JP2006318834A - マスク保持構造、成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
マスク保持構造、成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006318834A JP2006318834A JP2005142189A JP2005142189A JP2006318834A JP 2006318834 A JP2006318834 A JP 2006318834A JP 2005142189 A JP2005142189 A JP 2005142189A JP 2005142189 A JP2005142189 A JP 2005142189A JP 2006318834 A JP2006318834 A JP 2006318834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- plug
- magnet
- holding structure
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 121
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 61
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 38
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明のマスク保持構造は、定盤4の下面に被成膜基板5を挟んでマスク1を保持する構造である。マスク1は、開口部20を有するベース基板2と、ベース基板2の開口部20に位置決めされる開口パターン30を有するチップ3とを含み、定盤4に磁石7が配設されるとともに、その磁石7に磁気吸引されるプラグ8がベース基板2に配設されることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
この構成により、大型の被成膜基板に対してもマスクの反りや撓みが確実に防止される。
この構成により、磁石からの磁束がプラグに導かれやすく、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が向上する。
この構成によれば、磁気吸引力がプラグの当接面を介してベース基板に作用することで、ベース基板(マスク)が定盤の下面に向けて押接される。すなわち、プラグの基部は、前述した磁石からの磁束をプラグに導きやすくする機能に加え、磁気吸引力をマスクに伝達する機能を有する。
この構成により、磁石とプラグとの間の磁気吸引力がマスクにおける複数の箇所で生じ、大型の被成膜基板であってもマスクの反りや撓みが確実に防止される。
この構成によれば、柱状の磁石によってプラグの突起部に導かれやすい磁束が形成され、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が向上する。
この構成によれば、磁石からの磁束がプラグにより導かれやすく、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が向上する。
強磁場を形成可能な希土類磁石(サマリウムコバルト磁石、ネオジウム磁石など)を用いることにより、磁石及びプラグの小サイズ化が図られる。
保磁力が小さい軟磁性材料(パーマロイ、珪素鋼板など)を用いることにより、磁性を有する異物がプラグに付着することが防止される。
この成膜方法によれば、大型の被成膜基板に対しても高精度に薄膜パターンを形成することができる。
この製造方法によれば、高精度な薄膜パターンが形成されることから、高品質な電気光学装置を製造することができる。
この電子機器は、高品質な電気光学装置を備えることから、表示品質の向上が図られる。
図1は、本発明のマスク保持構造に用いられるマスクの一例を示す斜視図、図2は、本発明のマスク保持構造の一例を示す部分断面図、図3は、本発明のマスク保持構造の一例を示す部分斜視断面図である。
まず、本発明のマスク保持構造に用いられる蒸着用のマスクについて説明する。
図1に示すように、マスク1は、開口部20が形成されたベース基板2と、成膜パターンに対応した開口パターン30が形成された板状のチップ3とが貼り合わされた構成を有してなる。
次に、本発明のマスク保持構造の一例について説明する。
図2及び図3に示すように、マスク1は、定盤4の下面に被蒸着基板5を間に挟んで密着保持される。すなわち、定盤4の下面に被蒸着面を下に向けて被蒸着基板5が配され、被蒸着基板5の下面(被蒸着面)にチップ3の配設面を上に向けてマスク1が配されている。そして、定盤4に磁石7が配設されるとともに、その磁石7に磁気吸引されるプラグ8がマスク1に配設されており、磁石7とプラグ8との間の磁気吸引力により定盤4に対して被蒸着基板5及びマスク1が保持されている。
図4に示すように、突起部を有しない円柱状のプラグでは、プラグを通る磁束が少なく、大半の磁束がプラグと無関係に磁石に対してループを描いている。プラグを通る磁束を増やそうとすると、プラグの全体を大きくする必要がある。プラグの全体を大きくすると、それに応じてプラグが挿入されるマスク(ベース基板)のプラグ孔を大きくする必要があり、これは、マスクにおけるパターンレイアウトや、マスク強度の観点から不利である。
図5において、(a)、(b)は凸型のプラグであり、(c)は円柱型のプラグである。また、(a)に比べて(b)は、突起部の形状は同じであるものの、基部が大きい。図5に示すように、凸型のプラグ(a、b)では、円柱型のプラグ(c)に比べて、磁気吸引力が明らかに大きいことがわかる。なお、上記各形状のプラグについて、磁気吸引力を実測したところ、解析結果と同様の結果が得られた。
図6に示すように、まず、定盤4に被蒸着基板5が吸着保持される。この吸着保持は、真空吸着あるいは静電吸着により行われる。この際、被蒸着基板5に形成されたアライメントマークが、定盤4に形成された観察孔42の中心に位置するように、定盤4に対して被蒸着基板5が位置決めされる。その後、定盤4に形成された磁石孔41に上側から磁石7を挿入する。この磁石7の挿入時、必要に応じて、磁石7と接合された係止体9の周面が把持される。
図7に示すように、マスク1の開口パターン30を通過した蒸着ソースからの粒子により、被蒸着基板5の一面に開口パターン30とほぼ同一形状の成膜パターン11が形成される。マスク1によって形成される成膜パターン11は、複数の線状パターンが、その線状パターンの短手方向(Y方向)に等間隔で並んだ複数の列(線状パターン列)を含む。そして、それらの複数の線状パターン列は、線状パターンの長手方向(X方向)に、一定間隔で互いに離間して配されている。
図8(A)のプラグ8は、図3の例に比べて、基部82の径が、軸方向外方に向かって大きくなっている。図8(A)の基部82の形状は、例えば、磁石からの磁束がより基部82の内部により導かれるように定められたものである。
次に、本発明の電気光学装置の製造方法の一例として、有機EL装置の製造方法につちえ説明する。
図9は、本発明の電気光学装置の製造方法の一例を示す模式断面図である。
図11は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
この図に示す携帯電話1300は、上記の有機EL装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
Claims (12)
- 定盤の下面に被成膜基板を挟んでマスクを保持する構造であって、
前記マスクは、開口部を有するベース基板と、該ベース基板の開口部に位置決めされる開口パターンを有するチップとを含み、
前記定盤に磁石が配設されるとともに、該磁石に磁気吸引されるプラグが前記ベース基板に配設されることを特徴とするマスク保持構造。 - 前記磁石と前記プラグとの間の磁気吸引力が前記マスクにおける複数の箇所で生じることを特徴とする請求項1に記載のマスク保持構造。
- 前記プラグは、前記磁石に対向配置される突起部を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスク保持構造。
- 前記プラグは、前記ベース基板の下面に当接される当接面が形成された基部と、該基部の当接面から突出して形成されかつ前記ベース基板に挿入される突起部とを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスク保持構造。
- 前記プラグの突起部は、前記ベース基板における複数の箇所に配されることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のマスク保持構造。
- 前記磁石は、前記プラグとの対向方向に延びる柱状形状からなることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のマスク保持構造。
- 前記磁石に比べて、前記プラグの突起部の径が小さいことを特徴とする請求項6に記載のマスク保持構造。
