CN109715846A - 沉积系统 - Google Patents

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Abstract

根据本公开内容，提供一种用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层的处理系统(100)。处理系统包括：装载锁定腔室(110)，用于装载基板；路由模块(410)，用于输送基板；第一真空摆动模块(131)；和处理模块(510)，包括沉积源，沉积源用于沉积材料；维修模块(610)；卸载锁定腔室(116)，用于卸载基板；另外的路由模块(412)；掩模载体匣(320)，经配置以用于存储和输送在处理系统的操作期间应用的掩模；另外的真空摆动模块(132)；和输送系统(710)，经配置以用于在第一真空摆动模块(131)与另外的真空摆动模块(132)之间输送载体。

Description

沉积系统
技术领域
本公开内容的实施方式涉及有机材料的沉积、一种用于沉积举例为有机材料的材料的系统、一种用于有机材料的源和用于有机材料的沉积设备。本公开内容的实施方式特别涉及用于制造装置(特别是制造在装置中包括有机材料的装置)的制造系统、用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层(特别在层中包括有机材料的层)的系统、在用于制造装置的制造系统中制造装置(特别是包括有机材料的装置)的方法和在用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层(特别是在层中包括有机材料的层)的系统中沉积一个或多个层的方法。
背景技术
有机蒸发器是用于生产有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)的工具。OLED是一种特别类型的发光二极管，在OLED中，发射层包括特定有机化合物的薄膜。使用有机发光二极管(OLED)来制造用于显示信息的电视屏幕、电脑监视器、移动电话、其他手持装置等。OLED也可用于一般空间照明。OLED显示器的可行的颜色、亮度和视角的范围大于传统液晶显示器(LCD)的可行的颜色、亮度和视角的范围，因为OLED像素直接发光。因此，OLED显示器的能耗显著地小于传统LCD显示器的能耗。再者，可将OLED制造于柔性基板上的事实产生另外的应用。典型的OLED显示器举例为可包括位于两个电极之间的有机材料层，有机材料层全部以形成矩阵显示面板的方式沉积于基板上，所述矩阵显示面板具有可单独供能的像素。OLED一般位于两个玻璃面板之间，且玻璃面板的边缘被密封，以在玻璃面板中封装OLED。或者，OLED可举例为利用例如阻挡膜的薄膜技术封装。
在这种显示装置的制造中遇到许多挑战。在一个例子中，需要大量的劳动密集步骤来在两个玻璃面板之间封装OLED，以避免装置的可能污染。在另一例子中，显示屏幕和因此的玻璃面板的不同尺寸可能需要工艺和用来形成显示装置的工艺硬件的大量重新配置(reconfiguration)。再者，为了遮蔽大面积基板来举例为用于沉积图案化层来生产大型OLED显示器，高精度是实现高分辨率显示器所必需的。
因此，对用于以低成本和高产量在大面积基板上形成装置(例如OLED显示装置)的新的并且改善的系统、设备和方法存在持续的需求。
发明内容
有鉴于上述，提供一种用于沉积一个或多个层的处理系统和一种用于装载和卸载基板至处理系统的处理布置的方法。
根据本公开内容的一个方面，提供一种用于沉积在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层(特别是在层中包括有机材料的层)的处理系统。处理系统包括：第一真空摆动模块，经配置以用于将第一基板从水平状态旋转至竖直状态；第一缓冲腔室，连接于第一真空摆动模块；路由模块，连接于第一缓冲腔室，其中路由模块经配置以用于将第一基板输送至处理布置，处理布置包括沉积源；第二缓冲腔室，连接于路由模块；和一另外的真空摆动模块，连接于第二缓冲腔室，其中另外的真空摆动模块经配置以用于将第二基板从竖直状态旋转至水平状态。第一缓冲腔室经配置以用于缓冲在第一基板输送方向中从第一真空摆动模块接收的第一基板，和用于缓冲在第二基板输送方向中从路由模块接收的第三基板。第二缓冲腔室经配置以用于缓冲在第二基板输送方向中从另外的真空摆动模块接收的第二基板，和用于缓冲在第一基板输送方向中从路由模块接收的第四基板。
根据本公开内容的另一方面，提供一种用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层(特别是在层中包括有机材料的层)的处理系统。处理系统包括：装载锁定腔室，用于装载待处理的基板；路由模块，经配置以用于输送由载体支撑的基板；第一真空摆动模块，设置于装载锁定腔室和路由模块之间；处理模块，包括沉积源，沉积源用于在处理模块的真空处理腔室中沉积材料，其中处理模块连接于路由模块；维修(service)模块，连接于处理模块，其中维修模块经配置而使得可将沉积源从真空处理腔室传送至维修模块和从维修模块传送至真空处理腔室；卸载锁定腔室，用于卸载已处理的基板；另外的路由模块，经配置以用于输送由载体支撑的基板；掩模载体匣，连接于另外的路由模块，其中掩模载体匣经配置以用于存储和输送在处理系统的操作期间应用的掩模；另外的真空摆动模块，设置于卸载锁定腔室与另外的路由模块之间；和输送系统，经配置以用于在真空条件下和/或在受控的惰性气氛下在第一真空摆动模块与另外的真空摆动模块之间输送载体。
根据本公开内容另外的方面，提供一种用于装载和卸载基板至处理系统(特别是根据本文所述实施方式的处理系统)的处理布置的方法。所述方法包括：在第一基板输送方向中将第一基板从第一真空摆动模块输送至第一缓冲腔室中；在第一缓冲腔室中缓冲第一基板和在第二基板输送方向中从路由模块接收的第三基板；在第一缓冲腔室中横向于第一基板输送方向移动第一基板和第三基板；将第三基板从第一缓冲腔室输送至第一真空摆动模块中；在第一缓冲腔室中横向地移动回第一基板；在第一基板输送方向中将第一基板从第一缓冲腔室输送至路由模块中；在路由模块中旋转第一基板，使得能在装载方向中将第一基板装载至处理布置中，处理布置连接于路由模块；将第一基板从路由模块装载至处理布置中；从处理布置卸载第四基板至路由模块中；在路由模块中旋转第四基板，使得能在第一基板输送方向中将第四基板从路由模块输送至第二缓冲腔室中，第二缓冲腔室连接于路由模块；在第一基板输送方向中将第四基板输送至第二缓冲腔室中；在第二缓冲腔室中横向于第一基板输送方向移动第四基板；在第二基板输送方向中将第二基板从另外的真空摆动模块输送至第二缓冲腔室中；在第二缓冲腔室中横向地移动回第四基板和第二基板；和将第四基板从第二缓冲腔室输送至另外的真空摆动模块中。
根据本公开内容再另外的方面，提供一种用于操作处理系统(特别是根据本文所述实施方式的处理系统)的方法，用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层(特别是在层中包括有机材料的层)。用于操作处理系统的所述方法包括：在水平定向中将基板装载于处理系统中；在真空摆动模块中将基板装载至载体上；在真空摆动模块中将具有已装载的基板的载体旋转成竖直定向；在真空条件下将具有已装载的基板的载体传送通过处理系统并且进入和离开处理模块；在另外的真空摆动模块中将载体旋转为水平定向；和在水平定向中从另外的真空摆动模块中的载体卸载基板。
附图说明
为了能详细理解本公开内容的上述特征，可参照实施方式而具有简要概述于上的本公开内容的更具体说明。值得注意的是，附图仅图示范例性实施方式且因而不视为对本公开内容的范围的限制。在附图中：
图1A示出根据本文所述实施方式的具有第一模块化布局配置的处理系统的示意图；
图1B示出根据本文所述实施方式的具有第二模块化布局配置的处理系统的一部分的示意图；
图2A至图2H示出根据本文所述实施方式的在基板装载和卸载期间具有第二模块化布局配置的处理系统的一部分的各种状态；
图3A示出根据本文所实施方式的处理系统的真空摆动模块的示意图；
图3B示出如关于图3A说明的真空摆动模块中的具有被支撑在载体中的载体的旋转的示意性图示；
图4A示出根据本文所述实施方式的处理系统的处理模块的示意图；
图4B至图4E示出根据本文所述实施方式的在处理系统中的基板处理期间具有位于不同位置的沉积源的处理模块的示意图；
图5A示出根据本文所述实施方式的应用于处理系统中的沉积源；
图5B示出根据本文所述实施方式的用于测量沉积源的沉积率的测量组件；
图6A至图6E示出根据本文所述实施方式的蒸发坩埚的各种实施方式的不同的截面图；
图7A示出根据本文所述实施方式的沉积源的分布组件的示意性截面图；
图7B和图7C示出根据本文所述实施方式的具有屏蔽装置的分布组件的不同详细示意性截面图；
图7D示出根据本文所述实施方式的屏蔽装置的示意性立体图；
图7E和图7F示出根据本文所述实施方式的分布组件的喷嘴的示意图；
图8A和图8B示出根据本文所述实施方式的处理系统的维修模块的不同示意性立体图；
图8C至图8E示出根据本文所述实施方式的处理系统的维修模块和处理模块中的两个沉积源的不同状态；
图9A示出根据本文所述实施方式的处理系统的路由模块的示意性立体图；
图9B示出根据本文所述实施方式的的两个相邻的路由模块的示意图，所述两个相邻的路由模块各具有连接于路由模块的处理模块；
图10A和图10B示出根据本文所述实施方式的用于在处理系统中输送沉积源的输送设备的示意图；
图10C示出根据本文所述实施方式的用于支撑沉积源的沉积源支撑件的示意图；
图11A至图11E示出根据本文所述实施方式的用于在处理系统中输送载体组件的另外的输送设备的各种实施方式的示意图；
图12A示出根据本文所述实施方式的应用于处理系统中的载体组件和掩模的示意图；
图12B示出根据本文所述实施方式的包括用于在处理系统中相对于掩模对准基板的对准系统的载体组件的示意图；
图12C示出根据本文所述实施方式的包括用于在处理系统中相对于掩模对准基板的对准系统的载体组件的示意性立体图；
图13A示出用于图示根据本文所述实施方式的用于将基板装载和卸载至处理系统的处理布置的方法的方框图；和
图13B示出用于图示根据本文所述实施方式的用于操作处理系统的方法的方框图。
具体实施方式
现将详细参照本公开内容的各种实施方式，在附图中图示本公开内容的各种实施方式的一个或多个例子。在下方对附图的说明中，相同参考数字表示相同部件。在下文中，仅说明关于个别实施方式的相异处。各例子是以解释本公开内容的方式提供而不意味为本公开内容的限制。再者，所图示或说明为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以取得再另外的实施方式。本说明书意欲包括这样的调整和变化。
本文所述的实施方式特别涉及有机材料的沉积，举例为用于OLED显示器制造和大面积基板上的有机材料的沉积。根据一些实施方式，大面积基板或支撑一个或多个基板的载体(即，大面积载体)可具有至少0.174m2的尺寸。一般来说，载体的尺寸可为约1.4m2至约8m2，更典型地约2m2至约9m2或甚至大至12m2。一般来说，在矩形区域中支撑基板，所述矩形区域是具有用于如本文所述的大面积基板的尺寸的载体，提供根据本文所述实施方式的保持布置、设备和方法而用于所述基板。举例来说，会对应于单个大面积基板的面积的大面积载体可以是第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m×1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m×2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m×2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。能够类似地实现甚至例如是第11代和第12代的更高代和对应的基板面积。
根据可与本文所述其他实施方式结合的典型实施方式，基板厚度可为从0.1mm至1.8mm，并且保持布置(特别是保持装置)可适用于这样的基板厚度。然而，基板厚度可特别是约0.9mm或更小，例如是0.5mm或0.3mm，并且保持布置(特别是保持装置)适用于这样的基板厚度。
如本文所使用的术语“基板”可特别地包含大体上非柔性基板，举例为晶片、例如是蓝宝石或类似物的透明水晶的片或玻璃板。然而，本公开内容不限于此，并且术语“基板”也可包含柔性基板，例如是卷材(web)或箔。术语“大体上非柔性”理解为与“柔性”有所区别。特别地，大体上非柔性基板可具有某种程度的柔性，举例为具有0.5mm或更小的厚度的玻璃板，其中大体上非柔性基板的柔性相较于柔性基板是小的。
根据本文所述的实施方式，基板可由适合用于材料沉积的任何材料制成。举例来说，基板可由选自群组的材料制成，此群组由玻璃(举例为钠钙玻璃(soda-lime glass)、硼硅酸盐玻璃(borosilicate glass)等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料或可通过沉积工艺涂布的任何其他材料或材料的组合而组成。
图1A示出用于制造装置的处理系统100，特别是用于制造在装置中包括有机材料的装置。举例来说，装置可以是电子装置或半导体装置，例如是光电装置并且特别是显示器。特别地，本文所述的处理系统经配置以用于在在基板上沉积层期间改善载体转运(handling)和/或掩模转运。这些改善可有利地使用于OLED装置制造。然而，在由本文所述的各种系统模块(也称为腔室)的布置的概念提供的载体转运和/或掩模转运中的改善也可使用于其他基板处理系统，举例为包括蒸发源、特别是旋转溅射靶材的溅射源、化学气相沉积(CVD)沉积源(例如是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积源)或上述的组合的基板处理系统。涉及制造系统(特别是用于处理大面积基板的制造系统)的本公开内容的实施方式关于OLED制造系统而说明，因为这些OLED制造系统可特别地从本文所述的概念受益。
更特别地，如本文所述的处理系统100经配置以用于执行蒸发沉积方法。蒸发沉积方法基于涂布材料在真空受控的环境中蒸发且凝结于冷的表面上的原理。为了实现足够的蒸发而不达到蒸发材料的沸点，在真空环境中执行蒸发工艺。蒸发沉积的原理一般包括三个阶段：第一阶段是蒸发阶段，待蒸发的材料在蒸发阶段中于坩埚中被加热至操作温度。将操作温度设定为产生足够的蒸汽压来使材料从坩埚移动至基板。第二阶段是输送阶段，蒸汽在输送阶段中从坩埚移动通过举例为具有喷嘴的蒸汽分布管而至基板上，以提供均匀的蒸汽层于基板上。第三阶段是凝结阶段，基板的表面在凝结阶段中具有低于已蒸发材料的温度而允许汽化的材料粘附于基板。
范例性参照图1A，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，处理系统可包括真空摆动模块130；基板载体模块220；路由模块410；处理模块510；维修模块610；掩模载体装载器310；掩模载体匣320；和输送系统710。一般来说，基板载体装载器210(待使用的基板载体存储在基板载体装载器210中)连接于基板载体模块220。类似地，掩模载体匣320经配置以储存掩模，掩模欲在基板的处理期间使用。根据一些实施方式，处理系统的路由模块可直接彼此连接，如图1A中所范例性图示。或者，处理系统的相邻的路由模块可经由传送模块415连接，如图1B中所范例性图示。也就是说，包括真空传送腔室的传送模块415一般可安装于相邻的路由模块之间。因此，传送模块一般经配置以在真空传送腔室中提供真空条件。再者，如图1B中示意性所示，输送系统710(特别是参照图11A至图11D更详细说明的用于非接触式悬浮和输送载体组件的输送设备)可设置于传送模块415中。再者，传送模块415可包括用于低温泵(cryo-pump)的栅阀、用于低温泵的连接凸缘和用于连接路由模块的连接凸缘(在本文中也称为传送凸缘)。一般来说，传送凸缘包括框架和密封表面，所述密封表面适用于向要连接的处理模块提供真空紧密连接。根据一些实施方式，传送模块415可包括进出门，经配置以用于进出传送模块的内部来举例为用于维护服务。
范例性参照图1A和图1B，本文所述的处理系统可使用于显示装置的生产，特别是OLED的生产。根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，处理系统100使得可在真空条件下执行基板的处理。基板被装载于真空摆动模块130中，特别是第一真空摆动模块131中。掩模载体和基板载体装载器储存可在处理系统中使用的所有的载体(举例分别为掩模载体和基板载体)。路由模块410送出掩模载体和基板载体于可适用的处理模块中。在处理之后，基板可通过另外的真空摆动模块132从处理系统卸载。或者，基板可通过相同的真空摆动模块装载至处理系统和从处理系统卸载，所述相同的真空摆动模块举例为第一真空摆动模块131。因此，基板(特别是具有基板的基板载体)可在环状轨道上输送，以使基板返回来卸载至相同的真空摆动模块，所述相同的真空摆动模块已经使用于将基板装载至处理系统。
更特别地，范例性参照图1A，根据一些实施方式，处理系统100可包括装载锁定腔室110，装载锁定腔室110连接于第一基板转运腔室121。基板可从第一基板转运腔室121传送至第一真空摆动模块131，其中基板在水平位置中被装载于载体上。在将基板在水平位置中装载于载体上之后，第一真空摆动模块131旋转将载体(所述载体具有设置于所述载体上的基板)为竖直或基本上竖直定向。载体(所述载体具有设置于所述载体上的基板)接着传送通过第一路由模块411和另外的路由模块412，用于将竖直定向的基板传送至处理模块510。举例来说，在图1A中示出六个路由模块和十个处理模块。
范例性参照图1A，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，可提供第一预处理腔室111和第二预处理腔室112。再者，机械手(未示出)或另一转运系统可设置于基板转运腔室120中。机械手或此另一转运系统可将基板从装载锁定腔室110装载于基板转运腔室120中并且传送基板至一个或多个预处理腔室中。举例来说，预处理腔室可包括预处理工具，预处理工具选自由基板的等离子体预处理、基板的清洁、基板的紫外线(UV)和/或臭氧处理、基板的离子源处理、基板的射频(RF)或微波等离子体处理和以上项的组合组成的群组。在基板的预处理之后，机械手或另一转运系统可经由基板转运腔室将基板传送出预处理腔室而至真空摆动模块130中。
为了允许在大气条件下使装载锁定腔室110通风(vent)来装载基板和/或于基板转运腔室120中转运基板，可在基板转运腔室120与真空摆动模块130之间提供至少一个栅阀。因此，可在栅阀115打开并且基板被传送至第一真空摆动模块131中之前抽空基板转运腔室120，和(如果需要的话)装载锁定腔室110、第一预处理腔室111和第二预处理腔室112中的一个或多个。因此，在基板被装载至第一真空摆动模块131中之前，可在大气条件下进行基板的装载、处置和处理。
根据实施方式，处理模块510一般可连接于路由模块410。举例来说，如图1A中范例性所示，十个处理模块可设置而各连接于路由模块中的一个。特别地，处理模块510可举例为经由栅阀115连接于路由模块410。如本文所述的栅阀115也可称为锁阀(lock valve)。根据本文所述的实施方式，可使用栅阀或锁阀以使个别的处理系统模块(也称为处理系统腔室)彼此分离。因此，本文所述的处理系统经配置而使得可分别且独立于彼此控制和改变个别的处理系统腔室中的真空压力。
根据一些实施方式，处理系统可进一步包括层检查腔室(未示出)。举例来说，层检查工具(例如是电子和/或离子层检查工具)可设置于层检查腔室中。举例来说，在处理系统中提供一个或多个沉积动作或处理动作之后，可执行层检查。因此，层检查腔室一般可连接于如本文所述的处理模块或路由模块。举例来说，处理系统可经配置使得载体(所述载体具有在所述载体中的基板)可从处理模块移动至层检查腔室。因此，如本文所述的处理系统可经配置使得可在处理系统内检查要检查的基板，也就是无需从处理系统移除基板。因此，如本文所述的处理系统可有利地经配置来用于在线(online)层检查，可在一个或多个沉积动作或处理动作之后执行所述在线层检查。
根据一些实施方式，如图1A中所示，沿线提供一个或多个路由模块(本文中也称为旋转模块)，以提供一列式(in-line)输送系统来从一个处理模块将基板输送至另一处理模块。一般来说，如图1A中范例性所示，输送系统710设置于处理系统100中。输送系统710经配置以用于在处理系统100的个别的模块或腔室之间输送和传送待处理的基板，待处理的基板一般由载体组件支撑。举例来说，输送系统710可包括第一输送轨道711和第二输送轨道712，用于支撑基板或掩模的载体可沿着第一输送轨道711和第二输送轨道712输送。特别地，输送系统710可包括至少一个输送设备，用于非接触式悬浮和输送，如参照图11A至图11E更详细说明的。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，输送系统710可包括另外的轨道713，另外的轨道713设置于两个或更多个路由模块内，如图1A中范例性示出的。特别地，另外的轨道713可为载体返回轨道。
一般来说，载体返回轨道可设置于第一输送轨道711与第二输送轨道712之间。载体返回轨道允许空的载体从另外的真空摆动模块132返回至第一真空摆动模块131，如图1A中范例性所示。因此，将理解的是，空的载体可在真空条件下返回。在真空条件下和选择地在受控的惰性气氛(举例为Ar、N2或这两者的组合)下返回载体减少载体暴露于周围空气。可减少或避免接触水分(moisture)。因此，在制造系统中制造装置期间，可减少载体的放气(outgassing)。这可改善所制造的装置的质量并且/或者可在不延长时间来进行清洁的情况下操作载体。
范例性参照图1A，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，对准系统550可设置于处理模块510处，特别是设置于真空处理腔室540处。处理模块510的进一步的细节举例为参照图4A至图4E说明，对准系统550的进一步的细节参照图12B和图12C说明。
根据典型的实施方式，维修模块610(本文中也称为维护模块)可举例为经由栅阀115连接于处理模块510。一般来说，处理系统包括两个或更多个维修模块，举例为第一维修模块611和至少一个第二维修模块612。如本文所述，维修模块允许在处理系统中对沉积源的维护。维修模块的进一步细节参照图8A至图8E说明。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，处理系统可包括基板载体装载器210和基板载体模块220，如图1A和图1B中范例性所示。举例来说，基板载体模块220可经配置以缓冲(buffer)一个或多个基板载体。举例来说，基板载体模块220可连接于第一路由模块411，第一路由模块411连接于第一真空摆动模块131。附加地或替代地，基板载体模块和基板载体装载器可连接于最后的路由模块，举例为图1A中所示的第六个路由模块。因此，基板载体模块220一般可连接于路由模块中的一个路由模块，这个路由模块连接于真空摆动模块中的一个真空摆动模块。由于基板在真空摆动模块中装载和卸载，靠近真空摆动模块提供基板载体模块是有利的。一般来说，基板载体模块220经配置以存储一个或多个基板载体，举例为5至30个基板载体。因此，本文所述的沉积的实施方式有利地被配置使得可更换基板载体来举例为进行维护，例如是清洁。
范例性参照图1A和图1B，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，处理系统100可包括掩模载体装载器310和掩模载体匣320。掩模载体装载器310举例为第一掩模载体装载器311和第二掩模载体装载器312。掩模载体匣320用于缓冲各种掩模。特别地，掩模载体匣320可经配置以存储用于进行更换的掩模和/或需要存储以用于特定沉积工艺的掩模。因此，可调换应用于处理系统中的掩模而用于例如是清洁的维护或用于沉积图案的改变。一般来说，掩模载体匣320可举例为经由栅阀115连接于路由模块，举例为连接于另外的路由模块中的一个，如图1A中所示。因此，可在不使真空处理腔室和/或路由模块通风的情况下调换掩模，使得可避免掩模暴露于大气压力。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，掩模清洁腔室313可举例为经由栅阀115连接于掩模载体匣320，如图1A中范例性所示。举例来说，可在掩模清洁腔室313中提供等离子体清洁工具。附加地或替代地，可在掩模清洁腔室313处提供另外的栅阀115，如图1A中所示，已清洁的掩模可通过掩模清洁腔室313从处理系统100卸载。因此，能够在仅需要使掩模清洁腔室313通风时从处理系统100卸载掩模。通过从制造系统卸载掩模，可在制造系统继续完全操作时提供外部掩模清洁。图1A图示相邻于掩模载体匣320的掩模清洁腔室313。也可相邻于基板载体模块220提供对应的或类似的清洁腔室(未示出)。通过提供相邻于基板载体模块220的清洁腔室，可在处理系统内清洁基板载体。
