TWI676694B - 用以沈積一或多層之處理系統及用於其之方法 - Google Patents

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Abstract

根據本揭露，一種用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上之處理系統(100)係提供。處理系統包括：一裝載腔室(110)，用以裝載基板；一路徑規劃模組(410)，用以輸送基板；一第一真空擺動模組(131)；一處理模組(510)，包括一沈積源，沈積源用以沈積材料；一服務模組(610)；一卸載腔室(116)，用以卸載基板；一其他路徑規劃模組(412)；一遮罩載體匣(320)，裝配以用於存儲及輸送在處理系統之操作期間應用之數個遮罩；一其他真空擺動模組(132)，設置於卸載腔室(116)及其他路徑規劃模組(412)之間；以及一輸送系統(710)，裝配以用於在第一真空擺動模組(131)及其他真空擺動模組(132)之間輸送載體。

Description

用以沈積一或多層之處理系統及用於其之方法
本揭露之數個實施例是有關於有機材料之沈積、一種用以沈積舉例為有機材料之材料之系統、一種用於有機材料之源及數種用於有機材料之沈積設備。本揭露之數個實施例特別是有關於數種用於製造數個裝置之製造系統，特別是製造數個包括有機材料於其中之裝置、有關於數種用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上之系統，特別是用以沈積包括有機材料於其中之數層、有關於數種在用於製造數個裝置之一製造系統中製造一裝置之方法，特別是數個包括有機材料之裝置、及有關於數種在用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上之一系統中沈積一或多層之方法，特別是包括有機材料於其中之數層。
有機蒸發器係為用於製造有機發光二極體(organic light-emitting diodes，OLED)的工具。OLEDs係為發光二極體之一種特別的形式。在OLEDs中，發光層包括特定之有機化合物的薄膜。OLEDs係使用來製造用以顯示資訊之電視螢幕、電腦螢幕、行動電話、其他手持裝置等。OLEDs可亦使用來作為一般空 間照明之用。OLED顯示器之可行的顏色、亮度、及視角的範圍係大於傳統之液晶顯示器(LCD)的可行的顏色、亮度、及視角的範圍，因為OLED像素係直接地發光。因此，相較於傳統之LCD之能量損耗，OLED顯示器之能量損耗係相當地少。再者，可製造於撓性基板上之OLEDs係產生其他的應用。傳統之OLED顯示器舉例為可包括有機材料層，位於兩個電極之間。有機材料層係全部以形成矩陣顯示面板之方式沈積於基板上。矩陣顯示面板具有個別可供能之像素。OLED一般係位於兩個玻璃面板之間，且玻璃面板之邊緣係密封，以封裝OLED於其中。或者，OLED可舉例為利用阻擋膜以薄膜技術封裝。
製造此種顯示裝置係遭遇許多挑戰。於一例子中，有大量的人工密集步驟係需要來執行封裝OLED於兩個玻璃面板之間，以避免裝置之可能污染物。於另一例子中，顯示螢幕及玻璃面板之不同尺寸可能需要製程及使用以形成顯示裝置之製程硬體實質上重組態(reconfiguration)。再者，為了遮蔽大面積基板來舉例為用以沈積圖案化層來製造大規格之OLED顯示器，高精密度係需要，以達成高解析度之顯示器。
因此，在低成本及高產量之情況下，用以形成數個裝置於大面積基板上之新的及改善的系統、設備及方法係有持續的需求。此些裝置舉例為數個OLED顯示裝置。
有鑑於上述，一種用以沈積一或多層之處理系統及一種用以裝載及卸載一基板至一處理系統之一處理配置之方法係提供。
根據本揭露之一方面，提出一種用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上之處理系統，特別是用以沈積包括數個有機材料於其中之數個層。處理系統包括：一第一真空擺動模組，裝配以用於從一水平狀態旋轉一第一基板至一垂直狀態；一第一緩衝腔室，連接於第一真空擺動模組；一路徑規劃模組，連接於第一緩衝腔室，其中路徑規劃模組係裝配以用於輸送第一基板至一處理配置，處理配置包括一沈積源；一第二緩衝腔室，連接於路徑規劃模組；以及一其他真空擺動模組，連接於第二緩衝腔室，其中其他真空擺動模組係裝配以用於從垂直狀態旋轉一第二基板至水平狀態。第一緩衝腔室係裝配以用於緩衝在一第一基板輸送方向中從第一真空擺動模組接收之第一基板，及用於緩衝在一第二基板輸送方向中從路徑規劃模組接收之一第三基板。第二緩衝腔室係裝配以用於緩衝在第二基板輸送方向中從其他真空擺動模組接收之一第二基板，及用於緩衝在第一基板輸送方向中從路徑規劃模組接收之一第四基板。
根據本揭露之另一方面，提出一種用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上之處理系統，特別是用以沈積包括數個有機材料於其中之數個層。處理系統包括：一裝載腔室，用以裝載將處理之基板；一路徑規劃模組，裝配以用於輸送載體支撐 之基板；一第一真空擺動模組，設置於裝載腔室及路徑規劃模組之間；一處理模組，包括一沈積源，沈積源用以於處理模組之一真空處理腔室中沈積材料，其中處理模組係連接於路徑規劃模組；一服務模組，連接於處理模組，其中服務模組係裝配，使得沈積源可從真空處理腔室傳送至服務模組及從服務模組傳送至真空處理腔室；一卸載腔室，用以卸載已處理之基板；一其他路徑規劃模組，裝配以用於輸送載體支撐之基板；一遮罩載體匣，連接於其他路徑規劃模組，其中遮罩載體匣係裝配以用於存儲及輸送在處理系統之操作期間應用之數個遮罩；一其他真空擺動模組，設置於卸載腔室及其他路徑規劃模組之間；以及一輸送系統，裝配以用於在數個真空條件下及/或一控制的惰性環境下在第一真空擺動模組及其他真空擺動模組之間輸送載體。
根據本揭露之其他方面，提出一種用以裝載及卸載一基板至一處理系統之一處理配置之方法，特別是根據此處所述數個實施例之一處理系統。此方法包括：於一第一基板輸送方向中從一第一真空擺動模組輸送一第一基板至一第一緩衝腔室中；於第一緩衝腔室中緩衝第一基板及於一第二基板輸送方向中從一路徑規劃模組接收之一第三基板；於第一緩衝腔室中橫向於第一基板輸送方向移動第一基板及第三基板；從第一緩衝腔室輸送第三基板至第一真空擺動模組中；於第一緩衝腔室中橫向地回移第一基板；於第一基板輸送方向中從第一緩衝腔室輸送第一基板至路徑規劃模組中；於路徑規劃模組中旋轉第一基板，使得第一基 板可於一裝載方向中裝載至處理配置中，處理配置連接於路徑規劃模組；從路徑規劃模組裝載第一基板至處理配置中；從處理配置卸載一第四基板至路徑規劃模組中；於路徑規劃模組中旋轉第四基板，使得第四基板可於第一基板輸送方向中從路徑規劃模組輸送至一第二緩衝腔室中，第二緩衝腔室連接於路徑規劃模組；於第一基板輸送方向中輸送第四基板至第二緩衝腔室中；於第二緩衝腔室中橫向於第一基板輸送方向移動第四基板；於第二基板輸送方向中從一其他真空擺動模組輸送一第二基板至第二緩衝腔室中；於第二緩衝腔室中橫向地回移第四基板及第二基板；以及從第二緩衝腔室輸送第四基板至其他真空擺動模組中。
根據本揭露之再其他方面，提出一種用以操作一處理系統，特別是根據此處所述數個實施例之一處理系統之方法，用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上，特別是沈積包括有機材料於其中之數層。用以操作處理系統之此方法包括：於一水平定向中裝載基板於處理系統中；於一真空擺動模組中裝載基板至載體上；於真空擺動模組中旋轉具有已裝載之基板之載體成一垂直定向中；在數個真空條件下傳送具有已裝載之基板之載體通過處理系統及進入與離開一處理模組；於一其他真空擺動模組中旋轉載體為水平定向；以及在水平定向中從其他真空擺動模組中之載體卸載基板。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
40‧‧‧材料收集單元
50‧‧‧加熱裝置
100‧‧‧處理系統
101‧‧‧基板
101A‧‧‧第一基板
101B‧‧‧第二基板
101C‧‧‧第三基板
101D‧‧‧第四基板
101N‧‧‧新基板
102‧‧‧基板支撐件
102B、102C、102D‧‧‧箭頭
103‧‧‧基板表面
106‧‧‧第一基板輸送方向
107‧‧‧第二基板輸送方向
110‧‧‧裝載腔室
111‧‧‧第一預處理腔室
112‧‧‧第二預處理腔室
115‧‧‧閘閥
116‧‧‧卸載腔室
120‧‧‧基板處理腔室
121‧‧‧第一基板處理腔室
122‧‧‧其他基板處理腔室
124‧‧‧連接元件
130‧‧‧真空擺動模組
131‧‧‧第一真空擺動模組
132‧‧‧其他真空擺動模組
133‧‧‧真空擺動腔室
134‧‧‧支撐件
135‧‧‧致動器
136、419‧‧‧旋轉軸
137‧‧‧底座
138‧‧‧開孔
139‧‧‧出口開孔
140‧‧‧升舉銷
151‧‧‧第一緩衝腔室
152‧‧‧第二緩衝腔室
161‧‧‧第一切換軌道
162‧‧‧第二切換軌道
210‧‧‧基板載體裝載器
220‧‧‧基板載體模組
310‧‧‧遮罩載體裝載器
311‧‧‧第一遮罩載體裝載器
312‧‧‧第二遮罩載體裝載器
313‧‧‧遮罩清洗腔室
318‧‧‧羽流
318A‧‧‧第一羽流
318B‧‧‧第二羽流
320‧‧‧遮罩載體匣
330‧‧‧遮罩
330A‧‧‧第一遮罩
330B‧‧‧第二遮罩
331‧‧‧遮罩框架
332‧‧‧遮罩邊緣
333‧‧‧寬度
334‧‧‧開孔區域
335‧‧‧遮罩載體
340‧‧‧陰影遮罩
341‧‧‧小開孔
350‧‧‧對準致動器
350A‧‧‧第一對準致動器
350B‧‧‧第二對準致動器
350C‧‧‧第三對準致動器
350D‧‧‧第四對準致動器
410‧‧‧路徑規劃模組
411‧‧‧第一路徑規劃模組
412‧‧‧其他路徑規劃模組
415‧‧‧傳送模組
417‧‧‧真空路徑規劃腔室
418‧‧‧支撐結構
420‧‧‧旋轉單元
431‧‧‧第一連接凸緣
432‧‧‧第二連接凸緣
501‧‧‧對稱平面
504‧‧‧坩鍋開孔
505‧‧‧中心軸
510‧‧‧處理模組
511‧‧‧第一處理模組
512‧‧‧其他處理模組
515‧‧‧加熱單元
516‧‧‧冷卻元件
517‧‧‧塑形遮蔽裝置
518‧‧‧遮蔽單元
518A‧‧‧第一遮蔽單元
518B‧‧‧遮蔽支撐結構
518C‧‧‧第一端部
518D‧‧‧第二端部
519‧‧‧間隔物元件
520‧‧‧沈積源
520A‧‧‧第一沈積源
520B‧‧‧第二沈積源
521‧‧‧蒸發坩鍋
522‧‧‧線性導件
523‧‧‧坩鍋加熱單元
524‧‧‧連接件
525A‧‧‧背側
525B、561-566‧‧‧側壁
527‧‧‧坩鍋遮罩物
530‧‧‧分佈組件
531‧‧‧源支座
533‧‧‧分佈管
533A‧‧‧第一分佈管
533B‧‧‧第二分佈管
533C‧‧‧第三分佈管
535‧‧‧測量出口
536‧‧‧外部管
537‧‧‧內部管
538‧‧‧冷卻遮罩物
538A‧‧‧第一冷卻遮罩物
538B‧‧‧第二冷卻遮罩物
539‧‧‧出口
540‧‧‧真空處理腔室
541‧‧‧蒸發器控制殼體
542‧‧‧熱絕緣體
543‧‧‧其他遮罩物
544‧‧‧噴嘴
544A‧‧‧第一噴嘴
544B‧‧‧第二噴嘴
545‧‧‧孔
545A‧‧‧第一孔
545B‧‧‧第二孔
546‧‧‧通道
547‧‧‧周牆
548、557‧‧‧底部牆
549‧‧‧前端
550‧‧‧對準系統
558‧‧‧頂部牆
560‧‧‧內部體積
569‧‧‧總長度
570‧‧‧熱傳送元件
570a‧‧‧板狀部
570b‧‧‧管狀部
571‧‧‧第一熱傳送元件
572‧‧‧第二熱傳送元件
573‧‧‧板材
575、755‧‧‧控制器
580‧‧‧沈積率測量組件
581‧‧‧振盪晶體
582‧‧‧支承件
583‧‧‧測量開孔
584‧‧‧熱交換器
585‧‧‧溫度感測器
586‧‧‧溫度控制系統
587‧‧‧遮門
588‧‧‧熱保護遮罩物
589‧‧‧遮門冷卻元件
590‧‧‧噴嘴
591‧‧‧導引部份
592‧‧‧連接部份
593‧‧‧螺紋區域
594‧‧‧噴嘴入口
595‧‧‧噴嘴出口
596‧‧‧通道
596A‧‧‧第一剖面
596B‧‧‧第二剖面
597A‧‧‧第一剖面長度
597B‧‧‧第二剖面長度
598A‧‧‧第一剖面尺寸
598B‧‧‧第二剖面尺寸
599A‧‧‧第一噴嘴材料
599B‧‧‧第二噴嘴材料
610‧‧‧服務模組
611‧‧‧第一服務模組
612‧‧‧第二服務模組
613‧‧‧滑動機構
614‧‧‧服務模組門
615‧‧‧服務凸緣
616‧‧‧真空維護腔室
620‧‧‧密封裝置
625‧‧‧可旋轉裝置
630‧‧‧連接裝置
632‧‧‧第一臂
632A‧‧‧第一端部
632B‧‧‧第二端部
634‧‧‧第二臂
634C‧‧‧第三端部
634D‧‧‧第四端部
636‧‧‧鉸鏈
640‧‧‧媒介供應器
710‧‧‧輸送系統
711‧‧‧第一輸送軌道
712‧‧‧第二輸送軌道
713‧‧‧其他軌道
715‧‧‧輸送軌道配置
720‧‧‧輸送設備
730‧‧‧沈積源組件
733‧‧‧第一平面
733A‧‧‧第一側
733B‧‧‧第二側
734‧‧‧第一旋轉軸
741‧‧‧第一主動磁性單元
742‧‧‧第二主動磁性單元
743‧‧‧其他主動磁性單元
745‧‧‧第一被動磁性單元
746‧‧‧其他被動磁性單元
747‧‧‧第三主動磁性單元
748‧‧‧第四主動磁性單元
749‧‧‧第五主動磁性單元
750‧‧‧第六主動磁性單元
751‧‧‧第一被動磁性單元
752‧‧‧第二被動磁性單元
766‧‧‧第二平面
767‧‧‧第二旋轉軸
768‧‧‧第三旋轉軸
770‧‧‧導引結構
771‧‧‧第一部份
772‧‧‧第二部份
773‧‧‧第一凹槽
774‧‧‧第二凹槽
775‧‧‧第三凹槽
776‧‧‧第四凹槽
780‧‧‧被動磁性驅動單元
781‧‧‧主動磁性驅動單元
810‧‧‧薄膜封裝腔室
820‧‧‧其他輸送設備
840‧‧‧載體控制器
851‧‧‧第一被動磁性元件
852‧‧‧第二被動磁性元件
870‧‧‧其他導引結構
875、875’‧‧‧主動磁性元件
876‧‧‧額外主動磁性元件
880‧‧‧載體組件
890‧‧‧驅動結構
895、895’‧‧‧其他主動磁性元件
910‧‧‧基板載體
911‧‧‧上導引部
912‧‧‧滾軸
921‧‧‧第一邊緣部份
922‧‧‧第二邊緣部份
1000‧‧‧處理配置
1100、1300‧‧‧方法
1110-1250、1310-1360‧‧‧方塊
D‧‧‧直徑
F1‧‧‧第一磁性懸浮力
F2‧‧‧第二磁性懸浮力
G‧‧‧重量
O1‧‧‧第一相反橫向力
T1‧‧‧第一長度
T2‧‧‧第二長度
T1‧‧‧第一橫向力
X‧‧‧主發射方向
x‧‧‧第二方向
y‧‧‧第一方向
z‧‧‧第三方向
α‧‧‧第一最大發射角
β‧‧‧第二最大發射角
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露之更特有之說明可參照數個實施例。值得注意的是，所附之圖式僅繪示出範例性實施例且因而不視為本揭露之範圍之限制。於圖式中：第1A圖繪示根據此處所述實施例之具有第一模組化佈局配置之處理系統之示意圖；第1B圖繪示根據此處所述實施例之具有第二模組化佈局配置之處理系統之一部份的示意圖；第2A至2H圖繪示根據此處所述實施例之在基板裝載及卸載期間具有第二模組化佈局配置之處理系統之一部份的數種狀態圖；第3A圖繪示根據此處所實施例之處理系統之真空擺動模組之示意圖；第3B圖繪示參照第3A圖說明之真空擺動模組中之具有基板支撐於其中之載體之旋轉的示意圖；第4A圖繪示根據此處所述實施例之處理系統之處理模組之示意圖；第4B至4E圖繪示根據此處所述實施例之在處理系統中之基板之處理期間具有位於不同位置之沈積源之處理模組的示意圖；第5A圖繪示根據此處所述實施例之應用於處理系統中之沈積源之示意圖； 第5B圖繪示根據此處所述實施例之用以測量沈積源之沈積率之測量組件之示意圖；第6A至6E圖繪示根據此處所述實施例之蒸發坩鍋之數個實施例之不同剖面圖；第7A圖繪示根據此處所述實施例之沈積源之分佈組件之剖面圖；第7B及7C圖繪示根據此處所述實施例之具有遮蔽裝置之分佈組件的不同詳細剖面圖；第7D圖繪示根據此處所述實施例之遮蔽裝置之透視圖；第7E及7F圖繪示根據此處所述實施例之分佈組件之噴嘴之示意圖；第8A及8B圖繪示根據此處所述實施例之處理系統之服務模組之不同透視圖；第8C至8E圖繪示根據此處所述實施例之處理系統之服務模組及處理模組中之兩個沈積源之不同狀態圖；第9A圖繪示根據此處所述實施例之處理系統之路徑規劃模組之透視圖；第9B圖繪示根據此處所述實施例之各具有連接於其之處理模組之兩個相鄰之路徑規劃模組的示意圖；第10A及10B圖繪示根據此處所述實施例之用以於處理系統中輸送沈積源之輸送設備之示意圖； 第10C圖繪示根據此處所述實施例之用以支撐沈積源之沈積源支撐件之示意圖；第11A至11E圖繪示根據此處所述實施例之用以於處理系統中輸送載體組件之其他輸送設備之示意圖；第12A圖繪示根據此處所述實施例之應用於處理系統中之載體組件及遮罩之示意圖；第12B圖繪示根據此處所述實施例之於處理系統中包括用以相對於遮罩對準基板之對準系統之載體組件的示意圖；第12C圖繪示根據此處所述實施例之於處理系統中包括用以相對於遮罩對準基板之對準系統之載體組件之透視圖；第13A圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載及卸載基板至處理系統之處理配置之方法之方塊圖；以及第13B圖繪示根據此處所述實施例之用以操作處理系統之方法之方塊圖。
詳細的參照將以本揭露之數種實施例來達成，本揭露之數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在下方圖式之說明中，相同參考編號係意指相同元件。於下文中，僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
此處所述之數個實施例特別是有關於有機材料之沈積，舉例為用於OLED顯示器製造及於大面積基板上之有機材料之沈積。根據一些實施例，大面積基板或支撐一或多個基板之載體可具有至少0.174m2之尺寸，支撐此一或多個基板之此載體也就是大面積載體。一般來說，載體之尺寸可為約1.4m2至約8m2，更代表性約2m2至約9m2或甚至達12m2。一般來說，基板係在矩形區域中被支撐，此矩形區域係為具有用於如此處所述之大面積基板之尺寸的載體。根據此處所述實施例之支承配置、設備、及方法係提供而用於基板。舉例來說，會對應於單一大面積基板的面積的大面積載體可為第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第5代對應於約1.4m2之基板(1.1m x 1.3m)、第7.5代對應於約4.29m2之基板(1.95m x 2.2m)、第8.5代對應於約5.7m2之基板(2.2m x 2.5m)、第10代對應於約8.7m2之基板(2.85m×3.05m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。
根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，基板厚度可為從0.1至1.8mm，及支承配置及特別是支承裝置可適用於此種基板厚度。然而，基板厚度可特別是約0.9mm或以下，例如是0.5mm或0.3mm，及支承配置及特別是支承裝置係適用於此種基板厚度。
如此處所使用之名稱「基板」可特別是包含實質上非撓性基板，舉例為晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片、 或玻璃板材。然而，本揭露係不以此為限，且名稱「基板」可亦包含撓性基板，例如是網格(web)或箔。名稱「實質上非撓性」係理解為與「撓性」有所區別。特別是，實質上非撓性基板可具有某種程度之撓性，舉例為具有0.5mm或以下之厚度之玻璃板材，其中實質上非撓性基板之撓性相較於撓性基板係小的。
根據此處所述之數個實施例，基板可以適合用於材料沈積之任何材料製成。舉例來說，基板可以選自群組之材料製成，此群組由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、硼矽玻璃(borosilicate glass)等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料或任何其他材料或可由沈積製程進行塗佈之材料之組合所組成。
第1A圖繪示用以製造裝置之處理系統100之示意圖，特別是用以製造包括有機材料於其中之裝置。舉例來說，裝置可為電子裝置或半導體裝置，例如是光電裝置及特別是顯示器。特別是，此處所述之處理系統係裝配，以用於在層沈積於基板上期間改善載體處理及/或遮罩處理。此些改善可有利於使用於OLED裝置製造。然而，在載體處理及/或遮罩處理中之改善可亦使用於其他基板處理系統，舉例為包括蒸發源、特別是旋轉濺射源之濺射源、化學氣相沈積(CVD)沈積源、或其之組合之基板處理系統。CVD沈積源例如是電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)沈積源。在載體處理及/或遮罩處理中之改善係由如此處所述之數種系統模組(亦意指為腔室)之配置之概念提供。有關於製造系統及特 別是用於處理大面積基板之製造系統之本揭露之實施例係參照OLED製造系統說明，因為此些OLED製造系統可特別是從此處所述之概念得利。
更特別是，如此處所述之處理系統100係裝配，以用於執行蒸發沈積方法。蒸發沈積方法係基於塗佈材料於真空控制之環境中蒸發且凝結於冷的表面上之原理。為了達成足夠之蒸發而不達到蒸發材料之沸點，蒸發製程係於真空環境中執行。蒸發沈積之原理一般包括三相：第一相係蒸發相，將蒸發之材料係在蒸發相中於坩鍋中加熱至操作溫度。操作溫度係設定，以產生足夠之蒸汽壓力來從坩鍋移動材料至基板。第二相係輸送相，蒸汽係於輸送相中從坩鍋移動通過舉例為具有噴嘴之蒸汽分佈管至基板上，用以提供蒸汽之均勻層於基板上。第三相係凝結相，基板之表面於凝結相中具有低於已蒸發材料之溫度而讓已蒸發材料黏附於基板。
範例性參照第1A圖，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，處理系統可包括真空擺動模組130；基板載體模組220；路徑規劃模組410；處理模組510；服務模組610；遮罩載體裝載器310；遮罩載體匣320；及輸送系統710。一般來說，將使用之基板載體係存儲於基板載體裝載器210中。基板載體裝載器210係連接於基板載體模組220。類似地，遮罩載體匣320係裝配以儲存遮罩，遮罩係欲在基板之處理期間使用。根據一些實施 例，處理系統之路徑規劃模組可直接彼此連接，如第1A圖中所範例性繪示。或者，處理系統之相鄰之路徑規劃模組可經由傳送模組415連接，如第1B圖中所範例性繪示。也就是說，包括真空傳送腔室之傳送模組415一般可裝設於相鄰之路徑規劃模組之間。因此，傳送模組一般係裝配，以在真空傳送腔室中提供真空條件。再者，如第1B圖中所示，輸送系統710可設置於傳送模組415中，特別是參照第11A至11D圖詳細地說明之用於非接觸式懸浮及輸送載體組件之輸送設備可設置於傳送模組415中。再者，傳送模組415可包括用以冷凍幫浦(cryo-pump)之閘閥、用於冷凍幫浦之連接凸緣及用於連接路徑規劃模組之連接凸緣。用於連接路徑規劃模組之連接凸緣亦意指為此處之傳送凸緣。一般來說，傳送凸緣包括框架及密封表面，適用於提供至將連接之處理模組之真空緊密連接。根據一些實施例，傳送模組415可包括進出門，裝配以用於進出傳送模組之內部來舉例為用於維修服務。
範例性參照第1A及1B圖，此處所述之處理系統可使用於製造顯示裝置，特別是OLEDs。根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，處理系統100係使得基板之處理可在真空條件下執行。基板係裝載於真空擺動模組130中，特別是第一真空擺動模組131中。遮罩及基板載體裝載器係儲存可使用於處理系統中之所有之載體(舉例分別為遮罩載體及基板載體)。路徑規劃模組410送出遮罩及基板載體於可適用之處理模組中。在處理之 後，基板可藉由其他真空擺動模組132從處理系統卸載。或者，基板可藉由相同之真空擺動模組裝載至處理系統及從處理系統卸載，此相同之真空擺動模組舉例為第一真空擺動模組131。因此，基板可於環狀軌道上輸送，特別是具有基板之基板載體可於環狀軌道上輸送，以回傳基板來卸載至相同之真空擺動模組，此相同之真空擺動模組係已經使用於裝載基板至處理系統。
更特別是，範例性參照第1A圖，根據一些實施例，處理系統100可包括裝載腔室110。裝載腔室110連接於第一基板處理腔室112。基板可從第一基板處理腔室121傳送至第一真空擺動模組131，其中基板係裝載於載體上之水平位置中。在裝載基板於載體上之水平位置中之後，第一真空擺動模組131係旋轉具有基板設置於其上之載體為垂直或本質上垂直定向。具有基板設置於其上之載體係接著傳送通過第一路徑規劃模組411及其他路徑規劃模組412，用以傳送垂直定向之基板至處理模組510。舉例來說，於第1A圖中係繪示六個路徑規劃模組及九個處理模組。
範例性參照第1A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，可設置第一預處理腔室111及第二預處理腔室112。再者，機器人(未繪示)或另一處置系統可設置於基板處理腔室120中。機器人或此另一處置系統可從裝載腔室110中裝載基板於基板處理腔室120中及傳送基板至一或多個預處理腔室中。舉例來說，預處理腔室可包括預處理工具，選自由基板之電 漿預處理、基板之清洗、基板之紫外線(UV)及/或臭氧處理、基板之離子源處理、基板之射頻(RF)或微波電漿處理、及其之組合所組成之群組。在基板之預處理之後，機器人或另一處置系統可經由基板處理腔室傳送基板離開預處理腔室至真空擺動模組130中。
為了在大氣條件下抽氣裝載腔室110來裝載基板及/或於基板處理腔室120中處理基板，至少一閘閥可設置於基板處理腔室120及真空擺動模組130之間。因此，基板處理腔室120，及如果需要之裝載腔室110、第一預處理腔室111及第二預處理腔室112之一或多者可在閘閥115係開啟之前進行排氣，及基板係傳送至第一真空擺動模組131中。因此，在基板係裝載至第一真空擺動模組131中之前，基板之裝載、處置及處理可在大氣條件下進行。
根據數個實施例，處理模組510一般可連接於路徑規劃模組410。舉例來說，如第1A圖中範例性所示，九個處理模組可設置而各連接於其中一個路徑規劃模組。特別是，處理模組510可舉例為經由閘閥115連接於路徑規劃模組410。如此處所述之閘閥115可亦意指為鎖閥(lock valve)。根據此處所述之數個實施例，閘閥或鎖閥可使用，以讓個別之處理系統模組(亦意指為處理系統腔室)彼此分離。因此，此處所述之處理系統係裝配，使得個別之處理系統腔室中之真空壓力可分別且獨立於彼此控制且改變。
根據一些實施例，處理系統可更包括層檢查腔室(未繪示)。舉例來說，層檢查工具例如是電子及/離子層檢查工具，可設置於層檢查腔室中。舉例來說，在一或多個沈積動作或處理動作係提供於處理系統中之後，層檢查可執行。因此，層檢查腔室一般可連接於如此處所述之處理模組或路徑規劃模組。舉例來說，處理系統可裝配，使得具有基板於其中之載體可從處理模組移動至層檢查腔室。因此，如此處所述之處理系統可裝配，使得將檢查之基板可於處理系統中進行檢查，也就是無需從處理系統移除基板。因此，如此處所述之處理系統可有利地裝配來用於獻上之層檢查。線上之層檢查可在一或多個沈積動作或處理動作之後執行。
根據一些實施例，及如第1A圖中所示，一或多個路徑規劃模組(亦意指此處之旋轉模組)係沿著一接線設置，用以提供串連式輸送系統來從一處理模組輸送基板至另一處理模組。一般來說，如第1A圖中範例性所示，輸送系統710係設置於處理系統100中。輸送系統710係裝配，以用於在處理系統100之個別之模組或腔室之間輸送及傳送將處理之基板。將處理之基板一般係由載體組件支撐。舉例來說，輸送系統710可包括第一輸送軌道711及第二輸送軌道712。用以支撐基板或遮罩之載體可沿著第一輸送軌道711及第二輸送軌道712輸送。特別是，輸送系統710可 包括至少一輸送設備，用以非接觸式懸浮及輸送，如參照第11A至11E圖更詳細地說明。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，輸送系統710可包括其他軌道713。其他軌道713設置於此二或多個路徑規劃模組中，如第1A圖中範例性繪示。特別是，其他軌道713可為載體回傳軌道。
一般來說，載體回傳軌道可設置於第一輸送軌道711及第二輸送軌道712之間。載體回傳軌道係提供而用於從其他真空擺動模組132回傳空的載體至第一真空擺動模組131，如第1A圖中範例性所示。因此，將理解的是，空的載體可在真空條件下回傳。在真空條件下及選擇地在控制之惰性環境下(舉例為Ar、N2或其之組合)回傳載體係減少載體暴露於環境空氣。接觸濕氣可減少或避免。因此，在製造系統中製造裝置之期間，可減少載體之出氣(outgassing)。此可改善製造之裝置之品質及/或載體可操作，而無需延長之時間來進行清洗。
範例性參照第1A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，對準系統550可設置於處理模組510，特別是設置於真空處理腔室540。處理模組510之其他細節係舉例為參照第4A至4E圖作說明，及對準系統550之其他細節係參照第12B及12C圖作說明。
根據典型之實施例，服務模組610(亦意指為此處之維護模組)可舉例為經由閘閥115連接於處理模組510。一般來說，處理系統包括二或多個服務模組，舉例為第一服務模組611及至少一第二服務模組612。如此處所述，服務模組係於處理系統中提供沈積源之維護。服務模組之其他細節係參照第8A-8E圖作說明。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，處理系統可包括基板載體裝載器210及基板載體模組220，如第1A及1B圖中範例性所示。舉例來說，基板載體模組220可裝配，以儲備一或多個基板載體。舉例來說，基板載體模組220可連接於第一路徑規劃模組411，第一路徑規劃模組411係連接於第一真空擺動模組131。基板載體模組及基板載體裝載器可額外地或選擇地連接於最後一個路徑規劃模組，舉例為第1A圖中所示之第六個路徑規劃模組。因此，基板載體模組220一般可連接於其中一個路徑規劃模組，此其中一個路徑規劃模組係連接於其中一個真空擺動模組。既然基板係於真空擺動模組中裝載及卸載，提供基板載體模組靠近真空擺動模組係有利的。一般來說，基板載體模組220係裝配，以存儲一或多個基板載體，舉例為5至30個基板載體。因此，此處所述之沈積之數個實施例係有利地配置，使得基板載體可置換來舉例為進行維護，例如是清洗。
範例性參照第1A及1B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，處理系統100可包括遮罩載體裝載器310 及遮罩載體匣320。遮罩載體裝載器310舉例為第一遮罩載體裝載器311及第二遮罩載體裝載器312。遮罩載體匣320用以儲備數種遮罩。特別是，遮罩載體匣320可裝配，以存儲用於進行替換之遮罩及/或需要存儲用於特定沈積製程之遮罩。因此，應用於處理系統中之遮罩可替換來進行例如是清洗之維護，或可替換以用於沈積圖案之改變。一般來說，遮罩載體匣320可舉例為經由閘閥115連接於路徑規劃模組，舉例為連接於其中一個其他路徑規劃模組，如第1A圖中所示。因此，遮罩可進行交換而無需抽氣真空處理腔室及/或路徑規劃模組，使得暴露遮罩於大氣壓力可避免。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，遮罩清洗腔室313可舉例為經由閘閥115連接於遮罩載體匣320，如第1A圖中範例性所示。舉例說，電漿清洗工具可設置於遮罩清洗腔室313中。其他閘閥115可額外地或選擇地設置於遮罩清洗腔室313，如第1A圖中所示。已清洗之遮罩可從處理系統100經由其他閘閥115卸載。因此，在僅有遮罩清洗腔室313需要進行抽氣時，遮罩可從處理系統100卸載。藉由從製造系統卸除遮罩，額外的遮罩清洗可在製造系統繼續完整之操作時提供。第1A圖繪示相鄰於遮罩載體匣320之遮罩清洗腔室313。對應或類似之清洗腔室(未繪示)可亦設置而相鄰於基板載體模組220。藉由提供相鄰於基板載體模組220之清洗腔室，基板載體可在處理系統中清洗。
在基板處理之後，具有基板於其上之基板載體可在垂直定向中從最後一個路徑規劃模組傳送至其他真空擺動模組 132中。其他真空擺動模組132係裝配，以從垂直定向旋轉具有基板於其上之載體至水平定向。之後，基板可卸載至其他水平基板處理腔室中。已處理之基板可從處理系統100經由卸載腔室116卸載。已處理之基板可額外地或選擇地於薄膜封裝腔室810中封裝。薄膜封裝腔室810可連接於其他真空擺動模組132，如第1A圖中範例性所示。此一或多個薄膜封裝腔室可包括封裝設備，其中特別是OLED材料之已沈積及/或已處理之層係封裝於已處理之基板及其他基板之間，也就是夾置於已處理之基板及其他基板之間，以保護已沈積及/或已處理之材料而避免暴露於大氣空氣及/或大氣條件。然而，藉由設置於其中一個薄膜封裝腔室中之封裝設備，像是利用玻璃、聚合物或金屬片、或蓋玻璃之雷射熔結(laser fusing)之積層的其他封裝方法可選擇地應用。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，數種遮罩載體及基板載體可同時移動通過處理系統。一般來說，遮罩載體及基板載體之移動係與序列節拍時間(sequence tact times)協調。節拍時間可決定於製程及模組形式。舉例來說，路徑規劃模組可裝配，以用於提供5秒之從90°至180°之旋轉時間。再者，處理系統可裝配，使得於兩個相鄰之模組之間的基板輸送一般係為5秒，而無需閘閥運動(也就是閘閥之開啟/關閉)。處理系統可裝配，特別是處理系統之對準系統可裝配，使得包括全部之對準動作之基板遮罩對準製程可在25秒中執行。再者，處理系統可裝配，使得處理之後從對準器及磁鐵板材之釋放係為10秒， 此處理舉例為塗佈。根據典型之實施例，擺動模組係裝配，以於10秒中裝載基板。再者，基板載體模組可裝配，以在10秒中對準及夾持基板。一般來說，擺動模組可裝配，以在10秒中移動從水平位置至垂直位置之擺動。根據典型之實施例，輸送系統係裝配，以在5秒中提供約100mm之短線性移動。處理模組可裝配，以在60秒中執行舉例為塗佈方法之處理方法來完成通過。在60秒中係具有3秒之源旋轉。將理解的是，處理率(舉例為沈積率)及處理速度(舉例為沈積源移動通過基板之速度)可調整，以控制處理結果。處理結果舉例為塗佈之厚度。
因此，例如是OLED顯示器之裝置可如下於如第1A及1B圖中範例性所示之處理系統100中製造。基板可經由裝載腔室110裝載至第一基板處理腔室121中。在基板係裝載至第一真空擺動模組131中之前，基板預處理可於第一預處理腔室111及/或第二預處理腔室112中提供。基板係於第一真空擺動模組131中裝載於基板載體上及從水平定向旋轉至垂直定向。之後，基板係傳送通過第一路徑規劃模組411及一或多個其他路徑規劃模組。路徑規劃模組係裝配以旋轉具有基板於其上之基板載體，使得具有基板之載體可移動至相鄰之處理模組510，如第1A圖中範例性所示。舉例來說，於第一處理模組511中，電極沈積可執行，以沈積裝置之陽極於基板上。之後，具有基板之載體可從第一處理模組511移除且移動至連接於路徑規劃模組之其中一個其他處理模組512。舉例來說，其他處理模組之一或多者可裝配以沈積電洞注入 層，其他處理模組之一或多者可裝配以沈積藍色發光層、綠色發光層或紅色發光層，其他處理模組之一或多者可裝配以沈積一般設置於發光層之間及/或發光層之上方的電子傳輸層。在製造之末端，陰極可於其中一個其他處理模組中進行沈積。於其中一個其他處理模組中，一或多個激子阻擋層(或電洞阻擋層)或一或多個電子注入層可沈積於陽極及陰極之間。在全部所需之層沈積之後，載體係傳送至其他真空擺動模組132，其中具有基板之載體係從垂直定向旋轉至水平定向。之後，基板係於其他基板處理腔室122中從載體卸載且可傳送至其中一個薄膜封裝腔室810來封裝已沈積之層堆疊。之後，具有已製造之裝置的基板可經由卸載腔室116從處理系統卸載。
範例性參照第1B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，處理系統可裝配，使得裝載及卸載基板可於處理系統之相同側上執行，特別是藉由應用於相同側上之兩個真空擺動模組，如參照第2A至2H圖之範例性更詳細之說明。特別是，範例性參照第1B圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之一些實施例，用以沈積一或多層之處理系統1000可包括第一真空擺動模組131、第一緩衝腔室151、舉例為第一路徑規劃模組411之路徑規劃模組410、第二緩衝腔室152、其他真空擺動模組132、及處理配置1000。
更特別是，範例性參照第1B及2A至2H圖，第一真空擺動模組131係裝配以用於從水平狀態旋轉第一基板101A至垂 直狀態中。第一緩衝腔室151係連接於第一真空擺動模組131。第一緩衝腔室151係裝配以用於緩衝於第一基板輸送方向106中從第一真空擺動模組131接收之第一基板101A。再者，第一緩衝腔室151係裝配以用於緩衝於第二基板輸送方向107中從路徑規劃模組410接收之第三基板101C。路徑規劃模組410係連接於第一緩衝腔室151，特別是第一路徑規劃模組411係連接於第一緩衝腔室151，且裝配以用於輸送第一基板101A至處理配置1000。處理配置1000一般包括如此處所述之至少一沈積源。再者，第二緩衝腔室152係連接於路徑規劃模組410，特別是連接於第一路徑規劃模組411。第二緩衝腔室152係裝配以用於緩衝在第二基板輸送方向107中從其他真空擺動模組132接收之第二基板101B。再者，第二緩衝腔室152係裝配以用於緩衝在第一基板輸送方向106中從路徑規劃模組410接收之第四基板101D，特別是從第一路徑規劃模組411接收之第四基板101D。如第2D圖中範例性所示，其他真空擺動模組132係連接於第二緩衝腔室152，且係裝配以用於從垂直狀態旋轉第二基板101B至水平狀態。
在本揭露中，「緩衝腔室」可理解為裝配以在垂直定向中緩衝二或多個基板之腔室，特別是緩衝基板載體支撐之二或多個基板之腔室。更特別的是，如此處所述之「緩衝腔室」可為裝配以用於提供真空條件於緩衝腔室之內側的真空腔室。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，處理配置1000可包括如此處所述之其他路徑規劃模組412及 如此處所述之處理模組510。再者，處理配置1000可包括根據此處所述之數個實施例之服務模組610。根據一些實施例，處理配置1000可更包括群組之至少一者，此群組係由如此處所述之遮罩載體匣320；如此處所述之遮罩載體裝載器310；如此處所述之輸送設備720，用以非接觸式輸送之沈積源；如此處所述之其他輸送設備820，用以非接觸式懸浮、輸送及/或對準載體組件；如此處所述之對準系統550；如此處所述之遮罩清洗腔室313；以及層檢查腔室所組成。因此，將理解的是，參照第1B及2A-2H圖說明之處理配置1000可包括參照第1A圖及第3A至12C圖說明之一些或全部之處理模組及處理元件。舉例來說，可提供佈局配置。在此佈局配置中，基板之裝載及卸載可在如此處所述之裝載腔室110；如此處所述之卸載腔室116；如此處所述之第一預處理腔室111及/或第二預處理腔室112；以及如此處所述之薄膜封裝腔室810之處理系統之相同側上執行。
範例性參照第2A至2H圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，第一緩衝腔室151可包括第一切換軌道161，裝配以用於橫向於第一基板輸送方向106移動基板，基板舉例為第一基板101A及/或第三基板101C。類似地，第二緩衝腔室152可包括第二切換軌道162，裝配以用於橫向於第二基板輸送方向107移動基板，基板舉例為第二基板101B及/或第四基板101D。一般來說，第一基板輸送方向106係相反於第二基板輸送方向107，如第2A至2H圖中範例性所示。
於本揭露中，「切換軌道」可理解為具有二或多個平行軌道之軌道配置。此二或多個平行軌道係裝配以用於接收於垂直定向中之二或多個基板，特別是基板載體支撐之二或多個基板。更特別是，如此處所述之「切換軌道」可理解為一軌道配置。此軌道配置係裝配，使得二或多個垂直基板可實質上垂直於基板之表面移動。垂直於基板之表面移動可對應於移動方向。移動方向係實質上垂直於基板輸送方向。此二或多個基板係於基板輸送方向中由軌道配置接收。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，路徑規劃模組410舉例為繪示於第1B及2A至2E圖中之第一路徑規劃模組411，可裝配以旋轉從第一緩衝腔室151接收之第一基板101A，使得第一基板可於裝載方向中裝載至處理配置1000中。裝載方向係不同於第一基板輸送方向106。一般來說，裝載方向係垂直於第一基板輸送方向。再者，參照第2D圖之範例性說明，路徑規劃模組410係裝配以於卸載方向中從處理配置1000接收第四基板101D，特別是第一路徑規劃模組411係裝配以於卸載方向中從處理配置1000接收第四基板101D。卸載方向係不同於裝載方向。一般來說，在裝載及卸載可於處理系統之相同側上執行之處理系統佈局中，裝載方向係相反於卸載方向，如第1B及2A至2E圖中所範例性繪示。
如第1B及2A至2H圖中所範例性繪示，閘閥115可設置於第一真空擺動模組131及第一緩衝腔室151之間、第一緩衝腔 室151及路徑規劃模組410(舉例為第一路徑規劃模組411)之間、路徑規劃模組410及處理配置1000之間、路徑規劃模組410及第二緩衝腔室152之間、及第二緩衝腔室152及其他真空擺動模組132之間。
因此，具有參照第1B及2A至2E圖說明之佈局配置的處理系統係有利地提供改善之方法，用以裝載及卸載基板至如此處所述之處理系統之處理配置，使得用以裝載及卸載基板至處理配置之節拍時間可減少。第13A圖繪示根據此處所述實施例之說明用以裝載及卸載基板至處理系統之處理配置之方法1100之方塊圖。
特別是，範例性參照第2A至2H及13A圖，用以裝載及卸載基板至處理配置之方法1100包括：於第一基板輸送方向106中從第一真空擺動模組131輸送第一基板101A至第一緩衝腔室151中(由第13A圖中之方塊1110表示)；於第一緩衝腔室151中緩衝第一基板101A及於第二基板輸送方向107中從路徑規劃模組410接收之第三基板101C(由第13A圖中之方塊1120表示)；於第一緩衝腔室151中橫向於第一基板輸送方向106移動第一基板101A及第三基板101C(由第13A圖中之方塊1130表示)；從第一緩衝腔室151輸送第三基板101C至第一真空擺動模組131中(由第13A圖中之方塊1140表示)；於第一緩衝腔室151中橫向地回移第一基板101A(由第13A圖中之方塊1150表示)；於第一基板輸送方向106中從第一緩衝腔室151輸送第一基板101A至路徑規劃模組 410中(由第13A圖中之方塊1160表示)；於路徑規劃模組410中旋轉第一基板101A，使得第一基板101A可於裝載方向中裝載至處理配置1000中，處理配置1000連接於路徑規劃模組410(由第13A圖中之方塊1170表示)；從路徑規劃模組410裝載第一基板101A至處理配置1000中(由第13A圖之方塊1180表示)；從處理配置1000卸載第四基板101D至路徑規劃模組410中(由第13A圖中之方塊1190表示)；於路徑規劃模組410中旋轉第四基板101D，使得第四基板101D可於第一基板輸送方向106中從路徑規劃模組410輸送至第二緩衝腔室152中(由第13A圖中之方塊1200表示)；於第一基板輸送方向106中輸送第四基板101D至第二緩衝腔室152中(由第13A圖中之方塊1210表示)；於第二緩衝腔室152中橫向於第一基板輸送方向106移動第四基板101D(由第13A圖中之方塊1220表示)；於第二基板輸送方向107中從其他真空擺動模組132輸送第二基板101B至第二緩衝腔室152中(由第13A圖中之方塊1230表示)；於第二緩衝腔室152中橫向地回移第四基板101D及第二基板(由第13A圖之方塊1240表示)；以及從第二緩衝腔室152輸送第四基板101D至其他真空擺動模組132中(由第13A圖之方塊1250表示)。
第2A圖繪示在裝載基板至處理配置1000之狀態。在此狀態中，舉例為未處理之基板的第一基板101A係在第一基板輸送方向106中從第一真空擺動模組131輸送至第一緩衝腔室151中。於第一緩衝腔室151中，在第二基板輸送方向107中從路徑規 劃模組410接收之舉例為已處理之基板之第三基板101C係儲備在第一切換軌道161之第一軌道上。因此，在第一基板101A已經輸送至第一緩衝腔室151之後，特別是輸送至第一切換軌道161之第二軌道，第一基板101A及第三基板101C係儲備於第一緩衝腔室151中。一般來說，第一緩衝腔室151及第一切換軌道161係裝配，以用於儲備及輸送如此處所述之垂直基板定向中之至少二基板。於第2A至2H圖中，第三基板101C及第四基板101D係為已處理之基板，已處理之基板係以填充方式(hatching)表示。因此，於第2A至2H圖中之第一基板101A及第二基板101B係未處理之基板，舉例為新的基板。
接著，如第2B圖中之垂直箭頭所範例性所示，第一基板101A及第三基板101C可於第一緩衝腔室151中橫向於第一基板輸送方向106移動。一般來說，橫向於第一基板輸送方向106移動第一基板101A及第三基板101C係藉由第一切換軌道161執行。如第2B圖中之水平箭頭所示，在第一基板101A及第三基板101C已經移動之後，第三基板101C可於第二基板輸送方向107中從第一緩衝腔室151輸送至第一真空擺動模組131中。
之後，如第2C圖中之垂直箭頭所示，於第一緩衝腔室151中之第一基板101A係橫向地回移，特別是藉由第一切換軌道161回移。再者，如第2C圖之左側上之彎箭頭所示，第三基板101C可從垂直狀態旋轉至水平狀態。如第2C圖中之水平箭頭所 示，第一基板101A可於第一基板輸送方向106中從第一緩衝腔室151輸送至路徑規劃模組410中。
範例性參照第2D圖，在第一基板101A已經輸送至路徑規劃模組410中之後，第一基板101A可於路徑規劃模組410中旋轉，使得第一基板101A可於裝載方向中裝載至處理配置1000中，處理配置1000連接於路徑規劃模組410。因此，第一基板101A之後可從路徑規劃模組410裝載至處理配置1000中，如第2D圖中之指向上之垂直箭頭所示。再者，如第2D圖中之指向下之垂直箭頭所示，第四基板可從處理配置1000卸載至路徑規劃模組410中。此外，如在第一真空擺動模組131之水平箭頭所示，水平之第三基板可從第一真空擺動模組131移除。再者，如其他真空擺動模組132之右側上之彎箭頭所示，設置於第二擺動模組中之水平狀態中之第二基板101B可旋轉至垂直狀態中。
於下文中，當第一基板已經裝載至處理配置1000中及第四基板已經從處理配置1000卸載至路徑規劃模組410中時，第四基板101D可於路徑規劃模組410中旋轉，使得第四基板101D可於第一基板輸送方向106中從路徑規劃模組410輸送至第二緩衝腔室152中，第二緩衝模組152連接於路徑規劃模組410，如第2E圖中範例性所示。同時，如第2E圖中範例性所示，新基板101N可於水平狀態中裝載於第一真空搖擺模組131中。再者，第一切換軌道161及/或第二切換軌道162可橫向於基板輸送方向移動，如於第2E圖中之垂直箭頭所示。
如第2F圖中範例性所示，第四基板101D可接著於第一基板輸送方向106從路徑規劃模組410輸送至第二緩衝腔室152中。接著；第四基板101D可於第二緩衝腔室152中橫向於第一基板輸送方向106移動，如第2G圖中指向下之垂直箭頭範例性所示。因此，於第二緩衝腔室152中之第二切換軌道162係定位，使得第二基板101B可於第二基板輸送方向107中從其他真空擺動模組132輸送至第二緩衝腔室152中。一般來說，第二緩衝腔室152及第二切換軌道162係裝配以用於儲備及輸送如此處所述之垂直基板定向之至少兩個基板。再者，如第一真空擺動模組131之左側上之彎箭頭所示，新基板101N可同時從水平狀態旋轉至垂直狀態中，用以接續地裝載新基板至第一緩衝腔室151中。
如第2H圖中之指向上之垂直箭頭所範例性繪示，在第二基板101B已經接收於第二緩衝腔室152中之後，第四基板101D及第二基板101B係於第二緩衝腔室152中橫向地回移，使得第四基板101D可從第二緩衝腔室152輸送至其他真空擺動模組132中。在下文中，第四基板可接著在其他真空擺動模組132之內側從垂直狀態旋轉至水平狀態，使得第四基板可接著於水平狀態中從其他真空擺動模組132卸載。
因此，藉由提供一處理系統佈局，且在此處理系統佈局中之裝載及卸載基板可在參照第1B及2A至2H圖之範例性說明之處理系統之相同側上執行，用於空的載體之載體回傳軌道可省略。因此，處理系統之節拍時間、產量及效率可改善。
有鑑於此處所述之處理系統之實施例，將理解的是，處理系統之模組化配置係提供適合客戶所需之處理系統之可能性。舉例來說，處理系統可裝配以用於OLED製造，舉例為單一層及/或多層。特別是，藉由使用根據此處所述數個實施例之處理系統，應用之處理模組之數量可基於欲製造之裝置的複雜度來進行選擇。再者，處理系統佈局可適用於客戶之空間及邏輯邊界條件。
於第3A圖中，繪示根據此處所述實施例之處理系統100之真空擺動模組130之示意圖，真空擺動模組130舉例為第一真空擺動模組131或其他真空擺動模組132。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，真空擺動模組130包括真空擺動腔室133。真空擺動腔室一般具有一或多個凸緣，用以連接排氣單元於真空擺動腔室。排氣單元舉例為真空幫浦。因此，真空擺動腔室133可排氣成舉例為10mbar或以下之技術真空。技術真空可提供於此處所述之處理系統之一或多個模組或腔室中。再者，如第3A圖中範例性所示，真空擺動模組130一般包括底座137。當裝載於基板載體910上之基板101係支撐於垂直定向或水平定向中時，底座137係裝配以提供穩定性。後述之定向係繪示於第3A圖中。
再者，真空擺動模組130可設置有致動器135。致動器135舉例為轉矩馬達，裝配以繞著旋轉軸136旋轉支撐件134。可旋轉之支撐件可亦意指為此處之擺動站。因此，支撐件及/或連接於其之台(table)可從水平定向旋轉至垂直定向，及反之亦然。 有鑑於上述，當支撐件係提供而具有水平定向時，基板101可裝載於基板載體910上。特別是，基板101可經由基板進入開孔138移動至真空擺動模組130中，如第3A圖中範例性所示。一般來說，基板進入開孔138係裝配，使得基板可於水平狀態中移動至真空擺動模組中。之後，支撐基板101之基板載體910可從水平定向旋轉至垂直定向中，且沿著輸送路徑舉例為通過實質上垂直定向之出口開孔139移動至第一路徑規劃模組中及離開第一真空擺動模組131。實質上垂直定向之出口開孔139係如第3A圖中之虛線所示。
因此，在處理實質上垂直狀態之基板之後，具有已處理之基板之基板載體可移動離開路徑規劃模組而進入其他真空擺動模組132中，如第1A及1B圖中範例性所示。於其他真空擺動模組132中，支撐基板101之基板載體910可從垂直定向旋轉至水平定向。之後，基板101可從基板載體910卸載。因此，將理解的是，此處所述之真空擺動模組可使用於裝載及/或卸載基板來於處理系統中處理基板。
一般來說，如此處所述之真空擺動模組係裝配以用於高真空條件下。因此，真空擺動模組可設置有至少一閘閥，使得基板載體可移動進入及離開真空擺動模組，而不破壞真空擺動腔室中之真空。再者，真空擺動站可提供有靜電吸座。靜電吸座係裝配以用於支承基板於擺動站，擺動站舉例為可旋轉之支撐件。為了從擺動站輸送基板至基板載體，當基板載體之靜電吸座 係定位而用以接收及支承基板時，基板係從擺動站之靜電吸座釋放。
第3B圖繪示從水平定向旋轉設置於基板載體910中之基板101至垂直定向或反之亦然之順序示意圖。從左至右，基板101係設置於基板載體910中。升舉銷140可設置於基板載體910之下方，使得基板101係基於升舉銷140之垂直運動而相對於基板載體910升起或降低。載體一般包括基板接收部、上導引部911、及下導引部。上導引部可包括一或多個被動磁性元件，以提供載體之磁性導引，如參照第11A及11B圖更詳細之範例性說明。
在基板101係裝載於基板載體910上之前，升舉銷140係垂直地移動至升起位置。機器人或另一致動器可裝載基板於真空擺動模組中及擺置基板於升舉銷140上。因此，升舉銷140係裝配以支撐基板101。之後，升舉銷可降低，使得基板101係裝載於基板載體910上。之後，當舉例為基板載體910之桿係位於輸送系統之一或多個滾軸912中時，基板載體910可如第3B圖所示之順序旋轉。或者，基板載體之下導引部可提供有一或多個滾軸。此一或多個滾軸可裝配，以於對應之輸送軌道上導引基板載體。再者，特別是，基板載體之上導引部可包括第一被動磁性元件851及基板載體之下導引部可包括第二被動磁性元件852，如參照第11C至11E圖之範例性說明。因此，在基板載體已經升起至垂直位置之後，基板載體可沿著處理系統之輸送路徑移動，特別是沿著 舉例為輸送設備之導引結構移動，用以非接觸式輸送載體，如參照第11A及11B圖之更詳細之說明。
第4A圖繪示根據此處所述實施例之用於處理系統之處理模組510之實施例之示意圖，處理模組510舉例為用以沈積有機材料。一般來說，沈積源520係設置於處理模組510之真空處理腔室540中，沈積源520特別是蒸發源。特別是，沈積源520可設置於軌道或線性導件522上，如第4A圖中範例性所示。線性導件522可裝配以用於沈積源520之平移運動。再者，可提供用以提供沈積源520之平移運動之驅動器。特別是，如參照第10A至10C圖之更詳細之說明，用以非接觸式輸送沈積源之輸送設備720可設置於真空處理腔室540中。如第4A圖中所範例性繪示，真空處理腔室540可具有閘閥115。真空處理腔室可經由閘閥115連接於相鄰之路徑規劃模組或相鄰之服務模組，如第1A及1B圖中範例性所示。特別是，閘閥係提供至相鄰之真空腔室之真空密封且可開啟及關閉來移動基板及/或遮罩進入或離開處理模組。
於本揭露中，「真空處理腔室」係理解為一真空腔室或一真空沈積腔室。如此處所使用之名稱「真空」可理解為具有少於舉例為10mbar之真空壓力的技術真空之含義。一般來說，如此處所述之真空腔室中之壓力可為10-5mbar及約10-8mbar之間，更代表性是10-5mbar及10-7mbar之間，及甚至更代表性是約10-6mbar及約10-7mbar之間。根據一些實施例，真空腔室中之壓力可視為在真空腔室中之已蒸發材料的分壓或總壓(可在僅 有已蒸發材料存在而作為真空腔室中之將沈積之成份時大約相同)。於一些實施例中，特別是在除了已蒸發材料之外真空腔室中係存在第二個成份之情況中，真空腔室中之總壓可在從約10-4mbar至約10-7mbar之範圍。
處理系統可包括一或多個真空幫浦，連接於真空腔室，用以於真空腔室之內側產生真空。此一或多個真空幫浦例如是渦輪幫浦(turbo pumps)及/或冷凍幫浦。再者，根據一些實施例，前級真空幫浦(fore-vacuum pumps)可提供而舉例為用以在如此處所述之處理系統之真空腔室中產生前級真空。再者，前級真空可提供以泵送用於高真空幫浦之排氣出口，高真空幫浦也就是渦輪幫浦及/或冷凍幫浦。
範例性參照第4A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，兩個基板可於真空處理腔室540中支撐於個別之輸送軌道上。此兩個基板舉例為第一基板101A及第二基板101B。再者，可提供用以設置遮罩330於其上之兩個軌道。特別是，用於輸送基板載體及/或遮罩載體之軌道可設置有其他輸送設備。其他輸送設備用以非接觸式輸送載體，參照第11A至11B圖之更詳細之說明。
一般來說，基板之塗佈可包括藉由個別之遮罩遮蔽基板，舉例為藉由參照第12A圖範例性說明之邊緣排除遮罩(edge exclusion mask)或藉由參照第12B圖範例性說明之陰影遮罩(shadow mask)。根據典型實施例，遮罩係設置於遮罩框架331 中，以支承遮罩於預定位置中。遮罩舉例為對應於第一基板101A之第一遮罩330A及對應於第二基板101B之第二遮罩303B。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板101可由個別之基板支撐件102支撐。基板支撐件102可舉例為藉由連接元件124連接於對準系統550。對準系統550可調整基板101相對於遮罩330之位置。因此，在有機材料之沈積期間，基板可相對於遮罩330移動，以提供基板及遮罩之間合適之對準。根據可與此處所述其他實施例結合之進一步實施例，遮罩330及/或支承遮罩330之遮罩框架331可選擇地或額外地連接於對準系統550。因此，遮罩可相對於基板101定位，或遮罩330及基板101兩者可相對於彼此定位。因此，如參照第12B及12C圖之更詳細之說明，此處所述之對準系統係在沈積製程期間提供遮蔽之適當對準，而有利於高品質或發光二極體(LED)顯示製造。
遮罩及基板相對於彼此之對準之例子包括對準單元。對準單元係提供在定義一平面之至少兩個方向中之相對對準，此平面本質上平行於基板之平面及遮罩之平面。舉例來說，對準可至少在x方向及y方向中執行，也就是定義上述之平行平面之兩個卡式方向(Cartesian directions)。一般來說，遮罩及基板可本質上彼此平行。特別是，對準可更在本質上垂直於基板之平面及遮罩之平面之方向中執行。因此，對準單元係裝配而至少用於遮罩及基板相對於彼此之X-Y對準，及特別是用於遮罩及基板相對於彼此之X-Y-Z對準。可結合此處所述其他實施例之一特定 例子係於x方向、y方向及z方向中對準基板於遮罩，而可在真空處理腔室中靜止的支承。
如第4A圖中所示，線性導件522提供沈積源520之平移運動之方向。在沈積源520之兩側上可提供遮罩。遮罩舉例為用以遮蔽第一基板101A之第一遮罩330A及用以遮蔽第二基板101B之第二遮罩330B。遮罩可本質上平行於沈積源520之平移運動之方向延伸。再者，在蒸發源之相對側的基板可亦本質上平行於平移運動之方向延伸。根據典型之實施例，基板101可經由閘閥115移動至真空處理腔室540中及離開真空處理腔室540。因此，處理模組510可包括個別之輸送軌道，用於各個基板之輸送，舉例為包括用於第一基板之第一輸送軌道及用於第二基板之第二輸送軌道。一般來說，輸送軌道係平行於基板定向延伸。
根據可與此處所述任何其他實施利結合之數個實施例，其他軌道可設置而用於支撐遮罩框架，遮罩框架係支承遮罩。因此，四個軌道可設置於真空處理腔室中。為了移動其中一個遮罩離開真空處理腔室來舉例為進行遮罩之清洗，具有遮罩之遮罩框架可移動至基板之輸送軌道上。個別之遮罩框架可接著在用於基板之輸送軌道上離開或進入真空處理腔室。雖然能提供用於遮罩框架之分離的輸送軌道來進入及離開真空腔室，如果只有也就是用於基板之輸送軌道的兩個軌道係延伸進入及離開真空處理腔室，及此外遮罩框架係於用於基板之相應之輸送軌道上移動時，處理模組之所有權的成本可減少。
範例性參照第4A圖，源支座531可提供。源支座531係裝配，以用於沿著線性導件522之沈積源520的平移運動。一般來說，源支座531支撐蒸發坩鍋521及設置於蒸發坩鍋521之上方的分佈組件530。因此，產生於蒸發坩鍋中之蒸汽可向上地移動及離開分佈組件之此一或多個出口。因此，分佈組件530係裝配，以用於從分佈組件530提供已蒸發有機材料至基板101，特別是提供已蒸發源材料之羽流318至基板101，如第4B至4E圖範例性說明。
此一或多個出口可為一或多個開孔或一或多個噴嘴，可舉例為提供於噴頭或另一蒸汽分佈系統中。噴頭於此可理解為包括具有開孔之殼件，使得噴頭中之壓力係高於噴頭之外側之壓力舉例為一個數量級。應用於此處所述之沈積系統中之蒸發坩鍋及分佈組件係分別參照第6A至6D圖及第5A、7A-7C圖之詳細說明。
再者，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積源可包括如第4A圖中所示且參照第7A至7D圖更詳細之說明的塑形遮蔽裝置517。此外，材料收集單元40可設置而可裝配成遮蔽牆，如第4A圖中範例性所示。材料收集單元40可配置於真空處理腔室中，以在沈積源位於如第4D圖中範例性所示之旋轉位置中時，收集從沈積源射出之已蒸發源材料。如第4A圖中所範例性繪示，加熱裝置50可設置而用於在沈積源之服務位置中清洗塑形遮蔽裝置517。相較於出口導引而朝向將塗佈之基板的分佈 組件之沈積位置來說，服務位置可為此處所述之分佈組件之出口係位於旋轉位置之沈積源之一位置。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，分佈組件之旋轉可由蒸發器控制殼件之旋轉提供。至少分佈組件係固定於蒸發器控制殼件上。一般來說，蒸發坩鍋亦固定於蒸發器控制殼件上。因此，沈積源可裝配，使得至少分佈組件係可旋轉地固定或使得坩鍋及分佈組件兩者係一起可旋轉地固定。或者，控制殼件、分佈組件及蒸發坩鍋可為可旋轉地固定在一起。一般來說，材料收集單元係不動地固定，使得材料收集單元不與分佈組件一起旋轉且相對於分佈組件之旋轉保持靜止。然而，如第4B至4E圖中範例性所示，材料收集單元係跟隨平移運動且係相對於平移運動為可移動的。
第4B至4E圖繪示在真空處理腔室540中之數種位置中之沈積源520的示意圖，沈積源520特別是蒸發源。在不同位置之間的運動係由箭頭102B、102C、及102D標示。在第4B圖中，沈積源520係繪示於第一位置中。如第4C圖中所示，藉由如箭頭102B所示之沈積源之平移運動，位於真空處理腔室540中之左基板係沈積有有機材料層。當舉例為第一基板101A之左基板係沈積有有機材料層時，第二基板101B可進行交換，如虛線所示。第二基板101B舉例為第4B至4E圖中之右手側上之基板。在第一基板101A已經沈積有有機材料層之後，沈積源520之分佈組件530可如第4D圖中之箭頭102C所示的進行旋轉。在有機材料沈積於第一 基板101A上期間，第二基板101B已經相對於第二遮罩330B進行定位及對準。因此，在第4D圖中所示之旋轉之後，藉由如箭頭102D所示之沈積源之平移運動，第二基板101B可塗佈有有機材料層。當第二基板101B係塗佈有有機材料時，第一基板101A可移動離開真空處理腔室540，如虛線所示。
因此，藉由提供包括根據此處所述實施例之二或多個處理模組之處理系統，舉例為利用用於OLED製造之特別是有機材料之蒸發製程，不同層可在處理模組之內側沈積於基板上。如上方參照第4A至4E圖所範例性概述，此二或多個處理模組之各處理模組一般具有兩個處理側。在各處理側之內側一般係設置磁性懸浮軌道。磁性懸浮軌道係移動遮罩載體及基板載體至處理位置中，如參照第11A至11E圖之更詳細之說明。在各處理側之外側係設置對準系統。對準系統係裝配，以用於相對於遮罩對準基板。一般來說，處理模組係裝配，使得遮罩載體可移動至處理位置中且利用鎖定螺栓支承於適當之位置中。接著，基板載體係移動至處理位置中及對準系統係執行基板及遮罩之對準。
第5A圖繪示根據此處所述實施例之沈積源520之透視圖。如第4A圖中範例性所示，沈積源520可包括分佈組件530。分佈組件530連接於蒸發坩鍋521。舉例來說，分佈組件530可包括分佈管，分佈管可為延伸立方體。舉例來說，此處所述之分佈管可提供線性源。線性源具有數個開孔及/或噴嘴。此些開孔及/或噴嘴係配置於沿著分佈管之長度之至少一接線中。或者，可提 供沿著此至少一接線延伸之一個延伸開孔。舉例來說，延伸開孔可為狹縫。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此接線可本質上為垂直的。
因此，分佈組件可包括分佈管。分佈管係提供而作為線性分佈噴頭，舉例為具有設置於其中之數個開孔。此處理解之噴頭具有殼件、中空空間、或管。材料可於殼件、中空空間、或管中舉例為從蒸發坩鍋提供或導引。噴頭可具有數個開孔(或延伸狹縫)，使得噴頭中之壓力係高於噴頭之外側的壓力。舉例來說，噴頭中之壓力可高於噴頭之外側之壓力至少一個數量級。
再者，如第5A圖中範例性所示，分佈組件一般係提供本質上垂直延伸之接線源。於本揭露中，名稱「本質上垂直」係特別在意指基板定向時理解為從垂直方向±10°或以下之偏差。此偏差可提供，因為具有從垂直定向之一些偏差的基板支撐件可致使更穩定之基板位置。然而，舉例為在有機材料沈積期間，基板定向係視為本質上垂直，而當作不同於水平基板定向。因此，基板之表面可藉由在對應於一基板尺寸之一方向中延伸的接線源及對應於另一基板尺寸之另一方向之平移運動來進行塗佈。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，分佈管之長度可至少對應於將沈積之基板之高度。特別是，分佈管之長度可長於將沈積之基板之高度至少10%或甚至20%。舉例來說，分佈管之長度可為1.3m或以上，舉例為2.5m或以上。因此，在基板之上端及/或基板之下端可提供均勻的沈積。根據替 代之裝配，分佈組件可包括一或多個點源。此一或多個點源可沿著垂直軸配置。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，蒸發坩鍋521係流體連通於於分佈組件530，及設置於分佈組件530之下端，如第5B圖中所範例性繪示。特別是，可提供舉例為凸緣單元之連接件。連接件係裝配，以提供蒸發坩鍋521及分佈組件530之間的連接。舉例來說，蒸發坩鍋及分佈組件可提供成分離單元，分離單元可在連接件處分離及連接或組設，舉例為用於蒸發源之操作。一般來說，蒸發坩鍋可為儲器，用於藉由加熱坩鍋來蒸發有機材料。已蒸發有機材料可進入分佈組件，特別是在分佈管之底部進入分佈組件，且舉例為朝向本質上垂直之基板。
如第5A圖中所範例性繪示，分佈組件530可設計成三角形之形狀。分佈組件530之三角形之形狀可在二或多個分佈管可相鄰於彼此配置之情況中有利，如範例性參照第7A及7B圖更詳細之說明。特別是，分佈組件530之三角形之形狀係讓相鄰之分佈管之出口盡可能彼此靠近。舉例為針對二、三或甚至更多不同材料之共蒸發的例子來說，此讓從不同分佈管之不同材料之改善混合係達成。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，分佈組件530可包括牆，舉例為側壁525B及位於分佈組件530之背側525A之牆，使得內部中空空間係提供於分佈組件之內側。如第5A圖中範例性所示，加熱單元515可提供而用以加熱分佈組 件，特別是分佈管。加熱單元515可固定或貼附於分佈組件530之牆。因此，分佈組件530可加熱至一溫度，使得蒸發坩鍋521提供之有機材料之蒸汽不凝結於分佈組件530之牆之內部。再者，熱遮罩物可設置而圍繞分佈組件之管，特別是分佈管，以反射加熱單元515提供之熱能回到中空空間。
熱遮罩物可包括數種遮蔽層，以減少至蒸發源之外側之熱輻射。作為一其他選項，熱遮罩物可包括遮蔽層，藉由流體主動地冷卻。此流體例如是空氣、氮氣、水或其他合適之冷卻流體。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，一或多個熱遮罩物可設置而用於蒸發源。此一或多個熱罩物可包括金屬片，圍繞蒸發源之個別部份。舉例來說，金屬片可具有0.1mm至3mm之厚度，可選自由鐵金屬(ferrous metals，SS)及非鐵金屬(non-ferrous metals)(Cu、Ti、Al)所組成之群組，及/或可彼此分隔舉例為0.1mm或更多之縫隙。因此，如此處所述之分佈組件係裝配，使得應用以加熱分佈組件之能量可減少，因為熱損失可減到最少。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，沈積源520可包括遮蔽裝置，特別是塑形遮蔽裝置517，以定界提供至基板之已蒸發材料之分佈錐。再者，遮蔽裝置可裝配以減少朝向沈積區域之熱輻射。再者，遮罩物可藉由冷卻元件516冷卻。舉例來說，冷卻元件516可固定於塑形遮蔽裝置517之背側且可包括用於冷卻流體之導管。
於一些應用中，蒸發源可裝配，以特別是在蒸發期間用以繞著軸旋轉。因此，旋轉驅動器可設置，舉例為設置於源匣(source cart)及沈積源之間的連接件處。旋轉驅動器係裝配，以用於在基板之沈積係執行之前平行於基板轉動蒸發源。用於OLED裝置製造之數種應用係包括二或多個有機材料同時蒸發之製程。因此，於一些實施例中，二或多個分佈組件可相鄰於彼此設置，特別是分佈管及對應之蒸發坩鍋可相鄰於彼此設置。此種蒸發源可亦意指為蒸發源陣列，舉例為其中多於一種有機材料係同時蒸發。蒸發源陣列之例子係參照第7A及7B圖說明。
再者，範例性參照第5A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，可提供沈積率測量組件580。特別是，沈積率測量組件580可提供於分佈組件530之測量出口535之後方的分佈組件之上端。如第5A圖中離開測量出口535之箭頭所範例性繪示，測量出口535可裝配，以用於從分佈組件530之內側經由測量出口535提供已蒸發材料至沈積率測量組件580。
範例性參照第5B圖，沈積率測量組件580可包括振盪晶體581及支承件582。振盪晶體581用以測量沈積率，支承件582用以支承振盪晶體581。支承件582可包括具有熱傳導係數k，高於k=30W/(mK)，特別是高於k=50W/(mK)，更特別是高於k=70W/(mK)，舉例為高於k=150W/(mK)。舉例來說，支承件582可為實心主體，包括選自群組之至少一材料。此群組由銅、鋁、銅合金、鋁合金、黃銅、鐵、銀、銀合金、金合金、鎂、鎢、碳 化矽、氮化鋁、或其他合適之材料所組成。因此，在振盪晶體上之可能減少測量準確性之熱效應可減少。
一般來說，振盪晶體581係配置於支承件582之內側，支承件582具有測量開孔583。特別是，振盪晶體可緊密接觸支承件之實心主體，使得熱可從振盪晶體傳送至支承件。如第5B圖中範例性所示，測量開孔583可裝配且配置，使得已蒸發材料可沈積於振盪晶體上，用以測量已蒸發材料之沈積率。
根據可與此處所述其他實施例結合之沈積率測量組件之替代裝配(未明確繪示)，沈積率測量組件可包括第一振盪晶體、第二振盪晶體、及可移動遮門。第一振盪晶體用以測量沈積率。第二振盪晶體用以測量沈積率。可移動遮門裝配，以用於阻擋從第一測量出口提供之已蒸發材料，其中第一測量出口係導向而用以提供已蒸發材料至第一振盪晶體，及其中可移動遮門係裝配，以用於阻擋從第二測量出口提供之已蒸發材料，其中第二測量出口係導向以用於提供已蒸發材料至第二振盪晶體。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配之可移動遮門係為可旋轉元件，特別是可旋轉碟片，具有至少一孔。此至少一孔係裝配，以用於在可旋轉元件為第一狀態中時，提供用於從第一測量出口至第一振盪晶體之已蒸發材料之出入。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配之此至少一孔係裝配，以用於在可旋 轉元件為第二狀態中時，提供用於從第二測量出口至第二振盪晶體之已蒸發材料之出入。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配之此至少一孔包括第一孔及第二孔，第一孔及第二孔係完全地(diametrically)相對於彼此配置。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配之此至少一孔包括第三孔及第四孔。第三孔及第四孔係配置於第一孔及/或第二孔之相反側上。一般來說，第三孔及第四孔係配置在一徑向位置，實質上對應於第一孔之徑向位置及/或第二孔之徑向位置。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配更包括加熱器，裝配以用於提供熱至第一振盪晶體及/或第二振盪晶體，使得沈積於第一振盪晶體及/或第二振盪晶體上之材料可蒸發。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配更包括其他加熱器，設置於可移動遮門中。其他加熱器係裝配以用於提供熱至可移動遮門，使得沈積於可移動遮門上之材料可蒸發。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件之替代裝配之加熱器係設置於用於第一振盪晶體之第一支承件中及第二振盪晶體之第二支承件中。
在本揭露中，「振盪晶體」可理解為藉由測量振盪晶體諧振器之頻率的改變，用以測量在每個單位面積之振盪晶體上的已沈積材料之質量變化的一種振盪晶體。特別是，在本揭露中，振盪晶體可理解為石英晶體諧振器(quartz crystal resonator)。更特別是，「用以測量沈積率之振盪晶體」可理解為石英晶體微天秤(quartz crystal microbalance，QCM)。
如第5B圖中範例性所示，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，熱交換器584可配置於支承件582中，舉例為靠近或相鄰於振盪晶體581。熱交換器584可裝配，以與振盪晶體及/或支承件582交換熱。舉例來說，熱交換器可包括數個管。冷卻流體可提供而通過此些管。冷卻流體可為液體或氣體。液體舉例為水，氣體舉例為空氣。特別是，冷卻流體可為冷卻加壓之空氣。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，熱交換器584可裝配，以用於冷卻支承件582及/或振盪晶體581至15℃或以下之溫度，特別是10℃或以下之溫度(舉例為8℃或以下)。因此，高溫對沈積率測量之品質、準確性及穩定性之負面效應可減少或甚至消除。特別是，藉由提供如此處所述之測量組件，振盪晶體之熱波動(thermal fluctuations)可減少或甚至消除，因而可有利於沈積率測量之準確性。
範例性參照第5B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，溫度感測器585可設置。溫度感測器585可配置及裝配，以用於測量支承件582及/或振盪晶體581之溫度。因 此，有關於沈積率測量組件之溫度的資訊可取得，使得振盪晶體易於測量不準確之臨界溫度可偵測出來。溫度的資訊舉例為絕對溫度或溫度波動。因此，藉由溫度感測器偵測出測量組件之臨界絕對溫度或臨界溫度波動之例子中，可開始舉例為應用如此處所述之熱交換器來進行冷卻之適當反應，而可有利於沈積率測量準確性。藉由溫度感測器偵測出測量組件之臨界絕對溫度或臨界溫度波動特別是藉由溫度感測器偵測出支承件及/或振盪晶體之臨界絕對溫度或臨界溫度波動。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件580可包括溫度控制系統586，用以控制振盪晶體581及/或支承件582之溫度。特別是，溫度控制系統586可包括溫度感測器585、熱交換器584及控制器575之一或多者。如第5B圖中範例性所示，控制器575可連接於溫度感測器585，用以接收溫度感測器585測量之資料。再者，控制器575可連接於熱交換器584，用以控制支承件582及/或振盪晶體581之溫度。因此，根據溫度感測器585測量之溫度，控制器可裝配以用於控制支承件582及/或振盪晶體581之溫度。舉例來說，在溫度感測器585偵測出振盪晶體易於不準確地測量之臨界溫度之情況中，控制器可送出控制訊號至熱交換器584來冷卻支承件582及/或振盪晶體581。因此，在溫度感測器585係偵測出振盪晶體之理想測量溫度之情況中，預先開始之冷卻可藉由送出對應之控制訊號至熱交換器來停 止，使得冷卻可停止。振盪晶體之理想測量溫度舉例為15℃以下，特別是10℃以下，更特別是5℃以下。
參照第5B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沈積率測量組件580可包括遮門587。遮門587用以阻擋來自測量出口535之已蒸發材料。特別是，遮門587可裝配，以從遮門之第一狀態至遮門之第二狀態為可移動的，如第5B圖中之箭頭所範例性繪示。舉例來說，遮門之第一狀態可為開啟狀態。在開啟狀態中，遮門587不阻擋測量出口535。再者，遮門587之第二狀態可為遮門587阻擋測量出口535之狀態，使得振盪晶體581係受到保護而避免經由測量出口535通過之已蒸發材料，如第5B圖中所範例性繪示。因此，振盪晶體及/或支承件可受到保護而避免已蒸發材料之高溫而不進行沈積率測量的情況。
再者，遮門587可包括熱保護遮罩物588，用以保護振盪晶體581及/或支承件582而避免通過測量出口535提供之已蒸發材料的熱。遮門587可額外地或選擇地包括遮門冷卻元件589。如第5B圖中範例性所示，熱保護遮罩物588可配置於遮門587之一側上。遮門587之此側係面對測量出口535。特別是，熱保護遮罩物588可裝配，以用於反射經由測量出口535提供之已蒸發材料提供之熱能。舉例來說，熱保護遮罩物588可為板材，舉例為金屬片。或者，熱保護遮罩物588可包括二或多個板材，舉例為二或多個金屬片，可相對於彼此間隔舉例為0.1mm或更多之縫隙。舉例來說，金屬片可具有0.1mm至3.0mm之厚度。特別是， 熱保護遮罩物包括含鐵(ferrous)或非鐵(non-ferrous)材料，舉例為選自由銅(Cu)、鋁(Al)、銅合金、鋁合金、黃銅、鐵、鈦(Ti)、陶瓷及其他適合之材料所組成之群組之至少一材料。
第6A圖繪示蒸發坩鍋521之範例性實施例之示意圖。蒸發坩鍋521包括牆，牆具有內部表面。內部表面係圍繞內部體積560，用以容納舉例為有機材料之源材料。舉例來說，蒸發坩鍋之體積可為100cm3及3000cm3之間，特別是700cm3及1700cm3之間，更特別是1200cm3。繪示於第6A圖中之坩鍋係繪示成兩個半部，此兩個半部係相對於對稱平面501鏡像對稱。一般來說，蒸發坩鍋521可包括連接件524。坩鍋和分佈組件係經由連接件524來舉例為藉由形式配合(form-fit)連接之方式彼此連接，特別是坩鍋和分佈管係經由連接件524來舉例為藉由形式配合連接之方式彼此連接。蒸發坩鍋521可包括底部牆557和頂部牆558。底部牆及頂部牆可經由側壁561-566彼此連接。因此，蒸發坩鍋521之內部體積560可藉由底部牆557、頂部牆558及側壁561-566包圍。根據坩鍋之數個實施例，至少頂部牆558可包括坩鍋開孔504。坩鍋開孔504提供從坩鍋離開且進入分佈組件之已蒸發源材料。分佈組件舉例為分佈管，裝配以導引已蒸發源材料至基板。
根據第6A圖中所示之實施例，坩鍋加熱單元523可設置於蒸發坩鍋521之牆，或設置於蒸發坩鍋521之牆中。舉例來說，加熱單元可包括一或多個加熱器。坩鍋加熱單元可至少沿著坩鍋之牆之一部份延伸。根據此處之一些應用，蒸發坩鍋521可更 包括坩鍋遮罩物527。坩鍋遮罩物527可裝配，以反射坩鍋加熱單元523提供之熱能而回到坩鍋之殼件。因此，遮蔽之坩鍋可幫助蒸發坩鍋之內部體積中之源材料的有效加熱。
根據數個實施例，蒸發坩鍋521可包括一或多個熱傳送元件570，配置於蒸發坩鍋521之內部體積560中。熱傳送元件570可裝配，以提供坩鍋之內部體積之間接加熱。因此，來自此一或多個熱傳送元件之熱可直接提供至坩鍋之內部體積中之源材料。源材料可為粉末、液體及/或顆粒(pellets)之形式。舉例來說，熱傳送元件可裝配以被動地接收熱，且可不需直接連接於舉例為加熱單元及/或電源供應器。特別是，熱傳送元件570可舉例為從坩鍋牆及/或從坩鍋之外側接收熱。因此，在沈積製程期間，來自牆及/或來自坩鍋之外側之熱係藉由熱傳送元件來於坩鍋之內部體積中分佈，以確保源材料之更均勻之加熱及接續之蒸發。特別是，熱傳送元件可配置於坩鍋之內部體積中，使得在坩鍋之內部體積中之任何特定位置處測量之溫度相較於預定溫度及/或相較於坩鍋之內部體積中之另一特定位置處之溫度係差異10℃或更少之最大溫差，舉例為5℃或更少之最大溫差，例如是0.5℃至3℃之最大溫差。再者，最大溫差可額外地或選擇地為4%或更少，舉例為2%或更少，例如是0.2%至1.1%。
範例性參照第6A圖，熱傳送元件570可從牆突出至蒸發坩鍋521之內部體積560中。舉例來說，第一熱傳送元件571及第二熱傳送元件572可提供成舉例為杯狀的形狀，用以容納液體 源材料在個別之第一及第二熱傳送元件中。再者，第一及第二熱傳送元件可連接於蒸發坩鍋521之側壁561-566之任何一者或多者之至少一部份。更特別是，第一熱傳送元件571可配置於第二熱傳送元件572之上方，也就是第一熱傳送元件571係較第二熱傳送元件572更靠近坩鍋開孔504。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，第一及第二熱傳送元件可具有相同形狀或可針對幾何形狀及/或尺寸不同。特別是，熱傳送元件570具有板狀部570a及管狀部570b。板狀部570a可至少沿著在蒸發坩鍋521之內部表面之一部份連接於側壁561-566。管狀部570b可配置於板狀部570a之中心。特別是，管狀部570b可朝向坩鍋開孔504延伸，而提供坩鍋及舉例為分佈管之分佈組件之間之流體交換的連接。更特別是，熱傳送元件570之管狀部570b之開孔之中心及坩鍋開孔504之中心可配置，以沿著蒸發坩鍋521之中心軸505對準。
根據此處之一些實施例，此一或多個熱傳送元件可以包括具有高熱傳導係數之金屬或合金之材料製成。舉例來說，熱傳送元件可包括選自下述列出之任一個或多個元件：鈦、不鏽鋼及類鑽碳(diamond-like carbon，DLC)。於此處之數個實施例中，此一或多個熱傳送元件之材料可相對於源材料為惰性，使得熱傳送元件係在蒸發製程期間不與源材料作用。根據使用之源材料之蒸發溫度，此一或多個熱傳送元件之材料應至少對到達源材 料之蒸發溫度為穩定的且為惰性的。源材料之蒸發溫度可舉例為150℃及650℃或更多之間。
範例性參照第6B圖，根據坩鍋之替代實施例，蒸發坩鍋521可包括一或多個熱傳送元件570。此一或多個熱傳送元件570係從牆突出至坩鍋之內部體積560中，特別是從側壁突出至坩鍋之內部體積560中。特別是，此一或多個熱傳送元件570可提供成板材573之形式。板材573之形式舉例為第6B圖中所示之六個板材，可配置於坩鍋之內部體積中，以導引已蒸發源材料朝向分佈組件。更特別是，六個板材之各者可從牆朝向蒸發坩鍋521之中心突出。舉例來說，六個板材之各者可配置而相對於蒸發坩鍋521之個別之側壁垂直，如第6D圖中範例性所示。特別是，板材573之任一者或全部可延伸至坩鍋中或通過坩鍋之牆。舉例來說，如第6D圖中範例性所示，六個板材之任一者或多者可延伸通過蒸發坩鍋521之各個別之側壁及/或底部牆557及/或頂部牆558。
根據坩鍋之一些實施例，坩鍋之牆可包括數個狹縫，以容納板材573。狹縫可完全地延伸通過坩鍋之牆。因此，狹縫可簡化組設程序及確保熱係從外側有效地傳導至坩鍋之內部體積。舉例來說，在坩鍋之組設期間，板材可插入狹縫中，且可從坩鍋之外側進行銲接。再者，六個板材之任何一者或多者可在縱向方向中延伸從約0%至約100%之蒸發坩鍋521之內部體積560之總長度569。此縱向方向平行於蒸發坩鍋521之中心軸505。舉 例來說，六個板材之任一者或多者可延伸至少90%之坩鍋之內部體積之總長度。
範例性參照第6C圖，根據坩鍋之替代實施例，此一或多個熱傳送元件570可包括數個板材573，舉例為十八個板材，配置於蒸發坩鍋521之內部體積560中。類似於第5B圖中所示之實施例，十八個板材之各者可延伸通過坩鍋之牆。藉由增加板材之數量，坩鍋之內部體積中之此一或多個熱傳送元件之表面積可增加。再者，具有數個熱傳送元件可在考慮坩鍋之內部體積中之熱分配及空間之有利應用，熱傳送元件可增加及/或從坩鍋之內部體積中取出之含義下模組化坩鍋。根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，板材可配置於坩鍋中，使得在兩個相鄰平面間之交點的最小絕對角度係約5°及約175°之間，例如是舉例為約30°、約45°或約60°。此兩個相鄰平面之各平面係平行於其中一個板材延伸。
第6D圖繪示沿著接線A-A之第6B圖中所示之蒸發坩鍋521之剖面透視圖。第6D圖繪示六個熱傳送元件，舉例為數個板材573。此些板材573各在相對於個別之側壁之約90°的角度突出。如第6D圖中所示，六個板材之各者可延伸至坩鍋之外部邊緣。特別是，如第6D圖中範例性所示，六個板材之至少四個板材可突出相同之距離至坩鍋之內部體積中。或者，全部六個板材或更多板材可突出相同之距離或各突出不同之距離至坩鍋之內部體積中。
再者，範例性參照第6D圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，蒸發坩鍋521具有六角形之幾何形狀。或者，蒸發坩鍋521可包括其他幾何形狀之形狀，例如是矩形、圓形、橢圓形或三角形之形狀。或者，蒸發坩鍋521可具有圓形之幾何形狀，如第6E圖中所範例性繪示。特別是，根據第6E圖中所示之實施例，熱傳送元件可設置成八個板材之形式，配置於坩鍋之內部體積560中，使得在兩個相鄰平面間之交點的最小絕對角度係約45°。此兩個相鄰平面之各平面係平行於其中一個板材延伸。如第6E圖中所示之此些熱傳送元件之對稱配置可為有利的，以確保坩鍋之內部體積中之熱的均勻分佈。
如第6E圖中範例性繪示，此一或多個熱傳送元件可配置於坩鍋之內部體積中，使得內部體積之中心包括可用(free)空間，舉例為可用之圓柱空間，具有從至少D=10mm至D=35mm之直徑D。
根據此處所述之數個實施例，蒸發源可包括一或多個蒸發坩鍋及一或多個分佈組件，此一或多個分佈組件特別是一或多個分佈管。一般來說，此一或多個分佈管之個別者可流體連通於此一或多個蒸發坩鍋之個別者。此種配置可特別是在OLED裝置中有利。在OLED裝置中，一或多種材料係同時蒸發。因此，如第7A圖中舉例所示，三個分佈管及對應之蒸發坩鍋可相鄰於彼此設置。因此，蒸發源可亦意指為蒸發源陣列，舉例為其中多於一種材料係同時蒸發。再者，具有三個分佈管及對應之裝配以用 於蒸發有機材料之蒸發坩鍋的蒸發源陣列可亦意指為三聯(triple)有機源。
範例性參照第7A至7C圖，應用於此處所述之處理系統之分佈組件530之數個實施例係說明。第7A圖繪示分佈組件之剖面之上視圖。分佈組件可包括至少一分佈管，舉例為包括三個分佈管，如第7A圖中所範例性繪示。分佈管533可為延長管，具有內部管537及外部管536。如第7A圖中範例性所示，三個分佈管一般可設置而具有非圓形剖面，此非圓形剖面係垂直於分佈管之長度。特別是，垂直於分佈管之長度的剖面可為具有圓角及/或截角的三角形。
因此，藉由提供具有二或多個分佈管之分佈組件，可設置用於不同材料之共蒸發或共沈積之蒸發源。特別是，相鄰分佈管之出口可提供於較小距離處。較小距離係改善通過相鄰出口射出之已蒸發材料之混合。
再者，如第7A圖中範例性繪示，分佈管可裝配及配置，使得各分佈管之此一或多個出口之蒸發方向係傾斜於對稱平面。對稱平面係沿著分佈管之長度提供。舉例來說，分佈管之主蒸發方向相對於表面射出之角度可為20°或以下，舉例為3°及10°。此表面係正交於基板表面。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管之長度及分佈管中之全部出口之面積的乘積除以分佈管之水力直徑可為7000mm2或以下，也就是以公式N*A*L/d計算之 值可為7000mm2或以下，舉例為1000mm2至5000mm2。在此公式中，N係分佈管中之出口之數量、A係一個出口之截面積、L係分佈管之長度、及d係分佈管之水力直徑。
根據一些實施例，分佈管533可由加熱元件加熱。加熱元件係設置於內部管之內側。加熱元件可為電性加熱器，可由電熱絲提供。電熱絲舉例為塗佈之電熱絲，以夾置或以其他方式固定於內部管。再者，冷卻遮罩物538可圍繞分佈管設置。如第7A圖中所範例性繪示，根據一些實施例，第一冷卻遮罩物538A可圍繞二或多個分佈管。
如上所說明，於蒸發坩鍋中蒸發之源材料係分佈於此至少一分佈管中，且可經由出口539離開分佈管。一般來說，數個出口539係沿著分佈管之長度為分散式的。舉例來說，出口可設置成噴嘴。一般來說，噴嘴係延伸通過分佈組件之熱遮罩物或熱遮罩物之堆疊。因此，在熱遮罩物之已蒸發材料之凝結可減少，因為噴嘴係導引金屬材料通過熱遮罩物。再者，可設置可加熱至類似於內側之溫度的一溫度之噴嘴。噴嘴係與分佈管之加熱之牆接觸。
如上所述，各分佈管係流體連通於蒸發坩鍋。再者，如第7A圖中所範例性繪示，此至少一分佈管一般具有垂直於分佈管之長度之非圓形的剖面，且此剖面在此一或多個出口提供之處包括出口側，其中剖面之出口側之寬度係30%或更少之剖面之最大尺寸。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，蒸發器控制殼體541可設置而相鄰於分佈組件530，特別是相鄰於分佈管，且經由熱絕緣體542連接於分佈管，如第7A圖中範例性所示。特別是，蒸發器控制殼體可裝配，以維持其中之大氣壓力且裝配以容納至少一元件。此至少一元件選自由開關、閥、控制器、冷卻單元、冷卻控制單元、加熱控制單元、電源供應器、及測量裝置所組成之群組。因此，用以操作用於蒸發源陣列之蒸發源之元件可靠近蒸發坩鍋及分佈管設置於大氣壓力下，且可與蒸發源一起移動通過沈積設備。
範例性參照第7A圖，除了第一冷卻遮罩物538A之外，可設置第二冷卻遮罩物538B。第二冷卻遮罩物538B可包括數個側壁。此些側壁係配置，使得U形之冷卻遮罩物係提供來減少朝向沈積區域的熱輻射。沈積區域也就是基板及/或遮罩。舉例來說，冷卻遮罩物可提供成金屬板材，具有用於冷卻流體之導管貼附於其或提供於其中。冷卻流體例如是水。熱電冷卻裝置或其他冷卻裝置可額外地或選擇地設置，以冷卻已冷卻之遮罩物。一般來說，外部遮罩物可進行冷卻。外部遮罩物也就是圍繞分佈管之內部中空空間之最外部的遮罩物。
因此，如上所述，分佈管之各者可包括加熱元件及冷卻遮罩物，以控制分佈管之內側及外側之溫度。加熱元件舉例為加熱板材，冷卻遮罩物舉例為水冷卻板材。一般來說，三個分 佈管可全部由遮罩物所圍繞，特別是由冷卻遮罩物所圍繞，如第7A圖中所範例性繪示。
藉由提供用於如此處所述之蒸發源陣列之加熱元件及冷卻遮罩物，蒸發管之內側的蒸發材料之早期凝結可避免，而將塗佈之基板暴露於熱負載可同時減少。
在第7A圖中，基於說明之目的，離開分佈管之出口的已蒸發源材料係以箭頭繪示。由於分佈管之本質上三角形之形狀，源自此三個分佈管之蒸發錐係彼此鄰近，使得來自不同分佈管之源材料的混合可改善。特別是，分佈管之剖面之形狀係允許相鄰之分佈管之出口或噴嘴靠近彼此放置。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，第一分佈管之第一出口或噴嘴及第二分佈管之第二出口或噴嘴可具有25mm或以下之距離，例如是從5mm至25mm之距離。更特別是，第一出口或噴嘴至第二出口或噴嘴之距離可為10mm或以下。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供噴嘴之管延伸。有鑑於分佈管之間的小距離，此種管延伸可足夠小來避免於其中阻塞或凝結。管延伸可設計，使得二或甚至三個源之噴嘴可在彼此之上方設置於一接線中，也就是沿著分佈管之延伸之一接線中，此延伸可為垂直延伸。在具有此特別設計之情況下，在小管延伸之一接線中配置此二或多個源之噴嘴係甚至可行的，使得完美之混合係達成。
如第7A圖中進一步所示，遮蔽裝置可設置，特別是塑形遮蔽裝置517可設置，舉例為貼附於第二冷卻遮罩物538B或為第二冷卻遮罩物之一部份。藉由提供塑形遮罩物，經由出口離開此分佈管或此些分佈管之蒸汽的方向可控制，也就是蒸汽射出的角度可減少。根據一些實施例，通過出口或噴嘴蒸發之金屬材料的至少一部份係藉由塑形遮罩物阻擋。因此，發射角之寬度可控制。根據一些實施例，塑形遮罩物裝置可亦冷卻，以進一步減少朝向沈積區域射出之熱負載。塑形遮罩物定界朝向基板分佈之金屬材料之分佈錐，也就是塑形遮罩物係裝配以阻擋已蒸發源材料之至少一部份。
因此，包括熱遮罩物及/或冷卻遮罩物之分佈組件之數個實施例係裝配，以減少基板之溫度上升。對溫度敏感之有機材料可能沈積於此基板上。特別是，溫度上升可減少至絕對溫度5以下，或甚至1K以下。此外，舉例為達10個金屬板材之金屬板材之堆疊可提供，以減少從蒸發源至基板之熱傳送。再者，蒸發源之三角形之形狀可在考慮加熱面積減少之情況下有利。加熱面積係朝向基板輻射熱。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，熱遮罩物或金屬板材可提供而具有用於出口或噴嘴之孔洞，且可貼附於源之至少前側，也就是面對基板之側。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，外部出口可包括朝向中心分佈管之管延伸之短管，特別是外部噴嘴可包括朝向中心分佈管之管延伸之短管，使得噴嘴之出口 係較靠在一起。特別是，管延伸可具有一彎折，例如是60°至120°之彎折，舉例為90°之彎折。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，其他遮罩物543可設置於此些分佈管之間。舉例來說，其他遮罩物543可為已冷卻之遮罩物或已冷卻之凸部(lug)。因此，藉由此種其他遮罩物，分佈管之溫度可獨立於彼此控制。舉例來說，在不同材料係經由相鄰之分佈管蒸發之情況中，此些材料可能需要在不同溫度進行蒸發。因此，舉例為已冷卻之遮罩物之其他遮罩物543可減少蒸發源或蒸發源陣列中之此些分佈管之間的干擾(cross-talk)。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，出口(舉例為噴嘴)可配置，以具有為水平±20°之主蒸發方向。根據一些特定之實施例，蒸發方向可略微向上定向，舉例為從水平至向上15°之範圍中，例如是向上3°至7°。
第7B圖繪示根據此處所述實施例之蒸發源之分佈組件530之剖面圖。分佈組件530包括三個分佈管533，各具有數個噴嘴544。此些噴嘴544可沿著分佈管之長度配置。第7B圖中之分佈管之長度方向係垂直於第7B圖之圖面。第7B圖之剖面係相交而通過三個所繪示之分佈管中之個別噴嘴之出口。如第7B圖中所示，已蒸發源材料可從分佈管533之內部體積通過噴嘴544之出口朝向基板101流動。噴嘴544係裝配以用於導引已蒸發源材料之羽流318朝向基板101。
範例性參照第7B圖，根據數個實施例，分佈組件530可更包括塑形遮罩裝置517，可配置於此些噴嘴544之下游。遮蔽裝置可裝配，以用於導引已蒸發源材料朝向基板101及用以個別地塑形已蒸發源材料之羽流。遮罩裝置可舉例為經由固定元件可拆卸地固定於分佈管。固定元件例如是螺絲。遮蔽裝置可包括數個孔545，其中此些孔545之至少一孔可裝配，以個別地塑形從單一相關之噴嘴射出之已蒸發源材料之羽流。或者，遮蔽裝置之此些孔之各孔可裝配，以個別地塑形從單一相關之噴嘴射出之已蒸發源材料之單一羽流。也就是說，分離之孔可配置於此些噴嘴之各噴嘴之前方。
因此，從此些噴嘴射出之已蒸發源材料之各羽流可藉由此些孔之相關之孔個別地塑形。已蒸發源材料之羽流之個別塑形可致使沈積準確性增加且可減少由遮罩提供之遮蔽效應。特別是，已蒸發源材料之羽流之個別塑形可致使較小之羽流開角(opening angles)而具有更清楚定義之羽流側(plume flanks)。遮罩上及/或基板上之羽流之大撞擊角(impact angles)可避免。
於一些實施例中，此至少一孔可具有3mm或更多及25mm或更少之直徑，特別是5mm或更多及15mm或更少之直徑。其中，孔之直徑可在孔之前端549測量，而定義朝向基板101傳遞之羽流318之最大發射角度。
於一些實施例中，孔可配置於相關之噴嘴之前方，如第7B圖範例性所示。舉例來說，噴嘴之主發射方向X可對應於 噴嘴之出口之中心及孔之中心之間的連接線。孔545可裝配成用於羽流318之通道546，通道546係由周牆圍繞，其中周牆547可裝配，以阻擋從噴嘴射出之已蒸發源材料之羽流318之至少一部份。於一些實施例中，周牆547可裝配，以阻擋已蒸發源材料之羽流318之外角部份。於一些實施例中，周牆547可從遮蔽裝置之底部牆548平行於主發射方向X延伸，其中底部牆548可本質上垂直於主發射方向X延伸。底部牆可具有開孔，用於羽流或用於噴嘴之出口，以進入孔。
如此處所使用之「孔」可意指為由牆至少部份地圍繞之開孔及通道。此牆係裝配，以塑形導引通過之已蒸發源材料之單一羽流，特別是用以限制羽流之最大開角及用以阻擋羽流之外部角部份。於一些實施例中，通道可由周牆整個圍繞，以塑形各剖面中之羽流。各剖面包括相關之噴嘴之主發射方向X。
於可與此處其他實施例結合之一些實施例中，遮蔽裝置可配置於至分佈管之近距離處，舉例為在主發射方向X中之5cm或更少或1cm或更少之距離處。配置孔在噴嘴下游近距離處可為有利的，因為羽流之個別塑形可甚至在此些噴嘴之相鄰噴嘴位在相對彼此近距離處係可行的。
於一些實施例中，噴嘴可至少部份地突出至遮蔽裝置中。也就是說，可存在垂直於主發射方向X之一剖面。此剖面係相交於噴嘴及遮蔽裝置。舉例來說，如第7B圖中所範例性繪示，噴嘴之出口可突出至孔中。特別是，噴嘴出口可突出至底部 牆548之開孔中或突出至通道546中。通道由周牆547所圍繞。此讓從噴嘴射出之羽流318直接位於噴嘴出口之下游，使得相鄰噴嘴可靠近彼此定位。
範例性參照第7B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，噴嘴可不直接機械接觸遮蔽裝置。特別是，噴嘴可在距離孔牆之一距離處突出至孔中。舉例來說，噴嘴及遮蔽裝置之最小距離可少於3mm或少於1mm及/或多於0.1mm。藉由避免噴嘴與遮蔽裝置之間的直接接觸，噴嘴及遮蔽裝置之間的熱去耦合係可提供。因此，一般為熱的噴嘴及遮蔽裝置之間的直接熱傳導可避免，使得從遮蔽裝置朝向基板之熱輻射可減少。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，周牆547可裝配，以阻擋具有一發射角之已蒸發源材料之羽流318之已蒸發源材料，此發射角係在第一剖面中相對於主發射方向X大於第一最大發射角α。第7B圖繪示第一剖面。第一剖面可包括主發射方向X。於一些實施例中，第一剖面係為水平面及/或垂直於分佈組件之長度方向延伸之平面，分佈組件特別是分佈管。如第7B圖中所示，孔545之周牆547係裝配，以阻擋在第一剖面中之已蒸發源材料之羽流318之外部角部份，使得發射錐之開角係限制於2θ之角度。也就是說，周牆547係阻擋由噴嘴在大於第一最大發射角α之發射角所射出之已蒸發源材料之部份。舉例來說，第一最大發射角α可為從10°至45°之角度，特別是從20°至30°之角度，更特別是約25°之角度。因此，在第一剖面中之發射錐之開角 2α可為20°或更多及90°或更少，特別是約50°。如第7B圖中所示，因遮罩導致之遮蔽效應可藉由減少第一最大發射角α來減少。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，周牆547可裝配，以阻擋具有一發射角之已蒸發源材料之羽流318的已蒸發源材料，此發射角係在第二剖面中相對於主發射方向X大於第二最大發射角。第二剖面垂直於第一剖面。第二剖面可為垂直於第7B圖之圖面之平面。第二剖面可包括主發射方向X。於一些實施例中，第二剖面係為垂直面及/或平行於分佈管之長度方向延伸之平面。舉例來說，孔之周牆547可裝配，以阻擋在第二面中之已蒸發源材料之羽流318之外部角部份，使得發射錐之開角係限制於2β之角度。也就是說，周牆547可阻擋由噴嘴在大於第二剖面中之第二最大發射角β之發射角所射出之已蒸發源材料的部份。舉例來說，第二最大發射角β可為從10°至60°之角度，特別是從30°至40°之角度，更特別是約45°之角度。因此，第二剖面中之發射錐之開角可為20°或更多及120°或更少，特別是約90°。因遮罩330在垂直於第7B圖之圖面之平面中導致的遮蔽效應可藉由減少第二最大發射角β來減少。
於一些實施例中，第二最大發射角係為不同於第一最大發射角之角度，特別是大於第一最大發射角之角度。此係因為較大之最大發射角在分佈管之長度方向中可為可行的。特別是，在分佈管之長度方向中，相鄰噴嘴一般係裝配以射出相同之蒸發材料，及沿著分佈管之相鄰噴嘴之間隔可更輕易地調整。另 一方面，在垂直於分佈管之長度方向之方向中彼此相鄰之噴嘴可裝配以發射不同之材料，使得準確地設定相鄰噴嘴之羽流的重疊可為有利的。
更特別是，第一剖面可為水平面，第一最大發射角α度可從20°至30°，第二剖面可為垂直面，及第二最大發射角β可從40°至50°。於一些實施例中，分佈管之長度方向中之兩個相鄰噴嘴之間的距離可從1cm至5cm，特別是從2cm至4cm。因此，此些孔之兩個相鄰孔之間的距離可為從1cm至5cm，特別是從2cm至4cm。此些孔之兩個相鄰孔之間的距離也就是個別之孔中心之間的距離。舉例來說，兩個相鄰孔之間的距離可分別對應於此兩個相鄰之相關噴嘴之間的距離。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，孔545係裝配成用於羽流318之圓弧通道(round passage)。此圓弧通道係由周牆547圍繞。「圓弧通道」可理解為在垂直於主發射方向X之剖面中係具有圓弧的輪廓之通道，舉例為彎曲之輪廓、圓形之輪廓、或橢圓之輪廓。舉例來說，周牆547可在垂直於主發射方向X之剖面中具有圓形或橢圓形之形狀。圓形通道可塑形羽流318，以可旋轉地對稱於主發射方向。橢圓通道可塑形羽流318，以在對應於橢圓通道之長軸之第一剖面中具有大開角，且在在對應於橢圓通道之短軸之第二剖面具有小開角。橢圓通道之長軸可配置於垂直方向中，且橢圓通道之短軸可配置於水平方向中。
舉例來說，根據一些實施例，周牆547可在垂直於主發射方向X之剖面中形成一圓。此圓之直徑可為3mm或更多及25mm或更少，特別是5mm或更多及15mm或更少。此圓之直徑也就是通道之內直徑。通道之直徑可在通道之下游端測量，而定義羽流318之最大開角。於一些實施例中，在主發射方向X中之周牆547之長度可固定。於可與此處所述其他實施例結合之其他實施例中，孔545可裝配成用於羽流318之通道546，通道546由周牆547圍繞，其中在主發射方向X中之周牆之長度係在周方向中變化。更特別是，導向基板之周牆547之前端549可與噴嘴出口具有一距離，此距離係在周方向中變化。藉由在周方向中改變周牆之長度，羽流318之開角可裝配以在數種剖面中不同。
更特別是，如第7B圖中所範例性繪示，周牆547可在第一剖面中具有第一長度T1，及周牆可在第二剖面中具有小於第一長度T1之第二長度T2。第一剖面包括主發射方向X。第二剖面包括主發射方向X及垂直於第一剖面延伸。第一剖面可垂直於分佈管之長度方向，第一剖面舉例為水平面。第二剖面可平行於分佈管之長度方向，第二剖面舉例為垂直面。
周牆之長度可從第一剖面中之第一長度T1到第二剖面中之第二長度T2連續地改變。也就是說，周牆547之前端549可在周方向中不包括階級及不包括不連續性。因此，羽流318之開角可在周方向中逐漸地改變，而可有利於改善沈積準確性。特別是，於一些實施例中，第一長度T1可為8mm及20mm之間的長 度，特別是約12mm之長度，及/或第二長度T2可為3mm及15mm之間的長度，特別是約6.5mm之長度。周牆之「長度」可對應於一向量在主發射方向X上之個別剖面中的投影長度。此向量係連接噴嘴出口及周牆之前端。
再者，應注意的是，當周牆之前端549在周方向中具有波狀或起伏(undulating)形狀時，具有銳緣之像素可沈積於基板上。因此，波峰可位於第一剖面中，第一剖面也就是第7B圖之圖面，且波底可配置於第二剖面中，第二剖面也就是垂直於第一剖面之平面。周牆547之前端549可包括兩個波峰及兩個波底。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，塑形遮蔽裝置可包括數個分離之遮蔽單元，相鄰彼此配置。此些分離之遮蔽單元之各遮蔽單元可包括此些孔545之一或多個孔。如此處所使用之「分離」之遮蔽單元可意指為二或多個遮蔽單元，此二或多個遮蔽單元不直接彼此接觸及提供作為分離之元件而沒有直接之機械連接。如第7B圖中所示，此些分離之遮蔽單元之遮蔽單元係不直接彼此接觸。舉例來說，分離之遮蔽單元可利用一或多個個別之固定元件來分離地固定於個別之分佈管。於一些實施例中，此些分離之遮蔽單元之各遮蔽單元可包括此些孔545之單一孔。各孔可裝配成由遮蔽牆圍繞之通道。遮蔽牆係裝配，以用於塑形已蒸發源材料的單一羽流。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此些分離之遮蔽單元之至少一塑形遮蔽單元包括此些孔545之 二、三、四、五或多個孔，可藉由舉例為線性配置之支撐結構彼此連接。此至少一遮蔽單元之相鄰兩個孔之間的距離可分別為1cm或更多及5cm或更少。於一些實施例中，此些遮蔽裝置之各遮蔽裝置可包括此些孔之二或多個孔。當遮蔽裝置之遮蔽單元之數量係減少時，固定塑形遮蔽裝置於分佈管可有助益的。因此，增加每個遮蔽單元之孔之數量可為有利的。
於一些實施例中，各遮蔽單元之孔的數量係10個或更少，特別是5個或更少。當遮蔽單元不延伸超過一實質上之長度時，遮蔽單元可更輕易地跟隨其中一個分佈管之局部熱膨脹及收縮。特別是，當其中一個分佈管膨脹或收縮時，相鄰之遮蔽單元可相對於另一者移動。於第7B圖中係繪示連接於分佈管533之遮蔽單元係從剩餘之遮蔽單元機械地去耦，以相對於剩餘之遮蔽單元為可移動的。舉例來說，第一分佈管533A之溫度可不同於第二分佈管533B之溫度及第三分佈管533C之溫度變化，使得分佈管可在沈積期間相對於彼此略微地移動。遮蔽單元可跟隨個別之分佈管之運動，因為遮蔽單元係分別從剩餘之遮蔽單元機械地去耦。因此，當分佈管係相對於彼此移動時或當其中一個分佈管係熱膨脹或收縮時，已蒸發源材料之羽流可以穩定之方式塑形。遮蔽裝置之此一或多個孔可分別跟隨此一或多個相關之噴嘴之運動。因此，於一些實施例中，此些分離之遮蔽單元之各遮蔽單元可從此些分離之遮蔽單元之剩餘之遮蔽單元機械地去耦，以不跟隨剩餘之遮蔽單元之熱所導致之運動。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，此些分離之遮蔽單元之至少一遮蔽單元可連接於單一之分佈管，以在此單一之分佈管之長度方向中跟隨此單一之分佈管之熱膨脹及收縮，特別是以在此單一之分佈管熱收縮或膨脹時，相對連接於此單一之分佈管之其他遮蔽單元移動。
範例性參照第7B圖，根據一些實施例，第一分佈管533A之噴嘴之主發射方向可相對於第二分佈管533B及/或第三分佈管533C之噴嘴之主發射方向傾斜。舉例來說，主發射方向可傾斜，使得從第一分佈管533A射出之已蒸發源材料之羽流可與從第二分佈管533B及/或從第三分佈管533C射出之已蒸發源材料之羽流重疊。於一些實施例中，分佈管係配置，使得分佈管之主發射方向可在基板之表面上本質上交會。在剖面中之不同分佈管射出之羽流可導向基板上本質上相同之區域。
第7C圖繪示根據此處所述實施例之分佈組件530之剖面圖，其中此剖面係於分佈管533之長度方向中延伸。分佈管之長度方向可為垂直方向。於一些實施例中，第二分佈管533B及/或第三分佈管533C可在垂直方向中本質上平行於第一分佈管533A延伸，如第7B圖中所示。如第7C圖中範例性所示，分佈管533一般包括數個噴嘴544，此些噴嘴544於分佈管之長度方向中相鄰於彼此配置。此些噴嘴之第一噴嘴544A及第二噴嘴544B係繪示於第7C圖中。已蒸發源材料之第一羽流318A係由第一噴嘴 544A射出，及已蒸發源材料之第二羽流318B係由第二噴嘴544B射出。
一般來說，塑形遮蔽裝置517係配置於此些噴嘴之下游，以塑形從此些噴嘴射出之已蒸發源材料之羽流。塑形遮蔽裝置可包括數個個別之遮蔽單元，其中此些遮蔽單元518之第一遮蔽單元518A係繪示於第7C圖中。第一遮蔽單元518A可包括第一孔545A及第二孔545AB。第一孔545A及第二孔545B可參照第7B圖說明之孔545裝配。第一孔545A可裝配以個別地塑形從第一噴嘴544A射出之第一羽流318A，及第二孔545B係裝配以個別地塑形從第二噴嘴544B射出之第二羽流318B。
根據典型實施例，遮蔽單元可包括為線性配置之此些孔之多於兩個孔，舉例為三個、四個或五個孔。此些孔可藉由支撐結構連接，支撐結構舉例為板材元件。遮蔽單元之孔可裝配，以用於個別地塑形三個、四個或五個相鄰噴嘴之已蒸發源材料之羽流。此三個、四個或五個相鄰噴嘴係沿著分佈管之長度方向靠近彼此配置。分佈管可包括為線性配置之10個或更多個噴嘴。因此，多於一個遮蔽單元可以線性配置方式固定於分佈管，多於一個遮蔽單元舉例為兩個、三個或更多個遮蔽單元。此些分離之遮蔽單元之各遮蔽單元可機械地固定於蒸發源之此二或多個分佈管之單一之分佈管。此些遮蔽單元可彼此機械及/或熱去耦，使得個別之遮蔽單元之間的相對運動可為可行的。因此，當分佈管上之遮蔽單元係固定以延伸或收縮時，遮蔽單元可相對於彼此移動。
舉例來說，例如是繪示於第7C圖中之第一遮蔽單元518A之遮蔽單元可固定於分佈管533，以從分佈管533熱去耦。舉例來說，第一遮蔽單元518A可藉由一或多個間隔物元件519支承於相距分佈管533之一距離處。間隔物元件519可配置於遮蔽單元及分佈管之間。間隔物元件519可裝配成支撐區段，配置於分佈管之此些噴嘴之間。間隔物元件519可提供小的接觸區域，以減少從分佈管533朝向遮蔽單元518之熱流。舉例來說，間隔物元件519之接觸區域可為1mm2或更少，特別是0.25mm2或更少。遮蔽單元518可經由一或多個固定元件固定於分佈管，固定元件舉例為螺絲，可以具有低導熱性之材料製成。
在分佈管之長度方向中之遮蔽單元518之長度可為20cm或更少，特別是10cm或更少。由於遮蔽單元之小長度，遮蔽單元可跟隨分佈管之熱所引發的局部運動，舉例為膨脹或收縮運動。舉例來說，當分佈管延伸時，固定於分佈管之第一遮蔽單元可移動遠離固定於相同之分佈管之第二遮蔽單元。當分佈管收縮時，固定於分佈管之第一遮蔽單元可朝向固定於相同之分佈管的第二遮蔽單元移動。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，遮蔽單元係在沿著遮蔽單元之長度方向的單一固定部份剛性固定於分佈管，此單一固定部份舉例為遮蔽單元之中央部。在其他位置，遮蔽單元可固定於分佈管533，以提供遮蔽單元及分佈管之間的相對運動。舉例來說，於第7C圖中所示之實施例中，遮蔽單元 之第一端部518C及遮蔽單元之第二端部518D可舉例為透過固定元件可移動地固定於分佈管。遮蔽單元之第一端部518C舉例為第一遮蔽單元518A。固定元件例如是螺絲，貫穿提供於遮蔽裝置中之槽孔。於一些實施例中，槽孔可在遮蔽單元之長度方向中於分佈管及遮蔽單元之間提供多於0.01mm及少於0.5mm之間隙，間隙舉例為約0.1mm。
第7D圖繪示根據此處所述實施例之用於蒸發源之塑形遮蔽裝置之遮蔽單元518之透視圖。如上所述，塑形遮蔽裝置可包括數個分離之遮蔽單元，舉例為三個或更多個遮蔽單元，特別是12個或更多個遮蔽單元。一般來說，遮蔽單元518可包括二或多個孔545及/或十個或更少個孔，特別是五個孔。各孔可裝配成通道，通道係由遮蔽牆圍繞，遮蔽牆舉例為周牆547。圓弧通道可節省空間且易於製造，特別是圓形通道可節省空間且易於製造。由於旋轉對稱之故，圓弧通道可具有已蒸發源材料可在周方向中之相同撞擊角碰擊遮蔽牆之其他優點。於沈積期間，已蒸發源材料可在周方向中均勻地聚積於遮蔽牆上。遮蔽單元之清洗可變得較簡單。
如第7D圖中範例性所示，遮蔽單元518之此些孔可為具有一距離於相鄰之孔之間的線性配置，此距離係1cm或更多及5cm或更少，特別是約2cm。遮蔽單元518可裝配成一件式元件，其中此些孔可由遮蔽支撐結構518B連接，遮蔽支撐結構518B舉例為延長板材元件。遮蔽單元518可具有3cm或更少、2cm或 更少、或甚至1cm或更少之寬度。遮蔽支撐結構518B可在第一端包括一或多個孔洞，且在相對於第一端之第二端包括一或多個孔洞，用以舉例為藉由螺絲或螺栓固定遮蔽單元於分佈管。於一些實施例中，其他孔洞可分別提供於此些孔之間。遮蔽單元518之各孔可裝配，以個別地塑形從蒸發源之單一相關之噴嘴射出之已蒸發源材料之羽流。於此處所述之一些實施例中，遮蔽單元518之孔可分別具有3mm及25mm之間的直徑，特別是5mm及15mm之間的直徑。遮蔽裝置之孔的小直徑可改善沈積準確性。然而，小的孔直徑更易於造成阻塞，而可能降低沈積效率及沈積均勻性。因此，此處所述之分佈組件係提供而用於長時段維持高沈積準確性，而同時可避免孔之阻塞。
範例性參照第7E及7F圖，用於如此處所述之分佈組件之噴嘴之範例性實施例係說明。一般來說，噴嘴590可包括導引部份591。導引部份591係導引已蒸發材料至將塗佈之基板。導引部份可舉例為形成及設計，以致使從噴嘴釋放出蒸汽羽流成為所需之形狀及強度。再者，噴嘴590一般包括連接部份592，用於如此處所述之噴嘴至分佈組件之可交換連接，分佈組件例如是分佈管533。特別是，噴嘴590之連接部份592可裝配而用於鎖固噴嘴於分佈管。舉例來說，噴嘴之連接部份可包括螺紋區域593，螺紋區域593特別是外螺紋，如第7E圖中所範例性繪示。因此，根據此處所述之一些實施例之分佈管可包括內螺紋，用以連接噴嘴於分佈管。根據一些實施例，噴嘴之螺紋可具有外直徑，代表性約5 mm及約15mm之間，更代表性約6mm及12mm之間，及甚至更代表性約8mm及10mm之間。
如第7F圖中範例性所示，噴嘴590一般包括噴嘴入口594、噴嘴出口595、及噴嘴入口及噴嘴出口之間之通道596。因此，來自坩鍋之已蒸發材料係在分佈管中導引及通過噴嘴入口594進入噴嘴590。已蒸發材料係接著通過噴嘴之通道596及在噴嘴出口595離開噴嘴。根據一些實施例，通道596之形狀可為任何適合形狀，用以引導已蒸發材料通過噴嘴。舉例來說，噴嘴通道之剖面可具有實質上圓形之形狀，但可亦具有橢圓形之形狀，或延長孔洞之形狀。於一些實施例中，噴嘴通道之剖面可具有實質上矩形、實質上方形、或甚至是實質上三角形之形狀。
再者，根據可與此處所述任何其他實施例結合之一些實施例，噴嘴之通道596可包括第一剖面596A及第二剖面596B。噴嘴之第一剖面596A提供第一剖面尺寸598A及第一剖面長度597A，第一剖面尺寸598A舉例第一直徑。噴嘴之第二剖面596B提供第二剖面尺寸598B及第二剖面長度597B，第二剖面尺寸598B舉例為第二直徑。根據此處所述之數個實施例，第二剖面尺寸可代表性2至10倍大於第一剖面尺寸，更代表性2及8倍之間大於第一剖面尺寸，及甚至更代表性3及7倍之間大於第一剖面尺寸。於一實施例中，第二剖面尺寸可為4倍大於第一剖面尺寸。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，噴嘴之通道596之第一剖面596A可包括噴嘴入口594，及噴嘴之 通道596之第二剖面596B可包括噴嘴出口595。根據一些實施例，第一剖面尺寸598A可代表性為1.5mm及約8mm之間，舉例為約2mm及約4mm之間。第二剖面尺寸598B可為3mm及約20mm之間，舉例為約4mm及約10mm之間。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，通道之第一剖面596A之長度或通道之第二剖面596B之長度可為2mm及約20mm之間，更代表性約2mm及約15mm之間，及甚至更代表性約2mm及約10mm之間。
根據一些實施例，特別是具有較小於第二剖面之尺寸，第一剖面可裝配，以增加從分佈管導引至噴嘴之已蒸發材料之均勻性。根據一些實施例，相對窄之第一剖面可迫使已蒸發材料之粒子以更均勻之方式配置。讓在第一剖面中之已蒸發材料更均勻可舉例為包括讓已蒸發材料之密度、單一粒子之速度及/或已蒸發材料之壓力更均勻。
根據此處所述之數個實施例，第二剖面(一般相鄰於第一剖面配置)可裝配，以用以增加已蒸發材料之方向性。舉例來說，當已蒸發材料離開具有小於第二剖面之尺寸的第一剖面時，從第一剖面流動至第二剖面之已蒸發材料將擴散。然而，第二剖面可阻止(cath)從第一剖面擴散之已蒸發材料及導引已蒸發材料朝向基板。當相較來自根據此處所述實施例之材料沈積配置之已蒸發材料之羽流於已知系統之已蒸發材料之羽流時，羽流係更準確地朝向基板、或朝向遮罩(舉例為像素遮罩)導引。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之一些實施例，過渡剖面可提供於第一剖面596A及第二剖面596B之間。舉例來說，相較於如第7F圖中所示之階梯轉變，過渡剖面可裝配，以在第一剖面596A及第二剖面596B之間提供斜坡。一般來說，過渡剖面可為第一及/或第二剖面長度之約1/6及4/6之間，更特別是1/6及1/2之間且甚至更特別是1/3及1/2之間。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此處意指之噴嘴可設計，以形成具有cosn形輪廓之羽流，其中n特別是大於4。於一例子中，噴嘴係設計以形成具有cos6形輪廓之羽流。如果羽流之窄的形狀係需要時，達成cos6形式之已蒸發材料之羽流之噴嘴可為有用的。舉例來說，包括用於具有小開孔(例如是具有約50μm及以下之尺寸的開孔，舉例為20μm或以下)之基板之遮罩的沈積製程可從窄的cos6形羽流得益，且材料利用可增加，因為已蒸發材料之羽流不散佈在遮罩上但穿過遮罩之開孔。根據一些實施例，噴嘴可設計，使得噴嘴之長度及噴嘴之通道之尺寸的關係係在定義關係中，例如是具有2：1或更大之比。根據額外或替代之實施例，噴嘴之通道可包括階梯、傾斜、準直器(collimator)結構及/或壓力級(pressure stages)，用以達到所需之羽流形狀。
根據一些實施例，噴嘴係裝配，以提供少於1sccm之質量流，更代表性僅1sccm之分數量，及甚至更代表性為0.5sccm以下。於一例子中，根據此處所述實施例之噴嘴中之質量流可少於0.1sccm，例如是0.05或0.03sccm。於一些實施例中， 分佈管中之壓力及至少部份地於噴嘴中之壓力可代表性約10-2mbar及10-5mbar之間，及更代表性約10-2mbar及10-3mbar之間。
範例性參照第7F圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之一些實施例，噴嘴可包括第一噴嘴材料599A及第二噴嘴材料599B。舉例來說，第一噴嘴材料599A可選擇，以具有大於21W/mk之熱傳導係數之數值。第二噴嘴材料599B可選擇，以對已蒸發有機材料為惰性。舉例來說，第二噴嘴材料599B可為噴嘴之部份。或者，第二噴嘴材料599B可使用，以於通道之內表面上提供塗層。
根據一些實施例，第二噴嘴材料之厚度一般可在一些奈米至數個微米之範圍中。於一例子中，在噴嘴開孔中之第二噴嘴材料之厚度可代表性為約10nm至約50μm之間，更代表性為100nm至約50μm之間，及甚至更代表性約500nm至約50μm之間。於一例子中，第二噴嘴材料之厚度可為約10μm。
一般來說，第一噴嘴材料可選擇，以具有大於分佈管之熱傳導係數之熱傳導係數。噴嘴可連接於分佈管。於一些實施例中，第一噴嘴材料可選擇，以對已蒸發有機材料為惰性。一般來說，第一噴嘴材料可包括群組之至少一材料，此群組由Cu、Ty、Ta、Nb、Ti、類鑽塗層(DLC)或石墨所組成。於一例子中，噴嘴包括銅及提供於噴嘴通道之內側上之材料塗層，舉例為Ta、Nb、Ti、類鑽塗層、不鏽鋼、石英玻璃及石墨。
因此，有鑑於上述，將理解的是，藉由提供根據此處所述實施例之具有噴嘴之分佈組件，已蒸發材料之羽流可更精確地導引朝向基板或朝向遮罩，使得沈積準確性可改善。
範例性參照第8A至8E圖，用於處理系統之服務模組610之數個實施例係進行說明。如參照第8A及8B圖所述，服務模組一般可連接於如此處所述之處理系統之處理模組。特別是，服務模組之真空維護腔室可經由開孔連接於處理模組之真空處理腔室。開孔係裝配，以用於從真空處理腔室傳送沈積源至真空維護腔室，沈積源特別是蒸發源。特別是，開孔可包括閘閥。閘閥裝配，以用於開啟及關閉真空處理腔室及真空維護腔室之間的真空密封。因此，當閘閥係為開啟狀態中時，沈積源可傳送至服務模組。之後，閘閥可關閉，以提供真空處理腔室及真空維護腔室之間的真空密封。如果閥係關閉時，真空維護腔室可抽氣且開啟，用於維護沈積源而不破壞真空處理腔室中之真空。或者，如參照第8C至8E圖之說明，裝配以用於封閉真空處理腔室及真空維護腔室間的開孔之密封裝置可提供。
第8A圖繪示服務模組610之透視圖，服務模組可應用於如此處所述之處理系統100中。特別是，如第8A圖中範例性所示，服務模組係裝配，以用於容納如此處所述之沈積源520。更特別是，服務模組可裝配，以用於容納兩個沈積源。此兩個沈積源可在處理模組中可互換地使用。舉例來說，在第二沈積源係在 服務模組中進行維護時，第一沈積源可於處理模組中用於沈積製程。
舉例來說，如第8A圖中所示之範例性實施例中，沈積源520係固定於源支座(舉例為源匣)之頂部上。源遮罩物(舉例為參照第7A至7E圖詳細地說明之材料收集單元40)係裝設於源支座之頂部上，以保護服務模組610之服務凸緣615來避免沈積源提供之已蒸發材料之任何過渡噴塗(overspray)。特別是，服務凸緣615可裝配及配置，使得在服務模組中之沈積源係由服務凸緣615圍繞。更特別是，服務模組一般包括兩個服務凸緣，用於兩個沈積源。此兩個服務凸緣可存在於服務模組中。舉例來說，第一源服務凸緣可電磁地貼附於服務模組，而第二源服務凸緣可同時位服務模組之內側的服務位置中。特別是，服務凸緣可裝配，以提供真空處理腔室及真空維護腔室之間的密封。
一般來說，源服務凸輪係為鋁鑄件，可包括大氣箱。大氣箱可包括用於媒介臂之主連接件，例如是電力電纜、通信電纜、及冷卻水供應線。媒介臂係亦意指為此處之連接裝置630，且係參照第8B圖更詳細地說明。
範例性參照第8A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，服務模組610可包括服務模組門614。服務模組門614用以提供進出維護區域，以維護沈積源。特別是，服務模組門614可包括滑動機構613。滑動機構613用以開啟服務模組門614。舉例來說，當服務模組係在大氣條件下，服務模組門 614可開啟。特別是，服務模組門可藉由開啟及關閉夾持件及使用扶手以人工地開啟門來進行開啟。如第8A圖中所範例性繪示，服務模組門可在滑動機構613之軌道上移動，特別是線性軌道上移動。因此，藉由提供具有可獨立於真空處理腔室抽氣之真空維護腔室之服務模組，維護或替換真空維護腔室中之沈積源而不抽氣真空處理腔室係可行的，使得舉例為顯示裝置之製程可持續。
再者，如第8A圖中範例性所示，服務模組一般包括用於沈積源之媒介供應器640。特別是，媒介供應器640包括供應通道。供應通道可裝配及配置，使得至沈積源之供應可從服務模組之頂部提供，如第8A圖中範例性所示。更特別是，供應通道可裝配，以用於供應沈積源舉例為電連接及/或媒介。媒介例如是流體(舉例為水)及/或氣體。供應通道可裝配，以用於導引一或多個線及/或電纜通過於其，例如是水供應線、氣體供應線及/或電纜。於一些應用中，供應通道可裝配，以用於提供大氣環境，也就是說，甚至是在例如是真空處理腔室及/或真空維護腔室之環境係排氣至技術真空時，供應通道可裝配以維持大氣壓力於其中。
如第8B圖中所範例性繪示，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，服務模組610可設置有輸送設備720，用以非接觸式輸送沈積源組件，如參照第10A-10C圖更詳細之說明。一般來說，用於沈積源組件之非接觸式輸送的輸送設備包括導引結構770。導引結構770裝配以用於導引源支座531。一般來說，源支座531係裝配，以與沈積源一起從真空處理腔可傳送至真 空維護腔室(及反之亦然)，由第8B圖中之虛線所繪示之沈積源組件730所示。
參照第8B圖範例性說明，根據一些實施例，密封裝置620可設置。密封裝置620可裝配，以用於關閉及關閉真空處理腔室及真空維護腔室之間的連接。於一些應用中，密封裝置620可貼附於沈積源組件。舉例來說，密封裝置620可為板材，裝配以用於以實質上真空密封方式封閉真空處理腔室及真空維護腔室之間的開孔。因此，當真空處理腔室及真空維護腔室之間的開孔係藉由密封裝置來關閉或密封時，真空維護腔室可抽氣及開啟而用於沈積源之維護，而不破壞真空處理腔室中之真空。
如第8B圖中之雙箭頭所範例性繪示，源支座531一般係相對於密封裝置620為可移動的。沈積源(未繪示於第8B圖中)可固定於源支座531上。特別是，如第8B圖中範例性所示，連接源支座531及密封裝置620之連接裝置630可提供。連接裝置可亦意指為此處之媒介供應臂。特別是，媒介供應臂係為伸縮臂及裝配以在處理模組之內側與沈積源同時向前及向後移動。作為一例子來說，連接裝置630可裝配，以用於導引源支座531相對於密封裝置620之平移運動。連接裝置630可額外地或選擇地提供或容納用於沈積源之媒介供應器。作為一例子來說，連接裝置630可為一臂，特別是被動臂(passive arm)。於一些實施例中，連接裝置630之至少一部份係提供大氣環境，以避免任何粒子影響媒介供應 器。作為一例子來說，大氣環境可提供於連接裝置630之內側，及可特別是提供於臂之內側。
於一些應用中，臂可包括二或多個臂部份。此二或多個臂部份藉由個別之鉸鏈連接，以提供源支座531及密封裝置620之間的相對運動。作為一例子來說，連接裝置630可包括第一臂632及第二臂634，如第8B圖中範例性所示。一般來說，第一臂及/或第二臂係裝配成用於容納供應線之供應管。第一臂632具有第一端部632A，第一端部632A連接於源支座531。再者，第二端部632B藉由鉸鏈636連接於第二臂634之第三端部634C。鉸鏈636可配置於殼件之內側。根據一些實施例，舉例為用以容納供應設備之大氣箱可設置於第一臂632之第一端部632A及源支座531之連接之間。第二臂634具有第四端部634D，第四端部634D連接於真空處理腔室及/或真空維護腔室616。根據典型之實施例，連接裝置630係設置於服務凸緣615之內側。
再者，一般在延伸及收縮媒介供應臂期間針對負載平衡之目的，彈簧系統可裝設於媒介供應臂。特別是，彈簧系統可配置及裝配，使得在媒介供應臂之延伸期間，舉例為在源支座係移動遠離密封裝置時，彈簧系統之一或多個彈簧係延伸，使得平衡收縮力係產生。平衡收縮力係抵抗伸縮臂之重量。
範例性參照第8B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，可旋轉裝置625可設置於真空維護腔室616中。特別是，可旋轉裝置625可裝配，以用於容納源支座。沈積源 可固定於源支座上。一般來說，可旋轉裝置625可亦裝配以容納服務凸緣。作為一例子來說，可旋轉裝置625可為可旋轉平台。於一些實施例中，裝配以用於驅動或旋轉可旋轉裝置625之驅動器可設置。舉例來說，驅動器可經由轉軸連接於可旋轉裝置625。轉軸舉例為中空轉軸。
根據一些實施例，可旋轉裝置625可裝配，以用於支撐二或多個沈積源。作為一例子來說，舉例為將服務或替換之第一沈積源可從真空處理腔室傳送至真空維護腔室，且特別是傳送至可旋轉裝置625上。舉例為已服務或新的第二沈積源可亦設置於可旋轉裝置625上。當兩個沈積源係位於可旋轉裝置625上，也就是第一沈積源及第二沈積源係位於可旋轉裝置625上時，可旋轉裝置625係旋轉舉例為約180度，使得第一沈積源及第二沈積源交換位置。接著，第二沈積源可傳送至真空處理腔室中及連接真空處理腔室及真空維護腔室之間的開孔可藉由密封裝置620密封。密封裝置620可連接於第二沈積源。
第8C至8E圖繪示根據此處所述實施例之貼附於處理系統之服務模組610之處理模組510的上視圖，其中在處理系統之操作期間，第一沈積源520A及第二沈積源520B係繪示成不同狀態。特別是，第8C圖繪示位於真空處理腔室540中之第一沈積源520A及位於真空維護腔室616中之第二沈積源520B，特別是位在可旋轉裝置625上之第二沈積源520B。
如第8D圖中所示，舉例為將服務或替換之第一沈積源520A可從真空處理腔室540傳送至真空維護腔室616，且特別是傳送至可旋轉裝置625上。作為一例子來說，第一沈積源520A及第二沈積源520B可舉例以它們的密封裝置朝向彼此定向之方式背靠背的位於可旋轉裝置625上。也就是說，兩個密封裝置可定位或夾置於第一沈積源及第二沈積源之間。
當兩個蒸發源係位於可旋轉裝置625上，且此兩個蒸發源也就是第一沈積源520A及第二沈積源520B時，可旋轉裝置625係旋轉舉例為約180度，使得第一沈積源520A及第二沈積源520B係交換位置。於第8D圖中，旋轉係以箭頭繪示。接著，第二沈積源520B可傳送至真空處理腔室540中，及連接真空處理腔室540及真空維護腔室616之開孔可舉例為藉由第二沈積源520B之密封裝置620進行密封。真空維護腔室616可抽氣來服務或移除第一沈積源520A。因此，如此處所述之處理系統之實施例係提供沈積源之交換，而無需破壞真空處理腔室中之真空。當兩個不同層或兩個不同層堆疊應於一處理模組中沈積於基板上時，第一沈積源520A可舉例為藉由應用如此處所述之服務模組610由第二沈積源520B替換之此種裝配可為有利的。特別是，對於沈積兩個不同材料層於基板上來說，第一層可藉由第一沈積源沈積於基板上且接著第二層可藉由第二沈積源沈積於基板上。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此至少一沈積源可包括致動器，此至少一沈積源舉例為第一沈積 源520A及第二沈積源520B。致動器舉例為轉矩馬達、電動轉子或氣動轉子。致動器可經由真空旋轉饋入裝置(feed-through)提供扭矩，舉例為鐵磁流體(ferrofluid)密封之旋轉饋入裝置。特別是，致動器可裝配，以繞著一軸旋轉至少分佈組件，特別是分佈管。此軸係本質上垂直。一般來說，源支座531係裝配以容納致動器及饋入裝置。
範例性參照第9A及9B圖，用於處理系統100之路徑規劃模組410之數個實施例係說明。特別是，路徑規劃模組410之透視圖係繪示於第9A圖中，及各連接於處理模組510之兩個相鄰之路徑規劃模組之上視圖係繪示於第9B圖中。
如第9A圖中所範例性繪示，路徑規劃模組410一般包括旋轉單元420。旋轉單元420係裝配以旋轉基板載體及/或遮罩載體，使得基板載體及/或遮罩載體可傳送至相鄰連接之處理模組。特別是，旋轉單元420可設置於真空路徑規劃腔室417中，特別是可裝配以提供如此處所述之真空條件的真空路徑規劃腔室。更特別是，如第9A圖中所範例性繪示，旋轉單元可包括旋轉驅動器。旋轉驅動器係裝配，以用於繞著旋轉軸419旋轉支撐結構418。支撐結構418用以支撐基板載體及/或遮罩載體。特別是，旋轉驅動器可裝配，以用於在順時針及反時針方向中提供旋轉單元至少180°之旋轉。
再者，如第9A圖中範例性所示，路徑規劃模組410一般包括至少一第一連接凸緣431及至少一第二連接凸緣432。舉 例來說，此至少一第一連接凸緣431可裝配，以用於連接如此處所述之處理模組。此至少一第二連接凸緣432可裝配，以用於連接其他路徑規劃模組或真空擺動模組，如參照第1A及1B圖範例性說明。一般來說，路徑規劃模組包括四個連接凸緣。此四個連接凸緣舉例為兩個第一連接凸緣及兩個第二連接凸緣。兩個第一連接凸緣及兩個第二連接凸緣之各對係配置於路徑規劃模組之相對側上。因此，路徑規劃模組可包括三種不同形式之連接凸緣，亦於此處意指為路徑規劃凸緣。此三種不同形式之連接凸緣舉例為用以連接處理模組之連接凸緣，用以連接擺動模組之連接凸緣，及用以連接其他路徑規劃模組之連接凸緣。一般來說，一些或全部之不同形式之連接凸緣具有外殼框形之結構，裝配以用於在外殼框形結構之內側提供真空條件。再者，連接凸緣一般可包括用於遮罩載體之入口/出口，及用於基板載體之入口/出口。
於第9B圖中，處理系統之一部份係繪示。在處理系統之此部份中，兩個處理模組係經由兩個相鄰之路徑規劃模組彼此連接。特別是，第9B圖繪示處理系統之一部份。在處理系統之此部份中，第一路徑規劃模組411係連接於第一處理模組511及其他路徑規劃模組412。其他路徑規劃模組412係連接於其他處理模組512。如第9B圖中所示，閘閥115可設置於相鄰之路徑規劃模組之間。閘閥115可關閉或開啟，以提供此些路徑規劃模組之間的真空密封。閘閥之存在可決定於處理系統之應用，舉例為沈積於基板上之有機材料層之種類、數量及/或順序。因此，一或多個閘極 可設置於數個傳送腔室之間。或者，沒有閘閥係設置於任何傳送腔室之間。
如參照第9A圖之說明，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，路徑規劃模組之一或多者可包括真空路徑規劃腔室417。真空路徑規劃腔室417設置有旋轉單元420。其中，在處理系統之操作期間所應用之設置於基板載體中之基板及/或設置於遮罩載體中之遮罩可繞著旋轉軸419旋轉。旋轉軸419舉例為垂直中心軸。
一般來說，旋轉單元420係裝配，以用於旋轉輸送軌道配置715。輸送軌道配置715包括第一輸送軌道711及第二輸送軌道712，如第9B圖中所範例性繪示。因此，路徑規劃模組之內側的輸送軌道配置715可改變。特別是，路徑規劃模組可裝配，使得第一輸送軌道711及第二輸送軌道712可旋轉至少90°，舉例為旋轉90°、180°或360°，使得軌道上之載體係旋轉至將傳送至處理系統之其中一個相鄰腔室中之位置。
根據典型之實施例，第一輸送軌道711及第二輸送軌道712係裝配，以用於非接觸式輸送基板載體及遮罩載體。特別是，第一輸送軌道711及第二輸送軌道712可包括其他導引結構870及驅動結構890，裝配以用於非接觸式平移基板載體及遮罩載體，如參照第11A-11E圖中詳細之說明。
如第9B圖中所示，在第一路徑規劃模組411中，舉例為第一基板101A及第二基板101B之兩個基板係旋轉。舉例為 第一輸送軌道711及第二輸送軌道712之基板定位於其上之此兩個輸送軌道係相對於從第一處理模組511之輸送軌道配置715延伸之此兩個輸送軌道旋轉。因此，輸送軌道上之兩個基板係提供於將傳送至相鄰之其他路徑規劃模組412之位置中。
如第9B圖中所範例性繪示，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，輸送軌道配置715之輸送軌道可從真空處理腔室540延伸至真空路徑規劃腔室417中。因此，基板101之一或多者可從真空處理腔室傳送至相鄰之真空路徑規劃腔室。再者，如第9B圖中所範例性繪示，閘閥115可設置於處理模組及路徑規劃模組之間。閘閥115可開啟，以用於輸送此一或多個基板。如第9B圖中所範例性繪示，其他處理模組512亦可藉由閘閥115連接於其他路徑規劃模組412。因此，將理解的是，基板可從第一處理模組傳送至第一路徑規劃模組，從第一路徑規劃模組傳送至其他路徑規劃模組，及從其他路徑規劃模組傳送至其他處理模組。因此，舉例為沈積數個有機材料層於基板上之數個製程可執行，而不暴露基板於不需要之環境，例如是大氣環境或非真空環境。
如上所述，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，處理系統可裝配，使得基板可沿著第一方向移動離開處理模組。在該方法中，基板係沿著本質上直線路徑移動至相鄰之真空腔室中。此相鄰之真空腔室舉例為真空路徑規劃腔室，真空路徑規劃腔室於此處可亦意指為真空傳送腔室。於傳送腔室 中，基板可旋轉，使得基板可在第二方向中沿著第二直線路徑移動。第二方向不同於第一方向。如第9B圖中範例性繪示，第二方向可實質上垂直於第一方向。為了傳送基板至其他處理模組512，基板可在第二方向中從第一路徑規劃模組411移動至其他路徑規劃模組412中，且可接著在其他路徑規劃模組412中旋轉舉例為180°。之後，基板可移動至其他處理模組512中。
範例性參照第10A-10C圖，用以非接觸式輸送沈積源組件之輸送設備720係說明。一般來說，輸送設備720係配置於如此處所述之處理模組510之真空處理腔室540中。特別是，輸送設備720係裝配，以用於非接觸式懸浮、輸送及/或對準沈積源。非接觸式懸浮、輸送及/或對準沈積源係具有優點，在輸送期間沒有粒子舉例為因為與導引軌道機械接觸而產生。因此，既然粒子產生係在使用非接觸式懸浮、優點及/或對準時減到最少，此處所述之輸送設備720之數個實施例係提供沈積於基板上之改善純度及均勻性之層。
如本揭露通篇所使用之名稱「非接觸式」可理解為應用於處理系統中之元件之重量係不由機械接觸或機械力支承，但由磁力支承之含義。元件舉例為沈積源組件、載體或基板。特別是，沈積源組件或載體組件係使用磁力取代機械力來支承於懸浮或浮動狀態。作為一例子來說，此處所述之輸送設備可不具有支撐沈積源組件之重量的機械裝置，例如是不具有機械軌道。於 一些應用中，在沈積源移動通過基板期間，沈積源組件及剩餘之輸送設備之間可沒有任何機械接觸。
相較於用以導引沈積源之機械裝置，其他優點係此處所述之數個實施例不受到摩擦力影響沈積源沿著將塗佈之基板之移動的線性度。沈積源之非接觸式輸送係提供沈積源之無摩擦運動，其中沈積源及基板之間的靶材距離可以高準確性及速度之方式控制且維持。再者，懸浮係提供沈積源速度之快速加速或減速及/或沈積源速度之精確調整。因此，如此處所述之處理系統係提供改善之層均勻性。層均勻性係對數個因素敏感，例如是舉例為沈積源及基板之間的距離變化，或沈積源在射出材料時沿著基板移動之速度之變化。
再者，機械軌道之材料一般可因腔室之排氣、可因溫度、使用、磨損或類似者而面臨變形。此種變形係影響沈積源及基板之間的距離，且因而影響已沈積之層之均勻性。相較之下，如此處所述之輸送設備之數個實施例係提供舉例為存在導引結構中之任何潛在變形之補償。特別是，如此處所述之輸送設備之數個實施例係提供沿著一、二或三個空間方向之沈積源組件之非接觸式平移，用以對準沈積源。沈積源之對準可相對於將塗佈之基板之對準，舉例為相對於將塗佈之基板之平移或旋轉，以舉例為定位沈積源於相距基板之一靶材距離。一般來說，當沈積源移動通過基板來沈積材料於基板上時，相對於基板之對準或定位係執行。更特別是，設備可裝配，以用於沿著垂直方向及/或沿著一或 多個橫向方向非接觸式平移沈積源組件。垂直方向舉例為y方向，橫向方向舉例為x方向及z方向，如範例性參照第10A至10C圖之更詳細說明。用於沈積源之對準範圍可為2mm或以下，更特別是1mm或以下。
再者，此處所述之輸送設備之數個實施例係提供相對於一、二或三個旋轉軸之沈積源組件之非接觸式旋轉，用以有角度地對準沈積源。沈積源之對準可舉例為包含於靶材垂直定向中相對於基板定位沈積源。特別是，輸送設備可裝配，以用於繞著第一旋轉軸、第二旋轉軸及/或第三旋轉軸之沈積源組件之非接觸式旋轉。第一旋轉軸可於橫向方向中延伸，此橫向方向舉例為x方向或源輸送方向。第二旋轉軸可在橫向方向中延伸，此橫向方向舉例為z方向。第三旋轉軸可在垂直方向中延伸，此垂直方向舉例為y方向。沈積源組件相對於任何旋轉軸之旋轉可提供於2°或以下之角度中，舉例為從0.1度至2度或從0.5度至2度。
於本揭露中，術語「實質上平行」方向可包括讓彼此達10度之小角度的數個方向，或甚至達15度。再者，術語「實質上垂直」方向可包括讓彼此少於90度之角度的數個方向，舉例為至少80度或至少75度。類似之考量係應用於實質上平行或垂直軸、平面、面積或類似者之概念。
此處所述之一些實施例包含「垂直方向」之概念。垂直方向係視為實質上平行於沿著重力延伸之方向的方向。垂直方向可從準確垂直性(後者係由重力定義)偏移舉例為達15度之角 度。舉例來說，此處之y方向(於圖式中以「Y」表示)係垂直方向。特別是，繪示於圖式中之y方向係定義重力之方向。
特別是，此處所述之輸送設備可使用於垂直基板處理。其中，基板係在基板處理期間垂直定向。也就是說，基板係配置而平行於此處所述之垂直方向，也就是允許從準確垂直性之可能偏移。從基板定向之準確垂直性之小的偏移可提供，舉例為因為具有此種偏移之基板支撐件可致使更穩定之基板位置或減少黏附於基板表面上之粒子。本質上垂直基板可具有從垂直定向+-15°或以下之偏移。
此處所述之數個實施例更包含「橫向方向」之概念。橫向方向係理解為與垂直方向有所區隔。橫向方向可垂直或實質上垂直於由重力所定義之準確垂直方向。舉例來說，此處所述之x方向及z方向(於第10A至10C圖中以「X」及「Z」表示)係為橫向方向。特別是，圖式中所示之x方向及z方向係垂直於y方向(及彼此)。於其他例子中，此處所述之橫向力或相反力係視為沿著橫向方向延伸。
如第10A圖中所範例性繪示，輸送設備720一般包括沈積源組件730。沈積源組件730包括如此處所述之沈積源520及源支座531。源支座531用以支撐沈積源520。特別是，源支座531可為源匣。沈積源520可固定於源支座531。如第10A圖中之箭頭所示，沈積源520係適用於射出材料來沈積於基板101上。再者，如第10A圖中所範例性繪示，遮罩330可配置於基板101及沈積源 520之間。遮罩330可設置而用於避免沈積源520射出之材料沈積於基板101之一或多個區域上。舉例來說，遮罩330可為邊緣排除遮罩物，裝配以用於遮蔽基板101之一或多個邊緣區域，使得沒有材料係在基板101之塗佈期間沈積於此一或多個邊緣區域上。作為另一例子來說，遮罩可為陰影遮罩，用以遮蔽數個特徵。此些特徵係利用來自沈積源組件之材料沈積於基板上。
再者，範例性參照第10A圖，沈積源組件730可包括第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742。輸送設備720一般更包括導引結構770。導引結構770於沈積源輸送方向中延伸。導引結構770可包括線性形狀，沿著源輸送方向延伸。沿著源輸送方向之導引結構770之長度可為從1m至6m。第一主動磁性單元741、第二主動磁性單元742及導引結構770係裝配，以用於提供第一磁性懸浮力F1及第二磁性懸浮力F2，用以懸浮沈積源組件730，如第10A圖中所範例性繪示。
在本揭露中，「主動磁性單元」或「主動磁性元件」可為適用於產生可調整之磁場的磁性單元或磁性元件。可調整之磁場在輸送設備之操作期間為動態地可調整的。舉例來說，磁場可在沈積源520射出材料來沈積材料於基板101上期間為可調整的及/或可在層形成製程之沈積週期之間為可調整的。基於沈積源組件730相對於導引結構之位置，磁場可選擇地或額外地為可調整的。可調整之磁場可為靜態或動態磁場。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，主動磁性單元或元件可裝配，以用於 產生磁場來提供沿著垂直方向延伸之磁性懸浮力。或者，主動磁性單元或元件可裝配，以用於提供沿著橫向方向延伸之磁力，舉例為如下所說明之相反磁力。舉例來說，如此處所述之主動磁性單元或主動磁性元件可為或包括選自群組之元件，此群組由電磁裝置；螺線管；線圈；超導磁鐵；或其之任何組合所組成。
如第10A圖中所範例性繪示，在輸送設備720之操作期間，導引結構770之至少一部份可面對第一主動磁性單元741。導引結構770及/或第一主動磁性單元741可至少部份地配置在沈積源520之下方。
在操作中，沈積源組件730係沿著x方向相對於導引結構為可移動的。再者，位置調整可沿著y方向、沿著z方向及/或沿著任意空間方向提供。導引結構係裝配，以用於非接觸式導引沈積源組件之移動。導引結構770可為靜態導引結構，可靜態地配置於真空處理腔室中。特別是，導引結構770可具有磁性性質。舉例來說，導引結構770可以磁性材料製成。磁性材料舉例為鐵磁，特別是鐵磁鋼。因此，導引結構可為或包括被動磁性單元。
「被動磁性單元」或「被動磁性元件」之術語係於此使用，以與「主動」磁性單元或元件之概念有所區別。被動磁性單元或元件可意指為具有不受主動控制或調整之磁性性質之單元或元件。舉例來說，被動磁性單元或元件可適用於產生磁場，舉例為靜態磁場。被動磁性單元或元件可不裝配來產生可調整之 磁場。被動磁性單元或元件可為永久磁鐵或可具有永久之磁性性質。
相較於被動磁性單元或元件，基於主動磁性單元或元件產生之磁場之可調性及可控性，主動磁性單元或元件係提供更多之靈活性及精密度。根據此處所述之數個實施例，由主動磁性單元或元件產生之磁場可控制，以提供沈積源之對準。舉例來說，藉由控制可調整之磁場，作用於沈積源組件上之磁性懸浮力可以高準確性來進行控制，因而藉由主動磁性單元或元件提供沈積源之非接觸式垂直對準。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，輸送設備可包括驅動系統。驅動系統係裝配，以用於沿著導引結構770驅動沈積源組件730。驅動系統可為磁性驅動系統，裝配以用於在源輸送方向中輸送沈積源組件730而不沿著導引結構770進行接觸。驅動系統可為線性馬達。驅動系統可裝配，以用於沿著導引結構開始及/或停止沈積源組件之運動。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，非接觸式之驅動系統可為被動磁性單元及主動磁性單元之結合。被動磁性單元特別是設置於導引結構之被動磁性單元。主動磁性單元特別是設置於沈積源組件中或設置於沈積源組件處之主動磁性單元。
根據數個實施例，沿著源輸送方向之沈積源組件之速度可控制來控制沈積率。沈積源組件之速度可在控制器之控制之下即時調整。調整可提供來補償沈積率改變。速度曲線(speed profile)可定義。速度曲線可決定沈積源組件在不同位置之速度。速度曲線可提供至或存儲於控制器中。控制器可控制驅動系統，使得沈積源組件之速度係依據速度曲線。因此，沈積率之即時控制與調整可提供，使得層均勻性可更改善。如根據此處所述實施例之考量，既然基板及遮罩可在塗佈期間保持靜止，沿著源輸送方向之沈積源組件的橫向移動係在塗佈製程期間提供高塗佈準確性，特別是高遮蔽準確性。
在沿著導引結構770之沈積源組件730之非接觸式運動期間，沈積源520可朝向基板接收區域中之基板射出材料來塗佈材料。此射出舉例為連續地射出。沈積源組件730可沿著基板移動，使得在一塗佈移動期間，基板可在源輸送方向中塗佈超過基板的整個範圍。在塗佈移動中，沈積源組件730可從初始位置開始且移動至最終位置，而無需改變方向。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，沿著沈積源輸送方向之導引結構770之長度可為90%或更多、100%或更多、或甚至是110%或更多之沿著源輸送方向之基板接收區域之範圍。一般來說，基板接收區域具有數個尺寸，舉例為長度及寬度。此些尺寸係相同或略微地(舉例為5-20%)大於之基板之對應尺寸。因此，可提供在基板之邊緣的均勻沈積。再者，既然基板及遮罩可在塗佈期間維持靜止，沿著源輸送方向之沈積源組件之橫向移動係在塗佈製程期間提供高塗佈準確性，特別是高遮蔽準確性。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，當沈積源沿著基板移動來沈積材料於基板上時，沈積源可舉例為垂直地、具有角度地或橫向地對準而無需接觸。當沈積源係沿著導引結構輸送時，沈積源可進行對準。在沈積源之運動期間，對準可連續或間歇對準。沈積源之運動期間的對準可在控制器之控制之下執行。控制器可接收有關於沿著導引結構之沈積源之目前位置的資訊。基於有關於沈積源之目前位置之資訊，沈積源之對準可在控制器之控制下執行。因此，導引結構之潛在變形可進行補償。因此，在沈積源沿著基板之運動期間，沈積源可隨時維持在相對於基板之靶材距離處或靶材定向處，因而更改善層沈積於基板上之層均勻性。當沈積源係靜止時，對準沈積源可選擇地或額外地執行。舉例來說，對準可在沈積週期之間針對暫時靜止之沈積源執行。
範例性參照第10A圖，輸送設備720可包括沈積源組件730。沈積源組件730具有第一平面733。第一平面733包括沈積源組件730之第一旋轉軸734。沈積源組件730可包括第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742。第一主動磁性單元741配置於第一平面733之第一側733A。第二主動磁性單元742配置於第一平面733之第二側733B。第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742係裝配，以用於磁性地懸浮沈積源組件730。特別是，第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742係各適用於產生磁場，舉例為產生可調整之磁場，用以提供個別之磁性懸浮力來 作用於沈積源組件730上。因此，第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742係裝配，以用於繞著第一旋轉軸734旋轉沈積源520來對準沈積源520。
如第10A圖中範例性所示，第一平面733可延伸通過沈積源組件730，特別是通過沈積源組件730之主體部份。第一平面733可包括沈積源組件730之第一旋轉軸734。根據典型之實施例，第一旋轉軸734可延伸通過沈積源組件730之質心。在操作中，第一平面733可於垂直方向中延伸。第一平面733可實質上平行於或實質上垂直於基板接收區域或基板。在操作中，第一旋轉軸734可沿著橫向方向延伸。
第一主動磁性單元741產生之磁場與導引結構770之磁性性質相互作用，以提供作用於沈積源組件730上之第一磁性懸浮力F1。第一磁性懸浮力F1作用於第一平面733之第一側733A上之沈積源組件730之一部份上。於第10A圖中，第一磁性懸浮力F1係以提供於第一平面733之左手側上之向量表示。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，第一磁性懸浮力F1可至少部份地抵抗沈積源組件730之重量G。
如此處所述之「部份地」抵抗重量G之磁性懸浮力之概念係需要磁性懸浮力提供懸浮動作於沈積源組件上，懸浮動作也就是向上力，但單獨之磁性懸浮力可能不足以懸浮沈積源組件。部份地抵抗重量之磁性懸浮力之大小係小於重量G之大小。
繪示第10A圖中之第二主動磁性單元742產生之磁場係與導引結構770之磁性性質相互作用，以提供作用於沈積源組件730上之第二磁性懸浮力F2。第二磁性懸浮力F2作用於第一平面733之第二側733B上之沈積源組件730之一部份上。於第10A圖中，第二磁性懸浮力F2係以提供於第一平面733之右手側上之向量表示。第二磁性懸浮力F2可至少部份地抵抗沈積源組件之重量G。
第一磁性懸浮力F1及第二磁性懸浮力F2之疊加係提供作用於沈積源組件730上之疊加之磁性懸浮力。疊加之磁性懸浮力可完全地抵抗沈積源組件之重量G。疊加之磁性懸浮力可足以提供沈積源組件730之非接觸式懸浮，如第10A圖中所示。然而，其他非接觸式力可提供，使得第一磁性懸浮力F1及第二磁性懸浮力F2係提供可部份地抵抗重量G之疊加之磁性懸浮力，且第一磁性懸浮力F1、第二磁性懸浮力F2、及其他非接觸式力係提供疊加之磁性懸浮力以完全地抵抗重量G。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，第一主動磁性單元可裝配，以用於產生第一可調整磁場來提供第一磁性懸浮力F1。第二主動磁性單元可裝配，以用於產生第二可調整磁場來提供第二磁性懸浮力F2。設備可包括控制器755，裝配以用於獨立地控制第一主動磁性單元741及/或第二主動磁性單元742，用以控制第一可調整磁場及/或第二可調整磁場來對準沈積源。更特別是，控制器755可裝配，以用於控制第一主動磁性單元及第二主動磁性單元來在垂直方向中平移地對準沈積源。藉由控 制第一主動磁性單元及第二主動磁性單元，沈積源組件可定位於靶材垂直位置中。再者，在控制器之控制之下，沈積源組件可維持在靶材垂直位置中。
在考慮沈積源之對準之下，第一主動磁性單元及/或第二主動磁性單元之個別控制可提供額外之優點。個別控制係提供繞著第一旋轉軸734之沈積源組件730之旋轉，用以具有角度地對準沈積源520。舉例來說，參照第10A圖，個別地控制第一主動磁性單元741及/或第二主動磁性單元742使得第一磁性懸浮力F1大於第二磁性懸浮力F2之方式係產生一扭矩。此扭矩可提供而用於繞著第一旋轉軸734之沈積源組件730之順時針旋轉。類似地，大於第一磁性懸浮力F1之第二磁性懸浮力F2可致使繞著第一旋轉軸734之沈積源組件730之逆時針旋轉。
由第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742之個別控制性所提供之旋轉的自由度係讓沈積源組件730相對於第一旋轉軸734之角度定向進行控制。在控制器755之控制之下，靶材角度定向可提供及/或維持。沈積源組件之靶材角度定向可為垂直定向，垂直定向舉例為一定向。根據此定向，第一平面733係平行於y方向，如第10A圖中所示。或者，靶材定向可為傾斜或略微傾斜之定向。根據此傾斜或略微傾斜之定向，第一平面733係相對於y方向傾斜一靶材角度。
範例性參照第10A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，輸送設備720可包括第一被動磁性單元 745及其他主動磁性單元743。第一被動磁性單元745舉例為永久磁鐵。第一被動磁性單元745可配置於第一平面733之第二側733B。在操作中，第一被動磁性單元745可面對導引結構770之第二部份772及/或可設置於第一平面733及第二部份722之間。
其他主動磁性單元743可配置於第一平面733之第一側733A。在操作中，其他主動磁性單元743可面對導引結構770之第一部份771及/或可至少部份地設置於第一平面733及第一部份771之間。一般來說，其他主動磁性單元743可為與第一主動磁性單元741相同之形式，與第二主動磁性單元742相同之形式。舉例來說，其他主動磁性單元743、第一主動磁性單元741及/或第二主動磁性單元742可為相同形式之電磁鐵。當相較於第一主動磁性單元741及第二主動磁性單元742時，其他主動磁性單元743可具有不同之空間定向。特別是，相對於舉例為第一主動磁性單元741，其他主動磁性單元743可繞著橫向軸旋轉舉例為約90度。此橫向軸垂直於第10A圖之圖面。
其他主動磁性單元743可裝配，以用於產生磁場，特別是產生可調整之磁場。由其他主動磁性單元743產生之磁場係與導引結構770之磁性性質相互作用，以提供作用於沈積源組件730上之第一相反橫向力O1。第一相反橫向力O1係為磁力。因此，其他主動磁性單元743及導引結構770係裝配，以用於提供第一相反橫向力O1。第一相反橫向力係為抵抗第一橫向力之可調整力。再 者，範例性參照第10A圖，控制器755可裝配，以用於控制其他主動磁性單元743來提供橫向對準。
一般來說，第一被動磁性單元745及導引結構770係裝配以用於提供第一橫向力T1。
特別是，第一被動磁性單元745可裝配，以用於產生磁場。由第一被動磁性單元745產生之磁場可與導引結構770之磁性性質相互作用，以提供作用於沈積源組件730上之第一橫向力T1。第一橫向力T1係為磁力。第一橫向力T1沿著橫向方向延伸，如此處所述。第一橫向力T1可沿著實質上垂直於源輸送方向之方向延伸。舉例來說，第一橫向力T1可實質上平行於z方向，如第10A圖中所示。
範例性參照第10A圖，將理解的是，第一相反橫向力O1沿著一橫向方向延伸。此橫向方向可相同於或實質上平行於第一橫向力T1所沿著而延伸之橫向方向。舉例來說，繪示於第10A圖中之第一橫向力T1及第一相反橫向力O1兩者係沿著z方向延伸。特別是，第一相反橫向力O1及第一橫向力T1係為相反或抵抗力。此係藉由根據力第一橫向力T1及第一相反橫向力O1係由相反方向中沿著z方向之等長的向量表示之方面來繪示於第10A圖中。第一相反橫向力O1及第一橫向力T1可具有相同之大小。第一相反橫向力O1及第一橫向力T1可於相反方向中沿著橫向方向延伸。第一橫向力T1及第一相反橫向力O1可實質上垂直於基板接收區域或基板或源輸送方向。
舉例來說，如第10A圖中所示，第一橫向力T1可自第一被動磁性單元745及導引結構770之間的磁吸引產生。磁吸引促使第一被動磁性單元745朝向導引結構770，特別是朝向導引結構之第二部份772。第一相反橫向力O1可自其他主動磁性單元743及導引結構770之間的磁吸引產生。磁吸引促使其他主動磁性單元743朝向導引結構770，特別是朝向導引結構770之第一部份771。
或者，第一橫向力T1可從第一被動磁性單元745及導引結構770之間的磁排斥產生。第一相反橫向力O1可從其他主動磁性單元743及導引結構770之間的磁排斥產生。在此情況中，第一橫向力T1及第一相反橫向力O1亦為抵抗力。因此，第一相反橫向力O1可完全地抵抗第一橫向力T1。第一相反橫向力O1可抵抗第一橫向力T1，使得沿著舉例為z方向之橫向方向作用於沈積源組件730上之淨力係為零。因此，沈積源組件730可沿著橫向方向在沒有接觸靶材位置之情況下支承。
如第10A圖中所示，控制器755可裝配，以用於控制其他主動磁性單元743。其他主動磁性單元743之控制可包括控制其他主動磁性單元743產生之可調整磁場，用以控制第一相反橫向力O1。控制其他主動磁性單元743可提供沿著橫向方向之沈積源520之非接觸式對準，此橫向方向舉例為z方向。特別是，藉由合適地控制其他主動磁性單元743，沈積源組件730可沿著橫向方向定位於靶材位置中。在控制器之控制之下，沈積源組件可保持在靶材位置中。
由被動磁性單元提供之第一橫向力T1係為靜態力，靜態力係不在輸送設備之操作期間面臨調整或控制。因此，第一橫向力T1可視為一力，此力係模擬沿著橫向方向作用之假定的「重力形式(gravitational-type)」力。舉例來說，第一橫向力T1可視為模擬沿著橫向方向之物體的假定重量。反過來說，在此範例中，第一相反橫向力O1可視為模擬虛擬「懸浮形式(levitation-type)」力，抵抗沿著橫向方向之物體的假定重量。因此，沈積源之非接觸式橫向對準可從相同於沈積源之非接觸式垂直對準之原則理解。沈積源之非接觸式橫向對準係藉由其他主動磁性單元之控制提供來抵抗第一橫向力T1。沈積源之非接觸式垂直對準係藉由第一主動磁性單元之控制提供來抵抗沈積源組件之實際的重量G，也就是垂直的重量G。因此，用於橫向地對準沈積源之其他主動磁性單元之控制可利用相同技術執行，及利用基於相同於控制第一主動磁性單元來提供垂直對準之控制演算法執行。此係提供簡化之方法來對準沈積源。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，導引結構770之第一部份771及第二部份772可為導引結構770之分離部件。在操作中，導引結構770之第一部份771可配置於第一平面733之第一側733A。導引結構770之第二部份772可配置於第一平面733之第二側733B。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，包括於沈積源組件730中之一或多個或全部之磁性單元可固定於 源支座531。舉例來說，如第10A及10B圖中所示，如此處所述之第一主動磁性單元741、第二主動磁性單元742、第一被動磁性單元745及/或其他主動磁性單元743可固定於源支座531。
導引結構770之第一部份771及第二部份772可各為被動磁性單元及/或可包括一或多個被動磁鐵組件。舉例來說，第一部份771及第二部份772可各以鐵磁材料製成，舉例為鐵磁鋼。第一部份771可包括第一凹槽773及第二凹槽774。在操作中，沈積源組件730之磁性單元舉例為繪示於第10B圖中之第一主動磁性單元741，可至少部份地配置於第一凹槽773中。在操作中，沈積源組件之另一個磁性單元舉例為其他主動磁性單元743，可至少部份地配置於第二凹槽774中。導引結構770之第一部份771可在垂直於源輸送方向之剖面中具有E形輪廓，源輸送方向舉例為x方向。實質上沿著第一部份771之長度的E形輪廓可定義第一凹槽773及第二凹槽774。類似地，第二部份772可包括第三凹槽775及第四凹槽776。在操作中，沈積源組件730之磁性單元舉例為繪示於第10B圖中所示之第二主動磁性單元742，可至少部份地配置於第三凹槽775中，及第一被動磁性單元745可至少部份地配置於第四凹槽776中。第一被動磁性單元745可與設置於導引結構770之其他被動磁性單元746相互作用。第二部份772可在垂直於源輸送方向之剖面中具有E形輪廓。沿著第二部份772之長度的E形輪廓可定義第三凹槽775及第四凹槽776。
藉由配置沈積源組件730之磁性單元至少部份地位於導引結構770之個別凹槽中，導引結構及個別凹槽中之磁性單元之間改善之磁性相互作用係取得來提供此處所述之第一磁性懸浮力F1、第二磁性懸浮力F2、第一橫向力T1及/或第一相反橫向力O1。
範例性參照第10B圖，根據輸送設備之一些實施例，被動磁性驅動單元780可設置於導引結構。舉例來說，被動磁性驅動單元780可為數個永久磁鐵，特別是形成具有變化極定向之被動磁鐵組件之數個永久磁鐵。此些磁鐵可具有交替之極定向，以形成被動磁鐵組件。主動磁性驅動單元781可設置於源組件處或位於源組件中。源組件舉例為源支座531。當源組件係懸浮時，被動磁性驅動單元780及主動磁性驅動單元781可提供用以沿著導引結構運動之驅動，舉例為非接觸式驅動。
第10C圖繪示根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例之源支座531之示意圖。源支座531舉例為源匣。所示之下述單元可固定於源支座531：沈積源520；第一主動磁性單元741；第二主動磁性單元742；第三主動磁性單元747；第四主動磁性單元748；第五主動磁性單元749；第六主動磁性單元750；第一被動磁性單元751；第二被動磁性單元752；或其之任何組合。第五主動磁性單元749可為參照第10A圖所述之其他主動磁性單元743。
第10C圖繪示延伸通過源支座531之如此處所述之第一平面733。第一平面733包括如此處所述之第一旋轉軸734。 如第10C圖中所示，於操作中，第一旋轉軸734可實質上平行於x方向。
在操作中，第一旋轉軸可沿著橫向方向延伸，此橫向方向舉例為實質上平行於x方向。第一主動磁性單元741、第三主動磁性單元747、第五主動磁性單元749及/或第六主動磁性單元750可配置於第一平面733之第一側上。第二主動磁性單元742、第四主動磁性單元748、第一被動磁性單元751及第二被動磁性單元752可配置於第一平面733之第二側上。
再者，第10C圖繪示延伸通過源支座531之第二平面766之示意圖。第二平面766可垂直於第一平面。在輸送設備720之操作期間，第二平面可在垂直方向中延伸。在操作期間，第一平面733可實質上平行於基板接收區域或基板。第二平面766可實質上垂直於基板接收區域。第二平面766包括沈積源組件之第二旋轉軸767。第二旋轉軸767可實質上垂直於第一旋轉軸。在操作中，第二旋轉軸767可沿著橫向方向延伸，此橫向方向舉例為實質上平行於z方向，如第10C圖中所示。
如第10C圖中範例性所示，第一主動磁性單元741、第二主動磁性單元742、第五主動磁性單元749及/或第一被動磁性單元751可配置於第二平面766之第一側上。第三主動磁性單元747、第四主動磁性單元748、第六主動磁性單元750及第二被動磁性單元752可配置於第二平面766之第二側上。
在操作中，繪示於第10C圖中之具有八個磁性單元固定於其上之源支座531可相對於導引結構配置。導引結構包括第一部份及第二部份，第一部份及第二部份具有如第10B圖中所示之定義凹槽之E形輪廓。第一主動磁性單元741及第三主動磁性單元747可至少部份地配置於第一凹槽773中。第五主動磁性單元749及第六主動磁性單元750可至少部份地配置於第二凹槽774中。第二主動磁性單元742及第四主動磁性單元748可至少部份地配置於第三凹槽775中。第一被動磁性單元751及第二被動磁性單元752可至少部份地配置於第四凹槽776中。
第一主動磁性單元、第二主動磁性單元、第三主動磁性單元及第四主動磁性單元之各者可裝配，以用於提供作用於沈積源組件上之磁性懸浮力。此四個磁性懸浮力之各者可部份地抵抗沈積源組件之重量。此四個磁性懸浮力之疊加可提供疊加之磁性懸浮力。此疊加之磁性懸浮力係完全地抵抗沈積源組件之重量，使得非接觸式懸浮可提供。
藉由控制第一主動磁性單元、第二主動磁性單元、第三主動磁性單元及第四主動磁性單元，沈積源可沿著垂直方向平移地對準。在控制器之控制之下，沈積源可沿著垂直方向位於靶材位置中。垂直方向舉例為y方向。
藉由控制第一主動磁性單元、第二主動磁性單元、第三主動磁性單元及第四主動磁性單元，特別是個別之控制第一主動磁性單元、第二主動磁性單元、第三主動磁性單元及第四主 動磁性單元，沈積源組件可繞著第一旋轉軸旋轉。類似地，藉由控制此些單元，沈積源組件可繞著第二旋轉軸旋轉。主動磁性單元之控制係提供沈積源組件用以對準沈積源之相對於第一旋轉軸之角度定向，及相對於第二旋轉軸之角度定向。因此，用以對準沈積源之兩個旋轉之自由度可提供。
第一被動磁性單元751及第二被動磁性單元752係裝配，以用於分別提供第一橫向力T1及第二橫向力T2。第五主動磁性單元749及第六主動磁性單元750係裝配，以用於分別提供第一相反橫向力O1及第二相反橫向力。在類似於參照第10A圖提供之說明中，第一相反橫向力O1及第二相反橫向力O2係抵抗第一橫向力T1及第二橫向力T2。
藉由控制第五主動磁性單元749及第六主動磁性單元750，及因而控制第一橫向力力T1及第二橫向力T2，沈積源可沿著橫向方向平移地對準。此橫向方向舉例為z方向。在控制器之控制之下，沈積源可沿著橫向方向位於靶材位置中。
藉由個別地控制第五主動磁性單元749及第六主動磁性單元750，沈積源組件可繞著第三旋轉軸768旋轉，如第10C圖中所示。第三旋轉軸768可垂直於第一旋轉軸734及/或可垂直於第二旋轉軸767。在操作中，第三旋轉軸768可沿著垂直方向延伸延。個別地控制第五主動磁性單元749及第六主動磁性單元750係提供控制沈積源組件相對於第三旋轉軸768之度角定向，用以具有角度地對準沈積源。
範例性參照第11A-11E圖，在如此處所述之處理系統中之用以非接觸式懸浮、輸送及/對準載體組件及基板之其他輸送設備820係說明。在本揭露中，「載體組件」可包括群組之一或多個元件。此群組由支撐基板之載體、沒有基板之載體、基板、或由支撐件支撐之基板所組成。特別是，載體組件係利用磁力取代機械力來支承於懸浮或浮動狀態。作為一例子來說，此處所述之其他輸送設備可不具有支撐沈積源組件之重量的機械裝置，例如是不具有機械軌道。於一些應用中，在載體組件於系統中懸浮及舉例為運動期間，載體組件及剩餘之其他輸送設備之間可沒有任何機械接觸。
根據本揭露之數個實施例，懸浮意指物體之狀態，其中物體係浮動而沒有機械接觸或支撐。再者，移動物體意指提供驅動力，驅動力舉例為不同於懸浮力之方向的力，其中物體係從一位置移動至另一個、不同之位置，舉例為不同之側向位置。舉例來說，例如是載體組件之物體可懸浮，也就是藉由抵抗重力之力懸浮，且可在懸浮時於不同於平行重力之方向的方向中移動。
根據此處所述實施例之載體組件之非接觸式懸浮、輸送及/或對準係有利的，沒有粒子在載體組件之輸送或對準期間因為沈積源組件及設備之部件之間的機械接觸產生。設備之部件例如是機械軌道。因此，特別是既然在使用非接觸式懸浮、輸送及/或對準時粒子產生係減到最少，如此處所述之處理系統係提供沈積於基板上之層之改善的純度及均勻性。
相較於用以導引載體組件之機械裝置，其他優點係此處所述之數個實施例係不受到摩擦力影響載體組件之運動之線性度及/或準確性。非接觸輸送載體組件係提供載體組件之無摩擦運動，其中載體組件相對於遮罩之對準可以高準確性之方式控制且維持。再者，懸浮係提供載體組件速度之快速加速或減速及/或載體組件速度之精細調整。
再者，機械軌道之材料一般可因腔室之排氣、可因溫度、使用、磨損或類似者而面臨變形。此種變形係影響載體組件之位置，且因而影響已沈積之層之品質。相較之下，此處所述之其他輸送設備820之數個實施例係提供舉例為存在此處所述之導引結構中之潛在變形之補償。有鑑於以非接觸式方式懸浮及輸送載體組件，載體組件之非接觸式對準可提供。因此，基板相對於遮罩之改善及/或更有效率之對準可提供。
特別是，其他輸送設備820係裝配，以用於沿著垂直方向，及/或沿著一或多個橫向方向非接觸式平移載體組件。垂直方向舉例為y方向。此一或多個橫向方向舉例為x方向。再者，其他輸送設備可裝配，以用於相對於至少一旋轉軸非接觸式旋轉載體組件來舉例為相對於遮罩角度地對準載體組件。載體組件相對於旋轉軸之旋轉可提供於從0.003度至3度之範圍中的角度。此外，其他傳送設備820可裝配，以用於載體組件相對於至少一旋轉軸之額外機械旋轉來舉例為相對於遮罩角度地對準載體組件。額 外機械旋轉也就是利用接觸之方式。沈積源組件相對於旋轉軸之機械旋轉可提供於0.0001度至3度之範圍的角度中。
第11A圖繪示在x-y平面中之範例之其他輸送設備820之前視圖，及第11C圖繪示如第11A圖中所示之其他輸送設備820在x-z平面中之側視圖。一般來說，其他輸送設備820可配置於處理模組中，特別是配置於真空處理腔室中。此外，其他傳送設備可亦設置於處理系統之至少一個其他模組中，舉例為傳送模組415及/或路徑規劃模組410及/或服務模組，及/或遮罩載體匣320及/或遮罩載體裝載器310及/或第一緩衝腔室151及/或第二緩衝腔室及/或第一真空擺動模組131及/或其他真空擺動模組132中。
如第11A至11E圖中範例性所示，其他輸送設備820可包括載體組件880。載體組件880可包括舉例為在如此處所述之基板載體中之將輸送之基板101。載體組件880一般包括第一被動磁性元件851。如第11A圖中範例性繪示，其他輸送設備可包括其他導引結構870。其他導引結構870於載體組件輸送方向中延伸。導引結構包括數個主動磁性元件875。載體組件880係裝配，以沿著其他導引結構770為可移動的，如第11A圖中之水平箭頭範例性所示。其他導引結構870之第一被動磁性元件851及此些主動磁性元件875係裝配，以用於提供第一磁性懸浮力來懸浮載體組件880。
再者，如第11A圖中範例性所示，其他輸送設備可包括驅動結構890。驅動結構可包括數個其他主動磁性元件895。載體組件可包括第二被動磁性元件852，舉例為鐵磁材料之棒，以與驅動結構890之其他主動磁性元件895相互作用。一般來說，此些主動磁性元件875之主動磁性元件係提供磁力，與載體組件880之第一被動磁性元件851相互作用。舉例來說，第一被動磁性元件851可為鐵磁材料之棒或桿，可為載體組件880之一部份。或者，第一被動磁性元件可與基板支撐件一體成型。再者，如第11A及11B圖中範例性所示，載體組件880一般包括第二被動磁性元件852，舉例為鐵磁材料之其他棒或其他桿，可連接於載體組件880或與基板支撐件一體成型。
根據此處所述之數個實施例，此些主動磁性元件875係提供於第一被動磁性元件851及載體組件880之磁力。因此，此些主動磁性元件875懸浮載體組件880。一般來說，其他主動磁性元件895係裝配，以在處理系統中沿著基板輸送方向驅動載體，舉例為沿著第11A及11B圖中所示之X方向，也就是沿著第一方向。因此，此些其他主動磁性元件895係形成驅動結構，用以在藉由此些主動磁性元件875懸浮時移動載體組件880。其他主動磁性元件895係與第二被動磁性元件852相互作用，以提供沿著基板輸送方向之力。舉例來說，第二被動磁性元件852可包括數個永久磁鐵，以交互極性之方式配置。第二被動磁性元件852之生成的磁場可與 此些其他主動磁性元件895相互作用，以在懸浮時移動載體組件880。
為了利用此些其他主動磁性元件895懸浮載體組件880及/或利用此些其他主動磁性元件895移動載體組件880，主動磁性元件可控制，以提供可調整之磁場。可調整之磁場可為靜態或動態磁場。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，主動磁性元件係裝配以用於產生磁場，用以沿著垂直方向提供磁性懸浮力。根據可與此處所述進一步實施例結合之其他實施例，主動磁性元件可裝配，以用於提供沿著橫向方向延伸之磁力。如此處所述之主動磁性元件可為或包括選自群組之元件，群組係由電磁裝置；螺線管；線圈；超導磁鐵；或其之任何組合所組成。
第11A及11B圖繪示根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例之其他輸送設備820之操作狀態之側視圖。所示之其他導引結構870可沿著載體組件之輸送方向延伸，也就是沿著第11A及11B圖中之X方向延伸。載體組件之輸送方向係為如此處所述之橫向方向。其他導引結構870可具有線性形狀，沿著輸送方向延伸。沿著源輸送方向之其他導引結構870之長度可為從1至30m。基板101可實質上平行於圖面配置，舉例為具有+15°之偏差。在基板處理期間，基板可設置於基板接收區域中。基板處理舉例為層沈積製程。基板接收區域具有數個尺寸，舉例為長度及寬度。此些尺寸係相同或略微地(舉例為5-20%)大於基板之對應尺寸。
在其他輸送設備820之操作期間，載體組件880可在輸送方向中沿著其他導引結構870為可平移的。輸送方向舉例為x方向。第11A及11B圖繪示載體組件880沿著x方向在相對於其他導引結構870不同位置之示意圖。水平箭頭表示驅動結構890之驅動力。如此一來，沿著其他導引結構870之從左至右之載體組件880之平移係提供。垂直箭頭表示作用於載體組件上之懸浮力。
第一被動磁性元件851在輸送方向中實質上沿著第一被動磁性元件851之長度可具有磁性性質。由主動磁性元件875’產生之磁場係與第一被動磁性元件851之磁性性質相互作用，以提供第一磁性懸浮力及第二磁性懸浮力。因此，非接觸式懸浮、輸送及對準載體組件880可提供。
如第11A圖中所示，載體組件880係提供於第一位置。根據本揭露之數個實施例，二或多個主動磁性元件875’舉例為二或三個主動磁性元件875’，係由載體控制器840啟動，以產生磁場來懸浮載體組件880。根據本揭露之數個實施例，載體組件懸吊於其他導引結構870之下方而沒有機械接觸。
在第11A圖中，兩個主動磁性元件875’係提供磁力，磁力係由垂直箭頭表示。磁力係抵抗重力，以懸浮載體組件。載體控制器840可個別地控制此兩個主動磁性元件875’，以維持載體組件於懸浮狀態中。再者，一或多個其他主動磁性元件895’可藉由載體控制器840控制。其他主動磁性元件係與第二被動磁性元件852相互作用，以產生由水平箭頭所示之驅動力。第二被動磁 性元件852舉例為一組交替之永久磁鐵。驅動力係沿著輸送方向移動基板，舉例為移動由載體組件支撐之基板。如第11A圖中所示，輸送方向可為X方向。根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露之一些實施例，同時控制以提供驅動力之其他主動磁性元件895’之數量係1至3個。載體組件之運動係沿著輸送方向移動基板，輸送方向舉例為X方向。因此，在第一位置處，基板係位於第一群組之主動磁性元件之下方，且在其他、不同位置處，基板係位於其他、不同群組之主動磁性元件之下方。控制器係控制哪個主動磁性元件提供個別位置之懸浮力且控制個別之主動磁性元件來懸浮載體組件。舉例來說，懸浮力可在基板正在移動時由接續之主動磁性元件提供。根據此處所述之數個實施例，載體組件係從一組之主動磁性元件交到另一組主動磁性元件。
第11B圖繪示載體組件位於第二位置中之意圖。第二位置舉例為處理位置。基板係在處理模組中於處理位置進行處理。在處理位置中，載體組件可移動至需要之位置。基板係利用本揭露中所述之非接觸式輸送系統相對於遮罩對準。
在第二位置中，如第11B圖中所範例性繪示，兩個主動磁性元件875’係提供第一磁力及第二磁力。第一磁力係由左垂直箭頭所示，第二磁力係由右垂直箭頭所示。載體控制器840控制此兩個主動磁性元件875’，以提供在垂直方向中之對準。垂直方向舉例為第11B圖中之Y方向。再者，載體控制器840額外地或選擇地控制此兩個主動磁性元件875’，以提供對準，其中載體 組件係在X-Y平面中旋轉。藉由比較虛線之載體組件之位置及以實線畫出之載體組件880之位置，兩個對準運動可範例性見於第11B圖中。
控制器可裝配，以用於控制主動磁性元件875’來在垂直方向中平移地對準載體組件。藉由控制主動磁性元件，載體組件880可定位至靶材垂直位置中。在載體控制器840之控制之下，載體組件880可維持在靶材垂直位置中。因此，控制器可裝配，以用於控制主動磁性元件875’來相對於第一旋轉軸具有角度地對準沈積源。第一旋轉軸舉例為垂直於主基板表面之旋轉軸，舉例為在本揭露中於Z方向中延伸之旋轉軸。
根據其他輸送設備之數個實施例，在垂直方向(Y方向)中之載體組件之對準，特別是載體組件之非接觸式對準可提供而具有0.1mm至3mm之對準範圍。再者，在垂直方向中之對準準確性，特別是非接觸式對準準確性可為50μm或以下，舉例為1μm至10μm，例如是5μm。根據本揭露之數個實施例，旋轉對準準確性，特別是非接觸式對準準確性可為3°或以下。
根據其他輸送設備之實施例，一或多個其他主動磁性元件895’可提供驅動力，此驅動力由第11B圖中之水平雙箭頭表示。控制器係控制此一或多個其他主動磁性元件895’，以在輸送方向中提供對準。輸送方向舉例為第11A及11B圖中之X方向。根據本揭露之數個實施例，載體組件在輸送方向(X方向)中之對準可提供而具有沿著導引結構之長度延伸之對準範圍。再者，在輸 送方向中之對準準確性，特別是非接觸式對準準確性可為50μm或以下，舉例為5μm或30μm。
因此，其他輸送設備之數個實施例係提供懸浮之載體組件運動，而在輸送方向及/或垂直方向中提供基板定位高準確性。再者，根據此處所述數個實施例之載體組件之定位準確性係提供由載體組件之載體支撐之基板相對於遮罩之改善的對準。對準可改善以提供一些遮罩裝配所需之準確性，或可改善以提供一些其他遮罩裝配之分離對準系統減少之複雜性。
第11D及11E圖繪示其他輸送設備820之一些選擇裝配可能性，以提供垂直之基板定向，其中具有15°或較小之絕對值之一些偏移可提供。如第11D及11E圖中所範例性繪示，基板支撐件102支撐之基板101可略微地傾斜，以面向下。因此，在處理基板期間，貼附於基板表面之粒子可減少。藉由提供沿著其他導引結構870之長度分佈之額外主動磁性元件876或數個額外主動磁性元件，繪示於第11D圖中之載體組件係傾斜，也就是具有從垂直定向之微小偏移，其中第二被動磁性元件852係由其他主動磁性元件吸引。因此，載體組件係提供於懸浮狀態中，其中載體組件之下端係藉由其他主動磁性元件側向地拉動。用以側向地拉動載體組件之下端之其他元件可亦提供，而沒有機械接觸。
根據再其他實施例，從垂直定向之偏移可亦藉由被動磁性元件提供。被動磁性元件舉例為永久磁鐵。舉例來說，載體組件可具有永久磁鐵。永久磁鐵係提供作為第二被動磁性元件 852，或除了作為第二被動磁性元件852之外，舉例為相鄰於第二被動磁性元件852。其他永久磁鐵可設置於永久磁鐵之下方。其他永久磁鐵及永久磁鐵可設置有相反之極性，以彼此吸引。藉由吸引力，載體組件可從垂直定向偏移。再者，吸引力可沿著輸送方向提供導引。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，再其他對之永久磁鐵可設置，以於載體之上側提供導引力。因此，第二對之永久磁鐵之一個永久磁鐵可設置於載體組件之上區域中，及第二對之永久磁鐵之對應永久磁鐵可相鄰地設置於導引結構之區域中。藉由第二對之永久磁鐵之間的吸引力，可提供沿著輸送方向之導引。
第11E圖繪示其他輸送設備820之其他選擇裝配可能性之示意圖。特別是，為了提供為傾斜之基板101之基板定向，也就是從垂直定向之略微偏差(舉例為15°或以下之絕對值)，基板支撐件102係塑形，以在載體組件係垂直時提供基板傾斜。
根據其他輸送設備之數個實施例，載體組件880可包括一或多個支承裝置(未繪示)，裝配以用於在基板支撐件102支承基板101。此一或多個支承裝置可包括機械、靜電、電動(凡得瓦(van der Waals))、電磁及/或磁性裝置之至少一者，例如是機械及/或磁性夾持件。
於一些應用中，載體組件包括或為靜電吸座(electrostatic chuck，E-chuck)。靜電吸座可具有支撐表面，舉例為第11A至11E圖中所示之基板支撐件102，以支撐基板101於 其上。於一實施例中，靜電吸座包括介電主體，具有電極嵌入於其中。介電主體可由介電材料製造，較佳地由高熱傳導係數介電材料製造，例如是熱解氮化硼(pyrolytic boron nitride)、氮化鋁、氮化矽、氧化鋁或等效材料。電極可耦接於電源。電源係提供電力至電極，以控制夾持力。夾持力係為靜電力，作用於基板上，以固定基板於支撐件之支撐表面上。
於一些應用中，載體組件880包括或為電動夾持件(electrodynamic chuck)或壁虎吸座(Gecko chuck，G-chuck)。壁虎吸座可具有支撐表面，用以支撐基板於其上。夾持力可為電動力，作用於基板上來固定基板於支撐表面上。
範例性參照第4A至4E圖之說明，遮罩330可設置於沈積源520及基板101之間，基板101可由載體組件880支撐。舉例來說，遮罩可為如第12A圖中所示之邊緣排除遮罩，或可為如第12B圖中所示之陰影遮罩，用以沈積圖案於基板上。一般來說，遮罩可由遮罩載體支撐。
如第12A圖中所範例性繪示，邊緣排除遮罩一般係裝配，以藉由提遮罩邊緣332來覆蓋基板101之邊緣。舉例來說，基板101之此部份之寬度333可為10mm或以下，舉例為5mm或以下。開孔區域334或開孔係藉由遮罩邊緣332提供，也就是由遮罩邊緣332圍繞。分隔牆可選擇地設置於邊緣排除遮罩之中間，以存有由對應之邊緣圍繞之二或多個開孔。然而，開孔係不裝配來定義圖案特徵。開孔係裝配，以定義基板之面積。舉例來說，繪 示於第12A圖中之開孔之開孔區域334可至少80%之基板之面積。對於具有二或多個開孔之數個實施例來說，各開孔具有至少0.1%之基板面積的面積。
再者，於第12A圖中，具有基板101支撐於其上之載體組件880係以虛線繪示。此外，將理解的是，藉由應用如此處所述之其他輸送設備820，載體組件880及基板101可相對於遮罩330對準。
第12B圖繪示包括數個小開孔341之陰影遮罩340之示意圖。舉例來說，小開孔之面積可為0.01%或以下之基板面積，小開孔之面積也就是將產生之圖案之一特徵之面積。第12B圖繪示具有基板101支撐於其上之載體組件880之示意圖。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露之一些實施例，基板及遮罩相對於彼此之預對準可藉由其他輸送設備820提供。其他輸送設備820係裝配以用於懸浮基板，而無需機械接觸。舉例來說，預對準可具有50μm或以下之準確性。此種預對準之準確性係允許利用其他對準致動器來處理最終對準。其他對準致動器舉例為壓電致動器，例如是壓電對準致動器。
特別是，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，可提供如參照第4A圖簡短說明之對準系統550。範例性參照第12B及12C圖，對準系統550一般包括二或多個對準致動器350，舉例為四個對準致動器，如第12B圖中範例性所示。根據預對準係舉例為利用如上所述之其他輸送設備執行之一些實施 例，相較於會利用而沒有上述之預對準之準確性的常見對準致動器，對準致動器可具有減少之複雜性。舉例來說，針對預對準此處所述之其他輸送設備可包括軌道。軌道係裝配，以停止載體而對準在處理模組之內側的預設定位置中。舉例來說，遮罩載體可移動至處理模組之內側的預設定位置中及對準系統550可接著處理所需位置之精細調整。之後，鎖定螺栓可向前移動以支承遮罩載體。鎖定螺栓舉例為四個鎖定螺栓，且遮罩載體之各角落上係有一個鎖定螺栓。在遮罩載體係定位之後，基板載體可移動至處理模組之內側的預設定位置中。接著，基板載體可舉例為藉由對準系統對準。當基板載體及遮罩載體係位於正確之位置中時，鎖定螺栓可應用來支承基板載體及遮罩載體於正確之位置。
再者，根據可與此處所述任何其他實施例結合之一些實施例，一或多個相機可裝設於處理模組之內側。此一或多個相機係裝配及配置，使得遮罩相對於基板之對準可檢查，舉例為藉由監視設置於遮罩載體及/或遮罩及/或基板載體及/或基板上之位置檢查記號來檢查。舉例來說，檢查記號可為黑點或孔洞。
根據一些實施例中，對準系統550可裝配，以從真空處理腔室之外側工作，也就是從大氣側，如第4A圖中範例性所示。一般來說，對準系統包括支承配置，支承配置具有二或多個對準致動器。此二或多個對準致動器係於遮罩載體及基板載體之間提供短連接路徑。特別是，支承配置900包括二或多個對準致動 器350，可連接於基板載體910及遮罩載體335之至少一者，其中支承配置900係裝配以支撐基板載體910。
如第12C圖中範例性所示，根據一些實施例，此二或多個對準致動器350之第一對準致動器350A可裝配，以至少在第一方向y中相對於載體組件880及遮罩載體335彼此進行移動。此外，此二或多個對準致動器之第二對準致動器350B可提供。第二對準致動器350B可裝配，以至少在第一方向y及第二方向x中相對於彼此移動載體組件880及遮罩載體335。第二方向x不同於第一方向y。根據一些應用，第一對準致動器350A係相對於第二方向x浮動。名稱「浮動」可理解為第一對準致動器350A允許基板載體910於第二方向x中之移動，基板載體910於第二方向x中之移動舉例為由第二對準致動器350B驅動。
一般來說，支承配置可更包括第三對準致動器350C及第四對準致動器350D之至少一者。因此，二或多個對準致動器係裝配以在第一平面中或平行於第一平面(舉例為在x方向及y方向中)移動或對準載體組件或基板載體910或遮罩載體335，及可裝配以於第一平面中或平行於第一平面調整或改變基板載體910或遮罩載體335之角位置。因此，基板101可相對於遮罩330對準，及已沈積之層之品質可改善。
雖然未明確地繪示於第12C圖中，將理解的是，如參照第12A及12B圖所範例性繪示之遮罩330一般可貼附於遮罩載體335。如參照第12B及12C圖中所範例性繪示，支承配置900 一般係裝配，以用於在實質上垂直定向中支撐基板載體910及遮罩載體335之至少一者。
再者，將理解的是，此二或多個對準致動器可連接於載體組件及遮罩載體335之至少一元件。作為一例子來說，此二或多個對準致動器可連接於基板載體910，其中此二或多個對準致動器係裝配以相對於遮罩載體335移動基板載體910，其中遮罩載體335可位於固定或靜止位置。於其他例子中，此二或多個對準致動器係連接於遮罩載體335，其中此二或多個對準致動器係裝配以相對於基板載體910移動遮罩載體335，其中基板載體910可位在固定或靜止位置。
於一些應用中，此二或多個對準致動器之至少一對準致動器係裝配，以在第三方向z中相對於基板101及遮罩載體335彼此進行移動，特別是其中第三方向係實質上垂直於第一平面及/或基板表面103。作為一例子來說，第一對準致動器350A及第二對準致動器350B可裝配，以在第三方向z中移動基板載體910或遮罩載體335。於一些應用中，藉由於第三方向z中移動載體組件或基板載體910或遮罩載體335，基板101及遮罩330之間的距離可調整。作為一例子來說，基板101、或基板載體910、及遮罩330之間的距離可調整，以在基板表面103之一區域中為實質上固定。基板表面103係裝配以用於層沈積於其上。根據一些實施例，此距離可為少於1mm，特別是少於500微米，及更特別是少於50微米。
如第12C圖中範例性所示，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，第一對準致動器350A及第二對準致動器350B係設置於基板載體之第一邊緣部份921，及第三對準致動器350C及第四對準致動器350D係設置於基板載體之第二邊緣部份922。特別是，第一對準致動器350A、第二對準致動器350B、第三對準致動器350C及第四對準致動器350D可設置於基板載體910之角落或角落區域中，舉例為第一邊緣部份921及第二邊緣部份922之角落及角落區域中。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此二或多個對準致動器可為電力或氣壓致動器。此二或多個對準致動器可舉例為線性對準致動器。於一些應用中，此二或多個致動器可包括至少一致動器，選自由步進致動器、無刷致動器、直流(direct current，DC)致動器、音圈致動器、及壓電致動器所組成之群組。名稱「致動器」可意指馬達，舉例為步進馬達。此二或多個對準致動器可裝配，以移動或定位載體組件或基板載體及對應之基板而具有少於約正/負1微米之準確性。作為一例子來說，此二或多個對準致動器可裝配，以在第一方向y、第二方向x、及第三方向z之至少一者中移動或定位基板載體而具有約正/負0.5微米之準確性，及特別是約0.1微米之準確性。於一些應用中，在第一方向、第二方向及第三方向之至少一者中移動基板可藉由同時地或相繼地驅動此二或多個對準致動器執行。
因此，如此處所述之處理系統之數個實施例係有利於裝配以用於製造大面積顯示裝置，舉例為OLED裝置，具有高或甚至超高解析度。
簡要地總結，如此處所述之處理系統之數個實施例係特別是裝配以用於沈積一或多層於載體支撐之基板上，特別是沈積包括有基材料於其中之數層於載體支撐之基板上。處理系統一般包括裝載腔室110，用以裝載將處理之基板；路徑規劃模組410，裝配以用於輸送載體支撐之基板；第一真空擺動模組131，設置於裝載腔室110及路徑規劃模組410之間；以及處理模組510，包括沈積源520，用以於處理模組之真空處理腔室540中沈積材料，其中處理模組係連接於路徑規劃模組。處理系統可更包括服務模組610，連接於處理模組，其中服務模組610係裝配，使得沈積源520可從真空處理腔室540傳送至服務模組610，且從服務模組傳送至真空處理腔室。再者，處理系統包括卸載腔室116，用以卸載已處理之基板。如此處所述之處理系統一般包括：其他路徑規劃模組412，裝配以用於輸送載體支撐之基板；遮罩載體匣320，連接於其他路徑規劃模組412，其中遮罩載體匣320係裝配以用於存儲及輸送在處理系統之操作期間應用之遮罩；其他真空擺動模組132，設置於卸載腔室116及其他路徑規劃模組412之間；以及輸送系統，裝配以用於在真空條件下及/或控制之惰性環境下在第一真空擺動模組131及其他真空擺動模組132之間輸送載體。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，沈積源520包括蒸發坩鍋521，其中蒸發坩鍋係裝配以蒸發材料。再者，沈積源520一般包括分佈組件530，具有一或多個出口，其中分佈組件530係流體連通於蒸發坩鍋521。如此處所述，沈積源一般包括分佈管533，具有數個噴嘴544，其中此些噴嘴之各噴 嘴係裝配，以用於導引已蒸發源材料之羽流朝向基板101。此外，沈積源可包括塑形遮蔽裝置517，包括數個孔545，其中此些孔545之至少一孔係裝配，以個別地塑形從單一相關之噴嘴射出之已蒸發源材料之羽流318。
再者，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，處理系統包括輸送設備720，用以非接觸式輸送沈積源520。一般來說，輸送設備720包括沈積源組件730。沈積源組件730包括沈積源520、第一主動磁性單元741、及導引結構770。導引結構770係於沈積源輸送方向中延伸。第一主動磁性單元及導引結構係裝配，以用於提供第一磁性懸浮力F1來懸浮沈積源組件。此外，用以非接觸式懸浮、輸送及/或對準載體組件之其他輸送設備820可提供，其他輸送設備包括：其他導引結構870，具有數個主動磁性元件875，其中其他導引結構係裝配以懸浮載體；以及驅動結構890，具有數個其他主動磁性元件895，其中驅動結構890係裝配，以沿著輸送方向驅動載體組件而沒有機械接觸。再者，如此處所述，裝配以相對於載體組件880及遮罩載體335彼此進行移動之二或多個對準致動器350可設置於處理系統中。
第13B圖繪示用以操作處理系統之方法1300之方塊圖，特別是用以操作根據此處所述實施例之處理系統之方法1300之方塊圖，用以沈積一或多層於載體支撐之基板上，特別是用以沈積包括有機材料於其中之數層於載體支撐之基板上。用以操作處理系統之方法包括：於水平定向中裝載基板於處理系統中；於真空擺動模組中裝載基板至載體上；於真空擺動模組中旋轉具有已裝載之基板之載體成垂直定向中；在真空條件下傳送具有已裝 載之基板之載體通過處理系統及進入與離開處理模組；於其他真空擺動模組中旋轉載體為水平定向；以及在水平定向中從其他真空擺動模組中之載體卸載基板。
特別是，流程圖之第一個方塊1310係表示基板於水平定向中裝載至如此處所述之處理系統中。流程圖之第二個方塊1320係表示基板在水平定向中裝載於載體上。流程圖之第三個方塊1330表示基板藉由從水平定向旋轉載體至垂直定向中來進行旋轉，特別是藉由使用如此處所術之真空擺動模組。流程圖之第四個方塊1340係表示基板藉由在垂直定向中傳送具有基板之載體來傳送通過處理系統，通過處理系統舉例為通過如此處所述之一或多個處理模組。特別是，傳送載體通過處理系統可包括應用如此處所述之輸送系統，輸送系統可設置於如此處所述之處理系統之一些或全部模組及腔室中。在處理基板之後，具有基板於其上之載體係從垂直定向旋轉至水平定向，由流程圖之第五個方塊1350表示。接著，在由流程圖之第六個方塊1360表示之步驟中，基板係於水平定向中卸載。因此，將理解的是，如此處所述之處理系統可有利地使用於沈積一或多層，特別是沈積包括有機材料之一或多層來舉例為製造OLED裝置。
進一步針對上述之實施例，將理解的是，處理系統一般包括數個驅動單元，以舉例為移動沈積源、服務凸緣、及路徑規劃模組的旋轉單元。特別是，用於沈積源之旋轉驅動器可設置於源匣之內側且可裝配以從起始位置轉動沈積源至可適用處理位置。如參照第11A至11C圖之說明，源匣一般係使用磁性懸浮系統，以在處理模組之內側向前及向後移動源。範例性參照第8A及 8B圖之說明，服務凸緣一般係裝設於服務凸緣轉子之上部上。服務凸緣轉子可包括旋轉驅動器及驅動皮帶，裝配以用於從服務位置轉動服務凸輪至處理模組且回到服務位置。再者，參照第9A及9B圖之說明，設置於路徑規劃模組中的旋轉驅動器一般係裝配，以轉動遮罩載體及/或基板載體，使得遮罩載體及/或基板載體可輸送至可適用之處理模組中。
此外，將理解的是，如此處所述之處理系統之實施例可提供有真空系統。真空系統包括選自群組之一或多個元件，此群組由前級真空幫浦；乾式真空幫浦(dry vacuum pumps)；高真空幫浦；舉例為冷凍幫浦，可在內側使用非常冷的表面，以凝結氣體及從系統移除氣體；抽氣裝置，舉例為閥，用以抽氣真空腔室；粒子濾波器(particle filters)，舉例為壓縮乾燥氣體的抽氣氣體可通過粒子濾波器進入真空腔室；及壓力測量系統所組成。壓力測量系統係裝配，以用於測量及顯示處理系統之個別模組及腔室之目前壓力，及藉由個別之模組及腔室之壓力來用以控制及監視個別之幫浦站。
再者，將了解的是，如此處所述之處理系統之實施例一般包括電性系統，裝配以提供功率至控制裝置及處理系統之用電裝置。控制裝置例如是硬即時伺服器(hard real time server，HRTS)及虛擬系統介面(virtual system interface，VSI)。用電裝置舉例為加熱器或蒸發陰極。一般來說，電性系統之裝置係配置在不同之櫃中，舉例為供應及分佈櫃，靠近可貼附於個別之模組或腔室之處理系統及控制櫃裝設。
再者，將了解的是，此處所述之處理系統之典型實施例可包括冷卻水供應器；氣壓供應器，及抽氣供應器。一般來說，處理模組及有機三聯源係供應有冷卻水。特別是，處理系統可包括主供應接線，用於經由個別之冷卻水分佈單元之冷卻水。各模組之次系統可供應有冷卻水。根據一些應用，額外之水供應箱可設置而用於處理模組。再者，氣動閥組件及流動控制器可設置於各個別之冷卻水循環中，以控制及監視冷卻水供應器。氣動供應器一般係以具有加壓之氣體來進行操作，加壓之氣體舉例為壓縮之乾燥氣體或氮氣，且氣動供應器係裝配以氣控水供應器之閥及幫浦、閘閥、及排氣設備。根據典型的應用，氣動供應器包括主供應接線。在主供應接線中，從6bar至8bar之壓力可設定於主輸入調節器。維護單元可運送加壓之氣體至設置於個別模組之個別之閥單元。閥單元包含電性操作之導閥(pilot valves)，控制加壓之氣體流經氣壓驅動的元件。
有鑑於此處所述之處理系統之實施例，將理解的是，處理系統提供穩定的蒸發率，舉例為在為期一星期或以上之約±5%或以下之穩定的蒸發率。此可特別是由改善之維護條件提供。再者，此處所述之處理系統之實施例係在不中斷真空且甚至不停止處理的情況下，讓有機材料再填充於蒸發坩鍋中。一個蒸發源之維護及/或再填充可獨立於另一個蒸發源進行。此改善所有權的成本(CoO)，因為源維護及其之再填充在許多其他OLED製造系統中係為瓶頸。也就是說，在例行維護期間及在遮罩交換期間，藉由不需排氣基板處理或沈積腔室，高系統運行時間可顯著地改善CoO。如上所述，其中一個改善之原因係此處所述之維護真空 腔室及/或與維護真空腔室相關之其他元件，其中可提供於分離之腔室中維護及預處理蒸發源。
再者，此處所述之處理系統之實施例係裝配，以用於垂直基板處理，而提供處理系統之小的佔地面積，特別是在數個處理模組係參照第1A圖之範例性說明來設置。特別是，垂直基板處理係針對目前及未來之基板尺寸世代來提供良好的穩定性。因此，如此處所述之處理系統之實施例提供塗佈數層有機材料於二或多個基板上，特別是大面積基板上。
再者，如此處所述之處理模組中的可移動及可轉動之蒸發源係提供具有高材料利用率之連續或幾乎連續塗佈。因此，藉由處理模組使用具有180°轉動機構來以交互方式塗佈兩個基板之掃描源方法，此處所述之實施例係提供高蒸發源效率(>85%)及高材料利用率(至少50%或以上)。源效率係考慮發生在蒸汽束延伸超過大面積基板之尺寸來提供將塗佈之基板之整個面積的均勻塗佈的材料損失。材料利用率額外考慮發生在蒸發源之閒置期間的損失，也就是蒸發源不可沈積已蒸發材料於基板上之時間。
再者，根據此處所述之數個實施例，蒸發源之平移運動及蒸發源之旋轉之結合係提供用於OLED顯示器製造之高蒸發源效率及高材料利用率。蒸發源舉例為線性蒸汽分佈噴頭。為了達成良好的可靠度、產量、及高遮蔽準確性，遮罩及基板一般係在基板於如此處所述之處理模組中處理期間保持靜止。因此，如此處所述之處理系統係相較於傳統處理系統減少閒置時間。在傳統處理系統中，在各沈積之後，基板需進行交換，包括遮罩及 基板相對於彼此之新的對準步驟。再者，在閒置期間，源係正在浪費材料。因此，如此處所述具有第二個基板於沈積位置中且相對於遮罩迅速地對準係減少閒置時間及增加材料利用率。
因此，有鑑於上述，相較於傳統處理系統，如此處所述之處理系統及用於其之方法係因而有所改善，特別是有關於用於製造顯示裝置於大面積基板上之高產量及低成本。顯示裝置舉例為OLED顯示裝置。綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

  1. 一種處理系統(100)，用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上，該處理系統包括：一第一真空擺動模組(131)，裝配以用於從一水平狀態旋轉一第一基板至一垂直狀態；一第一緩衝腔室(151)，連接於該第一真空擺動模組(131)；一路徑規劃模組(410)，連接於該第一緩衝腔室(151)，其中該路徑規劃模組係裝配以用於輸送該第一基板至一處理配置(1000)，該處理配置包括一沈積源(520)；一第二緩衝腔室(152)，連接於該路徑規劃模組(410)；以及一其他真空擺動模組(132)，連接於該第二緩衝腔室(152)，其中該其他真空擺動模組(132)係裝配以用於從該垂直狀態旋轉一第二基板至該水平狀態；以及其中該第一緩衝腔室(151)係裝配以用於緩衝在一第一基板輸送方向中從該第一真空擺動模組(131)接收之該第一基板，及用於緩衝在一第二基板輸送方向中從該路徑規劃模組(410)接收之一第三基板；其中該第二緩衝腔室(152)係裝配以用於緩衝在該第二基板輸送方向中從該其他真空擺動模組(132)接收之一第二基板，及用於緩衝在該第一基板輸送方向中從該路徑規劃模組(410)接收之一第四基板；以及一輸送設備(720)，用於該沈積源(520)之非接觸式輸送。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理系統，其中該第一緩衝腔室(151)包括一第一切換軌道(161)，裝配以用於橫向於該第一基板輸送方向移動該第一基板及/或該第三基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之處理系統，其中該第二緩衝腔室(152)包括一第二切換軌道(162)，裝配以用於橫向於該第二基板輸送方向移動該第二基板及/或該第四基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之處理系統，其中該路徑規劃模組(410)係裝配以旋轉從該第一緩衝腔室(151)接收之該第一基板，使得該第一基板可於一裝載方向中裝載至該處理配置(1000)中，該裝載方向不同於該第一基板輸送方向。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之處理系統，其中該裝載方向係垂直於該第一基板輸送方向。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之處理系統，其中該路徑規劃模組(410)係裝配以於一卸載方向中從該處理配置(1000)接收該第四基板，該卸載方向不同於該裝載方向。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之處理系統，其中該卸載方向係相反於該裝載方向。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之處理系統，其中該第一基板輸送方向係相反於該第二基板輸送方向。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之處理系統，其中複數個閘閥(115)係設置於該第一真空擺動模組(131)及該第一緩衝腔室(151)之間、該第一緩衝腔室(151)及該路徑規劃模組(410)之間、該路徑規劃模組(410)及該處理配置(1000)之間、該路徑規劃模組(410)及該第二緩衝腔室(152)之間、及該第二緩衝腔室(152)及該其他真空擺動模組(132)之間。
  10. 一種用以裝載及卸載一基板至一處理系統(100)之一處理配置(1000)之方法，該方法包括：於一第一基板輸送方向中從一第一真空擺動模組輸送一第一基板至一第一緩衝腔室中；於該第一緩衝腔室中緩衝該第一基板及於一第二基板輸送方向中從一路徑規劃模組接收之一第三基板；於該第一緩衝腔室中橫向於該第一基板輸送方向移動該第一基板及該第三基板；從該第一緩衝腔室輸送該第三基板至該第一真空擺動模組中；於該第一緩衝腔室中橫向地回移該第一基板；於該第一基板輸送方向中從該第一緩衝腔室輸送該第一基板至該路徑規劃模組中；於該路徑規劃模組中旋轉該第一基板，使得該第一基板可於一裝載方向中裝載至該處理配置中，該處理配置連接於該路徑規劃模組；從該路徑規劃模組裝載該第一基板至該處理配置中；從該處理配置卸載一第四基板至該路徑規劃模組中；於該路徑規劃模組中旋轉該第四基板，使得該第四基板可於該第一基板輸送方向中從該路徑規劃模組輸送至一第二緩衝腔室中，該第二緩衝腔室連接於該路徑規劃模組；於該第一基板輸送方向中輸送該第四基板至該第二緩衝腔室中；於該第二緩衝腔室中橫向於該第一基板輸送方向移動該第四基板；於該第二基板輸送方向中從一其他真空擺動模組輸送一第二基板至該第二緩衝腔室中；於該第二緩衝腔室中橫向地回移該第四基板及該第二基板；從該第二緩衝腔室輸送該第四基板至該其他真空擺動模組中；以及藉由一輸送設備(720)非接觸地輸送該沈積源(520)。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該處理系統係如申請專利範圍第1至9項之任一項所述之該處理系統。
  12. 一種處理系統(100)，用以沈積一或多層於一載體支撐之一基板上，該處理系統包括：一裝載腔室(110)，用以裝載將處理之該基板；一路徑規劃模組(410)，裝配以用於輸送該載體支撐之該基板；一第一真空擺動模組(131)，設置於該裝載腔室(110)及該路徑規劃模組(410)之間；一處理模組(510)，包括一沈積源(520)，該沈積源(520)用以於該處理模組之一真空處理腔室(540)中沈積材料，其中該處理模組係連接於該路徑規劃模組；一服務模組(610)，連接於該處理模組，其中該服務模組(610)係裝配，使得該沈積源(520)可從該真空處理腔室(540)傳送至該服務模組(610)及從該服務模組傳送至該真空處理腔室；一卸載腔室(116)，用以卸載已處理之該基板；一其他路徑規劃模組(412)，裝配以用於輸送該載體支撐之該基板；一遮罩載體匣(320)，連接於該其他路徑規劃模組(412)，其中該遮罩載體匣(320)係裝配以用於存儲及輸送在該處理系統之操作期間應用之複數個遮罩；一其他真空擺動模組(132)，設置於該卸載腔室(116)及該其他路徑規劃模組(412)之間；一輸送系統，裝配以用於在複數個真空條件下及/或一控制的惰性環境下在該第一真空擺動模組(131)及該其他真空擺動模組(132)之間輸送該載體；以及一輸送設備(720)，用於該沈積源(520)之非接觸式輸送。
  13. 如申請專利範圍第1至9項之任一項或第12項所述之處理系統(100)，其中該沈積源(520)包括：一蒸發坩鍋(521)，其中該蒸發坩鍋係裝配以蒸發該材料；以及一分佈組件(530)，具有一或多個出口，其中該分佈組件(530)係流體連通於該蒸發坩鍋(521)。
  14. 如申請專利範圍第1至9項之任一項或第12項所述之處理系統(100)，其中該輸送設備(720)包括一沈積源組件(730)，該沈積源組件包括該沈積源(520)、一第一主動磁性單元(741)、以及一導引結構(770)，該導引結構係於一沈積源輸送方向中延伸，其中該第一主動磁性單元及該導引結構係裝配以用於提供一第一磁性懸浮力(F1)來懸浮該沈積源組件。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之處理系統(100)，其中該輸送設備(720)包括一沈積源組件(730)，該沈積源組件包括該沈積源(520)、一第一主動磁性單元(741)、以及一導引結構(770)，該導引結構係於一沈積源輸送方向中延伸，其中該第一主動磁性單元及該導引結構係裝配以用於提供一第一磁性懸浮力(F1)來懸浮該沈積源組件。
  16. 如申請專利範圍第1至9項之任一項或第12項所述之處理系統(100)，更包括：一其他輸送設備(820)，用於一載體組件(880)之非接觸式懸浮、輸送及/或對準，該其他輸送設備(820)包括：一其他導引結構(870)，具有複數個主動磁性元件(875)，其中該其他導引結構係裝配以懸浮該載體；以及一驅動結構(890)，具有複數個其他主動磁性元件，其中該驅動結構(890)係裝配以沿著一輸送方向驅動該載體組件(880)而沒有機械接觸；以及二或多個對準致動器(350)，裝配以相對於該載體組件(880)及一遮罩載體(335)彼此移動。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之處理系統(100)，更包括：一其他輸送設備(820)，用以一載體組件(880)之非接觸式懸浮、輸送及/或對準，該其他輸送設備(820)包括：一其他導引結構(870)，具有複數個主動磁性元件(875)，其中該其他導引結構係裝配以懸浮該載體；以及一驅動結構(890)，具有複數個其他主動磁性元件，其中該驅動結構(890)係裝配以沿著一輸送方向驅動該載體組件(880)而沒有機械接觸；以及二或多個對準致動器(350)，裝配以相對於該載體組件(880)及一遮罩載體(335)彼此移動。
  18. 如申請專利範圍第1至9項之任一項或第12項所述之處理系統(100)，其中該沈積源(520)包括一分佈管(533)，具有複數個噴嘴(544)，其中該些噴嘴之各噴嘴係裝配以用於導引一已蒸發源材料之羽流(318)朝向該基板(101)；以及一塑形遮罩裝置(517)，包括複數個孔(545)，其中該些孔(545)之至少一孔係裝配以個別地塑形從一單一相關噴嘴射出之該已蒸發源材料之羽流(318)。
  19. 如申請專利範圍第1至9項之任一項或第12項所述之處理系統(100)，其中該沈積源(520)包括一測量出口(535)，用以提供已蒸發材料至一測量組件，該測量組件用以測量該沈積源(520)之該已蒸發材料的一沈積率，該測量組件包括一振盪晶體及一支承件，該振盪晶體用以測量該沈積率，該支承件用以支承該振盪晶體，其中該支承件包括具有一熱傳導係數k高於k=30W/(mK)之一材料。
  20. 一種操作如申請專利範圍第1至9項之任一項或第12項所述之該處理系統之方法，用以沈積該一或多層於該載體支撐之該基板上，該方法包括：於一水平定向中裝載該基板於該處理系統中；於一真空擺動模組中裝載該基板至該載體上；於該真空擺動模組中旋轉具有已裝載之該基板之該載體成一垂直定向中；在複數個真空條件下傳送具有已裝載之該基板之該載體通過該處理系統及進入與離開一處理模組；於該其他真空擺動模組中旋轉該載體為該水平定向；以及在該水平定向中從該其他真空擺動模組中之該載體卸載該基板。
TW106141046A 2016-12-14 2017-11-24 用以沈積一或多層之處理系統及用於其之方法 TWI676694B (zh)

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