどを使うこともできるが、本発明はこれに限らない。
このように、本実施例では、基板吸着手段Z軸昇降機構31及び磁力印加手段Z軸昇降機構32がアライメントステージ30のベース板302上に設置されるため、アライメントステージ30が水平方向(XYθ方向)に移動するにつれて、基板吸着手段Z軸昇降機構31及び磁力印加手段Z軸昇降機構32も(したがって、基板吸着手段23と磁力印加手段24も)水平方向(XYθ方向)に移動する。その結果、後述するとおり、基板が基板吸着手段23に対して相対的に位置がずれた場合にもこれらの間の相対的な位置を調整することができ、同様に、マスクが磁力印加手段24に対して相対的に位置がずれた場合にも、磁力印加手段24を水平方向(XYθ方向)に移動させてマスクとの相対的な位置を調整できるようになる。
一方、基板保持台21及びマスク保持台22は水平方向には固定されるように設置され
るが、鉛直方向には昇降可能に設置することができる。この場合、基板保持台21及びマスク保持台22を鉛直方向に昇降させるための昇降機構は真空チャンバ20の外部上面上にアライメントステージと分離、独立されるように設けられる。
即ち、基板保持台21及びマスク保持台22のZ軸昇降機構(不図示)は、アライメントステージベース板302上に設置されるのではなく、アライメントステージ30から分離、独立されて、真空チャンバ20の外部上面に固定された別途のベース板(不図示)に設置される。従って、アライメントステージ30が水平(XYθ)方向に移動しても、基板保持台21及びマスク保持台22は水平(XYθ)方向には移動せず、水平(XYθ)方向には固定される。ここで、基板保持台21及びマスク保持台22のZ軸昇降機構がアライメントステージ30から分離されて独立的に設置されるということは、広い意味では、基板保持台21及びマスク保持台22のZ軸昇降機構がアライメントステージ30上に設置されず、アライメントステージ30から水平(XYθ)方向への移動のための駆動力を受けないという意味であり、狭い意味では、基板保持台21及びマスク保持台22のZ軸昇降機構がアライメントステージ30上に設置されず、水平(XYθ方向)において真空チャンバ20の外部上面に固定されるように設置される(すなわち、水平方向には移動或いは回転しないで固定される)と言う意味である。
<基板に対する基板吸着手段のアライメント及びマスクに対する磁力印加手段のアライメント>
図4を参照して、基板10に対する基板吸着手段23のアライメント及びマスクに対する磁力印加手段24のアライメント工程を説明する。
マスクの交換時期になると、図4(a)に示したとおり、成膜装置2の真空チャンバ20内に新たなマスク221が搬入されて、マスク保持台22上に載置される。
続いて、当該マスクを使用して蒸着材料が成膜される基板10が真空チャンバ20内に搬入されて、基板保持台21上に配置される。
この状態で、基板吸着手段23に形成された基板吸着手段アライメントマークと基板に形成されたアライメントマークとをラフアライメント用カメラ(第1アライメント用カメラ)で撮影して、基板吸着手段23と基板との相対的な位置ずれ量を測定する。基板吸着手段アライメントマークは基板吸着手段23自体に形成されることもできるが、基板吸着手段23と別途のアライメントマークプレートに形成されてもよい。別途のアライメントマークプレートが使われる場合、アライメントマークプレートは基板吸着手段の上面又は下面に付着されるように設置される。また、基板吸着手段23には基板吸着手段23の下に置かれた基板10のアライメントマークが上から見えるように開口が形成される。
基板吸着手段23と基板10の相対的な位置がずれていると判明した場合、アライメントステージ30を水平方向に移動させ、基板吸着手段23と基板との水平方向への相対的な位置を調整する。本実施例では、図3を参照して説明したとおり、基板吸着手段Z軸昇降機構31は、アライメントステージ30上に搭載され、基板保持台21又はその昇降機構は、アライメントステージ30から分離、独立して設置されるので、アライメントステージを水平方向に移動させることで、基板吸着手段23と基板10との間の相対的位置ずれを直すことができる。このように、本発明によると、基板吸着手段23と基板10との水平方向の相対的な位置が、搬送ロボット14の基板搬送誤差によって互いにずれた場合にも、基板吸着手段23を基板10に対して位置調整することができるので、基板10全体にわたって基板吸着手段23にきちんと吸着させることができるようになる。
基板吸着手段23の基板10に対する位置調整が完了すれば、図4(d)に示したとお
り、基板吸着手段23を基板吸着手段Z軸昇降機構31によって下降させ、基板10を基板吸着手段23に吸着させる。
続いて、図4(e)に示したとおり、基板吸着手段Z軸昇降機構31を駆動して、基板吸着手段23に吸着された基板10をマスク221上に下降させる。この時、基板保持台21の昇降機構によって基板保持台21を基板吸着手段23の下降に合わせて一緒に下降させることもできる。
基板吸着手段23に吸着された基板10がファインアライメント工程の計測位置まで下降すると、図4(f)に示したとおり、ファインアライメント用カメラ(第2アライメント用カメラ)を使用して基板10とマスク221のアライメントマークを撮影して、その相対的なずれがあるかを測定する。基板10とマスク221との相対的なずれが閾値を超えると、基板吸着手段Z軸昇降機構31が搭載されたアライメントステージ30を水平方向に移動させて基板10とマスク221の相対的な位置を調整する。
基板10とマスク221の相対的位置ずれが閾値内に収まれば、磁力印加手段24を基板上に下降させる前に、磁力印加手段24に形成された磁力印加手段アライメントマークとマスク221のアライメントマークとをラフアライメント用カメラで撮影し、磁力印加手段24とマスク221間の相対的位置ずれ量を測定する。磁力印加手段アライメントマークは、磁力印加手段24自体に形成されることもできるが、磁力印加手段24と別途のアライメントマークプレートに形成されてもよい。別途のアライメントマークプレートが使われる場合、アライメントマークプレートは、磁力印加手段の上面又は下面に付着される。また、磁力印加手段24には磁力印加手段24の下に置かれているマスク221のアライメントマークが上から見えるように開口が形成される。
磁力印加手段24とマスク間の相対的位置ずれが閾値を超えると、アライメントステージ30を水平方向に移動させ、マスク221に対する磁力印加手段24の相対的な位置を調整する。本発明によると、磁力印加手段Z軸昇降機構32がアライメントステージ30上に搭載されるので、アライメントステージ30を水平方向に移動させることで、磁力印加手段24をマスク221に対して精密に位置調整できるようになる。
磁力印加手段24のアライメントが完了すれば、図4(h)に示したとおり、磁力印加手段Z軸昇降機構32を駆動して、磁力印加手段24を基板上に下降させる。基板上に下降された磁力印加手段24は、マスク221に磁力を印加し、マスク221が基板側に引っ張られ、これによって基板とマスクが密着される。本実施例では、磁力印加手段アライメント工程(図4(g))を通じて、磁力印加手段24とこれから磁力を受けるマスク221の相対的位置を精密に調整するので、基板とマスクとの密着精度を高めることができるようになる。
続いて、蒸着源25のシャッタを開いて、蒸着源25から蒸発した蒸着材料をマスクを介して基板の下面上に蒸着する(図4(i))。
本発明によると、基板吸着手段23の基板に対するアライメント及び磁力印加手段24のマスクに対するアライメントが可能になるので、磁力印加手段/基板吸着手段/基板/マスクの積層体の積層精度が向上し、その結果、成膜精度が向上する。
<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図5(a)は有機EL表示装置60の全体図、図5(b)は1画素の断面構造を表している。
図5(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組合せでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
図5(b)は、図5(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。
図5(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、第1電極64と正孔輸送層65との間には、第1電極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第2電極68と電子輸送層67の間にも電子注入層が形成することができる。
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1電極64が形成された基板63を準備する。
第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、基板保持台及び基板吸着手段にて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には、正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、基板保持台及び基板吸着手段にて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。
本発明によると、基板吸着手段23及び磁力印加手段24の駆動機構を、アライメントステージ30に搭載することで、基板吸着手段23、磁力印加手段24、基板10、マスク221間の相対的な位置を効果的に調整することができ、これによって成膜不良を効果的に低減させることができる。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第2電極68を成膜する。
その後プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
前記実施例は本発明の一例を示すものでしかなく、本発明が適用可能な構成は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適宜に変形しても良い。
10:基板
20:真空チャンバ
21:基板保持台
22:マスク保持台
23:基板吸着手段
24:磁力印加手段
30:アライメントステージ
31:基板吸着手段Z軸昇降機構
32:磁力印加手段Z軸昇降機構

Claims (19)

  1. マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
    蒸着工程が行われる空間を定める真空チャンバと、
    前記真空チャンバ内に設置され、基板を吸着するための基板吸着手段と、
    前記真空チャンバ内で前記基板吸着手段の上に設けられ、マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、
    前記真空チャンバの第1外部面上に設置され、前記基板吸着手段及び前記磁力印加手段を、第1方向、前記第1方向と交差する第2方向、及び、前記第1方向及び前記第2方向と交差する第3方向を軸にした回転方向中少なくとも一つの方向に移動或いは回転させるためのアライメントステージと、
    を含む成膜装置。
  2. 前記基板吸着手段を前記第3方向に移動させるための基板吸着手段駆動機構をさらに含み、
    前記基板吸着手段駆動機構は、前記アライメントステージ上に搭載される請求項1に記載の成膜装置。
  3. 前記磁力印加手段を前記第3方向に移動させるための磁力印加手段駆動機構をさらに含み、
    前記磁力印加手段駆動機構は、前記アライメントステージ上に搭載される請求項1又は2に記載の成膜装置。
  4. 前記基板吸着手段の下で基板を保持するための基板保持台をさらに含み、前記基板保持台は前記第1方向、前記第2方向、及び前記回転方向に固定されるように設置される請求項1〜3のいずれか一項に記載の成膜装置。
  5. 前記基板保持台を前記第3方向に移動させるための基板保持台駆動機構をさらに含み、
    前記基板保持台駆動機構は、前記真空チャンバの前記第1外部面上に前記アライメントステージから分離され、独立的に設けられる請求項4に記載の成膜装置。
  6. 前記基板保持台の下に設置され、マスクを保持するためのマスク保持台をさらに含み、
    前記マスク保持台は前記第1方向、前記第2方向、及び前記回転方向に固定されるように設置される請求項4又は5に記載の成膜装置。
  7. 前記マスク保持台を前記第3方向に移動させるためのマスク保持台駆動機構をさらに含み、
    前記マスク保持台駆動機構は、前記真空チャンバの前記第1外部面上に前記アライメントステージから分離され、独立的に設けられる請求項6に記載の成膜装置。
  8. 前記基板吸着手段には基板吸着手段アライメントマークが設けられる請求項1〜7のいずれか一項に記載の成膜装置。
  9. 前記磁力印加手段には磁力印加手段アライメントマークが設けられる請求項1〜8のいずれか一項に記載の成膜装置。
  10. 前記真空チャンバの前記第1外部面上に透明な窓を介して設置され、前記基板吸着手段を基板に対して位置調整するために、前記基板吸着手段アライメントマークと基板に形成されたアライメントマークとを撮影する第1アライメント用カメラをさらに含む請求項8に記載の成膜装置。
  11. 前記真空チャンバの前記第1外部面上に透明な窓を介して設置され、前記磁力印加手段をマスクに対して位置調整するために、前記磁力印加手段アライメントマークとマスクに形成されたアライメントマークとを撮影する第1アライメント用カメラをさらに含む請求項9に記載の成膜装置。
  12. 前記真空チャンバの前記第1外部面上に透明な窓を介して設置され、前記基板吸着手段に吸着された基板をマスクに対して位置調整するために、基板及びマスクに形成されたアライメントマークを撮影する第2アライメント用カメラをさらに含む請求項10又は11に記載の成膜装置。
  13. マスクを介して基板に蒸着材料を蒸着するための成膜方法であって、
    請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の成膜装置の真空チャンバ内に搬入されたマスクをマスク保持台に載置する段階、
    前記成膜装置の前記真空チャンバ内に基板を搬入して基板保持台に載置する段階、
    基板吸着手段を前記基板保持台に載置された基板に対して位置調整する基板吸着手段アライメント段階、
    位置調整された前記基板吸着手段によって前記基板を吸着させる段階、
    前記基板吸着手段に吸着された基板を前記マスク保持台上に載置されたマスクに対して位置調整する基板アライメント段階、
    位置調整された前記基板を前記マスク上に載置する段階、及び
    マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階
    を含む成膜方法。
  14. 磁力印加手段を前記マスクに対して位置調整する磁力印加手段アライメント段階、及び
    位置調整された磁力印加手段を前記基板の上方に移動させて前記基板とマスクを密着させる段階をさらに含み、
    前記磁力印加手段アライメント段階は、前記基板アライメント段階の後、前記基板を前記マスク上に載置する段階の前に行われ、前記基板とマスクを密着させる段階は、前記基板を前記マスク上に載置する段階の後、前記マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階の前に行われる請求項13に記載の成膜方法。
  15. 前記基板吸着手段アライメント段階においては、基板吸着手段駆動機構が搭載されたアライメントステージを前記基板保持台上に載置された基板に対して前記第1方向、前記第2方向、及び前記回転方向中少なくとも一つの方向に相対的に移動又は回転させることにより、前記基板吸着手段を前記基板に対して位置調整する請求項13又は14に記載の成膜方法。
  16. 前記磁力印加手段アライメント段階においては、磁力印加手段駆動機構が搭載されたアライメントステージを前記マスク保持台上に載置されたマスクに対して前記第1方向、前記第2方向及び前記回転方向中少なくとも一つの方向に相対的に移動又は回転させることにより、前記磁力印加手段を前記マスクに対して位置調整する請求項14に記載の成膜方法。
  17. 前記基板吸着手段アライメント段階においては、前記基板吸着手段に設けられたアライメントマーク及び前記基板に形成されたアライメントマークを撮影して前記基板吸着手段と前記基板間の相対的な位置ずれを測定する請求項15に記載の成膜方法。
  18. 前記磁力印加手段アライメント段階においては、前記磁力印加手段に設けられたアライメントマーク及び前記マスクに形成されたアライメントマークを撮影して前記磁力印加手
    段と前記マスク間の相対的な位置ずれを測定する請求項16に記載の成膜方法。
  19. 請求項13〜18のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造する方法。
JP2018179449A 2017-11-29 2018-09-25 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 Active JP7199889B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170161610A KR101993532B1 (ko) 2017-11-29 2017-11-29 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
KR10-2017-0161610 2017-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019099910A true JP2019099910A (ja) 2019-06-24
JP7199889B2 JP7199889B2 (ja) 2023-01-06

Family

ID=66850000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018179449A Active JP7199889B2 (ja) 2017-11-29 2018-09-25 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7199889B2 (ja)
KR (1) KR101993532B1 (ja)
CN (1) CN109837504B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112342494A (zh) * 2019-08-07 2021-02-09 宁波星河材料科技有限公司 一种高通量分立掩膜装置
CN112813381A (zh) * 2019-11-15 2021-05-18 佳能特机株式会社 成膜装置
JP2021098884A (ja) * 2019-12-20 2021-07-01 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
KR20220044114A (ko) 2020-09-30 2022-04-06 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 조정 장치, 조정 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
KR20220044133A (ko) 2020-09-30 2022-04-06 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 검지 장치, 검지 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
CN116121697A (zh) * 2022-11-04 2023-05-16 南方科技大学 超高真空薄膜样品的电极对准和生长系统以及方法
WO2024047999A1 (ja) * 2022-09-02 2024-03-07 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
WO2024095690A1 (ja) * 2022-11-01 2024-05-10 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110295346A (zh) * 2019-08-01 2019-10-01 云谷(固安)科技有限公司 蒸镀贴合装置及蒸镀贴合方法
CN114514336B (zh) * 2019-09-27 2024-03-26 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法
KR20210045745A (ko) * 2019-10-17 2021-04-27 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
KR102445850B1 (ko) * 2019-11-14 2022-09-20 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
KR20210060042A (ko) * 2019-11-18 2021-05-26 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 이를 사용한 성막방법 및 전자디바이스 제조방법
CN113005403B (zh) * 2019-12-20 2023-06-20 佳能特机株式会社 成膜装置、使用其的成膜方法及电子器件的制造方法
CN113005397B (zh) * 2019-12-20 2023-04-07 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
KR20210080776A (ko) * 2019-12-23 2021-07-01 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 시스템 및 기판 반송 시스템
KR20210081589A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
JP7113861B2 (ja) * 2020-03-13 2022-08-05 キヤノントッキ株式会社 マスク取付装置、成膜装置、マスク取付方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法
KR102527120B1 (ko) * 2020-03-31 2023-04-27 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
CN111850464B (zh) * 2020-06-30 2023-01-03 昆山国显光电有限公司 一种背板
JP7299202B2 (ja) * 2020-09-30 2023-06-27 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、基板吸着方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102552738B1 (ko) * 2021-01-18 2023-07-10 주식회사 선익시스템 회전 가능한 마그넷 부재를 포함하는 얼라인 장치 및 그 제어 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318834A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Seiko Epson Corp マスク保持構造、成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器
JP2014133923A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd 保持装置、成膜装置及び搬送方法
KR20170061230A (ko) * 2015-11-25 2017-06-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4609759B2 (ja) * 2005-03-24 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置
KR101060652B1 (ko) * 2008-04-14 2011-08-31 엘아이지에이디피 주식회사 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR101479937B1 (ko) 2013-05-24 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 글라스와 마스크의 정렬장치
KR20150101906A (ko) * 2014-02-27 2015-09-04 (주)브이앤아이솔루션 얼라이너 구조 및 얼라인 방법
JP6093091B2 (ja) * 2014-09-26 2017-03-08 株式会社アルバック Xyステージ、アライメント装置、蒸着装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318834A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Seiko Epson Corp マスク保持構造、成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器
JP2014133923A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd 保持装置、成膜装置及び搬送方法
KR20170061230A (ko) * 2015-11-25 2017-06-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112342494A (zh) * 2019-08-07 2021-02-09 宁波星河材料科技有限公司 一种高通量分立掩膜装置
CN112813381A (zh) * 2019-11-15 2021-05-18 佳能特机株式会社 成膜装置
CN112813381B (zh) * 2019-11-15 2023-04-18 佳能特机株式会社 成膜装置
JP2021098884A (ja) * 2019-12-20 2021-07-01 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP7078694B2 (ja) 2019-12-20 2022-05-31 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
KR20220044114A (ko) 2020-09-30 2022-04-06 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 조정 장치, 조정 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
KR20220044133A (ko) 2020-09-30 2022-04-06 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 검지 장치, 검지 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2022057673A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、調整装置、調整方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7361671B2 (ja) 2020-09-30 2023-10-16 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、調整装置、調整方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2024047999A1 (ja) * 2022-09-02 2024-03-07 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
WO2024095690A1 (ja) * 2022-11-01 2024-05-10 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
CN116121697A (zh) * 2022-11-04 2023-05-16 南方科技大学 超高真空薄膜样品的电极对准和生长系统以及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109837504B (zh) 2023-05-02
KR20190062925A (ko) 2019-06-07
JP7199889B2 (ja) 2023-01-06
KR101993532B1 (ko) 2019-06-26
CN109837504A (zh) 2019-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019099910A (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法
JP7203185B2 (ja) 真空装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7429723B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法
JP7289421B2 (ja) 基板支持装置および成膜装置
KR102128888B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
JP2019099912A (ja) 成膜装置、成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法
JP7120545B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法
JP2019099914A (ja) 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法
JP2022008796A (ja) 成膜装置、及び電子デバイスの製造方法
KR102405438B1 (ko) 마스크 위치조정장치, 성막장치, 마스크 위치조정방법, 성막방법, 및 전자디바이스의 제조방법
JP2019116679A (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7241048B2 (ja) 基板支持装置および成膜装置
CN112680696B (zh) 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法
JP7078694B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP7271389B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
KR20210080065A (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
JP2020070491A (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2019117924A (ja) 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2023210464A1 (ja) 成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法、およびコンピュータプログラム記録媒体
KR102050688B1 (ko) 마스크 부착장치, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200221

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20200221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210305

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211029

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20211029

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20211109

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20211116

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20211217

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20211221

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220531

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220809

C302 Record of communication

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C302

Effective date: 20220914

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20220920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221005

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20221025

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20221101

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20221206

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20221206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7199889

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150