在基板处理之后，基板载体(所述基板载体具有在基板载体上的基板)在竖直定向中从最后的路由模块传送至另外的真空摆动模块132中。另外的真空摆动模块132经配置以将载体(所述载体具有在载体上的基板)从竖直定向旋转至水平定向。之后，基板可卸载至另外的水平基板转运腔室中。已处理的基板可从处理系统100经由装载锁定腔室110卸载。附加地或替代地，已处理的基板可在薄膜封装腔室810中封装，薄膜封装腔室810可连接于另外的真空摆动模块132，如图1A中范例性所示。一个或多个薄膜封装腔室可包括封装设备，其中特别是OLED材料的已沉积和/或已处理的层被封装于已处理的基板与另外的基板之间，也就是夹置于已处理的基板与另外的基板之间，以保护已沉积和/或已处理的材料而避免暴露于周围空气和/或大气条件。然而，可通过设置于薄膜封装腔室中的一个薄膜封装腔室中的封装设备而替代地应用像是利用玻璃、聚合物或金属片的层压，或盖玻璃的激光熔覆(laser fusing)的其他封装方法。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，若干掩模载体和基板载体可同时移动通过处理系统。一般来说，掩模载体和基板载体的移动与顺序节拍时间(sequence tact times)协调。节拍时间可取决于工艺和模块类型。举例来说，路由模块可经配置以用于提供5秒的从90°至180°的旋转时间。再者，处理系统可经配置而使得在两个相邻的模块之间的基板输送在没有栅阀移动(也就是栅阀的打开/关闭)的情况下一般为5秒。处理系统(特别是处理系统的对准系统)可经配置而使得包括全部对准动作的基板掩模对准工艺可在25秒内执行。再者，处理系统可经配置而使得处理(举例为涂布)之后从对准器和磁体板的释放为10秒。根据典型的实施方式，摆动模块经配置以在10秒内装载基板。再者，基板载体模块可经配置以在10秒内对准和吸附(chuck)基板。一般来说，摆动模块可经配置以在10秒内移动从水平位置移动至竖直位置的摆动。根据典型的实施方式，输送系统经配置以在5秒内提供约100mm的短线性移动。处理模块可经配置以在60秒内执行举例为涂布方法的处理方法，在60秒中具有3秒的源旋转以完成通过。将理解的是，可调整处理率(举例为沉积率)和处理速度(举例为沉积源跨基板移动的速度)，以控制处理结果，处理结果举例为涂层的厚度。
因此，例如是OLED显示器的装置可如下于如图1A和图1B中范例性所示的处理系统100中制造。基板可经由装载锁定腔室110装载至第一基板转运腔室121中。在基板装载于第一真空摆动模块131中之前，可在第一预处理腔室111和/或第二预处理腔室112中提供基板预处理。基板在第一真空摆动模块131中装载于基板载体上，并且从水平定向旋转至竖直定向。之后，基板传送通过第一路由模块411和一个或多个另外的路由模块。路由模块经配置以旋转基板载体(基板载体具有在基板载体上的基板)，使得具有基板的载体可移动至相邻的处理模块510，如图1A中范例性所示。举例来说，在第一处理模块511中，可执行电极沉积，以在基板上沉积装置的阳极。之后，具有基板的载体可从第一处理模块511移除且移动至连接于路由模块的另外的处理模块512中的一个另外的处理模块512。举例来说，另外的处理模块中的一个或多个另外的处理模块可经配置以沉积空穴注入层，另外的处理模块中的一个或多个另外的处理模块可经配置以沉积蓝色发射层、绿色发射层或红色发射层，另外的处理模块中的一个或多个另外的处理模块可经配置以沉积一般设置于发射层之间和/或发射层上方的电子传输层。在制造的结尾，可在另外的处理模块中的一个另外的处理模块中沉积阴极。此外，在另外的处理模块中的一个另外的处理模块中，一个或多个激子阻挡层(或空穴阻挡层)或一个或多个电子注入层可沉积于阳极与阴极之间。在沉积全部所需的层之后，载体被传送至另外的真空摆动模块132，其中具有基板的载体从竖直定向旋转至水平定向。之后，基板在另外的基板转运腔室122中从载体卸载并且可传送至薄膜封装腔室810中的一个薄膜封装腔室810中来封装已沉积的层堆叠结构(stack)。之后，具有所制造的装置的基板可经由卸载锁定腔室116从处理系统卸载。
范例性参照图1B，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，处理系统可经配置而使得基板的装载和卸载可在处理系统的相同侧上执行，特别是通过应用在相同侧上的两个真空摆动模块，如范例性地参照图2A至图2H更详细说明的。特别地，范例性参照图1B，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的一些实施方式，用于沉积一个或多个层的处理系统100可包括第一真空摆动模块131、第一缓冲腔室151、举例为第一路由模块411的路由模块410、第二缓冲腔室152、另外的真空摆动模块132和处理布置1000。
更特别地，范例性参照图1B和图2A至图2H，第一真空摆动模块131经配置以用于将第一基板101A从水平状态旋转成竖直状态。第一缓冲腔室151连接于第一真空摆动模块131。第一缓冲腔室151经配置以用于缓冲在第一基板输送方向106中从第一真空摆动模块131接收的第一基板101A。再者，第一缓冲腔室151经配置以用于缓冲在第二基板输送方向107中从路由模块410接收的第三基板101C。路由模块410(特别是第一路由模块411)连接于第一缓冲腔室151，且经配置以用于将第一基板101A输送至处理布置1000。处理布置1000一般包括如本文所述的至少一个沉积源。再者，第二缓冲腔室152连接于路由模块410，特别是连接于第一路由模块411。第二缓冲腔室152经配置以用于缓冲在第二基板输送方向107中从另外的真空摆动模块132接收的第二基板101B。再者，第二缓冲腔室152经配置以用于缓冲在第一基板输送方向106中从路由模块410(特别是从第一路由模块411)接收的第四基板101D。如图2D中范例性所示，另外的真空摆动模块132连接于第二缓冲腔室152，且经配置以用于将第二基板101B从竖直状态旋转成水平状态。
在本公开内容中，“缓冲腔室”可理解为经配置以在竖直定向中缓冲两个或更多个基板的腔室，特别是缓冲由基板载体支撑的两个或更多个基板的腔室。更特别的是，如本文所述的“缓冲腔室”可以是经配置以用于在缓冲腔室内部提供真空条件的真空腔室。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，处理布置1000可包括如本文所述的另外的路由模块412和如本文所述的处理模块510。再者，处理布置1000可包括根据本文所述实施方式的维修模块610。根据一些实施方式，处理布置1000可进一步包括由以下项组成的群组中的至少一项：如本文所述的掩模载体匣320；如本文所述的掩模载体装载器310；如本文所述的输送设备720，用于非接触式输送沉积源；如本文所述的另外的输送设备820，用于非接触式悬浮、输送和/或对准载体组件；如本文所述的对准系统550；如本文所述的掩模清洁腔室133；和层检查腔室。因此，将理解的是，参照图1B和图2A-图2H说明的处理布置1000可包括参照图1A和图3A至图12C说明的一些或全部的处理模块和处理部件。举例来说，可提供布局配置。在此布局配置中，基板的装载和卸载可在如本文所述的装载锁定腔室110、如本文所述的卸载锁定腔室116、如本文所述的第一预处理腔室111和/或第二预处理腔室112、和如本文所述的封装腔室810的处理系统的相同侧上执行。
范例性参照图2A至图2H，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，第一缓冲腔室151可包括第一切换轨道161，经配置以用于横向于第一基板输送方向106移动基板，基板举例为第一基板101A和/或第三基板101C。类似地，第二缓冲腔室152可包括第二切换轨道162，经配置以用于横向于第二基板输送方向107移动基板，基板举例为第二基板101B和/或第四基板101D。一般来说，第一基板输送方向106相反于第二基板输送方向107，如图2A至图2H中范例性所示。
在本公开内容中，“切换轨道”可理解为具有两个或更多个平行轨道的轨道布置，所述两个或更多个平行轨道经配置以用于接收在竖直定向中的两个或更多个基板，特别是由基板载体支撑的两个或更多个基板。更特别地，如本文所述的“切换轨道”可理解为经配置而使得两个或更多个竖直基板可大体上垂直于基板的表面移动的轨道布置，垂直于基板的表面移动可对应于大体上垂直于基板输送方向的移动方向，两个或更多个基板在所述基板输送方向中由轨道布置接收。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，路由模块410(举例为图1B和图2A至图2E中所示的第一路由模块411)可经配置以旋转从第一缓冲腔室151接收的第一基板101A，使得第一基板可在不同于第一基板输送方向106的装载方向中装载至处理布置1000中。一般来说，装载方向垂直于第一基板输送方向。再者，如参照图2D范例性说明的，路由模块410(特别是第一路由模块411)经配置以在卸载方向中从处理布置1000接收第四基板101D，所述卸载方向不同于装载方向。一般来说，在装载和卸载可在处理系统的相同侧上执行的处理系统布局中，如图1B和图2A至图2E中范例性所示，装载方向相反于卸载方向。
如图1B和图2A至图2H中范例性所示，栅阀115可设置于第一真空摆动模块131与第一缓冲腔室151之间、第一缓冲腔室151与路由模块410(举例为第一路由模块411)之间、路由模块410与处理布置1000之间、路由模块410与第二缓冲腔室152之间和第二缓冲腔室152与另外的真空摆动模块132之间。
因此，具有参照图1B和图2A至图2E说明的布局配置的处理系统有利地提供改善的方法，用于将基板装载和卸载至如本文所述的处理系统的处理布置，使得可减少用于将基板装载和卸载至处理布置的节拍时间。图13A示出根据本文所述实施方式的图示用于将基板装载和卸载至处理系统的处理布置的方法1100的方框图。
特别地，范例性参照图2A至图2H和图13A，用于将基板装载和卸载至处理布置的方法1100包括：在第一基板输送方向106中从第一真空摆动模块131输送第一基板101A至第一缓冲腔室151中(由图13A中的方框1110表示)；在第一缓冲腔室151中缓冲第一基板101A和在第二基板输送方向107中从路由模块410接收的第三基板101C(由图13A中的方框1120表示)；在第一缓冲腔室151中横向于第一基板输送方向106移动第一基板101A和第三基板101C(由图13A中的方框1130表示)；从第一缓冲腔室151输送第三基板101C至第一真空摆动模块131中(由图13A中的方框1140表示)；在第一缓冲腔室151中横向地回移第一基板101A(由图13A中的方框1150表示)；在第一基板输送方向106中从第一缓冲腔室151输送第一基板101A至路由模块410中(由图13A中的方框1160表示)；在路由模块410中旋转第一基板101A，使得第一基板101A可在装载方向中装载至处理布置1000中，处理布置1000连接于路由模块410(由图13A中的方框1170表示)；从路由模块410装载第一基板101A至处理布置1000中(由图13A中的方框1180表示)；从处理布置1000卸载第四基板101D至路由模块410中(由图13A中的方框1190表示)；在路由模块410中旋转第四基板101D，使得第四基板101D可在第一基板输送方向106中从路由模块410输送至第二缓冲腔室152中，第二缓冲腔室152连接于路由模块410(由图13A中的方框1200表示)；在第一基板输送方向106中输送第四基板101D至第二缓冲腔室152中(由图13A中的方框1210表示)；在第二缓冲腔室152中横向于第一基板输送方向106移动第四基板101D(由图13A中的方框1220表示)；在第二基板输送方向107中从另外的真空摆动模块132输送第二基板101B至第二缓冲腔室152中(由图13A中的方框1230表示)；在第二缓冲腔室152中横向地回移第四基板101D和第二基板(由图13A中的方框1240表示)；和从第二缓冲腔室152输送第四基板101D至另外的真空摆动模块132中(由图13A中的方框1250表示)。
图2A示出装载基板至处理布置1000期间的状态，在此状态中，举例为未处理的基板的第一基板101A在第一基板输送方向106中从第一真空摆动模块131输送至第一缓冲腔室151中。在第一缓冲腔室151中，在第二基板输送方向107中从路由模块410接收的举例为已处理的基板的第三基板101C在第一切换轨道161的第一轨道上缓冲。因此，在第一基板101A已经输送至第一缓冲腔室151之后，特别是输送至第一切换轨道161的第二轨道之后，第一基板101A和第三基板101C在第一缓冲腔室151中缓冲。一般来说，第一缓冲腔室151和第一切换轨道161经配置以用于缓冲和输送如本文所述的竖直基板定向中的至少两个基板。在图2A至图2H中，第三基板101C和第四基板101D是已处理的基板，已处理的基板以影线(hatching)表示。因此，在图2A至图2H中的第一基板101A和第二基板101B是未处理的基板，举例为新的基板。
接着，如图2B中的竖直箭头范例性所示，第一基板101A和第三基板101C可于第一缓冲腔室151中横向于第一基板输送方向106移动。一般来说，横向于第一基板输送方向106移动第一基板101A和第三基板101C是通过第一切换轨道161来执行的。如图2B中的水平箭头所示，在第一基板101A和第三基板101C已经移动之后，第三基板101C可在第二基板输送方向107中从第一缓冲腔室151输送至第一真空摆动模块131中。
之后，如图2C中的竖直箭头所示，在第一缓冲腔室151中的第一基板101A横向地回移，特别是通过第一切换轨道161而回移。再者，如图2C左侧上的弯箭头所示，第三基板101C可从竖直状态旋转成水平状态。如图2C中的水平箭头所示，第一基板101A可在第一基板输送方向106中从第一缓冲腔室151输送至路由模块410中。
范例性参照图2D，在第一基板101A已经输送至路由模块410中之后，第一基板101A可在路由模块410中旋转，使得第一基板101A可在装载方向中装载至处理布置1000中，处理布置1000连接于路由模块410。因此，第一基板101A之后可从路由模块410装载至处理布置1000中，如图2D中的指向上的竖直箭头所示。再者，如图2D中的指向下的竖直箭头所示，第四基板可从处理布置1000卸载至路由模块410中。此外，如在第一真空摆动模块131处的水平箭头所示，水平的第三基板可从第一真空摆动模块131移除。再者，如另外的真空摆动模块132的右侧上的弯箭头所示，设置于第二摆动模块中的水平状态中的第二基板101B可旋转成竖直状态。
在下文中，当第一基板已经装载至处理布置1000中并且第四基板已经从处理布置1000卸载至路由模块410中时，第四基板101D可在路由模块410中旋转，使得第四基板101D可在第一基板输送方向106中从路由模块410输送至第二缓冲腔室152中，第二缓冲模块152连接于路由模块410，如图2E中范例性所示。同时，如图2E中范例性所示，新基板101N可在水平状态中装载于第一真空摆动模块131中。再者，第一切换轨道161和/或第二切换轨道162可横向于基板输送方向移动，如图2E中的竖直箭头所示。
如图2F中范例性所示，第四基板101D可接着于第一基板输送方向106中从路由模块410输送至第二缓冲腔室152中。接着，第四基板101D可在第二缓冲腔室152中横向于第一基板输送方向106移动，如图2G中指向下的竖直箭头范例性所示。因此，第二缓冲腔室152中的第二切换轨道162经定位而使得第二基板101B可于第二基板输送方向107中从另外的真空摆动模块132输送至第二缓冲腔室152中。一般来说，第二缓冲腔室152和第二切换轨道162经配置以用于缓冲和输送如本文所述的在竖直基板定向中的至少两个基板。再者，如第一真空摆动模块131的左侧上的弯箭头所示，新基板101N同时可从水平状态旋转成竖直状态，用于随后装载所述新基板至第一缓冲腔室151中。
如图2H中的指向上的竖直箭头范例性所示，在第二基板101B已经接收于第二缓冲腔室152中之后，第四基板101D和第二基板101B在第二缓冲腔室152中横向地回移，使得第四基板101D可从第二缓冲腔室152输送至另外的真空摆动模块132中。在下文中，第四基板可接着在另外的真空摆动模块132内部从竖直状态旋转成水平状态，使得第四基板可接着在水平状态中从另外的真空摆动模块132卸载。
因此，通过提供处理系统布局，其中基板的装载和卸载可在参照图1B和图2A至图2H范例性说明的处理系统的相同侧上执行，可省略用于空的载体的载体返回轨道。因此，可有利地改善处理系统的节拍时间、产量和效率。
有鉴于本文所述的处理系统的实施方式，将理解的是，处理系统的模块化布置提供适合客户需求的处理系统的可能性。举例来说，处理系统可经配置以用于OLED生产，举例为单层和/或多层。特别地，通过使用根据本文所述实施方式的处理系统，可基于欲生产的装置的复杂度来选择所应用的处理模块的数量。再者，处理系统布局可适用于客户的空间和后勤(logistic)边界条件。
在图3A中，示出根据本文所述实施方式的处理系统100的真空摆动模块130(举例为第一真空摆动模块131或另外的真空摆动模块132)的示意图。根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，真空摆动模块130包括真空摆动腔室133。真空摆动腔室一般具有一个或多个凸缘，用于将抽空单元(evacuation unit)(举例为真空泵)连接于真空摆动腔室。因此，真空摆动腔室133可被抽空至举例为10mbar或更低的技术真空，可在本文所述的处理系统的一个或多个模块或腔室中提供所述技术真空。再者，如图3A中范例性所示，真空摆动模块130一般包括底座137。当装载于基板载体910上的基板101在竖直定向或水平定向中被支撑时，底座137经配置以提供稳定性。后述的定向示出于图3A中。
再者，真空摆动模块130可设有致动器135，致动器135举例为转矩马达，经配置以绕着旋转轴136旋转支撑件134。可旋转的支撑件在本文中也可称为摆动站。因此，支撑件和/或连接于支撑件的台(table)可从水平定向旋转至竖直定向和从竖直定向旋转至水平定向。有鉴于上述，当支撑件设为具有水平定向时，基板101可装载于基板载体910上。特别地，基板101可经由基板进入开口138移动至真空摆动模块130中，如图3A中范例性所示。一般来说，基板进入开口138经配置而使得基板可在水平状态中移动至真空摆动模块中。之后，支撑基板101的基板载体910可从水平定向旋转成竖直定向，且沿着输送路径举例为通过大体上竖直定向的出口开口139移动至第一路由模块中和离开第一真空摆动模块131，大体上竖直定向的出口开口139如图3A中的虚线所示。
因此，在处理大体上竖直状态的基板之后，具有已处理的基板的基板载体可移动离开路由模块而进入另外的真空摆动模块132中，如图1A和图1B中范例性所示。在另外的真空摆动模块132中，支撑基板101的基板载体910可从竖直定向旋转至水平定向。之后，可从基板载体910卸载基板101。因此，将理解的是，本文所述的真空摆动模块可使用于装载和/或卸载基板来在处理系统中处理基板。
一般来说，如本文所述的真空摆动模块经配置以用于高真空条件下。因此，真空摆动模块可设置有至少一个栅阀，使得基板载体可移动进入和离开真空摆动模块，而不破坏真空摆动腔室中的真空。再者，真空摆动站可提供有静电吸盘，静电吸盘经配置以用于保持基板于摆动站，摆动站举例为可旋转的支撑件。为了将基板从摆动站传送至基板载体，当基板载体的静电吸盘经定位而用于接收和保持基板时，基板从摆动站的静电吸盘释放。
图3B图示将设置于基板载体910中的基板101从水平定向旋转为竖直定向或从竖直定向旋转为水平定向的顺序。从左至右，基板101设置于基板载体910中。升降杆140可设置于基板载体910下方，使得基板101基于升降杆140的竖直运动而相对于基板载体910升起或降低。载体一般包括基板接收部、上导引部911和下导引部。上导引部可包括一个或多个被动磁性元件，以提供载体的磁性导引，如参照图11A和图11B更详细范例性说明的。
在基板101装载于基板载体910上之前，升降杆140竖直地移动至升起位置。机械手或另一致动器可将基板装载于真空摆动模块中并将基板放置于升降杆140上。因此，升降杆140经配置以支撑基板101。之后，可降低升降杆，使得基板101装载于基板载体910上。之后，当举例为基板载体910的杆位于输送系统的一个或多个辊912中时，基板载体910可如图3B所示的顺序旋转。或者，基板载体的下导引部可设有一个或多个辊，所述一个或多个辊可经配置以在对应的输送轨道上导引基板载体。再者，特别地，基板载体的上导引部可包括第一被动磁性元件851并且基板载体的下导引部可包括第二被动磁性元件852，如参照图11C至图11E所范例性说明的。因此，在基板载体已经升起至竖直位置之后，基板载体可沿着处理系统的输送路径移动，特别是沿着举例为输送设备的导引结构移动，用于非接触式输送载体，如参照图11A和图11B更详细说明的。
图4A图示根据本文所述实施方式的用于处理系统的处理模块510的实施方式，处理模块510举例为用于沉积有机材料。一般来说，沉积源520(特别是蒸发源)设置于处理模块510的真空处理腔室540中。特别地，沉积源520可设置于轨道或线性导件522上，如图4A中范例性所示。线性导件522可经配置以用于沉积源520的平移运动。再者，可提供用于提供沉积源520的平移运动的驱动。特别地，如参照图10A至图10C更详细说明的，用于非接触式输送沉积源的输送设备720可设置于真空处理腔室540中。如图4A中范例性所示，真空处理腔室540可具有栅阀115，真空处理腔室可经由栅阀115连接于相邻的路由模块或相邻的维修模块，如图1A和图1B中范例性所示。特别地，栅阀允许至相邻的真空腔室的真空密封且可打开和关闭来移动基板和/或掩模进入或离开处理模块。
在本公开内容中，“真空处理腔室”理解为真空腔室或真空沉积腔室。如本文所使用的术语“真空”可理解为具有小于举例为10mbar的真空压力的技术真空的含义。一般来说，如本文所述的真空腔室中的压力可在10-5mbar与约10-8mbar之间，更典型地在10-5mbar与10-7mbar之间，并且甚至更典型地在约10-6mbar与约10-7mbar之间。根据一些实施方式，真空腔室中的压力可视为在真空腔室内的蒸发的材料的分压或总压(在仅有蒸发的材料存在而作为真空腔室中待沉积的成分时在真空腔室内的蒸发的材料的分压与总压大约相同)。在一些实施方式中，特别是在除了蒸发的材料之外真空腔室中存在第二成分的情况下(例如是气体或类似物)，真空腔室中的总压可在从约10-4mbar至约10-7mbar的范围。
处理系统可包括一个或多个真空泵(例如是涡轮泵(turbo pumps)和/或低温泵)，所述真空泵连接于真空腔室，用于在真空腔室内部产生真空。再者，根据一些实施方式，可提供前级真空泵(fore-vacuum pumps)而举例为用于在如本文所述的处理系统的真空腔室中产生前级真空。再者，可提供前级真空以抽吸(pump)用于高真空泵的排放出口，高真空泵也就是涡轮泵和/或低温泵。
范例性参照图4A，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，两个基板(举例为第一基板101A和第二基板101B)可在真空处理腔室540内支撑于相应的输送轨道上。再者，可提供用于提供在两个轨道上的掩模330的两个轨道。特别地，用于输送基板载体和/或掩模载体的轨道可设置有另外的输送设备，用于非接触式输送载体，如参照图11A至图11B更详细说明的。
一般来说，基板的涂布可包括由相应的掩模遮蔽基板，举例为由参照图12A范例性说明的边缘排除掩模(edge exclusion mask)或由参照图12B范例性说明的阴影掩模(shadow mask)遮蔽基板。根据典型的实施方式，掩模设置于掩模框架331中，以保持掩模于预定位置中，如图4A中范例性所示，所述掩模举例为对应于第一基板101A的第一掩模330A和对应于第二基板101B的第二掩模330B。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，基板101可由基板支撑件102支撑。基板支撑件102可举例为通过连接元件124连接于对准系统550。对准系统550可调整基板101相对于掩模330的位置。因此，在有机材料的沉积期间，基板可相对于掩模330移动，以提供基板与掩模之间合适的对准。根据可与本文所述其他实施方式结合的进一步的实施方式，替代地或附加地，掩模330和/或保持掩模330的掩模框架331可连接于对准系统550。因此，或者是掩模可相对于基板101定位，或者是掩模330和基板101两者均可相对于彼此定位。因此，如参照图12B和图12C更详细说明的，本文所述的对准系统允许在沉积工艺期间遮蔽(masking)的适当对准，而有利于高质量或发光二极管(LED)显示器制造。
掩模和基板相对于彼此的对准的例子包括对准单元。对准单元允许在限定一平面的至少两个方向中的相对对准，此平面基本上平行于基板的平面和掩模的平面。举例来说，对准可至少在x方向和y方向中执行，也就是限定上述平行平面的两个笛卡尔方向(Cartesian directions)。一般来说，掩模和基板可基本上彼此平行。特别地，对准可进一步在基本上垂直于基板的平面和掩模的平面的方向中执行。因此，对准单元经配置而至少用于掩模和基板相对于彼此的X-Y对准，特别是用于掩模和基板相对于彼此的X-Y-Z对准。可结合本文所述其他实施方式的一个特定例子是在x方向、y方向和z方向中使基板对准于掩模，而可在真空处理腔室中静止的保持所述掩模。
如图4A中所示，线性导件522提供沉积源520的平移运动的方向。在沉积源520的两侧上可提供掩模330，举例为用于遮蔽第一基板101A的第一掩模330A和用于遮蔽第二基板101B的第二掩模330B。掩模可基本上平行于沉积源520的平移运动的方向延伸。再者，在蒸发源的相对侧处的基板也可基本上平行于平移运动的方向延伸。根据典型的实施方式，基板101可经由栅阀115移动至真空处理腔室540中和离开真空处理腔室540。因此，处理模块510可包括个别的输送轨道，用于输送各个基板，输送轨道举例为用于第一基板的第一输送轨道和用于第二基板的第二输送轨道。一般来说，输送轨道平行于基板定向延伸。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，可设置另外的轨道而用于支撑掩模框架，掩模框架保持掩模。因此，可在真空处理腔室内提供四个轨道。为了移动掩模中的一个掩模离开真空处理腔室来举例为进行掩模的清洁，具有掩模的掩模框架可移动至基板的输送轨道上。个别的掩模框架可接着在用于基板的输送轨道上离开或进入真空处理腔室。虽然有可能提供用于掩模框架的分离的输送轨道来进入和离开真空腔室，如果只有两个轨道(也就是用于基板的输送轨道)延伸进入和离开真空处理腔室，此外掩模框架可通过合适的致动器或机械手移动至用于基板的相应的一个输送轨道上，可减少处理模块的拥有成本。
范例性参照图4A，可提供源支撑件531支撑件，经配置以用于沿着线性导件522的沉积源520的平移运动。一般来说，源支撑件531支撑蒸发坩埚521和设置于蒸发坩埚521上方的分布组件530。因此，产生于蒸发坩埚中的蒸汽可向上移动并且离开分布组件的一个或多个出口。因此，分布组件530经配置以用于将蒸发的有机材料(特别是蒸发的源材料的羽流)从分布组件530提供至基板101，如图4B至图4E中范例性图示的。
所述一个或多个出口可以是一个或多个开口或一个或多个喷嘴，可举例为提供于喷头或另一蒸汽分布系统中。在本文中喷头可理解为包括具有开口的壳件，使得喷头中的压力高于喷头外部的压力举例为一个数量级。应用于本文所述的沉积系统中的蒸发坩埚和分布组件分别参照图6A至图6D和图5A、图7A-图7C而详细说明。
再者，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积源可包括如图4A中所示且参照图7A至图7D更详细说明的屏蔽装置517。此外，可提供材料收集单元40可设置，材料收集单元40可配置成屏蔽壁，如图4A中范例性所示。材料收集单元40可布置于真空处理腔室中，以在沉积源位于如图4D中范例性所示的旋转位置中时，收集从沉积源(举例为蒸发源)发射的蒸发的源材料。如图4A中范例性所示，加热装置50可设置而用于在沉积源的维修位置中清洁塑形屏蔽装置517。相较于出口被导引朝向待涂布的基板的分布组件的沉积位置来说，维修位置可为本文所述的分布组件的出口位于旋转位置的沉积源的位置。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，分布组件的旋转可由蒸发器控制壳体的旋转提供，至少分布组件安装于蒸发器控制壳体上。一般来说，蒸发坩埚也安装于蒸发器控制壳体上。因此，沉积源可经配置而使得至少分布组件可旋转地安装或使得坩埚和分布组件两者一起可旋转地安装。或者，控制壳体、分布组件和蒸发坩埚可以可旋转地安装在一起。一般来说，固定地安装材料收集单元，使得材料收集单元不与分布组件一起旋转且相对于分布组件的旋转保持静止。然而，如图4B至图4E中范例性所示，材料收集单元系跟随平移运动且是相对于平移运动可移动的。
图4B至图4E示出在真空处理腔室540中的各种位置中的沉积源520，沉积源520特别是蒸发源。在不同位置之间的运动由箭头102B、102C和102D标示。在图4B中，沉积源520示出于第一位置中。如图4C中所示，通过如箭头102B所示的沉积源的平移运动，位于真空处理腔室540中的左基板沉积有有机材料层。当举例为第一基板101A的左基板沉积有有机材料层时，可调换第二基板101B(举例为在图4B至图4E中右手侧上的基板)，如虚线所示。在第一基板101A已经沉积有有机材料层之后，沉积源520的分布组件530可如图4D中的箭头102C所示的进行旋转。在有机材料沉积于第一基板101A上期间，第二基板101B已经相对于第二掩模330B进行定位和对准。因此，在图4D中所示的旋转之后，通过如箭头102D所示的沉积源的平移运动，可用有机材料层涂布第二基板101B。当用有机材料涂布第二基板101B时，第一基板101A可移动离开真空处理腔室540，如虚线所示。
因此，通过提供包括根据本文所述实施方式的两个或更多个处理模块的处理系统，举例为通过用于OLED制造的特别是有机材料的蒸发工艺，不同层可在处理模块内部沉积于基板上。如上方参照图4A至图4E所范例性概述，两个或更多个处理模块的各处理模块一般具有两个处理侧。在各处理侧内部一般提供磁性悬浮轨，磁性悬浮轨移动掩模载体和基板载体至处理位置中，如参照图11A至图11E图更详细说明的。在各处理侧外部提供对准系统。对准系统经配置以用于相对于掩模对准基板。一般来说，处理模块经配置而使得掩模载体可移动至处理位置中且利用锁定螺栓保持于适当之位置中。接着，基板载体移动至处理位置中并且对准系统执行基板和掩模的对准。
图5A示出根据本文所述实施方式的沉积源520的立体图。如图4A中范例性所示，沉积源520可包括分布组件530，分布组件530连接于蒸发坩埚521。举例来说，分布组件530可包括分布管，分布管可为拉长的立方体。举例来说，本文所述的分布管可提供线性源，线性源具有多个开口和/或喷嘴，这些开口和/或喷嘴布置于沿着分布管的长度的至少一条线中。或者，可提供沿着所述至少一条线延伸的一个拉长的开口。举例来说，拉长的开口可为狭缝。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，所述线可以是基本上竖直的。
因此，分布组件可包括分布管，分布管设为线性分布喷头，举例为具有设置于所述线性分布喷头中的多个开口。本文理解的喷头具有壳件、中空空间或管。可于壳件、中空空间或管中举例为从蒸发坩埚提供或导引材料。喷头可具有多个开口(或拉长的狭缝)，使得喷头内之压力高于喷头外部的压力。举例来说，喷头内的压力可高于喷头外部的压力至少一个数量级。
再者，如图5A中范例性所示，分布组件一般提供基本上竖直延伸的线源。在本公开内容中，术语“基本上竖直”特别在意指基板定向时理解为允许从竖直方向±10°或更小的偏差。因为具有从竖直定向的一些偏差的基板支撑件可产生更稳定的基板位置，所以可提供此偏差。然而，在有机材料沉积期间，基板定向视为基本上竖直的，而视为不同于水平基板定向。因此，基板的表面可通过在对应于一个基板尺寸的一个方向中延伸的线源和对应于另一基板尺寸的另一方向的平移运动来进行涂布。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，分布管的长度可至少对应于待沉积的基板的高度。特别地，分布管的长度可长于待沉积的基板的高度至少10％或甚至20％。举例来说，分布管的长度可为1.3m或更大，举例为2.5m或更大。因此，可在基板的上端和/或基板的下端提供均匀的沉积。根据替代的经配置，分布组件可包括一个或多个点源。所述一个或多个点源可沿着竖直轴布置。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，蒸发坩埚521与分布组件530流体连通，并且设置于分布组件530的下端，如图5B中范例性所示。特别地，可提供举例为凸缘单元的连接件。所述连接件经配置以提供在蒸发坩埚521与分布组件530之间的连接。举例来说，蒸发坩埚和分布组件可提供为分离的单元，可在连接件处分离和连接或组装，举例为用于蒸发源的操作。一般来说，蒸发坩埚是用于要通过加热坩埚来蒸发的有机材料的储存器。因此，蒸发的有机材料可进入分布组件，特别是在分布管的底部进入分布组件，并且被基本上侧向地导引通过分布管中的多个开口，举例为朝向基本上竖直的基板。
如图5A中范例性所示，分布组件530可设计成三角形形状。分布组件530的三角形形状可在两个或更多个分布管可相邻于彼此布置的情况中有利，如范例性参照图7A和图7B更详细说明的。特别地，分布组件530的三角形形状使得相邻的分布管的出口尽可能彼此靠近。举例为针对两种、三种或甚至更多种不同材料的共蒸发的情况来说，这允许实现来自不同分布管的不同材料的改善的混合。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，分布组件530可包括壁，举例为侧壁525B和位于分布组件530的背侧的壁525A，使得在分布组件的内部提供内部中空空间。如图4A中范例性所示，加热单元515可提供而用于加热分布组件，特别是分布管。加热单元515可安装或附接于分布组件530的壁。因此，分布组件530可被加热至某个温度，使得由蒸发坩埚521提供的有机材料的蒸汽不凝结于分布组件530的壁的内部。再者，可围绕分布组件的管(特别是分布管)提供热屏蔽物，以将由加热单元515提供的热能朝向中空空间反射回去。
热屏蔽物可包括若干屏蔽层，以减少到蒸发源外部的热辐射。作为另外的选项，热屏蔽物可包括屏蔽层，通过流体主动地冷却，所述流体例如是空气、氮、水或其他合适的冷却流体。根据可与本文所述其他实施方式结合的再另外的实施方式，可提供一个或多个热屏蔽物而用于蒸发源，所述一个或多个热屏蔽物可包括金属片，金属片围绕蒸发源的相应部分。举例来说，金属片可具有0.1mm至3mm的厚度，可以是选自由铁金属(ferrous metals，SS)和非铁金属(non-ferrous metals)(Cu、Ti、Al)组成的群组的至少一种材料，并且/或者可彼此分隔举例为0.1mm或更大的缝隙。因此，如本文所述的分布组件经配置而使得应用于加热分布组件的能量可减少，因为能最小化热损失。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，沉积源520可包括屏蔽装置，特别是塑形屏蔽装置517，以定界提供至基板的蒸发的材料的分布锥。再者，屏蔽装置可经配置以减少朝向沉积区域的热辐射。再者，屏蔽物可通过冷却元件516冷却。举例来说，冷却元件516可安装于塑形屏蔽装置517的背侧且可包括用于冷却流体的导管。
在一些应用中，蒸发源可经配置以特别是在蒸发期间用于绕着轴旋转。因此，可提供旋转驱动可设置，举例为提供于源匣(source cart)与沉积源之间的连接处。旋转驱动经配置以用于在执行基板的沉积之前平行于基板转动蒸发源。用于OLED装置制造的各种应用包括同时蒸发两种或更多种有机材料的工艺。因此，在一些实施方式中，两个或更多个分布组件(特别是分布管和对应的蒸发坩埚)可相邻于彼此设置。这种蒸发源也可称为蒸发源阵列，举例为其中同时蒸发多于一种的有机材料。参照图7A和图7B说明蒸发源阵列的例子。
再者，范例性参照图5A，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，可提供沉积率测量组件580。特别地，沉积率测量组件580可设于分布组件530的测量出口535后方的分布组件的上端处。如图4A中离开测量出口535的箭头范例性所示，测量出口535可经配置以用于从分布组件530内部经由测量出口535提供蒸发的材料至沉积率测量组件580。
范例性参照图5B，沉积率测量组件580可包括振荡晶体581和保持器582。振荡晶体581用于测量沉积率，保持器582用于保持振荡晶体581。保持器582可包括具有大于k＝30W/(mK)的热导率k，特别是大于k＝50W/(mK)，更特别是大于k＝70W/(mK)，举例为大于k＝150W/(mK)。举例来说，保持器582可为实心主体，包括选自群组的至少一种材料，所述群组由铜、铝、铜合金、铝合金、黄铜、铁、银、银合金、金合金、镁、钨、碳化硅、氮化铝或其他合适的材料组成。因此，可减少在振荡晶体上的可降低测量准确度的热效应。
一般来说，振荡晶体581布置于保持器582内部，保持器582具有测量开口583。特别地，振荡晶体可紧密接触保持器的实心主体，使得热可从振荡晶体传送至保持器。如图5B中范例性所示，测量开口583可经配置和布置而使得蒸发的材料可沉积于振荡晶体上，用于测量蒸发的材料的沉积率。
根据可与本文所述其他实施方式结合的沉积率测量组件的替代经配置(未明确示出)，沉积率测量组件可包括用于测量沉积率的第一振荡晶体、用于测量沉积率的第二振荡晶体和可移动遮门(shutter)。可移动遮门经配置以用于阻挡从第一测量出口提供的蒸发的材料，其中第一测量出口经导向而用于提供蒸发的材料至第一振荡晶体，并且其中可移动遮门经配置以用于阻挡从第二测量出口提供的蒸发的材料，其中第二测量出口经导向以用于提供蒸发的材料至第二振荡晶体。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置的可移动遮门是可旋转元件，特别是可旋转盘，具有至少一个孔。所述至少一个孔经配置以用于在可旋转元件处于第一状态中时，提供用于从第一测量出口至第一振荡晶体的蒸发的材料的出入。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置的所述至少一个孔经配置以用于在可旋转元件处于第二状态中时，提供用于从第二测量出口至第二振荡晶体的蒸发的材料的出入。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置的所述至少一个孔包括第一孔和第二孔，第一孔和第二孔完全地(diametrically)相对于彼此布置。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置的所述至少一个孔包括第三孔和第四孔，第三孔和第四孔布置于第一孔和/或第二孔的相反侧上。一般来说，第三孔和第四孔布置在大体上对应于第一孔的径向位置和/或第二孔的径向位置的径向位置处。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置进一步包括加热器，所述加热器经配置以用于施加热至第一振荡晶体和/或第二振荡晶体，使得沉积于第一振荡晶体和/或第二振荡晶体上的材料可蒸发。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置进一步包括另外的加热器，所述另外的加热器设置于可移动遮门中，经配置以用于施加热至可移动遮门，使得沉积于可移动遮门上的材料可蒸发。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件的替代配置的加热器设在用于第一振荡晶体的第一保持器中和第二振荡晶体的第二保持器中。
在本公开内容中，“振荡晶体”可理解为经配置以通过测量振荡晶体谐振器的频率的改变，测量在每个单位面积的振荡晶体上的已沉积材料的质量变化的振荡晶体。特别地，在本公开内容中，振荡晶体可理解为石英晶体谐振器(quartz crystal resonator)。更特别地，“用于测量沉积率的振荡晶体”可理解为石英晶体微天平(quartz crystalmicrobalance，QCM)。
如图5B中范例性所示，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，热交换器584可布置于保持器582中，举例为相邻或临近于振荡晶体581。热交换器584可经配置以与振荡晶体和/或保持器582交换热。举例来说，热交换器可包括管，可通过所述管提供冷却流体。冷却流体可为液体(举例为水)或气体(举例为空气)。特别地，冷却流体可为冷却加压的空气。根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，热交换器584可经配置以用于将保持器582和/或振荡晶体581冷却至15℃或更低的温度，特别是10℃或更低的温度(举例为8℃或更低)。因此，可减少或甚至消除高温对沉积率测量的质量、准确度和稳定性的负面影响。特别地，通过提供如本文所述的测量组件，可减少或甚至消除振荡晶体的热波动(thermal fluctuations)，这可有利于沉积率测量的准确度。
范例性参照图5B，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，可提供温度传感器585，温度传感器585可经布置和配置，以用于测量保持器582和/或振荡晶体581的温度。因此，可获得有关于沉积率测量组件的温度的信息(举例为绝对温度或温度波动)，使得可检测振荡晶体倾向于不准确地测量的临界温度。因此，在通过温度传感器检测测量组件的(特别是保持器和/或振荡晶体的)临界绝对温度或临界温度波动的情况下，可开始举例为通过应用如本文所述的热交换器来进行冷却的适当反应，而可有利于沉积率测量准确度。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件580可包括温度控制系统586，用于控制振荡晶体581和/或保持器582的温度。特别地，温度控制系统586可包括温度传感器585、热交换器584和控制器575中的一个或多个。如图5B中范例性所示，控制器575可连接于温度传感器585，用于接收由温度传感器585测量的数据。再者，控制器575可连接于热交换器584，用于控制保持器582和/或振荡晶体581的温度。因此，根据由温度传感器585测量的温度，控制器可经配置以用于控制保持器582和/或振荡晶体581的温度。举例来说，在温度传感器585检测出振荡晶体倾向于不准确地测量的临界温度的情况下，控制器可发起控制信号至热交换器584来冷却保持器582和/或振荡晶体581。因此，在温度传感器585检测出振荡晶体的理想测量温度(举例为15℃以下，特别是10℃以下，更特别是5℃以下)的情况下，可通过发送对应的控制信号至热交换器来停止先前开始的冷却，使得冷却可停止。
范例性参照图5B，根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沉积率测量组件580可包括遮门587。遮门587用于阻挡来自测量出口535的蒸发的材料。特别地，遮门587可配置为从遮门的第一状态至遮门的第二状态可移动的，如图5B中的箭头所范例性图示。举例来说，遮门的第一状态可为打开状态。在打开状态中，遮门587不阻挡测量出口535。遮门587的第二状态可为遮门587阻挡测量出口535的状态，使得振荡晶体581被保护而不受经由测量出口535提供的蒸发的材料的影响，如图5B中范例性所示。因此，在不进行沉积率测量的情况中，可保护振荡晶体和/或保持器不受蒸发的材料的高温影响。
再者，遮门587可包括热保护屏蔽物588，用于保护振荡晶体581和/或保持器582而不受通过测量出口535提供的蒸发的材料的热的影响。附加地或替代地，遮门587可包括遮门冷却元件589。如图5B中范例性所示，热保护屏蔽物588可布置于遮门587的一侧上，遮门587的所述侧面对测量出口535。特别地，热保护屏蔽物588可经配置以用于反射经由测量出口535提供的蒸发的材料提供的热能。举例来说，热保护屏蔽物588可为板，举例为金属片。或者，热保护屏蔽物588可包括两个或更多个板，举例为两个或更多个金属片，所述两个或更多个板可相对于彼此间隔举例为0.1mm或更大的缝隙。举例来说，金属片可具有0.1mm至3.0mm的厚度。特别地，热保护屏蔽物包括含铁(ferrous)材料或非铁(non-ferrous)材料，举例为选自由铜(Cu)、铝(Al)、铜合金、铝合金、黄铜、铁、钛(Ti)、陶瓷和其他适合的材料组成的群组的至少一种材料。
图6A图示蒸发坩埚521的范例性实施方式。蒸发坩埚521包括壁，壁具有内部表面，内部表面围绕内部容积560，用于容纳举例为有机材料的源材料。举例来说，蒸发坩埚的容积可为100cm3与3000cm3之间，特别是700cm3与1700cm3之间，更特别是1200cm3。图6A中所示的坩埚图示为两个半部，这两个半部关于对称平面501镜像对称。一般来说，蒸发坩埚521可包括连接件524。坩埚和分布组件(特别是分布管)可经由连接件524来举例为通过形式配合(form-fit)连接而彼此连接。蒸发坩埚521可包括底部壁557和顶部壁558。底部壁和顶部壁可经由侧壁561-566彼此连接。因此，蒸发坩埚521的内部容积560可由底部壁557、顶部壁558和侧壁561-566包围。根据坩埚的实施方式，至少顶部壁558可包括坩埚开口504。坩埚开口504允许蒸发的源材料从坩埚离开且进入分布组件，分布组件举例为分布管，经配置以将蒸发的源材料导引至基板。
根据图6A中所示的实施方式，坩埚加热单元523可设置于蒸发坩埚521的壁处，或设置于蒸发坩埚521的壁中。举例来说，加热单元可包括一个或多个加热器。坩埚加热单元可至少沿着坩埚的壁的一部分延伸。根据本文的一些应用，蒸发坩埚521可进一步包括坩埚屏蔽物527。坩埚屏蔽物527可经配置以将坩埚加热单元523提供的热能朝向坩埚的壳件反射回去。因此，屏蔽坩埚可支持蒸发坩埚的内部容积内的源材料的有效加热。
根据实施方式，蒸发坩埚521可包括一个或多个热传送元件570，布置于蒸发坩埚521的内部容积560内。热传送元件570可经配置以提供坩埚的内部容积的间接加热。因此，来自一个或多个热传送元件的热可直接提供至坩埚的内部容积内的源材料。源材料可为粉末、液体和/或颗粒(pellets)的形式。举例来说，热传送元件可经配置以被动地接收热，且可不需直接连接于举例为加热单元和/或电源。特别地，热传送元件570可举例为从坩埚壁和/或从坩埚外部接收热。因此，在沉积工艺期间，来自壁和/或来自坩埚外部的热通过热传送元件来在坩埚的内部容积中分布，以确保源材料的更均匀加热和连续的蒸发。特别地，热传送元件可布置于坩埚的内部容积内，使得在坩埚的内部容积内的任何特定位置处测量的温度相较于预定温度和/或相较于坩埚的内部容积中的另一特定位置处的温度相差10℃或更小的最大温差，举例为5℃或更小的最大温差，例如是0.5℃至3℃的最大温差。再者，附加地或替代地，最大温差可为4％或更小，举例为2％或更小，例如是0.2％至1.1％。
范例性参照图6A，热传送元件570可从壁突出至蒸发坩埚521的内部容积560中。举例来说，第一热传送元件571和第二热传送元件572可提供成举例为杯状的形状，用于将液体源材料容纳在相应的第一热传送元件和第二热传送元件中。再者，第一热传送元件和第二热传送元件可连接于蒸发坩埚521的侧壁561-566的任何一个或多个的至少一部分。更特别地，第一热传送元件571可布置于第二热传送元件572上方，也就是第一热传送元件571较第二热传送元件572更靠近坩埚开口504。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，第一热传送元件和第二热传送元件可具有相同形状或可关于几何形状和/或尺寸不同。特别地，热传送元件570具有板状部570a和管状部570b。板状部570a可至少沿着在蒸发坩埚521的内部表面的一部分连接于侧壁561-566。管状部570b可布置于板状部570a的中心。特别地，管状部570b可朝向坩埚开口504延伸，而提供坩埚与举例为用于分布管的分布组件之间的流体交换的连接。更特别地，热传送元件570的管状部570b的开口的中心和坩埚开口504的中心可布置为沿着蒸发坩埚521的中心轴505对准。
根据本文的一些实施方式，一个或多个热传送元件可由包括具有高热导率的金属或合金的材料制成。举例来说，热传送元件可包括选自下述列的任一种或多种成分：钛、不锈钢和类金刚石碳(diamond-like carbon，DLC)。在本文的实施方式中，一个或多个热传送元件的材料可相对于源材料为惰性，使得热传送元件在蒸发工艺期间不与源材料反应。根据所使用的源材料的蒸发温度，一个或多个热传送元件的材料应至少对高至源材料的蒸发温度为稳定的且为惰性的，源材料的蒸发温度可举例为在150℃和650℃之间或更大。
范例性参照图6B，根据坩埚的替代实施方式，蒸发坩埚521可包括一个或多个热传送元件570。一个或多个热传送元件570从壁(特别是从侧壁)突出至坩埚的内部容积560中。特别地，一个或多个热传送元件570可提供成板573的形式，举例为图6B中所示的六个板，可布置于坩埚的内部容积中，以朝向分布组件导引蒸发的源材料。更特别地，六个板的每一个可从壁朝向蒸发坩埚521的内部容积560的中心突出。举例来说，六个板的每一个可布置为关于蒸发坩埚521的相应的侧壁垂直，如图6D中范例性所示。特别地，板573的任一个或全部可延伸至坩埚中或通过坩埚的壁。举例来说，如图6D中范例性所示，六个板的任一个或多个可延伸通过蒸发坩埚521的各相应的侧壁和/或底部壁557和/或顶部壁558。
根据坩埚的一些实施方式，坩埚的壁可包括多个狭缝，以容纳板573。狭缝可完全地延伸通过坩埚的壁。因此，狭缝可简化组装程序并且确保热从外部有效地传导至坩埚的内部容积。举例来说，在坩埚的组装期间，板可插入狭缝中，且可从坩埚外部进行焊接。再者，六个板的任何一个或多个可在纵向方向中平行于蒸发坩埚521的中心轴505延伸从约0％至约100％的蒸发坩埚521的内部容积560的总长度569。举例来说，六个板的任一个或多个可延伸至少约90％的坩埚的内部容积的总长度。
范例性参照图6C，根据坩埚的替代实施方式，一个或多个热传送元件570可包括多个板573，举例为十八个板，布置于蒸发坩埚521的内部容积560内。类似于图5B中所示的实施方式，十八个板的每一个可延伸通过坩埚的壁。通过增加板的数量，可增大坩埚的内部容积内的一个或多个热传送元件的表面积。再者，基于考虑坩埚的内部容积中的热分布和空间的特别有利应用，具有多个热传送元件可允许坩埚在热传送元件可增加和/或从坩埚的内部容积中取出的含义下模块化坩埚。根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，板可布置于坩埚中，使得在两个相邻平面间的交点处的最小绝对角度是在约5°及约175°之间的任意值，例如是举例为约30°、约45°或约60°，所述两个相邻平面的每个平面平行于其中一个板延伸。
图6D示出沿着线A-A的图6B中所示的蒸发坩埚521的截面立体图。图6D示出六个热传送元件，举例为板573，每个板573以关于相应的侧壁约90°的角度突出。如图6D中所示，六个板的每一个可延伸至坩埚的外部边缘。特别地，如图6D中范例性所示，六个板的至少四个板可突出相同距离至坩埚的内部容积中。或者，全部的六个板或更多板可突出相同距离或各突出不同的距离至坩埚的内部容积中。
再者，范例性参照图6D，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，蒸发坩埚521可具有六边形的几何形状。或者，蒸发坩埚521可包括其他几何形状，例如是矩形、圆形、椭圆形或三角形的形状。或者，蒸发坩埚521可具有圆形的几何形状，如图6E中范例性所示。特别地，根据图6E中所示的实施方式，热传送元件可设置成八个板的形式，布置于坩埚的内部容积560中，使得在两个相邻平面间的交点的最小绝对角度是约45°，所述两个相邻平面的每个平面平行于其中一个板延伸。如图6E中所示的多个热传送元件的对称布置可以是有利的，以确保坩埚的内部容积中的热的均匀分布。
如图6E中范例性所示，一个或多个热传送元件可布置于坩埚的内部容积中，使得内部容积的中心包括自由(free)空间，举例为自由的圆柱空间，具有从至少D＝10mm至D＝35mm的直径D。
根据本文所述的实施方式，蒸发源可包括一个或多个蒸发坩埚和一个或多个分布组件，特别是一个或多个分布管。一般来说，一个或多个分布管的相应一个可流体连通于一个或多个蒸发坩埚的相应一个。这种配置可特别是对于同时蒸发一种或多种材料的OLED装置有利。因此，如图7A中范例性所示，三个分布管和对应的蒸发坩埚可相邻于彼此设置。因此，蒸发源也可称为蒸发源阵列，举例为其中同时蒸发多于一种的材料。再者，具有三个分布管和对应的经配置以用于蒸发有机材料的蒸发坩埚的蒸发源阵列也可称为三联(triple)有机源。
范例性参照图7A至图7C，说明应用于本文所述的处理系统的分布组件530的实施方式。图7A示出分布组件的横截面的俯视图。分布组件可包括至少一个分布管，举例为包括三个分布管，如图7A中范例性所示。分布管533可为拉长的管，具有内部管537和外部管536。如图7A中范例性所示，三个分布管一般可设置而具有垂直于分布管的长度的非圆形横截面。特别地，垂直于分布管的长度的横截面可为具有圆角和/或截角的三角形。
因此，通过提供具有两个或更多个分布管的分布组件，可提供用于不同材料的共蒸发或共沉积的蒸发源。特别地，可以较小距离提供相邻分布管的出口。较小距离改善通过相邻出口发射的蒸发的材料的混合。
再者，如图7A中范例性所示，分布管可经配置和布置，使得各分布管的一个或多个出口的蒸发方向倾斜于沿着分布管的长度提供的对称平面。举例来说，分布管的主蒸发方向相对于正交于基板表面的表面发射的角度可为20°或更小，举例为在3°与10°之间。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，分布管的长度和分布管中全部出口的面积的乘积除以分布管的水力直径(也就是通过公式N*A*L/D计算的值)可为7000mm2或更小，举例为1000mm2至5000mm2。在此公式中，N是分布管中的出口的数量、A是一个出口的横截面积、L是分布管的长度、D是分布管的水力直径。
根据一些实施方式，分布管533可由加热元件加热。加热元件设置于内部管的内侧。加热元件可为电加热器，电加热器可由电热丝提供，电热丝举例为经涂布的电热丝，夹持或以其他方式固定于内部管。再者，冷却屏蔽物538可围绕分布管设置。如图6A中范例性所示，根据一些实施方式，第一冷却屏蔽物538A可围绕两个或更多个分布管。
如上文所说明的，在蒸发坩埚中蒸发的源材料分布于至少一个分布管中，且可经由出口539离开分布管。一般来说，多个出口539沿着分布管的长度分布。举例来说，出口可设置成喷嘴。一般来说，喷嘴延伸通过分布组件的热屏蔽物或热屏蔽物的堆叠结构。因此，因为喷嘴导引金属材料通过热屏蔽物，可减少在热屏蔽物出已蒸发材料的凝结。再者，可提供可加热至类似于内部温度的温度的喷嘴，喷嘴与分布管的被加热的壁接触。
如上所述，每个分布管流体连通于蒸发坩埚。再者，如图7A中所范例性图示，至少一个分布管一般具有垂直于分布管的长度的非圆形的横截面，且此横截面包括出口侧，在出口侧处提供一个或多个出口，其中横截面的出口侧的宽度是横截面的最大尺寸的30％或更少。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，蒸发器控制壳体541可设置而相邻于分布组件530，特别是相邻于分布管，且经由绝热器542连接于分布管，如图7A中范例性所示。特别地，蒸发器控制壳体可经配置以维持蒸发器控制壳体中的大气压力且经配置以容纳选自由以下项组成的群组的至少一个元件：开关、阀、控制器、冷却单元、冷却控制单元、加热控制单元、电源和测量装置。因此，用于操作用于蒸发源阵列的蒸发源的部件可靠近蒸发坩埚和分布管设置于大气压力下，且可与蒸发源一起移动通过沉积设备。
范例性参照图7A，除了第一冷却屏蔽物538A之外，可设置第二冷却屏蔽物538B。第二冷却屏蔽物538B可包括侧壁，所述侧壁布置使得提供U形冷却屏蔽物来减少朝向沉积区域的热辐射，也就是减少朝向基板和/或掩模的热辐射。举例来说，冷却屏蔽物可提供成金属板，所述金属板具有附接于金属板或设在金属板中的用于冷却流体(例如是水)的导管。附加地或替代地，可提供热电冷却装置或其他冷却装置以冷却被冷却的屏蔽物。一般来说，可冷却外部屏蔽物，外部屏蔽物也就是围绕分布管的内部中空空间的最外部的屏蔽物。
因此，如上所述，每一个分布管可包括加热元件(举例为加热板)和冷却屏蔽物(举例为水冷板)，以控制分布管内部和外部的温度。一般来说，三个分布管可全部由屏蔽物围绕，特别是由冷却屏蔽物围绕，如图7A中范例性所示。
通过提供用于如本文所述的蒸发源阵列的加热元件和冷却屏蔽物，可避免蒸发管内侧的蒸发材料的早期凝结，而同时可减少待涂布的基板暴露于热负载。
在图7A中，出于说明的目的，以箭头指示离开分布管的出口的已蒸发源材料。由于分布管的基本上三角形的形状，源自三个分布管的蒸发锥彼此邻近，使得可改善来自不同分布管的源材料的混合。特别地，分布管的横截面的形状允许相邻的分布管的出口或喷嘴靠近彼此放置。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，第一分布管的第一出口或喷嘴与第二分布管的第二出口或喷嘴可具有25mm或更小的距离，例如是从5mm至25mm的距离。更特别地，第一出口或喷嘴到第二出口或喷嘴的距离可为10mm或更小。
根据可与本文所述其他实施方式结合的再另外的实施方式，可提供喷嘴的管延伸。有鉴于分布管之间的小距离，此种管延伸可足够小来避免管中的阻塞或凝结。管延伸可被设计而使得两个或甚至三个源的喷嘴可在彼此之上方设置于一条线中，也就是沿着分布管的延伸(extension)的一条线中，此延伸可为竖直延伸。在具有此特别设计的情况下，甚至有可能在跨小管延伸的一条线中布置两个或三个源的喷嘴，使得实现完美的混合。
如图7A中进一步所示，可提供屏蔽装置，特别是塑形屏蔽装置517，举例为附接于第二冷却屏蔽物538B或作为第二冷却屏蔽物的一部分。通过提供塑形屏蔽物，可控制经由出口离开一个分布管或多个分布管的蒸汽的方向，也就是可减小蒸汽发射的角度。根据一些实施方式，通过出口或喷嘴蒸发的金属材料的至少一部分被塑形屏蔽物阻挡。因此，可控制发射角的宽度。根据一些实施方式，也可冷却塑形屏蔽装置，以进一步减少朝向沉积区域发射的热负载。塑形屏蔽物定界朝向基板分布的金属材料的分布锥，也就是塑形屏蔽物经配置以阻挡蒸发的源材料的至少一部分。
因此，包括热屏蔽物和/或冷却屏蔽物的分布组件的实施方式经配置以减少基板的温度上升，对温度敏感的有机材料可沉积于所述基板上。特别地，可将温度上升减少至5开尔文以下，或甚至1K以下。此外，可提供举例为多达10个金属板的金属板的堆叠结构，以减少从蒸发源至基板的热传送。再者，蒸发源的三角形形状可在关于减小被加热面积的方面有利，所述加热面积朝向基板辐射热。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，热屏蔽物或金属板可提供而具有用于出口或喷嘴的孔口，且可附接于源的至少前侧，也就是面对基板的侧。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，外部出口(特别是外部喷嘴)可包括朝向中心分布管的管延伸的短管，使得喷嘴的出口较靠在一起。特别地，管延伸可具有弯折(bend)，例如是60°至120°弯折，举例为90°弯折。根据可与本文所述其他实施方式结合的再另外的实施方式，可在分布管之间提供另外的屏蔽物543。举例来说，另外的屏蔽物543可为受冷却的屏蔽物或受冷却的凸部(lug)。因此，通过此种另外的屏蔽物，分布管的温度可独立于彼此控制。举例来说，在不同材料经由相邻的分布管蒸发的情况中，这些材料可能需要在不同温度进行蒸发。因此，举例为受冷却的屏蔽物的另外的屏蔽物543可减少蒸发源或蒸发源阵列中的分布管之间的干扰(cross-talk)。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，出口(举例为喷嘴)可布置而具有为水平±20°的主蒸发方向。根据一些特定的实施方式，蒸发方向可略微向上定向，举例为在从水平至向上15°的范围中，例如是向上3°至7°。
图7B示出根据本文所述实施方式的蒸发源的分布组件530的截面图。分布组件530包括三个分布管533，各具有多个喷嘴544。喷嘴544可沿着分布管的长度布置。图7B中的分布管的长度方向系垂直于图7B的图面。图7B的截面平面相交而通过三个所图示的分布管中的相应的喷嘴的出口。如图7B中所示，蒸发的源材料可从分布管533的内部体积通过喷嘴544的出口朝向基板101流动。喷嘴544经配置以用于导引蒸发的源材料的羽流318朝向基板101。
范例性参照图7B，根据实施方式，分布组件530可进一步包括塑形屏蔽装置517，塑形屏蔽装置517可布置于多个喷嘴544的下游。屏蔽装置可经配置以用于导引蒸发的源材料朝向基板101和用于单独地塑形蒸发的源材料的羽流。屏蔽装置可举例为经由例如是螺栓的固定元件而可拆卸地固定于分布管。屏蔽装置可包括多个孔545，其中多个孔545的至少一个孔可经配置以单独地塑形从单一关联的喷嘴发射的蒸发的源材料的羽流。或者，屏蔽装置的多个孔的每个孔可经配置以单独地塑形从单一关联的喷嘴发射的蒸发的源材料的单一羽流。也就是说，分离的孔可布置于多个喷嘴的每个喷嘴的前方。
因此，从多个喷嘴发射的蒸发的源材料的各羽流可通过多个孔的关联的孔单独地塑形。蒸发的源材料的羽流的单独塑形可带来提高的沉积准确度且可减少由掩模提供的遮蔽效应。特别地，蒸发的源材料的羽流的单独塑形可带来较小的羽流张张开角(openingangle)而具有更清楚限定的羽流侧(plumeflank)。可避免掩模上和/或基板上的羽流的大冲击角(impact angle)。
在一些实施方式中，至少一个孔可具有3mm或更大且25mm或更小的直径，特别是5mm或更大且15mm或更小的直径。其中，孔的直径可在孔的前端549测量，孔的前端549限定朝向基板101传播的羽流318的最大发射角度。
在一些实施方式中，孔可布置于关联的喷嘴的前方，如图7B范例性所示。举例来说，喷嘴的主发射方向X可对应于喷嘴的出口的中心与孔的中心之间的连接线。孔545可配置成用于羽流318的通道546，通道546由周壁(circumferential wall)围绕，其中周壁547可经配置以阻挡从喷嘴发射的蒸发的源材料的羽流318的至少一部分。在一些实施方式中，周壁547可经配置以阻挡蒸发的源材料的羽流318的外角部分。在一些实施方式中，周壁547可从屏蔽装置的基壁548平行于主发射方向X延伸，其中基壁548可基本上垂直于主发射方向X延伸。基壁可具有开口，用于羽流或用于喷嘴的出口，以进入孔。
如本文所使用的“孔”可表示由壁至少部分地围绕的开口或通道，所示壁经配置以塑形被导引通过壁的蒸发的源材料的单一羽流，特别是用于限制羽流的最大张开角和用于阻挡羽流的外部角部分。在一些实施方式中，通道可完全由周壁围绕，以在每个横截面中塑形羽流，横截面包括关联的喷嘴的主发射方向X。
在可与本文其他实施方式结合的一些实施方式中，屏蔽装置可布置于到分布管的近距离处，举例为在主发射方向X中的5cm或更小或1cm或更小的距离处。将孔布置在喷嘴下游近距离处可为有利的，因为即使多个喷嘴的相邻喷嘴布置在相对彼此近距离，也有可能进行羽流的单独塑形。
在一些实施方式中，喷嘴可至少部分地突出至屏蔽装置中。也就是说，可存在垂直于主发射方向X的截平面，所述截平面相交于喷嘴和屏蔽装置。举例来说，如图7B中范例性所示，喷嘴的出口可突出至孔中。特别地，喷嘴出口可突出至基壁548的开口中或突出至通道546中，通道由周壁547围绕。这允许从喷嘴发射的羽流318直接在喷嘴出口的下游塑形，使得相邻喷嘴可靠近彼此定位。
范例性参照图7B，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，喷嘴可不直接机械接触屏蔽装置。特别地，喷嘴可在距离孔壁的一距离处突出至孔中。举例来说，喷嘴与屏蔽装置之间的最小距离可小于3mm或小于1mm且/或大于0.1mm。通过避免喷嘴与屏蔽装置之间的直接接触，可提供喷嘴与屏蔽装置之间的热解耦。因此，可避免一般为热的喷嘴与屏蔽装置之间的直接热传导，使得可减少从屏蔽装置朝向基板的热辐射。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，周壁547可经配置以阻挡具有某个发射角的蒸发的源材料的羽流318的蒸发的源材料，所述发射角在第一截平面中关于主发射方向X大于第一最大发射角α。图7B的图面图示第一截平面。第一截平面可包括主发射方向X。在一些实施方式中，第一截平面是水平平面和/或垂直于分布组件(特别是分布管)的长度方向延伸的平面。如图7B中所示，孔545的周壁547经配置以阻挡在第一截面中的蒸发的源材料的羽流318的外部角部分，使得发射锥的张开角限制于2θ的角度。也就是说，周壁547阻挡由喷嘴在大于第一最大发射角α的发射角发射的蒸发的源材料的部分。举例来说，第一最大发射角α可为从10°至45°的角度，特别是从20°至30°的角度，更特别是约25°的角度。因此，在第一截平面中的发射锥的张开角2α可为20°或更大且90°或更小，特别是约50°。如图7B中所示，因掩模导致的遮蔽效应可通过减小第一最大发射角α来减小。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，周壁547可经配置以阻挡具有某个发射角的蒸发的源材料的羽流318的蒸发的源材料，此发射角在第二截平面中关于主发射方向X大于第二最大发射角，第二截平面垂直于第一截平面。第二截平面可为垂直于图7B的图面的平面。第二截平面可包括主发射方向X。在一些实施方式中，第二截平面是竖直平面和/或平行于分布管的长度方向延伸的平面。举例来说，孔的周壁547可经配置以阻挡在第二截平面中的蒸发的源材料的羽流318的外部角部分，使得发射锥的张开角限制于2β的角度。也就是说，周壁547可阻挡由喷嘴在大于第二截平面中的第二最大发射角β的发射角射出的蒸发的源材料的部分。举例来说，第二最大发射角β可为从10°至60°的角度，特别是从30°至40°的角度，更特别是约45°的角度。因此，第二截平面中的发射锥的张开角可为20°或更大且120°或更小，特别是约90°。因掩模330在垂直于图3的图面的平面中造成的遮蔽效应可通过减小第二最大发射角β来减小。
在一些实施方式中，第二最大发射角是不同于第一最大发射角的角度，特别是大于第一最大发射角的角度。这是因为较大的最大发射角在分布管的长度方向中可为可行的。特别地，在分布管的长度方向中，相邻喷嘴一般经配置以发射相同的蒸发材料，并且沿着分布管的相邻喷嘴的间隔可更容易地调整。另一方面，在垂直于分布管的长度方向的方向中彼此相邻的喷嘴可经配置以发射不同的材料，使得准确地设定相邻喷嘴的羽流的重叠可为有利的。
更特别地，第一截平面可为水平平面，第一最大发射角α度可从20°至30°，第二截平面可为竖直面，第二最大发射角β可从40°至50°。在一些实施方式中，分布管的长度方向中两个相邻喷嘴之间的距离可从1cm至5cm，特别是从2cm至4cm。因此，多个孔的两个相邻孔之间的距离(也就是相应的孔中心之间的距离)可为从1cm至5cm，特别是从2cm至4cm。举例来说，两个相邻孔之间的距离可分别对应于两个相邻的关联的喷嘴之间的距离。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，孔545配置成用于羽流318的圆弧通道(round passage)，此圆弧通道由周壁547围绕。“圆弧通道”可理解为在垂直于主发射方向X的截平面中具有圆弧的轮廓的通道，举例为弯曲的轮廓、圆形的轮廓或椭圆之轮廓。举例来说，周壁547可在垂直于主发射方向X的截平面中具有圆形或椭圆形的形状。圆形通道可塑形羽流318，使得羽流318关于主发射方向旋转对称。椭圆通道可塑形羽流318，使得羽流318在对应于椭圆通道的长轴的第一截平面中具有大张开角，且在对应于椭圆通道的短轴的第二截平面中具有小张开角。椭圆通道的长轴可布置于竖直方向中，且椭圆通道的短轴可布置于水平方向中。
举例来说，根据一些实施方式，周壁547可在垂直于主发射方向X的截平面中形成圆。此圆的直径(也就是通道的内直径)可为3mm或更大且25mm或更小，特别是5mm或更大且15mm或更小。通道的直径可在通道的下游端测量，通道的下流端限定羽流318的最大张开角。在一些实施方式中，在主发射方向X中的周壁547的长度可为恒定的。在可与本文所述其他实施方式结合的其他实施方式中，孔545可配置成用于羽流318的通道546，通道546由周壁547围绕，其中在主发射方向X中的周壁的长度在周方向中变化。更特别地，导向基板的周壁547的前端549可与喷嘴出口具有在周方向中变化的距离。通过在周方向中改变周壁的长度，羽流318的张开角可经配置以在各种截平面中不同。
更特别地，如图7B中所范例性图示的，周壁547可在包括主发射方向X的第一截平面中具有第一长度T1，并且周壁可在包括主发射方向X且垂直于第一截平面延伸的第二截平面中具有小于第一长度T1的第二长度T2。第一截平面可垂直于分布管的长度方向，第一截平面举例为水平平面。第二截平面可平行于分布管的长度方向，第二截平面举例为竖直平面。
周壁的长度可从第一截平面中的第一长度T1到第二截平面中的第二长度T2连续地改变。也就是说，周壁547的前端549可在周方向中不包括阶跃且不包括不连续性。因此，羽流318的张开角可在周方向中逐渐地改变，而可有利于改善沉积准确度。特别地，在一些实施方式中，第一长度T1可为8mm与20mm之间的长度，特别是约12mm之长度，并且/或者第二长度T2可为3mm与15mm之间的长度，特别是约6.5mm之长度。周壁的“长度”可对应于连接喷嘴出口和周壁的前端的向量在主发射方向X上的相应截平面中的投影长度。
再者，应注意的是，当周壁的前端549在周方向中具有波状或起伏(undulating)形状时，可在基板上沉积具有锐缘的像素。因此，波峰可位于第一截平面中，第一截平面也就是图7B的图面，且波底可布置于第二截平面中，第二截平面也就是垂直于第一截面的平面。周壁547的前端549可包括两个波峰和两个波底。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，塑形屏蔽装置可包括多个分离的屏蔽单元，所述屏蔽单元相邻于彼此布置。多个分离的屏蔽单元的每一个屏蔽单元可包括多个孔545的一个或多个孔。如本文所使用的“分离的”屏蔽单元可表示两个或更多个屏蔽单元，所述两个或更多个屏蔽单元不直接彼此接触且被提供为分离的部件而没有直接的机械连接。如图7B中所示，多个分离的屏蔽单元的屏蔽单元不直接彼此接触。举例来说，分离的屏蔽单元可利用一个或多个相应的固定元件来分别地固定于相应的分布管。在一些实施方式中，多个分离的屏蔽单元的每个屏蔽单元可包括多个孔545的单一孔。每个孔可配置成由屏蔽壁围绕的通道，屏蔽壁经配置以用于塑形蒸发的源材料的单一羽流。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，多个分离的屏蔽单元的至少一个塑形屏蔽单元包括多个孔545的两个、三个、四个、五个或更多个孔，这些孔可通过举例为线性布置的支撑结构彼此连接。所述至少一个屏蔽单元的相邻两个孔之间的距离可分别为1cm或更大且5cm或更小。在一些实施方式中，多个屏蔽装置的每个屏蔽装置可包括多个孔的两个或更多个孔。当减少屏蔽装置的屏蔽单元的数量时，可有助于安装塑形屏蔽装置于分布管。因此，增加每个屏蔽单元的孔的数量可为有利的。
在一些实施方式中，每个屏蔽单元的孔的数量是10个或更少，特别是5个或更少。当屏蔽单元不跨大的长度延伸时，屏蔽单元可更容易地跟随其中一个分布管的局部热膨胀和收缩。特别地，当其中一个分布管膨胀或收缩时，相邻的屏蔽单元可相对于彼此移动。在图7B中图示连接于分布管533的屏蔽单元从剩余的屏蔽单元机械地去耦，使得相对于剩余的屏蔽单元是可移动的。举例来说，第一分布管533A的温度可不同于第二分布管533B的温度和第三分布管533C的温度而变化，使得分布管可在沉积期间相对于彼此略微地移动。屏蔽单元可跟随相应的分布管的运动，因为屏蔽单元分别从剩余的屏蔽单元机械地去耦。因此，即使当分布管系相对于彼此移动时或当其中一个分布管热膨胀或收缩时，蒸发的源材料的羽流可以稳定的方式塑形。屏蔽单元的一个或多个孔可分别跟随一个或多个关联的喷嘴的运动。因此，在一些实施方式中，多个分离的屏蔽单元的每个屏蔽单元可从多个分离的屏蔽单元的剩余的屏蔽单元机械地去耦，以不跟随剩余的屏蔽单元的热造成的运动。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，多个分离的屏蔽单元的至少一个屏蔽单元可连接于单一的分布管，以在所述单一的分布管热收缩或膨胀时在所述单一的分布管的长度方向中跟随所述单一的分布管的热膨胀和收缩，特别是关于连接于所述单一的分布管的另外的屏蔽单元移动。
范例性参照图7B，根据一些实施方式，第一分布管533A的喷嘴的主发射方向可相对于第二分布管533B和/或第三分布管533C的喷嘴的主发射方向倾斜。举例来说，主发射方向可倾斜而使得从第一分布管533A发射的蒸发的源材料的羽流可与从第二分布管533B和/或从第三分布管533C发射的蒸发的源材料的羽流重叠。在一些实施方式中，分布管经布置而使得分布管的主发射方向可基本上在基板的表面上交会。在截平面中从不同分布管发射的羽流可导向基板上基本上相同的区域。
图7C示出根据本文所述实施方式的分布组件530的截面图，其中截平面在分布管533的长度方向中延伸。分布管的长度方向可为竖直方向。在一些实施方式中，第二分布管533B和/或第三分布管533C可在竖直方向中基本上平行于第一分布管533A延伸，如图7B中所示。如图7C中范例性所示，分布管533一般包括多个喷嘴544，喷嘴544在分布管的长度方向中相邻于彼此布置。多个喷嘴的第一喷嘴544A和第二喷嘴544B示出于图7C中。蒸发的源材料的第一羽流318A由第一喷嘴544A发射，蒸发的源材料的第二羽流318B由第二喷嘴544B发射。
一般来说，塑形屏蔽装置517布置于多个喷嘴的下游，以塑形从多个喷嘴发射的蒸发的源材料的羽流。塑形屏蔽装置可包括多个个别屏蔽单元，其中多个屏蔽单元518的第一屏蔽单元518A描绘于图7C中。第一屏蔽单元518A可包括第一孔545A和第二孔545AB，第一孔545A和第二孔545B可根据参照图7B说明的孔545配置。第一孔545A可经配置以单独地塑形从第一喷嘴544A发射的第一羽流318A，第二孔545B可经配置以单独地塑形从第二喷嘴544B发射的第二羽流318B。
根据典型实施方式，屏蔽单元可包括在线性布置中的多个孔的多于两个孔，举例为三个、四个或五个孔这些孔可通过支撑结构连接，支撑结构举例为板元件。屏蔽单元的孔可经配置以用于单独地塑形三个、四个或五个相邻喷嘴的蒸发的源材料的羽流，所述的三个、四个或五个相邻喷嘴沿着分布管的长度方向相邻于彼此布置。分布管可包括在线性布置中的10个或更多个喷嘴。因此，多于一个的屏蔽单元(举例为两个、三个或更多个屏蔽单元)可以线性布置方式固定于分布管。多个分离的屏蔽单元的每个屏蔽单元可机械地固定于蒸发源的两个或更多个分布管的单一的分布管。屏蔽单元可彼此机械去耦和/或热去耦，使得个别的屏蔽单元之间的相对运动可为可行的。因此，当屏蔽单元上的分布管固定以延伸或收缩时，屏蔽单元可相对于彼此移动。
举例来说，例如是图示于图7C中的第一屏蔽单元518A的屏蔽单元可固定于分布管533，以从分布管533热去耦。举例来说，第一屏蔽单元518A可通过一个或多个间隔件元件519保持于距分布管533的一距离处。间隔件元件519可布置于屏蔽单元与分布管之间。间隔件元件519可配置成支撑区段，布置于分布管的喷嘴之间。间隔件元件519可提供小的接触区域，以减少从分布管533朝向屏蔽单元518的热流。举例来说，间隔件元件519的接触区域可为1mm2或更小，特别是0.25mm2或更小。屏蔽单元518可经由一个或多个固定元件固定于分布管，固定元件举例为螺栓，可由具有低导热性材料制成。
在分布管的长度方向中的屏蔽单元518的长度可为20cm或更小，特别是10cm或更小。由于屏蔽单元的小的长度，屏蔽单元可跟随由分布管的热引发的局部运动，举例为膨胀或收缩运动。举例来说，当分布管膨胀时，固定于分布管的第一屏蔽单元可移动远离固定于相同的分布管的第二屏蔽单元。当分布管收缩时，固定于分布管的第一屏蔽单元可朝向固定于相同的分布管的第二屏蔽单元移动。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，屏蔽单元在沿着屏蔽单元的长度方向的单一固定部分刚性紧固于分布管，举例为在屏蔽单元的中央部。在另外的位置，屏蔽单元可固定于分布管533，使得允许屏蔽单元与分布管之间的相对运动。举例来说，在图7C中所示的实施方式中，屏蔽单元(举例为第一屏蔽单元518A)的第一端部518C和屏蔽单元的第二端部518D可举例为通过固定元件可移动地固定于分布管。固定元件例如是螺栓，贯穿可提供于屏蔽装置中的槽孔。在一些实施方式中，槽孔可在屏蔽单元的长度方向中于分布管与屏蔽单元之间提供大于0.01mm且小于0.5mm的间隙，间隙举例为约0.1mm。
图7D图示根据本文所述实施方式的用于蒸发源的塑形屏蔽装置的屏蔽单元518的立体图。如上所述，塑形屏蔽装置可包括多个分离的屏蔽单元，举例为三个或更多个屏蔽单元，特别是12个或更多个屏蔽单元。一般来说，屏蔽单元518可包括两个或更多个孔545且/或十个或更少个孔，特别是五个孔。每个孔可配置成通道，通道由屏蔽壁围绕，屏蔽壁举例为周壁547。圆弧通道(特别是圆形通道)可节省空间且易于制造。由于旋转对称之故，圆弧通道可具有蒸发的源材料可在周向方向中以相同冲击角冲击屏蔽壁的另外的优点。在沉积期间，蒸发的源材料可在周向方向中均匀地聚积于屏蔽壁上。屏蔽单元的清洁可变得较简单。
如图7D中范例性所示，屏蔽单元518的孔可布置成具有在相邻孔之间1cm或更大且5cm或更小，特别是约2cm的距离的线性布置。屏蔽单元518可配置成一件式部件，其中孔可由屏蔽支撑结构518B连接，屏蔽支撑结构518B举例为拉长的板元件。屏蔽单元518可具有3cm或更小、2cm或更小或甚至1cm或更小的宽度。屏蔽支撑结构518B可在第一端包括一个或多个孔洞，且在相对于第一端的第二端包括一个或多个孔口，用于举例为通过螺栓或螺钉将屏蔽单元固定于分布管。在一些实施方式中，可在孔之间分别提供另外的孔洞。屏蔽单元518的每个孔可经配置，以单独地塑形从蒸发源的单一关联的喷嘴发射的蒸发的源材料的羽流。在本文所述的一些实施方式中，屏蔽单元518的孔可分别具有在3mm与25mm之间的直径，特别是在5mm与15mm之间的直径。屏蔽单元的孔的小直径可改善沉积准确度。然而，小的孔直径倾向于更容易地阻塞，而可降低沉积效率和沉积均匀性。因此，本文所述的分布组件提供而用于跨长时段维持高沉积准确度，而同时可避免孔的阻塞。
范例性参照图7E和图7F，说明用于如本文所述的分布组件的喷嘴的范例性实施方式。一般来说，喷嘴590可包括指导部分591。指导部分591导引蒸发的材料至待涂布的基板。指导部分可举例为经形成和设计，以使从喷嘴释放的蒸汽羽流成为所需的形状和强度。再者，喷嘴590一般包括连接部分592，用于如本文所述的喷嘴至分布组件(例如是分布管533)的可交换连接。特别地，喷嘴590的连接部分592可经配置而用于将喷嘴拧紧至分布管。举例来说，喷嘴的连接部分可包括螺纹区域593，螺纹区域593特别是外螺纹，如图7E中范例性所示。相应地，根据本文所述的一些实施方式的分布管可包括内螺纹，用于连接喷嘴于分布管。根据一些实施方式，喷嘴的螺纹可具有典型地在约5mm与约15mm之间的外直径，更典型地约6mm与12mm之间，甚至更典型地约8mm与10mm之间。
如图7F中范例性所示，喷嘴590一般包括喷嘴入口594、喷嘴出口595、和在喷嘴入口与喷嘴出口之间的通路596。因此，来自坩埚的蒸发的材料被导引于分布管中且通过喷嘴入口594进入喷嘴590。蒸发的材料系接着通过喷嘴的通路596并且在喷嘴出口595处离开喷嘴。根据一些实施方式，通路596的形状可为任何适合形状，以导引蒸发的材料通过喷嘴。举例来说，喷嘴通路的横截面可具有大体上圆形的形状，但也可具有椭圆形的形状，或拉长的孔洞的形状。在一些实施方式中，喷嘴通路的横截面可具有大体上矩形、大体上方形、或甚至是大体上三角形的形状。
再者，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的一些实施方式，喷嘴的通路596可包括第一区段596A和第二区段596B。喷嘴的第一区段596A提供第一区段尺寸598A(举例第一直径)和第一区段长度597A。喷嘴的第二区段596B提供第二区段尺寸598B(举例为第二直径)和第二区段长度597B。根据本文所述的实施方式，第二区段尺寸可典型地是第一区段尺寸的2至10倍大，更典型地是2倍与8倍之间，甚至更典型地是3倍与7倍之间。在一个例子中，第二区段尺寸可以是第一区段尺寸的4倍大。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，喷嘴通路596的第一区段596A可包括喷嘴入口594，喷嘴的通路596的第二区段596B可包括喷嘴出口595。根据一些实施方式，第一区段尺寸598A可典型地为1.5mm与约8mm之间，举例为约2mm与约4mm之间。第二区段尺寸598B可为3mm与约20mm之间，举例为约4mm与约10mm之间。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，通路的第一区段596A的长度或通路的第二区段596B的长度可为2mm与约20mm之间，更典型地约2mm与约15mm之间，甚至更典型地约2mm与约10mm之间。
根据一些实施方式，特别是通过具有小于第二区段的尺寸，第一区段可经配置以增加从分布管导引至喷嘴中的蒸发的材料的均匀性。根据一些实施方式，相对窄的第一区段可迫使蒸发的材料的粒子以更均匀的方式布置。在第一区段中使的蒸发的材料更均匀可举例为包括使蒸发的材料的密度、单一粒子的速度和/或蒸发的材料的压力更均匀。
根据本文所述的实施方式，第二区段(一般相邻于第一区段布置)可经配置以用于增加蒸发的材料的方向性。举例来说，当蒸发的材料离开具有小于第二区段的尺寸的第一区段时，从第一区段流动至第二区段的蒸发的材料将扩散。然而，第二区段可捕捉(catch)从第一区段扩散的蒸发的材料并且导引蒸发的材料朝向基板。当来自根据本文所述实施方式的材料沉积布置的蒸发的材料的羽流与已知系统的蒸发的材料的羽流相比较时，来自根据本文所述实施方式的材料沉积布置的蒸发的材料的羽流更精确地朝向基板、或朝向掩模(举例为像素掩模)导引。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的一些实施方式，可在第一区段596A与第二区段596B之间提供过渡区段。举例来说，相较于如图7F中所示的阶梯转变，过渡区段可经配置以在第一区段596A与第二区段596B之间提供斜坡。一般来说，过渡区段的长度可为第一区段和/或第二区段长度的1/6与4/6之间，更特别是1/6与1/2之间且甚至更特别是1/3与1/2之间。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，本文设计喷嘴可经设计以形成具有类似cosn形轮廓的羽流，其中n特别是大于4。在一个例子中，喷嘴经设计以形成具有类似cos6形轮廓的羽流。如果需要羽流的窄的形状，实现cos6形式的蒸发的材料的羽流的喷嘴可为有用的。举例来说，包括用于具有小开口(例如是具有约50μm及更小的尺寸的开口，举例为20μm)的基板的掩模的沉积工艺可受益于窄的cos6形羽流，且由于蒸发的材料的羽流不散布在掩模上而是穿过掩模的开口，可增强材料利用。根据一些实施方式，喷嘴可经设计而使得喷嘴的长度与喷嘴的通路的尺寸的关系在所限定的关系中，例如是具有2:1或更大的比率。根据附加的或替代的实施方式，喷嘴的通路可包括阶梯、倾斜、准直器(collimator)结构和/或压力级(pressurestages)，用于实现所需的羽流形状。
根据一些实施方式，喷嘴经配置以提供少于1sccm的质量流，更典型地仅1sccm的零数，甚至更典型地为0.5sccm以下。在一个例子中，根据本文所述实施方式的喷嘴中的质量流可少于0.1sccm，例如是0.05sccm或0.03sccm。在一些实施方式中，分布管中的压力及至少部分地在喷嘴中的压力可典型地为约10-2mbar与10-5mbar之间，更典型地为约10-2mbar与10-3mbar之间。
范例性参照图7F，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的一些实施方式，喷嘴可包括第一喷嘴材料599A和第二喷嘴材料599B。举例来说，第一喷嘴材料599A可经选择以具有大于21W/mk的热导率数值。第二喷嘴材料599B可经选择以对蒸发的有机材料为惰性。举例来说，第二喷嘴材料599B可为喷嘴的部分。或者，可使用第二喷嘴材料599B以在通路的内表面上提供涂层。
根据一些实施方式，第二喷嘴材料的厚度一般可在一些纳米至若干微米的范围中。在一个例子中，在喷嘴开口中的第二喷嘴材料的厚度可典型地为约10nm至约50μm之间，更典型地为约100nm至约50μm之间，甚至更典型地约500nm至约50μm之间。在一个例子中，第二喷嘴材料的厚度可为约10μm。
一般来说，第一喷嘴材料可经选择以具有大于分布管的热导率的热导率。喷嘴可连接于分布管。在一些实施方式中，第一喷嘴材料可经选择以对蒸发的有机材料为惰性。一般来说，第一喷嘴材料可包括由以下项组成的群组的至少一种材料：Cu、Ty、Ta、Nb、Ti、类金刚石涂层(DLC)或石墨。在一个例子中，喷嘴包括铜并且在喷嘴通路的内侧上提供材料涂层，举例为Ta、Nb、Ti、类金刚石涂层、不锈钢、石英玻璃和石墨。
因此，有鉴于上述，将理解的是，通过提供根据本文所述实施方式的具有喷嘴的分布组件，蒸发的材料的羽流可更精确地导引朝向基板或朝向掩模，使得可改善沉积准确度。
范例性参照图8A至图8E，说明用于处理系统的维修模块610的实施方式。如参照图1A与图1B图所述的，维修模块一般可连接于如本文所述的处理系统的处理模块。特别地，维修模块的真空维护腔室可经由开口连接于处理模块的真空处理腔室。所述开口经配置以用于从真空处理腔室传送沉积源(特别是蒸发源)至真空维护腔室。特别地，开口可包括栅阀，栅阀经配置以用于打开和关闭真空处理腔室与真空维护腔室之间的真空密封。因此，当栅阀处于打开状态中时，沉积源可传送至维修模块。之后，栅阀可关闭，以提供真空处理腔室与真空维护腔室之间的真空密封。如果阀关闭，可通风并且打开真空维护腔室，以用于在不破坏真空处理腔室中的真空的情况下维护沉积源。或者，如参照图8C至图8E的说明，可提供经配置以用于封闭真空处理腔室与真空维护腔室之间的开口的密封装置。
图8A示出维修模块610的立体图，维修模块可应用于如本文所述的处理系统100中。特别地，如图8A中范例性所示，维修模块经配置以用于容纳如本文所述的沉积源520。更特别地，维修模块可经配置以用于容纳两个沉积源。所述两个沉积源可在处理模块中可互换地使用。举例来说，在第二沉积源在维修模块中进行维护时，第一沉积源可于处理模块中用于沉积工艺。
举例来说，在如图8A中所示的范例性实施方式中，沉积源520安装于源支撑件(举例为源匣)上。源屏蔽物(举例为参照图7A至图7E更详细地说明的材料收集单元40)安装于源支撑件的顶部上，以保护维修模块610的维修凸缘615来避免由沉积源提供的蒸发的材料的任何过度喷涂(overspray)。特别地，维修凸缘615可经配置和布置，使得在维修模块中的沉积源由维修凸缘615围绕。更特别地，维修模块一般包括两个维修凸缘，用于可存在于维修模块中的两个沉积源。举例来说，第一源维修凸缘可电磁地附接于维修模块，而同时第二源维修凸缘可处于维修模块内部的维修位置中。特别地，维修凸缘可经配置以提供真空处理腔室与真空维护腔室之间的密封。
一般来说，源维修凸缘是铝铸件，可包括大气箱。大气箱可包括用于媒介臂的主连接件，例如是电力电缆、通信电缆和冷却水供应线。媒介臂在本文中也称为连接装置630，且参照图8B而更详细地说明。
范例性参照图8A，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，维修模块610可包括维修模块门614。维修模块门614用于提供到维护区域的进出，以维护沉积源。特别地，维修模块门614可包括滑动机构613。滑动机构613用于打开维修模块门614。举例来说，当维修模块在大气条件下时，可打开维修模块门614。特别地，维修模块门可通过打开和关闭夹持件和使用扶手以人工地打开门来打开。如图8A中范例性所示，维修模块门可在滑动机构613的轨(特别是线性轨)上移动。因此，通过提供具有可独立于真空处理腔室通风的真空维护腔室的维修模块，有可能在不使真空处理腔室通风的情况下维护或更换真空维护腔室中的沉积源，使得举例为显示装置的工艺可继续。
再者，如图8A中范例性所示，维修模块一般包括用于沉积源的媒介供应器640。特别地，媒介供应器640包括供应通道。供应通道可经配置和布置，使得可从维修模块的顶部提供至沉积源的供应，如图8A中范例性所示。更特别地，供应通道可经配置以用于供应沉积源举例为电连接和/或媒介。媒介例如是流体(举例为水)和/或气体。供应通道可经配置以用于导引一个或多个线和/或电缆通过所述供应通道，例如是水供应线、气体供应线和/或电缆。在一些应用中，供应通道可经配置以用于提供大气环境，也就是说，即使是在例如是真空处理腔室和/或真空维护腔室的环境抽空至技术真空时，供应通道可经配置以维持大气压力于供应通道中。
如图8B中范例性所示，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，维修模块610可设置有输送设备720，用于非接触式输送沉积源组件，如参照图10A-图10C图更详细说明的。一般来说，用于沉积源组件的非接触式输送的输送设备包括导引结构770。导引结构770经配置以用于导引源支撑件531。一般来说，源支撑件531配置为能够与沉积源一起从真空处理腔室传送至真空维护腔室(和从真空维护腔室传送至真空处理腔室)，由图8B中的虚线描绘的沉积源组件730所示。
范例性参照图8B，根据一些实施方式，可提供密封装置620。密封装置620可经配置以用于关闭和打开在真空处理腔室与真空维护腔室之间的连接。在一些应用中，密封装置620可附接于沉积源组件。举例来说，密封装置620可为板，经配置以用于以大体上真空密闭地封闭真空处理腔室与真空维护腔室之间的开口。因此，当真空处理腔室与真空维护腔室之间的开口通过密封装置来关闭或密封时，真空维护腔室可通风并打开而用于沉积源的维护，而不破坏真空处理腔室中的真空。
如图8B中的双箭头所范例性图示，源支撑件531一般是相对于密封装置620可移动的。沉积源(未示出于图8B中)可安装于源支撑件531上。特别地，如图8B中范例性所示，可提供连接源支撑件531与密封装置620的连接装置630。连接装置在本文中也可称为媒介供应臂。特别地，媒介供应臂是伸缩臂(telescope arm)且经配置以在处理模块内部与沉积源同时向前和向后移动。作为一个例子来说，连接装置630可经配置以用于导引源支撑件531相对于密封装置620的平移运动。附加地或替代地，连接装置630可提供或容纳用于沉积源的媒介供应器。作为一个例子来说，连接装置630可为臂，特别是被动臂(passive arm)。在一些实施方式中，连接装置630的至少一部分提供大气环境，以避免任何粒子影响媒介供应器。作为一个例子来说，大气环境可提供于连接装置630内部，并且可特别是提供于臂内部。
在一些应用中，臂可包括两个或更多个臂部分。此两个或更多个臂部分通过相应的铰链连接，以允许源支撑件531与密封装置620之间的相对运动。作为一个例子来说，连接装置630可包括第一臂632和第二臂634，如图8B中范例性所示。一般来说，第一臂和/或第二臂配置成用于容纳供应线的供应管。第一臂632具有第一端部632A和第二端部632B，第一端部632A连接于源支撑件531，第二端部632B通过铰链636连接于第二臂634的第三端部634C。铰链636可布置于壳体内部。根据一些实施方式，举例为用于容纳供应设备的大气箱可设置于第一臂632的第一端部632A与源支撑件531之间的连接处。第二臂634具有第四端部634D，第四端部634D连接于真空处理腔室和/或真空维护腔室616。根据典型的实施方式，连接装置630设置于维修凸缘615内侧。
再者，一般为了在延伸和收缩媒介供应臂期间负载平衡的目的，弹簧系统可安装于媒介供应臂。特别地，弹簧系统可经布置和配置而使得在媒介供应臂的延伸期间，举例为在源支撑件移动远离密封装置时，弹簧系统的一个或多个弹簧延伸，使得产生平衡收缩力。平衡收缩力抵抗伸缩臂的重量。
范例性参照图8B，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，可旋转装置625可设置于真空维护腔室616中。特别地，可旋转装置625可经配置以用于容纳源支撑件。沉积源可安装于源支撑件上。一般来说，可旋转装置625也可经配置以容纳维修凸缘。作为一个例子来说，可旋转装置625可为可旋转平台。在一些实施方式中，可提供经配置以用于驱动或旋转可旋转装置625的驱动。举例来说，驱动可经由转轴连接于可旋转装置625。转轴举例为中空转轴。
根据一些实施方式，可旋转装置625可经配置以用于支撑两个或更多个沉积源。作为一个例子来说，举例为要维修或更换的第一沉积源可从真空处理腔室传送至真空维护腔室，且特别是传送至可旋转装置625上。举例为已维修的或新的第二沉积源可也设置于可旋转装置625上。当两个沉积源位于可旋转装置625上，也就是第一沉积源和第二沉积源位于可旋转装置625上时，可旋转装置625旋转举例为约180度，使得第一沉积源和第二沉积源交换位置。接着，第二沉积源可传送至真空处理腔室中并且连接真空处理腔室与真空维护腔室的开口可举例为通过密封装置620密封。密封装置620可连接于第二沉积源。
图8C至图8E图示出根据本文所述实施方式的附接于处理系统的维修模块610的处理模块510的示意性俯视图，其中第一沉积源520A和第二沉积源520B图示成在处理系统的操作期间的不同状态。特别地，图8C示出位于真空处理腔室540中的第一沉积源520A和位于真空维护腔室616中的第二沉积源520B，特别是位于可旋转装置625上的第二沉积源520B。
如图8D中所示，举例为要维修或更换的第一沉积源520A可从真空处理腔室540传送至真空维护腔室616，且特别是传送至可旋转装置625上。作为一个例子来说，第一沉积源520A和第二沉积源520B可举例在它们的密封装置朝向彼此定向的情况下背靠背的位于可旋转装置625上。也就是说，两个密封装置可定位或夹置于第一沉积源与第二沉积源之间。
当两个蒸发源(也就是第一沉积源520A和第二沉积源520B时)位于可旋转装置625上时，可旋转装置625旋转举例为约180度，使得第一沉积源520A和第二沉积源520B交换位置。在图8D中，旋转以箭头图示。接着，第二沉积源520B可传送至真空处理腔室540中，并且连接真空处理腔室540与真空维护腔室616的开口可举例为通过第二沉积源520B的密封装置620进行密封。真空维护腔室616可通风来维修或移除第一沉积源520A。因此，如本文所述的处理系统的实施方式允许沉积源的交换，而无需破坏真空处理腔室中的真空。当两个不同层或两个不同层的堆叠结构应于一个处理模块中沉积于基板上时，第一沉积源520A可举例为通过应用如本文所述的维修模块610由第二沉积源520B来更换的这种配置可为有利的。特别地，对于在基板上沉积两个不同材料的层来说，第一层可由第一沉积源沉积于基板上且接着第二层可由第二沉积源沉积于基板上。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，至少一个沉积源(举例为第一沉积源520A和第二沉积源520B)可包括致动器，致动器举例为转矩马达、电动转子或气动转子。致动器可经由真空旋转馈通(feed-through)提供扭矩，举例为铁磁流体(ferrofluid)密封的旋转馈通。特别地，致动器可经配置以绕着基本上竖直的轴旋转至少分布组件，特别是分布管。一般来说，源支撑件531经配置以容纳致动器和馈通。
范例性参照图9A和图9B，说明用于处理系统100的路由模块410的实施方式。特别地，路由模块410的立体图示出于图9A中，各连接于处理模块510的两个相邻路由模块的俯视图示出于图9B中。
如图9A中范例性所示，路由模块410一般包括旋转单元420。旋转单元420经配置以旋转基板载体和/或掩模载体，使得基板载体和/或掩模载体可传送至相邻连接的处理模块。特别地，旋转单元420可设置于真空路由腔室417中，特别是可经配置以提供如本文所述的真空条件的真空路由腔室。更特别地，如图9A中范例性所示，旋转单元可包括旋转驱动。旋转驱动系经配置以用于绕着旋转轴419旋转支撑结构418。支撑结构418用于支撑基板载体和/或掩模载体。特别地，旋转驱动可经配置以用于在顺时针方向和时针方向中提供旋转单元至少180°的旋转。
再者，如图9A中范例性所示，路由模块410一般包括至少一个第一连接凸缘431和至少一个第二连接凸缘432。举例来说，至少一个第一连接凸缘431可经配置以用于连接如本文所述的处理模块。至少一个第二连接凸缘432可经配置以用于连接另外的路由模块或真空摆动模块，如参照图1A和图1B图范例性说明的。一般来说，路由模块包括四个连接凸缘。此四个连接凸缘举例为两个第一连接凸缘和两个第二连接凸缘。两个第一连接凸缘和两个第二连接凸缘的各对布置于路由模块的相对侧上。因此，路由模块可包括三种不同类型的连接凸缘，在本文也称为路由凸缘，举例为用于连接处理模块的连接凸缘，用于连接摆动模块的连接凸缘，和用于连接另外的路由模块的连接凸缘。一般来说，一些或全部的不同类型的连接凸缘具有外壳框状的结构，经配置以用于在外壳框状结构内部提供真空条件。再者，连接凸缘一般可包括用于掩模载体的入口/出口和用于基板载体的入口/出口。
在图9B中，示出处理系统的一部分。在处理系统的此部分中，两个处理模块经由两个相邻的路由模块彼此连接。特别地，图9B示出处理系统的一部分，在处理系统的此部分中，第一路由模块411连接于第一处理模块511和另外的路由模块412。另外的路由模块412连接于另外的处理模块512。如图9B中所示，栅阀115可设置于相邻的路由模块之间。栅阀115可关闭或打开，以提供路由模块之间的真空密封。栅阀的存在可取决于处理系统之应用，举例为沉积于基板上的有机材料层的种类、数量和/或顺序。因此，一个或多个栅阀可设置于传送腔室之间。或者，在任何传送腔室之间不设置栅阀。
如参照图9A的说明，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，路由模块的一个或多个可包括真空路由腔室417。真空路由腔室417设置有旋转单元420。其中，在处理系统的操作期间所应用的设置于基板载体中的基板和/或设置于掩模载体中的掩模可绕着旋转轴419旋转。旋转轴419举例为竖直中心轴。
一般来说，旋转单元420经配置以用于旋转输送轨道布置715。输送轨道布置715包括第一输送轨道711和第二输送轨道712，如图9B中范例性所示。因此，路由模块内部的输送轨道布置715可改变。特别地，路由模块可经配置而使得第一输送轨道711和第二输送轨道712可旋转至少90°，举例为旋转90°、180°或360°，使得轨道上的载体旋转成待传送至处理系统的其中一个相邻腔室中的位置。
根据典型的实施方式，第一输送轨道711和第二输送轨道712经配置以用于非接触式输送基板载体和掩模载体。特别地，第一输送轨道711和第二输送轨道712可包括另外的导引结构870和驱动结构890，经配置以用于非接触式平移基板载体和掩模载体，如参照图11A-图11E更详细说明的。
如图9B中所示，在第一路由模块411中，举例为第一基板101A和第二基板101B的两个基板旋转。举例为第一输送轨道711和第二输送轨道712的两个输送轨道(基板定位于所述两个轨道上)关于从第一处理模块511的输送轨道布置715延伸的两个输送轨道旋转。因此，输送轨道上的两个基板提供于待传送至相邻的另外的路由模块412的位置中。
如图9B中范例性所示，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，输送轨道布置715的输送轨道可从真空处理腔室540延伸至真空路由腔室417中。因此，基板101的一个或多个可从真空处理腔室传送至相邻的真空路由腔室。再者，如图9B中范例性所示，栅阀115可设置于处理模块与路由模块之间。栅阀115可打开，以用于输送一个或多个基板。如图9B中范例性所示，另外的处理模块512也可通过栅阀115连接于另外的路由模块412。因此，将理解的是，基板可从第一处理模块传送至第一路由模块，从第一路由模块传送至另外的路由模块，和从另外的路由模块传送至另外的处理模块。因此，可执行举例为沉积各种有机材料层于基板上的若干工艺，而不暴露基板于不期望的环境，例如是大气环境或非真空环境。
如上所述，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，处理系统可经配置，使得基板可沿着第一方向移动离开处理模块。以所述方法，基板沿着基本上直线路径移动至相邻的真空腔室中。此相邻的真空腔室举例为真空路由腔室，真空路由腔室在本文也可称为真空传送腔室。在传送腔室中，基板可旋转，使得基板可在第二方向中沿着第二直线路径移动。第二方向不同于第一方向。如图9B中范例性图示，第二方向可大体上垂直于第一方向。为了传送基板至另外的处理模块512，基板可在第二方向中从第一路由模块411移动至另外的路由模块412中，且可接着在另外的路由模块412中旋转举例为180°。之后，基板可移动至另外的处理模块512中。
范例性参照图10A-图10C，说明用于非接触式输送沉积源组件的输送设备720。一般来说，输送设备720布置于如本文所述的处理模块510的真空处理腔室540中。特别地，输送设备720经配置以用于非接触式悬浮、输送和/或对准沉积源。非接触式悬浮、输送和/或对准沉积源的优点是在输送期间没有颗粒举例为因为与导引轨道机械接触而产生。因此，由于在使用非接触式悬浮、输送和/或对准时最小化颗粒产生，本文所述的输送设备720的实施方式提供沉积于基板上的层的改善的纯度和均匀性。
如本公开内容通篇所使用的术语“非接触式”可理解为应用于处理系统中的元件(举例为沉积源组件、载体或基板)的重量不由机械接触或机械力保持，而是由磁力保持的含义。特别地，沉积源组件或载体组件使用磁力取代机械力来保持于悬浮或浮动状态。作为一个例子来说，本文所述的输送设备可不具有支撑沉积源组件的重量的机械装置，例如是不具有机械轨。在一些应用中，在沉积源移动经过基板期间，沉积源组件与剩余的输送设备之间可没有任何机械接触。
相较于用于导引沉积源的机械装置，另外的优点是本文所述的实施方式不受到影响沉积源沿着待涂布的基板的移动的线性度的摩擦力。沉积源的非接触式输送允许沉积源的无摩擦运动，其中沉积源与基板之间的目标距离(target distance)可以高精确度和速度来控制和维持。再者，悬浮允许沉积源速度的快速加速或减速和/或沉积源速度的精细调整。因此，如本文所述的处理系统提供改善的层均匀性。层均匀性对若干因素敏感，例如是举例为沉积源与基板之间的距离变化，或沉积源在发射材料时沿着基板移动的速度的变化。
再者，机械轨的材料一般可因腔室的抽空、因温度、使用、磨损或类似者而面临变形。这种变形影响沉积源与基板之间的距离，且因而影响所沉积的层的均匀性。相较之下，如本文所述的输送设备的实施方式允许举例为存在于导引结构中的任何潜在变形的补偿。特别地，如本文所述的输送设备的实施方式允许沿着一个、两个或三个空间方向的沉积源组件的非接触式平移，用于对准沉积源。沉积源的对准可以是相对于待涂布的基板的对准，举例为相对于待涂布的基板的平移或旋转对准，以举例为定位沉积源于距基板的目标距离处。一般来说，当沉积源移动经过基板来沉积材料于基板上时，可执行相对于基板的对准或定位。更特别地，设备可经配置，以用于沿着竖直方向和/或沿着一个或多个横向方向非接触式平移沉积源组件。竖直方向举例为y方向，横向方向举例为x方向和z方向，如范例性参照图10A至图10C更详细说明的。用于沉积源的对准范围可为2mm或更小，更特别是1mm或更小。
再者，本文所述的输送设备的实施方式允许相对于一个、两个或三个旋转轴的沉积源组件的非接触式旋转，用于角度地对准沉积源。沉积源的对准可举例为包含在目标竖直定向中相对于基板定位沉积源。特别地，输送设备可经配置，以用于绕着第一旋转轴、第二旋转轴和/或第三旋转轴的沉积源组件的非接触式旋转。第一旋转轴可于横向方向中延伸，此横向方向举例为x方向或源输送方向。第二旋转轴可在横向方向中延伸，此横向方向举例为z方向。第三旋转轴可在竖直方向中延伸，此竖直方向举例为y方向。沉积源组件相对于任何旋转轴的旋转可提供于2°或更小的角度中，举例为从0.1度至2度或从0.5度至2度。
在本公开内容中，术语“大体上平行的”方向可包括与彼此形成大至10度、或甚至大至15度的小角度的多个方向。再者，术语“大体上垂直的”方向可包括与彼此形成小于90度的角度的多个方向，举例为至少80度或至少75度。类似的考量应用于大体上平行或垂直的轴、平面、区域或类似物的概念。
本文所述的一些实施方式包含“竖直方向”的概念。竖直方向视为大体上平行于重力所沿着延伸的方向的方向。竖直方向可从严格竖直性(后者由重力定义)偏移举例为大至15度的角度。举例来说，本文的y方向(于附图中以“Y”表示)是竖直方向。特别地，示出于附图中的y方向定义重力的方向。
特别地，本文所述的输送设备可使用于竖直基板处理中。其中，基板在基板处理期间竖直定向。也就是说，基板平行于本文所述的竖直方向布置，也就是允许从严格竖直性的可能的偏移。可提供基板定向从严格竖直性的小的偏移，举例为因为具有这种偏移的基板支撑件可造成更稳定的基板位置或减少粘附于基板表面上的颗粒。基本上竖直的基板可具有从竖直定向+-15°或更小的偏移。
本文所述的实施方式可进一步包含“横向方向”的概念。横向方向理解为区别于竖直方向。横向方向可垂直或大体上垂直于由重力定义的严格竖直方向。举例来说，本文所述的x方向和z方向(于图10A至图10C中以“X”和“Z”表示)是横向方向。特别地，附图中所示的x方向和z方向垂直于y方向(且x方向和z方向垂直于彼此)。在另外的例子中，本文所述的横向力或相反力视为沿着横向方向延伸。
如图10A中所范例性图示的，输送设备720一般包括沉积源组件730。沉积源组件730包括如本文所述的沉积源520和源支撑件531。源支撑件531用于支撑沉积源520。特别地，源支撑件531可为源匣。沉积源520可安装于源支撑件531。如图10A中的箭头所示，沉积源520适用于发射材料来沉积于基板101上。再者，如图10A中范例性所示，掩模330可布置于基板101与沉积源520之间。掩模330可设置而用于避免由沉积源520发射的材料沉积于基板101的一个或多个区域上。举例来说，掩模330可为边缘排除屏蔽物，经配置以用于遮蔽基板101的一个或多个边缘区域，使得没有材料在基板101的涂布期间沉积于所述一个或多个边缘区域上。作为另一例子来说，掩模可为阴影掩模，用于遮蔽多个特征。这些特征利用来自沉积源组件的材料沉积于基板上。
再者，范例性参照图10A，沉积源组件730可包括第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742。输送设备720一般进一步包括导引结构770。导引结构770于沉积源输送方向中延伸。导引结构770可具有线性形状，沿着源输送方向延伸。沿着源输送方向的导引结构770的长度可为从1m至6m。第一主动磁性单元741、第二主动磁性单元742和导引结构770经配置，以用于提供第一磁性悬浮力F1和第一磁性悬浮力F2，用于悬浮沉积源组件730，如图10A中所范例性图示的。
在本公开内容中，“主动磁性单元”或“主动磁性元件”可为适用于产生可调整的磁场的磁性单元或磁性元件。可调整的磁场在输送设备的操作期间可以是动态地可调整的。举例来说，磁场可在沉积源520发射材料来沉积材料于基板101上期间为可调整的和/或可在层形成工艺的沉积循环之间为可调整的。替代地或附加地，基于沉积源组件730相对于导引结构的位置，磁场可为可调整的。可调整之磁场可为静态磁场或动态磁场。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，主动磁性单元或元件可经配置，以用于产生磁场来提供沿着竖直方向延伸的磁性悬浮力。或者，主动磁性单元或元件可经配置，以用于提供沿着横向方向延伸的磁力，举例为如下所说明的相反磁力。举例来说，如本文所述的主动磁性单元或主动磁性元件可为或可包括选自由以下项组成的群组的元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁体；或上述元件的任何组合。
如图10A中范例性所示，在输送设备720的操作期间，导引结构770的至少一部分可面对第一主动磁性单元741。导引结构770和/或第一主动磁性单元741可至少部分地布置在沉积源520的下方。
在操作中，沉积源组件730是沿着x方向相对于导引结构可移动的。再者，可沿着y方向、沿着z方向和/或沿着任意空间方向提供位置调整。导引结构系经配置，以用于非接触式导引沉积源组件的移动。导引结构770可为静态导引结构，可静态地布置于真空处理腔室中。特别地，导引结构770可具有磁性性质。举例来说，导引结构770可由磁性材料制成。磁性材料举例为铁磁材料，特别是铁磁钢。因此，导引结构可为或可包括被动磁性单元。
在本文中使用“被动磁性单元”或“被动磁性元件”的术语，以与“主动”磁性单元或元件的概念区别。被动磁性单元或元件可表示具有不受主动控制或调整的磁性性质的单元或元件。举例来说，被动磁性单元或元件可适用于产生举例为静态磁场的磁场。被动磁性单元或元件可不配置为产生可调整的磁场。一般来说，被动磁性单元或元件可为永久磁体或可具有永久的磁性性质。
相较于被动磁性单元或元件，基于由主动磁性单元或元件产生的磁场的可调性和可控性，主动磁性单元或元件提供更多的灵活性和精密度。根据本文所述的实施方式，可控制由主动磁性单元或元件产生的磁场，以提供沉积源的对准。举例来说，通过控制可调整的磁场，可以高准确度来控制作用于沉积源组件上的磁性悬浮力，因而通过主动磁性单元或元件提供沉积源的非接触式竖直对准。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，输送设备可包括驱动系统。驱动系统经配置，以用于沿着导引结构770驱动沉积源组件730。驱动系统可为磁性驱动系统，经配置以用于在源输送方向中在没有沿着导引结构770的接触的情况下输送沉积源组件730。驱动系统可为线性马达。驱动系统可经配置，以用于沿着导引结构开始和/或停止沉积源组件的运动。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，非接触式驱动系统可为被动磁性单元和主动磁性单元的结合。被动磁性单元特别是设置于导引结构处的被动磁性单元。主动磁性单元特别是设置于沉积源组件中或设置于沉积源组件处的主动磁性单元。
根据实施方式，可控制沿着源输送方向的沉积源组件的速度来控制沉积率。沉积源组件的速度可在控制器的控制之下实时调整。调整可提供来补偿沉积率改变。可定义速度曲线(speed profile)。速度曲线可确定沉积源组件在不同位置处的速度。速度曲线可被提供至或存储于控制器中。控制器可控制驱动系统，使得沉积源组件的速度与速度曲线一致。因此，可提供沉积率的实时控制和调整，使得可进一步改善层均匀性。如根据本文所述的实施方式考量的，由于基板和掩模可在涂布期间保持静止，沿着源输送方向的沉积源组件的平移移动在涂布工艺期间提供高涂布精确度，特别是高遮蔽精确度。
在沿着导引结构770的沉积源组件730的非接触式运动期间，沉积源520可朝向基板接收区域中的基板发射(举例为连续地发射)材料来涂布基板。沉积源组件730可沿着基板扫掠(sweep)，使得在一次涂布扫掠期间，可在源输送方向中跨基板的整个范围涂布基板。在涂布扫掠中，沉积源组件730可从初始位置开始且移动至最终位置，而不改变方向。根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，沿着沉积源输送方向的导引结构770的长度可为沿着源输送方向的基板接收区域的范围的90％或更多、100％或更多、或甚至是110％或更多。一般来说，基板接收区域具有相同于或略(举例为5-20％)大于对应的基板尺寸相同的尺寸，举例为长度和宽度。因此，可提供在基板边缘处的均匀沉积。再者，由于基板和掩模可在涂布期间维持静止，沿着源输送方向的沉积源组件的平移移动在涂布工艺期间提供高涂布精确度，特别是高遮蔽精确度。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，当沉积源沿着基板移动来沉积材料于基板上时，沉积源可在没有接触的情况下举例为竖直地、角度地或横向地如本文所述的进行对准。当沉积源沿着导引结构输送时，沉积源可进行对准。在沉积源的运动期间，对准可为连续或间歇对准。沉积源运动期间的对准可在控制器的控制之下执行。控制器可接收有关于沿着导引结构的沉积源的当前位置的信息。基于有关于沉积源的当前位置的信息，可在控制器的控制下执行沉积源的对准。因此，可补偿导引结构的潜在变形。因此，在沉积源沿着基板运动期间，沉积源可随时维持在相对于基板的目标距离处或目标定向处，因而进一步改善沉积于基板上的层的均匀性。附加地或替代地，可在沉积源静止时执行沉积源对准。举例来说，对准可在沉积循环之间针对暂时静止的沉积源执行。
范例性参照图10A，输送设备720可包括沉积源组件730。沉积源组件730具有第一平面733。第一平面733包括沉积源组件730的第一旋转轴734。沉积源组件730可包括第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742。第一主动磁性单元741布置于第一平面733的第一侧733A。第二主动磁性单元742布置于第一平面733的第二侧733B。第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742经配置，以用于磁性地悬浮沉积源组件730。特别地，第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742各适用于产生磁场，举例为产生可调整之磁场，用于提供作用于沉积源组件730上的个别的磁性悬浮力。因此，第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742经配置，以用于绕着第一旋转轴734旋转沉积源520来对准沉积源520。
如图10A中范例性所示，第一平面733可延伸通过沉积源组件730，特别是通过沉积源组件730的主体部分。第一平面733可包括沉积源组件730的第一旋转轴734。根据典型的实施方式，第一旋转轴734可延伸通过沉积源组件730的质心。在操作中，第一平面733可于竖直方向中延伸。第一平面733可大体上平行于或大体上垂直于基板接收区域或基板延伸。在操作中，第一旋转轴734可沿着横向方向延伸。
由第一主动磁性单元741产生的磁场与导引结构770的磁性性质相互作用，以提供作用于沉积源组件730上的第一磁性悬浮力F1。第一磁性悬浮力F1作用于在第一平面733的第一侧733A上的沉积源组件730的一部分上。在图10A中，第一磁性悬浮力F1以提供于第一平面733左手侧上的向量表示。根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，第一磁性悬浮力F1可至少部分地抵消沉积源组件730的重力G。
如本文所述的“部分地”抵消重力G的磁性悬浮力的概念需要磁性悬浮力提供悬浮动作(也就是向上的力)于沉积源组件上，但单独的磁性悬浮力可能不足以悬浮沉积源组件。部分地抵消重力的磁性悬浮力的大小小于重力G的大小。
由示出于图10A中的第二主动磁性单元742产生的磁场与导引结构770的磁性性质相互作用，以提供作用于沉积源组件730上的第二磁性悬浮力F2。第二磁性悬浮力F2作用于在第一平面733的第二侧733B上的沉积源组件730的一部分上。在图10A中，第二磁性悬浮力F2以提供于第一平面733右手侧上的向量表示。第二磁性悬浮力F2可至少部分地抵消沉积源组件的重力G。
第一磁性悬浮力F1第二磁性悬浮力F2的叠加提供作用于沉积源组件730上的叠加的磁性悬浮力。叠加的磁性悬浮力可完全地抵消沉积源组件的重力G。叠加的磁性悬浮力可足以提供沉积源组件730的非接触式悬浮，如图10A中所示。然而，可提供另外的非接触式力，使得第一磁性悬浮力F1和第二磁性悬浮力F2提供可部分地抵消重力G的叠加的磁性悬浮力，且第一磁性悬浮力F1、第二磁性悬浮力F2和所述另外的非接触式力提供叠加的磁性悬浮力以完全地抵消重力G。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，第一主动磁性单元可经配置，以用于产生第一可调整磁场来提供第一磁性悬浮力F1。第二主动磁性单元可经配置，以用于产生第二可调整磁场来提供第二磁性悬浮力F2。设备可包括控制器755，经配置以用于单独地控制第一主动磁性单元741和/或第二主动磁性单元742，用于控制第一可调整磁场和/或第二可调整磁场来对准沉积源。更特别地，控制器755可经配置，以用于控制第一主动磁性单元和第二主动磁性单元来在竖直方向中平移地对准沉积源。通过控制第一主动磁性单元和第二主动磁性单元，沉积源组件可定位于目标竖直位置中。再者，在控制器的控制之下，沉积源组件可维持在目标竖直位置中。
考虑到沉积源的对准，第一主动磁性单元和/或第二主动磁性单元的单独控制可提供额外的优点。单独控制允许绕着第一旋转轴734的沉积源组件730的旋转，用于角度地对准沉积源520。举例来说，参照图10A，以使得第一磁性悬浮力F1大于第二磁性悬浮力F2的方式单独地控制第一主动磁性单元741和/或第二主动磁性单元742产生扭矩，所述扭矩可提供而用于绕着第一旋转轴734的沉积源组件730的顺时针旋转。类似地，大于第一磁性悬浮力F1的第二磁性悬浮力F2可造成绕着第一旋转轴734的沉积源组件730的逆时针旋转。
由第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742的单独可控性提供的旋转自由度允许控制沉积源组件730相对于第一旋转轴734的角定向。在控制器755的控制之下，可提供和/或维持目标角定向。沉积源组件的目标角定向可为竖直定向，举例为根据所述定向，第一平面733平行于y方向，如图10A中所示。或者，目标定向可为倾斜或略微倾斜的定向，根据所述倾斜或略微倾斜的定向，第一平面733相对于y方向倾斜目标角度。
范例性参照图10A，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，输送设备720可包括第一被动磁性单元745和另外的主动磁性单元743。第一被动磁性单元745举例为永久磁体。第一被动磁性单元745可布置于第一平面733的第二侧733B。在操作中，第一被动磁性单元745可面对导引结构770的第二部分772并且/或者可设置于第一平面733与第二部分772之间。
另外的主动磁性单元743可布置于第一平面733的第一侧733A处。在操作中，另外的主动磁性单元743可面对导引结构770的第一部分771并且/或者可至少部分地设置于第一平面733与第一部分771之间。一般来说，另外的主动磁性单元743可为与第一主动磁性单元741相同的类型、与第二主动磁性单元742相同的类型。举例来说，另外的主动磁性单元743、第一主动磁性单元741和/或第二主动磁性单元742可为相同类型的电磁体。与第一主动磁性单元741和第二主动磁性单元742相比，另外的主动磁性单元743可具有不同的空间定向。特别地，相对于举例为第一主动磁性单元741，另外的主动磁性单元743可绕着垂直于图10A的图面的横向轴旋转举例为约90度。
另外的主动磁性单元743可经配置以用于产生磁场，特别是产生可调整的磁场。由另外的主动磁性单元743产生的磁场与导引结构770的磁性性质相互作用，以提供作用于沉积源组件730上的第一相反横向力O1。第一相反横向力O1是磁力。因此，另外的主动磁性单元743和导引结构770经配置，以用于提供第一相反横向力O1。第一相反横向力是抵消第一横向力的可调整力。再者，范例性参照图10A，控制器755可经配置，以用于控制另外的主动磁性单元743来提供横向对准。
一般来说，第一被动磁性单元745和导引结构770经配置以用于提供第一横向力T1。
特别地，第一被动磁性单元745可经配置，以用于产生磁场。由第一被动磁性单元745产生的磁场可与导引结构770的磁性性质相互作用，以提供作用于沉积源组件730上的第一横向力T1。第一横向力T1是磁力。第一横向力T1沿着横向方向延伸，如本文所述。第一横向力T1可沿着大体上垂直于源输送方向的方向延伸。举例来说，第一横向力T1可大体上平行于z方向，如图10A中所示。
范例性参照图10A，将理解的是，第一相反横向力O1沿着横向方向延伸。所述横向方向可相同于或大体上平行于第一横向力T1所沿着延伸的横向方向。举例来说，示出于图10A中的第一横向力T1和第一相反横向力O1两者均沿着z方向延伸。特别地，第一相反横向力O1和第一横向力T1是为相反或相互作用力。这通过第一横向力T1和第一相反横向力O1由指向相反方向的沿着z方向的等长的向量表示的方面来图示于图10A中。第一相反横向力O1和第一横向力T1可具有相同的大小。第一相反横向力O1和第一横向力T1可于相反方向中沿着横向方向延伸。第一横向力T1和第一相反横向力O1可大体上垂直于基板接收区域或基板或源输送方向。
举例来说，如图10A中所示，第一横向力T1可由第一被动磁性单元745与导引结构770之间的磁吸引产生。磁吸引促使第一被动磁性单元745朝向导引结构770，特别是朝向导引结构的第二部分772。第一相反横向力O1可由另外的主动磁性单元743与导引结构770之间的磁吸引产生。磁吸引促使另外的主动磁性单元743朝向导引结构770，特别是朝向导引结构770的第一部分771。
或者，第一横向力T1可由第一被动磁性单元745与导引结构770之间的磁排斥产生。第一相反横向力O1可由另外的主动磁性单元743与导引结构770之间的磁排斥产生。在此情况中，第一横向力T1和第一相反横向力O1是相互作用力。因此，第一相反横向力O1可完全地抵消第一横向力T1。第一相反横向力O1可抵消第一横向力T1，使得沿着举例为z方向的横向方向作用于沉积源组件730上的净力为零。因此，沉积源组件730可沿着横向方向在没有接触的情况下保持在目标位置处。
如图10A中所示，控制器755可经配置，以用于控制另外的主动磁性单元743。另外的主动磁性单元743的控制可包括控制由另外的主动磁性单元743产生的可调整磁场，以控制第一相反横向力O1。控制另外的主动磁性单元743可提供沿着横向方向的沉积源520的非接触式对准，此横向方向举例为z方向。特别地，通过合适地控制另外的主动磁性单元743，沉积源组件730可沿着横向方向定位于目标位置中。在控制器的控制之下，沉积源组件可保持在目标位置中。
由被动磁性单元提供的第一横向力T1是静态力，静态力不在输送设备的操作期间面临调整或控制。因此，第一横向力T1可视为模拟沿着横向方向作用的假想的“重力型(gravitational-type)”力。举例来说，第一横向力T1可视为模拟沿着横向方向的物体的假想重力。反过来说，在此范例中，第一相反横向力O1可视为模拟假想的“悬浮型(levitation-type)”力，抵抗沿着横向方向的物体的假想重力。因此，沉积源的非接触式横向对准可从相同于沉积源的非接触式竖直对准的原理来理解。沉积源的非接触式横向对准通过用于抵消第一横向力T1的另外的主动磁性单元的控制来提供。沉积源的非接触式竖直对准通过用于抵消沉积源组件的真实的(也就是竖直的)重量G的第一主动磁性单元的控制来提供。因此，用于横向地对准沉积源的另外的主动磁性单元的控制可使用相同技术执行，并且基于相同于控制第一主动磁性单元来提供竖直对准的控制算法执行。这提供用于对准沉积源的简化的方法。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，导引结构770的第一部分771和第二部分772可为导引结构770的分离部件。在操作中，导引结构770的第一部分771可布置于第一平面733的第一侧733A处。导引结构770的第二部分772可布置于第一平面733之第二侧733B处。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，包括于沉积源组件730中的一个或多个或全部的磁性单元可安装于源支撑件531。举例来说，如图10A和图10B中所示，如本文所述的第一主动磁性单元741、第二主动磁性单元742、第一被动磁性单元745和/或另外的主动磁性单元743可安装于源支撑件531。
导引结构770的第一部分771和第二部分772可各为被动磁性单元并且/或者可包括一个或多个被动磁体组件。举例来说，第一部分771和第二部分772可各由铁磁材料(举例为铁磁钢)制成。第一部分771可包括第一凹槽773和第二凹槽774。在操作中，沉积源组件730的磁性单元(举例为图示于图10B中的第一主动磁性单元741)可至少部分地布置于第一凹槽773中。在操作中，沉积源组件的另一个磁性单元(举例为另外的主动磁性单元743)可至少部分地布置于第二凹槽774中。导引结构770的第一部分771可在垂直于源输送方向的横截面中具有E形轮廓，源输送方向举例为x方向。大体上沿着第一部分771的长度的E形轮廓可限定第一凹槽773和第二凹槽774。类似地，第二部分772可包括第三凹槽775和第四凹槽776。在操作中，沉积源组件730的磁性单元(举例为图10B中所示的第二主动磁性单元742)可至少部分地布置于第三凹槽775中，并且第一被动磁性单元745可至少部分地设于第四凹槽776中。第一被动磁性单元745可与设置于导引结构770处的另外的被动磁性单元746相互作用。第二部分772可在垂直于源输送方向的横截面中具有E形轮廓。基本上沿着第二部分772的长度的E形轮廓可限定第三凹槽775和第四凹槽776。
通过将沉积源组件730的磁性单元至少部分地布置于导引结构770的个别的凹槽中，可获得导引结构与个别凹槽中的磁性单元之间改善的磁性相互作用，以提供本文所述的第一磁性悬浮力F1、第二磁性悬浮力F2、第一横向力T1和/或第一相反横向力O1。
范例性参照图10B，根据输送设备的一些实施方式，被动磁性驱动单元780可设置于导引结构处。举例来说，被动磁性驱动单元780可为多个永久磁体，特别是形成具有变化的极定向的被动磁体组件的多个永久磁体。所述多个磁体可具有交替的极定向，以形成被动磁体组件。主动磁性驱动单元781可设置于源组件处或位于源组件中，举例为设置于源支撑件531处或源支撑件531中。当源组件悬浮时，被动磁性驱动单元780和主动磁性驱动单元781可提供用于沿着导引结构运动的驱动，举例为非接触式驱动。
图10C示出根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式的源支撑件531。源支撑件531举例为源匣。所示的下述单元可安装于源支撑件531：沉积源520；第一主动磁性单元741；第二主动磁性单元742；第三主动磁性单元747；第四主动磁性单元748；第五主动磁性单元749；第六主动磁性单元750；第一被动磁性单元751；第二被动磁性单元752；或上述项的任何组合。第五主动磁性单元749可为参照图10A所述的另外的主动磁性单元743。
图10C图示延伸通过源支撑件531的如本文所述的第一平面733。第一平面733包括如本文所述的第一旋转轴734。如图10C中所示，在操作中，第一旋转轴734可大体上平行于x方向。
在操作中，第一旋转轴可沿着横向方向延伸，此横向方向举例为大体上平行于x方向。第一主动磁性单元741、第三主动磁性单元747、第五主动磁性单元749和/或第六主动磁性单元750可布置于第一平面733的第一侧上。第二主动磁性单元742、第四主动磁性单元748、第一被动磁性单元751和第二被动磁性单元752可布置于第一平面733的第二侧上。
再者，图10C图示延伸通过源支撑件531的第二平面766。第二平面766可垂直于第一平面。在输送设备720的操作期间，第二平面可在竖直方向中延伸。在操作期间，第一平面733可大体上平行于基板接收区域或基板。第二平面766可大体上垂直于基板接收区域。第二平面766包括沉积源组件的第二旋转轴767。第二旋转轴767可大体上垂直于第一旋转轴。在操作中，第二旋转轴767可沿着横向方向延伸，此横向方向举例为大体上平行于z方向，如图10C中所示。
如图10C中范例性所示，第一主动磁性单元741、第二主动磁性单元742、第五主动磁性单元749和/或第一被动磁性单元751可布置于第二平面766的第一侧上。第三主动磁性单元747、第四主动磁性单元748、第六主动磁性单元750和第二被动磁性单元752可布置于第二平面766的第二侧上。
在操作中，图示于图10C中的具有安装在源支撑件531上的八个磁性单元的源支撑件531可相对于导引结构布置。导引结构包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分具有如图10B中所示的限定凹槽的E形轮廓。第一主动磁性单元741和第三主动磁性单元747可至少部分地布置于第一凹槽773中。第五主动磁性单元749和第六主动磁性单元750可至少部分地布置于第二凹槽774中。第二主动磁性单元742和第四主动磁性单元748可至少部分地布置于第三凹槽775中。第一被动磁性单元751和第二被动磁性单元752可至少部分地布置于第四凹槽776中。
第一主动磁性单元、第二主动磁性单元、第三主动磁性单元和第四主动磁性单元中的每一个可经配置，以用于提供作用于沉积源组件上的磁性悬浮力。这四个磁性悬浮力的每一个可部分地抵消沉积源组件的重力。这四个磁性悬浮力的叠加可提供叠加的磁性悬浮力。所述叠加的磁性悬浮力完全地抵消沉积源组件的重力，使得可提供非接触式悬浮。
通过控制第一主动磁性单元、第二主动磁性单元、第三主动磁性单元和第四主动磁性单元，沉积源可沿着竖直方向平移地对准。在控制器的控制之下，沉积源可沿着竖直方向位于目标位置中。竖直方向举例为y方向。
通过控制(特别是单独地控制)第一主动磁性单元、第二主动磁性单元、第三主动磁性单元和第四主动磁性单元，沉积源组件可绕着第一旋转轴旋转。类似地，通过控制这些单元，沉积源组件可绕着第二旋转轴旋转。主动磁性单元的控制允许控制沉积源组件相对于第一旋转轴的角定向，和相对于第二旋转轴的角定向，以对准沉积源。因此，可提供用于角对准沉积源的两个旋转自由度。
第一被动磁性单元751和第二被动磁性单元752经配置，以用于分别提供第一横向力T1和第二横向力T2。第五主动磁性单元749和第六主动磁性单元750经配置，以用于分别提供第一相反横向力O1和第二相反横向力O2。在类似于参照图10A提供的说明中，第一相反横向力O1和第二相反横向力O2抵消第一横向力T1和第二横向力T2。
通过控制第五主动磁性单元749和第六主动磁性单元750，和因而控制第一横向力T1和第二横向力T2，沉积源可沿着横向方向平移地对准。此横向方向举例为z方向。在控制器的控制之下，沉积源可沿着横向方向定位于目标位置中。
通过单独地控制第五主动磁性单元749和第六主动磁性单元750，沉积源组件可绕着第三旋转轴768旋转，如图10C中所示。第三旋转轴768可垂直于第一旋转轴734并且/或者可垂直于第二旋转轴767。在操作中，第三旋转轴768可沿着竖直方向延伸。单独地控制第五主动磁性单元749和第六主动磁性单元750允许控制沉积源组件相对于第三旋转轴768的角定向，以角对准沉积源。
范例性参照图11A-图11E，说明在如本文所述的处理系统中用于非接触式悬浮、输送和/对准载体组件或基板的另外的输送设备820。在本公开内容中，“载体组件”可包括由以下项组成的群组的一个或多个元件：支撑基板的载体、没有基板的载体、基板或由支撑件支撑的基板。特别地，载体组件利用磁力取代机械力来保持于悬浮或浮动状态。作为例子来说，本文所述的另外的输送设备可不具有支撑沉积源组件的重量的机械装置，例如是不具有机械轨。在一些应用中，在载体组件于系统中悬浮和举例为运动期间，载体组件与剩余的另外的输送设备之间可没有任何机械接触。
根据本公开内容的实施方式，悬浮表示物体的状态，其中物体在没有机械接触或支撑的情况下浮动。再者，移动物体表示提供驱动力，驱动力举例为在不同于悬浮力的方向中的力，其中物体系从一个位置移动至另一个、不同的位置，举例为不同的侧向位置。举例来说，例如是载体组件的物体可悬浮，也就是通过抵消重力的力悬浮，且可在悬浮时在与平行于重力的方向不同的方向中移动。
根据本文所述实施方式的载体组件的非接触式悬浮、输送和/或对准的益处在于在载体组件的输送或对准期间没有粒子因为沉积源组件与设备的部分之间的机械接触而产生。设备的部分例如是机械轨。因此，特别是由于在使用非接触式悬浮、输送和/或对准时最小化粒子产生，如本文所述的处理系统提供沉积于基板上的层的改善的纯度和均匀性。
相较于用于导引载体组件的机械装置，另外的优点是本文所述的实施方式不受到影响载体组件的运动的线性度和/或精确度的摩擦力。非接触式输送载体组件允许载体组件的无摩擦运动，其中载体组件相对于掩模的对准可以高精确度控制和维持。再者，悬浮允许载体组件速度的快速加速或减速和/或载体组件速度的精细调整。
再者，机械轨的材料一般可因腔室的抽空、因温度、使用、磨损或类似者而面临变形。这种变形影响载体组件的位置，且因而影响所沉积的层的质量。相较之下，本文所述的另外的输送设备820的实施方式提供举例为存在本文所述的导引结构中的潜在变形的补偿。有鉴于悬浮和输送载体组件的非接触式方式，可提供载体组件的非接触式对准。因此，可提供基板相对于掩模的改善的和/或更有效率的对准。
特别地，另外的输送设备820经配置，以用于沿着竖直方向，和/或沿着一个或多个横向方向非接触式平移载体组件。竖直方向举例为y方向。一个或多个横向方向举例为x方向。再者，另外的输送设备可经配置，以用于相对于至少一个旋转轴非接触式旋转载体组件来举例为相对于掩模角度地对准载体组件。载体组件相对于旋转轴的旋转可提供于从0.003度至3度的范围内的角度。此外，另外的输送设备820可经配置，以用于载体组件相对于至少一个旋转轴的额外机械旋转来举例为相对于掩模角度地对准载体组件。额外机械旋转也就是利用接触的方式。沉积源组件相对于旋转轴的机械旋转可提供于0.0001度至3度的范围内的角度中。
图11A图示在x-y平面中的范例性的另外的输送设备820的主视图，图11C图示如图11A中所示的另外的输送设备820在x-z平面中的侧视图。一般来说，另外的输送设备820可布置于处理模块中，特别是布置于真空处理腔室中。此外，另外的输送设备也可布置于处理系统的至少一个另外的模块中，举例为传送模块415和/或路由模块410和/或维修模块，和/或掩模载体匣320和/或掩模载体装载器310和/或第一缓冲腔室151和/或第二缓冲腔室和/或第一真空摆动模块131和/或另外的另外的真空摆动模块132中。
如图11A至图11E中范例性所示，另外的输送设备820可包括载体组件880。载体组件880可包括举例为在如本文所述的基板载体中的待输送的基板101。载体组件880一般包括第一被动磁性元件851。如图11A中范例性图示，另外的输送设备可包括另外的导引结构870。另外的导引结构870于载体组件输送方向中延伸。导引结构包括多个主动磁性元件875。载体组件880经配置，以沿着另外的导引结构770为可移动的，如图11A中的水平箭头范例性所示。另外的导引结构870的第一被动磁性元件851和多个主动磁性元件875经配置，以用于提供第一磁性悬浮力来悬浮载体组件880。
再者，如图11A中范例性所示，另外的输送设备可包括驱动结构890。驱动结构可包括多个另外的主动磁性元件895。载体组件可包括第二被动磁性元件852，举例为铁磁材料的棒，以与驱动结构890的另外的主动磁性元件895相互作用。一般来说，多个主动磁性元件875的主动磁性元件提供磁力，与载体组件880的第一被动磁性元件851相互作用。举例来说，第一被动磁性元件851可为铁磁材料的棒或杆，可为载体组件880的一部分。或者，第一被动磁性元件可整合于基板支撑件。再者，如图11A和图11B中范例性所示，载体组件880一般包括第二被动磁性元件852，举例为铁磁材料的另外的棒或另外的杆，可连接于载体组件880或整合于基板支撑件。
根据本文所述的实施方式，多个主动磁性元件875提供在第一被动磁性元件851和因此的在载体组件880上的磁力。因此，多个主动磁性元件875悬浮载体组件880。一般来说，另外的主动磁性元件895经配置，以在处理系统中沿着基板输送方向驱动载体，举例为沿着图11A和图11B中所示的X方向，也就是沿着第一方向。因此，多个另外的主动磁性元件895形成驱动结构，用于在通过多个主动磁性元件875悬浮时移动载体组件880。另外的主动磁性元件895与第二被动磁性元件852相互作用，以提供沿着基板输送方向的力。举例来说，第二被动磁性元件852可包括多个永久磁体，以交替的极性布置。第二被动磁性元件852生成的磁场可与多个另外的主动磁性元件895相互作用，以在悬浮时移动载体组件880。
为了利用多个另外的主动磁性元件895悬浮载体组件880和/或利用多个另外的主动磁性元件895移动载体组件880，可控制主动磁性元件，以提供可调整的磁场。可调整的磁场可为静态或动态磁场。根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，主动磁性元件经配置以用于产生磁场，以沿着竖直方向提供磁性悬浮力。根据可与本文所述另外的实施方式结合的其他实施方式，主动磁性元件可经配置，以用于提供沿着横向方向延伸的磁力。如本文所述的主动磁性元件可为或可包括选自由以下项组成的群组的元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁体；或上述元件的任何组合。
图11A和图11B图图示根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式的另外的输送设备820的操作状态的侧视图。所示的另外的导引结构870可沿着载体组件的输送方向延伸，也就是沿着图11A和图11B中的X方向延伸。载体组件的输送方向是如本文所述的横向方向。另外的导引结构870可具有线性形状，沿着输送方向延伸。沿着源输送方向的另外的导引结构870的长度可为从1m至30m。基板101可大体上平行于图面布置，举例为具有+15°的偏差。在基板处理期间，基板可设置于基板接收区域中。基板处理举例为层沉积工艺。基板接收区域具有相同于或略微地(举例为5-20％)大于基板的对应尺寸的尺寸，举例为长度和宽度。
在另外的输送设备820的操作期间，载体组件880可在输送方向中沿着另外的导引结构870为可平移的。输送方向举例为x方向。图11A和图11B图示沿着x方向在相对于另外的导引结构870不同位置处的载体组件880。水平箭头表示驱动结构890的驱动力。如此一来，提供沿着另外的导引结构870的从左至右的载体组件880的平移。竖直箭头表示作用于载体组件上的悬浮力。
第一被动磁性元件851在输送方向中大体上沿着第一被动磁性元件851的长度可具有磁性性质。由主动磁性元件875’产生的磁场与第一被动磁性元件851的磁性性质相互作用，以提供第一磁性悬浮力和第二磁性悬浮力。因此，可提供载体组件880的非接触式悬浮、输送和对准。
如图11A中所示，载体组件880设于第一位置处。根据本公开内容的实施方式，两个或更多个主动磁性元件875’(举例为两个或三个主动磁性元件875’)由载体控制器840启动，以产生磁场来悬浮载体组件880。根据本公开内容的实施方式，载体组件悬吊于另外的导引结构870下方而没有机械接触。
在图11A中，两个主动磁性元件875’提供磁力，磁力由竖直箭头表示。磁力抵消重力，以悬浮载体组件。载体控制器840可单独地控制所述两个主动磁性元件875’，以使载体组件维持于悬浮状态中。再者，一个或多个另外的主动磁性元件895’可通过载体控制器840控制。另外的主动磁性元件与第二被动磁性元件852相互作用，以产生由水平箭头所示的驱动力。第二被动磁性元件852举例为一组交替的永久磁体。驱动力使基板沿着输送方向移动，基板举例为由载体组件支撑的基板。如图11A中所示，输送方向可为X方向。根据可与本文所述其他实施方式结合的本公开内容的一些实施方式，同时控制以提供驱动力的另外的主动磁性元件895’的数量是1至3个。载体组件的运动使基板沿着输送方向移动，输送方向举例为X方向。因此，在第一位置处，基板位于第一组主动磁性元件下方，且在另外的、不同位置处，基板位于另外的、不同组的主动磁性元件下方。控制器控制哪个主动磁性元件提供个别位置的悬浮力且控制个别的主动磁性元件来悬浮载体组件。举例来说，悬浮力可在基板正在移动时由随后的主动磁性元件提供。根据本文所述的实施方式，载体组件从一组主动磁性元件交到另一组主动磁性元件。
图11B图示位于第二位置中的载体组件。第二位置举例为处理位置。基板在处理模块中于处理位置进行处理。在处理位置中，载体组件可移动至需要的位置。基板利用本公开内容中所述的非接触式输送系统相对于掩模对准。
在第二位置中，如图11B中所范例性图示，两个主动磁性元件875’提供第一磁力和第二磁力。第一磁力由左竖直箭头所示，第二磁力由右竖直箭头所示。载体控制器840控制所述两个主动磁性元件875’，以提供在竖直方向中的对准。竖直方向举例为图11B中的Y方向。再者，附加地或替代地，载体控制器840控制所述两个主动磁性元件875’，以提供对准，其中载体组件在X-Y平面中旋转。通过比较虚线的载体组件的位置和以实线画出的载体组件880的位置，两个对准运动可范例性见于图11B中。
控制器可经配置，以用于控制主动磁性元件875’来在竖直方向中平移地对准载体组件。通过控制主动磁性元件，载体组件880可定位至目标竖直位置中。在载体控制器840的控制之下，载体组件880可维持在目标竖直位置中。因此，控制器可经配置，以用于控制主动磁性元件875’来相对于第一旋转轴角度地对准沉积源。第一旋转轴举例为垂直于主基板表面的旋转轴，举例为在本公开内容中于Z方向中延伸的旋转轴。
根据另外的输送设备的实施方式，在竖直方向(Y方向)中的载体组件的对准，特别是载体组件的非接触式对准可提供而具有0.1mm至3mm的对准范围。再者，在竖直方向中的对准精确度，特别是非接触式对准精确度可为50μm或更小，举例为1μm至10μm，例如是5μm。根据本公开内容的实施方式，旋转对准精确度，特别是非接触式对准精确度可为3°或更小。
根据另外的输送设备的实施方式，一个或多个另外的主动磁性元件895’可提供驱动力，此驱动力由图10B中的水平双箭头表示。控制器系控制一个或多个另外的主动磁性元件895’，以在输送方向中提供对准。输送方向举例为图11A和图11B中的X方向。根据本公开内容的实施方式，载体组件在输送方向(X方向)中的对准可提供而具有沿着导引结构的长度延伸的对准范围。再者，在输送方向中的对准精确度，特别是非接触式对准精确度可为50μm或更小，举例为5μm或30μm。
因此，另外的输送设备的实施方式提供悬浮的载体组件运动，而在输送方向和/或竖直方向中提供基板定位的高精确度。再者，根据本文所述实施方式的载体组件的定位精确度提供由载体组件的载体支撑的基板相对于掩模的改善的对准。可改善对准以提供一些掩模配置所需的精确度，或提供一些其他掩模配置的分离的对准系统的减小的复杂性。
图11D和图11E图示另外的输送设备820的一些替代配置可能，以提供竖直的基板定向，其中可提供具有15°或更小的绝对值的小偏移。如图11D和图11E中所范例性图示，基板支撑件102支撑的基板101可略微地倾斜，以面向下。因此，在处理基板期间，可减少粘附于基板表面的颗粒。通过提供沿着另外的导引结构870的长度分布的额外的主动磁性元件876或多个额外的主动磁性元件，图示于图11D中的载体组件倾斜，也就是具有从竖直定向的微小偏移，其中第二被动磁性元件852由另外的主动磁性元件吸引。因此，载体组件提供于悬浮状态中，其中载体组件的下端通过另外的主动磁性元件侧向地拉。也可提供用于在没有机械接触的情况下侧向地拉载体组件的下端的另外的元件。
根据再其他的实施方式，从竖直定向的偏移也可通过被动磁性元件提供。被动磁性元件举例为永久磁体。举例来说，载体组件可具有永久磁体。永久磁体设为第二被动磁性元件852，或除了第二被动磁性元件852之外，举例为相邻于第二被动磁性元件852。另外的永久磁体可设置于永久磁体下方。另外的永久磁体和永久磁体可设置有相反的极性，以彼此吸引。通过吸引力，载体组件可从竖直定向偏移。再者，吸引力可沿着输送方向提供导引。根据可与本文所述其他实施方式结合的再另外的实施方式，可提供再另外的一对永久磁体，以于载体上侧提供导引力。因此，第二对的永久磁体的一个永久磁体可设置于载体组件的上部区域中，第二对的永久磁体的对应永久磁体可相邻地设置于导引结构的区域中。通过第二对的永久磁体之间的吸引力，可提供沿着输送方向的导引。
图11E图示另外的输送设备820的另外的替代配置可能性。特别地，为了提供倾斜的基板101的基板定向，也就是从竖直定向略微偏移(举例为15°或更小的绝对值)，基板支撑件102经塑形，以在载体组件竖直时提供基板倾斜。
根据另外的输送设备的实施方式，载体组件880可包括一个或多个保持装置(未图示)，经配置以用于在基板支撑件102处保持基板101。所述一个或多个保持装置可包括机械装置、静电装置、电动(范德华(van der Waals))装置、电磁装置和/或磁性装置中的至少一种，例如是机械夹持件和/或磁性夹持件。
在一些应用中，载体组件包括或是静电吸盘(electrostatic chuck，E-chuck)。静电吸盘可具有支撑表面，举例为图11A至图11E中所示的基板支撑件102，以在基板支撑表面上支撑基板101。在一个实施方式中，静电吸盘包括介电主体，具有嵌入于介电主体中的电极。介电主体可由介电材料制造，较佳地由高热导率介电材料制造，例如是热解氮化硼(pyrolytic boron nitride)、氮化铝、氮化硅、氧化铝或等效材料。电极可耦接于电源。电源提供电力至电极，以控制吸附力。吸附力是静电力，作用于基板上，以将基板固定于支撑件的支撑表面上。
在一些应用中，载体组件880包括或是电动吸盘(electrodynamic chuck)或壁虎吸盘(Gecko chuck，G-chuck)。壁虎吸盘可具有支撑表面，用于在支撑表面上支撑基板。吸附力可为电动力，作用于基板上来将基板固定于支撑表面上。
如范例性参照图4A至图4E说明的，掩模330可设置于沉积源520与基板101之间，基板101可由载体组件880支撑。举例来说，掩模可为如图12A中所示的边缘排除掩模，或可为如图12B中所示的阴影掩模，用于沉积图案于基板上。一般来说，掩模可由掩模载体支撑。
如图12A中范例性所示，边缘排除掩模一般经配置，以通过提供掩模边缘332来覆盖基板101的边缘的部分。举例来说，基板101的所述部分的宽度333可为10mm或更小，举例为5mm或更小。开口区域334或开口通过掩模边缘332提供，也就是由掩模边缘332围绕。分隔壁可选择地设置于边缘排除掩模中间，使得存在由对应的边缘围绕的两个或更多个开口。然而，开口不配置为限定图案特征。开口经配置，以限定基板的面积。举例来说，图示于图12A中的开口的开口区域334可为基板的面积的至少80％。对于具有两个或更多个开口的实施方式来说，每个开口具有至少0.1％的基板面积的面积。
再者，在图12A中，具有支撑于载体组件880上的基板101的载体组件880以虚线示出。此外，将理解的是，通过应用如本文所述的另外的输送设备820，载体组件880和因此的基板101可相对于掩模330对准。
图12B图示包括多个小开口341的阴影掩模340。举例来说，小开口的面积可为基板面积的0.01％或更小，小开口的面积也就是待产生的图案的一个特征的面积。图12B图示具有支撑于载体组件880上的基板101的载体组件880。
根据可与本文所述其他实施方式结合的本公开内容的一些实施方式，基板和掩模相对于彼此的预对准可通过另外的输送设备820提供。另外的输送设备820经配置以用于在没有机械接触的情况下悬浮基板。举例来说，预对准可具有50μm或更小的精确度。这种预对准的精确度允许利用另外的对准致动器来执行最终对准。另外的对准致动器举例为压电致动器，例如是压电对准致动器。
特别是，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，可提供如参照图4A简要说明的对准系统550。范例性参照图12B和图12C，对准系统550一般包括两个或更多个对准致动器350，举例为四个对准致动器，如图12B中范例性所示。根据举例为利用如上所述的另外的输送设备执行预对准的一些实施方式，相较于在没有上述的预对准的精确度的常见对准致动器，对准致动器可具有减小的复杂性。举例来说，为了预对准，本文所述的另外的输送设备可包括轨。轨经配置，以使待对准的载体停止在处理模块内部的预设定位置中。举例来说，掩模载体可移动至处理模块内部的预设定位置中并且对准系统550可接着执行所需的位置的精细调整。之后，锁定螺栓可向前移动以保持掩模载体。锁定螺栓举例为四个锁定螺栓，在掩模载体的各角落上有一个锁定螺栓。在掩模载体定位之后，基板载体可移动至处理模块内部的预设定位置中。接着，基板载体可举例为通过对准系统对准。当基板载体和掩模载体位于正确的位置中时，锁定螺栓可应用来保持基板载体和掩模载体于正确的位置。
再者，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的一些实施方式，一个或多个相机可安装于处理模块内部。所述一个或多个相机经配置和布置，使得可检查掩模相对于基板的对准，举例为通过监测设置于掩模载体和/或掩模和/或基板载体和/或基板上的位置检查记号来检查。举例来说，检查记号可为黑点或孔洞。
根据一些实施方式，对准系统550可经配置，以从真空处理腔室外部工作，也就是从大气侧，如图4A中范例性所示。一般来说，对准系统包括保持布置，保持布置具有两个或更多个对准致动器。两个或更多个对准致动器在掩模载体与基板载体之间提供短连接路径。特别地，保持布置900包括两个或更多个对准致动器350，所述对准致动器可连接于基板载体910和掩模载体335中的至少一个，其中保持布置900经配置以支撑基板载体910。
如图12C中范例性所示，根据一些实施方式，两个或更多个对准致动器350的第一对准致动器350A可经配置，以至少在第一方向Y中使载体组件880和掩模载体335相对于彼此移动。此外，可提供两个或更多个对准致动器的第二对准致动器350B。第二对准致动器350B可经配置，以至少在第一方向Y和第二方向X中使载体组件880和掩模载体335相对于彼此移动。第二方向X不同于第一方向Y。根据一些应用，第一对准致动器350A相对于第二方向X浮动。术语“浮动”可理解为第一对准致动器350A允许基板载体910于第二方向X中的移动，基板载体910于第二方向X中的移动举例为由第二对准致动器350B驱动。
一般来说，保持布置可进一步包括第三对准致动器350C和第四对准致动器350D中的至少一个。因此，两个或更多个对准致动器经配置以在第一平面中或平行于第一平面(举例为在x方向和y方向中)移动或对准载体组件或基板载体910或掩模载体335，并且可经配置以于第一平面中或平行于第一平面调整或改变基板载体910或掩模载体335的角位置。因此，基板101可相对于掩模330对准，并且可改善所沉积的层的质量。
虽然未明确地图示于图12C中，将理解的是，如参照图12A和图12B所范例性图示的掩模330一般可附接于掩模载体335。如参照图12B和图12C范例性图示的，保持布置900一般经配置，以用于在大体上竖直的定向中支撑基板载体910和掩模载体335中的至少一个。
再者，将理解的是，两个或更多个对准致动器可连接于载体组件和掩模载体335的至少一个元件。作为例子来说，两个或更多个对准致动器可连接于基板载体910，其中两个或更多个对准致动器经配置以相对于掩模载体335移动基板载体910，其中掩模载体335可位于固定或静止位置。在其他例子中，两个或更多个对准致动器连接于掩模载体335，其中两个或更多个对准致动器经配置以相对于基板载体910移动掩模载体335，其中基板载体910可位于固定或静止位置。
在一些应用中，两个或更多个对准致动器的至少一个对准致动器系经配置，以在第三方向Z中使基板101和掩模载体335相对于彼此移动，特别是其中第三方向大体上垂直于第一平面和/或基板表面103。作为例子来说，第一对准致动器350A和第二对准致动器350B可经配置，以在第三方向Z中移动基板载体910或掩模载体335。在一些应用中，通过于第三方向Z中移动载体组件或基板载体910或掩模载体335，可调整基板101与掩模330之间的距离。作为例子来说，可将基板101(或基板载体910)与掩模330之间的距离调整为在基板表面103的某区域中大体上恒定。基板表面103经配置以用于在所述基板表面上沉积层。根据一些实施方式，所述距离可为小于1mm，特别是小于500微米，更特别是小于50微米。
如图12C中范例性所示，根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，第一对准致动器350A和第二对准致动器350B设置于基板载体的第一边缘部分921，第三对准致动器350C和第四对准致动器350D设置于基板载体的第二边缘部分922。特别地，第一对准致动器350A、第二对准致动器350B、第三对准致动器350C和第四对准致动器350D可设置于基板载体910的角落或角落区域中，举例为第一边缘部分921或第二边缘部分922的角落和角落区域中。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，两个或更多个对准致动器可为电或气动致动器。两个或更多个对准致动器可举例为线性对准致动器。在一些应用中，两个或更多个致动器可包括选自由以下项组成的群组的至少一个致动器：步进致动器、无刷致动器、直流(direct current，DC)致动器、音圈致动器和压电致动器。术语“致动器”可表示马达，举例为步进马达。两个或更多个对准致动器可经配置，以移动或定位载体组件或基板载体对应的基板而具有小于约正/负1微米的精确度。作为例子来说，两个或更多个对准致动器可经配置，以在第一方向Y、第二方向X和第三方向Z中的至少一者中移动或定位基板载体而具有约正/负0.5微米的精确度，特别是约0.1微米的精确度。在一些应用中，在第一方向、第二方向和第三方向中的至少一者中移动基板可通过同时地或相继地驱动两个或更多个对准致动器来执行。
因此，如本文所述的处理系统的实施方式有利地经配置以用于制造大面积显示装置，举例为OLED装置，而具有高分辨率或甚至超高分辨率。
简要地总结，如本文所述的处理系统的实施方式特别地经配置以用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层，特别是在所述层中包括有机材料的所述层。处理系统一般包括装载锁定腔室110，用于装载待处理的基板；路由模块410，经配置以用于输送由载体支撑的基板；第一真空摆动模块131，设置于装载锁定腔室110与路由模块410之间；和处理模块510，包括沉积源520，用于在处理模块的真空处理腔室540中沉积材料，其中处理模块连接于路由模块。处理系统可进一步包括维修模块610，连接于处理模块，其中维修模块610经配置，使得沉积源520可从真空处理腔室540传送至维修模块610和从维修模块传送至真空处理腔室。再者，处理系统包括卸载锁定腔室116，用于卸载已处理的基板。如本文所述的处理系统一般包括：另外的路由模块412，经配置以用于输送由载体支撑的基板；掩模载体匣320，连接于另外的路由模块412，其中掩模载体匣320经配置以用于存储和输送在处理系统的操作期间应用的掩模；另外的真空摆动模块132，设置于卸载锁定腔室116与另外的路由模块412之间；和输送系统，经配置以用于在真空条件下和/或在受控的惰性气氛下在第一真空摆动模块131与另外的真空摆动模块132之间输送载体。
根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，沉积源520包括蒸发坩埚521，其中蒸发坩埚经配置以蒸发材料。再者，沉积源520一般包括分布组件530，具有一个或多个出口，其中分布组件530流体连通于蒸发坩埚521。如本文所述，沉积源一般包括分布管533，具有多个喷嘴544，其中多个喷嘴的每个喷嘴经配置，以用于指导蒸发的源材料的羽流318朝向基板101。此外，沉积源可包括塑形屏蔽装置517，包括多个孔545，其中多个孔545的至少一个孔经配置，以单独地塑形从单一关联的喷嘴发射的蒸发的源材料的羽流318。
再者，根据可与本文所述任何其他实施方式结合的实施方式，处理系统包括输送设备720，用于非接触式输送沉积源520。一般来说，输送设备720包括沉积源组件730。沉积源组件730包括沉积源520、第一主动磁性单元741和导引结构770。导引结构770在沉积源输送方向中延伸。第一主动磁性单元和导引结构经配置以用于提供第一磁性悬浮力F1来悬浮沉积源组件。此外，可提供用于非接触式悬浮、输送和/或对准载体组件的另外的输送设备820，另外的输送设备包括：另外的导引结构870，具有多个主动磁性元件875，其中另外的导引结构经配置以悬浮载体；和驱动结构890，具有多个另外的主动磁性元件895，其中驱动结构890经配置以沿着输送方向在没有机械接触的情况下驱动载体组件。再者，如本文所述，经配置以使载体组件880和掩模载体335相对于彼此移动的两个或更多个对准致动器350可设置于处理系统中。
图13B图示用于操作处理系统的方法1300的方框图，处理系统特别是用于操作根据本文所述实施方式的处理系统，用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层，特别是在所述层中包括有机材料的层。用于操作处理系统的方法包括：于水平定向中装载基板于处理系统中；于真空摆动模块中装载基板至载体上；于真空摆动模块中将具有已装载的基板的载体旋转成竖直定向；在真空条件下传送具有已装载的基板的载体通过处理系统并且进入和离开处理模块；于另外的真空摆动模块中将载体旋转为水平定向；和在水平定向中从另外的真空摆动模块中的载体卸载基板。
特别地，流程图的第一个方框1310表示基板于水平定向中装载至如本文所述的处理系统中。流程图的第二个方框1320表示基板在水平定向中装载于载体上。流程图的第三个方框1330表示基板通过从水平定向旋转载体至竖直定向中来进行旋转，特别是通过使用如本文所述的真空摆动模块。流程图的第四个方框1340表示基板通过在竖直定向中传送具有基板的载体而传送通过处理系统，举例为通过如本文所述的一个或多个处理模块。特别地，传送载体通过处理系统可包括应用如本文所述的输送系统，输送系统可设置于如本文所述的处理系统的一些或全部的模块和腔室中。在处理基板之后，具有在载体上的基板的载体从竖直定向旋转至水平定向，由流程图的第五个方框1350表示。接着，在由流程图的第六个方框1360表示的步骤中，基板于水平定向中卸载。因此，将理解的是，如本文所述的处理系统可有利地使用于沉积一个或多层，特别是包括有机材料的一个或多个层来举例为制造OLED装置。
进一步针对上述的实施方式，将理解的是，处理系统一般包括若干驱动单元，以举例为移动沉积源、维修凸缘和路由模块的旋转单元。特别地，用于沉积源的旋转驱动可设置于源匣内部且可经配置以从起始位置转动沉积源至可适用的处理位置。如参照图11A至图11C图说明的，源匣一般使用磁性悬浮系统，以在处理模块内部向前和向后移动源。范例性参照图8A和图8B的说明，维修凸缘一般安装于维修凸缘转子的顶部上。维修凸缘转子可包括旋转驱动和驱动带，经配置以用于从维修位置转动维修凸缘至处理模块且回到维修位置。再者，参照图9A和图9B的说明，设置于路由模块中的旋转驱动一般经配置，以转动掩模载体和/或基板载体，使得掩模载体和/或基板载体可输送至可适用的处理模块中。
此外，将理解的是，如本文所述的处理系统的实施方式可提供有真空系统。真空系统包括选自由以下项组成的群组的一个或多个部件：前级真空泵；干式真空泵(dry vacuumpumps)；高真空泵；举例为低温泵，可在内侧使用非常冷的表面，以凝结气体并从系统移除那些气体；通风装置，举例为阀，用于使真空腔室通风；颗粒过滤器(particle filters)，举例为压缩干燥气体的通风气体可通过颗粒过滤器进入真空腔室；和压力测量系统，压力测量系统经配置，以用于测量和显示处理系统的个别模块和腔室的当前压力，以及通过个别的模块和腔室的压力来用于控制和监测个别的泵站。
再者，将理解的是，如本文所述的处理系统的实施方式一般包括电系统，经配置以提供功率至控制装置以及处理系统的用电装置。控制装置例如是硬实时服务器(hard realtime server，HRTS)和虚拟系统界面(virtual system interface，VSI)。用电装置举例为加热器或蒸发阴极。一般来说，电系统的装置布置在不同的柜中，举例为供应分布柜，靠近处理系统和可附接于个别的模块或腔室的控制柜安装。
再者，将理解的是，本文所述的处理系统的典型实施方式可包括冷却水供应器；气动供应器和通风气体供应器。一般来说，处理模块和有机三联源供应有冷却水。特别地，处理系统可包括用于冷却水的主供应线，从主供应线经由个别的冷却水分布单元，每个模块的子系统可供应有冷却水。根据一些应用，额外的水供应箱可设置而用于处理模块。再者，气动阀组件和流动控制器可设置于每个个别的冷却水循环中，以控制和监测冷却水供应器。气动供应器一般以加压的气体来进行操作，加压的气体举例为压缩的干燥气体或氮气，且气动供应器经配置以气动地操作水供应器的阀和泵、栅阀和排气设备。根据典型的应用，气动供应器包括主供应线。在主供应线中，可在主输入调节器设定从6bar至8bar的压力。维护单元可运送加压的气体至设置于个别模块的个别的阀单元。阀单元包含电操作的导阀(pilot valves)，控制加压的气体流经气压驱动的部件。
有鉴于本文所述的处理系统的实施方式，将理解的是，处理系统提供稳定的蒸发率，举例为在一星期或更长的时间尺度上约±5％或更小的稳定的蒸发率。这可特别是通过改善的维护条件来提供。再者，本文所述的处理系统的实施方式在不破坏真空甚至不停止处理的情况下，允许有机材料再填充于蒸发坩埚中。一个蒸发源的维护和/或再填充可独立于另一个蒸发源进行。这改善拥有成本(CoO)，因为源维护和源的再填充是许多其他OLED制造系统中的瓶颈。也就是说，在例行维护期间和在掩模交换期间，通过不需通风基板转运腔室或沉积腔室，高系统运行时间可显著地改善CoO。如上所述，这种改善的一个原因是本文所述的维护真空腔室和/或与维护真空腔室关联的另外的部件，其中可在分离的腔室中提供蒸发源的维护和预调节。
再者，本文所述的处理系统的实施方式经配置，以用于竖直基板处理，而提供处理系统的小的占地面积，特别是当若干处理模块参照图1A的范例性说明来设置时。特别地，竖直基板处理针对目前和未来的基板尺寸世代提供良好的稳定性。因此，如本文所述的处理系统的实施方式允许涂布若干层有机材料于两个或更多个基板上，特别是大面积基板上。
再者，如本文所述的处理模块中的可移动且可转动的蒸发源允许具有高材料利用率的连续或几乎连续的涂布。因此，通过处理模块使用具有180°转动机构的扫描源方法来以交替方式涂布两个基板的扫描源方法，本文所述的实施方式允许高蒸发源效率(>85％)和高材料利用率(至少50％或更高)。源效率考虑为了允许待涂布的基板的整个面积的均匀涂布，蒸汽束跨大面积基板的尺寸延伸而造成材料损失发生。材料利用率额外考虑发生在蒸发源的闲置期间的损失，也就是蒸发源不可沉积蒸发的材料于基板上的时间。
再者，根据本文所述的实施方式，蒸发源(举例为线性蒸汽分布喷头)的平移运动和蒸发源的旋转的结合允许用于OLED显示器制造的高蒸发源效率和高材料利用率。为了实现良好的可靠性、产率和高遮蔽精确度，掩模和基板一般在基板于如本文所述的处理模块中的处理期间保持静止。因此，如本文所述的处理系统相较于传统处理系统减少闲置时间。在传统处理系统中，在每次沉积之后，基板需进行更换，包括掩模和基板相对于彼此的新的对准步骤。再者，在闲置期间，源在浪费材料。因此，如本文所述具有在沉积位置中且相对于掩模容易对准第二个基板减少闲置时间并且增加材料利用率。
因此，有鉴于上述，相较于传统处理系统，如本文所述的处理系统和方法因而有所改善，特别是有关于用于在大面积基板上制造显示装置的高产量和低成本。显示装置举例为OLED显示装置。

Claims (15)

1.一种处理系统(100)，用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多层，特别是在所述层中包括有机材料的所述层，所述处理系统包括：
第一真空摆动模块(131)，经配置以用于从水平状态旋转第一基板至竖直状态；
第一缓冲腔室(151)，连接于所述第一真空摆动模块(131)；
路由模块(410)，连接于所述第一缓冲腔室(151)，其中所述路由模块经配置以用于输送所述第一基板至处理布置(1000)，所述处理布置包括沉积源；
第二缓冲腔室(152)，连接于所述路由模块(410)；和
另外的真空摆动模块(132)，连接于所述第二缓冲腔室(152)，其中所述另外的真空摆动模块(132)经配置以用于从所述竖直状态旋转第二基板至所述水平状态；和
其中所述第一缓冲腔室(151)经配置以用于缓冲在第一基板输送方向中从所述第一真空摆动模块(131)接收的所述第一基板，和用于缓冲在第二基板输送方向中从所述路由模块(410)接收的第三基板；和
其中所述第二缓冲腔室(152)经配置以用于缓冲在所述第二基板输送方向中从所述另外的真空摆动模块(132)接收的第二基板，和用于缓冲在所述第一基板输送方向中从所述路由模块(410)接收的第四基板。
2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一缓冲腔室(151)包括第一切换轨道(161)，所述第一切换轨道经配置以用于横向于所述第一基板输送方向移动所述第一基板和/或所述第三基板。
3.如权利要求1或2所述的处理系统，其中所述第二缓冲腔室(152)包括第二切换轨道(162)，所述第二切换轨道经配置以用于横向于所述第二基板输送方向移动所述第二基板和/或所述第四基板。
4.如权利要求1至3中任一项所述的处理系统，其中所述路由模块(410)经配置以旋转从所述第一缓冲腔室(151)接收的所述第一基板，使得所述第一基板可于装载方向中装载至所述处理布置(1000)中，所述装载方向不同于所述第一基板输送方向，特别地其中所述装载方向垂直于所述第一基板输送方向。
5.如权利要求4所述的处理系统，其中所述路由模块(410)经配置以于卸载方向中从所述处理布置(1000)接收所述第四基板，所述卸载方向不同于所述装载方向，特别地其中所述装载方向相反于所述装载方向。
6.如权利要求1至5中任一项所述的处理系统，其中所述第一基板输送方向系相反于所述第二基板输送方向。
7.如权利要求1至6中任一项所述的处理系统，其中栅阀(115)设置于所述第一真空摆动模块(131)与所述第一缓冲腔室(151)之间、所述第一缓冲腔室(151)与所述路由模块(410)之间、所述路由模块(410)与所述处理布置(1000)之间、所述路由模块(410)与所述第二缓冲腔室(152)之间和所述第二缓冲腔室(152)与所述另外的真空摆动模块(132)之间。
8.一种用于装载和卸载基板至处理系统(100)的处理布置(1000)的方法，所述处理系统特别是如权利要求1至7中任一项所述的处理系统，所述方法包括：
于第一基板输送方向中从第一真空摆动模块输送第一基板至第一缓冲腔室中；
于所述第一缓冲腔室中缓冲所述第一基板和于第二基板输送方向中从路由模块接收的第三基板；
于所述第一缓冲腔室中横向于所述第一基板输送方向移动所述第一基板和所述第三基板；
从所述第一缓冲腔室输送所述第三基板至所述第一真空摆动模块中；
于所述第一缓冲腔室中横向地回移所述第一基板；
于所述第一基板输送方向中从所述第一缓冲腔室输送所述第一基板至所述路由模块中；
于所述路由模块中旋转所述第一基板，使得所述第一基板可于装载方向中装载至所述处理布置中，所述处理布置连接于所述路由模块；
从所述路由模块装载所述第一基板至所述处理布置中；
从所述处理布置卸载第四基板至所述路由模块中；
于所述路由模块中旋转所述第四基板，使得所述第四基板可于所述第一基板输送方向中从所述路由模块输送至第二缓冲腔室中，所述第二缓冲腔室连接于所述路由模块；
于所述第一基板输送方向中输送所述第四基板至所述第二缓冲腔室中；
于所述第二缓冲腔室中横向于所述第一基板输送方向移动所述第四基板；
于所述第二基板输送方向中从另外的真空摆动模块输送第二基板至所述第二缓冲腔室中；
于所述第二缓冲腔室中横向地回移所述第四基板和所述第二基板；和
从所述第二缓冲腔室输送所述第四基板至所述另外的真空摆动模块中。
9.一种处理系统(100)，用于在由载体支撑的基板上沉积一个或多个层，特别是在所述层中包括有机材料的所述层，所述处理系统包括：
装载锁定腔室(110)，用于装载待处理的所述基板；
路由模块(410)，经配置以用于输送由所述载体支撑的所述基板；
第一真空摆动模块(131)，设置于所述装载锁定腔室(110)与所述路由模块(410)之间；和
处理模块(510)，包括沉积源(520)，所述沉积源用于在所述处理模块的真空处理腔室(540)中沉积材料，其中所述处理模块连接于所述路由模块；
维修模块(610)，连接于所述处理模块，其中所述维修模块(610)经配置，使得所述沉积源(520)可从所述真空处理腔室(540)传送至所述维修模块(610)和从所述维修模块传送至所述真空处理腔室；
卸载锁定腔室(116)，用于卸载已处理的所述基板；
另外的路由模块(412)，经配置以用于输送由所述载体支撑的所述基板；
掩模载体匣(320)，连接于所述另外的路由模块(412)，其中所述掩模载体匣(320)经配置以用于存储和输送在所述处理系统的操作期间应用的掩模；
另外的真空摆动模块(132)，设置于所述卸载锁定腔室(116)与所述另外的路由模块(412)之间；和
输送系统，经配置以用于在真空条件下和/或受控的惰性气氛下在所述第一真空摆动模块(131)与所述另外的真空摆动模块(132)之间输送所述载体。
10.如权利要求1至7中任一项或权利要求9所述的处理系统(100)，其中所述沉积源(520)包括：
蒸发坩埚(521)，其中所述蒸发坩埚经配置以蒸发所述材料；和
分布组件(530)，具有一个或多个出口，其中所述分布组件(530)流体连通于所述蒸发坩埚(521)。
11.如权利要求1至7中任一项或权利要求9至10中任一项所述的处理系统(100)，进一步包括输送设备(720)，用于所述沉积源(520)的非接触式输送，其中所述输送设备(720)包括沉积源组件(730)，所述沉积源组件包括所述沉积源(520)、第一主动磁性单元(741)、和导引结构(770)，所述导引结构于沉积源输送方向中延伸，其中所述第一主动磁性单元和所述导引结构经配置以用于提供第一磁性悬浮力(F1)来悬浮所述沉积源组件。
12.如权利要求1至7中任一项或9至11中任一项所述的处理系统(100)，进一步包括：
另外的输送设备(820)，用于载体组件的非接触式悬浮、输送和/或对准，所述另外的输送设备(820)包括：
另外的导引结构(870)，具有多个主动磁性元件(875)，其中所述另外的导引结构经配置以悬浮所述载体；和
驱动结构(890)，具有多个另外的主动磁性元件，其中所述驱动结构(890)经配置以沿着输送方向在没有机械接触的情况下驱动所述载体组件；和
两个或更多个对准致动器(350)，经配置以使所述载体组件(880)与掩模载体(335)相对于彼此移动。
13.如权利要求1至7中之任一项或权利要求9至12中任一项所述的处理系统(100)，其中所述沉积源包括分布管(533)，所述分布管具有多个喷嘴(544)，其中所述多个喷嘴的每个喷嘴经配置以用于导引蒸发的源材料的羽流(318)朝向所述基板(101)；和
塑形屏蔽装置(517)，包括多个孔(545)，其中所述多个孔(545)的至少一个孔经配置以单独地塑形从单一关联的喷嘴发射的所述蒸发的源材料的羽流(318)。
14.如权利要求1至7中任一项或权利要求9至13中任一项所述的处理系统(100)，其中所述沉积源包括测量出口(535)，用于提供蒸发的材料至测量组件，所述测量组件用于测量所述沉积源的所述蒸发的材料的沉积率，所述测量组件包括振荡晶体和保持器，所述振荡晶体用于测量所述沉积率，所述保持器用于保持所述振荡晶体，其中所述保持器包括具有大于k＝30W/(mK)的热导率k的材料。
15.一种操作处理系统的方法，特别是操作如权利要求1至7中任一项或权利要求9至14中任一项所述的处理系统的方法，用于在由所述载体支撑的所述基板上沉积一个或多个层，特别是在所述层中包括有机材料的所述层，所述方法包括：
于水平定向中装载所述基板于所述处理系统中；
于真空摆动模块中装载所述基板至所述载体上；
于所述真空摆动模块中旋转具有已装载的所述基板的所述载体成竖直定向；
在真空条件下传送具有已装载的所述基板的所述载体通过所述处理系统并且进入和离开处理模块；
于另外的真空摆动模块中旋转所述载体为水平定向；和
在所述水平定向中从所述另外的真空摆动模块中的所述载体卸载所述基板。
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