- 前記磁石が、希土類磁石であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載のマスク保持構造。
- 前記プラグが、軟磁性材料からなることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載のマスク保持構造。
- 請求項1から請求項9のいずれかに記載のマスク保持構造を用いて被成膜基板に薄膜パターンを形成することを特徴とする成膜方法。
- 請求項10に記載の成膜方法を用いて電気光学装置の構成層をなす薄膜パターンを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項11に記載の製造方法で製造された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005142189A JP4428285B2 (ja) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | マスク保持構造、成膜方法、及び電気光学装置の製造方法 |
US11/417,319 US7718006B2 (en) | 2005-05-16 | 2006-05-03 | Mask holding structure, film forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic apparatus |
TW095115832A TW200708175A (en) | 2005-05-16 | 2006-05-04 | Mask holding structure, film forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic apparatus |
KR1020060042609A KR100727722B1 (ko) | 2005-05-16 | 2006-05-11 | 마스크 지지 구조, 성막 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법및 전자기기 |
CNA2006100826799A CN1867216A (zh) | 2005-05-16 | 2006-05-12 | 掩模保持结构、成膜方法、电光学装置的制造方法、以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005142189A JP4428285B2 (ja) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | マスク保持構造、成膜方法、及び電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006318834A true JP2006318834A (ja) | 2006-11-24 |
JP4428285B2 JP4428285B2 (ja) | 2010-03-10 |
Family
ID=37419661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005142189A Expired - Fee Related JP4428285B2 (ja) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | マスク保持構造、成膜方法、及び電気光学装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7718006B2 (ja) |
JP (1) | JP4428285B2 (ja) |
KR (1) | KR100727722B1 (ja) |
CN (1) | CN1867216A (ja) |
TW (1) | TW200708175A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015218389A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 株式会社システム技研 | 成膜用マスクホルダ |
JP2017108177A (ja) * | 2017-03-08 | 2017-06-15 | Aiメカテック株式会社 | マスク吸着装置及びそれを有するハンダボール印刷機 |
JP2018113478A (ja) * | 2018-04-04 | 2018-07-19 | Aiメカテック株式会社 | マスク吸着装置 |
JP2019099910A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 |
CN112359317A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及显示面板的制备方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101303447B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2013-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 증착장치 |
KR100972636B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2010-07-27 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 증착 마스크 유닛 |
CN101675178A (zh) * | 2007-11-30 | 2010-03-17 | 佳能安内华股份有限公司 | 基板处理设备及基板处理方法 |
DE102008037387A1 (de) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Aixtron Ag | Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske |
JP6194493B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-09-13 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 薄膜パターン形成方法 |
US9579680B2 (en) * | 2013-01-31 | 2017-02-28 | Wki Holding Company, Inc. | Self-centering magnetic masking system |
KR102130546B1 (ko) * | 2013-10-11 | 2020-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치 |
CN103952665A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 磁性装置和oled蒸镀装置 |
KR102549358B1 (ko) * | 2015-11-02 | 2023-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 마스크 조립체 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
JP6471200B1 (ja) * | 2017-09-01 | 2019-02-13 | 株式会社アルバック | マスクプレート及び成膜方法 |
CN108014944A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-11 | 中信戴卡股份有限公司 | 一种车轮喷涂防护装置 |
JP2021175824A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 |
CN115595546A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-01-13 | 中物院成都科学技术发展中心(Cn) | 一种用于蓝宝石片镀膜的镀膜装置及镀膜方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6067363A (ja) | 1983-09-20 | 1985-04-17 | Murata Mach Ltd | トラバ−ス装置 |
US5608773A (en) * | 1993-11-30 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device |
US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
