KR20210060042A

KR20210060042A - 성막장치, 이를 사용한 성막방법 및 전자디바이스 제조방법

Info

Publication number: KR20210060042A
Application number: KR1020190147597A
Authority: KR
Inventors: 마사시 나카츠가와; 류우스케 나카지마
Original assignee: 캐논 톡키 가부시키가이샤
Priority date: 2019-11-18
Filing date: 2019-11-18
Publication date: 2021-05-26
Also published as: JP2021080559A; CN112813388A; CN112813388B; JP7119042B2; TWI812894B; TW202134455A

Abstract

본 발명의 성막 장치는, 내부가 진공으로 유지되는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 배치되어, 기판을 흡착하여 지지하는 기판 흡착 수단을 갖고, 상기 챔버의 내부에 배치되는 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 마스크를 통해 상기 기판흡착수단에 의해 지지된 상기 기판에 성막하는 성막 장치로서, 상기 챔버의 내부에 배치되어, 상기 기판흡착수단을 복사 냉각시키는 제1 냉각 재킷과, 상기 챔버의 내부에 배치되어, 상기 챔버 내에서 상기 기판 및 상기 마스크에 대해 복사열원이 되는 대상물을 복사냉각에 의해 냉각시키는 제2 냉각 재킷을 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

성막장치, 이를 사용한 성막방법 및 전자디바이스 제조방법{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME}

본 발명은 성막장치, 이를 사용한 성막방법 및 전자디바이스 제조방법에 관한 것이다.

유기 EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)는, 스마트폰, TV, 자동차용 디스플레이뿐만 아니라 VR-HMD(Virtual Reality Head Mount Display) 등으로 그 응용분야가 넓혀지고 있는 바, 특히, VR-HMD에 사용되는 디스플레이는 사용자의 어지러움 등을 저감하기 위해 화소 패턴을 세밀하게 형성할 것이 요구된다. 즉, 보다 한층 고해상도화가 요구되고 있다.

유기 EL 표시장치의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막 장치의 성막원으로부터 방출된 성막재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 성막함으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다.

이러한 성막 공정에 있어서는, 성막 정밀도를 높이기 위해, 기판과 마스크의 상대 위치를 가능한 한 일정하게 유지할 필요가 있다. 그런데, 성막 공정에 있어서는, 성막원을 가열하였을 때 발생하는 복사열에 의해, 기판과 마스크의 온도가 상승한다. 기판과 마스크가 다른 재료로 제작되는 경우, 기판과 마스크의 열팽창율이 다름으로써, 기판과 마스크의 상대 위치에 어긋남이 발생하게 된다.

종래, 진공처리장치에서의 기판과 마스크의 온도 상승을 억제하는 방법으로서, 특허문헌 1 등이 알려져 있다. 특허문헌 1에서는, 진공증착장치에 설치된 냉각재킷에 냉매를 흘림으로써, 이 냉각재킷과 소정의 거리를 두고 체결된 기판흡착수단을 복사냉각시키고 있다.

특허문헌 1: 일본공개특허공보 특개2004-87869호

그러나, 진공증착장치에서는, 진공 챔버 내에서 기판이나 마스크, 성막원 등을 둘러싸서, 기판 이외의 장소에 부착된 성막 재료의 제거를 용이하게 하는 방착판을 설치하는 것이 일반적이다. 또는, 성막원과 마스크의 사이에 가동식의 셔터를 설치하여 성막을 컨트롤하는 경우도 있다. 이러한 경우에는, 방착판이나 셔터가 성막원으로부터의 복사열을 받아 온도 상승하고, 온도 상승한 방착판이나 셔터로부터 발생하는 복사열에 의해서도 기판이나 마스크가 가열되어, 기판과 마스크의 상대 위치에 어긋남이 생길 수 있다. 또는, 챔버의 벽이나 챔버 내에 배치되는 그 밖의 구성 부재로부터도 복사열이 발생하여, 기판이나 마스크가 가열되는 일도 있다. 이 때문에, 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 기판흡착수단을 냉각시키는 것만으로는, 기판과 마스크의 온도 상승을 충분히 억제할 수 없다는 과제가 있었다.

이에 본 발명은, 상기 종래 기술이 갖는 문제를 감안하여, 기판과 마스크의 온도 상승을 보다 효율적으로 억제하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치는, 내부가 진공으로 유지되는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 배치되어, 기판을 흡착하여 지지하는 기판 흡착 수단을 갖고, 상기 챔버의 내부에 배치되는 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 마스크를 통해 상기 기판흡착수단에 의해 지지된 상기 기판에 성막하는 성막 장치로서, 상기 챔버의 내부에 배치되어, 상기 기판흡착수단을 복사 냉각시키는 제1 냉각 재킷과, 상기 챔버의 내부에 배치되어, 상기 챔버 내에서 상기 기판 및 상기 마스크에 대해 복사열원이 되는 대상물을 복사냉각에 의해 냉각시키는 제2 냉각 재킷을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 상기 성막 장치를 사용하여, 상기 성막 장치의 챔버의 내부에서 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 방법으로서, 상기 챔버의 내부에 배치된 기판흡착수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과, 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정과, 상기 챔버의 내부에 배치된 제1 냉각 재킷에 의해 상기 기판흡착수단을 복사 냉각시키는 공정과, 상기 챔버의 내부에 배치된 제2 냉각 재킷에 의해 상기 챔버 내에서 상기 기판 및 상기 마스크에 대해 복사열원이 되는 대상물을 복사 냉각시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스 제조 방법은, 상기 성막 방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 기판과 마스크의 온도 상승을 억제하면서, 성막원 및 외기로부터의 열 외란을 열 배출 및 단열할 수 있다.

또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것은 아니고, 본 개시 중에 기재된 어떠한 효과이어도 된다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 단면의 모식도이다.
도 2는 본 발명에 관한 정전척 복사냉각재킷의 단면의 모식도이다.
도 3은 본 발명에 관한 셔터 냉각재킷의 단면의 모식도이다.
도 4는 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 한정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다.

본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다.

기판의 재료로는 반도체(예컨대, 실리콘), 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 실리콘 웨이퍼, 또는 유리 기판 상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한, 성막 재료로서도, 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다.

본 발명은, 가열 증발에 의한 진공증착장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막장치에도 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자부품 등의 각종 전자 디바이스나 광학 부품 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 전자 디바이스의 구체예로서는, 발광소자나 광전변환소자, 터치패널 등을 들 수 있다. 본 발명은, 그 중에서도, OLED 등의 유기 발광 소자나, 유기 박막 태양 전지 등의 유기 광전변환 소자의 제조장치에 바람직하게 적용가능하다. 또한, 본 발명에 있어서의 전자 디바이스는, 발광소자를 포함하는 표시장치(예컨대, 유기 EL 표시장치)나 조명장치(예컨대, 유기 EL 조명장치), 광전변환소자를 구비하는 센서(예컨대, 유기 CMOS 이미지 센서)를 포함하는 것이다.

<성막장치>

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치(10)의 구성을 나타내는 모식도이다.

성막장치(10)는, 성막원의 성막재료를 가열함으로써 증발 또는 승화시켜, 마스크(M)를 통해 기판(W)에 성막한다. 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치 조정(얼라인먼트)은, 스테이지 구동에 의해 위치 정렬을 행함으로써 실시된다. 얼라인먼트로부터 성막에 이르는 일련의 성막 프로세스는, 성막장치 내에서 행해진다.

성막장치(10)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 챔버(15)에 의해 이루어지고, 기판(W)의 위치를 조정하는 미동(微動) 스테이지 기구(12)와, 기판(W)을 흡착하여 보유지지하는 기판흡착수단(14)과, 마스크(M)를 지지하는 마스크 재치대(13)와, 마스크(M)의 위치를 조정하는 조동(粗動) 스테이지(131)와, 성막 재료를 가열 방출하는 성막원(11)을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 성막장치(10)는, 자기력에 의해 금속제 마스크(M)를 기판(W)측으로 밀착시키기 위한 자력인가수단(16)을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 성막장치(10)의 진공 챔버(15)는, 도시하지 않은 진공펌프를 접속함으로써 진공 챔버(15)　전체의 내부공간을 고진공 상태로 유지할 수 있다.

미동 스테이지 기구(12)는, 기판(W) 또는 기판흡착수단(14)의 위치를 조정하기 위한 스테이지 기구로서, 기판(W)의 마스크(M)에 대한 상대 위치를 목표 임계치 이하로 수속시키는 것을 가능하게 한다. 미동 스테이지 기구(12)는, 지지고정체로서 기능하는 기준 플레이트부(제1 플레이트부, 121)와, 가동대로 기능하는 미동 스테이지 플레이트부(제2 플레이트부, 122)를 포함한다.

미동 스테이지 기구(12)는, 기판(W) 또는 기판흡착수단(14)의 고정밀한 위치 조정을 가능하게 하기 위해, 자기 부상 리니어 모터에 의해 구동되는 자기부상 스테이지 기구로서 구성될 수 있다. 즉, 예컨대, 기준 플레이트부(121)에 전류가 흐르는 코일을 고정자로서 설치하고, 이에 대응하는 미동 스테이지 플레이트부(122) 영역에는 가동자로서 영구자석을 설치하여, 기준 플레이트부(121)에 대해 미동 스테이지 플레이트부(122)를 자기 부상시킨 상태로 이동시킴으로써, 미동 스테이지 플레이트부(122)의 일 주면(예컨대, 하면)에 설치되는 기판흡착수단(14) 및 그에 흡착된 기판(W)의 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다. 미동 스테이지 기구(12)는, 미동 스테이지 플레이트부(122)의 위치를 측정하기 위한 위치측정수단, 미동 스테이지 플레이트부(122)에 걸리는 중력을 보상하기 위한 자중보상수단, 미동 스테이지 플레이트부(222)의 원점 위치를 정하기 위한 원점위치 결정수단 등을 더 포함할 수 있다.

마스크 재치대(13)는, 마스크(M)를 설치 및 고정하는 지지구 조체로서, 조동　스테이지(131) 상에 설치되어 있다. 이에 의해, 마스크(M)의 기판(W)에 대한 상대 위치 및 연직 방향에 있어서의 간격을 조정할 수 있다.

마스크(M)는, 기판(W) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 재치대(13)에 의해 지지된다. 예컨대, VR-HMD용 유기 EL 표시 패널을 제조하는데 사용되는 마스크(M)는, 유기 EL 소자의 발광층의 RGB 화소 패턴에 대응하는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크인 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask)와, 유기 EL 소자의 공통층(정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 등)을 형성하는데 사용되는 오픈 마스크(open mask)를 포함한다. 마스크(M)의 개구 패턴은 성막 재료의 입자를 통과시키지 않는 차단 패턴에 의해 정의된다. 또한, 마스크(M)는 실리콘을 재료로 하여 제작될 수도 있다.

기판흡착수단(14)은, 장치 내로 반입된 피성막체로서의 기판(W)을 흡착하여 보유지지하는 수단이다. 기판흡착수단(14)은, 미동 스테이지 기구(12)의 가동대인 미동 스테이지 플레이트부(122)에 설치된다. 기판흡착수단(14)은, 예컨대, 유전체 또는 절연체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는 정전척이다. 기판흡착수단(14)으로서의 정전척은, 전극과 흡착면 사이에 상대적으로 저항이 높은 유전체가 개재되어 전극과 피흡착체 간의 쿨롱력에 의해 흡착이 이루어지는 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 전극과 흡착면 사이에 상대적으로 저항이 낮은 유전체가 개재되어 유전체의 흡착면과 피흡착체 간에 발생하는 존슨 라벡력에 의해 흡착이 이루어지는 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 불균일 전계에 의해 피흡착체를 흡착하는 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 피흡착체가 도체나 반도체(실리콘 웨이퍼)인 경우에는 쿨롱력 타입의 정전척 또는 존슨-라벡력 타입의 정전척을 사용하는 것이 바람직하며, 피흡착체가 유리와 같은 절연체인 경우에는 그래디언트력 타입의 정전척을 사용하는 것이 바람직하다.

성막원(11)은 기판(W)에 성막될 성막 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시) 등을 포함한다. 성막원(11)은 점형(point) 성막원이나 선형(linear) 성막원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. 기판의 반입 및 반출 시나, 얼라인먼트 시에는, 성막 재료가 기판(W)으로 비산하는 것을 막을 필요가 있기 때문에, 셔터(18)를 설치하는 것이 일반적이다.

자력인가수단(16)은, 성막 시에 자기력에 의해 금속제 마스크(M)를 기판(W)측으로 끌어당겨 밀착시키기 위한 수단으로써, 연직 방향으로 승강 가능하게 설치된다. 예컨대, 자력인가수단(16)은 전자석이나 영구자석으로 구성된다. 진공 챔버(15)의 상부 외측(대기측)에는, 자력인가수단(16)을 승강시키기 위한 승강 기구(17)가 설치된다. 기판(W)과 마스크(M)가 접촉하는 증착 위치에 도달하면, 자력인가수단(16)을 하강시켜, 정전척(14) 및 기판(W) 너머로 마스크(M)를 끌어당김으로써, 기판(W)과 마스크(M)를 밀착시킨다. 마스크(M)가 금속이 아니라 실리콘으로 제작되는 경우에는, 자력인가수단(16)은 필요하지 않게 된다.

<성막 프로세스>

이하, 본 실시형태에 의한 성막장치를 사용한 성막 방법에 대해 설명한다.

진공 챔버(15) 내의 마스크 재치대(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 기판(W)이 진공 챔버(15) 내로 반입된다. 반입된 기판(W)이 기판흡착수단(14)에 충분히 근접 또는 접촉한 후에, 기판흡착수단(14)에 기판흡착전압을 인가하여, 기판(W)을 흡착시킨다. 미동 스테이지 기구(12) 및 조동 스테이지(131)를 구동시킴으로써, 기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트를 행한다. 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치 어긋남량이 소정의 임계치보다 작아지면, 자력인가수단(16)을 하강시켜, 기판(W)과 마스크(M)를 밀착시킨 후, 셔터(18)를 개방하여, 성막재료를 기판(W)에 성막한다. 원하는 두께로 성막한 후, 자력인가수단(16)을 상승시켜 마스크(M)를 분리하고, 기판(W)을 반출한다.

이상의 설명에서는, 성막장치(10)는, 기판(W)의 성막면이 연직방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 소위 상향증착방식(Depo-up)의 구성으로 하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 기판(W)이 진공 챔버(15)의 측면측에 수직으로 세워진 상태로 배치되고, 기판(W)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다.

<정전척 복사냉각재킷>

도 1에 있어서, 진공 챔버(15)의 저면에는 성막원(11)이 설치되어 있다. 성막원(11)에는 성막 재료의 방출 구멍이 있고, 이 방출 구멍이 지향하는 곳에, 기판(W) 및 마스크(M)가 성막면을 방출 구멍을 향하게 하여 배치되고 있다. 마스크(M)에는 성막 재료를 원하는 위치에서 통과시키는 패턴 구멍이 뚫려 있고, 성막원(11)으로부터 방출되는 성막 재료가 마스크(M)을 거치게 됨으로써 기판(W)에 원하는 패턴으로 부착된다.

성막원(11)은 성막 재료를 방출하기 위해, 도가니 내부를 500℃ 가까운 고온으로 가열하기 때문에, 성막원(11)으로부터의 복사열이 기판(W) 및 마스크(M)에 영향을 주어, 온도를 상승시킨다. 또한, 기판(M)을 흡착하여 유지하는 기판흡착수단(14)인 정전척은, 통전 시에 발열되기 때문에, 이 역시 기판(W) 및 마스크(M)의 온도를 상승시키는 요인이 된다.

이러한 성막원(11)으로부터의 복사열 또는 기판흡착수단(14)인 정전척의 발열에 의한 기판(W) 및 마스크(M)의 온도 상승을 억제하기 위해, 기판(W)을 흡착하는 기판흡착수단(14)인 정전척, 또는 이 기판흡착수단(14)을 탑재하는 미동 스테이지 플레이트부(122)에 직접 열 배출용의 냉매 배관을 접속시키는 것을 고려할 수 있으나, 이러한 방식은 기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트 정밀도에 영향을 미칠 수 있다. 즉, 기판흡착수단(14)를 탑재하는 미동 스테이지 플레이트부(122)는, 전술한 바와 같이, 고정밀도의 위치 결정을 가능하게 하는 가동대로서, 기판(W)을 흡착한 상태로 미세 구동됨으로써 기판(W)과 마스크(M)를 고정밀도로 얼라인먼트하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 이러한 기판 구동에 관여하는 미동 스테이지 플레이트부(122)에 열 배출용의 냉매 배관을 직접 접속시키는 것은, 진동의 전달과 냉매의 맥동 전달의 경로를 형성하는 것이 되기 때문에, 얼라인먼트 정밀도를 향상시키는데 있어서 바람직하지 않다.

이에, 본 발명의 일 실시형태에서는, 기판흡착수단(14)인 정전척에 근접되게 복사냉각재킷을 설치하고, 이 복사냉각재킷으로부터의 복사냉각에 의해, 정전척(14), 및 그에 근접한 기판(W)과 마스크(M)를 함께 냉각시키도록 하고 있다. 복사냉각을 이용함으로써, 냉각 대상물에 대하여 비접촉으로 상시 열 배출하는 것이 가능하게 되기 때문에, 기판(W)과 마스크(M)의 온도 상승을 억제하면서, 장치의 진동이나 냉매의 맥동이 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치 어긋남을 악화시키는 요인이 되는 것도 배제할 수 있다.

도 2는, 정전척(14)에 근접되게 설치되는 정전척 복사냉각재킷(21)을 나타내는 단면도이다. 정전척 복사냉각재킷(21)은, 복사냉각을 이용함으로써, 비접촉으로 정전척(14), 그에 근접한 기판(W) 및 마스크(M)를 냉각시키는 것을 목적으로 하고 있다. 정전척 복사냉각재킷(21)은, 성막 시에 자력에 의해 마스크(M)를 기판(W) 측으로 끌어당겨 밀착시키는 자력인가수단(16)에 설치하여도 되고, 별도로 정전척(14)에 근접하는 구조체에 의해 지지하여도 된다. 자력인가수단(16)에 설치하는 경우, 기판(W) 및 마스크(M)가 성막원(11)으로부터의 복사열을 받고, 정전척(14)이 발열하는 성막 시에, 정전척(14)에 근접되기 때문에 복사냉각을 행하는 데 있어서 효과적이다. 또한, 자력인가수단(16)을 승강시키는 승강기구(17)에 의해 정전척(14)과의 간격도 조정할 수 있기 때문에, 복사냉각량을 조정하는 데 있어서도 유효하다.

정전척 복사냉각재킷(21)에는 냉매 배관(211)이 접속되고 있고, 정전척 복사냉각재킷(21)의 온도 제어에 필요한 냉매를 진공 챔버(15) 외부로부터 공급한다. 이 정전척 복사냉각재킷(21)은 놋쇠 등의 금속제의 판재에 의해 제작되고, 그 내부에 냉매 배관(211)로부터 공급된 냉매가 순환하는 유로가 시공되어 있다. 또한, 정전척 복사냉각재킷(21)의 진공 챔버 벽면과 대향하는 외측 표면(21a)은, 경면(鏡面) 가공함으로써 방사율의 저감을 도모하고 있다. 이에 의해, 진공 챔버 벽면을 통한 외기의 열 유입을 단열함과 함께, 열 배출에 필요로 하는 냉매 유량을 줄일 수 있다. 한편, 정전척 복사냉각재킷(21)의 정전척(14)과 대향하는 내측 표면(21b)에는, DLC(다이아몬드-라이크 카본: diamond-like carbon) 막을 시공함으로써 방사율의 향상을 도모하고 있다. 내측 표면(21b)의 방사율을 외측 표면(21a)보다 높게 하는 방법으로서는, 전술한 DLC막 시공 외에도, 외측 표면(21a) 보다 표면을 거칠게 하는 처리 또는 흑색면으로 하는 처리 등을 적용할 수 있다. 이러한 표면 처리로서는, 예를 들면, 블라스트 가공처리, 흑색 도금 처리, 산화 피막 형성 처리, 용사(thermal spraying) 처리 등을 들 수 있다.

자력인가수단(16)에 정전척 복사냉각재킷(21)을 설치할 때에는 자력인가수단(16)의 하면이 내측 표면(21b)이 된다. 이에 의해, 정전척 복사냉각재킷(21)과 정전척(14)과의 열 교환량을 증가시켜, 정전척(14) 및 기판(W), 마스크(M)의 온도 상승을 억제한다.

내측 표면(21b)에는, 온도 센서(193)이 설치되어 있다. 이 온도 센서(193)는 도시하지 않은 앰프와 계산기에 접속되고 있고, 내측 표면(21b)의 온도를 측정함으로써 정천척(14)을 냉각시키는 복사 냉각량을 산출할 수 있다. 이 복사 냉각량이 원하는 값이 되도록, 도시하지 않은 전술한 계산기에 접속된 칠러에 지령을 전달함으로써 냉매 온도를 제어한다. 이 때, 냉매의 온도를 직접적으로 제어하도록 하여도 되고, 공급되는 냉매의 유량을 제어하도록 하여도 된다. 이상과 같이, 온도 센서(193)를 사용함으로써 정전척(14)의 온도를 간접적으로 제어하고, 기판(W)과 마스크(M)의 온도도 아울러 억제하는 것을 가능하게 하고 있다.

또한, 정전척 복사냉각재킷(21)의 재료로는, 진공증착장치의 용도로부터 요구되는 진공도의 요건이 허용한다고 하면, 알루미늄을 사용하여도 좋다. 또한, 보다 엄격한 진공도 요건을 만족할 필요가 있는 경우에는, 진공에 유리한 스테인레스를 사용하여도 좋다. 이 경우, 스테인레스의 열 전도율은 놋쇠나 알루미늄에 비해 낮기 때문에, 균일한 온도를 달성하기 위해서는 보다 복잡한 냉매 유로를 구성할 필요가 있다.

본 실시형태는, 자기력에 의해 금속제 마스크(M)를 기판(W) 측에 밀착시키기 위한 자력인가수단(16)을 포함하지만, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 마스크(M)가 실리콘에 의해 제작되는 경우, 자력인가수단(16)은 필요하지 않게 된다. 이 경우는, 정전척 복사냉각재킷(21)의 하면이 도 2의 내측 표면(21b)이 된다. 또한, 이 때의 정전척 복사냉각재킷(21)은, 전술한 실시형태에서 자력인가수단(16) 승강용으로 사용되던 승강기구(17)를 그대로 가져와 지지하여도 되고, 정전척에 근접하여 위치하는 별도의 구조체에 의해 지지하여도 된다.

<방착판 복사냉각재킷>

도 1에 있어서, 진공 챔버(15)의 내부에는, 방착판(191)이 성막원(11), 기판(W) 및 마스크(M)를 둘러싸도록 배치되어 있고, 성막원(11)으로부터 방출되는 성막 재료 중 마스크(M) 이외의 방향으로 비산되는 성막 재료가 부착된다. 이 방착판(191)은, 스테인레스나 알루미늄 등의 금속제의 판재에 의해 제작되어 있고, 성막이 반복적으로 행해질 때마다 쓸데없는 성막 재료가 부착되기 때문에, 세정을 위해 정기적으로 착탈하여 진공 챔버(15) 밖으로 반출할 수 있는 구조로 되어 있다.

전술한 바와 같이, 방착판(191)도 성막 시에 성막원(11)으로부터의 복사열을 받아 온도 상승하여, 기판(W)과 마스크(M)에 영향을 미치는 2차 복사열원이 된다. 본 발명의 일 실시형태에서는, 이 방착판(191)로부터의 2차 복사열을 냉각시키는 온도 제어를 하기 위해, 진공 챔버(15) 내의 진공 챔버 벽면과 방착판(191)의 사이에 방착판 복사냉각재킷(192)을 설치하고 있다.

방착판 복사냉각재킷(192)에는 도시하지 않은 냉매 배관이 접속되고 있고, 방착판 복사냉각재킷(192)의 온도 제어에 필요한 냉매를 진공 챔버(15) 외부로부터 공급한다. 이 방착판 복사냉각재킷(192)은 놋쇠 등의 금속제의 판재에 의해 제작되고, 그 내부에 냉매 배관으로부터 공급된 냉매가 순환하는 유로가 시공되어 있다. 또한, 방착판 복사냉각재킷(192)의 진공 챔버 벽면과 대향하는 외측 표면(192a)은, 경면(鏡面) 가공함으로써 방사율의 저감을 도모하고 있다. 이에 의해, 진공 챔버 벽면을 통한 외기의 열 유입을 단열함과 함께, 열 배출에 필요로 하는 냉매 유량을 줄일 수 있다. 한편, 방착판 복사냉각재킷(21)의 방착판(191)과 대향하는 내측 표면(192b)에는, DLC(다이아몬드-라이크 카본: diamond-like carbon) 막을 시공함으로써 방사율의 향상을 도모하고 있다. 내측 표면(192b)의 방사율을 외측 표면(192a)보다 높게 하는 방법으로서는, 전술한 DLC막 시공 외에도, 외측 표면(192a) 보다 표면을 거칠게 하는 처리 또는 흑색면으로 하는 처리 등을 적용할 수 있다. 이러한 표면 처리로서는, 예를 들면, 블라스트 가공처리, 흑색 도금 처리, 산화 피막 형성 처리, 용사 처리 등을 들 수 있다. 이에 의해, 방착판 복사냉각재킷(192)과 방착판(191)과의 열 교환량을 증가시켜, 방착판(191)의 온도 상승을 억제한다.

이와 같이, 방착판(191)과 진공 챔버 벽면과의 사이에 방착판 복사냉각재킷(192)를 설치함으로써, 기판과 마스크로의 방착판으로부터의 2차 복사열의 영향을 억제하는 것에 더하여, 진공 챔버 벽면으로부터의 외기 온도 변화에 의한 복사열의 영향도 단열시킬 수 있다. 또한, 이 외기로부터의 열 유입을, 별체로 설치된 복사냉각재킷(192)의 표면의 방사율을 조정함으로써 단열시키고 있기 때문에, 진공 챔버 벽면에 직접 열 배출 수단을 설치하는 것에 비하여, 냉각 재킷(192)에 흘리는 냉매의 유량을 줄일 수 있고, 그 만큼 방착판의 온도 응답성을 높이는 데에도 유리하다. 또한, 방착판(191)은 부착된 성막 자료의 제거 세정을 위해 빈번하게 착탈이 행해지지만, 본 발명에서는 복사냉각을 이용하여 냉각재킷(192)을 이 방착판(191)과도 별체로 설치하고 있기 때문에, 방착판(191)의 착탈 시, 냉매의 배출 및 냉매 배관의 착탈 등을 행할 필요가 없고, 장치의 유지보수성능을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 방착판 복사냉각재킷(192)로의 성막 재료의 부착 및 부착된 성막 재료의 제거에 의해 생기는 방사율의 변화를 막을 수도 있다.

방착판 복사냉각재킷(192)의 내측 표면(192b)에는, 온도 센서(193)가 설치되어 있다. 이 온도 센서(193)는 도시하지 않은 앰프와 계산기에 접속되고 있고, 내측 표면(192b)의 온도를 측정함으로써 방착판(191)을 냉각시키는 복사 냉각량을 산출할 수 있다. 이 복사 냉각량이 원하는 값이 되도록, 도시하지 않은 전술한 계산기에 접속된 칠러에 지령을 전달함으로써 냉매 온도를 제어한다. 이 때, 냉매의 온도를 직접적으로 제어하도록 하여도 되고, 공급되는 냉매의 유량을 제어하도록 하여도 된다. 이상과 같이, 온도 센서(193)를 사용함으로써 방착판(191)의 온도를 간접적으로 제어하여, 방착판(191)으로부터 기판(W)과 마스크(M)로 향하는 2차 복사열을 억제하는 것을 가능하게 하고 있다.

또한, 방착판 복사냉각재킷(192)의 재료로는, 진공증착장치의 용도로부터 요구되는 진공도의 요건이 허용한다고 하면, 알루미늄을 사용하여도 좋다. 또한, 보다 엄격한 진공도 요건을 만족할 필요가 있는 경우에는, 진공에 유리한 스테인레스를 사용하여도 좋다. 이 경우, 스테인레스의 열 전도율은 놋쇠나 알루미늄에 비해 낮기 때문에, 균일한 온도를 달성하기 위해서는 보다 복잡한 냉매 유로를 구성할 필요가 있다.

<셔터 냉각재킷>

도 3은 셔터 냉각재킷(183)을 포함하는 셔터(18)를 나타내는 단면도이다. 성막원(11)에는, 기판의 반입 및 반출 시나 얼라인먼트 시에 성막 재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(18)를 설치하는 것이 일반적이다. 단, 셔터 내에서 성막 재료가 부착되는 셔터 방착판(181)은, 성막 재료의 비산을 막을 수는 있지만, 성막원(11)으로부터 복사열을 받기 때문에 온도가 상승하여, 기판(W) 및 마스크(M)의 온도를 상승시키는 복사열원이 된다.

이에, 셔터 냉각재킷(183)을 설치함으로써, 셔터 방착판(181)의 온도 상승을 억제한다. 셔터 냉각재킷(183)은, 셔터 방착판(181)과의 일체 구조로 형성하여도 되지만, 성막원(11)으로부터 받는 복사열을 직접 열 배출할 필요가 생기기 때문에, 셔터 냉각재킷(183)에 흐르는 냉매 유량이 증가된다. 이에, 도 3에 도시한 바와 같이, 셔터 방착판(181)에 대하여 복사냉각을 이용하면, 방사율에 따라 셔터 방착판(181)으로부터 셔터 냉각재킷(183)으로의 열 유입량을 삭감할 수 있기 때문에, 냉매 유량을 줄일 수 있다. 셔터 방착판(181)의 지지 부품(182)에는 전열 저항이 높은 단열 재료를 사용함으로써, 셔터 방착판(181)로부터의 구조체 전열(傳熱; heat transfer)을 억제한다. 도 3의 셔터(18)는 게이트 밸브를 상정한 구조로서, 지지 아암(184)을 도 3의 좌우 방향으로 움직임으로써 셔터를 개폐하지만, 셔터(18)의 개폐는 버터플라이 방식이어도 되고, 본 발명은 셔터의 개폐 방향에 제약되는 것은 아니다.

셔터 냉각재킷(183)에는 냉매 배관(185)이 접속되고 있고, 셔터 냉각재킷(183)의 온도 제어에 필요한 냉매를 진공 챔버(15) 외부로부터 공급한다. 이 셔터 냉각재킷(183)은 놋쇠 등의 금속제의 판재에 의해 제작되고, 그 내부에 냉매 배관(185)으로부터 공급된 냉매가 순환하는 유로가 시공되어 있다. 또한, 셔터 냉각재킷(183)의 기판(W) 및 마스크(M)와 대향하는 외측 표면(183a)은, DLC 막을 시공함으로써 방사율의 향상을 도모하고 있다. 이에 의해, 셔터 냉각재킷(183)과 기판(W) 및 마스크(M)와의 열 교환량이 증가되어, 셔터 폐쇄 시에 기판(W)과 마스크(M)를 냉각시키는 것이 가능하게 된다. 외측 표면(183a)의 방사율을 내측 표면(183b)보다 높게 하는 방법으로서는, 전술한 DLC막 시공 외에도, 내측 표면(183b) 보다 표면을 거칠게 하는 처리 또는 흑색면으로 하는 처리 등을 적용할 수 있다. 이러한 표면 처리로서는, 예를 들면, 블라스트 가공처리, 흑색 도금 처리, 산화 피막 형성 처리, 용사 처리 등을 들 수 있다. 또한, 셔터 냉각재킷(183)의 셔터 방착판(183)과 대향하는 내측 표면(183b)은, 경면(鏡面) 가공함으로써 방사율의 저감을 도모하고 있다. 이에 의해, 셔터 냉각재킷(183)과 셔터 방착판(181)과의 열 교환량을 줄여, 셔터 냉각재킷(183)에 흘리는 냉매 유량을 줄인다.

이와 같이, 셔터 냉각재킷(183)은, 재킷(183)의 표면의 방사율을 조정(증감)함으로써, 성막원(11)으로부터의 복사열을 단열시킬 뿐만 아니라, 폐쇄 시에 기판(W)이나 마스크(M)를 냉각시키는 효과도 기대할 수 있다.

셔터 냉각재킷(183)의 외측 표면(183a)에는, 온도 센서(193)가 설치되어 있다. 이 온도 센서(193)는 도시하지 않은 앰프와 계산기에 접속되고 있고, 외측 표면(183a)의 온도를 측정함으로써 셔터 폐쇄 시에 기판(W) 및 마스크(M)를 냉각시키는 복사 냉각량을 산출할 수 있다. 이 복사 냉각량이 원하는 값이 되도록, 도시하지 않은 전술한 계산기에 접속된 칠러에 지령을 전달함으로써 냉매 온도를 제어한다. 이 때, 냉매의 온도를 직접적으로 제어하도록 하여도 되고, 공급되는 냉매의 유량을 제어하도록 하여도 된다. 이상과 같이, 온도 센서(193)를 사용함으로써 셔터(18)가 복사열원이 되는 것을 억제하여, 기판(W)과 마스크(M)의 온도 상승을 억제하는 것을 가능하게 하고 있다.

또한, 셔터 냉각재킷(183)의 재료로는, 진공증착장치의 용도로부터 요구되는 진공도의 요건이 허용한다고 하면, 알루미늄을 사용하여도 좋다. 또한, 보다 엄격한 진공도 요건을 만족할 필요가 있는 경우에는, 진공에 유리한 스테인레스를 사용하여도 좋다. 이 경우, 스테인레스의 열 전도율은 놋쇠나 알루미늄에 비해 낮기 때문에, 균일한 온도를 달성하기 위해서는 보다 복잡한 냉매 유로를 구성할 필요가 있다.

<구조체 냉각재킷>

상기 각 냉각재킷의 외에, 냉각대상물인 기판(W)과 마스크(M)를 지지하는 지지구조체로서, 외기와 접하는 구조체에 냉각재킷을 설치할 수도 있다.

기판(W) 및 기판흡착수단(14)을 탑재하는 미동 스테이지 플레이트부(122)의 지지구조체로서 기능하는 기준 플레이트부(121)는, 장치 구조체를 통해 외기와 접하고 있다. 이 때문에, 외기 온도의 영향을 구조체 전열로서 받는다. 기준 플레이트부(121)의 온도 변화는, 복사열 및 구조체 전열로서 미동 스테이지 플레이트부(122)에 영향을 미치기 때문에, 기준 플레이트부(121)을 냉각시킴으로써 외기의 영향을 단열시킨다. 이 구조체 냉각재킷은, 기준 플레이트부(121)에 접속시키는 형태로 별체로 설치하여도 되고, 기준 플레이트부(121)에 직접 냉매 유로를 깍는 형태로 설치하여도 된다.

마스크(M)를 설치 및 고정하는 지지구조체인 마스크 재치대(13)도, 외기와 접하는 부분이 있기 때문에, 외기 온도의 영향을 구조체 전열로서 받는다. 마스크 재치대(13)의 온도 변화는, 복사열 및 구조체 전열로서 마스크(M)에 영향을 미치기 때문에, 마스크 재치대(13)를 냉각시킴으로써 외기의 영향을 단열시킨다. 이 구조체 냉각재킷은, 마스크 재치대(13)에 접속시키는 형태로 별체로 설치하여도 되고, 마스크 재치대(13)에 직접 냉매 유로를 깍는 형태로 설치하여도 된다.

이와 같이, 성막 시에 기판(W)과 마스크(M)를 지지하는 지지구조체로서 외기와 접하는 기준 플레이트부와 마스크 재치대에도 각각 냉각재킷을 설치하여, 외기로부터 장치 구조체를 통해 기판(W)과 마스크(M)로 전열되는 경로를 단열시킴으로써, 기판(W)과 마스크(M)의 온도 상승을 억제할 수 있다.

<전자디바이스의 제조방법>

다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.

우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 4(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 4(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다.

도 4(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.

도 4(b)는 도 4(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다.

또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.

도 4(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.

다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.

우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.

양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.

절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.

다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 마그넷 판으로 마스크를 흡인하여 기판에 밀착시킨 뒤, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다.

발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.

전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다.

그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.

절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.

상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.

10: 진공증착장치
11: 성막원
12: 미동 스테이지 기구
121: 기준 플레이트부
122: 미동 스테이지 플레이트부
13: 마스크 재치대
14: 기판흡착수단(정전척)
15: 진공 챔버
18: 셔터
181: 셔터 방착판
183: 셔터 냉각재킷
21: 정전척 복사냉각재킷
191: 방착판
192: 방착판 복사냉각재킷
193: 온도센서
185, 211: 냉매 배관

Claims

내부가 진공으로 유지되는 챔버와,
상기 챔버의 내부에 배치되어, 기판을 흡착하여 지지하는 기판 흡착 수단을 갖고,
상기 챔버의 내부에 배치되는 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 마스크를 통해 상기 기판흡착수단에 의해 지지된 상기 기판에 성막하는 성막 장치로서,
상기 챔버의 내부에 배치되어, 상기 기판흡착수단을 복사 냉각시키는 제1 냉각 재킷과,
상기 챔버의 내부에 배치되어, 상기 챔버 내에서 상기 기판 및 상기 마스크에 대해 복사열원이 되는 대상물을 복사냉각에 의해 냉각시키는 제2 냉각 재킷을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 냉각 재킷은,
상기 챔버를 구성하는 제1 벽과 상기 성막원과의 사이에 배치되는 방착판과, 상기 제1 벽과의 사이에 배치되는 방착판 냉각 재킷과,
상기 성막원으로부터 상기 마스크로 향하는 경로 중에 배치되는 셔터의 근방에 배치되는 셔터 냉각 재킷으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 냉각 재킷은, 상기 기판흡착수단에 이격되어 대향하는 제1 면과, 상기 챔버를 구성하는 벽에 이격되어 대향하는 제2 면을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제3항에 있어서,
상기 제1 면의 방사율이 상기 제2 면의 방사율보다 큰 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 냉각 재킷은, 상기 기판흡착수단과 비접촉인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 기판흡착수단은 정전척인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제6항에 있어서,
상기 마스크를 상기 기판흡착수단에 의해 지지된 기판으로 끌어당기는 자력인가수단과,
상기 자력인가수단을 상기 기판흡착수단에 대해 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 더 포함하고,
상기 제1 냉각 재킷은, 상기 이동 기구에 의해 상기 자력인가수단과 함께 이동되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 냉각 재킷은 냉매가 흐르는 냉매 유로를 갖고,
상기 챔버의 외부로부터 상기 냉매 유로로 상기 냉매를 공급하는 냉매공급수단을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제3항에 있어서,
상기 제1 냉각 재킷에 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 냉각 재킷은 냉매가 흐르는 냉매 유로를 갖고,
상기 챔버의 외부로부터 상기 냉매 유로로 상기 냉매를 공급하는 냉매공급수단과,
상기 냉매공급수단에 의해 공급되는 상기 냉매의 온도 및 유량의 적어도 하나를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 온도 센서에 의한 온도측정결과에 기초하여, 상기 냉매 유로에 공급되는 상기 냉매의 온도 및 유량의 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 냉각 재킷의 상기 제1 면에 상기 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,
상기 방착판 냉각 재킷은, 상기 방착판에 이격되어 대향하는 제3 면과, 상기 제1 벽에 이격되어 대향하는 제4 면을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제12항에 있어서,
상기 제3 면의 방사율이 상기 제4 면의 방사율보다 큰 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,
상기 셔터 냉각 재킷은, 상기 마스크에 대향하는 제5 면과, 상기 셔터에 대향하는 제6 면을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제14항에 있어서,
상기 제5 면의 방사율이 상기 제6 면의 방사율보다 큰 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,
상기 방착판 냉각 재킷은, 상기 방착판 및 상기 제1 벽과 비접촉인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,
상기 셔터 냉각 재킷은, 전열 저항이 높은 지지부재에 의해 상기 셔터에 연결되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 냉각 재킷은 냉매가 흐르는 냉매 유로를 갖고,
상기 챔버의 외부로부터 상기 냉매 유로로 상기 냉매를 공급하는 냉매공급수단을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제12항에 있어서,
상기 방착판 냉각 재킷에 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제19항에 있어서,
상기 방착판 냉각 재킷은 냉매가 흐르는 냉매 유로를 갖고,
상기 챔버의 외부로부터 상기 냉매 유로로 상기 냉매를 공급하는 냉매공급수단과,
상기 냉매공급수단에 의해 공급되는 상기 냉매의 온도 및 유량의 적어도 하나를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 온도 센서에 의한 온도측정결과에 기초하여, 상기 냉매 유로에 공급되는 상기 냉매의 온도 및 유량의 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제19항에 있어서,
상기 방착판 냉각 재킷의 상기 제3 면에 상기 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제14항에 있어서,
상기 셔터 냉각 재킷에 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제22항에 있어서,
상기 셔터 냉각 재킷은 냉매가 흐르는 냉매 유로를 갖고,
상기 챔버의 외부로부터 상기 냉매 유로로 상기 냉매를 공급하는 냉매공급수단과,
상기 냉매공급수단에 의해 공급되는 상기 냉매의 온도 및 유량의 적어도 하나를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 온도 센서에 의한 온도측정결과에 기초하여, 상기 냉매 유로에 공급되는 상기 냉매의 온도 및 유량의 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제22항에 있어서,
상기 셔터 냉각 재킷의 상기 제5 면에 상기 온도 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,
상기 챔버 내에서, 상기 기판을 지지하는 지지구조체로서 외기와 접하는 기판 지지구조체에 설치되는 기판지지구조체 냉각 재킷을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제25항에 있어서,
상기 기판흡착수단의 위치를 조정하기 위한 자기부상 스테이지 기구로서, 상기 기판흡착수단을 탑재한 상태로 이동 가능한 미동 스테이지 플레이트부와, 상기 미동 스테이지 플레이트부를 자기 부상시키는 고정체로서의 기준 플레이트부로 이루어지는 자기부상 스테이지 기구를 더 포함하고,
상기 기판지지구조체 냉각 재킷은, 상기 기준 플레이트부에 설치되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,
상기 챔버 내에서, 상기 마스크를 지지하는 지지구조체로서 외기와 접하는 마스크 지지구조체에 설치되는 냉각 재킷을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 성막 장치를 사용하여, 상기 성막 장치의 챔버의 내부에서 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 방법으로서,
상기 챔버의 내부에 배치된 기판흡착수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과,
성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정과,
상기 챔버의 내부에 배치된 제1 냉각 재킷에 의해 상기 기판흡착수단을 복사 냉각시키는 공정과,
상기 챔버의 내부에 배치된 제2 냉각 재킷에 의해 상기 챔버 내에서 상기 기판 및 상기 마스크에 대해 복사열원이 되는 대상물을 복사 냉각시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
제28항에 기재된 성막 방법을 사용하여, 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.