JP2001049422A (ja) | 1999-08-09 | 2001-02-20 | Hitachi Ltd | メタルマスクの基板への保持固定構造、保持固定治具、その補助具、及びトレイ |
KR100313415B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2001-11-07 | 배경빈 | 자력식 진공증착용 섀도우마스크 지지장치 |
JP2001237073A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Tohoku Pioneer Corp | 多面取り用メタルマスク及びその製造方法 |
JP3651432B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2005-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
KR100422487B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-03-11 | 에이엔 에스 주식회사 | 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법 |
KR100833769B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 증착기의 마스크 얼라인먼트용 자석판 및자석판과 마스크의 얼라인먼트 구조 |
KR100468792B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2005-01-29 | 주식회사 야스 | 기판과 쉐도우 마스크 고정장치 |
JP2004183044A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器 |
-
2005
- 2005-05-16 JP JP2005142189A patent/JP4428285B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-03 US US11/417,319 patent/US7718006B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-04 TW TW095115832A patent/TW200708175A/zh unknown
- 2006-05-11 KR KR1020060042609A patent/KR100727722B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-05-12 CN CNA2006100826799A patent/CN1867216A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015218389A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 株式会社システム技研 | 成膜用マスクホルダ |
JP2017108177A (ja) * | 2017-03-08 | 2017-06-15 | Aiメカテック株式会社 | マスク吸着装置及びそれを有するハンダボール印刷機 |
JP2019099910A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 |
JP2018113478A (ja) * | 2018-04-04 | 2018-07-19 | Aiメカテック株式会社 | マスク吸着装置 |
CN112359317A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及显示面板的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060258030A1 (en) | 2006-11-16 |
KR100727722B1 (ko) | 2007-06-13 |
US7718006B2 (en) | 2010-05-18 |
KR20060118331A (ko) | 2006-11-23 |
TW200708175A (en) | 2007-02-16 |
JP4428285B2 (ja) | 2010-03-10 |
CN1867216A (zh) | 2006-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4428285B2 (ja) | マスク保持構造、成膜方法、及び電気光学装置の製造方法 | |
KR100707553B1 (ko) | 마스크, 마스크의 제조 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법및 전자기기 | |
KR100484023B1 (ko) | 마스크 및 그 제조 방법, 및 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법 | |
KR100791530B1 (ko) | 마스크, 마스크 칩, 마스크의 제조 방법, 마스크 칩의 제조방법, 및 전자 기기 | |
JP4375232B2 (ja) | マスク成膜方法 | |
US11396030B2 (en) | Mask frame assembly for depositing thin film | |
US20100112194A1 (en) | Mask fixing device in vacuum processing apparatus | |
CN100459222C (zh) | 掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法 | |
US20070018265A1 (en) | Mask, mask manufacturing method, film forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic apparatus | |
US20050118788A1 (en) | Mask, method for manufacturing thereof, method for manufacturing organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device | |
JPWO2009069743A1 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
KR20060094872A (ko) | 마스크, 마스크의 제조 방법, 패턴 형성 장치, 패턴 형성방법 | |
JP2002235165A (ja) | マスク | |
JP2008196002A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
KR100484024B1 (ko) | 마스크 및 그 제조 방법, 일렉트로루미네선스 장치 및 그제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP2006216289A (ja) | マスク及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2008240088A (ja) | 蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置及び電子機器 | |
JP2008108596A (ja) | マスク蒸着法、およびマスク蒸着装置 | |
KR101328821B1 (ko) | 새도우마스크, 그 제조 방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조 방법 | |
JP2007035440A (ja) | マスク製造方法、マスク、成膜方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
KR20110064249A (ko) | 유기전계발광표시장치의 증착장치 | |
JP4235823B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
JP2006077276A (ja) | マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法 | |
JP2004335486A (ja) | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2005290524A (ja) | マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131225 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |